KR20070099987A - Ion implantation apparatus - Google Patents

Ion implantation apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20070099987A
KR20070099987A KR1020060031475A KR20060031475A KR20070099987A KR 20070099987 A KR20070099987 A KR 20070099987A KR 1020060031475 A KR1020060031475 A KR 1020060031475A KR 20060031475 A KR20060031475 A KR 20060031475A KR 20070099987 A KR20070099987 A KR 20070099987A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion implantation
ion
wafer
implantation device
implantation apparatus
Prior art date
Application number
KR1020060031475A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
황호섭
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060031475A priority Critical patent/KR20070099987A/en
Publication of KR20070099987A publication Critical patent/KR20070099987A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

An ion implantation apparatus is provided to reduce maintenance hours and to prevent the surface of a wafer from contaminated by installing and removing a detachable contaminant adhesion pad to the internal wall of the ion implantation apparatus. An ion implantation apparatus includes a number of guide bars and detachable contaminant adhesion pads(317a,317b). The detachable contaminant adhesion pads(317a,317b) can be installed at each side, top or bottom of inside of a chamber. The detachable contaminant adhesion pads(317a,317b) can be made as planar rectangles for effectively preventing the surface of the inside of the chamber from being exposed and contaminated by contaminants.

Description

이온 주입 장치{Ion implantation apparatus}Ion implantation apparatus

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치의 개념적인 평면도이다.1 is a conceptual plan view of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치의 공정 챔버에 대한 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a process chamber of an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명> <Explanation of symbols on main parts of the drawings>

100 : 터미널 모듈 110 : 이온 소스부 100 terminal module 110 ion source unit

120 : 질량 분석부 200 : 이온 가속부 120: mass spectrometer 200: ion accelerator

300: 공정 챔버 모듈 310 : 공정 챔버300: process chamber module 310: process chamber

315a, 315b, 315c, 315d : 가이드 바(guide bar) 315a, 315b, 315c, 315d: guide bar

317a, 317b : 오염물 흡착 패드 320 : 이온 스캐닝부317a and 317b: contaminant adsorption pad 320: ion scanning unit

330 : 웨이퍼 이송부 400 : 엔드 스테이션 모듈330: wafer transfer unit 400: end station module

410 : 웨이퍼 스테이션 420 : 웨이퍼 케리어410: wafer station 420: wafer carrier

본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하기 위한 이온 주입 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an ion implantation apparatus for manufacturing a semiconductor device.

일반적으로 이온 주입(Ion implantation)이란, 웨이퍼에 도핑시키고자 하는 불순물을 이온화하고 높은 운동 에너지를 갖도록 가속시켜 웨이퍼 표면에 강제 주입시키는 기술이다. 이러한 이온 주입을 위한 이온 주입 장치는 도핑 물질, 도핑량, 도핑 깊이 등 공정 조건에 따라 대체로 고전류 이온 주입 장치, 중전류 이온 주입 장치, 고에너지 이온 주입 장치 등으로 분류할 수 있다. In general, ion implantation is a technique in which impurities to be doped into the wafer are ionized and accelerated to have high kinetic energy to be forcibly implanted on the wafer surface. Such ion implantation apparatuses for ion implantation may be generally classified into high current ion implantation apparatuses, medium current ion implantation apparatuses, and high energy ion implantation apparatuses according to process conditions such as doping materials, doping amounts, and doping depths.

이러한 이온 주입 장치에 내에서, 도핑하고자 하는 불순물이 이온화되어 웨이퍼에 이르는 공통적인 경로를 살펴보면, 불순물이 이온화되는 이온 발생부, 원하는 이온만을 선택적으로 분류하는 질량 분석부, 선택된 이온을 가속시키는 이온 가속부를 거쳐 공정 챔버 내의 이온 스캐닝부에 장착된 웨이퍼 표면에 도달하게 된다.In such an ion implantation apparatus, when looking at a common path leading to ionization of an impurity to be doped, the ion generating unit to which impurities are ionized, a mass spectrometer to selectively classify only desired ions, and ion acceleration to accelerate selected ions The wafer reaches the wafer surface mounted in the ion scanning unit in the process chamber.

