KR20080013041A - Method and equipment for preventing flow error of wafer in wet station device thereof - Google Patents

Method and equipment for preventing flow error of wafer in wet station device thereof Download PDF

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KR20080013041A
KR20080013041A KR1020060074006A KR20060074006A KR20080013041A KR 20080013041 A KR20080013041 A KR 20080013041A KR 1020060074006 A KR1020060074006 A KR 1020060074006A KR 20060074006 A KR20060074006 A KR 20060074006A KR 20080013041 A KR20080013041 A KR 20080013041A
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신홍식
이정목
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삼성전자주식회사
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Abstract

An apparatus and a method for preventing a flow error of a wafer in a wet station apparatus are provided to improve the flow of the wafer by controlling an overflow amount of a chemical solution and a descent speed of a robot. An inner bath(10) mounts a plurality of wafers and overflows a chemical solution. An outer bath(12) is attached to the inner bath to store the chemical solution overflowed from the inner bath. A pump(14) pumps the chemical solution stored in the outer bath. A pump driving unit(16) drives the pump in response to a certain control signal. A robot(24) transfers the wafers. A robot driving unit(26) controls the robot to move upwardly and downwardly in response to a certain control signal. A controller(28) controls the robot driving unit to move the robot downwardly at a first speed when the robot inputs the wafer into the inner bath, and simultaneously, controls the robot driving unit to move the robot downwardly at a second speed suitable for descending the wafer less than the first speed when the wafer is reached to a surface of the chemical solution in the inner bath and the pump overflows with a first flow amount. The controller further outputs a robot driving control signal and a pump driving control signal to the pump driving unit to overflow the pump in the inner bath with a second flow amount less than the first flow amount.

Description

웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치 및 그 방법{ METHOD AND EQUIPMENT FOR PREVENTING FLOW ERROR OF WAFER IN WET STATION DEVICE THEREOF}Wafer flow defect prevention device and method thereof for wet station equipment {METHOD AND EQUIPMENT FOR PREVENTING FLOW ERROR OF WAFER IN WET STATION DEVICE THEREOF}

도 1은 이러한 웨이퍼 이송용 로봇을 개략적으로 도시한 도면1 is a view schematically showing such a wafer transfer robot.

도 2는 종래의 베쓰에 웨이퍼를 투입하는 웨트스테이션설비의 구조도2 is a structural diagram of a wet station apparatus for injecting a wafer into a conventional bath;

도 3a는 로봇(24)을 제어하는 신호파형도3A is a signal waveform diagram for controlling the robot 24

도 3b는 펌프(24)를 제어하는 신호파형도3b is a signal waveform diagram for controlling the pump 24

도 4는 웨이퍼의 흐름성 불량을 나타낸 사진4 is a photograph showing a poor flow of the wafer

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨트 스테이션설비에서의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치의 구성도5 is a block diagram of a wafer flow defect prevention device in the wet station equipment according to an embodiment of the present invention

도 6a는 본 발명에 따른 로봇(24)을 제어하는 신호파형도Figure 6a is a signal waveform diagram for controlling the robot 24 according to the present invention

도 6b는 본 발명에 따른 펌프(24)를 제어하는 신호파형도6b is a signal waveform diagram for controlling the pump 24 according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *       Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 인너베쓰 12: 아웃터베쓰10: Inner Beth 12: Outer Beth

14: 펌프 16: 펌프구동부14: pump 16: pump drive unit

18: 히터 20: 필터18: heater 20: filter

22: 유량계 24: 로봇 22: flow meter 24: robot

26: 로봇구동부 28: 콘트롤러26: robot drive unit 28: controller

본 발명은 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 로봇에 의해 베쓰에 투입할 시 케미컬용액의 오버플로우 유량과 로봇의 하강속도를 조절하여 로봇에 의해 하강되는 웨이퍼와 케미컬용액과의 충돌에 의한 웨이퍼 흐름성 불량을 방지하는 웨트스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치 및 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer flow defect prevention device of wet station equipment. In particular, when the wafer is introduced into the bath by the robot, the wafer and the chemical are lowered by the robot by adjusting the flow rate of the chemical solution and the descending speed of the robot. The present invention relates to a wafer flow defect prevention apparatus and method for wet station equipment which prevents wafer flow defect due to collision with a solution.

일반적으로 반도체 제조공정 내에서 웨이퍼는 사진, 이온확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복하여 거친 후 반도체장치인 칩으로 제작된다. In general, in a semiconductor manufacturing process, a wafer is repeatedly fabricated through photographic, ion diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition, and then manufactured into a semiconductor device chip.

