KR20070103255A - Step up circuit and method for generating negative high voltage - Google Patents
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Abstract
Description
도1은 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치(AM-OLED : Active Matrix-Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널의 블록도 이다.1 is a block diagram of an active organic light emitting diode (AM-OLED) display panel according to the prior art.
도2는 종래 기술에 따른 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 전체 내부 블록도 이다.2 is an overall internal block diagram of a mobile display driver integrated circuit according to the prior art.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 회로의 구성을 나타낸 구성도 이다.3 is a block diagram showing the configuration of a step-up circuit for generating a negative high voltage of the display panel according to an embodiment of the present invention.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 나타낸 흐름도 이다.4 is a flowchart illustrating a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.5 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] according to an embodiment of the present invention.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.6 is a block diagram illustrating an operation of a step-up circuit having an external selection pin value set to [01] according to an embodiment of the present invention.
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.7 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.8 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention.
도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.9 is a waveform diagram illustrating a simulation result of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] and an input reference voltage is set to 2.8V according to an embodiment of the present invention.
도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.FIG. 10 is a waveform diagram illustrating a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention.
***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***
110: 제1 전압 충전부 120: 제2 전압 충전부110: first voltage charging unit 120: second voltage charging unit
130: 제3 전압 충전부 111: 제1 PMOS 트랜지스터130: third voltage charging unit 111: first PMOS transistor
112: 제1 NMOS 트랜지스터 113: 제1 커패시터112: first NMOS transistor 113: first capacitor
121: 제2 PMOS 트랜지스터 122: 제2 NMOS 트랜지스터121: second PMOS transistor 122: second NMOS transistor
123: 제2 커패시터 131: 제3 PMOS 트랜지스터123: second capacitor 131: third PMOS transistor
132: 제3 NMOS 트랜지스터 133: 제3 커패시터132: third NMOS transistor 133: third capacitor
210: 제1 브리지 트랜지스터부 220: 제2 브리지 트랜지스터부210: first bridge transistor unit 220: second bridge transistor unit
211: 제4 PMOS 트랜지스터 212: 제4 NMOS 트랜지스터211: fourth PMOS transistor 212: fourth NMOS transistor
221: 제5 PMOS 트랜지스터 222: 제5 NMOS 트랜지스터221: fifth PMOS transistor 222: fifth NMOS transistor
300: 트랜지스터 스위치부 301: 제6 NMOS 트랜지스터300: transistor switch unit 301: sixth NMOS transistor
302: 제7 NMOS 트랜지스터 303: 제8 NMOS 트랜지스터302: seventh NMOS transistor 303: eighth NMOS transistor
500: 제1 트랜지스터 400: 제2 트랜지스터500: first transistor 400: second transistor
600: 입력 기준 전압(VREF) 700: 접지(GND)600: input reference voltage (VREF) 700: ground (GND)
800: 출력 전압(VOUT) 901: 제1 접합부800: output voltage (VOUT) 901: first junction
902: 제2 접합부 903: 제3 접합부902: second junction 903: third junction
본 발명은 스텝 업 회로 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a step up circuit and a method thereof.
일반적으로, 스텝 업 회로는, 기준 입력을 각각의 단계를 거쳐 기준 입력의 일정 배수로 출력하는 회로이다.Generally, a step-up circuit is a circuit which outputs a reference input in predetermined multiples of a reference input through each step.
스텝 업 회로가 적용된 평판 디스플레이 패널은, 디스플레이 소자의 셀(Cell)들이 행(Row)과 열(Column)의 매트릭스 형태의 배열로 구성되고, 흐르는 전류나 전압차에 의해 각 셀들이 발광하는 장치이다.A flat panel display panel to which a step-up circuit is applied is a device in which cells of a display element are arranged in a matrix form of rows and columns, and each cell emits light due to a current or voltage difference flowing. .
