KR20070097141A - Method for forming a nano-pattern and substrate having the pattern formed by the method - Google Patents

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Abstract

A method for forming a pattern, a substrate having the pattern formed by the method, a mold having the pattern formed by the method, a method for preparing a stamp, and a stamp prepared by the method are provided to form a nano-pattern to be formed continuously on a large area and to improve the degree of freedom and precision of a pattern. A method for forming a pattern comprises the steps of forming a photosensitive resin layer on a substrate; relatively moving the substrate where a photosensitive resin layer is formed and the light source of interference light each other, thereby exposing the photosensitive resin layer selectively according to the pattern formed by the interference light; and developing the selectively exposed photosensitive resin layer to form a pattern on the photosensitive resin layer.

Description

나노 패턴 형성 방법 및 이에 의하여 형성된 패턴을 갖는 기판{METHOD FOR FORMING A NANO-PATTERN AND SUBSTRATE HAVING THE PATTERN FORMED BY THE METHOD}METHOD FOR FORMING A NANO-PATTERN AND SUBSTRATE HAVING THE PATTERN FORMED BY THE METHOD}

도 1은 광간섭을 이용한 패턴 형성 원리를 도시한 것이다. 1 illustrates a pattern formation principle using optical interference.

도 2는 광간섭을 이용한 패터닝 공정의 레이아웃을 나타낸 것이다. 2 shows a layout of a patterning process using optical interference.

도 3은 스템프의 제작 방법을 예시한 것이다. 3 illustrates a method of making a stamp.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시 상태에 따라 기판과 광원을 상대적으로 이동시키면서 패턴을 형성하는 과정을 예시한 모식도이다. 4 to 6 are schematic views illustrating a process of forming a pattern while relatively moving the substrate and the light source according to the embodiment of the present invention.

도 7a 내지 도 7c는 간섭광 헤드의 종류를 예시한 것이다.7A to 7C illustrate types of interference light heads.

본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법, 특히 대면적에 연속적으로 나노 패턴을 형성하는 방법 및 이에 의하여 형성된 패턴을 갖는 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a nanopattern, in particular a method of continuously forming a nanopattern in a large area and a substrate having a pattern formed thereby.

일반적으로, 반도체 회로소자 및 LCD 등의 디스플레이 장치에 미세 패턴을 형성하거나, 상기 소자나 장치에의 미세 패턴 형성을 위한 스템프를 제조하기 위하여, 감광성 수지(photoresist)를 이용한 광학 리소그래피법(optical lithography)이 많이 이용되고 있다. 광학 리소그래피법은 기판 상에 도포된 감광막을 선택적으 로 노광 및 현상함으로써 감광막에 미세 패턴을 형성할 수 있다. 감광막을 선택적으로 노광하는 방법으로는 마스크를 이용하는 방법 또는 광간섭을 이용하는 방법 등이 있다.Generally, in order to form a fine pattern on a display device such as a semiconductor circuit device and an LCD, or to manufacture a stamp for forming a fine pattern on the device or the device, an optical lithography method using a photoresist is performed. This is used a lot. The optical lithography method can form a fine pattern on the photosensitive film by selectively exposing and developing the photosensitive film applied on the substrate. As a method of selectively exposing a photosensitive film, there is a method using a mask or a method using optical interference.

최근에는 집적회로의 비약적 발전에 따라 더욱 더 미세한 패턴의 형성이 요구되고 있으며, 패턴의 규모를 나노 미터 영역으로 확장하기 위한 기술이 연구되고 있다. 본 명세서에서는 이하에서 나노 미터 영역, 즉 1000 nm 이하의 간격을 갖는 소정의 형상이 연속적으로 형성되어 있는 것을 나노 패턴이라고 기술한다. 한편, 디스플레이 장치의 대형화에 따라 미세 패턴을 대면적으로 형성하는 것이 요구되고 있다.Recently, with the rapid development of integrated circuits, the formation of finer patterns is required, and techniques for extending the pattern scale to the nanometer range have been studied. In the present specification, a nano pattern region, that is, a nano pattern having a predetermined shape continuously formed at intervals of 1000 nm or less is described as a nano pattern. On the other hand, as the display device becomes larger, it is required to form a fine pattern in a large area.

일반적으로, 광간섭 리소그래피법을 이용하여 고정밀의 패턴을 형성하기 위해서는 자외선이나 이보다 짧은 파장 영역의 레이저 광을 사용하여야 한다. 그러나, 현존하는 단파장의 레이저는 출력에 한계가 있어, 이를 이용하여 형성할 수 있는 미세 패턴의 크기가 한정된다. 그리고, 종래기술에서는 단파장의 레이저 광을 대면적 시편에 조사하기 위하여, 대면적 시편과 광원을 수미터 거리를 두고 배치하는 방법을 이용하고 있다. 예컨대, 도 2는 광간섭을 이용한 패턴 형성 과정의 모식도를 나타낸 것이다. 그러나, 상기와 같은 방법은 막대한 공간이 필요할 뿐만 아니라, 더욱 정교한 패턴을 얻기 위하여 더욱 짧은 파장의 광원을 쓰는 경우 레이저 광이 대기에 많이 흡수되는 문제가 있다. 따라서, 어느 정도 이하의 단파장 빛을 이용하는 경우 진공 상태에서 가공을 해야 하는 경우가 발생한다.In general, in order to form a high-precision pattern by using the optical interference lithography method, it is necessary to use ultraviolet rays or laser light having a shorter wavelength range. However, existing short-wavelength lasers are limited in output, and the size of the fine patterns that can be formed using the same is limited. In the related art, in order to irradiate a large area specimen with a short wavelength laser light, a large area specimen and a light source are used at a distance of several meters. For example, Figure 2 shows a schematic diagram of a pattern formation process using light interference. However, such a method requires a huge space, and there is a problem in that laser light is absorbed a lot in the air when a shorter wavelength light source is used to obtain a more sophisticated pattern. Therefore, when using short wavelength light of a certain degree or less, processing occurs in a vacuum state.

