KR20080001052A - Liquid crystal display device and method driving for the same - Google Patents

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김재욱
박준호
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) device and a driving method thereof are provided to enhance image quality by driving a liquid crystal panel using a vertical 3-dot inversion scheme. An LCD(Liquid Crystal Display) device includes a liquid crystal panel(102) and gate and data drivers(104,106). The liquid crystal panel includes pixel areas having sub-pixels in a vertical direction. The gate driver drives sequentially the gate lines of the liquid crystal panel. The data driver inverts the polarity of data voltage, which is supplied to the data lines of the liquid crystal panel, per three gate lines. The liquid crystal panel is driven by a vertical 3-dot inversion scheme.

Description

액정표시장치 및 그의 구동방법{Liquid crystal display device and method driving for the same}Liquid crystal display device and method driving for the same

도 1a 및 도 1b는 종래의 수직 2 도트 인버젼 방식을 나타낸 도면.1A and 1B show a conventional vertical two dot inversion scheme.

도 2는 종래 액정표시장치의 액정패널을 나타낸 도면.2 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.3 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 수직 3 도트 인버젼 방식을 나타낸 도면.4A and 4B illustrate a vertical three dot inversion scheme according to the present invention.

도 5는 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 1 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 5 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a first pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.

도 6은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 2 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a second pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.

도 7은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 3 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면.FIG. 7 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a third pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame; FIG.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

102:액정패널 104:게이트 드라이버102: liquid crystal panel 104: gate driver

106:데이터 드라이버 108:타이밍 컨트롤러106: data driver 108: timing controller

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a driving method thereof capable of improving image quality.

액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. A liquid crystal display device displays an image using the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

상기 액정표시장치는 소정의 화상을 표시하는 액정패널과, 상기 액정패널을 구동하는 구동부로 이루어진다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel for displaying a predetermined image and a driver for driving the liquid crystal panel.

상기 액정패널은 2개의 유리기판과, 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다. 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층은 DC 전압을 오랫동안 인가하면 특성 열화가 일어나며, 이를 방지하기 위하여 인가 전압의 극성을 주기적으로 바꾸어 구동하며 이를 인버젼 구동방법이라고 한다. The liquid crystal panel is composed of two glass substrates and a liquid crystal layer formed between the two glass substrates. The liquid crystal layer formed between the two glass substrates causes deterioration of characteristics when the DC voltage is applied for a long time. In order to prevent this, the liquid crystal layer is periodically driven to change the polarity of the applied voltage, which is called an inversion driving method.

상기 인버젼 구동방법에는 프레임 인버젼, 라인 인버젼 및 도트 인버젼 구동방법 등이 있다. 상기 도트 인버젼 구동방법에는 원 도트 인버젼 구동방법과, 수직 2 도트 인버젼 구동방법등 여러가지가 있다. The inversion driving methods include frame inversion, line inversion, and dot inversion driving methods. The dot inversion driving method includes a one dot inversion driving method and a vertical two dot inversion driving method.

특히, 상기 도트 인버젼 구동방법 중 수직 2 도트 인버젼 구동방법은 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 기수 및 우수 프레임에서 화소신호의 극성이 수평방향으로는 기존의 도트 인버젼방식과 같이 도트 단위로 바뀌는 반면에 수직방향으로는 2도트 단위로 극성이 바뀌도록 구동된다. In particular, the vertical two-dot inversion driving method of the dot inversion driving method is as shown in FIGS. 1A and 1B, and the polarity of the pixel signal in the odd and even frames is the same as the conventional dot inversion method. While changing in dots, it is driven to change polarity in units of two dots in the vertical direction.

도 2는 종래 액정표시장치의 액정패널을 나타낸 도면이다. 2 is a view showing a liquid crystal panel of a conventional liquid crystal display device.

도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 액정패널(2)은 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GL4)과 데이터라인(DL1 ~ DL4)이 배열되어 있다. As shown in FIG. 2, in the conventional liquid crystal panel 2, a plurality of gate lines GL1 to GL4 and data lines DL1 to DL4 defining a plurality of pixel areas are arranged.

상기 액정패널(2)에서 제 1 화소영역(P1)은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다. 즉, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의되고, 제 2 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 제 3 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(GL1)과 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다. In the liquid crystal panel 2, the first pixel area P1 is defined as a first data line DL1 and second to fourth gate lines GL2 to GL4 intersected with the first data line DL1. . That is, the first subpixel of the first pixel region P1 is defined by the first data line DL1 and the second gate line GL2, and the second subpixel is defined by the first data line DL1. It is defined as a third gate line GL3, and the third subpixel is defined as the first data line GL1 and the fourth gate line GL4.

상기 제 1 내지 제 3 서브픽셀에는 각각 박막트랜지스터(TFT)와 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)이 형성되어 있다. Thin film transistors (TFTs) and first to third pixel electrodes 12a to 12c are formed in the first to third subpixels, respectively.

