KR20070091734A - Equipment for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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KR20070091734A
KR20070091734A KR1020060021223A KR20060021223A KR20070091734A KR 20070091734 A KR20070091734 A KR 20070091734A KR 1020060021223 A KR1020060021223 A KR 1020060021223A KR 20060021223 A KR20060021223 A KR 20060021223A KR 20070091734 A KR20070091734 A KR 20070091734A
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Abstract

Semiconductor fabrication equipment is provided to prevent an electrostatic chuck from being contaminated by a contaminated layer by including a dechucking unit for grounding an electrostatic chuck supporting a semiconductor substrate when a process for fabricating the substrate is completed. A semiconductor fabrication process is performed in a chamber(100). The semiconductor substrate is supported by an electrostatic chuck(118) in the chamber. A power supply part(120) of the electrostatic chuck applies a constant voltage to the electrostatic chuck to fix the semiconductor substrate to the electrostatic chuck electro-statically. During a semiconductor fabrication process in the chamber, the constant voltage is applied to the electrostatic chuck in the power supply part of the electrostatic chuck. After the semiconductor fabrication process, a dechucking unit(122) grounds the electrostatic chuck to separate the semiconductor substrate from the electrostatic chuck. The dechucking unit can be formed between the electrostatic chuck and the power supply part, including a plurality of relay switches. In the chucking operation of the electrostatic chuck, the power supply part is connected to an electrode of the electrostatic chuck by the relay switch. In the dechucking operation of the electrostatic chuck, the electrode of the electrostatic chuck is grounded by the relay switch.

Description

반도체 제조설비{Equipment for manufacturing semiconductor device} Equipment for manufacturing semiconductor device

도1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도.Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 디척킹 유닛을 자세하게 나타내기 위한 다이아 그램.3 is a diagram for illustrating in detail the dechucking unit of FIG.

도 4는 누적 사용시간에 따른 도 2의 정전척의 단면을 나타내는 도면.4 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of FIG. 2 according to cumulative usage time.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※※ Explanation of symbols about main part of drawing ※

100 : 챔버 112 : 상부 전극100 chamber 112 upper electrode

114 :샤워헤드 116 : 하부전극114: shower head 116: lower electrode

118 : 정전척 120 : 정전척 전원공급부118: electrostatic chuck 120: electrostatic chuck power supply

122 : 디척킹 유닛122: dechucking unit

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 기판을 고정 적으로 지지하는 정전척을 구비하여 플라즈마 반응을 이용한 증착 공정 또는 식각 공정이 이루어지는 반도체 제조설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility having an electrostatic chuck for supporting a semiconductor substrate in a fixed manner, wherein a deposition process or an etching process using a plasma reaction is performed.

일반적으로 반도체 장비 중 기판의 홀딩은 메카니컬 클램프(mechanical clamp)방식이 많이 이용되며, 그러나 최근에는 파티클(particle)과 공정의 단일성 (uniformity)이 우수한 정전척(ElectroStatic Chuck;ESC)의 사용이 급증하고 있다.In general, the holding of the substrate in the semiconductor equipment is a mechanical clamp method, but recently, the use of electrostatic chuck (ESC) excellent in particle and process uniformity is rapidly increasing have.

특히, 고밀도 플라즈마 증착 및 식각을 위한 장비로써 정전척의 사용이 일반화되고 있다. 그러나 이러한 정전척 사용 시 파티클이나 척에 폴리머(polymer)가 증착되는 등 다량의 이물질이 발생되고, 또한 정전척(ESC)을 사용하여 기판을 척킹하는 장치에서 더킹(ducking)문제 발생으로 공정 챔버내에서 기판의 깨짐(broken)이 발생한다.In particular, the use of an electrostatic chuck as equipment for high-density plasma deposition and etching has become common. However, when the electrostatic chuck is used, a large amount of foreign substances such as polymers are deposited on the particles or the chuck, and in the process chamber due to ducking problems in the device that chucks the substrate using the electrostatic chuck (ESC). In the substrate, a crack occurs.