이러한 반도체 칩은 다양한 단위공정을 수행함에 의해 제조되고, 다양한 단위공정의 수행에서는 각종 케미컬(chemical)을 이용하게 된다. 여기서 케미컬을 이용하는 단위공정은 주로 케미컬이 수용되는 베쓰를 이용하여 공정을 수행하게 되는데, 이러한 베쓰를 이용하는 반도체 제조공정에서는 불필요한 막을 제거하는 식각(etching) 또는 웨이퍼의 표면세정(cleaning)이 필수적이다.Such a semiconductor chip is manufactured by performing various unit processes, and various chemicals are used in performing various unit processes. Here, the unit process using chemicals is mainly performed using a bath in which chemicals are accommodated. In a semiconductor manufacturing process using such a bath, etching to remove unnecessary films or surface cleaning of a wafer is essential.

이중 웨이퍼의 세정에는 주로 습식세정(wet cleaning)이 사용되고 있으며, 습식 세정의 경우 화학약품처리 베쓰(chemical treating bath)와 화학약품 처리 후 웨이퍼의 표면에 잔류하는 화학약품들을 신속하게 제거해 내는 큐디알 베쓰(QDR Bath ; Quick Dumped Rinse Bath) 및 세정이 종료된 웨이퍼들을 건조시키는 건조장치의 순으로 처리되어지도록 구성되어 있다.Wet cleaning is mainly used for double wafer cleaning, and in the case of wet cleaning, chemical treatment baths and QDial baths quickly remove chemicals remaining on the surface of the wafer after chemical treatment. (QDR Bath; Quick Dumped Rinse Bath) and drying equipment to dry the cleaned wafers.

그리고 반도체장치는 이러한 여러 가지 공정 중에 식각공정을 비롯해 웨이퍼를 일정한 화학약품에 담궈 웨이퍼의 표면에 부착된 일정성분을 제거하는 공정들이 있으며, 이러한 공정은 웨트 스테이션(WET-STATION)장비에서 이루어지게 된다. 이 웨트 스테이션장비는 수개의 반도체 제조 공정용 베쓰로 구성되는 것이 보통이다. In the semiconductor device, among these processes, an etching process and a process of immersing the wafer in a certain chemical to remove certain components attached to the surface of the wafer are performed in wet station equipment. . This wet station equipment typically consists of baths for several semiconductor manufacturing processes.

이러한 웨트스테이션은 복수의 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 캐리어를 작업위치로 이송하기 위한 로더와 식각 또는 세정이 이루어지는 용액조 및 웨이퍼를 건조시키는 스핀건조기 및 작업이 완료된 웨이퍼 캐리어를 이송시키는 언로더를 구비하고 있다. 특히 용액조는 그 작업의 성격에 따라 화학조와 세정조 및 최종 세정조를 구비하고 있다. The wet station includes a loader for transporting a wafer carrier on which a plurality of wafers are mounted to a work position, a solution bath for etching or cleaning, a spin dryer for drying the wafer, and an unloader for transporting the finished wafer carrier. . In particular, the solution tank is equipped with a chemical tank, a washing tank, and a final washing tank according to the nature of the work.

세정공정은 통상 탈이온수에 의한 세정, 화학약품에 의한 세정으로 대별될 수 있으며, 화학약품에 의한 세정의 전후에는 역시 세정에 사용된 화학약품의 제거를 위하여 탈이온수에 의한 세정을 더하게 된다. 특히 화학약품에 의한 세정 중 일반적인 세정으로 산수용액에 의한 세정이 많이 수행되며, 산으로서는 질산과 혼산 등이 널리 사용되고 있다. 그리고 웨이퍼의 세정공정을 진행한 후 에는 웨이퍼에 묻 어있는 순수를 건조시키는 건조공정을 진행하는데, 이러한 건조공정에는 원심력을 이용하는 스핀드라이방식과, 이소프로필알코올을 이용해 웨이퍼에 묻어있는 순수 와 반응시켜 웨이퍼를 건조시키는 방식 등이 있다.The washing process can be roughly divided into washing with deionized water and washing with chemicals, and before and after washing with chemicals, washing with deionized water is added to remove chemicals used for washing. In particular, cleaning with an aqueous acid solution is performed as a general cleaning among chemical cleaning, and nitric acid and mixed acid are widely used as acid. After the cleaning process of the wafer, the drying process of drying the pure water on the wafer is carried out. In this drying process, the spin dry method using centrifugal force and the isopropyl alcohol are reacted with the pure water on the wafer. And a method of drying the wafer.