일반적으로, 평판 디스플레이 시장에서는, 액정 디스플레이 장치(LCD : Liquid Crystal Display)와 플라즈마 디스플레이 장치(PDP : Plasma Display Panel)가 독점적인 우위를 차지하고 있다. 그러나, 최근에는 낮은 생산 비용, 자연 그대로를 담아내는 고화질의 영상 제공, 액정 디스플레이 장치와 플라즈마 디스플레이 장치에 비해 얇고 휴대가 간편한 장점을 지니고 있는 유기 발광 표시 장치(OLED)가 차세대 평판 디스플레이 소자로써 주목받고 있으며, 그 요구가 높아지고 있다.In general, in the flat panel display market, a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP) have an exclusive advantage. However, in recent years, OLEDs, which have low production costs, high-definition images containing nature, and are thin and portable compared to liquid crystal display devices and plasma display devices, have attracted attention as next-generation flat panel display devices. And the demand is increasing.
도1은 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치(AM-OLED) 디스플레이 패널의 블록도 이다.1 is a block diagram of an active organic light emitting display (AM-OLED) display panel according to the prior art.
도1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치 디스플레이 패널은, 유리 기판(10)과; 상기 유리 기판(10) 위에 위치한 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)과; 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)의 행에서의 영상 신호를 제어하기 위한 스캔 라인 드라이버(30)와; 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)의 열에서의 영상 신호를 제어하기 위한 데이터 라인 드라이버(40)로 구성된다.As shown in FIG. 1, an active organic light emitting diode display panel according to the prior art includes a
상기 스캔 라인 드라이버(30)는, 상기 스캔 라인 드라이버(30)를 구동할 수 있도록 게이트 드라이버 블록을 포함한다.The
상기 데이터 라인 드라이버(40)는, 상기 데이터 라인 드라이버(40)를 구동할 수 있도록 소스 드라이버 블록을 포함한다.The
도2는 종래 기술에 따른 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 전체 내부 블록도 이다.2 is an overall internal block diagram of a mobile display driver integrated circuit according to the prior art.
도2에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)을 구동하기 위한 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 내부 구조는, 제어 신호의 저장과 제어를 위한 메모리 및 제어기 블록(101)과; 상기 스캔 라인 드라이버(30)를 구동하기 위한 상기 게이트 드라이버 블록(102)과; 상기 데이터 라인 드라이버(40)를 구동하기 위한 상기 소스 드라이버 블록(103)과; 감마(Gamma)를 제어하기 위한 감마 블록(104)과; 시스템 주파수를 공급하기 위한 오실레이터 블록(105)과; 안정적인 내부 전압을 공급하기 위한 전압 레귤레이터 블록(106)과; 상기 게이트 드라이버 블록(102)에 전력을 공급하기 위한 스텝 업 회로 1 블록(107) 과; 상기 소스 드라이버 블록(103)에 전력을 공급하기 위한 스텝 업 회로 2 블록(108)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, an internal structure of a mobile display driver integrated circuit for driving the organic light emitting diode
상기 메모리 및 제어기 블록(101)은, 디지털 블록에 해당된다.The memory and
또한, 상기 게이트 드라이버 블록(102), 상기 소스 드라이버 블록(103), 상기 감마 블록(104), 상기 오실레이터 블록(105), 상기 전압 레귤레이터 블록(106), 상기 스텝 업 회로 1 블록(107), 상기 스텝 업 회로 2 블록(108)은, 아날로그 블록에 해당된다.The
일반적으로, 상기 능동형 유기 발광 표시 장치 디스플레이 패널은, 이동용으로 많이 사용된다.In general, the active organic light emitting diode display panel is widely used for movement.
또한, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널이 구동될 수 있도록 고전압 배터리를 필요로 한다.In addition, the panel of the mobile display element requires a high voltage battery so that the panel of the mobile display element can be driven.
따라서, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널은, DC-DC 변환기를 사용한다.Therefore, the panel of the said mobile display element uses a DC-DC converter.
상기 DC-DC 변환기의 사용은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널에 상기 DC-DC 변환기를 추가함에 따라 생산 단가가 늘어나게 되는 문제가 발생할 수 있다.The use of the DC-DC converter may cause a problem that the production cost increases as the DC-DC converter is added to the panel of the mobile display device.
또한, 상기 DC-DC 변환기의 사용은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널에 상기 DC-DC 변환기를 추가함에 따라 패널의 크기가 커지는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the use of the DC-DC converter may cause a problem that the size of the panel increases as the DC-DC converter is added to the panel of the mobile display device.