이하, 도면을 참조하여 종래의 반도체 제조설비에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비는, 외부로부터 독립된 내부 공간에 불활성 기체 및 반응 가스로 충만되어 반도체 제조공정이 수행되는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 상단에 형성된 상부 전극(12)과, 상기 상부 전극(12)에 인접하여 상기 챔버(10) 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드(14)와, 상기 샤워헤드(14)에 대향되는 상기 챔버(10)의 하단에 형성된 하부 전극(16)과, 상기 하부 전극(16)의 상부에서 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 정전 척(18)과, 상기 정전척(18)에 상기 반도체 기판(W)이 정전기적으로 고정(chucking)되도록 상기 정전척(18)에 정전압을 인가하는 정전척 전원공급부(20)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a conventional semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber 10 filled with an inert gas and a reactive gas in an internal space independent from the outside, and a semiconductor manufacturing process is performed, and formed at an upper end of the chamber 10. An upper electrode 12, a showerhead 14 for injecting the inert gas and a reactive gas into the chamber 10 adjacent to the upper electrode 12, and the chamber opposite to the showerhead 14. A lower electrode 16 formed at the lower end of the bottom surface 10, an electrostatic chuck 18 supporting the semiconductor substrate W on the lower electrode 16, and the semiconductor substrate on the electrostatic chuck 18. And an electrostatic chuck power supply 20 for applying a constant voltage to the electrostatic chuck 18 so that W) is electrostatically chucked.

여기서, 상기 상부 전극(12)과 상기 하부 전극(16)은 상기 챔버(10) 외부에서 공급되는 고주파 파워(high frequency power)를 인가받아 상기 챔버(10) 내부에 공급되는 상기 불활성 기체 및 반응 가스를 고온에서 전자와, 양의 전하를 갖는 이온이 분리되는 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극이다. 이때, 상기 샤워헤드(14)를 통해 상기 챔버(10) 하부의 상기 반도체 기판(W)으로 분사되는 상기 불활성 가스 및 반응 가스는 상기 플라즈마 상태로 여기되면서 균일하게 혼합되어 상기 반도체 기판(W)의 표면으로 유동되면서 소정의 박막을 증착시키거나, 상기 소정의 박막을 식각할 수 있다.Here, the upper electrode 12 and the lower electrode 16 are supplied with the high frequency power supplied from the outside of the chamber 10 to the inert gas and the reactant gas supplied into the chamber 10. Is a plasma electrode that excites an electron at a high temperature to a plasma state where electrons and positively charged ions are separated. In this case, the inert gas and the reactant gas injected into the semiconductor substrate W under the chamber 10 through the shower head 14 are excited in the plasma state to be uniformly mixed to form the semiconductor substrate W. The predetermined thin film may be deposited while the surface is flowed, or the predetermined thin film may be etched.

또한, 상기 플라즈마 상태의 상기 불활성 가스 및 반응 가스가 상기 반도체 기판(W) 또는 상기 반도체 기판(W) 상에 형성된 상기 박막 내에 도핑된 도전성 불순물을 열화(heat budget)시킬 수 있기 때문에 상기 반도체 기판(W)은 소정의 온도로 냉각되어야만 한다. 따라서, 상기 정전척(18)은 상기 반도체 기판(W)의 후면으로 냉매를 유동시켜 상기 반도체 기판(W)이 냉각되도록 할 수 있다.In addition, since the inert gas and the reactive gas in the plasma state may degrade the conductive impurities doped in the thin film formed on the semiconductor substrate W or the semiconductor substrate W, the semiconductor substrate ( W) must be cooled to a predetermined temperature. Therefore, the electrostatic chuck 18 may flow the refrigerant to the rear surface of the semiconductor substrate W to allow the semiconductor substrate W to cool.