한편, 마스크를 이용한 광학 리소그래피법에서는 미세 패턴의 마스크를 제작 하는 비용이 높을 뿐 아니라, 나노 패턴을 갖는 마스크를 제작하기 어려운 문제가 있다. 또한, 시편으로부터 일정 간격을 두고 고정한 간섭광의 광원을 이용하여 시편에 패턴을 형성하는 광간섭 리소그래피법에서는 형성할 수 있는 패턴 형상의 자유도가 제한될 뿐만 아니라, 상기 시편과 광원의 거리가 멀수록 패턴의 정밀도가 나빠지는 문제가 있다.On the other hand, in the optical lithography method using a mask, not only the cost of manufacturing a fine pattern mask is high, but also there is a problem that it is difficult to produce a mask having a nano pattern. In addition, in the optical interference lithography method in which a pattern is formed on a specimen by using a light source of interference light fixed at a predetermined distance from the specimen, the degree of freedom of the pattern shape that can be formed is not only limited, but also as the distance between the specimen and the light source increases. There is a problem that the accuracy of the.

최근에는 대면적에 미세 패턴을 형성하기 위하여 나노 임프린트 방법을 응용한 기술이 연구되고 있다(한국 특허 공개 제2005-37773호, 한국 특허 공개 제2005-75580호 등). 그러나, 나노 임프린트 방법에 사용되는 패턴 전사를 위한 스템퍼도 역시 전술한 것과 같은 이유로 대면적으로 제조되기 어렵다. 따라서, 나노 임프린트 방법을 응용한 기술에서는 대면적에 미세 패턴을 형성하기 위해서 복수개의 스템퍼를 동시에 이용하거나 스템퍼를 수회 반복적으로 이용할 수 밖에 없다. 이와 같이 종래의 나노 임프린트 방법을 이용하여 대면적에 미세 패턴을 형성하는 경우, 미세 패턴을 대면적에 연속적으로 형성할 수 없고, 패턴의 이음매가 수십 마이크로미터 이상이 되어 디스플레이에의 응용이 어렵다.Recently, a technique of applying a nanoimprint method to form a fine pattern in a large area has been studied (Korean Patent Publication No. 2005-37773, Korean Patent Publication No. 2005-75580, etc.). However, stampers for pattern transfer used in nanoimprint methods are also difficult to manufacture in large areas for the same reasons as described above. Therefore, in the technique applying the nanoimprint method, in order to form a fine pattern in a large area, it is inevitable to use a plurality of stampers simultaneously or repeatedly use the stamper several times. As described above, when a fine pattern is formed in a large area using a conventional nanoimprint method, the fine pattern cannot be continuously formed in a large area, and the seam of the pattern becomes tens of micrometers or more, so that application to a display is difficult.

요컨대, 종래에는 대면적에 나노 패턴을 연속적으로 형성한 예가 없다. 여기서 대면적이란 소정 형상에 있어서 가장 긴 너비, 예컨대 원형에서는 직경, 직사각형에서는 대각선이 12인치 초과, 바람직하게는 20인치 이상, 더욱 바람직하게는 40인치 이상인 것을 의미한다. 현재 반도체 칩 메이커에서 광학 리소그래피용으로 사용하는 웨이퍼의 최대크기는 직경 12 인치이다. 당 기술 분야에서는 대면적에 연속적으로 미세 패턴을 형성할 수 있는 방법의 개발이 요구되고 있다. In short, there is no conventional example in which a nano pattern is continuously formed in a large area. By large area is meant here the longest width in a given shape, such as a diameter in a circle, a diagonal in a rectangle of more than 12 inches, preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches. The maximum size of wafers currently used for optical lithography in semiconductor chip makers is 12 inches in diameter. There is a need in the art for the development of a method capable of continuously forming a fine pattern in a large area.

본 발명자들은 대면적 시편과 간섭광의 광원을 서로 상대적으로 이동시키는 방법을 이용함으로써 나노 패턴의 형성시 전술한 넓은 설비공간의 필요성, 레이저 출력의 제한성 및 패턴 자유도의 제한성 등의 종래기술 문제를 해결할 수 있다는 것을 밝혀내었다.The present inventors can solve the problems of the prior art such as the necessity of the large facility space, the limitation of the laser power and the limit of the pattern freedom in forming the nano-pattern by using the method of moving the large area specimen and the light source of the interfering light relative to each other. It turned out that it was.

따라서, 본 발명은 대면적에 연속적으로 나노 패턴을 형성하는 방법 및 이에 의하여 형성된 패턴을 갖는 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of continuously forming a nano pattern in a large area and a substrate having the pattern formed thereby.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object, the present invention

a) 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계,a) forming a photosensitive resin layer on the substrate,

b) 상기 감광성 수지층이 형성된 기판과 간섭광의 광원을 서로 상대적으로 움직임으로써, 간섭광에 의하여 형성되는 패턴에 따라 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계, 및b) selectively exposing the photosensitive resin layer according to a pattern formed by the interference light by moving the substrate on which the photosensitive resin layer is formed and the light source of the interference light relative to each other, and

c) 상기 선택적으로 노광된 감광성 수지층을 현상하여 감광성 수지층에 패턴을 형성하는 단계c) developing the selectively exposed photosensitive resin layer to form a pattern on the photosensitive resin layer

를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.It provides a pattern forming method comprising a.

상기 패턴 형성 방법은 d) 상기 패턴화된 감광성 수지층을 이용하여 상기 기판을 선택적으로 식각하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, e) 감광성 수지층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The pattern forming method may further include d) selectively etching the substrate using the patterned photosensitive resin layer, and e) removing the photosensitive resin layer.

또한, 상기 패턴 형성 방법은 d') 상기 패턴화된 감광성 수지층에 도금을 하 고, 형성된 도금부를 상기 감광성 수지층을 갖는 기판으로부터 분리하여 금형을 제조하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, e') 상기 금형을 이용하여 나노 패턴을 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the pattern forming method may further comprise the step of manufacturing a mold by plating the patterned photosensitive resin layer, and separating the formed plating portion from the substrate having the photosensitive resin layer, e ' ') The method may further include transferring a nano pattern using the mold.

또한, 본 발명은 일면 이상에 상기 a), b) 및 c) 단계를 포함하는 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 감광성 수지 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판을 제공한다. 상기 패턴이 형성된 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40 인치 이상인 것이 더욱 바람직하다. In addition, the present invention by the method comprising the steps a), b) and c) on one or more surfaces of the photosensitive resin pattern having a spacing of less than nanometer area is continuously formed in a region where the longest width is larger than 12 inches To provide a substrate. The longest width of the area where the pattern is formed is preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches.

또한, 본 발명은 상기 a), b), c), d) 및 e) 단계를 포함하는 방법 또는 a), b), c), d') 및 e') 단계를 포함하는 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판을 제공한다. 상기 패턴이 형성된 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40 인치 이상인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the present invention is a nano-method by the method comprising the steps a), b), c), d) and e) or by the method comprising the steps a), b), c), d ') and e'). A pattern having a spacing of less than a meter area provides a substrate in which the longest width is continuously formed in an area larger than 12 inches. The longest width of the area where the pattern is formed is preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches.

또한, 본 발명은 본 발명은 상기 a), b), c) 및 d') 단계를 포함하는 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 금형을 제공한다. 상기 패턴이 형성된 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40 인치 이상인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the present invention relates to a method in which the pattern comprises a), b), c), and d '), wherein the pattern having a spacing of less than nanometers is continuously connected to a region having a longest width of more than 12 inches. Provided is a mold formed. The longest width of the area where the pattern is formed is preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches.

또한, 본 발명은 상기 방법에 의하여 형성된 나노 패턴을 포함하는 전자소자, 전자 장치 또는 스템퍼를 제공한다. 상기 전자소자로는 빔 스플리팅 편광소자 (Beam Splitting Polarizer) 등이 있고, 상기 전자 장치로는 디스플레이 장치가 있다.In addition, the present invention provides an electronic device, an electronic device or a stamper comprising a nano-pattern formed by the method. The electronic device may include a beam splitting polarizer, and the electronic device may include a display device.

이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, 광학 리소그래피를 이용한 패턴 형성 방법에 있어서, 감광성 수지층의 패턴화를 위하여 간섭광을 이용하는 동시에, 감광성 수지층의 노광시 상기 간섭광의 광원과 감광성 수지층이 형성된 기판의 위치를 서로 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 한다.The pattern forming method according to the present invention is a pattern forming method using optical lithography, wherein the substrate is formed using a light source of the interference light and a photosensitive resin layer during exposure of the photosensitive resin layer while using interference light for patterning the photosensitive resin layer. It is characterized by moving the positions of the relative to each other.

본 발명에서는 간섭광을 이용함으로써 나노 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 노광시 광원과 감광성 수지층이 형성된 기판의 위치를 서로 상대적으로 이동시키는 방식을 이용함으로써, 종래 기술에 비하여 광원과 기판을 가깝게 배치하면서도 대면적에 연속적으로 패턴을 형성할 수 있다.In the present invention, nano-patterns can be formed by using interference light. Further, by using a method of shifting the positions of the light source and the substrate on which the photosensitive resin layer is formed during exposure, the pattern can be continuously formed in a large area while arranging the light source and the substrate closer to each other than in the prior art.

따라서, 종래 기술에 비하여 대면적에 패턴 형성을 위한 설비 공간을 줄일 수 있다. 또한, 광원과 기판 사이의 거리가 짧기 때문에, 대면적 패턴의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이와 같이 패턴 가공에 정밀도가 보장되면, 사용하는 단일 파장 주변의 파장의 빛을 함께 사용하여 패턴의 미세 조정이 가능한 추가 이점이 있다. 또한, 광원과 기판 사이의 거리가 짧기 때문에, 다중 간섭이 용이하고 빔 헤드의 회전 또는 왕복 이동 등을 이용할 수 있다. 이에 의하여 다양한 패턴을 구사할 수 있으므로, 종래 방법에서의 패턴 형상의 제한성을 극복할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 방법에 따르면 도 4에 예시한 2개 빔 간섭(two beam interference)을 이용하는 경우 뿐만 아니라, 도 5에 예시한 4개 빔 간섭(four beam interference)을 이용 하는 경우 등의 다중간섭에 의하여 다양한 패턴을 구사할 수 있다.Therefore, compared with the prior art, it is possible to reduce the installation space for pattern formation in a large area. Moreover, since the distance between a light source and a board | substrate is short, the precision of a large area pattern can be improved. As such, when the precision in the pattern processing is ensured, there is an additional advantage that the fine adjustment of the pattern can be performed by using the light of the wavelength around the single wavelength used. In addition, since the distance between the light source and the substrate is short, multiple interference is easy and rotation or reciprocation of the beam head can be used. Since various patterns can be utilized by this, the limitation of the pattern shape in the conventional method can be overcome. For example, according to the method of the present invention, not only the case of using the two beam interference illustrated in FIG. 4 but also the case of using the four beam interference illustrated in FIG. Various patterns can be used.

본 발명은 대면적에 연속적으로 고정밀의 패턴을 형성하는 것이 필요한 분야에서는 제한되지 않고 모두 유용하게 이용될 수 있다. 예컨대, 본 발명은 AG(anti-glare)/AR(anti-reflection)/LR(low reflection) 필름, 내수/내성 필름, 휘도 향상 필름, 비등방성 필름, 편광필름, 자가 세척 장치(self cleaning), 태양 전지, 대용량 홀로그래픽 메모리(high volume holographic storage), 광결정(photonic crystal), 전계 표시 소자(Field Emission Display; FED) 전극 등 및 상기 고정밀 패턴을 전사하기 위한 스템퍼 등에 적용될 수 있다.The present invention is not limited in the field where it is necessary to form a high precision pattern continuously in a large area, and all of them can be used usefully. For example, the present invention relates to anti-glare (AG) / anti-reflection (AR) / low reflection (LR) film, water / resistant film, brightness enhancing film, anisotropic film, polarizing film, self cleaning, Solar cells, high volume holographic memory, photonic crystals, field emission (FED) electrodes, and the like, and stampers for transferring the high precision patterns.

본 발명에서 이용되는 광간섭에 의한 패턴 형성 원리를 도 1에 예시하였다. 도 1에 있어서, λ는 빛의 파장, θ는 광원의 입사각, p는 상기 2개의 광원으로부터 나온 빛이 간섭을 일으켜 형성되는 패턴의 피치(pitch)이다. 패턴의 피치는 하기 수학식과 같이 계산된다.The principle of pattern formation by optical interference used in the present invention is illustrated in FIG. 1. In Fig. 1, λ is the wavelength of light, θ is the angle of incidence of the light source, and p is the pitch of the pattern formed by the interference of the light from the two light sources. The pitch of the pattern is calculated as in the following equation.

[수학식 1][Equation 1]

p = λ/(2sinθ)p = λ / (2sinθ)

따라서, 본 발명에서는 광원의 수와 종류, 빛의 입사 방식, 간섭시킬 광원들이 이루는 사잇각 등을 조절함으로써 패턴의 형상 및 규모를 결정할 수 있다. 본 발명에서는 광원으로 자외선 영역(193nm -351nm)의 광을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 감광성 수지에 따라 광원의 종류를 정하거나 광원에 따라 감광성 수지의 종류를 결정할 수 있다.Therefore, in the present invention, the shape and scale of the pattern may be determined by adjusting the number and type of light sources, the method of incidence of light, the angle of angle between the light sources to interfere, and the like. In the present invention, ultraviolet light as a light source Light in the region (193 nm -351 nm) can be used. In the present invention, the type of the light source may be determined according to the photosensitive resin, or the type of the photosensitive resin may be determined according to the light source.

또한, 형성하고자 하는 패턴이 일차원 형상의 경우, 도 4과 같이 시편과 광 원의 상대운동으로 대면적에 연속적으로 패턴을 형성할 수 있다. 형성하고자 하는 패턴이 이차원 또는 삼차원 형상 중 간단한 모양인 경우, 도 5와 같이 횡방향의 간섭 강도를 낮춤과 동시에, 종방향의 형상 주기와 동기화하여 수평간섭강도의 펄싱을 이용함으로써 패턴을 형성할 수 있다. 보다 복잡한 형상에 대해서는 도 6과 같이 반도체 공정에서 흔히 사용되는 스템핑 방식, 즉 가공과 이송을 반복적으로 수행하여 전면적에 이음메 없이 식각하는 방법을 사용할 수 있다. 특히, 이송시에는 광원을 셔터나 쵸퍼 등으로 차단하여야 한다.In addition, when the pattern to be formed is a one-dimensional shape, as shown in FIG. 4, the pattern may be continuously formed in a large area by the relative motion of the specimen and the light source. When the pattern to be formed is a simple one of two-dimensional or three-dimensional shapes, as shown in FIG. 5, the pattern can be formed by using pulsing of horizontal interference intensity in synchronization with the shape cycle in the longitudinal direction while lowering the horizontal interference intensity. have. For a more complex shape, as shown in FIG. 6, a stamping method commonly used in a semiconductor process, that is, a method of repeatedly etching and machining may be used. In particular, when transporting, the light source should be blocked with a shutter or a chopper.

본 발명에 있어서, 간섭광의 광원과 감광성 수지층이 형성된 기판의 위치를 서로 상대적으로 이동시키는 방식으로서는 특별한 방식에 한정되지 않는다. 본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서는, 도 4에 나타난 바와 같이, b1) 감광성 수지층이 형성된 기판을 광원에 대하여 상대적으로 이동시켜 감광성 수지층에 간섭광을 조사하는 단계 및 b2) 상기 b1) 단계에서 노광되지 않은 감광성 수지층을 조사하도록 광원을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계를 반복함으로써 이루어질 수 있다. 상기 b1) 단계에서 기판의 이동방향은 종방향으로 하고, 상기 b2) 단계에서는 횡방향이 된다.In the present invention, the method of moving the position of the light source of the interference light and the substrate on which the photosensitive resin layer is formed is relatively limited to each other. In one embodiment of the present invention, as shown in Figure 4, b1) moving the substrate on which the photosensitive resin layer is formed relative to the light source to irradiate the interference light to the photosensitive resin layer and b2) step b1) It can be made by repeating the step of moving the light source relative to the substrate to irradiate the unexposed photosensitive resin layer in the. In step b1), the moving direction of the substrate is in the longitudinal direction, and in step b2), the substrate is in the transverse direction.

본 발명의 또 하나의 실시 상태에 있어서는, 간섭광 헤드를 회전 또는 왕복 운동시킴으로써 다양한 패턴을 제공할 수 있다. 본 발명에 있어서, 간섭광 헤드로는 도 7a 내지 도 7c에 예시된 하프 미러(half mirror), 로이드 미러(Loyd mirror) 및 프리즘 등을 사용할 수 있으나, 이들 예에만 한정되는 것은 아니다. 도 7c에 도시된 프리즘 헤드를 회전시키면 동심원 형상, 즉 프레넬 렌즈 형상을 얻을 수 있 다.In another embodiment of the present invention, various patterns can be provided by rotating or reciprocating the interference light head. In the present invention, a half mirror, a low mirror and a prism illustrated in FIGS. 7A to 7C may be used as the interference light head, but are not limited thereto. By rotating the prism head shown in FIG. 7C, a concentric shape, that is, a Fresnel lens shape can be obtained.

본 발명에 있어서, 감광성 수지로는 당기술분야에서 광학 리소그라피법에 사용될 수 있는 것이면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예컨대 Microchem사의 SU-6, SU-8 등을 사용할 수 있다. 감광성 수지를 이용하여 기판상에 감광성 수지층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 당기술분야에 공지된 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 기판상에 SU-8 감광성 수지를 도포하고 그 위에 UV 광을 조사한 후 PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate), GBL(Gamma-Butyrolactone) 그리고 MIBK(Methyl Iso-Butyl Ketone) 등과 같은 유기용매로 현상함으로써 패턴을 얻을 수 있다.In the present invention, the photosensitive resin may be used without limitation as long as it can be used in the optical lithography method in the art, for example, SU-6, SU-8, etc. of Microchem may be used. The method of forming a photosensitive resin layer on a board | substrate using photosensitive resin is not specifically limited, The method known in the art can be used. For example, after applying SU-8 photosensitive resin on a substrate and irradiating with UV light thereon, it is developed with organic solvents such as Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA), Gamma-Butyrolactone (GBL) and Methyl Iso-Butyl Ketone (MIBK). A pattern can be obtained by doing this.

본 발명에 있어서, 감광성 수지층을 형성하는 기판의 재료는 이것이 이용되는 최종 목적에 따라 결정할 수 있다. 예컨대, 전술한 미세 패턴화된 감광성 수지층이 구비된 기판을 AG(anti-glare)/AR(anti-reflection)/LR(low reflection) 필름, 내수/내성 필름, 휘도 향상 필름, 비등방성 필름, 편광필름 등으로 사용하고자 하는 경우에는, 상기 기판의 재료로는 광학적으로 투명한 재료, 예컨대 유리, 석영, 투명 수지 등을 이용할 수 있다. 또한, 전술한 방법에 따라 패턴화된 감광성 수지층을 이용하여 기판 자체에 미세 패턴을 형성하고자 하는 경우에는, 상기 기판의 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 식각액에 의하여 선택적으로 식각될 수 있는 재료, 예컨대 금속 재료 등을 이용할 수 있다. 예컨대, 전술한 방법에 의하여 형성된 패턴을 갖는 기판을 스템퍼로서 이용하고자 하는 경우에는 상기 기판은 상기 기판의 재료로는 유리 또는 석영 등의 재료를 이용할 수 있다.In this invention, the material of the board | substrate which forms the photosensitive resin layer can be determined according to the end purpose in which it is used. For example, the substrate having the above-described fine patterned photosensitive resin layer may include an anti-glare (AG) / anti-reflection (AR) / low reflection (LR) film, a water / resistant film, a brightness enhancing film, an anisotropic film, In the case of using as a polarizing film, an optically transparent material such as glass, quartz, transparent resin, or the like may be used as the material of the substrate. In addition, when a fine pattern is formed on the substrate itself using the photosensitive resin layer patterned according to the above-described method, the material of the substrate may be selectively etched by an etchant known in the art. For example, a metal material can be used. For example, when a substrate having a pattern formed by the above method is to be used as a stamper, the substrate may be made of a material such as glass or quartz as the material of the substrate.

전술한 a), b) 및 c) 단계를 포함하는 방법에 따르면, 일면 이상에 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 감광성 수지 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 패턴 형성 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40인치 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 나노 크기의 감광성 수지 패턴이 형성된 기판은 AG(anti-glare)/AR(anti-reflection)/LR(low reflection) 필름, 내수/내성 필름, 휘도 향상 필름, 비등방성 필름, 편광필름 등으로 사용될 수 있으며, 이들 필름은 디스플레이 장치 등에 이용될 수 있다.According to the method comprising the above steps a), b) and c), a substrate having a photosensitive resin pattern having a spacing of less than a nanometer area on one or more surfaces thereof is continuously formed in an area where the longest width is larger than 12 inches. Can provide. Here, the longest width of the pattern formation region is preferably 20 inches or more, more preferably 40 inches or more. The substrate on which the nano-sized photosensitive resin pattern is formed may be used as an anti-glare (AR) / anti-reflection (AR) / low reflection (LR) film, a water / resistant film, a brightness enhancing film, an anisotropic film, a polarizing film, or the like. These films can be used in display devices and the like.

본 발명의 방법에서는 상기 c) 단계 이후에 d") Cr 또는 Cr 합금 등의 금속을 증착시키는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 이 방법에 의하여 제조된 기판은 스템퍼로 사용될 수 있다. 스템프 제작 공정을 도 3에 예시하였다.The method of the present invention may further include the step of depositing a metal such as d ″) Cr or Cr alloy after step c), and the substrate prepared by the method may be used as a stamper. The process is illustrated in FIG. 3.

전술한 본 발명의 방법에 따른 패턴 형성 방법은 추가로 d) 상기 패턴화된 감광성 수지층을 이용하여 상기 기판을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있으며, e) 감광성 수지층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The pattern forming method according to the method of the present invention as described above may further comprise d) selectively etching the substrate using the patterned photosensitive resin layer, e) removing the photosensitive resin layer It may further include.

상기 기판을 감광성 수지층의 패턴에 따라 선택적으로 식각하기 위해서는 당 기술 분야에 알려져 있는 식각 기술 및 식각제를 사용할 수 있다. 예컨대, PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate) 등과 같은 용매에 담금으로써 기판을 선택적으로 식각할 수 있다.In order to selectively etch the substrate according to the pattern of the photosensitive resin layer, an etching technique and an etchant known in the art may be used. For example, the substrate may be selectively etched by dipping in a solvent such as Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA).

전술한 a), b), c), d) 및 e) 단계를 포함하는 방법 또는 a), b), c), d') 및 e') 단계를 포함하는 방법에 따르면, 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판을 제공할 수 있다. 상기 패턴이 형성된 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40 인치 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 나노 패턴이 형성된 기판은 AG(anti-glare)/AR(anti-reflection)/LR(low reflection) 필름, 내수/내성 필름, 휘도 향상 필름, 비등방성 필름, 편광필름, 자가 세척 장치(self cleaning), 태양 전지, 대용량 홀로그래픽 메모리(high volume holographic storage), 광결정(photonic crystal), 전계 표시 소자(Field Emission Display; FED) 전극 등 및 상기 고정밀 패턴을 전사하기 위한 스템퍼 등으로 이용될 수 있다.According to the method comprising the steps a), b), c), d) and e) described above, or the method comprising the steps a), b), c), d ') and e'), below the nanometer range It is possible to provide a substrate in which a pattern having an interval of s is continuously formed in an area of which the longest width is larger than 12 inches. The longest width of the area where the pattern is formed is preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches. The nano-patterned substrate may be formed of an anti-glare (AG) / anti-reflection (AR) / low reflection (LR) film, a water / resistant film, a brightness enhancing film, an anisotropic film, a polarizing film, and a self cleaning device. ), Solar cells, high volume holographic storage, photonic crystals, field emission display (FED) electrodes, and the like, and stampers for transferring the high precision patterns. .

전술한 본 발명의 방법에 따른 패턴 형성 방법은 추가로 d') 상기 패턴화된 감광성 수지층에 도금을 하고, 형성된 도금부를 상기 감광성 수지층을 갖는 기판으로부터 분리하여 금형을 제조하는 단계를 포함할 수 있으며, e') 상기 금형을 이용하여 나노 패턴을 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.The pattern forming method according to the method of the present invention described above further comprises d ') plating the patterned photosensitive resin layer and separating the formed plating part from the substrate having the photosensitive resin layer to manufacture a mold. And, e ') may further comprise the step of transferring the nano-pattern using the mold.

상기 d')에서의 도금은 당기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 전기도금방법을 이용할 수 있다. 이때, 도금에 사용되는 재료로는 니켈, 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 상기 e')에서의 패턴 전사도 역시 당기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 상기 금형을 경화성 수지에 압착한 후 열경화 또는 광경화하고 금형을 수지층으로부터 분리함으로써 패턴 전사를 할 수 있다.The plating in d ') may use a method known in the art, for example, an electroplating method. At this time, nickel, aluminum, etc. may be used as a material used for plating. The pattern transfer in e ') may also use a method known in the art, and for example, the pattern may be transferred by compressing the mold to a curable resin and then thermosetting or photocuring and separating the mold from the resin layer. have.

전술한 a), b), c) 및 d') 단계를 포함하는 방법에 따르면, 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치보다 큰 영역에 연속적으로 형 성되어 있는 금형을 제공할 수 있다. 상기 패턴이 형성된 영역의 가장 긴 너비는 20 인치 이상인 것이 바람직하고, 40 인치 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 금형을 이용함으로써 패턴을 전사함으로써 미세 패턴이 필요한 필름, 예컨대 AG(anti-glare)/AR(anti-reflection)/LR(low reflection) 필름, 내수/내성 필름, 휘도 향상 필름, 비등방성 필름, 편광필름 등을 대량으로 제조할 수 있다. 또한, 상기 금형의 재료에 따라 이를 반영구적으로도 이용할 수 있다.According to the method comprising the steps a), b), c) and d ') described above, a mold is formed in which a pattern having a spacing of less than a nanometer area is continuously formed in a region having a longest width larger than 12 inches. Can provide. The longest width of the area where the pattern is formed is preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches. Further, by using the mold, a film requiring a fine pattern by transferring a pattern, such as anti-glare (AG) / anti-reflection (AR) / low reflection (LR) film, water / resistant film, brightness enhancing film, anisotropy A film, a polarizing film, etc. can be manufactured in large quantities. In addition, it may be used semi-permanently depending on the material of the mold.

본 발명에 따르는 경우, 가장 긴 너비가 12인치보다 큰, 바람직하게는 20인치 이상, 더욱 바람직하게는 40인치 이상의 대면적에 나노 패턴을 연속적으로 형성할 수 있다. 현재 반도체 칩 메이커에서 광리소그래피 용으로 사용하는 웨이퍼의 최대크기는 직경 12 인치이며, 아직까지 직경 또는 대각선의 길이가 12 인치보다 큰 영역에 연속적으로 나노 패턴이 형성된 예가 개시된 바 없다.In accordance with the present invention, It is possible to continuously form nanopatterns in large areas where the longest width is greater than 12 inches, preferably at least 20 inches, more preferably at least 40 inches. Currently, the maximum size of a wafer used for photolithography in semiconductor chip makers is 12 inches in diameter, and there is no example of forming a nano pattern continuously in an area having a diameter or diagonal length larger than 12 inches.

전술한 방법에 따라 형성된 나노 패턴은 전자소자 또는 전자장치에 적용될 수 있으며, 스템퍼로도 이용될 수 있다. 상기 전자 소자로는 빔 스플리팅 편광소자(Beam Splitting Polarizer) 등이 있고, 상기 전자 장치로는 디스플레이 장치 등이 있다. The nanopattern formed according to the above-described method may be applied to an electronic device or an electronic device, and may also be used as a stamper. The electronic device may include a beam splitting polarizer, and the electronic device may include a display device.

본 발명에 따르면, 나노 패턴을 대면적에 연속적으로 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 종래 기술에 비하여 나노 패턴의 자유도 및 정밀도를 향상시킬 수 있고, 대면적에의 패턴 형성을 위한 설비 공간을 줄일 수 있다. According to the present invention, not only can the nano-pattern be continuously formed in a large area, but also the degree of freedom and precision of the nano-pattern can be improved as compared with the prior art, and the facility space for pattern formation in a large area can be reduced. have.

Claims (19)

a) 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계, a) forming a photosensitive resin layer on the substrate, b) 상기 감광성 수지층이 형성된 기판과 간섭광의 광원을 서로 상대적으로 움직임으로써, 간섭광에 의하여 형성되는 패턴에 따라 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계, 및b) selectively exposing the photosensitive resin layer according to a pattern formed by the interference light by moving the substrate on which the photosensitive resin layer is formed and the light source of the interference light relative to each other, and c) 상기 선택적으로 노광된 감광성 수지층을 현상하여 감광성 수지층에 패턴을 형성하는 단계c) developing the selectively exposed photosensitive resin layer to form a pattern on the photosensitive resin layer 를 포함하는 패턴 형성 방법.Pattern forming method comprising a. 제1항에 있어서, 상기 b) 단계는 The method of claim 1, wherein b) b1) 감광성 수지층이 형성된 기판을 광원에 대하여 상대적으로 이동시켜 감광성 수지층에 간섭광을 조사하는 단계 및 b1) irradiating the photosensitive resin layer with interference light by moving the substrate on which the photosensitive resin layer is formed relative to the light source; b2) 상기 b1) 단계에서 노광되지 않은 감광성 수지층을 조사하도록 광원을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계b2) moving the light source relative to the substrate to irradiate the unexposed photosensitive resin layer in step b1) 를 반복적으로 수행함으로써 이루어지는 것인 패턴 형성 방법. The pattern formation method which consists of repeatedly performing. 제1항에 있어서, 상기 방법은 d) 상기 패턴화된 감광성 수지층을 이용하여 상기 기판을 선택적으로 식각하는 단계를 추가로 포함하는 것인 패턴 형성 방법. The method of claim 1, wherein the method further comprises d) selectively etching the substrate using the patterned photosensitive resin layer. 제3항에 있어서, 상기 방법은 e) 감광성 수지층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것인 패턴 형성 방법.The method of claim 3, wherein the method further comprises e) removing the photosensitive resin layer. 제1항에 있어서, 상기 방법은 d') 상기 패턴화된 감광성 수지층에 도금을 하고, 형성된 도금부를 상기 감광성 수지층을 갖는 기판으로부터 분리하여 금형을 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것인 패턴 형성 방법. The pattern of claim 1, further comprising d ') plating the patterned photosensitive resin layer and separating the formed plating portion from the substrate having the photosensitive resin layer to form a mold. Forming method. 제5항에 있어서, 상기 방법은 e') 상기 금형을 이용하여 나노 패턴을 전사하는 단계를 추가로 포함하는 것인 패턴 형성 방법. The method of claim 5, wherein the method further comprises e ') transferring the nanopattern using the mold. 일면 이상에, 제1항의 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 감광성 수지 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판. The board | substrate with which the photosensitive resin pattern which has the space | interval of a nanometer area or less is continuously formed in the area | region whose longest width is larger than 12 inches by the method of Claim 1 or more. 제7항에 있어서, 상기 감광성 수지 패턴이 형성된 영역은 가장 긴 너비가 20 인치 이상인 것인 기판. The substrate according to claim 7, wherein the region in which the photosensitive resin pattern is formed has a longest width of 20 inches or more. 제4항의 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 기판. A substrate having a spacing of less than a nanometer area by the method of claim 4, wherein the longest width is formed continuously in an area larger than 12 inches. 제9항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 영역은 가장 긴 너비가 20인치 이상인 것인 기판. 10. The substrate of claim 9, wherein the patterned region has a longest width of at least 20 inches. 제5항의 방법에 의하여 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴이 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 연속적으로 형성되어 있는 금형. A mold having a pattern having a spacing of less than a nanometer area by the method of claim 5 continuously formed in a region having a longest width larger than 12 inches. 제11항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 영역은 가장 긴 너비가 20인치 이상인 것인 금형. 12. The mold of claim 11 wherein the patterned area has a longest width of at least 20 inches. 제1항 내지 제4항 및 제6항 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성된 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 형성된 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴을 갖는 전자 소자.An electronic device having a pattern with a spacing less than or equal to a nanometer area formed in an area greater than 12 inches in the longest width formed by the method of any one of claims 1 to 4 and 6. 제13항에 있어서, 상기 전자 소자는 빔 스플리팅 편광소자(Beam Splitting Polarizer)인 것인 전자 소자. The electronic device of claim 13, wherein the electronic device is a beam splitting polarizer. 제1항 내지 제4항 및 제6항 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성된 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 형성된 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴을 갖는 전자 장치.An electronic device having a pattern with a spacing less than or equal to a nanometer area formed in an area greater than 12 inches in the longest width formed by the method of any one of claims 1 to 4 and 6. 제15항에 있어서, 상기 전자 장치는 디스플레이 장치인 것인 전자 장치. The electronic device of claim 15, wherein the electronic device is a display device. a) 기판 상에 감광성 수지층을 형성하는 단계, a) forming a photosensitive resin layer on the substrate, b) 상기 감광성 수지층이 형성된 기판과 간섭광의 광원을 서로 상대적으로 움직임으로써, 간섭광에 의하여 형성되는 패턴에 따라 감광성 수지층을 선택적으로 노광하는 단계,b) selectively exposing the photosensitive resin layer according to a pattern formed by the interference light by moving the substrate on which the photosensitive resin layer is formed and the light source of the interference light relative to each other, c) 상기 선택적으로 노광된 감광성 수지층을 현상하여 감광성 수지층에 패턴을 형성하는 단계, 및c) developing the selectively exposed photosensitive resin layer to form a pattern in the photosensitive resin layer, and d") 감광성 수지 패턴 상에 금속을 증착시키는 단계를 포함하는 스템프의 제조 방법.d ") a method of manufacturing a stamp comprising depositing a metal on the photosensitive resin pattern. 제17항에 있어서, 상기 d") 단계의 금속은 Cr 또는 Cr 합금인 것인 스템프의 제조 방법. 18. The method of claim 17, wherein the metal of step d ″) is Cr or Cr alloy. 제17항의 방법에 의하여 제조된 것으로서, 가장 긴 너비가 12 인치 보다 큰 영역에 나노미터 영역 이하의 간격을 갖는 패턴을 갖는 스템프. A stamp made by the method of claim 17, wherein the stamp has a pattern with a spacing less than or equal to a nanometer in an area greater than 12 inches longest in width.
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