KR20080001052A - Liquid crystal display device and method driving for the same - Google Patents
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Abstract
Description
도 1a 및 도 1b는 종래의 수직 2 도트 인버젼 방식을 나타낸 도면.1A and 1B show a conventional vertical two dot inversion scheme.
도 2는 종래 액정표시장치의 액정패널을 나타낸 도면.2 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.3 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 수직 3 도트 인버젼 방식을 나타낸 도면.4A and 4B illustrate a vertical three dot inversion scheme according to the present invention.
도 5는 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 1 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 5 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a first pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.
도 6은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 2 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a second pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.
도 7은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 3 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 7 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a third pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
102:액정패널 104:게이트 드라이버102: liquid crystal panel 104: gate driver
106:데이터 드라이버 108:타이밍 컨트롤러106: data driver 108: timing controller
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a driving method thereof capable of improving image quality.
액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. A liquid crystal display device displays an image using the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.
상기 액정표시장치는 소정의 화상을 표시하는 액정패널과, 상기 액정패널을 구동하는 구동부로 이루어진다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel for displaying a predetermined image and a driver for driving the liquid crystal panel.
상기 액정패널은 2개의 유리기판과, 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다. 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층은 DC 전압을 오랫동안 인가하면 특성 열화가 일어나며, 이를 방지하기 위하여 인가 전압의 극성을 주기적으로 바꾸어 구동하며 이를 인버젼 구동방법이라고 한다. The liquid crystal panel is composed of two glass substrates and a liquid crystal layer formed between the two glass substrates. The liquid crystal layer formed between the two glass substrates causes deterioration of characteristics when the DC voltage is applied for a long time. In order to prevent this, the liquid crystal layer is periodically driven to change the polarity of the applied voltage, which is called an inversion driving method.
상기 인버젼 구동방법에는 프레임 인버젼, 라인 인버젼 및 도트 인버젼 구동방법 등이 있다. 상기 도트 인버젼 구동방법에는 원 도트 인버젼 구동방법과, 수직 2 도트 인버젼 구동방법등 여러가지가 있다. The inversion driving methods include frame inversion, line inversion, and dot inversion driving methods. The dot inversion driving method includes a one dot inversion driving method and a vertical two dot inversion driving method.
특히, 상기 도트 인버젼 구동방법 중 수직 2 도트 인버젼 구동방법은 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 기수 및 우수 프레임에서 화소신호의 극성이 수평방향으로는 기존의 도트 인버젼방식과 같이 도트 단위로 바뀌는 반면에 수직방향으로는 2도트 단위로 극성이 바뀌도록 구동된다. In particular, the vertical two-dot inversion driving method of the dot inversion driving method is as shown in FIGS. 1A and 1B, and the polarity of the pixel signal in the odd and even frames is the same as the conventional dot inversion method. While changing in dots, it is driven to change polarity in units of two dots in the vertical direction.
도 2는 종래 액정표시장치의 액정패널을 나타낸 도면이다. 2 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 액정패널(2)은 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GL4)과 데이터라인(DL1 ~ DL4)이 배열되어 있다. As shown in FIG. 2, in the conventional
상기 액정패널(2)에서 제 1 화소영역(P1)은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다. 즉, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의되고, 제 2 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 제 3 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(GL1)과 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다. In the
상기 제 1 내지 제 3 서브픽셀에는 각각 박막트랜지스터(TFT)와 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)이 형성되어 있다. Thin film transistors (TFTs) and first to
상기 액정패널(2)의 제 2 화소영역(P2)은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다. 상기 액정패널(2)의 제 3 화소영역(P3)은 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다.The second pixel area P2 of the
상기 액정패널(2)은 수직 2 도트 인버젼 방식으로 구동되므로, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 서브픽셀에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급되고, 상기 제 3 서브픽셀에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 및 제 2 서브픽셀에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급되고, 제 3 서브픽셀에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 3 화소영역(P3)은 상 기 제 1 화소영역(P1)과 동일하다.Since the
상기 액정패널(2)은 스토리지 온 게이트(Storage on gate) 방식으로 이루어져 화소전극이 전단 게이트라인과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. The
상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 1 화소전극(12a, 12d, 12g)은 제 1 게이트라인(GL1)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하고 상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 2 화소전극(12b, 12e, 12h)은 제 2 게이트라인(GL2)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. 상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 3 화소전극(12c, 12f, 12i)는 제 3 게이트라인(GL3)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다.The