또한, 상기 정전척(18)은 상기 냉매가 상기 반도체 기판(W)의 후면 바깥으로 유동되지 않도록 상기 반도체 기판(W)을 소정의 압착력으로 홀딩 해야만 한다. 따라서, 상기 정전척(18)은 상기 정전척 전원공급부(20)에서 공급되는 정전압을 이용하여 상기 반도체 기판(W)을 척킹(chucking)한다. 예컨대, 상기 정전척(18)은 유전 물질 (dielectric material)로 구성된 척바디(chuck body) 또는 시트 (sheet) 내에 내장된 한 쌍의 전극들을 포함한다. 상기 전극들 사이에 상기 정전압이 인가될 때, 정전척(18)은 존슨-라벡 효과 (Johnsen-Rahbek effect)에 따라 상기 반도체 기판(W)을 정전기적으로 끌어당겨 상기 반도체 기판(W)를 척킹(chucking)한다. 이때, 상기 정전척(18) 상에 위치한 반도체 기판(W)은 상기 정전척(18)에 인가되는 정전압에 의해 상기 정전척(18)에 인접하는 상기 반도체 기판(W)면에 상기 정전압에 반대되는 극성의 전하가 유도된다. 따라서, 상기 반도체 기판(W)에 유도된 상기 전하에 의해 유도 기전력이 발생되고, 상기 반도체 기판(W)이 상기 정전척(18)에 고정된다. In addition, the electrostatic chuck 18 must hold the semiconductor substrate W with a predetermined pressing force so that the refrigerant does not flow out of the rear surface of the semiconductor substrate W. Therefore, the electrostatic chuck 18 chucks the semiconductor substrate W by using the constant voltage supplied from the electrostatic chuck power supply 20. For example, the electrostatic chuck 18 includes a pair of electrodes embedded in a chuck body or sheet made of a dielectric material. When the constant voltage is applied between the electrodes, the electrostatic chuck 18 electrostatically attracts the semiconductor substrate W according to the Johnson-Rahbek effect to chuck the semiconductor substrate W. (chucking) At this time, the semiconductor substrate W located on the electrostatic chuck 18 is opposed to the constant voltage on the surface of the semiconductor substrate W adjacent to the electrostatic chuck 18 by a constant voltage applied to the electrostatic chuck 18. The charge of the polarity is induced. Therefore, induced electromotive force is generated by the charge induced in the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is fixed to the electrostatic chuck 18.

하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the semiconductor manufacturing equipment according to the prior art had the following problems.

첫째, 종래의 반도체 제조설비는 상기 챔버(10) 내부에서 반도체 제조공정이 완료된 후 상기 정전척 전원공급부(20)에서 공급되는 정전압을 제거하여 상기 반도체 기판(W)을 상기 정전척(18)으로부터 분리시키고자 할 경우, 상기 반도체 기판(W)에서 잔존하는 전하에서 기인되는 정전기력에 의해 상기 반도체 기판(W)이 정상적으로 분리되지 않고 파손(sticking)될 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.First, the conventional semiconductor manufacturing equipment removes the constant voltage supplied from the electrostatic chuck power supply unit 20 after the semiconductor manufacturing process is completed in the chamber 10 to remove the semiconductor substrate W from the electrostatic chuck 18. When the separation is to be performed, production yield is low because the semiconductor substrate W may be sticked without being normally separated by the electrostatic force resulting from the charge remaining in the semiconductor substrate W.

둘째, 종래의 반도체 제조설비는 반도체 기판(W)의 제조공정이 완료 후 상기 정전척(18)이 대전되어 있어 챔버(10)에 잔존하는 파티클 또는 폴리머와 같은 상기 오염막질이 상기 정전척(18)을 오염시킬 수 있기 때문에 상기 정전척(18)의 수명이 줄어드는 문제점이 있었다.Second, in the conventional semiconductor manufacturing equipment, the electrostatic chuck 18 such as particles or polymer remaining in the chamber 10 is charged after the electrostatic chuck 18 is charged after the manufacturing process of the semiconductor substrate W is completed. ), There is a problem that the life of the electrostatic chuck 18 is reduced.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 제조공정이 완료된 후 반도체 기판(W)을 정전척(18)에서 분리시킬 경우, 상기 반도체 기판(W)을 정전척(18)으로부터 정상적으로 분리되도록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, when the semiconductor substrate (W) is separated from the electrostatic chuck 18 after the semiconductor manufacturing process is completed, the semiconductor substrate (W) is normally separated from the electrostatic chuck 18 The purpose is to provide a semiconductor manufacturing equipment that can increase or maximize the production yield.