이때 각 공정에서 웨이퍼들을 각 베쓰로 이송시키거나 또는 건조장치로 이송 시키는 역할을 하는 것으로서, 웨이퍼 이송용 로봇이 구비되며, 도 1은 이러한 웨이퍼 이송용 로봇을 개략적으로 도시한 것으로서, 웨이퍼 이송용 로봇은 크게 소정의 간격을 두고 평행하게 구비되는 한 쌍의 회전축(110)과 이들 회전축(110)에 각각 서로 마주보게 결합되어 회전축(110)에 의하여 회전하는 척(120), 그리고 척(120)을 회전축(110)에 결합시키는 척 지지 유니트(130)로서 이루어지며, 따라서 웨이퍼를 이송시키는데 사용되는 척(120)이 회전축(110)의 구동에 의하여 일정한 원호를 그리며 오픈/클로즈의 동작을 수행하면서 웨이퍼를 척킹 또는 언척킹하도록 하고 있다.In this case, the wafers are transported to each bath or transported to a drying apparatus in each process, and a wafer transporting robot is provided, and FIG. 1 schematically illustrates such a wafer transporting robot. Is a pair of rotary shafts 110 which are provided in parallel at a predetermined interval, and are coupled to each of the rotary shafts 110 so as to face each other, and the chuck 120 and the chuck 120 rotated by the rotary shaft 110. It is made as a chuck support unit 130 coupled to the rotating shaft 110, so that the chuck 120 used to transfer the wafer draws a certain arc by the driving of the rotating shaft 110 and performs the open / close operation of the wafer. Chucking or unchucking.

한편 로봇의 척(120)은 재질이 고온상태의 화학약품에도 내성이 강한 석영(Quartz)을 사용하고 있고, 척(120)의 표면은 불소계(teflow) 수지로 코팅되게 함으로써 웨이퍼에 흐름성 결함(defect) 현상이 발생하지 않도록 하고 있다.Meanwhile, the robot chuck 120 uses quartz, which is resistant to chemicals in a high temperature state, and the surface of the chuck 120 is coated with a fluorine-based resin so that flow defects on the wafer may be caused. defects do not occur.

이런 습식 세정 중에 베쓰에서 베쓰로 웨이퍼를 이동 시 로봇에 의해서 수행되는데, 이때 로봇의 척(120)은 회전축(110)을 회전시키는 실린더(미도시)의 구동에 의해서 오픈/클로즈 작동을 하게 된다.During the wet cleaning, the wafer is moved from the bath to the bath by the robot, where the chuck 120 of the robot is opened / closed by a driving of a cylinder (not shown) to rotate the rotating shaft 110.

실린더 구동에 의한 회전축(110)을 회전 시 회전축(110)에는 이미 회전축(110)의 회전 각도를 감지하는 센서(미도시)가 구비되어 척(120)의 오픈/클로즈(open/close)를 체크하도록 하고 있다.When rotating the rotary shaft 110 by the cylinder drive, the rotary shaft 110 is already equipped with a sensor (not shown) for detecting the rotation angle of the rotary shaft 110 to check the open / close (open / close) of the chuck 120 I'm trying to.

도 2는 종래의 베쓰에 웨이퍼를 투입하는 웨트스테이션설비의 구조도이다.2 is a structural diagram of a wet station apparatus for injecting a wafer into a conventional bath.

다수의 웨이퍼를 장착하고 케미컬용액을 오버플로우시키는 인너베쓰(10)와, 상기 인너베쓰(10)에 부착되어 상기 인너베쓰(10)로부터 오버플로우되는 케미컬용 액을 저장하는 아웃터베쓰(12)와, 상기 아웃터베쓰(12)에 저장된 케미컬용액을 펌핑하는 펌프(14)와, 상기 펌프(14)를 일정한 속도로 구동시키는 펌프구동부(16)와, 상기 펌프(14)로부터 펌핑된 케미컬용액을 히팅하는 히터(18)와, 상기 히터(18)로부터 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하도록 필터링하는 필터(20)와, 상기 필터(20)로부터 필터링된 케미컬용액의 플로우량을 측정하는 유량계(22)와, 웨이퍼를 이송하는 로봇(24)와, 상기 로봇(24)을 일정한 속도로 하강하도록 제어하거나 승강하도록 제어하는 로봇구동부(26)로 구성되어 있다.An inner bath (10) for mounting a plurality of wafers and overflowing the chemical solution, and an outer bath (12) attached to the inner bath (10) for storing the chemical solution overflowed from the inner bath (10); The pump 14 pumps the chemical solution stored in the outer bath 12, the pump driving unit 16 driving the pump 14 at a constant speed, and the chemical solution pumped from the pump 14. A heater 18, a filter 20 for filtering to remove impurities of the heated chemical solution from the heater 18, and a flow meter 22 for measuring the flow amount of the filtered chemical solution from the filter 20 And a robot 24 for transferring the wafer, and a robot driver 26 for controlling the robot 24 to descend or move up and down at a constant speed.