상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 공급된 정극성(+)의 데이터 전압은 각각의 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된다. The positive data voltages supplied to the first and
다음 프레임에서 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 부극성(-)의 데이터 전압이 공급되는데, 이전 프레임에 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 정극성(+)의 데이터 전압이 상기 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌게 된다. In the next frame, a negative data voltage is supplied to the first and
상기 제 1 화소전극(12a)은 제 1 게이트라인(GL1)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다. The
상기 제 2 화소전극(12b)은 상기 제 2 게이트라인(GL2)과 스토리지 캐패시 터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다. The
상기 제 3 화소전극(12c)은 상기 제 3 게이트라인(GL3)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 부극성(-)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다.The
상기 제 1 및 제 2 게이트라인(GL1, GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)은 이전 프레임동안 상기 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 영향을 받는다. The gate low voltage VGL supplied to the first and second gate lines GL1 and GL2 is followed by a positive data voltage to the first and
이와는 달리, 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)은 이전 프레임동안 상기 제 3 화소전극(12c)으로 부극성(-)의 데이터 전압이 다음 프레임에 정극성(+)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 영향을 받는다. On the contrary, the gate low voltage VGL supplied to the third gate line GL3 has the negative data voltage of the negative pixel to the
상기 제 1 및 제 2 게이트라인(GL1, GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)이 영향을 받는 정도와 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)이 영향을 받는 정도는 서로 상이하다. 상기 제 1 화소영역(P1)을 구성하는 제 1 내지 제 3 서브픽셀의 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압이 영향을 받을 수 있다. The degree to which the gate low voltage VGL supplied to the first and second gate lines GL1 and GL2 are affected and the degree to which the gate low voltage VGL supplied to the third gate line GL3 are affected. Are different from each other. The data voltage charged in the storage capacitors Cst of the first to third subpixels constituting the first pixel region P1 may be affected.
이로인해, 상기 제 1 화소영역(P1)을 포함한 상기 액정패널(2)에 구성된 화 소영역에 충전된 데이터 전압에 영향을 주게 되어 화질 저하와 같은 문제점이 발생하게 된다.As a result, the data voltage charged in the pixel region of the
본 발명은 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그의 구동방법을 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a driving method thereof capable of improving image quality.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 3서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널과, 상기 액정패널의 게이트라인을 순차적으로 구동하는 게이트 드라이버와, 상기 액정패널의 데이터라인에 공급되는 데이터 전압의 극성이 3개의 게이트라인마다 반전되도록 공급하는 데이터 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a liquid crystal panel including a pixel region in which three subpixels are formed in a vertical direction, a gate driver sequentially driving a gate line of the liquid crystal panel, And a data driver for supplying the polarity of the data voltage supplied to the data line to be inverted every three gate lines.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 구동방법은 서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널을 포함하는 액정표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 액정패널의 게이트라인으로 스캔신호를 공급하는 단계와, 상기 액정패널의 데이터라인으로 3개의 게이트라인마다 극성이 반전되는 데이터 전압을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A driving method of a liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object is a method of driving a liquid crystal display device comprising a liquid crystal panel including a pixel region of the sub-pixels in the vertical direction, the gate line of the liquid crystal panel; And supplying a scan signal and supplying a data voltage whose polarity is inverted every three gate lines to the data lines of the liquid crystal panel.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a liquid crystal display according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 2개의 유리기판과 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 소정의 화상을 표시하는 액정패널(102)과, 상기 액정패널(102)을 구동하는 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)와, 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(108)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the liquid crystal display according to the present invention includes a
상기 액정패널(102)은 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되고 그 교차부에는 박막트랜지스터(TFT)와 상기 박막트랜지스터(TFT)와 컨택홀을 통해 전기적으로 연결된 화소전극(미도시)이 형성되어 있다. The
상기 액정패널(102)은 위에서 언급한 바와 같이, 2 개의 유리기판과 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다. 일예로, 상기 액정층의 액정분자들은 상기 2 개의 유리기판 중 제 1 기판에 인가되는 데이터 전압과 제 2 기판에 인가되는 공통전압의 전위차에 의해 변위된다. As mentioned above, the
상기 액정패널(102)은 스토리지 온 게이트(Storage on gate) 방식으로 이루어져 화소전극이 전단 게이트라인과 함께 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. 상기 액정패널(102)은 도 2에 도시된 바와 같은 구조로 이루어져 있다. The
이때, 상기 액정패널(102)은 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 기수 및 우수 프레임에서 화소신호의 극성이 수평방향으로는 기존의 도트 인버젼방식과 같이 도트 단위로 바뀌는 반면에 수직방향으로는 3 도트 단위로 극성이 바뀌도록 구동된다. In this case, as shown in FIGS. 4A and 4B, the polarity of the pixel signal in the odd and even frames is changed in the unit of dots in the horizontal direction in the vertical direction, as in the conventional dot inversion method. It is driven to change the polarity in units of 3 dots.