따라서, 본 발명의 목적은, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 평판 디스플레이 패널의 능력을 향상시킬 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a step-up circuit and a method for improving the capability of a flat panel display panel, which are created to solve the above-described conventional problems.
본 발명의 다른 목적은, 음의 고전압을 드라이버 내부 직접 회로에서 생성할 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a step-up circuit and a method for generating a negative high voltage in a driver internal integrated circuit.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로는, 입력 기준 전압을 충전하는 전압 충전부와; 상기 전압 충전부에서 충전된 상기 입력 기준 전압을 축적하는 브리지 트랜지스터부와; 상기 브리지 트랜지스터부에서 축적된 상기 입력 기준 전압들을 외부 선택 핀값에 따라 선택하는 트랜지스터 스위치부와; 상기 트랜지스터 스위치부에 연결되고, 상기 외부 선택 핀값에 따라 셧다운을 제어하는 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터와 병렬로 연결되고, 클록 위상에 따라 음의 고전압 출력을 제어하는 제2 트랜지스터로 구성된다.According to an aspect of the present invention, a step-up circuit includes: a voltage charger configured to charge an input reference voltage; A bridge transistor unit which accumulates the input reference voltage charged by the voltage charger unit; A transistor switch unit configured to select the input reference voltages accumulated in the bridge transistor unit according to an external selection pin value; A first transistor coupled to the transistor switch and configured to control shutdown according to the external selection pin value; A second transistor is connected in parallel with the first transistor and controls a negative high voltage output according to a clock phase.
또한, 상기 전압 충전부는, 상기 입력 기준 전압이 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터와; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스와 커패시터의 양극이 연결된 제1 커패시터와; 상기 제1 커패시터의 음극과 NMOS 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 NMOS 트랜지스터의 드레인과 접지(GND : Gound)가 연결된 제1 NMOS 트랜지스터로 구성된다.The voltage charging unit may include: a first PMOS transistor having the input reference voltage connected to a drain of the PMOS transistor; A first capacitor connected to a source of the first PMOS transistor and an anode of the capacitor; A cathode of the first capacitor and a source of the NMOS transistor are connected to each other, and a drain of the NMOS transistor and a ground (GND: Gound) are connected to each other.
또한, 상기 제1 PMOS 트랜지스터와 상기 제1 커패시터와 상기 제1 NMOS 트랜지스터는, 상기 입력 기준 전압과 상기 접지 사이에서 서로 직렬로 연결되어 구성된다.The first PMOS transistor, the first capacitor, and the first NMOS transistor are configured in series with each other between the input reference voltage and the ground.
또한, 상기 브리지 트랜지스터부는, 제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터가 병렬로 연결되어 구성된다.The bridge transistor unit may include a second PMOS transistor and a second NMOS transistor connected in parallel.
또한, 상기 트랜지스터 스위치부는, 다수개의 NMOS 트랜지스터들이 서로 병렬로 연결되어 구성된다.In addition, the transistor switch unit includes a plurality of NMOS transistors connected in parallel with each other.
또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 접지와 상기 트랜지스터 스위치부의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 소스와 상기 제2 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압을 구성한다.In addition, the first transistor may be connected to the ground of the first transistor and the drain of the transistor switch unit and the drain of the first NMOS transistor in parallel with each other and connected to the drain of the first transistor, and the source of the first transistor and the second transistor. The sources of the transistors are connected in parallel to form the output voltage.
또한, 상기 제2 트랜지스터는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제1 커패시터의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 소스와 상기 제1 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압을 구성한다.In addition, the second transistor, the source of the first NMOS transistor and the cathode of the first capacitor is connected in parallel to the drain of the second transistor, the source of the second transistor and the source of the first transistor Are connected in parallel to form the output voltage.