도 3a는 로봇(24)을 제어하는 신호파형도이고,3A is a signal waveform diagram for controlling the robot 24,

도 3b는 펌프(24)를 제어하는 신호파형도이다.3B is a signal waveform diagram for controlling the pump 24.

상술한 도 2와 도 3a 및 도 3b를 참조하여 웨이퍼를 베쓰(10)에 투입하는 종래의 기술을 설명한다. Referring to FIGS. 2, 3A, and 3B described above, a conventional technique of inserting a wafer into the bath 10 will be described.

펌프구동부(16)는 도 3b와 같은 신호를 출력하여 펌프(14)를 구동시켜 분당 케미컬용액이 펌핑되도록 제어한다. 펌프(14)는 상기 아우터베쓰(12)에 저장된 케미컬용액이 15~20(Litter/min)가 배출되도록 펌핑한다. 상기 펌프(14)로부터 펌핑된 케미컬용액은 히터(18)를 통해 히팅되어 필터(20)로 공급된다. 상기 필터(20)는 상기 히터(18)를 통해 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하여 인너베쓰(10)로 공급한다. 이때 유량계(22)는 히터(18)로부터 인너베쓰(10)로 플로우되는 케미컬용액의 유량을 측정하여 표시한다.  The pump driver 16 outputs a signal as shown in FIG. 3B to drive the pump 14 to control the chemical solution per minute to be pumped. The pump 14 pumps the chemical solution stored in the outer bath 12 to discharge 15-20 (Litter / min). The chemical solution pumped from the pump 14 is heated through the heater 18 and supplied to the filter 20. The filter 20 removes impurities of the chemical solution heated through the heater 18 and supplies the same to the inner bath 10. At this time, the flow meter 22 measures and displays the flow rate of the chemical solution flowing from the heater 18 to the inner bath 10.

이와 같이 케미컬용액이 인너베쓰(10)로 분당 15~20리터로 플로우될 때 로봇구동부(26)는 도 3a와 같은 신호를 출력하여 로봇(24)을 구동시킨다. 이때 로 봇(24)은 1.0m/s의 속도로 인너베쓰(10)로 하강하도록 제어한다. As such, when the chemical solution flows to the inner bath 10 at 15 to 20 liters per minute, the robot driver 26 outputs a signal as shown in FIG. 3A to drive the robot 24. At this time, the robot 24 controls to descend to the inner bath 10 at a speed of 1.0 m / s.

상기와 같은 종래의 웨트스테이션설비는 베쓰로 15~20 litter/min의 유속으로 케미컬용액이 플로우되는 상태에서 로봇은 케미컬용액이 담겨져 있는 베쓰로 웨이퍼를 1.0m/s의 속도로 하강하도록 하므로, 도 4와 같이 웨이퍼의 하부에서 상부로 흐름성 불량이 발생하는 문제가 있었다. In the conventional wet station equipment as described above, the robot lowers the wafer into a bath containing chemical solution at a speed of 1.0 m / s while the chemical solution flows at a flow rate of 15 to 20 litter / min. As shown in FIG. 4, there was a problem in that poor flow occurred from the bottom to the top of the wafer.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 웨트스테이션설비에서 로봇을 이용하여 베쓰에 웨이퍼를 투입할 시 웨이퍼 흐름성 불량을 방지하는 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus and a method for preventing wafer flow defects when a wafer is inserted into a bath using a robot in a wet station facility to solve the above problems.

