KR20070103908A

KR20070103908A - A spacer and electron emission display device using the same

Info

Publication number: KR20070103908A
Application number: KR1020060035830A
Authority: KR
Inventors: 김평갑
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-04-20
Filing date: 2006-04-20
Publication date: 2007-10-25

Abstract

A spacer and an electron emission display device having the same are provided to suppress distortion of an electron beam due to charging of the spacer and interrupt dispersion of the electron beam into adjacent sub pixels. A spacer is placed between a first substrate(2) and a second substrate(4) which form a vacuum envelope, so that the spacer supports a compressive force to be applied to the vacuum envelope. The spacer has a body(242) and a deflection electrode(244) formed on at least one of upper or lower sides of the body and having a different height along a longitudinal direction of the body. The deflection electrode is composed of a first region corresponding to an electron emission portion(12) and a second region, in which a height of the second region is higher than that of the first region.

Description

Spacer and Electromagnetic Emission Display Device Equivalent {A SPACER AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the electron emission display device shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1에 도시된 스페이서의 부분 사시도이다.3 is a partial perspective view of the spacer shown in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시된 스페이서의 측면도이다.4 is a side view of the spacer shown in FIG. 1.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스페이서의 측면도이다.5 is a side view of a spacer according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스페이서의 측면도이다.6 is a side view of a spacer according to a third embodiment of the present invention.

본 발명은 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내에 배치되어 압축력을 지지하는 스페이서에 관한 것이다.The present invention relates to a spacer and an electron emission display device having the same, and more particularly, to a spacer disposed in a vacuum container to support a compressive force.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방 식으로 분류될 수 있다.In general, an electron emission element may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; 이하 'FEA'라 함)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; 이하 'SCE'라 함)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; 이하 'MIM'이라 함)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; 이하 'MIS'라 함)형 등이 알려져 있다.Here, the electron emission device using the cold cathode may be a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, metal Metal-Insulator-Metal (hereinafter referred to as 'MIM') type and Metal-Insulator-Semiconductor (hereinafter referred to as 'MIS') type are known.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출되는 원리를 이용한다.The MIM type and the MIS type electron emission devices each form an electron emission portion having a metal / insulation layer / metal (MIM) and a metal / insulation layer / semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals having an insulation layer therebetween, or When voltage is applied between the metal and the semiconductor, electrons supplied from the metal or the semiconductor pass through the insulating layer to reach the upper metal by a tunneling phenomenon, and the work function of the upper metal among the reached electrons. The principle that the electron with the above energy is emitted from the upper electrode is used.

상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device forms an electron emission portion by providing a conductive thin film between a first electrode and a second electrode disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film, and applying a voltage to both electrodes. By using the principle that the electron is emitted from the electron emission portion when the current flows to the surface of the conductive thin film.

상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The FEA type electron emission device includes an electron emission portion and driving electrodes for controlling electron emission of the electron emission portion, and includes one cathode electrode and one gate electrode, and has a low work function as a material of the electron emission portion. Materials with high aspect ratios, such as molybdenum (Mo) or silicon (Si), have sharp tip structures, or carbon-based materials such as carbon nanotubes and graphite and diamond-like carbon, By using the principle that electrons are easily emitted.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.On the other hand, the electron emission elements are formed in an array on one substrate to form an electron emission device, and the electron emission device is combined with another substrate having a light emitting unit composed of a fluorescent layer and an anode electrode to emit electrons. A display device (electron emission display device) is constituted.

또한, 상기 전자 방출 표시 디바이스는 진공 용기의 내,외부 압력 차이에 의해 발생하는 압축력을 지지하도록 진공 용기 내부에 복수의 스페이서를 구비한다.In addition, the electron emission display device includes a plurality of spacers inside the vacuum container to support the compressive force generated by the pressure difference between the inside and the outside of the vacuum container.

상기한 전자 방출 표시 디바이스에 배치되는 스페이서는 전자의 흐름이 지속적으로 발생하는 진공의 내부 공간에 노출되어 전자 방출부에서 방출되는 전자들과 충돌한다. 그런데, 전자들과 지속적으로 충돌된 스페이서는 2차 전자 방출 계수의 특성 등에 따라 양전하 또는 음전하로 차징된다.The spacer disposed on the electron emission display device collides with electrons emitted from the electron emission unit by being exposed to the internal space of the vacuum in which the flow of electrons continuously occurs. However, the spacer constantly colliding with the electrons is charged with a positive charge or a negative charge according to the characteristics of the secondary electron emission coefficient.