또한, 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터는, PMOS, NMOS, 다이오드와 같은 스위치 소자로 구성될 수 있다.In addition, the first transistor and the second transistor may be composed of a switch element such as a PMOS, an NMOS, or a diode.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로의 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부는, 사용자가 원하는 출력 전압에 따라 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부와 동일한 기능을 하는 다수개의 상기 전압 충전부들과 다수개의 상기 브리지 트랜지스터부들이 서로 번갈아가며 직렬로 연결될 수 있다.The voltage charging section and the bridge transistor section of the step-up circuit according to the present invention for achieving the above objects, the plurality of voltage charging section and the same function as the voltage charging section and the bridge transistor section according to the output voltage desired by the user; A plurality of the bridge transistor units may be connected in series with each other alternately.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로의 다수개가 직렬로 연결된 상기 전압 충전부들과 상기 브리지 트랜지스터부들은, 상기 사용자가 원하는 출력 전압에 따라 상기 사용자가 원하는 출력 전압을 출력할 수 있도록 상기 트랜지스터 스위치부와 연결되어 구성된다.The voltage charging parts and the bridge transistor parts connected in series with a plurality of step-up circuits according to the present invention for achieving the above objects may be configured to output an output voltage desired by the user according to an output voltage desired by the user. It is configured in connection with the transistor switch unit.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다.A step up method according to the present invention for achieving the above objects comprises: a voltage charging step of charging a voltage according to a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage.
또한, 상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 단계와; 상기 클록 위상을 검사하여 상기 출력 전압을 제어하는 단계로 이루어진다.In addition, the voltage charging step may include: charging the voltage by the input reference voltage when the clock phase is 1; Checking the clock phase to control the output voltage.
또한, 상기 전압을 충전하는 단계는, 상기 전압 충전부를 구성하는 상기 커패시터에 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 단계이다.The charging of the voltage may include charging the capacitor by the input reference voltage to the capacitor constituting the voltage charger.
또한, 상기 전압을 충전하는 단계는, 동일한 기능을 하는 다수개의 상기 전압 충전부들이 서로 연결되어 구성된다.The charging of the voltage may include a plurality of voltage charging units having the same function connected to each other.
따라서, 상기 클록 위상이 1일 때, 다수개의 상기 전압 충전부들은, 각각 상기 입력 기준 전압만큼 전압이 충전된다.Therefore, when the clock phase is 1, the plurality of voltage chargers are each charged with the input reference voltage.
또한, 상기 출력 전압을 제어하는 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 제9 NMOS 트랜지스터를 오프(Off)시키고, 상기 출력 전압을 상기 접지와 절연된 플로팅 상태(Floating State)로 유지하는 단계이다.The controlling of the output voltage may include turning off the ninth NMOS transistor when the clock phase is 1, and maintaining the output voltage in a floating state insulated from the ground. to be.
또한, 상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 전압 충전 단계에서 각각의 상기 전압 충전부들에 충전된 전압들을 축적하는 단계와; 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계와; 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압으 로 출력하는 단계로 이루어진다.The voltage accumulating step may further include: accumulating voltages charged in the respective voltage charging parts in the voltage charging step when the clock phase is 2; Selecting one of the accumulated voltages according to the accumulated voltages; And outputting the selected accumulated voltage to the output voltage according to the external selection pin value.
또한, 상기 충전된 전압들을 축적하는 단계는, 각각의 상기 전압 충전부들에서 상기 입력 기준 전압만큼 충전된 전압들을 직렬로 연결하여 각각의 상기 전압 충전부들에서 충전된 상기 입력 기준 전압들을 축적하는 단계이다.The accumulating of the charged voltages may include accumulating the input reference voltages charged in each of the voltage chargers by connecting voltages charged by the input reference voltage in series with each of the voltage chargers. .
또한, 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계는, 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계이다.The selecting one of the accumulated voltages may include selecting one of the accumulated voltages according to the external selection pin value.
또한, 상기 출력 전압으로 출력하는 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 외부 선택 핀값을 검사하는 단계이다.The outputting of the output voltage may include checking the external selection pin value when the clock phase is two.
또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값일 때, 오프되고, 상기 출력 전압은 상기 접지에 연결된다.In addition, the first transistor is turned off when the external selection pin value test result is a shutdown value, and the output voltage is connected to the ground.
또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값이 아닐 때, 온(On)되고, 상기 축적된 전압은 상기 출력 전압으로 출력된다.The first transistor is turned on when the external selection pin value test result is not a shutdown value, and the accumulated voltage is output to the output voltage.