상기 목적을 달성하기 위한 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치는, 다수의 웨이퍼를 장착하고 케미컬용액을 오버플로우시키는 인너베쓰와, 상기 인너베쓰에 부착되어 상기 인너베쓰로부터 오버플로우되는 케미컬용액을 저장하는 아웃터베쓰와, 상기 아웃터베쓰에 저장된 케미컬용액을 펌핑하는 펌프와, 소정의 제어신호에 의해 상기 펌프를 구동시키는 펌프구동부와, 웨이퍼를 이송하는 로봇과, 소정의 제어신호에 의해 상기 로봇을 하강하도록 제어하거나 승강하도록 제어하는 로봇구동부와, 상기 로봇이 상기 인너베쓰로 웨이퍼를 투입할 시 상기 로봇을 제1속도로 하강시킬 수 있도록 상기 로봇구동부를 제어하는 동시에 상기 펌프가 제 1유량으로 오버플로우되도록 하고 있다가 상기 로봇에 의해 웨이퍼가 인너베쓰의 케미컬용액의 수면위에 닿는 시점에서 상기 로봇을 제1속도보다 낮은 제2속도로 웨이퍼를 하강시킬 수 있도록 상기 로봇구동부를 제어하는 동시에 상기 펌프가 상기 제1 유량보다 낮은 제2유량으로 상기 인너베쓰에서 오버플로우되도록 로봇구동 제어신호와 펌프구동 제어신호를 상기 펌프구동부로 출력하는 콘트롤러와, 상기 펌프로부터 펌핑된 케미컬용액을 히팅하는 히터와, 상기 히터로부터 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하도록 필터링하는 필터와, 상기 필터로부터 필터링된 케미컬용액의 플로우량을 측정하는 유량계를 포함함을 특징으로 한다.Wafer flow defect prevention device of the wet station equipment for achieving the above object is, the inner wafer for mounting a plurality of wafers and overflow the chemical solution, and the chemical solution attached to the inner bath and overflowed from the inner bath An outer bath for storing, a pump for pumping the chemical solution stored in the outer bath, a pump driving unit for driving the pump by a predetermined control signal, a robot for transferring a wafer, and the robot by a predetermined control signal A robot driving unit which controls to lower or lowers and controls the robot driving unit to lower the robot at a first speed when the robot inserts a wafer into the inner bath, and the pump overflows to a first flow rate. The robot is allowed to flow and the wafer is transferred to the inner Control the robot driving unit to lower the wafer at a second speed lower than the first speed at the point of contact with the surface of the water while allowing the pump to overflow from the inner bath at a second flow rate lower than the first flow rate. A controller for outputting a robot driving control signal and a pump driving control signal to the pump driving unit, a heater for heating the pumped chemical solution from the pump, a filter for filtering impurities to remove impurities from the heated chemical solution from the heater, and It characterized in that it comprises a flow meter for measuring the flow amount of the chemical solution filtered from the filter.

상기 로봇의 제1속도는 1.0m/s이고 상기 로봇의 제2속도는 0.3m/s임을 특징으로 한다. The first speed of the robot is 1.0 m / s and the second speed of the robot is characterized in that 0.3 m / s.

상기 제1유량은 15~20 litter/min이고 상기 제2유량은 2~4 litter/min임을 특징으로 한다.The first flow rate is 15 to 20 litters / min and the second flow rate is 2 to 4 litters / min.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨트 스테이션설비에서의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치의 구성도이고,5 is a block diagram of a wafer flow defect prevention device in the wet station equipment according to an embodiment of the present invention,

다수의 웨이퍼를 장착하고 케미컬용액을 오버플로우시키는 인너베쓰(10)와, 상기 인너베쓰(10)에 부착되어 상기 인너베쓰(10)로부터 오버플로우되는 케미컬용 액을 저장하는 아웃터베쓰(12)와, 상기 아웃터베쓰(12)에 저장된 케미컬용액을 펌핑하는 펌프(14)와, 소정의 제어신호에 의해 상기 펌프(14)를 구동시키는 펌프구동부(16)와, 상기 펌프(14)로부터 펌핑된 케미컬용액을 히팅하는 히터(18)와, 상기 히터(18)로부터 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하도록 필터링하는 필터(20)와, 상기 필터(20)로부터 필터링된 케미컬용액의 플로우량을 측정하는 유량계(22)와, 웨이퍼를 이송하는 로봇(24)와, 소정의 제어신호에 의해 상기 로봇(24)을 하강하도록 제어하거나 승강하도록 제어하는 로봇구동부(26)와, 상기 로봇(24)이 인너베쓰(10)로 웨이퍼를 투입할 시 상기 로봇(24)을 제1속도로 하강시키는 동시에 상기 펌프(14)가 제1유량으로 오버플로우되도록 하고 있다가 상기 로봇(24)에 의해 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 케미컬용액의 수면위에 도달되는 시점에서 상기 로봇(24)을 제1속도보다 낮은 제2속도로 웨이퍼를 하강시키는 동시에 상기 펌프(14)가 상기 제1 유량보다 낮은 제2유량으로 상기 인너베쓰(10)에서 오버플로우되도록 로봇구동 제어신호와 펌프구동 제어신호를 출력하는 콘트롤러(28)로 구성되어 있다.An inner bath (10) for mounting a plurality of wafers and overflowing the chemical solution, and an outer bath (12) attached to the inner bath (10) for storing the chemical solution overflowed from the inner bath (10); A pump 14 for pumping the chemical solution stored in the outer bath 12, a pump driver 16 driving the pump 14 by a predetermined control signal, and a chemical pumped from the pump 14. Heater 18 for heating a solution, a filter 20 for filtering to remove impurities of the heated chemical solution from the heater 18, and a flow meter for measuring the flow amount of the filtered chemical solution from the filter 20 22, a robot 24 for transferring wafers, a robot driver 26 for controlling the robot 24 to descend or move up by a predetermined control signal, and the robot 24 is an inner bath. When inserting the wafer into (10) The lowering of the 24 at the first speed and the pump 14 is allowed to overflow at the first flow rate and the wafer 24 reaches the water level of the chemical solution of the inner bath 10 by the robot 24. The robot 24 lowers the wafer at a second speed lower than the first speed at the same time, and simultaneously controls the robot to cause the pump 14 to overflow from the inner bath 10 at a second flow rate lower than the first flow rate. The controller 28 is configured to output a signal and a pump drive control signal.