상기와 같이 차징된 스페이서는 전자 방출부에서 방출되는 전자빔을 왜곡시켜 전자 방출 표시 디바이스의 색순도와 콘트라스트 특성을 저하시킨다.The charged spacer distorts the electron beam emitted from the electron emission unit, thereby degrading color purity and contrast characteristics of the electron emission display device.

일반적으로 스페이서는 유리 또는 세라믹으로 형성되고, 이러한 재료로 이루어지는 스페이서는 통상의 구동 조건에서 2차 전자 방출 계수가 통상 1 보다 크게 형성된다. 이에 따라 스페이서는 양전하로 차징되어 전자빔을 끌어당기게 된다.In general, the spacer is formed of glass or ceramic, and the spacer made of such a material has a secondary electron emission coefficient of more than 1 usually at normal driving conditions. Accordingly, the spacer is charged with a positive charge to attract the electron beam.

상기와 같은 전자빔의 끌어당김을 제거하기 위하여 스페이서 하부에 편향 전극을 형성하여 스페이서 주위의 전자빔을 밀어주는 구조가 개시되어 있다.Disclosed is a structure in which a deflection electrode is formed below the spacer to push the electron beam around the spacer to remove the attraction of the electron beam.

그러나, 종래 편향 전극은 스페이서와 멀어지는 방향으로 전자빔을 밀어주기만 할 뿐이며, 그에 대한 수직한 방향으로 전자빔을 집속시키지는 못하였다. 따라서, 종래 편향 전극은 전자빔이 주변의 서브 픽셀로 퍼지는 것까지는 차단할 수 없는 문제점이 있었다.However, the conventional deflection electrode only pushes the electron beam in a direction away from the spacer, and does not focus the electron beam in a direction perpendicular thereto. Therefore, the conventional deflection electrode has a problem that can not block until the electron beam spreads to the surrounding sub-pixel.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서의 차징에 따른 전자빔의 왜곡을 방지함과 동시에 전자빔의 집속 기능이 강화한 편향 전극을 가지는 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to prevent the distortion of the electron beam due to the charging of the spacer and at the same time the spacer having a deflection electrode with enhanced focusing function of the electron beam and electron emission having the same In providing a display device.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서는 모체 및 상기 모체의 상부 측면과 하부 측면 중 적어도 어느 일 측면에서 상기 모체의 길이 방향을 따라 다른 높이를 가지는 편향 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, the spacer for an electron emission display device according to an embodiment of the present invention has a mother and a deflection having a different height along the longitudinal direction of the parent on at least one of the upper side and the lower side of the matrix. An electrode.

또한, 상기 편향 전극은 상기 모체의 측면을 따라 전자 방출부에 대응하는 제1 영역과, 전자 방출부에 대응하지 않는 제2 영역으로 이루어지며, 이때 상기 제2 영역의 높이는 상기 제1 영역의 높이보다 높게 형성될 수 있다.The deflection electrode may include a first region corresponding to an electron emission unit and a second region not corresponding to an electron emission unit along a side surface of the mother body, wherein the height of the second region is the height of the first region. Can be formed higher.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 소자, 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛 및 상기 제1 기판과 제2 기판에 가해지는 압축력을 지지하는 스페이서를 포함하며, 상기 스페이서는 모체 및 상기 모체의 상부 측면 및 하부 측면 중 적어도 어느 일 측면에서 상기 모체의 길이 방향을 따라 다른 높이를 가지는 편향 전극을 포함한다.In addition, an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate and a second substrate disposed to face each other, an electron emission device disposed in an array on the first substrate, a light emitting unit provided on the second substrate, and And a spacer for supporting a compressive force applied to the first substrate and the second substrate, wherein the spacer has a different height along the longitudinal direction of the mother at at least one of a mother and an upper side and a lower side of the mother. And a deflection electrode.

또한, 상기 전자 방출 표시 디바이스에서, 상기 편향 전극은 상기 모체의 측면을 따라 상기 전자 방출부에 대응하는 제1 영역과, 상기 전자 방출부에 대응하지 않는 제2 영역으로 이루어지며, 상기 제1 영역의 높이을 H₁, 상기 제2 영역의 높이를 H₂라 할 때, 다음의 조건을 만족할 수 있다.In addition, in the electron emission display device, the deflection electrode may include a first area corresponding to the electron emission part and a second area not corresponding to the electron emission part along the side surface of the mother body. When the height of H ₁ and the height of the second region is H ₂ , the following conditions may be satisfied.