이하에서는, 디스플레이 패널의 음의 고전압을 디스플레이 드라이버 내부 집적 회로에서 생성할 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법의 바람직한 실시예를 도3~도10을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a step-up circuit and a method for generating a negative high voltage of the display panel in the display driver internal integrated circuit will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 10.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 회로의 구성을 나타낸 구성도 이다.3 is a block diagram showing the configuration of a step-up circuit for generating a negative high voltage of the display panel according to an embodiment of the present invention.
도3에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 회로는, 입력 기준 전압(600)을 충전하는 제1 전압 충전부(110), 제2 전압 충전부(120), 제3 전압 충전부(130)와; 상기 제1, 제2, 제3 전압 충전부(110,120,130)에서 충전된 상기 입력 기준 전압(600)을 축적하는 제1 브리지 트랜지스터부(210), 제2 브리지 트랜지스터부(220)와; 상기 제1, 제2 브리지 트랜지스터부(210,220)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)들을 외부 선택 핀값에 따라 선택하기 위한 트랜지스터 스위치부(300)와; 상기 트랜지스터 스위치부(300)에 직렬로 연결되고, 상기 외부 선택 핀값에 따라 셧다운을 제어하는 제1 트랜지스터(500)와; 상기 제1 트랜지스터(500)와 병렬로 연결되고, 클록 위상에 따라 음의 고전압 출력을 제어하는 제2 트랜지스터(400)로 구성된다.As shown in FIG. 3, the step-up circuit includes: a
상기 제1 전압 충전부(110)는, 제1 PMOS 트랜지스터(111), 제1 NMOS 트랜지스터(112), 제1 커패시터(113)로 구성된다.The first
상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 드레인에 연결되고, 제1 접합부(901)가 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 소스에 연결되어 구성된다.In the
상기 제1 접합부(901)는, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 소스와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 소스와 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 소스와 상기 제1 커패시터(113)의 양극이 서로 연결된 접합부이다.The
상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)는, 접지(700)가 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 커패시터(113)의 음극과 상기 제2 트랜지스터(400)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스에 연결되어 구성된다.In the
상기 제1 커패시터(113)는, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제1 커패시터(113)의 양극에 연결되고, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스와 상기 제2 트랜지스 터(400)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제1 커패시터(113)의 음극에 연결되어 구성된다.The
상기 제2 전압 충전부(120)는, 제2 PMOS 트랜지스터(121), 제2 NMOS 트랜지스터(122), 제2 커패시터(123)로 구성된다.The
상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 드레인에 연결되고, 제2 접합부(902)가 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 소스에 연결되어 구성된다.In the
상기 제2 접합부(902)는, 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 소스와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 소스와 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 양극이 서로 연결된 접합부이다.The
상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)는, 상기 접지(700)가 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 커패시터(123)의 음극과 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스에 연결되어 구성된다.The
상기 제2 커패시터(123)는, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제2 커패시터(123)의 양극에 연결되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제2 커패시터(123)의 음극에 연결되어 구성된다.The
상기 제3 전압 충전부(130)는, 제3 PMOS 트랜지스터(131), 제3 NMOS 트랜지스터(132), 제3 커패시터(133)로 구성된다.The
상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 커패시터(133)의 양극과 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스에 연결되어 구성된다.The
상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)는, 상기 접지(700)가 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 커패시터(133)의 음극과 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스에 연결되어 구성된다.In the
상기 제3 커패시터(133)는, 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 제3 커패시터(133)의 양극에 연결되고, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제3 커패시터(133)의 음극에 연결되어 구성된다.The
상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)는, 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 제4 NMOS 트랜지스터(212)로 구성된다.The first
상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)는, 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)와 병렬로 연결된다.The fourth PMOS transistor 211 is connected in parallel with the fourth NMOS transistor 212.