상기 액정패널(2)의 제 2 화소영역(P2)은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다. 상기 액정패널(2)의 제 3 화소영역(P3)은 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 2 내지 제 4 게이트라인(GL2 ~ GL4)으로 정의된다.The second pixel area P2 of the liquid crystal panel 2 is defined by second to fourth gate lines GL2 to GL4 arranged to intersect the second data line DL2 and the second data line DL2. . The third pixel area P3 of the liquid crystal panel 2 is defined as a third data line DL3 and second to fourth gate lines GL2 to GL4 intersecting with the third data line DL3. .

상기 액정패널(2)은 수직 2 도트 인버젼 방식으로 구동되므로, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 서브픽셀에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급되고, 상기 제 3 서브픽셀에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 및 제 2 서브픽셀에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급되고, 제 3 서브픽셀에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 3 화소영역(P3)은 상 기 제 1 화소영역(P1)과 동일하다.Since the liquid crystal panel 2 is driven in a vertical two-dot inversion scheme, positive data voltages are supplied to the first and second subpixels of the first pixel region P1, and the third subpixel is provided. The pixel is supplied with a negative data voltage. The data voltage of negative polarity (−) is supplied to the first and second subpixels of the second pixel region P2, and the data voltage of positive polarity (+) is supplied to the third subpixel. The third pixel region P3 is the same as the first pixel region P1.

상기 액정패널(2)은 스토리지 온 게이트(Storage on gate) 방식으로 이루어져 화소전극이 전단 게이트라인과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. The liquid crystal panel 2 has a storage on gate method, and the pixel electrode forms a front gate line and a storage capacitor Cst.

상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 1 화소전극(12a, 12d, 12g)은 제 1 게이트라인(GL1)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하고 상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 2 화소전극(12b, 12e, 12h)은 제 2 게이트라인(GL2)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. 상기 제 1 내지 제 3 화소영역(P1 ~ P3)의 제 3 화소전극(12c, 12f, 12i)는 제 3 게이트라인(GL3)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다.The first pixel electrodes 12a, 12d, and 12g of the first to third pixel areas P1 to P3 form a first gate line GL1 and a storage capacitor Cst, and form the first to third pixel areas. Second pixel electrodes 12b, 12e, and 12h of P1 to P3 form a second gate line GL2 and a storage capacitor Cst. The third pixel electrodes 12c, 12f, and 12i of the first to third pixel regions P1 to P3 form a third gate line GL3 and a storage capacitor Cst.

상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 공급된 정극성(+)의 데이터 전압은 각각의 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된다. The positive data voltages supplied to the first and second pixel electrodes 12a and 12b of the first pixel region P1 are stored in the respective storage capacitors Cst.

다음 프레임에서 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 부극성(-)의 데이터 전압이 공급되는데, 이전 프레임에 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 정극성(+)의 데이터 전압이 상기 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌게 된다. In the next frame, a negative data voltage is supplied to the first and second pixel electrodes 12a and 12b of the first pixel region P1, and the positive polarity stored in the storage capacitor Cst is stored in the previous frame. The positive data voltage is changed to the negative data voltage.

상기 제 1 화소전극(12a)은 제 1 게이트라인(GL1)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다. The first pixel electrode 12a forms a first gate line GL1 and a storage capacitor Cst, and the positive data voltage charged in the storage capacitor Cst is negative in the next frame. During the change to the data voltage of-), the gate low voltage VGL supplied to the first gate line GL1 is affected.

상기 제 2 화소전극(12b)은 상기 제 2 게이트라인(GL2)과 스토리지 캐패시 터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다. The second pixel electrode 12b forms the second gate line GL2 and the storage capacitor Cst, and the positive data voltage charged in the storage capacitor Cst is in the next frame. During the change to the negative data voltage, the gate low voltage VGL supplied to the second gate line GL2 is affected.

상기 제 3 화소전극(12c)은 상기 제 3 게이트라인(GL3)과 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하는데, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 부극성(-)의 데이터 전압이 다음 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)에 영향을 미치게 된다.The third pixel electrode 12c forms the third gate line GL3 and the storage capacitor Cst, and the negative data voltage charged in the storage capacitor Cst is positive in the next frame. During the change to the positive data voltage, the gate low voltage VGL supplied to the third gate line GL3 is affected.

상기 제 1 및 제 2 게이트라인(GL1, GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)은 이전 프레임동안 상기 제 1 및 제 2 화소전극(12a, 12b)으로 정극성(+)의 데이터 전압이 다음 프레임에 부극성(-)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 영향을 받는다. The gate low voltage VGL supplied to the first and second gate lines GL1 and GL2 is followed by a positive data voltage to the first and second pixel electrodes 12a and 12b during the previous frame. Affected during the transition to a negative data voltage in the frame.