한편, 이러한 이온 경로를 따라 형성된 챔버 내부 표면에는 잔류하는 이온들이 누적되어 챔버 표면이 오염되는 현상이 발생하게 된다. 이러한 오염 물질이 반도체 제조 공정을 진행하면서 장시간 방치되는 경우 챔버 내부 표면에서 효율적으로 제거되지 아니하여 클리닝하는데 소요되는 시간이 길어지고, 또한 미세한 파티클로 변화되어 챔버 내부로 분산됨으로써 웨이퍼 표면을 오염시키는 문제가 발생한다.On the other hand, residual ions accumulate on the inner surface of the chamber formed along the ion path, resulting in contamination of the chamber surface. When such contaminants are left for a long time during the semiconductor manufacturing process, they are not efficiently removed from the interior surface of the chamber, and the time required for cleaning is long, and the particles are converted into fine particles and dispersed into the chamber to contaminate the wafer surface. Occurs.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이온 주입 장치의 챔버 내에 발생하는 오염 물질을 효율적으로 클리닝할 수 있는 이온 주입 장치를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an ion implantation apparatus capable of efficiently cleaning contaminants generated in a chamber of an ion implantation apparatus.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치는 이온 주입 장치의 일부 내벽에 장착되어 이온 주입 공정 중에 발생하는 오염물을 흡착시키는 탈착식 오염물 흡착 패드를 포함한다.According to an aspect of the present invention, an ion implantation apparatus includes a removable pollutant adsorption pad mounted on a portion of an inner wall of an ion implantation apparatus to adsorb contaminants generated during an ion implantation process.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치(100')의 개념적인 평면도이다. 1 is a conceptual plan view of an ion implantation apparatus 100 ′ according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장 치(100')는 터미널 모듈(100), 이온 가속부(200), 공정 챔버 모듈(300), 엔드 스테이션 모듈(400)을 포함한다. As shown in FIG. 1, the ion implantation apparatus 100 ′ according to an embodiment of the present invention includes a terminal module 100, an ion accelerator 200, a process chamber module 300, and an end station module 400. ).

터미널 모듈(100)은 이온 소스부(110) 및 질량 분석부(120)를 포함할 수 있다. 이온 소스부(110)는 웨이퍼에 주입할 불순물(예를 들어, n형 및/또는 p형 트랜지스터 형성을 위한 B, P, As, Sb 등의 원소)들을 이온화시킬 수 있다. 이러한 원소들은 이온 소스부(110) 내에서 플라즈마화 된 후 이온빔 형태로 방출될 수 있다. 이온빔은 경로(P)를 따라 질량 분석부(120)로 유입될 수 있다. 질량 분석부(120)는 이온 소스부(110)에서 방출된 이온빔 중에서 원하는 이온만을 선택적으로 분류할 수 있다. 이온 소스부(110)에서 방출된 이온들 중에는 질량이 다른 동위 원소 및 전하량이 다른 이온들이 발생할 수 있으며, 질량 분석부(120)에서 이러한 불필요한 이온들을 분리할 수 있다. 질량 분석부(120)은 도시된 바와 같이 이온 소스부(110)의 바로 다음 또는 이온 가속부(200)의 바로 다음(미도시)에 위치할 수 있다.The terminal module 100 may include an ion source unit 110 and a mass spectrometer 120. The ion source unit 110 may ionize impurities (for example, elements such as B, P, As, and Sb for forming n-type and / or p-type transistors) to be injected into the wafer. These elements may be emitted in the form of an ion beam after being plasmatized in the ion source unit 110. The ion beam may be introduced into the mass spectrometer 120 along the path P. The mass spectrometer 120 may selectively classify only the desired ions from the ion beam emitted from the ion source unit 110. Among the ions emitted from the ion source unit 110, isotopes with different masses and ions with different charge amounts may be generated, and such unnecessary ions may be separated from the mass analyzer 120. As illustrated, the mass spectrometer 120 may be positioned immediately after the ion source unit 110 or immediately after the ion accelerator 200 (not shown).