또한, 본 발명의 다른 목적은 반도체 기판(W)의 제조공정 완료 후 오염막질이 정전척(18)을 오염시키는 것을 줄여 상기 정전척(18)의 수명을 연장시킬 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing equipment capable of extending the life of the electrostatic chuck 18 by reducing the contamination of the electrostatic chuck 18 after the completion of the manufacturing process of the semiconductor substrate (W). There is.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상에 따른 본 발명의 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정이 수행되는 챔버; 상기 챔버 내부에서 반도체 기판을 지지하는 정전척; 상기 정전척에 상기 반도체 기판이 정전기적으로 고정되도록 상기 정전척에 정전압을 인가하는 정전척 전원공급부; 및 상기 챔버에서의 반도체 제조공정 중에 상기 정전척 전원공급부에서 상기 정전척에 상기 정전압을 인가토록 하고, 상기 챔버에서의 반도체 제조공정이 완료되면 상기 정전척으로부터 상기 반도체 기판을 분리시키기 위해 정전척을 접지하도록 형성된 디척킹 유닛을 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed; An electrostatic chuck supporting a semiconductor substrate in the chamber; An electrostatic chuck power supply unit applying a constant voltage to the electrostatic chuck to electrostatically fix the semiconductor substrate to the electrostatic chuck; And applying the constant voltage to the electrostatic chuck from the electrostatic chuck power supply during the semiconductor manufacturing process in the chamber, and separating the semiconductor substrate from the electrostatic chuck when the semiconductor manufacturing process in the chamber is completed. And a dechucking unit configured to ground.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태 로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, only this embodiment to make the disclosure of the present invention complete, complete the scope of the invention to those skilled in the art It is provided to inform you.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비는 외부로부터 독립된 내부 공간에 불활성 기체 및 반응 가스로 충만되어 반도체 제조공정이 수행되는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 상단에 형성된 상부 전극(112)과, 상기 상부 전극(112)에 인접하여 상기 챔버(100) 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드(114)와, 상기 샤워헤드(114)에 대향되는 상기 챔버(100)의 하단에 형성된 하부 전극(116)과, 상기 하부 전극(116)의 상부에서 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 정전척(118)과, 상기 정전척(118)에 상기 반도체 기판(W)이 정전기적으로 고정(chucking)되도록 상기 정전척(118)에 정전압을 인가하는 정전척 전원공급부(120)와, 상기 챔버(100)에서의 반도체 제조공정 중에 상기 정전척 전원공급부(120)에서 상기 정전척(118)에 상기 정전압을 인가토록 하고, 상기 챔버(100)에서의 반도체 제조공정이 완료되면 상기 정전척(118)으로부터 상기 반도체 기판(W)을 분리시키기 위해 정전척(118)을 접지시켜 상기 정전척(118)이 상기 반도체 기판(W)을 디척킹하도록 형성된 디척킹 유닛(122)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is filled with an inert gas and a reactive gas in an internal space independent from the outside, and is formed at the top of the chamber 100 and the chamber 100 where the semiconductor manufacturing process is performed. An upper electrode 112, a showerhead 114 for injecting the inert gas and a reactive gas in the chamber 100 adjacent to the upper electrode 112, and the chamber opposite to the showerhead 114. A lower electrode 116 formed at a lower end of the 100, an electrostatic chuck 118 supporting the semiconductor substrate W on the lower electrode 116, and a semiconductor substrate ( An electrostatic chuck power supply 120 for applying a constant voltage to the electrostatic chuck 118 so that W) is electrostatically chucked, and the electrostatic chuck power supply 120 during a semiconductor manufacturing process in the chamber 100. To apply the constant voltage to the electrostatic chuck 118 at When the semiconductor fabrication process in the chamber 100 is completed, the electrostatic chuck 118 is grounded to separate the semiconductor substrate W from the electrostatic chuck 118 so that the electrostatic chuck 118 is connected to the semiconductor substrate. And a dechucking unit 122 configured to dechuck (W).

도시되지는 않았지만, 상기 챔버(100)에서의 반도체 제조공정이 완료되면 상기 디척킹 유닛(122)이 정전척(118)을 접지시켜 디척킹하도록 상기 디척킹 유닛(122)에 제어신호를 출력하는 제어부(130)를 더 포함하여 구성된다.Although not shown, when the semiconductor manufacturing process in the chamber 100 is completed, the dechucking unit 122 outputs a control signal to the dechucking unit 122 to ground and dechuck the electrostatic chuck 118. It further comprises a control unit 130.

여기서, 상기 챔버(100)는 상기 반도체 기판(W)이 외부의 오염물질에 의해 오염되지 않고 반도체 제조공정이 우수하게 수행되도록 하기 위해 진공 상태를 갖도록 설정된다. 도시되지는 않았지만, 상기 챔버(100)의 하부에서 외부로 연결되는 배기 라인을 통해 상기 챔버(100) 내에 공급되는 상기 불활성 가스, 상기 반응 가스 및 반응 후 가스를 소정의 펌핑 압력으로 펌핑하는 진공 펌프가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 진공 펌프는 10-6Torr 정도의 고진공을 만들기 위한 터보 펌프와 같은 고진공 펌프와, 10-3Torr 정도의 저진공을 만들기 위한 드라이 펌프와 같은 저진공 펌프를 포함하여 이루어진다.Here, the chamber 100 is set to have a vacuum state so that the semiconductor substrate W is not contaminated by external contaminants and the semiconductor manufacturing process is performed well. Although not shown, a vacuum pump for pumping the inert gas, the reactive gas, and the reacted gas supplied to the chamber 100 to a predetermined pumping pressure through an exhaust line connected to the outside from the lower portion of the chamber 100. Is formed. For example, the vacuum pump includes a high vacuum pump such as a turbo pump for producing high vacuum on the order of 10 -6 Torr and a low vacuum pump such as a dry pump for producing low vacuum on the order of 10 -3 Torr.