도 6a는 본 발명에 따른 로봇(24)을 제어하는 신호파형도이고,6A is a signal waveform diagram for controlling the robot 24 according to the present invention.

도 6b는 본 발명에 따른 펌프(24)를 제어하는 신호파형도이다.6B is a signal waveform diagram for controlling the pump 24 according to the present invention.

상술한 도 5과 도 6a 및 도 6b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 동작을 상세히 설명한다.5 and 6a and 6b will be described in detail the operation according to the preferred embodiment of the present invention.

로봇(24)에 장착되어 있는 웨이퍼를 인너베쓰(10)로 이동시켜 세정공정이나 식각공정을 수행하는 경우 콘트롤러(28)는 펌프구동부(16)와 로봇구동부(26)를 구동시킨다. 이때 펌프구동부(16)는 도 6b와 같은 신호를 출력하여 펌프(14)를 구동 시켜 15~20 litter/min의 케미컬용액이 펌핑되도록 제어한다. 펌프(14)는 상기 아우터베쓰(12)에 저장된 케미컬용액이 15~20(Litter/min)가 배출되도록 펌핑한다. 상기 펌프(14)로부터 펌핑된 케미컬용액은 히터(18)를 통해 히팅되어 필터(20)로 공급된다. 상기 필터(20)는 상기 히터(18)를 통해 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하여 인너베쓰(10)로 공급한다. 이때 유량계(22)는 히터(18)로부터 인너베쓰(10)로 플로우되는 케미컬용액의 유량을 측정하여 표시한다. When the wafer mounted on the robot 24 is moved to the inner bath 10 to perform a cleaning process or an etching process, the controller 28 drives the pump driver 16 and the robot driver 26. At this time, the pump driver 16 outputs a signal as shown in FIG. 6B to drive the pump 14 to control the chemical solution of 15 to 20 litter / min to be pumped. The pump 14 pumps the chemical solution stored in the outer bath 12 to discharge 15-20 (Litter / min). The chemical solution pumped from the pump 14 is heated through the heater 18 and supplied to the filter 20. The filter 20 removes impurities of the chemical solution heated through the heater 18 and supplies the same to the inner bath 10. At this time, the flow meter 22 measures and displays the flow rate of the chemical solution flowing from the heater 18 to the inner bath 10.

이와 같이 케미컬용액이 인너베쓰(10)로 분당 15~20리터로 플로우될 때 로봇구동부(26)는 도 6a와 같은 신호를 출력하여 로봇(24)을 구동시킨다. 이때 로봇(24)은 1.0m/s의 속도로 인너베쓰(10)로 하강하도록 제어한다. As such, when the chemical solution flows to the inner bath 10 at 15 to 20 liters per minute, the robot driving unit 26 outputs a signal as shown in FIG. 6A to drive the robot 24. At this time, the robot 24 controls to descend to the inner bath 10 at a speed of 1.0 m / s.