이온 가속부(200)는 질량 분석부(120)를 통해 선택적으로 분류된 이온빔을 가속시킬 수 있다. 질량 분석부(120)를 통해 선택적으로 분류된 이온들이 이온 가속부(200)를 거치면서 충분한 에너지를 가지고 웨이퍼 표면에 주입될 수 있다.The ion accelerator 200 may accelerate the ion beam selectively classified through the mass spectrometer 120. The ions selectively classified through the mass spectrometer 120 may be implanted into the wafer surface with sufficient energy while passing through the ion accelerator 200.

공정 챔버 모듈(300)은 공정 챔버(310), 이온 스캐닝부(320) 및 웨이퍼 이송부(330)를 포함할 수 있다. 공정 챔버(310)는 웨이퍼에 이온 주입이 이루어지는 공정이 수행될 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 또한 이온 주입 공정을 수행하기 위해 공정 챔버(310) 내부에 진공 상태를 형성할 수 있다. 이온 스캐닝부(320)는 이온 가속부(200)를 거쳐 경로(P)를 통해 도달한 이온빔이 웨이퍼 표면에 균일하게 주입되도록 할 수 있다. The process chamber module 300 may include a process chamber 310, an ion scanning unit 320, and a wafer transfer unit 330. The process chamber 310 may form a space in which a process of implanting ions into a wafer may be performed. In addition, a vacuum state may be formed in the process chamber 310 to perform an ion implantation process. The ion scanning unit 320 may uniformly inject the ion beam reached through the path P via the ion accelerator 200 to the wafer surface.

이온 스캐닝부(320)는 웨이퍼들을 고정할 수 있는 다수의 웨이퍼 홀더부(미도시), 다수의 웨이퍼 홀더부를 포함하는 디스크(미도시) 및 이러한 디스크를 구동할 수 있는 디스크 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 다수의 웨이퍼가 장착된 웨이퍼 홀더부(미도시)를 포함하는 디스크(미도시)는 이온 가속부(200)을 통해 도달한 이온빔이 균일하게 주입될 수 있도록 디스크 구동부(미도시)에 의해 적절히 배향될 수 있다. The ion scanning unit 320 may include a plurality of wafer holders (not shown) capable of fixing wafers, a disk (not shown) including a plurality of wafer holders, and a disk driver (not shown) capable of driving such disks. It may include. A disk (not shown) including a wafer holder portion (not shown) on which a plurality of wafers are mounted is properly oriented by the disk driver (not shown) so that ion beams reached through the ion accelerator 200 may be uniformly injected. Can be.

웨이퍼 이송부(330)는 이온 스캐닝부(320)의 웨이퍼 홀더부에 웨이퍼를 로딩하고 언로딩할 수 있다. 웨이퍼 이송부(330)는 예를 들면, 로봇암 형태일 수 있다. 웨이퍼 표면에 이온을 주입하기 전에 이온 스캐닝부(320)의 웨이퍼 홀더부(미도시)에 웨이퍼를 로딩하고, 웨이퍼 표면에 이온을 주입한 후에 이온 스캐닝부(320)의 웨이퍼 홀더부(미도시)로부터 웨이퍼를 언로딩할 수 있다.The wafer transfer unit 330 may load and unload a wafer into the wafer holder of the ion scanning unit 320. The wafer transfer unit 330 may be, for example, in the form of a robot arm. The wafer is loaded into the wafer holder (not shown) of the ion scanning unit 320 before implanting ions onto the wafer surface, and the wafer holder (not shown) of the ion scanning unit 320 after implanting ions into the wafer surface. The wafer can be unloaded from there.

