KR20070103255A - Step up circuit and method for generating negative high voltage - Google Patents

Step up circuit and method for generating negative high voltage Download PDF

Info

Publication number
KR20070103255A
KR20070103255A KR1020060035131A KR20060035131A KR20070103255A KR 20070103255 A KR20070103255 A KR 20070103255A KR 1020060035131 A KR1020060035131 A KR 1020060035131A KR 20060035131 A KR20060035131 A KR 20060035131A KR 20070103255 A KR20070103255 A KR 20070103255A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
transistor
charging
capacitor
source
Prior art date
Application number
KR1020060035131A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정진원
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060035131A priority Critical patent/KR20070103255A/en
Publication of KR20070103255A publication Critical patent/KR20070103255A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021Power management, e.g. power saving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

A step up circuit and a method for generating a negative high voltage are provided to reduce a size of an overall system by integrating a DC/DC(Direct Current) converter in an internal drive IC(Integrated Circuit) without using an external DC/DC converter. A step up circuit includes voltage charging units(110,120,130), bridge transistors(210,220), a transistor switch unit(300) and first and second transistors(500,400). The voltage charging units charge input reference voltages. The bridge transistors store the input reference voltages charged in the voltage charging units. The transistor switch unit selects the input reference voltages according to external selection pin values. The first transistor, which is connected to the transistor switch unit, is switched according to the external selection pin values. The second transistor, which is parallel-connected to the first transistor, controls to output a negative high voltage according to a clock phase.

Description

음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 회로 및 그 방법{STEP UP CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING NEGATIVE HIGH VOLTAGE}Step Up Circuit and Method for Generating Negative High Voltage {STEP UP CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING NEGATIVE HIGH VOLTAGE}

도1은 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치(AM-OLED : Active Matrix-Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널의 블록도 이다.1 is a block diagram of an active organic light emitting diode (AM-OLED) display panel according to the prior art.

도2는 종래 기술에 따른 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 전체 내부 블록도 이다.2 is an overall internal block diagram of a mobile display driver integrated circuit according to the prior art.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 회로의 구성을 나타낸 구성도 이다.3 is a block diagram showing the configuration of a step-up circuit for generating a negative high voltage of the display panel according to an embodiment of the present invention.

도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 나타낸 흐름도 이다.4 is a flowchart illustrating a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.5 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] according to an embodiment of the present invention.

도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.6 is a block diagram illustrating an operation of a step-up circuit having an external selection pin value set to [01] according to an embodiment of the present invention.

도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.7 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention.

도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.8 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention.

도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.9 is a waveform diagram illustrating a simulation result of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] and an input reference voltage is set to 2.8V according to an embodiment of the present invention.

도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.FIG. 10 is a waveform diagram illustrating a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

110: 제1 전압 충전부 120: 제2 전압 충전부110: first voltage charging unit 120: second voltage charging unit

130: 제3 전압 충전부 111: 제1 PMOS 트랜지스터130: third voltage charging unit 111: first PMOS transistor

112: 제1 NMOS 트랜지스터 113: 제1 커패시터112: first NMOS transistor 113: first capacitor

121: 제2 PMOS 트랜지스터 122: 제2 NMOS 트랜지스터121: second PMOS transistor 122: second NMOS transistor

123: 제2 커패시터 131: 제3 PMOS 트랜지스터123: second capacitor 131: third PMOS transistor

132: 제3 NMOS 트랜지스터 133: 제3 커패시터132: third NMOS transistor 133: third capacitor

210: 제1 브리지 트랜지스터부 220: 제2 브리지 트랜지스터부210: first bridge transistor unit 220: second bridge transistor unit

211: 제4 PMOS 트랜지스터 212: 제4 NMOS 트랜지스터211: fourth PMOS transistor 212: fourth NMOS transistor

221: 제5 PMOS 트랜지스터 222: 제5 NMOS 트랜지스터221: fifth PMOS transistor 222: fifth NMOS transistor

300: 트랜지스터 스위치부 301: 제6 NMOS 트랜지스터300: transistor switch unit 301: sixth NMOS transistor

302: 제7 NMOS 트랜지스터 303: 제8 NMOS 트랜지스터302: seventh NMOS transistor 303: eighth NMOS transistor

500: 제1 트랜지스터 400: 제2 트랜지스터500: first transistor 400: second transistor

600: 입력 기준 전압(VREF) 700: 접지(GND)600: input reference voltage (VREF) 700: ground (GND)

800: 출력 전압(VOUT) 901: 제1 접합부800: output voltage (VOUT) 901: first junction

902: 제2 접합부 903: 제3 접합부902: second junction 903: third junction

본 발명은 스텝 업 회로 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a step up circuit and a method thereof.

일반적으로, 스텝 업 회로는, 기준 입력을 각각의 단계를 거쳐 기준 입력의 일정 배수로 출력하는 회로이다.Generally, a step-up circuit is a circuit which outputs a reference input in predetermined multiples of a reference input through each step.

스텝 업 회로가 적용된 평판 디스플레이 패널은, 디스플레이 소자의 셀(Cell)들이 행(Row)과 열(Column)의 매트릭스 형태의 배열로 구성되고, 흐르는 전류나 전압차에 의해 각 셀들이 발광하는 장치이다.A flat panel display panel to which a step-up circuit is applied is a device in which cells of a display element are arranged in a matrix form of rows and columns, and each cell emits light due to a current or voltage difference flowing. .

일반적으로, 평판 디스플레이 시장에서는, 액정 디스플레이 장치(LCD : Liquid Crystal Display)와 플라즈마 디스플레이 장치(PDP : Plasma Display Panel)가 독점적인 우위를 차지하고 있다. 그러나, 최근에는 낮은 생산 비용, 자연 그대로를 담아내는 고화질의 영상 제공, 액정 디스플레이 장치와 플라즈마 디스플레이 장치에 비해 얇고 휴대가 간편한 장점을 지니고 있는 유기 발광 표시 장치(OLED)가 차세대 평판 디스플레이 소자로써 주목받고 있으며, 그 요구가 높아지고 있다.In general, in the flat panel display market, a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP) have an exclusive advantage. However, in recent years, OLEDs, which have low production costs, high-definition images containing nature, and are thin and portable compared to liquid crystal display devices and plasma display devices, have attracted attention as next-generation flat panel display devices. And the demand is increasing.

도1은 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치(AM-OLED) 디스플레이 패널의 블록도 이다.1 is a block diagram of an active organic light emitting display (AM-OLED) display panel according to the prior art.

도1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 능동형 유기 발광 표시 장치 디스플레이 패널은, 유리 기판(10)과; 상기 유리 기판(10) 위에 위치한 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)과; 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)의 행에서의 영상 신호를 제어하기 위한 스캔 라인 드라이버(30)와; 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)의 열에서의 영상 신호를 제어하기 위한 데이터 라인 드라이버(40)로 구성된다.As shown in FIG. 1, an active organic light emitting diode display panel according to the prior art includes a glass substrate 10; An organic light emitting display pixel area 20 positioned on the glass substrate 10; A scan line driver (30) for controlling an image signal in a row of the organic light emitting display pixel region (20); The data line driver 40 is configured to control an image signal in a column of the pixel area 20 of the organic light emitting diode display.

상기 스캔 라인 드라이버(30)는, 상기 스캔 라인 드라이버(30)를 구동할 수 있도록 게이트 드라이버 블록을 포함한다.The scan line driver 30 includes a gate driver block to drive the scan line driver 30.

상기 데이터 라인 드라이버(40)는, 상기 데이터 라인 드라이버(40)를 구동할 수 있도록 소스 드라이버 블록을 포함한다.The data line driver 40 includes a source driver block to drive the data line driver 40.

도2는 종래 기술에 따른 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 전체 내부 블록도 이다.2 is an overall internal block diagram of a mobile display driver integrated circuit according to the prior art.

도2에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 상기 유기 발광 표시 장치 픽셀 영역(20)을 구동하기 위한 이동용 디스플레이 드라이버 집적 회로의 내부 구조는, 제어 신호의 저장과 제어를 위한 메모리 및 제어기 블록(101)과; 상기 스캔 라인 드라이버(30)를 구동하기 위한 상기 게이트 드라이버 블록(102)과; 상기 데이터 라인 드라이버(40)를 구동하기 위한 상기 소스 드라이버 블록(103)과; 감마(Gamma)를 제어하기 위한 감마 블록(104)과; 시스템 주파수를 공급하기 위한 오실레이터 블록(105)과; 안정적인 내부 전압을 공급하기 위한 전압 레귤레이터 블록(106)과; 상기 게이트 드라이버 블록(102)에 전력을 공급하기 위한 스텝 업 회로 1 블록(107) 과; 상기 소스 드라이버 블록(103)에 전력을 공급하기 위한 스텝 업 회로 2 블록(108)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, an internal structure of a mobile display driver integrated circuit for driving the organic light emitting diode display pixel area 20 according to the related art includes a memory and a controller block 101 for storing and controlling a control signal. )and; The gate driver block (102) for driving the scan line driver (30); The source driver block (103) for driving the data line driver (40); A gamma block 104 for controlling Gamma; An oscillator block 105 for supplying a system frequency; A voltage regulator block 106 for supplying a stable internal voltage; A step-up circuit one block (107) for supplying power to the gate driver block (102); And a step up circuit 2 block 108 for supplying power to the source driver block 103.

