KR20080052454A - 금속 성분 상에 다공성 표면을 제공하는 방법 - Google Patents

금속 성분 상에 다공성 표면을 제공하는 방법 Download PDF

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KR20080052454A
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라우멘 크리스토프
살웬 앤더스
바이베르그 죄렌
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린데 악티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명은 금속 바디의 표면 구조를 수정하는 방법에 관한 것이며, 보다 바람직하게는 표면 다공성 증가를 위한 것으로서, 금속 바디의 표면은 먼저 산화 분위기에 노출되고 후속적으로 환원 분위기에 노출된다.

Description

금속 성분 상에 다공성 표면을 제공하는 방법{METHOD FOR PRODUCING POROUS SURFACES ON METAL COMPONENTS}
본 발명은, 금속 바디의 표면 구조의 수정을 위한, 보다 바람직하게는 표면 다공성을 증진시키기 위한 방법에 관한 것이다.
스테인레스 오스테나이트 스틸(stainless austenitic steel)은 그 제조 이후 구조 없이 매끄러운 금속 표면을 가지며, 따라서 습식이 되기 어려울 수 있다. 습식 특성은 페인트와 코팅의 내구성 및 접착에 큰 영향을 주며, 즉 상기 표면 상에 내구성 있는 코팅을 적용하는 것이 어렵다.
의학에 있어서, 예를 들어 티타늄과 같은 생체 적용 물질은 이로부터 이식체(implant)를 제공하도록 사용된다. 이러한 이식체에서 너무 매끄러운 표면은 해결하기 어려운 문제점을 야기한다. 그 중 예를 들어 이식체와 이식체가 이식되는 인체 조직 사이의 접촉이 바람직하지 않다.
"고체 산소 연료셀 디자인을 위한 다공성 금속 튜브형 지지체(Porous Metal Tubular Support for Solid Oxide Fuel Cell Design)"(Electrochemical and Solid- State Letters Volume 9, No. 9, A427~A429 페이지, 2006년 6월)의 문헌에서 이러한 다공성 니켈 튜브의 제조 방법이 공지된다. 이를 위해, 니켈 튜브는 먼저 산화되고 후속적으로 수소 분위기 내에서 환원된다.
니켈 기공 형태가 특정 온도에서 그리고 특정 시간 이후 NiO 및 니켈 금속에서 니켈 원자와 산소 원자의 확산율과 NiO의 열적 안정성 사이에서의 특별한 관계로 인하여 가정된다.
니켈의 산화와 달리, Fe 또는 Co 함유 물질에서 오직 하나의 산소만이 아니라 그 이상의 산소가 상이한 열적 안정성으로 산화 온도에 따라 형성될 수 있으며, 형태는 MO, M2O3, M3O4이며, 여기에서 M은 Fe 또는 Co이다. 추가로, Fe-기저 또는 Co-기저 합금에서 Cr, Mo, Mn 및 Si와 같은 요소를 합금함으로써 형성된 산소가 그 형태를 보다 복잡하게 형성한다. 환원 동안, 산소 및 매트릭스 내의 합금 요소 및 Fe 또는 Co의 확산은 극도로 복잡한 형태를 생성한다.
Fe-기저 또는 Co-기저 합금에서의 논의와 동일한 논의가 Cr, Fe, Cu, Co, Mo, Mn 및 Si를 부가한 다른 금속 합금 및 Ta- 및 Ti-기저 합금에서도 적용된다.