엔드 스테이션 모듈(400)은 웨이퍼 스테이션(410) 및 웨이퍼 캐리어(420)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 스테이션(410)은 웨이퍼 캐리어(420)가 위치할 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 공정 챔버(310) 내에서 이온 주입 공정이 수행되는 동안 오염 물질들이 유입되는 것을 막기 위해 웨이퍼 스테이션(410) 내부에 진공 상태를 형성할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(420)는 다수의 웨이퍼를 탑재할 수 있다. 웨이퍼 이송부(330)에 의해 웨이퍼 캐리어(420)에 탑재된 웨이퍼들이 이온 스캐닝부(320)의 웨이퍼 홀더부(미도시)에 로딩 또는 언로딩 될 수 있다.End station module 400 may include a wafer station 410 and a wafer carrier 420. The wafer station 410 may form a space in which the wafer carrier 420 may be located. A vacuum state may be formed inside the wafer station 410 to prevent contaminants from entering during the ion implantation process in the process chamber 310. The wafer carrier 420 may mount a plurality of wafers. Wafers mounted on the wafer carrier 420 by the wafer transfer unit 330 may be loaded or unloaded into a wafer holder (not shown) of the ion scanning unit 320.

이하에서는, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치의 동작에 대해 간략히 설명한다.Hereinafter, an operation of the ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG. 1.

우선, 웨이퍼 이송부(330)는 웨이퍼 스테이션(410)에 위치하는 웨이퍼 캐리어(420)에 탑재된 웨이퍼들을 공정 챔버(310) 내 이온 스캐닝부(320)의 다수의 디스크 홀더(미도시)에 로딩한다. 이온 스캐닝부(320)의 디스크 구동부(미도시)는 공정 챔버(310)에 도달한 이온들이 균일하게 주입될 수 있도록 일정 방향으로 웨이퍼들을 배향시킨다. 한편, 이온 소스부(110)에서는 웨이퍼에 주입할 불순물을 이온화시켜 방출하며, 질량 분석부(120)는 이온 소스부(110)에서 방출된 이온들을 선택적으로 분류한다. 이온 가속부(200)는 질량 분석부(120)에서 선택적으로 분류된 이온들을 가속시킴으로써 이온들이 충분한 에너지를 가지고 공정 챔버(310)에 도달될 수 있도록 한다. 이온들이 공정 챔버(310)에 도달하면 이온 스캐닝부(320)의 디스크 홀더(미도시)에 장착된 웨이퍼에 이온이 주입이 이루어진다. 이온 주입이 완료되면 웨이퍼 이송부(330)는 이온 주입이 이루어진 웨이퍼를 디스크 홀더(미도시)에서 언로딩하고, 웨이퍼 스테이션(410)의 웨이퍼 캐리어(420)에 이온 주입이 이루어진 웨이퍼를 다시 탑재한다.First, the wafer transfer unit 330 loads the wafers mounted on the wafer carrier 420 located at the wafer station 410 into a plurality of disk holders (not shown) of the ion scanning unit 320 in the process chamber 310. . The disk driver (not shown) of the ion scanning unit 320 orients the wafers in a predetermined direction so that the ions reaching the process chamber 310 may be uniformly implanted. Meanwhile, the ion source unit 110 ionizes and releases impurities to be injected into the wafer, and the mass spectrometer 120 selectively classifies ions emitted from the ion source unit 110. The ion accelerator 200 may accelerate the ions selectively classified in the mass spectrometer 120 to allow the ions to reach the process chamber 310 with sufficient energy. When ions reach the process chamber 310, ions are implanted into a wafer mounted on a disk holder (not shown) of the ion scanning unit 320. When the ion implantation is completed, the wafer transfer unit 330 unloads the wafer on which the ion implantation has been performed from a disk holder (not shown), and mounts the wafer on which the ion implantation is performed on the wafer carrier 420 of the wafer station 410.

이와 같이 이온 주입 장치(100')를 이용하여 이온 주입 공정을 수행하는 경우 이온빔 경로(P) 및 공정 챔버(310) 내에는 이온빔의 누적으로 인한 오염물이 발생할 수 있다.As such, when the ion implantation process is performed using the ion implantation apparatus 100 ′, contaminants may be generated in the ion beam path P and the process chamber 310 due to accumulation of ion beams.

이하에서는, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 탈착식 오염물 흡착 패드를 포함하는 이온 주입 장치(100')에 대해 설명한다.Hereinafter, an ion implantation apparatus 100 ′ including a detachable contaminant adsorption pad according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 장치(100')의 공정 챔버(310) 에 대한 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of the process chamber 310 of the ion implantation apparatus 100 ′ according to an embodiment of the present invention.