상기 메모리 및 제어기 블록(101)은, 디지털 블록에 해당된다.The memory and controller block 101 corresponds to a digital block.

또한, 상기 게이트 드라이버 블록(102), 상기 소스 드라이버 블록(103), 상기 감마 블록(104), 상기 오실레이터 블록(105), 상기 전압 레귤레이터 블록(106), 상기 스텝 업 회로 1 블록(107), 상기 스텝 업 회로 2 블록(108)은, 아날로그 블록에 해당된다.The gate driver block 102, the source driver block 103, the gamma block 104, the oscillator block 105, the voltage regulator block 106, the step-up circuit 1 block 107, The step-up circuit 2 block 108 corresponds to an analog block.

일반적으로, 상기 능동형 유기 발광 표시 장치 디스플레이 패널은, 이동용으로 많이 사용된다.In general, the active organic light emitting diode display panel is widely used for movement.

또한, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널이 구동될 수 있도록 고전압 배터리를 필요로 한다.In addition, the panel of the mobile display element requires a high voltage battery so that the panel of the mobile display element can be driven.

따라서, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널은, DC-DC 변환기를 사용한다.Therefore, the panel of the said mobile display element uses a DC-DC converter.

상기 DC-DC 변환기의 사용은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널에 상기 DC-DC 변환기를 추가함에 따라 생산 단가가 늘어나게 되는 문제가 발생할 수 있다.The use of the DC-DC converter may cause a problem that the production cost increases as the DC-DC converter is added to the panel of the mobile display device.

또한, 상기 DC-DC 변환기의 사용은, 상기 이동용 디스플레이 소자의 패널에 상기 DC-DC 변환기를 추가함에 따라 패널의 크기가 커지는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the use of the DC-DC converter may cause a problem that the size of the panel increases as the DC-DC converter is added to the panel of the mobile display device.

따라서, 본 발명의 목적은, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 평판 디스플레이 패널의 능력을 향상시킬 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a step-up circuit and a method for improving the capability of a flat panel display panel, which are created to solve the above-described conventional problems.

본 발명의 다른 목적은, 음의 고전압을 드라이버 내부 직접 회로에서 생성할 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a step-up circuit and a method for generating a negative high voltage in a driver internal integrated circuit.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로는, 입력 기준 전압을 충전하는 전압 충전부와; 상기 전압 충전부에서 충전된 상기 입력 기준 전압을 축적하는 브리지 트랜지스터부와; 상기 브리지 트랜지스터부에서 축적된 상기 입력 기준 전압들을 외부 선택 핀값에 따라 선택하는 트랜지스터 스위치부와; 상기 트랜지스터 스위치부에 연결되고, 상기 외부 선택 핀값에 따라 셧다운을 제어하는 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터와 병렬로 연결되고, 클록 위상에 따라 음의 고전압 출력을 제어하는 제2 트랜지스터로 구성된다.According to an aspect of the present invention, a step-up circuit includes: a voltage charger configured to charge an input reference voltage; A bridge transistor unit which accumulates the input reference voltage charged by the voltage charger unit; A transistor switch unit configured to select the input reference voltages accumulated in the bridge transistor unit according to an external selection pin value; A first transistor coupled to the transistor switch and configured to control shutdown according to the external selection pin value; A second transistor is connected in parallel with the first transistor and controls a negative high voltage output according to a clock phase.

또한, 상기 전압 충전부는, 상기 입력 기준 전압이 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터와; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스와 커패시터의 양극이 연결된 제1 커패시터와; 상기 제1 커패시터의 음극과 NMOS 트랜지스터의 소스가 연결되고, 상기 NMOS 트랜지스터의 드레인과 접지(GND : Gound)가 연결된 제1 NMOS 트랜지스터로 구성된다.The voltage charging unit may include: a first PMOS transistor having the input reference voltage connected to a drain of the PMOS transistor; A first capacitor connected to a source of the first PMOS transistor and an anode of the capacitor; A cathode of the first capacitor and a source of the NMOS transistor are connected to each other, and a drain of the NMOS transistor and a ground (GND: Gound) are connected to each other.

또한, 상기 제1 PMOS 트랜지스터와 상기 제1 커패시터와 상기 제1 NMOS 트랜지스터는, 상기 입력 기준 전압과 상기 접지 사이에서 서로 직렬로 연결되어 구성된다.The first PMOS transistor, the first capacitor, and the first NMOS transistor are configured in series with each other between the input reference voltage and the ground.

또한, 상기 브리지 트랜지스터부는, 제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터가 병렬로 연결되어 구성된다.The bridge transistor unit may include a second PMOS transistor and a second NMOS transistor connected in parallel.

또한, 상기 트랜지스터 스위치부는, 다수개의 NMOS 트랜지스터들이 서로 병렬로 연결되어 구성된다.In addition, the transistor switch unit includes a plurality of NMOS transistors connected in parallel with each other.

또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 접지와 상기 트랜지스터 스위치부의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 소스와 상기 제2 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압을 구성한다.In addition, the first transistor may be connected to the ground of the first transistor and the drain of the transistor switch unit and the drain of the first NMOS transistor in parallel with each other and connected to the drain of the first transistor, and the source of the first transistor and the second transistor. The sources of the transistors are connected in parallel to form the output voltage.

또한, 상기 제2 트랜지스터는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제1 커패시터의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 소스와 상기 제1 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압을 구성한다.In addition, the second transistor, the source of the first NMOS transistor and the cathode of the first capacitor is connected in parallel to the drain of the second transistor, the source of the second transistor and the source of the first transistor Are connected in parallel to form the output voltage.

또한, 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터는, PMOS, NMOS, 다이오드와 같은 스위치 소자로 구성될 수 있다.In addition, the first transistor and the second transistor may be composed of a switch element such as a PMOS, an NMOS, or a diode.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로의 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부는, 사용자가 원하는 출력 전압에 따라 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부와 동일한 기능을 하는 다수개의 상기 전압 충전부들과 다수개의 상기 브리지 트랜지스터부들이 서로 번갈아가며 직렬로 연결될 수 있다.The voltage charging section and the bridge transistor section of the step-up circuit according to the present invention for achieving the above objects, the plurality of voltage charging section and the same function as the voltage charging section and the bridge transistor section according to the output voltage desired by the user; A plurality of the bridge transistor units may be connected in series with each other alternately.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 회로의 다수개가 직렬로 연결된 상기 전압 충전부들과 상기 브리지 트랜지스터부들은, 상기 사용자가 원하는 출력 전압에 따라 상기 사용자가 원하는 출력 전압을 출력할 수 있도록 상기 트랜지스터 스위치부와 연결되어 구성된다.The voltage charging parts and the bridge transistor parts connected in series with a plurality of step-up circuits according to the present invention for achieving the above objects may be configured to output an output voltage desired by the user according to an output voltage desired by the user. It is configured in connection with the transistor switch unit.

상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다.A step up method according to the present invention for achieving the above objects comprises: a voltage charging step of charging a voltage according to a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage.

또한, 상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 단계와; 상기 클록 위상을 검사하여 상기 출력 전압을 제어하는 단계로 이루어진다.In addition, the voltage charging step may include: charging the voltage by the input reference voltage when the clock phase is 1; Checking the clock phase to control the output voltage.

또한, 상기 전압을 충전하는 단계는, 상기 전압 충전부를 구성하는 상기 커패시터에 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 단계이다.The charging of the voltage may include charging the capacitor by the input reference voltage to the capacitor constituting the voltage charger.

또한, 상기 전압을 충전하는 단계는, 동일한 기능을 하는 다수개의 상기 전압 충전부들이 서로 연결되어 구성된다.The charging of the voltage may include a plurality of voltage charging units having the same function connected to each other.

따라서, 상기 클록 위상이 1일 때, 다수개의 상기 전압 충전부들은, 각각 상기 입력 기준 전압만큼 전압이 충전된다.Therefore, when the clock phase is 1, the plurality of voltage chargers are each charged with the input reference voltage.

또한, 상기 출력 전압을 제어하는 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 제9 NMOS 트랜지스터를 오프(Off)시키고, 상기 출력 전압을 상기 접지와 절연된 플로팅 상태(Floating State)로 유지하는 단계이다.The controlling of the output voltage may include turning off the ninth NMOS transistor when the clock phase is 1, and maintaining the output voltage in a floating state insulated from the ground. to be.