이와는 달리, 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)은 이전 프레임동안 상기 제 3 화소전극(12c)으로 부극성(-)의 데이터 전압이 다음 프레임에 정극성(+)의 데이터 전압으로 바뀌는 도중에 영향을 받는다. On the contrary, the gate low voltage VGL supplied to the third gate line GL3 has the negative data voltage of the negative pixel to the third pixel electrode 12c during the previous frame. Affected by the change of data voltage.

상기 제 1 및 제 2 게이트라인(GL1, GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)이 영향을 받는 정도와 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL)이 영향을 받는 정도는 서로 상이하다. 상기 제 1 화소영역(P1)을 구성하는 제 1 내지 제 3 서브픽셀의 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압이 영향을 받을 수 있다. The degree to which the gate low voltage VGL supplied to the first and second gate lines GL1 and GL2 are affected and the degree to which the gate low voltage VGL supplied to the third gate line GL3 are affected. Are different from each other. The data voltage charged in the storage capacitors Cst of the first to third subpixels constituting the first pixel region P1 may be affected.

이로인해, 상기 제 1 화소영역(P1)을 포함한 상기 액정패널(2)에 구성된 화 소영역에 충전된 데이터 전압에 영향을 주게 되어 화질 저하와 같은 문제점이 발생하게 된다.As a result, the data voltage charged in the pixel region of the liquid crystal panel 2 including the first pixel region P1 is affected, resulting in problems such as deterioration of image quality.

본 발명은 화질을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 그의 구동방법을 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a driving method thereof capable of improving image quality.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 3서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널과, 상기 액정패널의 게이트라인을 순차적으로 구동하는 게이트 드라이버와, 상기 액정패널의 데이터라인에 공급되는 데이터 전압의 극성이 3개의 게이트라인마다 반전되도록 공급하는 데이터 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a liquid crystal panel including a pixel region in which three subpixels are formed in a vertical direction, a gate driver sequentially driving a gate line of the liquid crystal panel, And a data driver for supplying the polarity of the data voltage supplied to the data line to be inverted every three gate lines.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 구동방법은 서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널을 포함하는 액정표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 액정패널의 게이트라인으로 스캔신호를 공급하는 단계와, 상기 액정패널의 데이터라인으로 3개의 게이트라인마다 극성이 반전되는 데이터 전압을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A driving method of a liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object is a method of driving a liquid crystal display device comprising a liquid crystal panel including a pixel region of the sub-pixels in the vertical direction, the gate line of the liquid crystal panel; And supplying a scan signal and supplying a data voltage whose polarity is inverted every three gate lines to the data lines of the liquid crystal panel.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a liquid crystal display according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 2개의 유리기판과 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 소정의 화상을 표시하는 액정패널(102)과, 상기 액정패널(102)을 구동하는 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)와, 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(108)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the liquid crystal display according to the present invention includes a liquid crystal panel 102 including two glass substrates and a liquid crystal layer formed between the two glass substrates to display a predetermined image, and the liquid crystal panel ( A gate driver 104 and a data driver 106 for driving 102 and a timing controller 108 for controlling the gate driver 104 and the data driver 106 are included.

상기 액정패널(102)은 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(GL0 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되고 그 교차부에는 박막트랜지스터(TFT)와 상기 박막트랜지스터(TFT)와 컨택홀을 통해 전기적으로 연결된 화소전극(미도시)이 형성되어 있다. The liquid crystal panel 102 includes a plurality of gate lines GL0 to GLn and data lines DL1 to DLm defining a plurality of pixel regions, and a thin film transistor TFT and a thin film transistor TFT at the intersection thereof. And a pixel electrode (not shown) electrically connected through the contact hole.

상기 액정패널(102)은 위에서 언급한 바와 같이, 2 개의 유리기판과 상기 2개의 유리기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다. 일예로, 상기 액정층의 액정분자들은 상기 2 개의 유리기판 중 제 1 기판에 인가되는 데이터 전압과 제 2 기판에 인가되는 공통전압의 전위차에 의해 변위된다. As mentioned above, the liquid crystal panel 102 is composed of two glass substrates and a liquid crystal layer formed between the two glass substrates. For example, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are displaced by a potential difference between a data voltage applied to a first substrate and a common voltage applied to a second substrate of the two glass substrates.

상기 액정패널(102)은 스토리지 온 게이트(Storage on gate) 방식으로 이루어져 화소전극이 전단 게이트라인과 함께 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성한다. 상기 액정패널(102)은 도 2에 도시된 바와 같은 구조로 이루어져 있다. The liquid crystal panel 102 has a storage on gate method, and the pixel electrode forms a storage capacitor Cst together with the front gate line. The liquid crystal panel 102 has a structure as shown in FIG. 2.