따라서, 본 발명의 목적은 Fe, Cu, Co, Cr, Ti, Ta, Mo, Mn 및 Si 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 합금의 금속 바디의 표면 다공성을 증진시키기 위한 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적은, 금속 바디의 표면 구조의 수정을 위한, 보다 바람직하게는 표면 다공성을 증진시키기 위한 방법에 의해 해결되며, 상기 방법에 있어서 상기 금속 바디는 Fe, Cu, Co, Cr, Ti, Ta, Mo, Mn 및 Si 금속 중 하나 이상을 주성분으로 또는 추가로 포함하는 금속 합금이며, 제 1 방법 단계에서 상기 금속 바디의 표면에서 하나 이상의 비금속 물질을 보다 바람직하게는 C, O, N, S 또는 P 중 하나 이상을 포함하는 표면층이 생성되며, 후속하여 제 2 방법 단계에서, 상기 표면층 내에 포함된 상기 하나 이상의 비금속 물질이 상기 표면층으로부터 적어도 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징은 두 단계의 방법에 있다. 제 1 방법 단계에서, 적어도 하나의 비금속 요소 또는 하나의 비금속 요소를 포함하는 복합체를 갖는 표면층이 금속 바디 상에 형성된다. 제 1 방법 단계에서, 바람직하게, 탄소, 산소, 질소, 황소 또는 인이 비금속 요소로서 표면층에 설치된다. 이러한 표면층의 생성은 한 번의 단계에서 일어날 필요는 없으며 수회의 단계에서 이루어질 수 있다.
그 이후, 비금속 요소 또는 이러한 비금속 요소를 포함하는 복합체가 제 2 방법 단계에서 부분적으로 또는 전체적으로 제거될 수 있다. 이러한 방법으로 틈이 표면층에 남으며 이는 표면의 기공(porosity)을 가져온다. 이러한 비금속 요소를 표면층으로부터 제거하는 제 2 방법 단계는 한 번의 단계 또는 수회의 단계에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 언급한 제 2 방법 단계 이후 표면을 최종 처리할 필요가 없다. 특히, 표면층은 에칭 프로세스 또는 기타 유사한 프로세스를 걸치지 않는다.
바람직한 실시예에서, 제 1 방법 단계 및/또는 제 2 방법 단계는 수회의 방법 단계들을 포함하며, 그 각각의 단계들에서 하나 이상의 비금속 물질이 상기 표면층 내에 증착되거나 및/또는 상기 표면층으로부터 제거된다. 금속 바디는 예를 들어 처리 분위기에서 최초로 수정될 수 있어서, 비금속 물질이 상기 바디의 표면에 포함되며, 예를 들어 금속 표면이 산소를 포함하는 분위기에서 제어된 반응을 통하여 산화된다. 이후, 금속 바디는 금속 바디의 표면 구조 내에 비금속 요소의 추가 설치를 위해 동일한 처리가 다시 수행될 수 있으며, 즉 언급한 실시예에서 금속 표면은 추가 산화 반응에 노출된다.
동일하게 제 2 방법 단계에 적용된다: 표면층으로부터 비금속 성분을 제거하는 것이 수회의 단계에서 이루어질 수 있다. 비금속 성분의 설치 및 제거의 제 2 방법 단계를 수회의 단계로 나누는 것은, 표면에 설치되거나 또는 표면으로부터 제거되는 이러한 비금속 물질의 양이 큰 경우 보다 바람직하지만, 늘어지거나 또는 보다 강한 금속 성분 처리는 금속 성분 상에 단점을 준다. 수행되는 일련의 방법 단계를 수회의 단계로 구분함으로써 보다 신중한 금속 바디 처리가 이루어진다.
또한, 방법 단계를 수회의 단계로 나누는 것은, 다수의 상이한 물질이 금속 바디의 표면 구조에 설치되거나 이로부터 제거되는 경우 바람직하다. 이를 위해, 반응 조건들은 제 1 단계에서 최적화되며, 이에 따라 바람직하게 특정 비금속 성분이 금속 바디의 표면에서 반응한다. 제 2 단계에서, 반응 조건이 수정되며, 이에 따라 다른 물질이 표면층에 일체화된다. 표면의 제어된 수정을 위한 추가 단계가 이어질 수 있다. 물론, 이는 비금속 요소가 표면에 설치되는 것에만 적용되는 것이 아니라 제 2 방법 단계에서 제거되는 것에도 적용된다.
바람직하게, 본 발명에 따른 2-단계 프로세스는, 즉 제 1 방법 단계 및 제 2 방법 단계 절차는 반복적으로 수행된다. 이는 다공성 표면층이 증착 및 전술한 물질의 적어도 부분적인 반복 제거로 생성됨을 의미한다. 다음, 이러한 방식으로 미리 처리된 금속 바디의 표면이 변경된 방법 조건 하에서 본 발명에 따른 방법으로 한번 이상 수행되는 것이 바람직하다. 그 결과, 상이한 크기의 기공이 생성될 수 있다. 예를 들어, 거친 구조의 표면은 미세한 구조의 내측 표면을 가지며 방법 파라미터의 적절한 선택을 통해 생성될 수 있다. 거칠고 미세한 기공을 구비한 이러한 표면은 예를 들어 열교환기 표면을 제조하거나 촉매 컨버터 표면을 생성하는데 장점을 갖는다.
이러한 비금속 요소 또는 성분의 증착 및 표면층으로부터의 제거는 바람직하게는 열처리 분위기 내에서 금속 바디의 처리를 통해 수행되는 것이 바람직하다. 열처리 분위기 조합의 적절한 선택 및 예를 들어 압력과 온도와 같은 상응하는 처리 파라미터의 적절한 선택을 통해서, 이러한 방식으로 열처리 분위기 성분 및 금속 바디의 표면 사이에서 제어된 방법 하에 반응을 야기하여 한정된 표면층을 제공하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에 따라서 금속 표면이 먼저 산화되고 후속적으로 환원된다. 산화 단계 동안 산소층은 공지된 방법으로 금속 표면 상에서 형성된다. 두 번째 단계에서 산화된 금속 표면이 환원 분위기에 노출된다. 이러한 처리 동안 존재하는 산소 중 적어도 일부가 환원을 통해 제거되며 상응하는 기공은 표면에 남는다.
금속 표면의 산화 및 후속하여 환원을 수행함으로써 용이하게 습식 가능한 다공성 표면 구조체가 생성된다.
생성된 표면 다공성의 타입 및 그 형태는 제 1 방법 단계 및 제 2 방법 단계 동안의 방법 파라미터에 따른다. 필요한 설정에 최적인 기공 구조를 획득하도록, 파라미터는, 보다 바람직하게 온도 및 시간은 두 방법 단계에서 모두 적합하게 선택되어야 한다.
이러한 파라미터는, 그 표면이 수정되어야 하는 금속 또는 합금의 종류, 이러한 표면층으로부터 설치되고 제거되어야 하는 물질, 채택된 산화제 및/또는 환원제의 종류 및 예를 들어 크기와 같은 바람직한 기공 구조에 따른다. 본 발명에 따른 금속 바디의 열처리를 통한 표면 수정이 기체 분위기에서 수행되었다면, 분위기의 온도 및 각각의 노출 시간은 금속 또는 합금의 종류의 함수로서 처리되는 표면에 따라, 채택된 산화제 또는 환원제의 종류에 따라 및/또는 바람직한 기공 구조에 따라 제어된다.
스틸의 처리 동안 제 1 방법 단계는 바람직하게는 800℃ 내지 1300℃, 바람직하게는 1000℃ 내지 1200℃ 사이의 온도에서 이루어진다. 열처리 동안 바람직하게 그 시간이 10 내지 200분, 바람직하게는 30 내지 120분으로 선택된다. 티타늄, Cr-Co 또는 기타 물질에서 언급한 파라미터들은 제 1 참조 포인트로서 기능할 수 있으며, 다른 적합한 파라미터가 사용될 수 있다.
제 2 방법 단계는 예를 들어 환원 단계이며 900℃ 내지 1400℃에서 5분 내지 120분 동안, 보다 바람직하게는 60 내지 120분 동안 수행된다.
제 1 방법 단계에서 산소층을 생성하도록, 표면은 1 내지 100%의 산소 함량을 구비한 분위기에 노출된다. 바람직하게는, 공기가 산화제로 사용된다. 하지만, 산화되는 금속 및 바람직한 가공 구조 형태에 따라, 산소가 풍부한 공기 또는 산화제로서 기술적인 순수한 산소(pure oxygen)의 도움으로 산화가 수행되는 것이 바람직할 수 있다. 바람직하게는 적어도 50%의 산소 함량 분위기가, 특히 바람직하게 적어도 90%의 산소 함량 분위기가 여기에 사용된다. 적합하다면, 산화 분위기의 온도는 이 경우 적절하게 제어되어야 한다. 예를 들어 습식 공기, 증기, 이산화탄소, 질소와 산소 혼합체와 같은 다른 산화제가 본 발명에 따른 산화를 수행하기에 적합할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 표면의 산화는 다른 열처리 또는 변형 단계 동안의 부수 효과로서 유사하게 만들어지거나 생성된다. 예를 들어, 열간 롤링(hot rolling) 동안 금속 표면이 이미 산화되어 추가적인 산화가 수행될 필요가 없다.
산소층의 환원은 수소 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하다. 여기에서 적어도 75%, 바람직하게는 90%, 특히 바람직하게는 98% 수소 함량 환원 분위기를 채택할 수 있다. 그 대신 또는 수소에 추가하여, CO를 포함하는 분위기가 환원을 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 따라서 비교적 높은 탄소를 포함하는 Co-Cr 합금의 처리에서 합금 내에 존재하는 탄소 원자의 일부가 비금속 물질의 환원을 위한 제 2 방법 단계에서 사용된다. 환원제로서 관찰되는 탄소의 특징이 예를 들어 의도적으로 채택될 수 있으며, 여기에서 탄소는 탄소가 제 2 방법 단계에서 사용되는 수소 또는 CO 분위기에 추가된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 산화는 공기 내에서 이루어지고 후속하는 환원은 순수 수소 분위기 내에서 이루어진다.
본 발명에 따른 방법의 목적은, 다공성 금속 표면을 생성하는 것이다. 이를 위해 비금속이 먼저 예를 들어 산화 단계인 제 1 방법 단계 동안 금속 바디의 표면에 증착되고, 다음 예를 들어 환원 단계인 제 2 방법 단계 동안 다시 제거되어 바람직한 기공이 남는다. 이러한 방법 단계들 모두 즉시 이어져서 수행되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 표면이 두 방법 단계 사이에서, 더 바람직하게는 산화 단계와 환원 단계 사이에서 열처리 프로세스에 노출되지 않는 것이다.
본 방법은, 스테인레스 오스테나이트 스틸, Co-Cr 합금, 니켈 합금, 티타늄, 탄탈륨 또는 상기 물질들을 포함하는 합금의 바디 표면을 본 발명에 따라 처리하도록 바람직하게 사용될 수 있다. 여기에서, 전체 바디 또는 처리되는 바디의 표면 만이 예를 들어 먼저 산화 분위기에 그리고 후속하는 환원 분위기인 두 방법 단계에 연속적으로 노출될 수 있다.
본 발명은 바람직하게 의학용 또는 약학용 장치의 표면 구조를 수정하도록 사용된다. 예를 들어 의학용 이식체, 부목(stent), 의용 장비, 카데터(catheter), 보철물, 또는 인공 조인트 또는 제조되는 그러한 이식체와 보철물 재료가 본 발명에 따라 수정될 수 있다.
표면 다공성은 이식체와 인체 또는 동물 조직 또는 뼈 사이의 접촉에 의해 증진된다. 한편으로, 이식체 또는 보철물과 의용 장비는 예를 들어 수산화인회석 코팅과 같은 코팅을 종종 제공받는다. 본 발명에 따른 방법의 사용을 통해 그러한 층의 증진된 부착이 이루어진다.
보다 바람직하게는, 기술적인 분야뿐만 아니라 의술 및 수술 영역에서 본 발명에 따라 형성된 기공이 암 또는 제약 분야의 반응 물질, 동위원소, 방사선 물질을 증착하도록 사용될 수 있으며, 상기 기공들은 주변 환경에 부여되거나 주변 조직에 주입된다.
본 발명에 따른 방법의 다른 바람직한 적용 영역은, 일련의 페인팅 또는 코팅을 위한 그 부착 특성을 증진시키도록 금속 표면을 처리하는 것이다.
본 발명의 다른 적용 영역은, 열교환기 및 열교환기 표면에 따르는 유동 도관을 증진시키도록 열교환기의 표면 구조를 수정하는 것이다. 본 발명에 따라 수정된 표면은 촉매 컨버터 또는 배터리에 있어서 장점을 가져올 수 있다.
예를 들어 흡수 커패시티와 같은 표면의 광학 특성이 본 발명에 따른 제어된 방법에 영향을 받을 수 있다. 이를 위한 본 발명의 적용 영역은 태양열 집광기이다.
현재, 한정된 구조 또는 다공성을 필요로 하는 표면은 종종 분말 코팅 또는 분말의 소결(sintering-on)을 통해 종종 제공된다. 본 발명은 이러한 비교적 값비싼 방법에서 가능한 비용 절감을 이룬다.
마지막으로, 얇은 금속 바디의 표면만을 수정하는 것이 아니라, 본 발명에 따라서 전체적으로 다공성인 바디를 제공할 수 있다. 이러한 다공성 금속 바디는 예를 들어 필터로서 채택될 수 있다.
비금속 성분의 생성 및 제거의 두 방법 단계 동안 금속 표면 내에 합금 요소의 확산을 증진이 이루어진다. 따라서 본 발명에 따른 바람직한 방법은 제어된 방법으로 금속 표면을 합금하도록 사용된다. 특히, 수 마이크로미터 두께의 표면층이 이러한 방법으로 금속 바디 상에 생성되며, 여기에서 표면층의 남은 부분에 비교하여 Cr 또는 Mo 성분이 증진된다. 예를 들어, 가장 외측의 층에서 Cr 성분은 5~15%에 이르도록 증가할 수 있다.
가장 외측의 층에서의 요소의 제어된 증가는, 표면에 대한 부식 저항이 가장 중요한 적용에 있어서 예를 들어 인체로부터 제공되는 산성에 대하여 의학용 이식체를 보호하도록 보다 바람직한 장점을 갖는다.
본 발명이 적용되는 다른 바람직한 영역은, 보다 바람직하게는 미세 기계 또는 전자 구성요소의 표면 경도의 증가이다. 처리 파라미터를 적절하게 선택하여, 특히 작은 그레인(grain) 크기의 표면층이 형성된다. 이는, 제 2 방법 단계에서 비금속 원자가 제거된 이후 남는 금속 원자가 새로운 그레인을 포함함으로써 이루어진다. 프로세스 동안 유닛 영역마다 매우 작은 새로운 그레인이 형성되는 경우, 이는 높은 표면 경도를 이끈다.
본 발명 및 본 발명의 추가 실시예들이 이하의 실시예 및 도면을 참고하여 예시적으로 후술된다. 도면들은 본 방법에 따라 처리된 금속의 노출을 도시한다.
본 발명은 종래 기술에 비교하여 많은 장점을 갖는다. 본 발명에 따른 방법으로 표면 다공성이 사용자 선택에 따라 가능하다. 기공의 깊이와 크기가 산화 및 환원 단계에서 적합한 방법 파라미터의 선택에 따라 설정될 수 있다. 보다 바람직하게는, 매끄러운 표면 구조를 갖는 스테인레스 오스테나이트 스틸, Co-Cr-합금, 티타늄 및 탄탈륨 물질이 본 발명에 따른 방법으로 준비될 수 있어서 보다 양호하고 내구성있는 후속 코팅이 지속될 수 있다.
실시예 1 :
AISI316 타입의 스틸이 1200℃에서 30분 동안 산소 분위기에서 산화되고, 후속하여 1150℃에서 30분 동안 100% 수소 분위기에서 유사하게 환원되었다. 이렇게 제공된 1마이크로미터 내지 10마이크로미터 크기의 기공과 형성된 기공 채널은 수 마이크로미터 깊이에 이른다. 도 1 및 도 2는 생성된 기공을 도시한다.
실시예 2 :
도 3은 열간 롤링(hot rolling) 동안 그 표면이 산화되고, 수소 분위기 내에서 1170℃에서 후속적으로 환원된 열간 롤링된 와이어의 확대도이다.
실시예 3 :
티타늄의 치아 임플란트의 표면 다공성은 본 발명에 따라 수정되었다. 치아 임플란트 표면 정밀사진에서는, 인체 또는 동물에 이식에 이은 프로세스 및 생체 프로세스 속도에 실질적 영향을 주는 것이 발견되었다. 이는 나노미터 범위의 프로세스에서 매크로-레벨(macro-level) 또는 대형 입자(macro-particle)에 이르는 범위에 이르도록 적용된다.
도면들은 본 방법에 따라 처리된 금속의 노출을 도시한다.
도 1 및 도 2는, AISI316 타입의 스틸이 1200℃에서 30분 동안 산소 분위기에서 산화되고 후속하여 1150℃에서 30분 동안 100% 수소 분위기에서 유사하게 환원된 결과 생성된 기공을 도시한다.
도 3은, 열간 롤링 동안 그 표면이 산화되고, 수소 분위기 내에서 1170℃에서 후속적으로 환원된 열간 롤링된 와이어의 확대도이다.

Claims (16)

  1. 금속 바디의 표면 구조의 수정을 위한, 보다 바람직하게는 표면 다공성을 증진시키기 위한 방법에 있어서,
    상기 금속 바디는, Fe, Cu, Co, Cr, Ti, Ta, Mo, Mn 및 Si 금속 중 하나 이상을 주성분으로 또는 추가로 포함하는 금속 합금이며,
    제 1 방법 단계에서, 상기 금속 바디의 표면에서 하나 이상의 비금속 물질, 보다 바람직하게는 C, O, N, S 또는 P 중 하나 이상을 포함하는 표면층이 생성되며, 그리고
    후속하여 제 2 방법 단계에서, 상기 표면층 내에 포함된 상기 하나 이상의 비금속 물질이 상기 표면층으로부터 적어도 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 방법 단계 및/또는 상기 제 2 방법 단계는 수회의 방법 단계들을 포함하며, 그 각각의 단계들에서 하나 이상의 비금속 물질이 상기 표면층 내에 증착되거나 및/또는 상기 표면층으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방법 단계 및 상기 제 2 방법 단계의 절차가 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 방법 단계 및/또는 상기 제 2 방법 단계에서 상기 금속 바디가 한정된 가스 분위기 내에서 열처리에 노출되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속 바디의 표면은 상기 제 1 방법 단계에서 산화 분위기에 노출되며 상기 제 2 방법 단계에서 환원 분위기에 노출되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속 바디는, 상기 제 1 방법 단계에서 산화제로서 산소, 물 및/또는 이산화탄소를 포함하는 분위기에서 산화되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화 분위기는 50% 이상, 바람직하게는 75% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상의 산소 함량인 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 바디는 상기 제 2 방법 단계에서 환원제로서 수소 및/또는 일산화탄소를 포함하는 분위기에서 수정되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 환원 분위기는 75% 이상, 바람직하게는 90% 이상, 특히 바람직하게는 99% 이상의 수소 함량인 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면은 상기 제 1 방법 단계에서 10 내지 200분 바람직하게는 30 내지 120분의 시간 동안 처리되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 제 1 방법 단계에서 800℃ 내지 1300℃ 바람직하게는 1000℃ 내지 1200℃ 사이의 온도에서 생성되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비금속 물질은 상기 제 2 방법 단계에서 900℃ 내지 1400℃ 바람직하게는 1200℃ 내지 1300℃ 사이의 온도에서 적어도 부분적으로 다시 제거되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    스테인레스 오스테나이트 스틸(stainless austenitic steel), Co-Cr-합금, 티타늄, 탄탈륨 또는 상기 물질들을 포함하는 합금의 바디 표면이 수정되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    의학용 또는 약학용 장치, 보다 바람직하게는 이식체(implant)의 표면 구조가 수정되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면의 다공성이 증가하고, 작용 물질, 보다 바람직하게는 의학용 또는 약학용으로 작용하는 작용 물질이 기공 내에 증착되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 합금은 크롬 또는 스테인레스 스틸을 구비하여 스틸 합금되는 것을 특징으로 하는,
    금속 바디의 표면 구조 수정 방법.
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