또한, 상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 전압 충전 단계에서 각각의 상기 전압 충전부들에 충전된 전압들을 축적하는 단계와; 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계와; 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압으 로 출력하는 단계로 이루어진다.The voltage accumulating step may further include: accumulating voltages charged in the respective voltage charging parts in the voltage charging step when the clock phase is 2; Selecting one of the accumulated voltages according to the accumulated voltages; And outputting the selected accumulated voltage to the output voltage according to the external selection pin value.

또한, 상기 충전된 전압들을 축적하는 단계는, 각각의 상기 전압 충전부들에서 상기 입력 기준 전압만큼 충전된 전압들을 직렬로 연결하여 각각의 상기 전압 충전부들에서 충전된 상기 입력 기준 전압들을 축적하는 단계이다.The accumulating of the charged voltages may include accumulating the input reference voltages charged in each of the voltage chargers by connecting voltages charged by the input reference voltage in series with each of the voltage chargers. .

또한, 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계는, 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계이다.The selecting one of the accumulated voltages may include selecting one of the accumulated voltages according to the external selection pin value.

또한, 상기 출력 전압으로 출력하는 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 외부 선택 핀값을 검사하는 단계이다.The outputting of the output voltage may include checking the external selection pin value when the clock phase is two.

또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값일 때, 오프되고, 상기 출력 전압은 상기 접지에 연결된다.In addition, the first transistor is turned off when the external selection pin value test result is a shutdown value, and the output voltage is connected to the ground.

또한, 상기 제1 트랜지스터는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값이 아닐 때, 온(On)되고, 상기 축적된 전압은 상기 출력 전압으로 출력된다.The first transistor is turned on when the external selection pin value test result is not a shutdown value, and the accumulated voltage is output to the output voltage.

이하에서는, 디스플레이 패널의 음의 고전압을 디스플레이 드라이버 내부 집적 회로에서 생성할 수 있는 스텝 업 회로 및 그 방법의 바람직한 실시예를 도3~도10을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a step-up circuit and a method for generating a negative high voltage of the display panel in the display driver internal integrated circuit will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 10.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 회로의 구성을 나타낸 구성도 이다.3 is a block diagram showing the configuration of a step-up circuit for generating a negative high voltage of the display panel according to an embodiment of the present invention.

도3에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 회로는, 입력 기준 전압(600)을 충전하는 제1 전압 충전부(110), 제2 전압 충전부(120), 제3 전압 충전부(130)와; 상기 제1, 제2, 제3 전압 충전부(110,120,130)에서 충전된 상기 입력 기준 전압(600)을 축적하는 제1 브리지 트랜지스터부(210), 제2 브리지 트랜지스터부(220)와; 상기 제1, 제2 브리지 트랜지스터부(210,220)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)들을 외부 선택 핀값에 따라 선택하기 위한 트랜지스터 스위치부(300)와; 상기 트랜지스터 스위치부(300)에 직렬로 연결되고, 상기 외부 선택 핀값에 따라 셧다운을 제어하는 제1 트랜지스터(500)와; 상기 제1 트랜지스터(500)와 병렬로 연결되고, 클록 위상에 따라 음의 고전압 출력을 제어하는 제2 트랜지스터(400)로 구성된다.As shown in FIG. 3, the step-up circuit includes: a first voltage charger 110, a second voltage charger 120, and a third voltage charger 130 for charging the input reference voltage 600; A first bridge transistor unit 210 and a second bridge transistor unit 220 accumulating the input reference voltage 600 charged by the first, second, and third voltage chargers 110, 120, and 130; A transistor switch unit 300 for selecting the input reference voltages 600 accumulated in the first and second bridge transistor units 210 and 220 according to an external selection pin value; A first transistor (500) connected in series with the transistor switch unit (300) and controlling shutdown according to the external selection pin value; The second transistor 400 is connected in parallel with the first transistor 500 and controls a negative high voltage output according to a clock phase.

상기 제1 전압 충전부(110)는, 제1 PMOS 트랜지스터(111), 제1 NMOS 트랜지스터(112), 제1 커패시터(113)로 구성된다.The first voltage charging unit 110 includes a first PMOS transistor 111, a first NMOS transistor 112, and a first capacitor 113.

상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 드레인에 연결되고, 제1 접합부(901)가 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 소스에 연결되어 구성된다.In the first PMOS transistor 111, the input reference voltage 600 is connected to the drain of the first PMOS transistor 111, and a first junction 901 is connected to a source of the first PMOS transistor 111. It is connected and configured.

상기 제1 접합부(901)는, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 소스와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 소스와 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 소스와 상기 제1 커패시터(113)의 양극이 서로 연결된 접합부이다.The first junction 901 may include a source of the first PMOS transistor 111, a source of the first bridge transistor unit 210, a source of a sixth NMOS transistor 301, and a source of the first capacitor 113. The anodes are connected to each other.

상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)는, 접지(700)가 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 커패시터(113)의 음극과 상기 제2 트랜지스터(400)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스에 연결되어 구성된다.In the first NMOS transistor 112, the ground 700 is connected to the drain of the first NMOS transistor 112, and the cathode of the first capacitor 113 and the drain of the second transistor 400 are parallel to each other. Is connected to the source of the first NMOS transistor 112 is configured.

상기 제1 커패시터(113)는, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제1 커패시터(113)의 양극에 연결되고, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스와 상기 제2 트랜지스 터(400)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제1 커패시터(113)의 음극에 연결되어 구성된다.The first capacitor 113 has the first junction 901 connected to the anode of the first capacitor 113, the source of the first NMOS transistor 112 and the second transistor 400. The drain of the first capacitor 113 is connected in parallel is configured to be connected.

상기 제2 전압 충전부(120)는, 제2 PMOS 트랜지스터(121), 제2 NMOS 트랜지스터(122), 제2 커패시터(123)로 구성된다.The second voltage charger 120 includes a second PMOS transistor 121, a second NMOS transistor 122, and a second capacitor 123.

상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 드레인에 연결되고, 제2 접합부(902)가 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 소스에 연결되어 구성된다.In the second PMOS transistor 121, the input reference voltage 600 is connected to the drain of the second PMOS transistor 121, and the second junction 902 is connected to a source of the second PMOS transistor 121. It is connected and configured.

상기 제2 접합부(902)는, 상기 제2 PMOS 트랜지스터(121)의 소스와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 소스와 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 양극이 서로 연결된 접합부이다.The second junction 902 may include a source of the second PMOS transistor 121, a source of the second bridge transistor 220, a source of a seventh NMOS transistor 302, and a second capacitor 123. The anodes are connected to each other.

상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)는, 상기 접지(700)가 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 커패시터(123)의 음극과 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스에 연결되어 구성된다.The second NMOS transistor 122 has the ground 700 connected to the drain of the second NMOS transistor 122, and has a cathode of the second capacitor 123 and a portion of the first bridge transistor unit 210. A drain is connected in parallel and is connected to the source of the second NMOS transistor 122.

상기 제2 커패시터(123)는, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제2 커패시터(123)의 양극에 연결되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제2 커패시터(123)의 음극에 연결되어 구성된다.The second capacitor 123 has the second junction 902 connected to the anode of the second capacitor 123, the source of the second NMOS transistor 122, and the first bridge transistor unit 210. A drain of the second capacitor 123 is connected in parallel and is configured to be connected to the cathode of the second capacitor 123.

상기 제3 전압 충전부(130)는, 제3 PMOS 트랜지스터(131), 제3 NMOS 트랜지스터(132), 제3 커패시터(133)로 구성된다.The third voltage charger 130 includes a third PMOS transistor 131, a third NMOS transistor 132, and a third capacitor 133.

상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)는, 상기 입력 기준 전압(600)이 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 커패시터(133)의 양극과 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스에 연결되어 구성된다.The third PMOS transistor 131 has the input reference voltage 600 connected to the drain of the third PMOS transistor 131, and has an anode of the third capacitor 133 and an eighth NMOS transistor 303 of the third PMOS transistor 131. A source is connected in parallel and is connected to the source of the third PMOS transistor 131.

상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)는, 상기 접지(700)가 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 커패시터(133)의 음극과 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스에 연결되어 구성된다.In the third NMOS transistor 132, the ground 700 is connected to the drain of the third NMOS transistor 132, and the cathode of the third capacitor 133 and the second bridge transistor unit 220 are connected to each other. A drain is connected in parallel and is connected to the source of the third NMOS transistor 132.

상기 제3 커패시터(133)는, 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 제3 커패시터(133)의 양극에 연결되고, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 드레인이 병렬로 연결되어 상기 제3 커패시터(133)의 음극에 연결되어 구성된다.The third capacitor 133 is connected to a source of the third PMOS transistor 131 and a source of the eighth NMOS transistor 303 in parallel to be connected to an anode of the third capacitor 133. A source of the 3 NMOS transistor 132 and a drain of the second bridge transistor unit 220 are connected in parallel to each other and connected to a cathode of the third capacitor 133.

상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)는, 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 제4 NMOS 트랜지스터(212)로 구성된다.The first bridge transistor unit 210 includes a fourth PMOS transistor 211 and a fourth NMOS transistor 212.

상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)는, 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)와 병렬로 연결된다.The fourth PMOS transistor 211 is connected in parallel with the fourth NMOS transistor 212.

또한, 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)는, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제4 PMOS 트랜지스 터(211)의 소스에 연결된다.In addition, the fourth PMOS transistor 211 is connected to the source of the second NMOS transistor 122 and the cathode of the second capacitor 123 in parallel to be connected to the drain of the fourth PMOS transistor 211. The first junction 901 is connected to the source of the fourth PMOS transistor 211.

또한, 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)는, 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 소스와 상기 제2 커패시터(123)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)의 소스에 연결된다.In addition, the fourth NMOS transistor 212 is connected to the source of the second NMOS transistor 122 and the cathode of the second capacitor 123 in parallel to be connected to the drain of the fourth NMOS transistor 212. The first junction 901 is connected to the source of the fourth NMOS transistor 212.

상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)는, 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 제5 NMOS 트랜지스터(222)로 구성된다.The second bridge transistor unit 220 includes a fifth PMOS transistor 221 and a fifth NMOS transistor 222.

상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)는, 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)와 병렬로 연결된다.The fifth PMOS transistor 221 is connected in parallel with the fifth NMOS transistor 222.

또한, 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)는, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)의 소스에 연결된다.In addition, the fifth PMOS transistor 221 is connected to the source of the third NMOS transistor 132 and the cathode of the third capacitor 133 in parallel to be connected to the drain of the fifth PMOS transistor 221. The second junction 902 is connected to the source of the fifth PMOS transistor 221.

또한, 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)는, 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)의 소스에 연결된다.In addition, the fifth NMOS transistor 222 is connected to the source of the third NMOS transistor 132 and the cathode of the third capacitor 133 in parallel to be connected to the drain of the fifth NMOS transistor 222. The second junction 902 is connected to the source of the fifth NMOS transistor 222.

상기 트랜지스터 스위치부(300)는, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301), 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302), 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)로 구성된다.The transistor switch unit 300 includes the sixth NMOS transistor 301, the seventh NMOS transistor 302, and the eighth NMOS transistor 303.

또한, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)는, 제3 저합부(903)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 접합부(901)가 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, the sixth NMOS transistor 301 may include a third coupling part 903, a drain of the seventh NMOS transistor 302, and a drain of the eighth NMOS transistor 303 in parallel with each other. It is connected to the drain of the NMOS transistor 301, the first junction 901 is connected to the source of the sixth NMOS transistor 301 is configured.

또한, 상기 제3 접합부(903)는, 상기 접지(700)와 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인과 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 드레인이 서로 연결된 접합부이다.The third junction 903 may include a drain of the ground 700, the first transistor 500, a drain of the first NMOS transistor 112, a drain of the second NMOS transistor 122, and A drain of the third NMOS transistor 132 and a drain of the transistor switch 300 are connected to each other.

또한, 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는, 상기 제3 접합부(903)와 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 접합부(902)가 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, in the seventh NMOS transistor 302, the drain of the third junction 903, the sixth NMOS transistor 301, and the drain of the eighth NMOS transistor 303 are connected in parallel with each other to form the seventh NMOS transistor 302. The second junction 902 is connected to the source of the seventh NMOS transistor 302 and connected to the drain of the NMOS transistor 302.

또한, 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는, 상기 제3 접합부(903)와 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)의 소스와 상기 제3 커패시터(133)의 양극이 병렬로 연결되어 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 소스에 연결되어 구성된다.In addition, the eighth NMOS transistor 303 has the drain of the third junction 903, the sixth NMOS transistor 301, and the drain of the seventh NMOS transistor 302 connected in parallel to each other. It is connected to the drain of the NMOS transistor 303, the source of the third PMOS transistor 131 and the anode of the third capacitor 133 is connected in parallel to the source of the eighth NMOS transistor 303 is configured do.

상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(113)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(114)의 드레인과 상기 접지(700)가 서로 병렬로 연결되어 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터(500)의 소스와 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압(800)을 구성한다.The first transistor 500 includes the drain of the transistor switch unit 300, the drain of the first NMOS transistor 112, the drain of the second NMOS transistor 113, and the third NMOS transistor 114. A drain and the ground 700 are connected in parallel to each other and connected to a drain of the first transistor 500, and a source of the first transistor 500 and a source of the second transistor 400 are connected in parallel. Configure output voltage 800.

상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 소스와 상기 제1 커패시터(113)의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제2 트랜지스터(400)의 드레인에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스와 상기 제1 트랜지스터(500)의 소스가 병렬로 연결되어 상기 출력 전압(800)을 구성한다.In the second transistor 400, a source of the first NMOS transistor 112 and a cathode of the first capacitor 113 are connected in parallel to each other, and the second transistor 400 is connected to a drain of the second transistor 400. The source of the transistor 400 and the source of the first transistor 500 are connected in parallel to form the output voltage 800.

또한, 상기 제1 트랜지스터(500)와 제2 트랜지스터(400)는, PMOS, NMOS, 다이오드와 같은 스위치 소자로 구성될 수 있다.In addition, the first transistor 500 and the second transistor 400 may be composed of a switch element such as a PMOS, an NMOS, a diode.

상기 입력 기준 전압(600)은, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)의 드레인과 상기 제2 PMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제3 PMOS 트랜지스터(113)의 드레인에 연결되어 구성된다.The input reference voltage 600 is connected to the drain of the first PMOS transistor 111, the drain of the second PMOS transistor 112, and the drain of the third PMOS transistor 113.

상기 접지(700)는, 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)의 드레인과 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)의 드레인과 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)의 드레인과 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)의 드레인과 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)의 드레인과 상기 제1 트랜지스터(500)의 드레인에 연결되어 구성된다.The ground 700 may include a drain of the first NMOS transistor 112, a drain of the second NMOS transistor 122, a drain of the third NMOS transistor 132, and a drain of the sixth NMOS transistor 301. And a drain of the seventh NMOS transistor 302, a drain of the eighth NMOS transistor 303, and a drain of the first transistor 500.

상기 출력 전압(800)은, 상기 제10 NMOS 트랜지스터(500)의 소스와 상기 제2 트랜지스터(400)의 소스가 병렬로 연결되어 구성된다.The output voltage 800 is configured by the source of the tenth NMOS transistor 500 and the source of the second transistor 400 connected in parallel.

상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)와 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)와 상기 제2 브리지 트랜지스터 부(220)는, 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)에 따라 상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)와 동일한 기능을 하는 다수개의 전압 충전부들과, 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)와 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)와 동일한 기능을 하는 다수개의 브리지 트랜지스터부들이 서로 번갈아가며 직렬로 연결될 수 있다.The first voltage charger 110, the second voltage charger 120, the third voltage charger 130, the first bridge transistor 210, and the second bridge transistor 220 are provided by a user. A plurality of voltage chargers having the same function as the first voltage charger 110, the second voltage charger 120, and the third voltage charger 130 according to the desired output voltage 800, and the first voltage charger A plurality of bridge transistor units having the same function as the bridge transistor unit 210 and the second bridge transistor unit 220 may be connected in series with each other.

또한, 다수개가 직렬로 연결된 상기 전압 충전부들과 상기 브리지 트랜지스터부들은, 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)에 따라 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있도록 상기 트랜지스터 스위치부(300)와 연결되어 구성된다.In addition, the plurality of voltage charging units and the bridge transistor units connected in series may be configured to output the output voltage 800 desired by the user according to the output voltage 800 desired by the user. It is configured in connection with.

상기 스텝 업 회로는, 음의 고전압 생성을 위한 회로를 외부의 DC-DC 변환기를 사용하지 않고, 내부의 드라이버 집적 회로에 설계함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 비용을 절감시킨다.The step-up circuit reduces the size and overall cost of the entire system by designing a circuit for generating a negative high voltage to an internal driver integrated circuit without using an external DC-DC converter.

스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다.The step up method includes a voltage charging step of charging a voltage in accordance with a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage.

상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하는 단계와; 상기 클록 위상을 검사하여 상기 출력 전압(800)을 제어하는 단계로 이루어진다.The voltage charging step includes charging the voltage by the input reference voltage (600) when the clock phase is 1; Checking the clock phase to control the output voltage 800.

상기 전압을 충전하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 설정될 때, 상기 제1 PMOS 트랜지스터(111)와 상기 제1 NMOS 트랜지스터(112)와 상기 제2 PMOS 트랜 지스터(121)와 상기 제2 NMOS 트랜지스터(122)와 상기 제3 PMOS 트랜지스터(131)와 상기 제3 NMOS 트랜지스터(132)를 온시킨다.In the charging of the voltage, when the external selection pin value is set, the first PMOS transistor 111, the first NMOS transistor 112, the second PMOS transistor 121, and the second NMOS transistor. An operation 122, the third PMOS transistor 131, and the third NMOS transistor 132 are turned on.

이후, 상기 전압을 충전하는 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하게 된다.Subsequently, in the charging of the voltage, the first capacitor 113 of the first voltage charger 110 and the second capacitor 123 and the third voltage charger of the second voltage charger 120 ( The third capacitor 133 of 130 is charged with a voltage by the input reference voltage 600, respectively.

또한, 상기 클록 위상이 1인 상기 출력 전압(800)을 제어하는 단계에서는, 상기 제2 트랜지스터(400)를 오프시키고, 상기 출력 전압(800)을 플로팅 상태로 유지시킨다.In the controlling of the output voltage 800 having the clock phase of 1, the second transistor 400 is turned off and the output voltage 800 is maintained in a floating state.

상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 전압 충전 단계에서 각각의 상기 전압 충전부(110,120,130)들에 충전된 전압들을 축적하는 단계와; 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계와; 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압(800)으로 출력하는 단계로 이루어진다.The voltage accumulating step may include accumulating voltages charged in the voltage charging units 110, 120, and 130 in the voltage charging step when the clock phase is 2; Selecting one of the accumulated voltages according to the accumulated voltages; And outputting the selected accumulated voltage to the output voltage 800 according to the external selection pin value.

상기 충전된 전압들을 축적하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 설정될 때, 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222), 상기 트랜지스터 스위치부(300)의 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)를 상기 외부 선택 핀값에 따라 각각 온이나 오프시킨 다.In the accumulating the charged voltages, when the external selection pin value is set, the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second of the first bridge transistor unit 210 are set. The fifth PMOS transistor 221 and the fifth NMOS transistor 222 of the bridge transistor unit 220, the sixth NMOS transistor 301 and the seventh NMOS transistor 302 of the transistor switch unit 300. And the eighth NMOS transistor 303 are turned on or off according to the external selection pin value, respectively.

이후, 상기 충전된 전압들을 축적하는 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)와 상기 제2 전압 충전부(120)와 상기 제3 전압 충전부(130)에서 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압이 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 축적된다.Thereafter, in the accumulating of the charged voltages, the first voltage charging unit 110, the second voltage charging unit 120, and the third voltage charging unit 130 are respectively charged by the input reference voltage 600. Voltage is accumulated one, two, and three times the input reference voltage 600.

상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계에서는, 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 축적된 전압들 중 하나를 상기 외부 선택 핀값에 따라 선택하는 단계이다.In the selecting of one of the accumulated voltages, one of voltages accumulated by one, two, and three times the input reference voltage 600 is selected according to the external selection pin value.

상기 출력 전압(800)을 출력하는 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값을 검사하는 단계이다.In the outputting of the output voltage 800, the external selection pin value is checked.

또한, 상기 클록 위상이 2인 상기 출력 전압(800)을 출력하는 단계에서는, 상기 제2 트랜지스터(400)를 온시킨다.In addition, in the outputting the output voltage 800 having the clock phase 2, the second transistor 400 is turned on.

또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 상기 접지(700)에 연결된다.In addition, the first transistor 500 is turned off when the external selection pin value test result is a shutdown value, and the output voltage 800 is connected to the ground 700.

또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값 검사 결과가 셧다운 값이 아닐 때, 온되고, 상기 축적된 전압은 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.In addition, the first transistor 500 is turned on when the external selection pin value test result is not a shutdown value, and the accumulated voltage is output to the output voltage 800.

상기 스텝 업 방법은, 음의 고전압을 상기 입력 기준 전압(600)의 1배, 2배, 3배로 선택적으로 생성시킴으로써, 상기 외부 선택 핀값에 따라 사용자가 원하는 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있다.The step-up method may selectively generate a negative high voltage at one, two, and three times the input reference voltage 600, thereby outputting the output voltage 800 desired by the user according to the external selection pin value. have.

또한, 상기 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 상기 입력 기준 전 압(600)의 1배수만큼 적층하도록 구성함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 사용자의 요구에 따라 사용자가 원하는 상기 입력 기준 전압(600)의 배수로 상기 출력 전압(800)을 출력할 수 있다.In addition, the step-up circuit and the method is configured to stack a negative high voltage by one multiple of the input reference voltage 600, thereby reducing the size of the entire system, the input reference desired by the user according to the user's request The output voltage 800 may be output in multiples of the voltage 600.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 도3 및 도4를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 음의 고전압 생성을 위한 스텝 업 방법을 나타낸 흐름도 이다.4 is a flowchart illustrating a step-up method for generating a negative high voltage of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도4에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 방법은, 클록 위상에 따라 전압을 충전하는 전압 충전 단계와; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 전압을 축적하고, 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계로 이루어진다. 상기 전압 충전 단계는, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하는 단계이다. 상기 전압 축적 단계는, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들을 축적하고, 상기 축적된 전압들을 상기 외부 선택 핀값에 따라 선택하고, 이후, 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압(800)으로 출력하는 단계이다.As shown in Fig. 4, the step-up method includes: a voltage charging step of charging a voltage in accordance with a clock phase; And a voltage accumulation step of accumulating the voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage. In the voltage charging step, when the clock phase is 1, the voltage is charged by the input reference voltage 600. The voltage accumulating step may include accumulating voltages charged by the input reference voltage 600 when the clock phase is 2, selecting the accumulated voltages according to the external selection pin value, and then selecting the selected accumulated voltage. Is output to the output voltage 800 according to the external selection pin value.

다수개의 상기 전압 충전부들(110,120,130)은, 다수개의 상기 전압 충전부들(110,120,130)에 포함된 상기 커패시터들(113,123,133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전하게 된다(S11).The plurality of voltage chargers 110, 120, and 130 may charge the capacitors 113, 123, and 133 included in the plurality of voltage chargers 110, 120, and 130 as much as the input reference voltage 600, respectively (S11).

이후, 상기 출력 전압(800)은, 충전된 전압을 출력하는지의 여부를 판단하기 위해서 클록 위상을 검사한다(S12). 이때, 상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 클록 위상 검사 결과가 1일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태가 된다(S17). 또한, 상기 제2 트랜지스터(400)는, 상기 클록 위상 검사 결과가 1이 아닐 때, 온된다.Thereafter, the output voltage 800 checks the clock phase to determine whether to output the charged voltage (S12). In this case, when the clock phase test result is 1, the second transistor 400 is turned off, and the output voltage 800 is in a floating state (S17). In addition, the second transistor 400 is turned on when the clock phase test result is not one.

상기 브리지 트랜지스터부들(210,220)은, 상기 전압 충전부들(110,120,130)의 상기 커패시터들(113,123,133)에서 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들을 직렬로 연결하여 상기 입력 기준 전압(600)의 배수로 전압들을 축적시킨다(S13).The bridge transistor parts 210 and 220 may be connected in series to voltages charged by the input reference voltage 600 in the capacitors 113, 123, and 133 of the voltage charging parts 110, 120, and 130, respectively, to be multiples of the input reference voltage 600. The voltages are accumulated (S13).

상기 트랜지스터 스위치부(300)는, 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하게 된다(S14).The transistor switch unit 300 selects one of the accumulated voltages according to the external selection pin value (S14).

이후, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드인지를 검사한다(S15). 이때, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드일 때, 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 상기 접지에 연결된다(S18). 또한, 상기 제1 트랜지스터(500)는, 상기 외부 선택 핀값이 셧다운 모드가 아닐 때, 온되고, 상기 선택된 축적된 전압은 상기 출력 전압(800)으로 출력된다(S16).Thereafter, the first transistor 500 checks whether the external selection pin value is in the shutdown mode (S15). In this case, when the external selection pin value is in the shutdown mode, the first transistor 500 is turned off, and the output voltage 800 is connected to the ground (S18). In addition, the first transistor 500 is turned on when the external selection pin value is not in the shutdown mode, and the selected accumulated voltage is output to the output voltage 800 (S16).

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도5를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit having the external selection pin value set to [00] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.5 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] according to an embodiment of the present invention.

도5에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상 이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 5, the step-up circuit having the external selection pin value set to [00] is the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes

상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the first capacitor 113 of the first voltage charging unit 110 and the second capacitor 123 and the third voltage charging unit 130 of the second voltage charging unit 120. Each of the third capacitors 133 charges the voltage by the input reference voltage 600.

또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the output voltage 800 maintains a floating state.

상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)가 각각 온된다.In the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [00], the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second bridge transistor unit (of the first bridge transistor unit 210). The fifth PMOS transistor 221 and the fifth NMOS transistor 222 of 220 are turned on, respectively.

따라서 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)는, 직렬로 연결된다.Accordingly, the first capacitor 113, the second capacitor 123, and the third capacitor 133 are connected in series.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들이 축적된다.In addition, in the voltage accumulation step, voltages charged by the input reference voltage 600 are accumulated in the first capacitor 113, the second capacitor 123, and the third capacitor 133, respectively.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는 오프되고, 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 온된다.In the voltage accumulation step, the sixth NMOS transistor 301 and the seventh NMOS transistor 302 are turned off, and the eighth NMOS transistor 303 is turned on because the external selection pin value is 00.

이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [00]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulation step, the first transistor 500 is turned on because the external selection pin value is the first capacitor 113, the second capacitor 123, and the third capacitor 133. ) -3 times of the input reference voltage 600 accumulated in () is output to the output voltage 800.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도6을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [01] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.6 is a block diagram illustrating an operation of a step-up circuit having an external selection pin value set to [01] according to an embodiment of the present invention.

도6에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [01]로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 6, the step-up circuit having the external selection pin value set to [01] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes

상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the first capacitor 113 of the first voltage charging unit 110 and the second capacitor 123 and the third voltage charging unit 130 of the second voltage charging unit 120. Each of the third capacitors 133 charges the voltage by the input reference voltage 600.

또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the output voltage 800 maintains a floating state.

상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212)가 각각 온되고, 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)는 각각 오프된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the fourth PMOS transistor 211 and the fourth NMOS transistor 212 of the first bridge transistor unit 210 are turned on, respectively, and the second The fifth PMOS transistor 221 and the fifth NMOS transistor 222 of the bridge transistor unit 220 are turned off, respectively.

따라서, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)는, 직렬로 연결된다.Therefore, the first capacitor 113 and the second capacitor 123 are connected in series.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압들이 축적된다.In the voltage accumulation step, voltages charged by the input reference voltage 600 are accumulated in the first capacitor 113 and the second capacitor 123, respectively.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 오프되고, 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)는 온된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the sixth NMOS transistor 301 and the eighth NMOS transistor 303 are turned off, and the seventh NMOS transistor 302 is turned on.

이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [01]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -2배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [01], the first transistor 500 is turned on, and the input reference voltage accumulated in the first capacitor 113 and the second capacitor 123 is increased. -2 times 600 is output to the output voltage 800.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도7을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.7 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [10] according to an embodiment of the present invention.

도7에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [10]으로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 7, the step-up circuit having the external select pin value set to [10] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes

상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the first capacitor 113 of the first voltage charging unit 110 and the second capacitor 123 and the third voltage charging unit 130 of the second voltage charging unit 120. Each of the third capacitors 133 charges the voltage by the input reference voltage 600.

또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the output voltage 800 maintains a floating state.

상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제1 브리지 트랜지스터부(210)의 상기 제4 PMOS 트랜지스터(211)와 상기 제4 NMOS 트랜지스터(212), 상기 제2 브리지 트랜지스터부(220)의 상기 제5 PMOS 트랜지스터(221)와 상기 제5 NMOS 트랜지스터(222)가 각각 오프된다.In the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [10], the fourth PMOS transistor 211, the fourth NMOS transistor 212, and the second bridge transistor unit () of the first bridge transistor unit 210 ( The fifth PMOS transistor 221 and the fifth NMOS transistor 222 of 220 are turned off, respectively.

따라서, 상기 제1 커패시터(113)만이, 연결된다.Thus, only the first capacitor 113 is connected.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)에 상기 입력 기준 전압(600)만큼 충전된 전압이 축적된다.In the voltage accumulating step, a voltage charged by the input reference voltage 600 is accumulated in the first capacitor 113.

또한, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제7 NMOS 트랜지스터(302)와 상기 제8 NMOS 트랜지스터(303)는 오프되고, 상기 제6 NMOS 트랜지스터(301)는 온된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [10], the seventh NMOS transistor 302 and the eighth NMOS transistor 303 are turned off, and the sixth NMOS transistor 301 is turned on.

이후, 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [10]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)가 온되고, 상기 제1 커패시터(113)에서 축적된 상기 입력 기준 전압(600)의 -1배가 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Subsequently, in the voltage accumulating step, since the external selection pin value is [10], the first transistor 500 is turned on, and −1 times the input reference voltage 600 accumulated in the first capacitor 113 is greater than or equal to the value. The output voltage 800 is output.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도8을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 나타낸 구성도 이다.8 is a configuration diagram illustrating an operation of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [11] according to an embodiment of the present invention.

도8에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값을 [11]로 설정한 상기 스텝 업 회로는, 상기 클록 위상이 1일 때 상기 전압 충전 단계가 되고, 상기 클록 위상이 2일 때 상기 전압 축적 단계가 된다.As shown in Fig. 8, the step-up circuit having the external selection pin value set to [11] becomes the voltage charging step when the clock phase is 1, and the voltage accumulation step when the clock phase is 2. Becomes

상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 전압 충전부(110)의 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 전압 충전부(120)의 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 전압 충전부(130)의 상기 제3 커패시터(133)가 각각 상기 입력 기준 전압(600)만큼 전압을 충전한다.In the voltage charging step, the first capacitor 113 of the first voltage charging unit 110 and the second capacitor 123 and the third voltage charging unit 130 of the second voltage charging unit 120. Each of the third capacitors 133 charges the voltage by the input reference voltage 600.

또한, 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 클록 위상이 1이므로 제2 트랜지스터가 오프되고, 상기 출력 전압(800)은 플로팅 상태를 유지하게 된다.In the voltage charging step, since the clock phase is 1, the second transistor is turned off, and the output voltage 800 maintains a floating state.

상기 전압 축적 단계에서는, 상기 외부 선택 핀값이 [11]이므로 상기 제1 트랜지스터(500)는 셧다운 상태가 된다.In the voltage accumulation step, since the external selection pin value is [11], the first transistor 500 is in a shutdown state.

따라서, 모든 전류 패스가 끊어져서 상기 출력 전압(600)은 상기 접지(700) 값을 유지하게 된다.Thus, all current paths are broken such that the output voltage 600 maintains the ground 700 value.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 동작을 도9를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation of the step-up circuit in which the external selection pin value is set to [00] and the input reference voltage is set to 2.8 V according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00]으로 설정하고, 입력 기준 전압을 2.8V로 설정한 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.9 is a waveform diagram illustrating a simulation result of a step-up circuit in which an external selection pin value is set to [00] and an input reference voltage is set to 2.8V according to an embodiment of the present invention.

도9에 도시한 바와 같이, 상기 스텝 업 회로의 시뮬레이션 결과는, 상기 클록 위상이 1인 상기 전압 충전 단계와 상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계로 구성된다.As shown in Fig. 9, the simulation result of the step-up circuit is composed of the voltage charging step in which the clock phase is 1 and the voltage accumulation step in which the clock phase is 2.

상기 클록 위상이 1인 상기 전압 충전 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)인 2.8V가 충전된다.In the voltage charging step in which the clock phase is 1, the first capacitor 113, the second capacitor 123, and the third capacitor 133 are charged with 2.8 V, which is the input reference voltage 600, respectively. .

상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계에서는, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)가 직렬로 연결되고, 상기 제1 커패시터(113)와 상기 제2 커패시터(123)와 상기 제3 커패시터(133)에 각각 상기 입력 기준 전압(600)인 2.8V씩 충전된 전압이 축적된다.In the voltage accumulation step in which the clock phase is 2, the first capacitor 113, the second capacitor 123, and the third capacitor 133 are connected in series, and the first capacitor 113 and the A voltage charged by 2.8 V, the input reference voltage 600, is accumulated in the second capacitor 123 and the third capacitor 133, respectively.

이후, 상기 클록 위상이 2인 상기 전압 축적 단계에서의 상기 출력 전압(800)은, 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배인 -8.4V가 축적되어 상기 출력 전압(800)으로 출력된다.Thereafter, the output voltage 800 in the voltage accumulation step of which the clock phase is 2 is accumulated at -8.4 V, which is -3 times the input reference voltage 600, and is output as the output voltage 800.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 도10을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 선택 핀값을 [00], [01], [10]으로 설정한 스텝 업 회로의 출력 전압의 시뮬레이션 결과를 보인 파형도 이다.FIG. 10 is a waveform diagram illustrating a simulation result of an output voltage of a step-up circuit having an external selection pin value set to [00], [01], and [10] according to an embodiment of the present invention.