또한, 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)는, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제4 PMOS 트랜지스 터(211)의 소스에 연결된다.In addition, the fourth PMOS transistor 211 is connected to the source of the
또한, 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)는, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)의 소스에 연결된다.In addition, the fourth NMOS transistor 212 is connected to the source of the
상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)는, 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 제5 NMOS 트랜지스터(222)로 구성된다.The second
상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)는, 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)와 병렬로 연결된다.The
또한, 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)는, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)의 소스에 연결된다.In addition, the
또한, 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)는, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)의 소스에 연결된다.In addition, the fifth NMOS transistor 222 is connected to the source of the
상기 트랜지스터 스위치부(300)는, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301), 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302), 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)로 구성된다.The
또한, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)는, 제3 저합부(903)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, the
또한, 상기 제3 접합부(903)는, 상기 접지(700)와 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인과 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 드레인이 서로 연결된 접합부이다.The
또한, 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는, 상기 제3 접합부(903)와 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, in the
또한, 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는, 상기 제3 접합부(903)와 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 양극이 병렬로 연결되어 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, the
상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(113)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(114)의 드레인과 상기 접지(700)가 서로 병렬로 연결되어 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터(500)의 소스와 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압(800)을 구성한다.The
상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스와 상기 제1 커패시터(113)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제2 트랜지스터(400)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스와 상기 제1 트랜지스터(500)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 출력 전압(800)을 구성한다.In the
또한, 상기 제1 트랜지스터(500)와 제2 트랜지스터(400)는, PMOS, NMOS, 다이오드와 같은 스위치 소자로 구성될 수 있다.In addition, the
상기 입력 기준 전압(600)은, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 드레인과 상기 제2 PMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제3 PMOS 트랜지스터(113)의 드레인에 연결되어 구성된다.The
상기 접지(700)는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인과 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인과 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인에 연결되어 구성된다.The
상기 출력 전압(800)은, 상기 제10 NMOS 트랜지스터(500)의 소스와 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스가 병렬로 연결되어 구성된다.The
상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)와 상기 제2 브리지 트랜지스터 부(220)는, 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)에 따라 상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)와 동일한 기능을 하는 다수개의 전압 충전부들과, 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)와 동일한 기능을 하는 다수개의 브리지 트랜지스터부들이 서로 번갈아가며 직렬로 연결될 수 있다.The
또한, 다수개가 직렬로 연결된 상기 전압 충전부들과 상기 브리지 트랜지스터부들은, 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)에 따라 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있도록 상기 트랜지스터 스위치부(300)와 연결되어 구성된다.In addition, the plurality of voltage charging units and the bridge transistor units connected in series may be configured to output the
상기 스텝 업 회로는, 음의 고전압 생성을 위한 회로를 외부의 DC-DC 변환기를 사용하지 않고, 내부의 드라이버 집적 회로에 설계함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 비용을 절감시킨다.The step-up circuit reduces the size and overall cost of the entire system by designing a circuit for generating a negative high voltage to an internal driver integrated circuit without using an external DC-DC converter.
스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다.The step up method includes a voltage charging step of charging a voltage in accordance with a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage.
상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하는 단계와; 상기 클록 위상을 검사하여 상기 출력 전압(800)을 제어하는 단계로 이루어진다.The voltage charging step includes charging the voltage by the input reference voltage (600) when the clock phase is 1; Checking the clock phase to control the
상기 전압을 충전하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 설정될 때, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)와 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)와 상기 제2 PMOS 트랜 지스터(121)와 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)와 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)와 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)를 온시킨다.In the charging of the voltage, when the external selection pin value is set, the
이후, 상기 전압을 충전하는 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하게 된다.Subsequently, in the charging of the voltage, the
또한, 상기 클록 위상이 1인 상기 출력 전압(800)을 제어하는 단계에서는, 상기 제2 트랜지스터(400)를 오프시키고, 상기 출력 전압(800)을 플로팅 상태로 유지시킨다.In the controlling of the
상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 전압 충전 단계에서 각각의 상기 전압 충전부(110,120,130)들에 충전된 전압들을 축적하는 단계와; 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계와; 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압(800)으로 출력하는 단계로 이루어진다.The voltage accumulating step may include accumulating voltages charged in the
상기 충전된 전압들을 축적하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 설정될 때, 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222), 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)를 상기 외부 선택 핀값에 따라 각각 온이나 오프시킨 다.In the accumulating the charged voltages, when the external selection pin value is set, the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second of the first
이후, 상기 충전된 전압들을 축적하는 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)에서 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압이 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 축적된다.Thereafter, in the accumulating of the charged voltages, the first
상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계에서는, 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 축적된 전압들 중 하나를 상기 외부 선택 핀값에 따라 선택하는 단계이다.In the selecting of one of the accumulated voltages, one of voltages accumulated by one, two, and three times the
상기 출력 전압(800)을 출력하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값을 검사하는 단계이다.In the outputting of the
또한, 상기 클록 위상이 2인 상기 출력 전압(800)을 출력하는 단계에서는, 상기 제2 트랜지스터(400)를 온시킨다.In addition, in the outputting the
또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 상기 접지(700)에 연결된다.In addition, the