이때, 상기 액정패널(102)은 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 기수 및 우수 프레임에서 화소신호의 극성이 수평방향으로는 기존의 도트 인버젼방식과 같이 도트 단위로 바뀌는 반면에 수직방향으로는 3 도트 단위로 극성이 바뀌도록 구동된다. In this case, as shown in FIGS. 4A and 4B, the polarity of the pixel signal in the odd and even frames is changed in the unit of dots in the horizontal direction in the vertical direction, as in the conventional dot inversion method. It is driven to change the polarity in units of 3 dots.

상기 게이트 드라이버(104)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 게이트 제어신호에 따라 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)에 스캔신호 즉, 게이트 하 이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)을 순차적으로 공급한다. 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)은 상기 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되어 있다. The gate driver 104 scans a plurality of gate lines GL1 to GLn, that is, a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL according to a gate control signal supplied from the timing controller 108. Supply sequentially. The gate lines GL1 to GLn are electrically connected to the thin film transistor TFT.

따라서, 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)을 통해 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)은 상기 박막트랜지스터(TFT)로 공급된다.Therefore, a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL are supplied to the thin film transistor TFT through the plurality of gate lines GL1 to GLn.

상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)으로부터 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면 턴-온(turn-on)되고, 상기 게이트라인(GL1 ~ GLn)으로부터 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되면 턴-오프(turn-off)된다. The thin film transistor TFT is turned on when a gate high voltage VGH is supplied from the gate lines GL1 to GLn, and a gate low voltage from the gate lines GL1 to GLn. VGL) is turned off when supplied.

상기 데이터 드라이버(106)는 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 데이터 제어신호에 따라 상기 타이밍 컨트롤러(108)로부터 공급된 R, G, B 데이터 신호를 아날로그 전압으로 변환하여 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 공급한다. The data driver 106 converts the R, G, and B data signals supplied from the timing controller 108 into analog voltages according to the data control signals supplied from the timing controller 108 to convert the plurality of data lines DL1. ~ DLm).

상기 타이밍 컨트롤러(108)는 도시되지 않은 시스템으로부터 공급된 수직/수평동기신호(Vsync/Hsync)와 소정의 클럭신호 및 데이터 이네이블(DE) 신호를 이용해서 상기 게이트 드라이버(104) 및 데이터 드라이버(106)를 제어하는 게이트 제어신호 및 데이터 제어신호를 생성한다. The timing controller 108 uses the gate driver 104 and the data driver (Vsync / Hsync) and a predetermined clock signal and data enable (DE) signal supplied from a system (not shown). A gate control signal and a data control signal for controlling 106 are generated.

또한, 상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 시스템으로부터 공급된 R, G, B 데이터 신호를 R, G, B 별로 정렬하고 상기 정렬된 R, G, B 데이터 신호는 상기 데이터 드라이버(106)로 공급된다. In addition, the timing controller 108 arranges the R, G, and B data signals supplied from the system by R, G, and B, and the aligned R, G, and B data signals are supplied to the data driver 106. .

상기 타이밍 컨트롤러(108)는 극성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. The timing controller 108 generates a polarity signal and supplies it to the data driver 106.

상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 액정패널(102)의 인버젼 방식에 따라 극 성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. 상기 데이터 드라이버(106)는 상기 극성신호를 공급받아 극성을 갖는 데이터 전압을 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 공급한다. The timing controller 108 generates a polar signal according to the inversion method of the liquid crystal panel 102 and supplies it to the data driver 106. The data driver 106 receives the polarity signal and supplies a data voltage having polarity to the plurality of data lines DL1 to DLm.

상기 액정패널(102)은 수직 3 도트 인버젼 방식으로 구동되기 때문에 상기 타이밍 컨트롤러(108)는 상기 액정패널(102)로 수직 3 도트 인버젼 방식에 부합되도록 극성신호를 생성하여 상기 데이터 드라이버(106)로 공급한다. Since the liquid crystal panel 102 is driven in a vertical three dot inversion scheme, the timing controller 108 generates a polarity signal to conform to the vertical three dot inversion scheme in the liquid crystal panel 102 so that the data driver 106 is used. ).

도 5는 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 1 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. 5 is a diagram illustrating a driving voltage supplied to a first pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.

제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 1 화소영역(도 2의 P1)에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 1 화소영역(P1)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. During the first frame, a positive data voltage is supplied to the first pixel area (P1 of FIG. 2) of the liquid crystal panel 102. As described above, the first pixel area P1 includes first to third subpixels, and the first subpixels intersect the first data line DL1 and the first data line DL1. Defined as the second gate line GL2.

상기 제 2 서브픽셀은 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 상기 제 3 서브픽셀은 제 1 데이터라인(DL1)과 상기 제 1 데이터라인(DL1)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다.The second subpixel is defined as a third gate line GL3 intersecting the first data line DL1 and the first data line DL1, and the third subpixel is a first data line DL1. ) And a fourth gate line GL4 intersected with the first data line DL1.