도10에 도시한 바와 같이, 상기 외부 선택 핀값에 따른 상기 출력 전압(800)의 시뮬레이션 결과는, 상기 입력 기준 전압(600)이 2.8V일 때, 상기 외부 선택 핀 값이 [00]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -3배인 -8.4V를 출력하고, 상기 외부 선택 핀값이 [01]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -2배인 -5.6V를 출력하고, 상기 외부 선택 핀값이 [10]인 경우에는 상기 출력 전압(800)이 상기 입력 기준 전압(600)의 -1배인 -2.8V를 출력하는 것을 나타낸다.10, the simulation result of the output voltage 800 according to the external selection pin value, when the input reference voltage 600 is 2.8V, when the external selection pin value is [00] When the output voltage 800 outputs -8.4V, which is -3 times the input reference voltage 600, and the external selection pin value is [01], the output voltage 800 is the input reference voltage 600. -5.6V, which is -2 times of the value, and the external selection pin value of [10], indicates that the output voltage 800 outputs -2.8V, which is -1 times the input reference voltage 600.

본 발명의 실시예는 도면들을 참조하여 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술 사상과 범위는 상기 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며, 특허 청구 범위에 의해서 정해지는 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형들이 가능하다는 것은 당업자에 자명할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the spirit and scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and various modifications may be made within the scope of the present invention as defined by the claims. It will be apparent to those skilled in the art that it is possible.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 외부의 DC-DC 변환기를 사용하지 않고, 내부의 드라이버 집적 회로에 집적하여 설계함으로써, 전체 시스템의 크기를 줄이고, 비용을 절감하는 효과가 있다.As described in detail above, the step-up circuit and method thereof according to the present invention are designed by integrating the internal driver integrated circuit without using an external DC-DC converter, thereby reducing the size of the entire system and reducing the cost. There is a saving effect.

또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 다수개의 전압 충전부들과 브리지 트랜지스터부들을 직렬로 서로 번갈아가며 연결되게 구성함으로써, 사용자의 요구에 따라 전압 충전부와 브리지 트랜지스터부의 회로를 추가하거나 제거하여 전체 시스템을 효율적으로 이용할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention, by configuring the plurality of voltage charging section and the bridge transistor section alternately connected in series, to add or remove the circuit of the voltage charging section and the bridge transistor section according to the user's request Therefore, there is an effect that can utilize the entire system efficiently.

또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 입력 기준 전압의 1배, 2배, 3배로 선택적으로 발생시킴으로써, 외부 선택 핀값에 따라 사용자가 원하는 출력 전압을 사용할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention, by selectively generating a negative high voltage of 1, 2, 3 times the input reference voltage, the user can use the desired output voltage according to the external selection pin value There is.

또한, 본 발명에 따른 스텝 업 회로 및 그 방법은, 음의 고전압을 입력 기준 전압의 1배수만큼 적층하게 구성함으로써, 사용자의 요구에 따라 음의 고전압을 사용자가 원하는 배수로 출력할 수 있는 효과가 있다.In addition, the step-up circuit and the method according to the present invention is configured to stack the negative high voltage by a multiple of the input reference voltage, there is an effect that the user can output the negative high voltage in a desired multiple according to the user's request .

Claims (29)