이렇게 로봇(24)이 인너베쓰(10)로 하강하면서 로봇(24)에 장착된 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿을 때까지 로봇(24)은 1.0m/s로 하강한다. 이때 콘트롤러(28)는 로봇(24)이 하강하면서 장착된 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿을 때까지의 시간을 카운팅하여 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿는 시간에 도달되면 로봇구동부(26)와 펌프구동부(16)로 로봇(24)의 하강속도와 펌프(14)의 케미컬 펌핑량을 조절하기 위한 제어신호를 인가한다. 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿는 시간은 로봇(24)를 하강하기 시작하여 웨이퍼가 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿을 때까지의 시간을 테스트하여 콘트롤러(28)에 미리 세팅시켜 놓는다. 로봇구동부(26)는 상기 콘트롤러(28)로부터 로봇 하강속도 제어신호를 받으면 로봇(24)을 구동시켜 도 6a와 같이 0.3m/s의 속도로 하강시킨다. 그리고 펌프구동부(16)는 상기 콘트롤러(28)로부터 케미컬 펌핑량 조절신호를 받으면 펌프(14)를 구동시켜 도 4b와 같이 2~4 litter/min로 케미컬유량을 펌핑하도록 제어한다. 따라서 로봇(24)이 인너베쓰(10)의 수면에 맞닿을 때 로봇(24)의 속도가 0.3m/s로 하강하고, 인너베쓰(10)에 담겨진 케미컬용액의 오버플로우량이 2~4 litter/min가 되어 인너베쓰(10)내의 케미컬이 웨이퍼와 충돌없이 오버플로우되므로 도 4와 같은 웨이퍼의 흐름성불량을 방지한다.As the robot 24 descends to the inner bath 10, the robot 24 descends to 1.0 m / s until the wafer mounted on the robot 24 contacts the surface of the inner bath 10. At this time, the controller 28 counts the time until the mounted wafer touches the surface of the inner bath 10 while the robot 24 descends, and when the wafer reaches the time of contact with the surface of the inner bath 10, the robot is reached. The driving unit 26 and the pump driving unit 16 apply a control signal for adjusting the descending speed of the robot 24 and the amount of chemical pumping of the pump 14. The time at which the wafer touches the surface of the inner bath 10 starts to descend the robot 24, and the test time of the time until the wafer touches the surface of the inner bath 10 is set in advance in the controller 28. . When the robot driving unit 26 receives the robot lowering speed control signal from the controller 28, the robot driving unit 26 lowers the robot 24 at a speed of 0.3 m / s as shown in FIG. 6A. When the pump driving unit 16 receives the chemical pumping amount control signal from the controller 28, the pump driving unit 16 controls the pump 14 to pump the chemical flow rate at 2 to 4 litters / min as shown in FIG. 4B. Therefore, when the robot 24 contacts the surface of the inner bath 10, the speed of the robot 24 decreases to 0.3 m / s, and the overflow amount of the chemical solution contained in the inner bath 10 is 2-4 litter / Since the chemical fluid in the inner bath 10 overflows without colliding with the wafer, the flow defect of the wafer as shown in FIG. 4 is prevented.

상술한 바와 같이 본 발명은 웨트 스테이션설비에서 웨이퍼를 케미컬 베쓰로 투입하는 시점에서 로봇을 1.0m/s로 하강시키는 동시에 케미컬 베쓰의 오버플로우 유량을 15~20 litter/s로 하고 있다가 웨이퍼가 케미컬베스 내 케미컬용액의 수면에 맞닿을 시 로봇을 0.3m/s로 하강시키고 케미컬 베쓰의 오버플로우 유량을 2~4 litter/s로 조절하여 케미컬 베쓰내로 하강되는 웨이퍼와 오버플로우되는 케미컬이 충돌하지 않도록 하여 웨이퍼 흐름성불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention lowers the robot to 1.0 m / s at the time when the wafer is introduced into the chemical bath in the wet station, and at the same time, the overflow flow rate of the chemical bath is 15 to 20 litter / s. When touching the surface of the chemical solution in the bath, the robot is lowered to 0.3 m / s and the overflow flow of the chemical bath is adjusted to 2-4 litter / s so that the wafer falling into the chemical bath and the overflowed chemical do not collide. Therefore, there is an advantage of preventing wafer flow defects.