공정 챔버(310)는 다수의 가이드 바(guide bar)(315a, 315b, 315c, 315d) 및 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)를 포함한다. 가이드 바(315a, 315b, 315c, 315d)는 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)가 공정 챔버의 저면 및/또는 측면에 장착 및 고정될 수 있도록 공정 챔버 저면 및/또는 측면의 양 가장 자리에 위치할 수 있다. 또한 가이드 바(315a, 315b, 315c, 315d)는 도시된 바와 같이 기억 자 빔 형태일 수 있으나, 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)가 챔버 내부에 용이하게 장착 및 고정될 수 있는 구조인 것으로 족하며, 본 발명이 상기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 탈착식 오염물 흡착 패드(317a)는 가이드 바(315a, 315b)에 의해 형성된 측면 공간(S1)으로 화살표 방향을 따라 삽입되어 장착될 수 있다. 마찬가지로, 탈착식 오염물 흡착 패드(317b)는 가이드 바(315b, 315c)에 의해 형성된 저면 공간(S2)으로 화살표 방향을 따라 삽입되어 장착될 수 있다. Process chamber 310 includes a plurality of guide bars 315a, 315b, 315c, 315d and removable contaminant adsorption pads 317a, 317b. Guide bars 315a, 315b, 315c, 315d are positioned at both edges of the process chamber bottom and / or side such that the removable contaminant adsorption pads 317a, 317b can be mounted and secured to the bottom and / or side of the process chamber. can do. In addition, the guide bars (315a, 315b, 315c, 315d) may be in the form of a memory beam as shown, but the removable contaminant adsorption pads (317a, 317b) can be easily mounted and fixed inside the chamber. The present invention is not limited to the above embodiments. The detachable contaminant adsorption pad 317a may be inserted into the side spaces S1 formed by the guide bars 315a and 315b and inserted along the arrow direction. Similarly, the detachable contaminant adsorption pad 317b may be inserted and mounted along the direction of the arrow into the bottom space S2 formed by the guide bars 315b and 315c.

탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 오염 물질이 형성되는 위치 예를 들어, 챔버 내부의 양 측면, 저면 또는 상면에 필요에 따라 복수 개로 장착될 수 있으며, 본 발명이 상기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 공정 챔버(310) 내부의 표면이 오염물에 노출되어 누적되는 것을 효율적으로 방지하기 위해 예를 들면, 직사각형의 평면 형태일 수 있다. 공정 챔버(310) 내부의 표면이 오염물에 노출되는 것을 방지하고, 오염물이 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)에 흡착될 수 있는 것으로 족하며, 본 발명이 상기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. Removable contaminant adsorption pads (317a, 317b) may be mounted in a plurality, if necessary, on both sides, bottom or top surface of the contaminant is formed, for example, the present invention is limited by the above embodiment It is not. In addition, the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may be, for example, rectangular in planar shape in order to effectively prevent the surface of the inside of the process chamber 310 from being exposed to the accumulation of contaminants. It is sufficient to prevent the surface inside the process chamber 310 from being exposed to contaminants, and the contaminants may be adsorbed on the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b, and the present invention is not limited to the above embodiments.

그리고 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 플렉서블(flexible)한 스테인레스 스틸의 재질 일 수 있다. 공정 챔버(310) 내부의 가장 자리 및/또는 측면은 경우에 따라 완만한 굴곡을 나타낼 수 있으며, 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)가 이와 같은 완만한 굴곡을 따라 안정적으로 장착될 수 있도록 플렉서블한 성질을 구비할 수 있다. 더불어 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 클리닝 공정에서 사용하는 물질 (예를 들면, 과산화 수소 등)에 손상되지 않는 스테인레스 스틸의 재질 일 수 있다. 또한 오염 물질이 파티클화 되어 분산되는 경우 웨이퍼 표면을 오염시킬 수 있으므로 오염물에 대해 흡착성이 있도록 오염물 흡착 패드(317a, 317b)의 표면을 개량할 수 있다. 예를 들면, 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 다공성인 그래파이트(graphite) 또는 고분자 수지(resin)로 코팅된 표면을 구비할 수 있다.The removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may be made of flexible stainless steel. Edges and / or sides within the process chamber 310 may exhibit gentle bends in some cases, and the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may be flexibly mounted along these smooth bends. Properties can be provided. In addition, the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may be made of stainless steel that is not damaged by materials (eg, hydrogen peroxide) used in the cleaning process. In addition, when the contaminants are particled and dispersed, the surface of the contaminants may be contaminated so that the surfaces of the contaminant adsorption pads 317a and 317b may be improved to adsorb the contaminants. For example, the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may have a surface coated with graphite or polymer resin that is porous.