상기 게이트 드라이버(104)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 게이트 제어신호에 따라 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)에 스캔신호 즉, 게이트 하 이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)을 순차적으로 공급한다. 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)은 상기 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되어 있다. The
따라서, 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)을 통해 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)은 상기 박막트랜지스터(TFT)로 공급된다.Therefore, a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL are supplied to the thin film transistor TFT through the plurality of gate lines GL1 to GLn.
상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)으로부터 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면 턴-온(turn-on)되고, 상기 게이트라인(GL1 ~ GLn)으로부터 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되면 턴-오프(turn-off)된다. The thin film transistor TFT is turned on when a gate high voltage VGH is supplied from the gate lines GL1 to GLn, and a gate low voltage from the gate lines GL1 to GLn. VGL) is turned off when supplied.
상기 데이터 드라이버(106)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 데이터 제어신호에 따라 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 R, G, B 데이터 신호를 아날로그 전압으로 변환하여 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 공급한다. The
상기 타이밍 컨트롤러(108)는 도시되지 않은 시스템으로부터 공급된 수직/수평동기신호(Vsync/Hsync)와 소정의 클럭신호 및 데이터 이네이블(DE) 신호를 이용해서 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어하는 게이트 제어신호 및 데이터 제어신호를 생성한다. The
또한, 상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 시스템으로부터 공급된 R, G, B 데이터 신호를 R, G, B 별로 정렬하고 상기 정렬된 R, G, B 데이터 신호는 상기 데이터 드라이버(106)로 공급된다. In addition, the
상기 타이밍 컨트롤러(108)는 극성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. The
상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 액정패널(102)의 인버젼 방식에 따라 극 성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. 상기 데이터 드라이버(106)는 상기 극성신호를 공급받아 극성을 갖는 데이터 전압을 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 공급한다. The
상기 액정패널(102)은 수직 3 도트 인버젼 방식으로 구동되기 때문에 상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 액정패널(102)로 수직 3 도트 인버젼 방식에 부합되도록 극성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. Since the
도 5는 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 1 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. 5 is a diagram illustrating a driving voltage supplied to a first pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.
제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 1 화소영역(도 2의 P1)에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 1 화소영역(P1)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. During the first frame, a positive data voltage is supplied to the first pixel area (P1 of FIG. 2) of the
상기 제 2 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 상기 제 3 서브픽셀은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다.The second subpixel is defined as a third gate line GL3 intersecting the first data line DL1 and the first data line DL1, and the third subpixel is a first data line DL1. ) And a fourth gate line GL4 intersected with the first data line DL1.
상기 제 1 서브픽셀에는 제 1 화소전극(도 1의 12a)이 형성되고, 상기 제 2 서브픽셀에는 제 2 화소전극(12b)이, 상기 제 3 서브픽셀에는 제 3 화소전극(12c)이 형성되어 있다. A
제 1 프레임동안 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급되면 상기 제 1 화소전극(12a)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 화소전극(12a)과 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 의해 형성된 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)보다 강하된 제 1 픽셀전압(Vp1)이 충전된다.When the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2 during the first frame, the data voltage Vd1 of positive polarity (+) is supplied to the
상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12b)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다.After the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the
이로인해, 상기 제 2 화소전극(12b)과 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 의해 형성된 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)보다 강하된 제 2 픽셀전압(Vp2)이 충전된다. As a result, the second storage capacitor formed by the
상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12c)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the
이로인해, 상기 제 3 화소전극(12c)과 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 의해 형성된 제 3 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)보다 강하된 제 3 픽셀전압(Vp3)이 충전된다.As a result, the third storage capacitor formed by the
결국, 상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 화소 전극(12a ~ 12c)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1 ~ Vd3)이 공급된다. As a result, the data voltages Vd1 to Vd3 of positive polarity (+) are supplied to the first to
이어 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 상기 제 1 화소전극(12a)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)보다 강하된 제 1 픽셀전압(Vp1)이 공급된다. Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2 to the second frame, which is the next frame, a negative data voltage Vd1 is supplied to the
상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd1 of positive polarity is supplied to the first storage capacitor, and the data voltage Vd1 of negative polarity is supplied to the first storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 충전된 제 1 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the first storage capacitor charged with the positive data voltage Vd1 stores the data voltage Vd1 of the positive polarity (+) charged with the negative polarity (−) in the second frame. The data voltage Vd1 changes to charge.