또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값이 아닐 때, 온되고, 상기 축적된 전압은 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.In addition, the
상기 스텝 업 방법은, 음의 고전압을 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 선택적으로 생성시킴으로써, 상기 외부 선택 핀값에 따라 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있다.The step-up method may selectively generate a negative high voltage at one, two, and three times the
또한, 상기 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 상기 입력 기준 전 압(600)의 1배수만큼 적층하도록 구성함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 사용자의 요구에 따라 사용자가 원하는 상기 입력 기준 전압(600)의 배수로 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있다.In addition, the step-up circuit and the method is configured to stack a negative high voltage by one multiple of the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 도3 및 도4를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 나타낸 흐름도 이다.4 is a flowchart illustrating a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도4에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다. 상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하는 단계이다. 상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들을 축적하고, 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 선택하고, 이후, 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압(800)으로 출력하는 단계이다.As shown in Fig. 4, the step-up method includes: a voltage charging step of charging a voltage in accordance with a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage. In the voltage charging step, when the clock phase is 1, the voltage is charged by the
다수개의 상기 전압 충전부들(110,120,130)은, 다수개의 상기 전압 충전부들(110,120,130)에 포함된 상기 커패시터들(113,123,133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하게 된다(S11).The plurality of
이후, 상기 출력 전압(800)은, 충전된 전압을 출력하는지의 여부를 판단하기 위해서 클록 위상을 검사한다(S12). 이때, 상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 클록 위상 검사 결과가 1일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태가 된다(S17). 또한, 상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 클록 위상 검사 결과가 1이 아닐 때, 온된다.Thereafter, the
상기 브리지 트랜지스터부들(210,220)은, 상기 전압 충전부들(110,120,130)의 상기 커패시터들(113,123,133)에서 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들을 직렬로 연결하여 상기 입력 기준 전압(600)의 배수로 전압들을 축적시킨다(S13).The
상기 트랜지스터 스위치부(300)는, 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하게 된다(S14).The
이후, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드인지를 검사한다(S15). 이때, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 상기 접지에 연결된다(S18). 또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드가 아닐 때, 온되고, 상기 선택된 축적된 전압은 상기 출력 전압(800)으로 출력된다(S16).Thereafter, the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도5를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit having the external selection pin value set to [00] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.5 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] according to an embodiment of the present invention.
도5에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상 이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 5, the step-up circuit having the external selection pin value set to [00] is the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes
상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the
또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the
상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)가 각각 온된다.In the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [00], the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second bridge transistor unit (of the first bridge transistor unit 210). The
따라서 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)는, 직렬로 연결된다.Accordingly, the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들이 축적된다.In addition, in the voltage accumulation step, voltages charged by the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는 오프되고, 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 온된다.In the voltage accumulation step, the
이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulation step, the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도6을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [01] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.6 is a block diagram illustrating an operation of a step-up circuit having an external selection pin value set to [01] according to an embodiment of the present invention.
도6에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 6, the step-up circuit having the external selection pin value set to [01] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes
상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the
또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the
상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)가 각각 온되고, 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)는 각각 오프된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the fourth PMOS transistor 211 and the fourth NMOS transistor 212 of the first
따라서, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)는, 직렬로 연결된다.Therefore, the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들이 축적된다.In the voltage accumulation step, voltages charged by the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 오프되고, 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는 온된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the
이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -2배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도7을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.7 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention.
도7에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 7, the step-up circuit having the external select pin value set to [10] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes
상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the
또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the
상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)가 각각 오프된다.In the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [10], the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second bridge transistor unit () of the first bridge transistor unit 210 ( The
따라서, 상기 제1 커패시터(113)만이, 연결된다.Thus, only the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)에 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압이 축적된다.In the voltage accumulating step, a voltage charged by the
또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 오프되고, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)는 온된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [10], the
이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -1배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [10], the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도8을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.8 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention.