상기 제 1 서브픽셀에는 제 1 화소전극(도 1의 12a)이 형성되고, 상기 제 2 서브픽셀에는 제 2 화소전극(12b)이, 상기 제 3 서브픽셀에는 제 3 화소전극(12c)이 형성되어 있다. A first pixel electrode 12a of FIG. 1 is formed in the first subpixel, a second pixel electrode 12b is formed in the second subpixel, and a third pixel electrode 12c is formed in the third subpixel. It is.

제 1 프레임동안 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급되면 상기 제 1 화소전극(12a)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 화소전극(12a)과 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 의해 형성된 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)보다 강하된 제 1 픽셀전압(Vp1)이 충전된다.When the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2 during the first frame, the data voltage Vd1 of positive polarity (+) is supplied to the first pixel electrode 12a. As a result, the first storage capacitor formed by the first pixel electrode 12a and the first gate line GL1 is lower than the positive data voltage Vd1 of the first pixel capacitor Vp1. Is charged.

상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12b)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다.After the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the second pixel electrode 12b is provided. The positive data voltage Vd2 is supplied to the. At the same time, the gate low voltage VGL-2 is supplied to the second gate line GL2.

이로인해, 상기 제 2 화소전극(12b)과 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 의해 형성된 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)보다 강하된 제 2 픽셀전압(Vp2)이 충전된다. As a result, the second storage capacitor formed by the second pixel electrode 12b and the second gate line GL2 has a second pixel voltage Vp2 lower than the positive data voltage Vd2. Is charged.

상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12c)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the third pixel electrode 12c is provided. Is supplied with a positive data voltage Vd3. At the same time, a gate low voltage VGL-3 is supplied to the third gate line GL3.

이로인해, 상기 제 3 화소전극(12c)과 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 의해 형성된 제 3 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)보다 강하된 제 3 픽셀전압(Vp3)이 충전된다.As a result, the third storage capacitor formed by the third pixel electrode 12c and the third gate line GL3 has a third pixel voltage Vp3 lower than the positive data voltage Vd3. Is charged.

결국, 상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 화소 전극(12a ~ 12c)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1 ~ Vd3)이 공급된다. As a result, the data voltages Vd1 to Vd3 of positive polarity (+) are supplied to the first to third pixel electrodes 12a to 12c of the first pixel region P1 during the first frame.

이어 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 상기 제 1 화소전극(12a)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)보다 강하된 제 1 픽셀전압(Vp1)이 공급된다. Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2 to the second frame, which is the next frame, a negative data voltage Vd1 is supplied to the first pixel electrode 12a. . As a result, the first storage capacitor is supplied with a first pixel voltage Vp1 that is lower than the negative data voltage Vd1.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd1 of positive polarity is supplied to the first storage capacitor, and the data voltage Vd1 of negative polarity is supplied to the first storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)이 충전된 제 1 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd1)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd1)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the first storage capacitor charged with the positive data voltage Vd1 stores the data voltage Vd1 of the positive polarity (+) charged with the negative polarity (−) in the second frame. The data voltage Vd1 changes to charge.

이 과정에서 상기 제 1 게이트라인(GL1)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-1 supplied to the first gate line GL1 is affected.

상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12b)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the second pixel electrode 12b is negatively provided. The data voltage Vd2 of polarity (−) is supplied. At the same time, the gate low voltage VGL-2 is supplied to the second gate line GL2.

이로인해, 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)보다 강하된 제 2 픽셀전압(Vp2)이 공급된다. As a result, the second storage capacitor is supplied with a second pixel voltage Vp2 that is lower than the negative data voltage Vd2.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd2 of positive polarity is supplied to the second storage capacitor, and the data voltage Vd2 of negative polarity is supplied to the second storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)이 충전된 제 2 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd2)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd2)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the second storage capacitor charged with the positive data voltage (Vd2) may store the charged data voltage (Vd2) of the negative polarity (−) in the second frame. The data voltage Vd2 is changed to charge.

이 과정에서 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-2)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-2 supplied to the second gate line GL2 is affected.

상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12c)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the gate high voltage VGH-4 is supplied to the third pixel electrode 12c. The data voltage Vd3 of polarity (−) is supplied. At the same time, a gate low voltage VGL-3 is supplied to the third gate line GL3.

이로인해, 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)보다 강하된 제 3 픽셀전압(Vp3)이 공급된다. As a result, the third storage capacitor is supplied with a third pixel voltage Vp3 that is lower than the negative data voltage Vd3.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd3 of positive polarity is supplied to the third storage capacitor, and the data voltage Vd3 of negative polarity is supplied to the third storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)이 충전된 제 3 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 정극성(+)의 데이터 전압(Vd3)을 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd3)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the third storage capacitor charged with the positive data voltage Vd3 stores the data voltage Vd3 of the positive polarity (+) charged in the second frame with the negative polarity (−). The data voltage Vd3 changes to charge.