이 과정에서 상기 제 1 게이트라인(GL1)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-1 supplied to the first gate line GL1 is affected.
상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12b)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the
이로인해, 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)보다 강하된 제 2 픽셀전압(Vp2)이 공급된다. As a result, the second storage capacitor is supplied with a second pixel voltage Vp2 that is lower than the negative data voltage Vd2.
상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd2 of positive polarity is supplied to the second storage capacitor, and the data voltage Vd2 of negative polarity is supplied to the second storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 충전된 제 2 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the second storage capacitor charged with the positive data voltage (Vd2) may store the charged data voltage (Vd2) of the negative polarity (−) in the second frame. The data voltage Vd2 is changed to charge.
이 과정에서 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-2)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-2 supplied to the second gate line GL2 is affected.
상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12c)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the gate high voltage VGH-4 is supplied to the
이로인해, 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)보다 강하된 제 3 픽셀전압(Vp3)이 공급된다. As a result, the third storage capacitor is supplied with a third pixel voltage Vp3 that is lower than the negative data voltage Vd3.
상기 제 1 프레임동안 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd3 of positive polarity is supplied to the third storage capacitor, and the data voltage Vd3 of negative polarity is supplied to the third storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 충전된 제 3 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the third storage capacitor charged with the positive data voltage Vd3 stores the data voltage Vd3 of the positive polarity (+) charged in the second frame with the negative polarity (−). The data voltage Vd3 changes to charge.
이 과정에서 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL- 3)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-3 supplied to the third gate line GL3 is affected.
결국, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 forming the first to third storage capacitors of the first pixel region P1 are the same. Will be affected.
상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying data voltages having the same polarity to the first to
도 6은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 2 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. 6 is a diagram illustrating a driving voltage supplied to a second pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 2 화소영역(도 2의 P2)에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 2 화소영역(P2)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. As shown in FIG. 6, a negative data voltage is supplied to the second pixel region (P2 of FIG. 2) of the
상기 제 2 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 상기 제 3 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다.The second subpixel is defined as a second data line DL2 and a third gate line GL3 intersected with the second data line DL2, and the third subpixel is a second data line DL2. And a fourth gate line GL4 arranged to intersect with the second data line DL2.
상기 제 1 서브픽셀에는 제 1 화소전극(도 1의 12d)이 형성되고, 상기 제 2 서브픽셀에는 제 2 화소전극(12e)이, 상기 제 3 서브픽셀에는 제 3 화소전극(12f)이 형성되어 있다. A first pixel electrode (12d of FIG. 1) is formed in the first subpixel, a
제 1 프레임동안 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급되면 상기 제 1 화소전극(12d)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 화소전극(12d)과 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 의해 형성된 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)보다 강하된 제 4 픽셀전압(Vp4)이 충전된다.When the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2 during the first frame, the data voltage Vd4 of negative polarity (−) is supplied to the
상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12e)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다.After the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the
이로인해, 상기 제 2 화소전극(12e)과 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 의해 형성된 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)보다 강하된 제 5 픽셀전압(Vp5)이 충전된다. As a result, the second storage capacitor formed by the
상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12f)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the
이로인해, 상기 제 3 화소전극(12f)과 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 의해 형 성된 제 3 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)보다 강하된 제 6 픽셀전압(Vp6)이 충전된다.As a result, the third storage capacitor formed by the
결국, 상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4 ~ Vd6)이 공급된다. As a result, the data voltages Vd4 to Vd6 of negative polarity (−) are supplied to the first to
이어 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 상기 제 1 화소전극(12d)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)보다 강하된 제 4 픽셀전압(Vp4)이 공급된다. Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2 to the second frame, which is the next frame, the positive data voltage Vd4 is supplied to the
상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. During the first frame, a negative data voltage Vd4 is supplied to the first storage capacitor, and a positive data voltage Vd4 is supplied to the first storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 충전된 제 1 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the first storage capacitor charged with the negative data voltage Vd4 stores the charged data voltage Vd4 of the negative polarity in the second frame. The data voltage Vd4 is changed to charge.