Claims (7)

웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치에 있어서,In the wafer flow defect prevention device of the wet station equipment, 다수의 웨이퍼를 장착하고 케미컬용액을 오버플로우시키는 인너베쓰와, Inner bath that mounts many wafers and overflows chemical solution, 상기 인너베쓰에 부착되어 상기 인너베쓰로부터 오버플로우되는 케미컬용액을 저장하는 아웃터베쓰와, An outer bath attached to the inner bath to store a chemical solution overflowing from the inner bath; 상기 아웃터베쓰에 저장된 케미컬용액을 펌핑하는 펌프와, A pump for pumping the chemical solution stored in the outer bath, 소정의 제어신호에 의해 상기 펌프를 구동시키는 펌프구동부와, A pump driving unit which drives the pump by a predetermined control signal; 웨이퍼를 이송하는 로봇과, A robot for transferring wafers, 소정의 제어신호에 의해 상기 로봇을 하강하도록 제어하거나 승강하도록 제어하는 로봇구동부와, A robot driving unit controlling to lower or lower the robot by a predetermined control signal; 상기 로봇이 상기 인너베쓰로 웨이퍼를 투입할 시 상기 로봇을 제1속도로 하강시킬 수 있도록 상기 로봇구동부를 제어하는 동시에 상기 펌프가 제1유량으로 오버플로우되도록 하고 있다가 상기 로봇에 의해 웨이퍼가 인너베쓰의 케미컬용액의 수면위에 닿는 시점에서 상기 로봇을 제1속도보다 낮은 제2속도로 웨이퍼를 하강시킬 수 있도록 상기 로봇구동부를 제어하는 동시에 상기 펌프가 상기 제1 유량보다 낮은 제2유량으로 상기 인너베쓰에서 오버플로우되도록 로봇구동 제어신호와 펌프구동 제어신호를 상기 펌프구동부로 출력하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 웨트스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치.When the robot inserts the wafer into the inner bath, the robot is driven to control the robot driving unit to lower the robot at the first speed, and the pump overflows to the first flow rate. The pump controls the robot driving unit to lower the wafer at a second speed lower than the first speed at the point of contact with the surface of the chemical solution of Beth, while the pump is operated at the second flow rate lower than the first flow rate. And a controller for outputting the robot driving control signal and the pump driving control signal to the pump driving unit so as to overflow from the bath. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 펌프로부터 펌핑된 케미컬용액을 히팅하는 히터와, A heater for heating the chemical solution pumped from the pump, 상기 히터로부터 히팅된 케미컬용액의 불순물을 제거하도록 필터링하는 필터와, A filter for filtering to remove impurities of the heated chemical solution from the heater; 상기 필터로부터 필터링된 케미컬용액의 플로우량을 측정하는 유량계를 더 포함함을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치.And a flow meter for measuring the flow rate of the chemical solution filtered from the filter. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 로봇의 제1속도는 1.0m/s이고 상기 로봇의 제2속도는 0.3m/s임을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치. And a first speed of the robot is 1.0 m / s and a second speed of the robot is 0.3 m / s. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제1유량은 15~20 litter/min이고 상기 제2유량은 2~4 litter/min임을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치. Wherein the first flow rate is 15 to 20 litters / min and the second flow rate is 2 to 4 litters / min. 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지방법에 있어서,In the wafer flow defect prevention method of the wet station equipment, 로봇에 의해 상기 인너베쓰로 웨이퍼를 투입할 시 상기 로봇을 제1속도로 하강시키는 동시에 상기 인너베쓰에서 케미컬용액이 제1유량으로 오버플로우되도록 하는 단계와,Lowering the robot at the first speed when the wafer is introduced into the inner bath by the robot and simultaneously allowing the chemical solution to overflow to the first flow rate in the inner bath; 상기 로봇이 하강하여 상기 웨이퍼 상기 인너베쓰의 케미컬용액의 수면위에 닿는 시점까지의 시간을 카운팅하는 단계와,Counting the time until the robot descends and reaches the surface of the wafer with the chemical solution of the inner bath; 상기 수면위에 닿는 시점까지의 시간이 도달될 시 상기 로봇을 제1속도보다 낮은 제2속도로 웨이퍼를 하강시키는 동시에 상기 제1 유량보다 낮은 제2유량으로 상기 케미컬 용액을 상기 인너베쓰에서 오버플로우되도록 하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지장치. When the time to reach the water surface is reached, the robot lowers the wafer at a second speed lower than the first speed and overflows the chemical solution in the inner bath at a second flow rate lower than the first flow rate. Wafer flow defect prevention device of the wet station, characterized in that it comprises a step. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 로봇의 제1속도는 1.0m/s이고 상기 로봇의 제2속도는 0.3m/s임을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지방법. And a first speed of the robot is 1.0 m / s and a second speed of the robot is 0.3 m / s. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1유량은 15~20 litter/min이고 상기 제2유량은 2~4 litter/min임을 특징으로 하는 웨트 스테이션설비의 웨이퍼 흐름성 불량방지방법. The first flow rate is 15 ~ 20 litter / min and the second flow rate of wafer flow defect prevention method of the wet station, characterized in that 2 ~ 4 litter / min.
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