이 과정에서 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL- 3)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-3 supplied to the third gate line GL3 is affected.

결국, 상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 forming the first to third storage capacitors of the first pixel region P1 are the same. Will be affected.

상기 제 1 화소영역(P1)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12a ~ 12c)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying data voltages having the same polarity to the first to third pixel electrodes 12a to 12c of the first pixel region P1, the first to third pixel electrodes 12a to 12c are independent of the frame. The gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 together to form the storage capacitor are affected in the same manner.

도 6은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 2 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. 6 is a diagram illustrating a driving voltage supplied to a second pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.

도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 2 화소영역(도 2의 P2)에는 부극성(-)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 2 화소영역(P2)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. As shown in FIG. 6, a negative data voltage is supplied to the second pixel region (P2 of FIG. 2) of the liquid crystal panel 102 during the first frame. As described above, the second pixel area P2 includes first to third subpixels, and the first subpixels intersect the second data line DL2 and the second data line DL2. Defined as the second gate line GL2.

상기 제 2 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 상기 제 3 서브픽셀은 제 2 데이터라인(DL2)과 상기 제 2 데이터라인(DL2)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다.The second subpixel is defined as a second data line DL2 and a third gate line GL3 intersected with the second data line DL2, and the third subpixel is a second data line DL2. And a fourth gate line GL4 arranged to intersect with the second data line DL2.

상기 제 1 서브픽셀에는 제 1 화소전극(도 1의 12d)이 형성되고, 상기 제 2 서브픽셀에는 제 2 화소전극(12e)이, 상기 제 3 서브픽셀에는 제 3 화소전극(12f)이 형성되어 있다. A first pixel electrode (12d of FIG. 1) is formed in the first subpixel, a second pixel electrode 12e is formed in the second subpixel, and a third pixel electrode 12f is formed in the third subpixel. It is.

제 1 프레임동안 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급되면 상기 제 1 화소전극(12d)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 화소전극(12d)과 상기 제 1 게이트라인(GL1)에 의해 형성된 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)보다 강하된 제 4 픽셀전압(Vp4)이 충전된다.When the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2 during the first frame, the data voltage Vd4 of negative polarity (−) is supplied to the first pixel electrode 12d. As a result, a fourth pixel voltage Vp4 that is lower than the negative data voltage Vd4 is formed in the first storage capacitor formed by the first pixel electrode 12d and the first gate line GL1. Is charged.

상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH-2)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12e)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다.After the gate high voltage VGH-2 is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and the second pixel electrode 12e is provided. The negative data voltage Vd5 is supplied to the. At the same time, the gate low voltage VGL-2 is supplied to the second gate line GL2.

이로인해, 상기 제 2 화소전극(12e)과 상기 제 2 게이트라인(GL2)에 의해 형성된 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)보다 강하된 제 5 픽셀전압(Vp5)이 충전된다. As a result, the second storage capacitor formed by the second pixel electrode 12e and the second gate line GL2 has a fifth pixel voltage Vp5 that is lower than the negative data voltage Vd5. Is charged.

상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12f)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and the third pixel electrode 12f is provided. The negative data voltage Vd6 is supplied to the. At the same time, a gate low voltage VGL-3 is supplied to the third gate line GL3.

이로인해, 상기 제 3 화소전극(12f)과 상기 제 3 게이트라인(GL3)에 의해 형 성된 제 3 스토리지 캐패시터에는 상기 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)보다 강하된 제 6 픽셀전압(Vp6)이 충전된다.As a result, the third storage capacitor formed by the third pixel electrode 12f and the third gate line GL3 has a sixth pixel voltage Vp6 lower than the data voltage Vd6 of the negative polarity (-). ) Is charged.

결국, 상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4 ~ Vd6)이 공급된다. As a result, the data voltages Vd4 to Vd6 of negative polarity (−) are supplied to the first to third pixel electrodes 12d to 12f of the second pixel region P2 during the first frame.

이어 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 상기 제 1 화소전극(12d)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. 이로인해, 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)보다 강하된 제 4 픽셀전압(Vp4)이 공급된다. Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2 to the second frame, which is the next frame, the positive data voltage Vd4 is supplied to the first pixel electrode 12d. . Thus, the first storage capacitor is supplied with a fourth pixel voltage Vp4 that is lower than the positive data voltage Vd4.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 1 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)이 공급된다. During the first frame, a negative data voltage Vd4 is supplied to the first storage capacitor, and a positive data voltage Vd4 is supplied to the first storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)이 충전된 제 1 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd4)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd4)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the first storage capacitor charged with the negative data voltage Vd4 stores the charged data voltage Vd4 of the negative polarity in the second frame. The data voltage Vd4 is changed to charge.