이 과정에서 상기 제 1 게이트라인(GL1)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-1 supplied to the first gate line GL1 is affected.
상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12e)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and a positive voltage is applied to the
이로인해, 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)보다 강하된 제 5 픽셀전압(Vp5)이 공급된다. As a result, the second storage capacitor is supplied with a fifth pixel voltage Vp5 that is lower than the positive data voltage Vd5.
상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd5 of negative polarity is supplied to the second storage capacitor, and the data voltage Vd5 of positive polarity is supplied to the second storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 충전된 제 2 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the second storage capacitor charged with the negative data voltage Vd5 stores the charged data voltage Vd5 of the negative polarity in the second frame. The data voltage Vd5 is changed to charge.
이 과정에서 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-2)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-2 supplied to the second gate line GL2 is affected.
상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12f)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and positive is applied to the
이로인해, 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)보다 강하된 제 6 픽셀전압(Vp6)이 공급된다. As a result, the third storage capacitor is supplied with a sixth pixel voltage Vp6 that is lower than the positive data voltage Vd6.
상기 제 1 프레임동안 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. During the first frame, a negative data voltage Vd6 is supplied to the third storage capacitor, and a positive data voltage Vd6 is supplied to the third storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.
상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 충전된 제 3 스토리 지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the third storage capacitor charged with the negative data voltage Vd6 stores the charged data voltage Vd6 of the negative polarity in the second frame with the positive polarity (+). The data voltage Vd6 is changed to to be charged.
이 과정에서 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-3)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-3 supplied to the third gate line GL3 is affected.
결국, 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 that are supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 that form the first to third storage capacitors of the second pixel region P2 are the same. Will be affected.
상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying a data voltage having the same polarity to the first to
도 7은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 3 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. FIG. 7 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a third pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.
도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 3 화소영역(도 2의 P3)에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 3 화소영역(P3)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. As illustrated in FIG. 7, a positive data voltage is supplied to the third pixel region (P3 of FIG. 2) of the
제 2 서브픽셀은 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 제 3 서브픽셀은 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다. The second subpixel is defined as the third data line DL3 and the third gate line GL3 intersected with the third data line DL3, and the third subpixel is the third data line DL3. And a fourth gate line GL4 arranged to intersect with the third data line DL3.
상기 제 3 화소영역(P3)은 앞서 서술한 제 1 화소영역(P1)과 동일하다.The third pixel region P3 is the same as the first pixel region P1 described above.
결국, 상기 제 3 화소영역(P3)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 forming the first to third storage capacitors of the third pixel region P3 are the same. Will be affected.
상기 제 3 화소영역(P3)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12g ~ 12i)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12g ~ 12i)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying a data voltage having the same polarity to the first to
위에서 언급한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 수직 3 도트 인버젼 방식으로 액정패널을 구동함으로써, 상기 액정패널의 게이트라인으로 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 감소시켜 화질을 향상시킬 수 있다. As mentioned above, the liquid crystal display according to the present invention can improve the image quality by reducing the influence on the gate low voltage supplied to the gate line of the liquid crystal panel by driving the liquid crystal panel in a vertical 3-dot inversion method have.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 전단 게이트라인과 스토리지 캐패시터를 형성하는 액정패널을 수직 3 도트 인버젼 방식으로 구동함으로써, 상기 전단 게이트라인에 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 감소시킬 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention drives the liquid crystal panel forming the front gate line and the storage capacitor in a vertical three dot inversion manner, thereby affecting the gate low voltage supplied to the front gate line. Can be reduced.
또한, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 전단 게이트라인에 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 최소화 시킴으로써 화질을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display according to the present invention can improve the image quality by minimizing the influence on the gate low voltage supplied to the front gate line.
본 발명은 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. You will understand.
Claims (8)
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Applications Claiming Priority (1)
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KR1020060059108A KR20080001052A (en) | 2006-06-29 | 2006-06-29 | Liquid crystal display device and method driving for the same |
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