도8에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 8, the step-up circuit having the external selection pin value set to [11] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes
상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the
또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the
상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [11]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)는 셧다운 상태가 된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [11], the
따라서, 모든 전류 패스가 끊어져서 상기 출력 전압(600)은 상기 접지(700) 값을 유지하게 된다.Thus, all current paths are broken such that the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도9를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [00] and the input reference voltage is set to 2.8 V according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.9 is a waveform diagram illustrating a simulation result of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] and an input reference voltage is set to 2.8V according to an embodiment of the present invention.
도9에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과는, 상기 클록 위상이 1인 상기 전압 충전 단계와 상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계로 구성된다.As shown in Fig. 9, the simulation result of the step-up circuit is composed of the voltage charging step in which the clock phase is 1 and the voltage accumulation step in which the clock phase is 2.
상기 클록 위상이 1인 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)인 2.8V가 충전된다.In the voltage charging step in which the clock phase is 1, the
상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)가 직렬로 연결되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)인 2.8V씩 충전된 전압이 축적된다.In the voltage accumulation step in which the clock phase is 2, the
이후, 상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계에서의 상기 출력 전압(800)은, 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배인 -8.4V가 축적되어 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Thereafter, the
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 도10을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.FIG. 10 is a waveform diagram illustrating a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention.
도10에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값에 따른 상기 출력 전압(800)의 시뮬레이션 결과는, 상기 입력 기준 전압(600)이 2.8V일 때, 상기 외부 선택 핀 값이 [00]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배인 -8.4V를 출력하고, 상기 외부 선택 핀값이 [01]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -2배인 -5.6V를 출력하고, 상기 외부 선택 핀값이 [10]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -1배인 -2.8V를 출력하는 것을 나타낸다.10, the simulation result of the
본 발명의 실시예는 도면들을 참조하여 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술 사상과 범위는 상기 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며, 특허 청구 범위에 의해서 정해지는 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형들이 가능하다는 것은 당업자에 자명할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the spirit and scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and various modifications may be made within the scope of the present invention as defined by the claims. It will be apparent to those skilled in the art that it is possible.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 외부의 DC-DC 변환기를 사용하지 않고, 내부의 드라이버 집적 회로에 집적하여 설계함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 비용을 절감하는 효과가 있다.As described in detail above, the step-up circuit and method thereof according to the present invention are designed by integrating the internal driver integrated circuit without using an external DC-DC converter, thereby reducing the size of the entire system and reducing the cost. There is a saving effect.
또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 다수개의 전압 충전부들과 브리지 트랜지스터부들을 직렬로 서로 번갈아가며 연결되게 구성함으로써, 사용자의 요구에 따라 전압 충전부와 브리지 트랜지스터부의 회로를 추가하거나 제거하여 전체 시스템을 효율적으로 이용할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention, by configuring the plurality of voltage charging section and the bridge transistor section alternately connected in series, to add or remove the circuit of the voltage charging section and the bridge transistor section according to the user's request Therefore, there is an effect that can utilize the entire system efficiently.
또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 입력 기준 전압의 1배, 2배, 3배로 선택적으로 발생시킴으로써, 외부 선택 핀값에 따라 사용자가 원하는 출력 전압을 사용할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention, by selectively generating a negative high voltage of 1, 2, 3 times the input reference voltage, the user can use the desired output voltage according to the external selection pin value There is.
또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 입력 기준 전압의 1배수만큼 적층하게 구성함으로써, 사용자의 요구에 따라 음의 고전압을 사용자가 원하는 배수로 출력할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention is configured to stack the negative high voltage by a multiple of the input reference voltage, there is an effect that the user can output the negative high voltage in a desired multiple according to the user's request .
Claims (29)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060035131A KR20070103255A (en) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Step up circuit and method for generating negative high voltage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060035131A KR20070103255A (en) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Step up circuit and method for generating negative high voltage |
Publications (1)
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KR20070103255A true KR20070103255A (en) | 2007-10-23 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020060035131A KR20070103255A (en) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | Step up circuit and method for generating negative high voltage |
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CN110068970A (en) * | 2019-04-18 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft array substrate and display panel |
-
2006
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