이 과정에서 상기 제 1 게이트라인(GL1)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-1 supplied to the first gate line GL1 is affected.

상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH-3)이 공급되고, 상기 제 2 화소전극(12e)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 2 게이트라인(GL2)에는 게이트 로우 전압(VGL-2)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the second gate line GL2, the gate high voltage VGH-3 is supplied to the third gate line GL3, and a positive voltage is applied to the second pixel electrode 12e. The data voltage Vd5 of polarity (+) is supplied. At the same time, the gate low voltage VGL-2 is supplied to the second gate line GL2.

이로인해, 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)보다 강하된 제 5 픽셀전압(Vp5)이 공급된다. As a result, the second storage capacitor is supplied with a fifth pixel voltage Vp5 that is lower than the positive data voltage Vd5.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 2 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)이 공급된다. During the first frame, the data voltage Vd5 of negative polarity is supplied to the second storage capacitor, and the data voltage Vd5 of positive polarity is supplied to the second storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)이 충전된 제 2 스토리지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd5)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd5)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the second storage capacitor charged with the negative data voltage Vd5 stores the charged data voltage Vd5 of the negative polarity in the second frame. The data voltage Vd5 is changed to charge.

이 과정에서 상기 제 2 게이트라인(GL2)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-2)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-2 supplied to the second gate line GL2 is affected.

상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 게이트 하이 전압(VGH)이 공급된 후 상기 제 4 게이트라인(GL4)으로 게이트 하이 전압(VGH-4)이 공급되고, 상기 제 3 화소전극(12f)에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. 이와 동시에 상기 제 3 게이트라인(GL3)에는 게이트 로우 전압(VGL-3)이 공급된다. After the gate high voltage VGH is supplied to the third gate line GL3, the gate high voltage VGH-4 is supplied to the fourth gate line GL4, and positive is applied to the third pixel electrode 12f. The data voltage Vd6 of polarity (+) is supplied. At the same time, a gate low voltage VGL-3 is supplied to the third gate line GL3.

이로인해, 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)보다 강하된 제 6 픽셀전압(Vp6)이 공급된다. As a result, the third storage capacitor is supplied with a sixth pixel voltage Vp6 that is lower than the positive data voltage Vd6.

상기 제 1 프레임동안 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 공급되고 다음 프레임인 제 2 프레임에 상기 제 3 스토리지 캐패시터에는 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)이 공급된다. During the first frame, a negative data voltage Vd6 is supplied to the third storage capacitor, and a positive data voltage Vd6 is supplied to the third storage capacitor in a second frame, which is the next frame. Supplied.

상기 제 1 프레임에서 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)이 충전된 제 3 스토리 지 캐패시터는 제 2 프레임에서 상기 충전된 부극성(-)의 데이터 전압(Vd6)을 상기 정극성(+)의 데이터 전압(Vd6)으로 바뀌어 충전하게 된다. In the first frame, the third storage capacitor charged with the negative data voltage Vd6 stores the charged data voltage Vd6 of the negative polarity in the second frame with the positive polarity (+). The data voltage Vd6 is changed to to be charged.

이 과정에서 상기 제 3 게이트라인(GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-3)은 영향을 받게 된다. In this process, the gate low voltage VGL-3 supplied to the third gate line GL3 is affected.

결국, 상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 that are supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 that form the first to third storage capacitors of the second pixel region P2 are the same. Will be affected.

상기 제 2 화소영역(P2)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12d ~ 12f)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying a data voltage having the same polarity to the first to third pixel electrodes 12d to 12f of the second pixel region P2, the first to third pixel electrodes 12d to 12f are independent of the frame. The gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 together to form the storage capacitor are affected in the same manner.

도 7은 프레임별로 도 3의 액정패널의 제 3 화소영역으로 공급되는 구동전압을 나타낸 도면이다. FIG. 7 is a diagram illustrating driving voltages supplied to a third pixel area of the liquid crystal panel of FIG. 3 for each frame.

도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 프레임동안 상기 액정패널(102)의 제 3 화소영역(도 2의 P3)에는 정극성(+)의 데이터 전압이 공급된다. 상기 제 3 화소영역(P3)은 앞서 서술한 바와 같이, 제 1 내지 제 3 서브픽셀로 구성되며 상기 제 1 서브픽셀은 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 2 게이트라인(GL2)으로 정의된다. As illustrated in FIG. 7, a positive data voltage is supplied to the third pixel region (P3 of FIG. 2) of the liquid crystal panel 102 during the first frame. As described above, the third pixel area P3 includes first to third subpixels, and the first subpixels are arranged to intersect with the third data line DL3 and the third data line DL3. Defined as the second gate line GL2.

제 2 서브픽셀은 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 3 게이트라인(GL3)으로 정의되고, 제 3 서브픽셀은 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 상기 제 3 데이터라인(DL3)과 교차로 배열된 제 4 게이트라인(GL4)으로 정의된다. The second subpixel is defined as the third data line DL3 and the third gate line GL3 intersected with the third data line DL3, and the third subpixel is the third data line DL3. And a fourth gate line GL4 arranged to intersect with the third data line DL3.

상기 제 3 화소영역(P3)은 앞서 서술한 제 1 화소영역(P1)과 동일하다.The third pixel region P3 is the same as the first pixel region P1 described above.

결국, 상기 제 3 화소영역(P3)의 제 1 내지 제 3 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받게 된다. As a result, the gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 forming the first to third storage capacitors of the third pixel region P3 are the same. Will be affected.

상기 제 3 화소영역(P3)의 제 1 내지 제 3 화소전극(12g ~ 12i)으로 동일한 극성을 갖는 데이터 전압을 공급함으로써, 프레임에 상관없이 상기 제 1 내지 제 3 화소전극(12g ~ 12i)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하는 제 1 내지 제 3 게이트라인(GL1 ~ GL3)으로 공급된 게이트 로우 전압(VGL-1 ~ VGL-3)은 동일하게 영향을 받는다. By supplying a data voltage having the same polarity to the first to third pixel electrodes 12g to 12i of the third pixel region P3, the first to third pixel electrodes 12g to 12i are independent of the frame. The gate low voltages VGL-1 to VGL-3 supplied to the first to third gate lines GL1 to GL3 together to form the storage capacitor are affected in the same manner.

위에서 언급한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 수직 3 도트 인버젼 방식으로 액정패널을 구동함으로써, 상기 액정패널의 게이트라인으로 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 감소시켜 화질을 향상시킬 수 있다. As mentioned above, the liquid crystal display according to the present invention can improve the image quality by reducing the influence on the gate low voltage supplied to the gate line of the liquid crystal panel by driving the liquid crystal panel in a vertical 3-dot inversion method have.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 전단 게이트라인과 스토리지 캐패시터를 형성하는 액정패널을 수직 3 도트 인버젼 방식으로 구동함으로써, 상기 전단 게이트라인에 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 감소시킬 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention drives the liquid crystal panel forming the front gate line and the storage capacitor in a vertical three dot inversion manner, thereby affecting the gate low voltage supplied to the front gate line. Can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 전단 게이트라인에 공급되는 게이트 로우 전압에 미치는 영향을 최소화 시킴으로써 화질을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display according to the present invention can improve the image quality by minimizing the influence on the gate low voltage supplied to the front gate line.

본 발명은 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. You will understand.

Claims (8)

서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널;A liquid crystal panel including a pixel region in which subpixels are formed in a vertical direction; 상기 액정패널의 게이트라인을 순차적으로 구동하는 게이트 드라이버;A gate driver for sequentially driving gate lines of the liquid crystal panel; 상기 액정패널의 데이터라인에 공급되는 데이터 전압의 극성이 3개의 게이트라인마다 반전되도록 공급하는 데이터 드라이버를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a data driver for supplying the polarity of the data voltage supplied to the data line of the liquid crystal panel to be inverted every three gate lines. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 데이터 전압의 극성은 프레임 마다 반전되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the polarity of the data voltage is inverted from frame to frame. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 액정패널은 수직 3도트 인버젼 방식으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the liquid crystal panel is driven in a vertical 3-dot inversion method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 데이터 전압의 극성은 상기 화소영역의 수평방향으로 원 도트 반전되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the polarity of the data voltage is one dot inverted in the horizontal direction of the pixel region. 서브 픽셀들이 수직방향으로 이루어진 화소영역을 포함하는 액정패널을 포함하는 액정표시장치의 구동방법에 있어서,In the driving method of a liquid crystal display device comprising a liquid crystal panel comprising a pixel area of the sub pixels in the vertical direction, 상기 액정패널의 게이트라인으로 스캔신호를 공급하는 단계;Supplying a scan signal to a gate line of the liquid crystal panel; 상기 액정패널의 데이터라인으로 3개의 게이트라인마다 극성이 반전되는 데이터 전압을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 구동방법.And supplying a data voltage whose polarity is inverted every three gate lines to the data lines of the liquid crystal panel. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 데이터 전압의 극성은 프레임 마다 반전되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 구동방법.The polarity of the data voltage is inverted for each frame, the driving method of the liquid crystal display device. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 액정패널은 수직 3도트 인버젼 방식으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 구동방법.And the liquid crystal panel is driven in a vertical 3-dot inversion method. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 데이터 전압의 극성은 상기 화소영역의 수평방향으로 원 도트 반전되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 구동방법.And the polarity of the data voltage is inverted by one dot in the horizontal direction of the pixel region.
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