이와 같이 이온 주입 장치(100')의 이온빔 경로(P)를 따라 형성된 챔버 내부의 표면에는 이온빔의 누적으로 인한 오염 물질이 발생할 수 있으나, 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)를 챔버 내부에 장착함으로써 이러한 오염 물질로부터 챔버 내부의 표면을 보호할 수 있고 파티클이 챔버 내부로 분산되어 웨이퍼 표면을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한 탈착식 오염물 흡착 패드(317a, 317b)는 가이드 바(315a, 315b, 315c, 315d)에 의해 챔버 내부에서 용이하게 제거될 수 있고, 다시 챔버 내부에 용이하게 장착될 수 있으므로 이온 주입 장치(100')의 클리닝 공정 등 이온 주입 장치(100')를 정비하는데 소요되는 시간을 경감할 수 있다.As described above, contaminants due to accumulation of ion beams may occur on the surface of the chamber formed along the ion beam path P of the ion implantation apparatus 100 ′, but by attaching the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b inside the chamber. It is possible to protect the surface inside the chamber from such contaminants and to prevent particles from dispersing into the chamber and contaminating the wafer surface. In addition, the removable contaminant adsorption pads 317a and 317b may be easily removed from the inside of the chamber by the guide bars 315a, 315b, 315c, and 315d, and may be easily mounted in the chamber. Time required to maintain the ion implantation apparatus 100 ′, such as a cleaning process, can be reduced.

본 발명의 일 실시예에서는 공정 챔버(310)의 내부에 오염물 흡착 패드(317) 를 장착하는 것을 설명하였으나. 이온빔의 경로(P)를 따라 형성되는 이온 주입 장치(100')의 내벽에도 이와 실질적으로 동일한 오염물 흡착 패드(미도시)를 장착할 수 있음은 물론이다.In the exemplary embodiment of the present invention, the contaminant adsorption pad 317 is mounted in the process chamber 310. It is a matter of course that a substantially same contaminant adsorption pad (not shown) may be mounted on the inner wall of the ion implantation apparatus 100 ′ formed along the path P of the ion beam.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같이 본 발명의 이온 주입 장치에 따르면 탈착식 오염물 흡착 패드를 이온 주입 장치의 내벽에 용이하게 장착 및 제거함으로써 이온 주입 장치의 정비 시간을 경감할 수 있고, 웨이퍼의 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the ion implantation apparatus of the present invention, by easily attaching and removing the detachable contaminant adsorption pad on the inner wall of the ion implantation apparatus, it is possible to reduce the maintenance time of the ion implantation apparatus and to prevent the surface of the wafer from being contaminated. Can be.

Claims (7)