H₂ ＞ H₁ H ₂ ＞ H ₁

또한, 상기 제1 영역과 제2 영역의 높이는 일정하게 형성될 수 있다.In addition, the heights of the first region and the second region may be constant.

또한, 상기 제1 영역의 높이는 일정하게 형성되고, 상기 제2 영역의 높이는 상기 모체의 길이 방향을 따라 가변될 수 있다. 이때, 상기 제2 영역은 상기 모체의 상부를 향하여 볼록하게 형성될 수 있다.In addition, the height of the first region may be constantly formed, and the height of the second region may vary along the longitudinal direction of the mother body. In this case, the second region may be convexly formed toward the upper portion of the mother body.

또한, 상기 제1 영역과 제2 영역의 높이는 가변될 수 있으며, 이때, 상기 제1 영역은 상기 모체의 하부를 향하여 볼록하게 형성되고, 상기 제2 영역은 상기 모체의 상부를 향하여 볼록하게 형성될 수 있다.In addition, the heights of the first region and the second region may vary, wherein the first region is convex toward the lower portion of the mother, and the second region is convex toward the upper portion of the mother. Can be.

또한, 상기 편향 전극은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.In addition, the deflection electrode may be made of chromium (Cr), molybdenum (Mo), or an alloy thereof.

또한, 상기 모체는 벽체형으로 형성될 수 있다.In addition, the matrix may be formed in a wall shape.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the electron emission display device shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.1 and 2, an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 2 and a second substrate 4 that are disposed to face each other in parallel at a predetermined interval. Sealing members (not shown) are disposed at the edges of the first substrate 2 and the second substrate 4 to bond the two substrates, and the internal space is evacuated with a vacuum of approximately 10 ⁻⁶ torr to allow the first substrate 2 to be bonded. ), The second substrate 4 and the sealing member constitute a vacuum container.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성한다. 전자 방출 디바이스(100)는 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.On the opposite surface of the first substrate 2 to the second substrate 4, electron emission elements are arranged in an array to form the electron emission device 100 together with the first substrate 2. The electron emission device 100 combines with the second substrate 4 and the light emitting unit 110 provided on the second substrate 4 to form an electron emission display device.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 캐소드 전극들(6)이 제1 기판(2)의 일 방향(도 1에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.First, cathode electrodes 6 are formed on the first substrate 2 in a stripe pattern along one direction (y-axis direction in FIG. 1) of the first substrate 2, and cover the cathode electrodes 6. The first insulating layer 8 is formed on the entire first substrate 2. Gate electrodes 10 are formed on the first insulating layer 8 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrode 6 (the x-axis direction in FIG. 1).

상기 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역이 단위 화소(sub-pixel)를 이룰 수 있으며, 캐소드 전극들(6) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(12)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(8)과 게이트 전극들(10)에는 각 전자 방출 부(12)에 대응하는 개구부(82, 102)가 각각 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.An intersection area between the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 may form a unit pixel, and electron emission parts 12 are formed in each unit pixel on the cathode electrodes 6. In addition, openings 82 and 102 corresponding to the electron emission units 12 are formed in the first insulating layer 8 and the gate electrodes 10, respectively, to form the electron emission units 12 on the first substrate 2. To be exposed.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(12)는 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC), 플러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.The electron emission unit 12 may be formed of materials emitting electrons when a electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. The electron emission unit 12 may include carbon nanotubes (CNT), graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons (DLC), fullerenes (C ₆₀ ), silicon nanowires, and combinations thereof.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission portion may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

전자 방출부들(12)은 각 단위 화소에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 중 어느 한 전극, 일례로 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 위치할 수 있으며, 원형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 단위 화소별 전자 방출부들(12)의 배열과 전자 방출부(12)의 평면 형상은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.The electron emission units 12 may be positioned in a line along the length direction of one of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10, for example, the cathode electrode 6, in each unit pixel, and have a circular planar shape. It may be formed to have. The arrangement of the electron emitters 12 and the planar shape of the electron emitters 12 per unit pixel are not limited to the illustrated example and may be variously modified.

또한, 상기에서는 제1 절연층(8)을 사이에 두고 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극들(6) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하며, 이 경우 전자 방출부들은 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.In addition, in the above, the structure in which the gate electrodes 10 are positioned on the cathode electrodes 6 with the first insulating layer 8 therebetween has been described, but the gate electrodes have the first insulating layer interposed therebetween. A structure positioned below the electrodes is also possible, in which case the electron emission parts may be formed on the side of the cathode electrode over the first insulating layer.

그리고 게이트 전극들(10)과 제1 절연층(8) 위로 집속 전극(14)이 형성된다. 집속 전극(14) 하부에는 제2 절연층(16)이 위치하여 게이트 전극들(10)과 집속 전극(14)을 절연시키고, 집속 전극(14)과 제2 절연층(16)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(142, 162)가 각각 마련된다.The focusing electrode 14 is formed on the gate electrodes 10 and the first insulating layer 8. A second insulating layer 16 is positioned below the focusing electrode 14 to insulate the gate electrodes 10 and the focusing electrode 14, and passes the electron beam through the focusing electrode 14 and the second insulating layer 16. Openings 142 and 162 are provided respectively.

집속 전극(14)의 개구부(142)는 단위 화소마다 하나씩 형성되어 집속 전극(14)이 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하거나, 각 게이트 전극(10) 개구부(102)마다 하나씩 형성되어 각 전자 방출부(12)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수 있다. 도면에서는 일례로 전자(前者)의 경우를 도시하였다.One opening 142 of the focusing electrode 14 is formed for each unit pixel so that the focusing electrode 14 collectively focuses electrons emitted from one unit pixel, or one for each opening 102 of the gate electrode 10. Thus, the electrons emitted from each electron emitter 12 may be individually focused. In the drawings, the former case is illustrated as an example.

다음으로 발광 유닛에 대해 살펴보면, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색, 녹색 및 청색의 형광층들(18R, 18G, 18B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다. 형광층(18)은 제1 기판(2)에 설정된 단위 화소마다 하나의 형광층(18)이 대응하도록 배치될 수 있다.Next, the light emitting unit will be described. A surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2 may include a fluorescent layer 18, for example, red, green, and blue fluorescent layers 18R, 18G, and 18B. These are formed at arbitrary intervals from each other, and a black layer 20 is formed between the fluorescent layers 18 for improving the contrast of the screen. The fluorescent layer 18 may be disposed such that one fluorescent layer 18 corresponds to each unit pixel set in the first substrate 2.

그리고 형광층(18)과 흑색층(20)의 일면에는 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(18)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.An anode electrode 22 made of a metal film such as aluminum (Al) is formed on one surface of the fluorescent layer 18 and the black layer 20. The anode 22 receives the high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside to maintain the fluorescent layer 18 in a high potential state, and visible light emitted toward the first substrate 2 of the visible light emitted from the fluorescent layer 18. Is reflected to the second substrate 4 side to increase the brightness of the screen.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기 판(4)을 향한 형광층(18)과 흑색층(20)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극은 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조도 가능하다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode is positioned on one surface of the fluorescent layer 18 and the black layer 20 facing the second substrate 4. In addition, the anode electrode may have a structure in which the above-mentioned transparent conductive film and a metal film are simultaneously used.

그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 복수의 스페이서들(24)이 배치된다.In addition, a plurality of spacers 24 supporting a compressive force applied to the vacuum container are disposed between the first substrate 2 and the second substrate 4.

스페이서들(24)은 제1 기판(2) 측에서는 집속 전극(14) 위에 배치되고, 제2 기판(4) 측에서는 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다.The spacers 24 are disposed on the focusing electrode 14 on the side of the first substrate 2 and positioned on the black layer 20 so as not to invade the fluorescent layer 18 on the side of the second substrate 4.

본 실시예에서 스페이서(24)는 모체(242)와 모체(242)의 하부 측면에서 모체(242)의 길이 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 다른 높이를 가지는 편향 전극(244)을 포함한다.In the present embodiment, the spacer 24 includes a mother electrode 242 and a deflection electrode 244 having different heights along the longitudinal direction (the x-axis direction in FIG. 1) of the mother body 242 on the lower side of the mother body 242. do.

모체(242)는 일례로 벽체형으로 형성되며, 글라스 또는 세라믹과 같은 재료로 이루어질 수 있다.The matrix 242 is formed in a wall shape, for example, and may be made of a material such as glass or ceramic.

도 3은 도 1에 도시된 스페이서의 부분 사시도이고, 도 4는 도 1에 도시된 스페이서의 측면도이다.3 is a partial perspective view of the spacer shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a side view of the spacer shown in FIG. 1.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 편향 전극(244)은 모체(242)의 측면을 따라 전자 방출부(12)에 대응하는 제1 영역(244A)과 전자 방출부(12)에 대응하지 않는 제2 영역(244B)으로 이루어진다. 이때, 제2 영역(244B)의 높이(H₂)는 제1 영역(244A)의 높이(H₁)보다 높게 형성될 수 있다. (H₂ ＞ H₁)As shown in FIGS. 3 and 4, the deflection electrode 244 does not correspond to the first region 244A corresponding to the electron emission portion 12 and the electron emission portion 12 along the side of the matrix 242. Second region 244B. In this case, the height H ₂ of the second region 244B may be higher than the height H ₁ of the first region 244A. (H ₂ ＞ H ₁ )

또한, 제1 영역(244A)과 제2 영역(244B)의 높이는 도 4에 도시된 바와 같이, 각각 일정하게 형성되어 전체적으로 사각파형으로 형성될 수 있다. 도 3 및 도 4에 서 제1 영역(244A)과 제2 영역(244B)은 점선으로 구분되었다.In addition, as illustrated in FIG. 4, the heights of the first region 244A and the second region 244B may be uniformly formed to form a square wave as a whole. 3 and 4, the first region 244A and the second region 244B are divided by dotted lines.

상기와 같이, 제2 영역(244B)의 높이(H₂)를 제1 영역(244A)의 높이(H₁)보다 높게 형성함으로써, 제2 영역(244B)의 편향 전극(244)이 작용하는 전자빔의 미는 힘은 증가하게 되고, 이에 따라 집속 전극(14)의 개구부(142)를 통과하는 전자빔은 더욱 집속되어 주변의 서브 픽셀로 퍼지는 것이 차단된다.As described above, by forming the height H ₂ of the second region 244B higher than the height H _{1 of} the first region 244A, the electron beam acting on the deflection electrode 244 of the second region 244B. The increasing force means that the electron beam passing through the opening 142 of the focusing electrode 14 is further focused and prevented from spreading to surrounding subpixels.

편향 전극(244)은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금과 같은 도전성 재료로 이루어질 수 있다.The deflection electrode 244 may be made of a conductive material such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), or an alloy thereof.

편향 전극(244)의 형상은 상기와 같은 높이의 조건을 만족하는 것이라면 그 형상은 다양하게 변형될 수 있다.If the shape of the deflection electrode 244 satisfies the above-described height conditions, the shape may be variously modified.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스페이서의 측면도이고, 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스페이서의 측면도로서, 편향 전극의 다양한 형상을 보여주고 있다.5 is a side view of the spacer according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a side view of the spacer according to the third embodiment of the present invention, showing various shapes of the deflection electrode.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에서 제1 영역(246A)의 편향 전극(246)은 일정한 높이로 형성되고, 제2 영역(246B)의 편향 전극(246)은 가변되는 높이로 형성될 수 있다. 일례로, 상기 제2 영역(246B)의 편향 전극(246)은 모체(242)의 상부를 향하여 볼록하게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5, in the exemplary embodiment of the present invention, the deflection electrode 246 of the first region 246A is formed at a constant height, and the deflection electrode 246 of the second region 246B has a variable height. Can be formed. For example, the deflection electrode 246 of the second region 246B may be convex toward the upper portion of the parent body 242.

또한, 편향 전극(248)은 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 영역(248A)과 제2 영역(248B)의 높이가 가변되게 형성될 수 있다. 일례로, 상기 제1 영역(248A)의 편향 전극(248)은 모체(242)의 하부를 향하여 볼록하게 형성되고, 상기 제2 영역(248B) 의 편향 전극(248)은 모체(242)의 상부를 향하여 볼록하게 형성되어 전체적으로 물결 형상으로 형성될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 6, the deflection electrode 248 may be formed such that heights of the first region 248A and the second region 248B vary. For example, the deflection electrode 248 of the first region 248A is convexly formed toward the bottom of the matrix 242, and the deflection electrode 248 of the second region 248B is the upper portion of the matrix 242. It may be formed convexly toward the overall wavy shape.

상기에서는 모체(242)의 하부 측면에 편향 전극이 형성된 경우에 대해서 살펴보았으나, 편향 전극은 하부 측면뿐만 아니라 상부 측면 또는 상,하부 측면 모두에 형성될 수도 있다.In the above, the case where the deflection electrode is formed on the lower side of the mother body 242 has been described, but the deflection electrode may be formed on both the upper side or the upper and lower sides as well as the lower side.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 전계 방출 어레이(FEA)형에 대해서만 적용되었으나, 이에 한정되지 않으며, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 등 다양하게 적용될 수 있다.In addition, the electron emission display device according to the embodiment of the present invention was applied only to the field emission array (FEA) type, but is not limited thereto, and the surface conduction emission (SCE) type and the metal-insulating layer-metal (MIM) type And metal-insulating layer-semiconductor (MIS) types.

이에 더 나아가 본 발명의 실시예에 따른 스페이서는 전자 방출 표시 디바이스뿐만 아니라 진공 용기를 포함하는 모든 장치에 적용될 수 있다.Furthermore, the spacer according to the embodiment of the present invention can be applied to all devices including the vacuum container as well as the electron emission display device.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서에 전자 방출부의 위치를 고려한 가변되는 높이를 가지는 편향 전극을 구비함으로써, 스페이서의 차징에 의한 전자빔의 왜곡을 억제하고, 주변의 서브 픽셀로 전자빔이 퍼지는 것을 차단한다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 전자빔의 직진성이 향상이 향상되어 색순도 및 콘트라스트 특성이 개선된다.As described above, the electron emission display device according to the exemplary embodiment of the present invention includes a deflection electrode having a variable height in consideration of the position of the electron emission portion in the spacer, thereby suppressing distortion of the electron beam due to charging of the spacer, Blocks the spread of the electron beam to the subpixels of Accordingly, the electron emission display device according to the embodiment of the present invention improves the straightness of the electron beam, thereby improving color purity and contrast characteristics.

Claims

A spacer for an electron emission display device disposed between a first substrate and a second substrate constituting a vacuum container to support a compressive force applied to the vacuum container.

matrix; And

A deflection electrode having a different height along the longitudinal direction of the matrix on at least one of the upper side and the lower side of the matrix

Spacer for an electron emission display device comprising a.

The method of claim 1,

The deflection electrode may include a first region corresponding to an electron emission portion and a second region not corresponding to the electron emission portion along a side of the mother body.

And the height of the second region is higher than the height of the first region.

A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

An electron emission device disposed in an array on the first substrate;

A light emitting unit provided on the second substrate; And

It includes a spacer for supporting the compressive force applied to the first substrate and the second substrate,

The spacer,

matrix; And

Electron emission display device comprising a.

The method of claim 3,

The deflection electrode may include a first region corresponding to the electron emission unit and a second region not corresponding to the electron emission unit along a side surface of the mother body.

An electron emission display device that satisfies the following conditions when the height of the first region is H ₁ and the height of the second region is H ₂ .

H ₂ ＞ H ₁

The method of claim 4, wherein

The electron emission display device of which the height of the said 1st area | region and the 2nd area | region is constant.

The method of claim 4, wherein

And a height of the first region is constant, and a height of the second region is variable along a length direction of the mother body.

The method of claim 6,

And the second region is convexly formed toward the upper portion of the mother body.

The method of claim 4, wherein

An electron emission display device in which the heights of the first region and the second region are variable.

The method of claim 8,

The first region is formed convexly toward the lower portion of the parent,

And the second region is convexly formed toward the top of the mother body.

The method of claim 4, wherein

And the deflection electrode is made of chromium (Cr), molybdenum (Mo), or an alloy thereof.

The method of claim 3,

And the matrix is formed in a wall shape.

The method of claim 4, wherein

The electron emission element is composed of an electron emission portion and a drive electrode for controlling the electron emission portion,

And the driving electrode includes a cathode electrode and a gate electrode which are formed in different layers with an insulating layer interposed therebetween and formed in an intersecting direction.

The method of claim 12,

Further comprising a focusing electrode on the cathode electrode and the gate electrode,

And the focusing electrode has an opening for passing an electron beam at every intersection of the cathode electrode and the gate electrode.

The method of claim 3,

And the electron emission unit comprises at least one material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, fullerenes (C ₆₀ ), and silicon nanowires.