입력 기준 전압을 충전하는 전압 충전부와;A voltage charger configured to charge an input reference voltage; 상기 전압 충전부에서 충전된 상기 입력 기준 전압을 축적하는 브리지 트랜지스터부와;A bridge transistor unit which accumulates the input reference voltage charged by the voltage charger unit; 상기 브리지 트랜지스터부에서 축적된 상기 입력 기준 전압들을 외부 선택 핀값에 따라 선택하는 트랜지스터 스위치부와;A transistor switch unit configured to select the input reference voltages accumulated in the bridge transistor unit according to an external selection pin value; 상기 트랜지스터 스위치부에 연결되고, 상기 외부 선택 핀값에 따라 셧다운을 제어하는 제1 트랜지스터와;A first transistor coupled to the transistor switch and configured to control shutdown according to the external selection pin value; 상기 제1 트랜지스터와 병렬로 연결되고, 클록 위상에 따라 음의 고전압 출력을 제어하는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a second transistor connected in parallel with the first transistor and controlling a negative high voltage output according to a clock phase. 제1항에 있어서, 상기 전압 충전부는,The method of claim 1, wherein the voltage charging unit, 제1 PMOS 트랜지스터, 제1 커패시터, 제1 NMOS 트랜지스터의 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.A step up circuit comprising a combination of a first PMOS transistor, a first capacitor, and a first NMOS transistor. 제2항에 있어서, 상기 제1 PMOS 트랜지스터는,The method of claim 2, wherein the first PMOS transistor, 상기 입력 기준 전압이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스에 상기 제1 커패시터의 양극이 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And the input reference voltage is connected to the drain of the first PMOS transistor, and an anode of the first capacitor is connected to a source of the first PMOS transistor. 제2항에 있어서, 상기 제1 커패시터는,The method of claim 2, wherein the first capacitor, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스가 상기 제1 커패시터의 양극에 연결되고, 상기 제1 커패시터의 음극이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스에 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a source of the first PMOS transistor is connected to an anode of the first capacitor and a cathode of the first capacitor is connected to a source of the first NMOS transistor. 제2항에 있어서, 상기 제1 NMOS 트랜지스터는,The method of claim 2, wherein the first NMOS transistor, 상기 제1 커패시터의 음극이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스에 연결되고, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 접지에 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a cathode of the first capacitor is connected to the source of the first NMOS transistor and a drain of the first NMOS transistor is connected to ground. 제1항에 있어서, 상기 브리지 트랜지스터부는,The method of claim 1, wherein the bridge transistor unit, 제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터가 서로 병렬로 구성된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a second PMOS transistor and a second NMOS transistor in parallel with each other. 제6항에 있어서, 상기 브리지 트랜지스터부는,The method of claim 6, wherein the bridge transistor unit, 상기 브리지 트랜지스터부의 드레인이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 구성되고, 상기 브리지 트랜지스터부의 소스가 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 소스가 서로 병렬로 연결되어 구성된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.The drain of the bridge transistor portion is configured such that the drain of the second PMOS transistor and the drain of the second NMOS transistor are connected in parallel to each other, the source of the bridge transistor portion of the source of the second PMOS transistor and the second NMOS transistor Step up circuit, characterized in that the source is configured in parallel with each other. 제6항에 있어서, 상기 브리지 트랜지스터부는,The method of claim 6, wherein the bridge transistor unit, 다수개의 상기 전압 충전부들 사이사이에 위치하고, 다수개의 상기 전압 충전부들과 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.Step-up circuit is located between the plurality of voltage charging, characterized in that connected in series with the plurality of voltage charging. 제8항에 있어서, 상기 브리지 트랜지스터부는,The method of claim 8, wherein the bridge transistor unit, 상기 브리지 트랜지스터부의 윗단에 연결된 상기 전압 충전부 내의 NMOS 트랜지스터의 소스와 커패시터의 음극이 병렬로 연결되어 상기 브리지 트랜지스터부의 드레인에 연결되고, 상기 브리지 트랜지스터부의 아랫단에 연결된 다른 상기 전압 충전부 내의 PMOS 트랜지스터의 소스와 커패시터의 양극이 병렬로 연결되어 상기 브리지 트랜지스터부의 소스에 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.A source of the NMOS transistor in the voltage charging part connected to the upper end of the bridge transistor part and a cathode of the capacitor are connected in parallel to the drain of the bridge transistor part, and to the source of the PMOS transistor in the other voltage charging part connected to the lower end of the bridge transistor part; And a positive pole of the capacitor is connected in parallel to the source of the bridge transistor unit. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터 스위치부는,The method of claim 1, wherein the transistor switch unit, 다수개의 NMOS 트랜지스터들이 서로 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.Step-up circuit, characterized in that a plurality of NMOS transistors are connected in parallel with each other. 제10항에 있어서, 상기 다수개의 NMOS 트랜지스터들은,The method of claim 10, wherein the plurality of NMOS transistors, 상기 접지가 상기 다수개의 NMOS 트랜지스터들의 드레인에 연결되고, 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부가 접합하는 접합점들이 상기 다수개의 NMOS 트랜지스터들의 소스에 각각 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And said ground is connected to the drain of said plurality of NMOS transistors, and junctions to which said voltage charging section and said bridge transistor section are connected are respectively connected to the sources of said plurality of NMOS transistors. 제1항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터는,The method of claim 1, wherein the first transistor, 상기 접지와 상기 트랜지스터 스위치부의 드레인과 상기 전압 충전부 내의 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 서로 병렬로 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 소스와 상기 제2 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 출력 전압을 구성한 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.The ground and the drain of the transistor switch unit and the drain of the first NMOS transistor in the voltage charging unit are connected in parallel to each other and connected to the drain of the first transistor, and the source of the first transistor and the source of the second transistor are Step-up circuit characterized in that the output voltage is connected in parallel. 제1항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터는,The method of claim 1, wherein the second transistor, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스와 상기 제1 커패시터의 음극이 병렬로 연결되어 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 소스와 상기 제1 트랜지스터의 소스가 병렬로 연결되어 상기 출력 전압을 구성한 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.The source of the first NMOS transistor and the cathode of the first capacitor are connected in parallel to the drain of the second transistor, and the source of the second transistor and the source of the first transistor are connected in parallel to the output voltage. Step-up circuit, characterized in that the configuration. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터는,The method of claim 12 or 13, wherein the first transistor and the second transistor, PMOS, NMOS, 다이오드와 같은 스위치 소자를 특징으로 하는 스텝 업 회로.Step-up circuit featuring switch elements such as PMOS, NMOS, diodes. 제1항에 있어서, 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부는,The method of claim 1, wherein the voltage charging unit and the bridge transistor unit, 원하는 출력 전압에 따라 상기 전압 충전부와 상기 브리지 트랜지스터부와 동일한 기능을 하는 다수개의 상기 전압 충전부들과 다수개의 상기 브리지 트랜지 스터부들이 서로 번갈아가며 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a plurality of the voltage charging units and the plurality of bridge transistor units alternately connected in series with each other according to a desired output voltage. 제15항에 있어서, 상기 다수개가 서로 번갈아가며 직렬로 연결된 상기 전압 충전부들과 상기 브리지 트랜지스터부들은,The method of claim 15, wherein the plurality of the voltage charging unit and the bridge transistor unit connected in series alternately with each other, 상기 외부 선택 핀값에 따라 상기 출력 전압을 선택할 수 있도록 트랜지스터 스위치부와 연결된 것을 특징으로 하는 스텝 업 회로.And a transistor switch unit configured to select the output voltage according to the external selection pin value. 클록 위상에 따라 입력 기준 전압을 충전하는 전압 충전 단계와;A voltage charging step of charging an input reference voltage according to a clock phase; 상기 전압 충전 단계에서 충전된 상기 입력 기준 전압을 축적하고, 상기 축적된 전압을 출력하는 전압 축적 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.And accumulating the input reference voltage charged in the voltage charging step and outputting the accumulated voltage. 제17항에 있어서, 상기 전압 충전 단계와 상기 전압 축적 단계는,The method of claim 17, wherein the voltage charging step and the voltage accumulation step, 상기 클록 위상에 따라 구성한 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Step-up method characterized in that configured according to the clock phase. 제17항에 있어서, 상기 전압 충전 단계는,The method of claim 17, wherein the voltage charging step, 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.And when the clock phase is 1, charging the voltage by the input reference voltage. 제17항에 있어서, 상기 전압 충전 단계는,The method of claim 17, wherein the voltage charging step, 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전하는 단계와;Charging a voltage by the input reference voltage; 상기 클록 위상을 검사하여 상기 출력 전압을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Checking the clock phase to control the output voltage. 제20항에 있어서, 상기 전압을 충전하는 단계는,The method of claim 20, wherein charging the voltage comprises: 하나의 커패시터에 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 충전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Charging a capacitor by the input reference voltage to one capacitor. 제21항에 있어서, 상기 전압을 충전하는 단계는,The method of claim 21, wherein charging the voltage comprises: 상기 입력 기준 전압에 따라 다수개의 커패시터들을 충전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Charging a plurality of capacitors according to the input reference voltage. 제20항에 있어서, 상기 출력 전압을 제어하는 단계는,The method of claim 20, wherein controlling the output voltage comprises: 상기 클록 위상이 1일 때, 상기 출력 전압이 플로팅 상태를 유지하게 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.When the clock phase is one, causing the output voltage to remain in a floating state. 제17항에 있어서, 상기 전압 축적 단계는,The method of claim 17, wherein the voltage accumulation step, 상기 클록 위상이 2일 때, 상기 입력 기준 전압만큼 충전된 전압들을 축적하고, 상기 축적된 전압들을 외부 신호에 따라 선택하고, 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 신호에 따라 상기 출력 전압으로 출력하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.When the clock phase is 2, accumulating voltages charged by the input reference voltage, selecting the accumulated voltages according to an external signal, and outputting the selected accumulated voltage to the output voltage according to the external signal. The step up method characterized by the above-mentioned. 제17항에 있어서, 상기 전압 축적 단계는,The method of claim 17, wherein the voltage accumulation step, 상기 전압 충전 단계에서 상기 입력 기준 전압만큼 전압을 축적하는 단계와;Accumulating a voltage by the input reference voltage in the voltage charging step; 상기 축적된 전압을 외부 신호에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계와;Selecting one of the accumulated voltages according to an external signal from the accumulated voltage; 상기 선택된 축적된 전압을 상기 외부 신호에 따라 상기 출력 전압으로 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Outputting the selected accumulated voltage to the output voltage according to the external signal. 제25항에 있어서, 상기 충전된 전압들을 축적하는 단계는,The method of claim 25, wherein accumulating the charged voltages comprises: 복수의 커패시터들에서 충전된 전압들을 직렬로 연결하고 각각의 커패시터들에 전압을 축적시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Connecting the charged voltages in series in the plurality of capacitors and accumulating the voltage in the respective capacitors. 제25항에 있어서, 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계는,The method of claim 25, wherein selecting one of the accumulated voltages comprises: 상기 외부 신호에 따라 상기 축적된 전압들 중 하나를 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Selecting one of the accumulated voltages according to the external signal. 제25항에 있어서, 상기 선택된 축적된 전압을 출력하는 단계는,The method of claim 25, wherein outputting the selected accumulated voltage comprises: 상기 외부 신호가 제공하는 정보에 따라 상기 출력 전압을 접지에 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.Connecting the output voltage to ground in accordance with information provided by the external signal. 제26항에 있어서, 상기 선택된 축적된 전압을 출력하는 단계는,27. The method of claim 26, wherein outputting the selected accumulated voltage comprises: 상기 외부 신호가 제공하는 정보에 따라 상기 선택된 축적된 전압을 상기 출력 전압으로 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝 업 방법.And outputting the selected accumulated voltage as the output voltage according to the information provided by the external signal.
KR1020060035131A 2006-04-18 2006-04-18 Step up circuit and method for generating negative high voltage KR20070103255A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060035131A KR20070103255A (en) 2006-04-18 2006-04-18 Step up circuit and method for generating negative high voltage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060035131A KR20070103255A (en) 2006-04-18 2006-04-18 Step up circuit and method for generating negative high voltage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070103255A true KR20070103255A (en) 2007-10-23

Family

ID=38817786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060035131A KR20070103255A (en) 2006-04-18 2006-04-18 Step up circuit and method for generating negative high voltage

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070103255A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110068970A (en) * 2019-04-18 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft array substrate and display panel

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110068970A (en) * 2019-04-18 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft array substrate and display panel
CN110068970B (en) * 2019-04-18 2020-09-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 TFT array substrate and display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2024956B1 (en) Driver for controlling a light emitting element, in particular an organic light emitting diode
KR101944465B1 (en) Emission Driver and Organic Light Emitting Display Device Using the same
KR100321558B1 (en) Booster circuit associated with low-voltage power source
JP4719821B2 (en) Image display device and control method thereof
US20200234633A1 (en) Pixel driving circuit and operating method thereof, and display panel
CN109872686B (en) Drive circuit, display panel and manufacturing method of display panel
KR101023268B1 (en) A charge pump circuit
US7884665B2 (en) Charge pump circuit, LCD driver IC, and electronic appliance
US8665182B2 (en) Emission control driver and organic light emitting display device using the same
US9277622B2 (en) Emission control line driver
KR100661041B1 (en) Organic el pixel circuit
US9514671B2 (en) Power supply unit and organic light emitting display including the same
CN104050917A (en) Pixel circuit, organic electroluminescence display panel and display device
US10997920B2 (en) Pixel drive circuit and drive method, and display apparatus
US10755657B2 (en) Energy retrievable data driver, display, and method of driving display
CN104021754A (en) Pixel circuit, organic electroluminescence display panel and display device
KR20170101375A (en) Dc-dc converter, method of dc-dc converting using the same and display apparatus having the same
US20110175892A1 (en) Power source circuit and liquid crystal display apparatus having the same
US9414461B2 (en) DC-DC converter and organic light emitting display device including the same
KR101968342B1 (en) Power supply system for display panel
CN1996446A (en) Pixel unit and related display panel, and display and electronic device utilizing the same
KR20080052018A (en) Dc/dc converter and liquid crystal display
US11222575B2 (en) Shift register and display apparatus including the same
CN109308878B (en) Pixel circuit, driving method thereof and display device
KR20070103255A (en) Step up circuit and method for generating negative high voltage

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application