이온빔을 발생시켜 상기 이온빔을 웨이퍼에 주입하는 공정을 수행하는 이온 주입 장치로서,An ion implantation apparatus for generating an ion beam and implanting the ion beam into a wafer, 상기 이온 주입 장치의 일부 내벽에 장착되어 상기 이온 주입 공정 중에 발생하는 오염물을 흡착시키는 탈착식 오염물 흡착 패드를 포함하는 이온 주입 장치.And a removable contaminant adsorption pad mounted on a portion of an inner wall of the ion implantation device to adsorb contaminants generated during the ion implantation process. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 탈착식 오염물 흡착 패드는 직사각형의 평면 형태인 이온 주입 장치.The removable contaminant adsorption pad is an ion implantation device of a rectangular planar shape. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 탈착식 오염물 흡착 패드는 플렉서블(flexible)한 스테인레스 스틸의 재질인 이온 주입 장치.The detachable contaminant adsorption pad is an ion implantation device made of flexible stainless steel. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 탈착식 오염물 흡착 패드는 다공성의 그래파이트(graphite) 또는 고분자 수지(resin)로 코팅된 이온 주입 장치.The detachable contaminant adsorption pad is coated with porous graphite (graphite) or polymer resin (resin) ion implantation device. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 탈착식 오염물 흡착 패드는 다수의 가이드 바(guide bar)에 의해 상기 이온 주입 장치의 일부 내벽에 장착 및 고정되는 이온 주입 장치.And the removable contaminant adsorption pad is mounted and fixed to a portion of an inner wall of the ion implantation device by a plurality of guide bars. 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 다수의 가이드 바는 상기 이온 주입 장치의 공정 챔버 내부 측면의 양 가장 자리, 상기 이온 주입 장치의 공정 챔버 내부 저면의 양 가장 자리 또는 상기 이온 주입 장치의 공정 챔버 내부 측면 및 저면의 양 가장 자리에 위치하는 이온 주입 장치.The plurality of guide bars may be provided at both edges of a process chamber inner side of the ion implantation device, at both edges of a bottom surface of the inside of the process chamber of the ion implantation device, or at both edges of the process chamber inner side and the bottom of the ion implantation device. Located ion implantation device. 제5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 다수의 가이드 바는 기억 자 빔 형태인 이온 주입 장치.The plurality of guide bars are ion implantation device in the form of a memory beam.
KR1020060031475A 2006-04-06 2006-04-06 Ion implantation apparatus KR20070099987A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060031475A KR20070099987A (en) 2006-04-06 2006-04-06 Ion implantation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060031475A KR20070099987A (en) 2006-04-06 2006-04-06 Ion implantation apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070099987A true KR20070099987A (en) 2007-10-10

Family

ID=38805149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060031475A KR20070099987A (en) 2006-04-06 2006-04-06 Ion implantation apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070099987A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034743B2 (en) 2013-07-18 2015-05-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method for implant productivity enhancement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9034743B2 (en) 2013-07-18 2015-05-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method for implant productivity enhancement
WO2015080843A1 (en) * 2013-07-18 2015-06-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method for implant productivity enhancement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5665679B2 (en) Impurity introduction layer forming apparatus and electrostatic chuck protecting method
US6992311B1 (en) In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter
KR0165851B1 (en) Support table for plate-like body and processing apparatus using it
JP5320644B2 (en) Ion implantation system, method of implanting ions, and method of removing unwanted particles from an ion beam
KR101327671B1 (en) Method for preventing adhesion of particle and method for transferring target substrate
TWI500065B (en) Method and system for reducing particle contamination during implantion of ions into workpiece
JP7004346B2 (en) Methods and equipment for injecting ions into a wafer
US20150097123A1 (en) Charged particle beam apparatus
US8398745B2 (en) Substrate processing apparatus and exhaust method therefor
KR20070099987A (en) Ion implantation apparatus
US8000080B2 (en) Particle trap
US6753652B2 (en) Ion implanter
JP2008041464A (en) Charged particle beam device
JP2005045124A (en) Stencil mask, and method and device for charged particle irradiation
US20080157007A1 (en) Active particle trapping for process control
US6734447B2 (en) Electron filter for current implanter
US9611540B2 (en) Electrostatic chuck shielding mechanism
CN113412166B (en) Method for cleaning vacuum chamber, method for vacuum processing substrate, and apparatus for vacuum processing substrate
US6630677B1 (en) Electrostatic lens having glassy graphite electrodes
KR20070054457A (en) Particle accelerator
KR100765619B1 (en) Cleaning method of ion implantation equipment for semiconductor manufacturing
JPWO2020115952A1 (en) Electrostatic chuck, vacuum processing equipment and substrate processing method
JPH06140294A (en) Vacuum processing device
Nishihashi et al. Performance of IW-630 ion implanter for 300-mm wafers
KR20070093262A (en) Ion implanter

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid