KR20080050904A - 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자 제조방법은 반응 챔버내에 In 소오스 가스, Ga 소오스 가스, N 반응가스를 유입하여 제 1 온도에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 형성하는 단계와, 상기 반응조건에서 In 소오스 가스를 차단하고 상기 제 1 온도보다 높은 온도로 승온하여 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 적어도 하나 이상의 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 각 GaN 장벽층은 이전 단계에 형성된 GaN 장벽층의 형성온도보다 승온된 온도에서 형성되어 차례대로 적층되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 양자 우물층의 형성온도와 유사하거나 약간 높은 온도에서 하나 이상의 GaN 장벽층을 형성한 후 그 위에 고온에서 GaN 장벽층을 형성함으로써 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층에서 In이 휘발되는 것을 방지할 수 있다.

발광 소자, 질화물 반도체, 버퍼층,장벽층,우물층,In

Description

질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE OF A NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE FABRICATION METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

도 2는 도 1에서 활성층의 상세 단면도.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정 순서도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 200 : 버퍼층

300 : Undoped GaN층 400 : n형 GaN층

500 : 활성층 510 : In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층

520 : 제 1 GaN 장벽층 530 : 제 2 GaN 장벽층

600 : p형 GaN층 700 : 투명전극

800a, 800b: 전극패드

본 발명은 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양자 우물층과 장벽층이 적어도 한번 이상 교번하여 적층된 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에서 우물층을 형성한 후 장벽층을 형성하는 공정의 온도환경을 두 단계 이상으로 나누어서 수행함으로써 장벽층의 공정을 수행하는 과정에서 양자 우물층의 인듐(In)이 휘발되는 것을 방지하는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 질화물 반도체 발광 소자에 사용되는 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 광전소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.

질화물 반도체 발광소자는 일반적으로 기판위에 버퍼층, 제 1 도전성 반도체층, 활성층, 제 2 도전성 반도체층, 전극의 구조로 이루어져 있다.

이때, 활성층은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, In_xGa_{1 - x}N (0≤x≤1)의 일반식으로 표현되는 양자 우물층과 장벽층을 포함하여 이루어진다. 활성층을 이루는 물질의 종류에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 발광 파장이 결정된다.

활성층을 이루는 양자 우물층과 장벽층의 공정시 양자 우물층을 형성한 후 장벽층을 형성할 때 고온에서 수행하면 장벽층을 이루는 GaN 결정의 품질을 높일 수 있어서 휘도 향상에 도움을 줄 수 있다.

그러나, 양자 우물층을 형성한 후 곧바로 장벽층의 공정을 수행하기 위해 반응 챔버의 온도를 고온으로 올리면 고온에 의해 양자 우물층의 In이 휘발되거나 양자 우물층이 손상을 입는 문제점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 질화물 반도체 발광 소자에서 활성층을 이루는 양자 우물층과 장벽층을 형성할 때 장벽층의 결정 품질을 좋게 하면서도 양자 우물층의 손상을 방지할 수 있게 하는 데 있다.

이러한 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 의하면, 양자 우물층과 장벽층이 적어도 한번 이상 교번하여 적층된 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.

상기 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법은 반응 챔버내에 In 소오스 가스, Ga 소오스 가스, N 반응가스를 유입하여 제 1 온도에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 형성하는 단계와, 상기 반응조건에서 In 소오스 가스를 차단하고 상기 제 1 온도보다 높은 온도로 승온하여 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 적어도 둘 이상의 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 각 GaN 장벽층은 이전 단계에 형성된 GaN 장벽층의 형성온도보다 승온된 온도에서 형성되어 차례대로 적층되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게 상기 장벽층 형성단계는, 상기 우물층 형성단계의 반응조건에서 In 소오스 가스를 차단하고 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 승온하여 상기 In_xGa_1-xN (0＜x＜1) 양자 우물층위에 제 1 GaN 장벽층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 GaN 장벽층 형성단계의 반응조건에서 상기 제 2 온도보다 높은 제 3 온도로 승온하여 상기 제 1 GaN 장벽층위에 제 2 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 양자 우물층과 장벽층이 적어도 한번 이상 교번하여 적층된 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자가 제공된다.

상기 질화물 반도체 발광소자에 포함된 활성층은 제 1 온도에서 형성된 In_xGa_1-xN (0＜x＜1) 양자 우물층과, 상기 제 1 온도보다 높은 온도에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 적어도 둘 이상의 층으로 형성된 GaN 장벽층을 포함하되, 상기 각 GaN 장벽층은 이전 단계에 형성된 GaN 장벽층의 형성온도보다 승온된 온도에서 형성되어 차례대로 적층된 것을 특징으로 한다.

바람직하게 상기 GaN 장벽층은, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 형성된 제 1 GaN 장벽층과, 상기 제 2 온도보다 높은 제 3 온도에서 상기 제 1 GaN 장벽층위에 형성된 제 2 GaN 장벽층을 포함할 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다.

따라서, 본 발명은 이하 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 사파이어 기판(100), 버퍼층(200), Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN층(600), 투명전극(700), 전극패드(800a,800b)를 포함한다.

사파이어 기판(100)은 안정성이 높은 사파이어로 이루어져 있으며 기판(100)위로는 버퍼층(200)이 형성된다.

버퍼층(200), Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN 층(600)은 금속유기 화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 수소화물 기상 성장(HVPE) 방법 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 동일한 반응 챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.

버퍼층(200)은 사파이어 기판(100)과 Undoped GaN층(300)간의 격자 불일치를 완화하기 위해 개재된다. 예를 들어 버퍼층(200)은 Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)로 금속 유기 화학 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 금속 유기 화학 기상 성장법(metalorganic chemical vapor phase epitaxy, MOCVPE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.

버퍼층(200)을 형성할 경우, Al 및 Ga의 소오스 가스로 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum; TMAl, Al(CH₃)₃)과 트리메틸갈륨(trimethyl galium; TMG, Ga(CH₃)₃)을 사용하고, 반응가스로 암모니아(NH₃)를 사용한다. 이들 소오스 가스 및 반응가스를 반응 챔버 내에 유입시키고, 400 ~ 1200℃에서 버퍼층(200)을 형성할 수 있다.

Undoped GaN 층(300)은 버퍼층(200)위에 n형 GaN층(400)을 성장시키기 위하여 성장된다.

n형 GaN층(400)은 GaN에 실리콘(Si)을 도우핑하여 형성할 수 있다.

활성층(500)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN/GaN을 포함하여 이루어진다. 활성층(500)을 이루는 물질의 종류에 따라 발광 다이오드에서 방출 되는 발광 파장이 결정된다.

도 2에 도시된 바와 같이 활성층(500)은 제 1 온도에서 형성된 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510)과, 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 형성된 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510)위에 형성된 제 1 GaN 장벽층(520)과, 제 2 온도보다 높은 제 3 온도에서 제 1 GaN 장벽층(520)위에 형성된 제 2 GaN 장벽층(530)을 포함한다.

이와 같이 활성층(500)은 양자 우물층(510)과 장벽층(520, 530)이 반복적으로 교번하여 적층된 다층막일 수 있다. 이는 In의 소오스 가스의 공급과 차단을 각각 소정 시간 동안 주기적으로 반복함으로써 얻을 수 있다.

양자 우물층과 장벽층은 일반식 Al_xIn_yGa_{1 -x~ y}N (0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2원 내지 4원 화합물 반도체층들일 수 있다.

활성층(500)에서 생성되는 방출광의 파장은 InGaN 양자 우물층(510)에서 In량을 조절하거나, 양자 우물층(510)의 두께를 조절함으로써 다양하게 조절할 수 있고, 백색광을 얻을 수도 있다.

예를 들어, InGaN 양자 우물층(510)중 In 함량을 증가시킴에 따라 밴드갭이 작아져 발광파장이 길어지는 현상을 이용하여, 자외선 영역에서부터 청색, 녹색, 적색 등 모든 가시광 영역까지의 방출광을 얻을 수 있다.

또한, 발광파장은 InGaN 양자 우물층(510)의 두께를 조절함으로써 변화시킬 수 있다. 즉, InGaN 양자 우물층(510)의 두께를 증가시키면 밴드갭이 작아져 적색 쪽의 방출광을 얻을 수 있다.

또한, 다층 양자 우물층 구조를 이용하여 백색광을 얻을 수도 있다. 즉, 다층 InGaN 양자 우물층(510)을 몇 개의 그룹으로 나누고 각 그룹마다 In 함량을 다르게 조절하여, 예컨대, 청색발광 그룹, 녹색발광 그룹 및 적색발광 그룹을 구성하면 전체로서 백색광을 얻을 수 있다.

p형 GaN층(600)은 GaN에 아연(Zn) 또는 마그네슘(Mg)을 도우핑하여 형성할 수 있다.

투명 전극(700)은 p형 GaN층(600)위에 형성된다. 투명전극(700)은 판상 형태로서 활성층(500)에서 방출되는 빛을 외부로 투과시킨다.

투명전극(700)은 Ni/Au 또는 인디움틴산화막(ITO)와 같은 투명물질로 형성될 수 있다.

투명전극(700)은 전극패드(800a)를 통해 입력되는 전류를 골고루 분산시켜 발광효율을 높이는 역할도 수행한다.

전극 패드(800a,800b)는 투명전극(700) 위 및 n형 GaN층(400)위에 형성된다. 전극패드(800a, 800b)는 와이어(wire)에 의해 리드(lead)(미도시)와 연결되어 외부전원으로부터 전원을 공급받는다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면 사파이어 기판(100)을 준비한다(S1).

사파이어 기판(100)위에 Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)의 버퍼층(200)을 형성한다(S2). 이를 위해 반응 챔버 내에 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum; TMAl, Al(CH₃)₃)과 같은 Al 소오스 가스와, 트리메틸갈륨(trimethyl galium; TMG, Ga(CH₃)₃)와 같은 Ga 소오스 가스와 반응가스로 암모니아(NH₃)를 유입시키고 400℃ ~ 1200℃의 온도와, 약 10 torr 내지 약 760 torr의 압력하에서 기판(100)위에 10㎚ ∼ 1㎛ 두께로 버퍼층(200)을 형성한다.

버퍼층(200)이 형성된 이후에 600℃ ~ 1200℃의 온도와, 약 10 torr 내지 약 760 torr의 압력하에서 버퍼층(200)위에 1㎛ ∼ 10㎛ 두께로 Undoped GaN 층(300)과 n형 GaN층(400)을 차례대로 형성한다(S3).

n형 GaN층(400)이 형성된 후 반응 챔버내에 In 소오스 가스, Ga 소오스 가스, N 반응가스를 유입하여 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510)을 형성한다(S4).

In_xGa_{1 -x}N(0＜x＜1) 양자 우물층(510)을 형성하기 위한 소오스 가스는 트리메틸인듐(trimethyl indium; TMI, In(CH₃)₃),갈륨, 트리메틸갈륨(TMG) 및/또는 트리에틸갈륨(triethyl galiun; TEG) 등이 사용되고, 반응가스로 암모니아(NH₃)가 사용된다.

반응 챔버에 이들 소오스 가스 및 반응가스가 유입된 상태에서 600℃ ~ 800℃의 온도와 50 Torr 내지 760 Torr의 압력 아래서 10Å 내지 100Å의 두께로 In_xGa_1-xN(0＜x＜1) 양자 우물층(510)을 형성한다. 이와 같이 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510)을 형성하는 공정의 반응조건을 제 1 반응조건이라고 하며, 이때의 온도를 제 1 온도라고 하기로 한다.

In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510)이 형성된 다음 반응 챔버에 유입되는 소오스 가스중에서 In 소오스 가스를 차단하고, Ga 소오스 가스, N 반응가스는 계속적으로 유입시키는 상태에서 압력은 그대로 유지하고 온도를 700℃ ~ 900℃로 올린 상태에서 10Å 내지 400Å의 두께로 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 제 1 GaN 장벽층(520)을 형성한다(S5). 이와 같은 반응조건을 제 2 반응조건이라고 하며, 이때의 온도를 제 2 온도라고 하기로 한다.

제 2 온도는 제 1 온도보다 높은 온도이지만, In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층내에 있는 In를 휘발시키거나 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 손상시키지 않는 정도의 온도 범위이다.

제 1 GaN 장벽층(520)이 형성되면 반응 챔버에 Ga 소오스 가스, N 반응가스는 계속적으로 유입시키면서 압력은 그대로 유지하고 온도를 700℃ ~ 1100℃로 올린 상태에서 제 1 GaN 장벽층(520)위에 10 Å 내지 400Å의 두께로 제 2 GaN 장벽층(530)을 형성한다(S6). 이와 같은 반응조건을 제 3 반응조건이라고 하며, 이때의 온도를 제 3 온도라고 하기로 한다.

이렇게 하여 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층(510), 제 1 GaN 장벽층(520), 제 2 GaN 장벽층(530)이 형성되면, 중단되었던 In 소오스 가스를 다시 주입하고 제 1 반응조건에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1)의 양자 우물층(510)을 형성하고, 제 2 반응조건에서 제 1 GaN 장벽층(520), 제 2 반응조건에서 제 2 GaN 장벽층(530)을 형성하면서 교번하여 다수 층으로 적층한다.

In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1)의 양자 우물층(510), 제 1 GaN 장벽층(520), 제 2 GaN 장벽층(530)이 교번하여 적층된 활성층(500)이 형성되면, 600℃ ~ 1200℃의 온도와, 약 10 torr 내지 약 760 torr의 압력하에서 활성층(500)위에 10㎚ ∼1㎛ 두께로 p형 GaN층(600)을 성장시킨다(S7)

Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN층(600)은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD), 수소화물 기상 성장법(HVPE) 또는 분자선 성장법(MBE) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 동일한 반응 챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.

p형 GaN층(600)이 형성된 후 p형 GaN층(600)위에 투명전극(700)을 형성한다(S8).

투명전극(700)이 형성된 후, 사진 및 식각 공정을 사용하여 p형 GaN층(600) 및 활성층(500)을 패터닝 또는 식각하여 n형 GaN층(400)의 일부 영역이 노출되도록 한다(S9).

그 후, 노출된 n형 GaN층(400)위에 전극패드(800b)를 형성하고 투명전극(700)위에 전극패드(800a)를 형성하고(S10) 절차를 종료한다. 여기에서 전극 패 드들(800a,800b)은 리프트 오프(lift off)법을 사용하여 형성될 수 있다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

예를 들어, 본 발명의 일 실시예를 설명함에 있어서 사파이어 기판을 중심으로 설명했으나 사파이어 기판 이외에도 스피넬(spinel) 기판, Si 기판, SiC 기판, ZnO 기판, GaAs 기판, GaN 기판 등 다른 종류의 기판이 사용될 수 있음은 물론이다.

또한, 본 발명에서는 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 형성한 다음 2 단계로 구분하여 온도를 승온시켜 제 1 GaN 장벽층과 제 2 GaN 장벽층을 형성하고 있다. 그러나, 온도 편차 구간을 2 이상의 단계로 수행할 수 도 있다.

즉, 온도 편차 구간을 2 이상의 단계로 수행함으로써 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 양자 우물층의 형성온도와 유사하거나 약간 높은 온도에서 하나 이상의 GaN 장벽층을 형성한 후 그 위에 고온에서 GaN 장벽층을 형성할 수 도 있다.

본 발명에 의하면, 질화물 반도체 발광소자의 활성층 형성 공정에서 In_xGa_{1 -x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 형성한 다음 단계적으로 온도를 승온시켜 제 1 GaN 장벽층과 제 2 GaN 장벽층을 형성하고 있다.

In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 제 1 GaN 장벽층이 형성된 상태에서 고온으로 승온하여 제 2 GaN 장벽층이 형성됨에 따라, 제 2 GaN 장벽층의 형성공정중에도 제 1 GaN 장벽층이 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 덮고 있음에 따라 In_xGa_1-xN (0＜x＜1) 양자 우물층에서 In이 휘발되는 것과 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층이 고온에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 제 1 GaN 장벽층이 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 덮고 있음에 따라 제 2 GaN 장벽층의 형성공정시 종래보다 더 높은 온도에서 수행할 수 있기 때문에 장벽층을 이루는 GaN 결정의 품질을 높일 수 있어서 발광 소자의 휘도를 크게 개선할 수 있다.

Claims (4)

1. 양자 우물층과 장벽층이 적어도 한번 이상 교번하여 적층된 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,

   반응 챔버내에 In 소오스 가스, Ga 소오스 가스, N 반응가스를 유입하여 제 1 온도에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층을 형성하는 단계와,

   상기 반응조건에서 In 소오스 가스를 차단하고 상기 제 1 온도보다 높은 온도로 승온하여 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 적어도 둘 이상의 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함하되,

   상기 각 GaN 장벽층은 이전 단계에 형성된 GaN 장벽층의 형성온도보다 승온된 온도에서 형성되어 차례대로 적층되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법.
2. 청구항 1에 있어서, 상기 장벽층 형성단계는,

   상기 우물층 형성단계의 반응조건에서 In 소오스 가스를 차단하고 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 승온하여 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 제 1 GaN 장벽층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 GaN 장벽층 형성단계의 반응조건에서 상기 제 2 온도보다 높은 제 3 온도로 승온하여 상기 제 1 GaN 장벽층위에 제 2 GaN 장벽층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법.
3. 양자 우물층과 장벽층이 적어도 한번 이상 교번하여 적층된 활성층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서,

   상기 활성층은

   제 1 온도에서 형성된 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층과,

   상기 제 1 온도보다 높은 온도에서 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 적어도 둘 이상의 층으로 형성된 GaN 장벽층을 포함하되,

   상기 각 GaN 장벽층은 이전 단계에 형성된 GaN 장벽층의 형성온도보다 승온된 온도에서 형성되어 차례대로 적층된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
4. 청구항 3에 있어서, 상기 GaN 장벽층은,

   상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 상기 In_xGa_{1 - x}N (0＜x＜1) 양자 우물층위에 형성된 제 1 GaN 장벽층과,

   상기 제 2 온도보다 높은 제 3 온도에서 상기 제 1 GaN 장벽층위에 형성된 제 2 GaN 장벽층을 포함하는 질화물 반도체 발광 소자.

Images