상기 상부 전극(112)과 상기 하부 전극(116)은 외부에서 인가되는 고주파 파워를 이용하여 상기 챔버(100) 내부에 충만되는 상기 불활성 가스 및 반응 가스를 고온에서 전자와 고온의 양이온의 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 전극이다. 도시되지는 않았지만, 상기 챔버(100)의 외부에서 상기 상부 전극(112) 또는 상기 하부 전극(116)에 고주파 파워를 정합시켜 인가하는 매칭 박스가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 상부 전극(112) 또는 하부 전극(116)에 인가되는 고주파 파워는 약 20000V정도의 전압과 약 수십 와트(W) 또는 수백 와트(W)정도의 에너지를 갖는다.The upper electrode 112 and the lower electrode 116 convert the inert gas and the reactive gas filled in the chamber 100 into a plasma state of electrons and high temperature cations at a high temperature by using a high frequency power applied from the outside. It is a plasma electrode to excite. Although not shown, a matching box is formed to match high frequency power to the upper electrode 112 or the lower electrode 116 from the outside of the chamber 100. For example, the high frequency power applied to the upper electrode 112 or the lower electrode 116 has a voltage of about 20000V and an energy of about tens of watts (W) or hundreds of watts (W).

또한, 상기 정전척(118) 상에 고정 지지되어 반도체 기판(W)은 고온의 플라즈마 반응에 의해 소정의 온도로 가열될 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 반응은 약 700℃ 내지 약 800℃정도에서 이루어진다. 따라서, 상기 플라즈마 반응에 의해 상기 반도체 기판(W)이 가열되어 상기 반도체 기판(W) 상에 이온주입된 도전성 불 순물이 열화되거나, 상기 반도체 기판(W) 상에 형성된 도전성 금속 배선이 단선되는 것을 방지하기 위해 상기 정전척(118)과 상기 반도체 기판(W)의 후면사이에 냉매를 유동시키는 소정 크기의 냉매 홀이 상기 정전척(118) 상에서 방사상으로 균일하게 형성되어 있다. 예컨대, 상기 냉매는 헬륨 또는 갈덴이 주로 사용되며 상기 냉매는 정전척(118) 상에 형성된 냉매 홀을 따라 순환공급되면서 상기 반도체 기판(W)을 냉각시키면서 순환 공급된다. 화학기상증착공정 또는 건식식각공정의 진행중에 상기 플라즈마 반응이 고온의 이온 분리상태를 요하기 때문에 상기 반도체 기판(W)의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해 상기 정전척(118) 상에 헬륨 홀을 형성하여 헬륨가스를 순환 공급하여 상기 기판(108)의 표면 온도를 하강시켜 진행될 수 있다. 이때, 상기 냉매가 상기 반도체 기판(W) 후면에서 바깥으로 누설될 경우, 상기 챔버(100) 내부에서의 반도체 제조공정 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 정전척(118) 상에서 반도체 기판(W)은 소정의 압착력을 갖고 고정되어야 한다. In addition, the semiconductor substrate W may be fixedly supported on the electrostatic chuck 118 to be heated to a predetermined temperature by a high temperature plasma reaction. For example, the plasma reaction is performed at about 700 ° C to about 800 ° C. Therefore, the semiconductor substrate W is heated by the plasma reaction to deteriorate conductive impurities implanted on the semiconductor substrate W, or to disconnect the conductive metal wiring formed on the semiconductor substrate W. In order to prevent this, a coolant hole having a predetermined size for allowing a coolant to flow between the electrostatic chuck 118 and the back surface of the semiconductor substrate W is radially uniformly formed on the electrostatic chuck 118. For example, helium or galden is mainly used as the refrigerant, and the refrigerant is circulated and supplied while cooling along the refrigerant hole formed on the electrostatic chuck 118 while cooling the semiconductor substrate W. During the chemical vapor deposition process or the dry etching process, helium holes are formed on the electrostatic chuck 118 to prevent the temperature of the semiconductor substrate W from rising because the plasma reaction requires a high temperature of ion separation. It may be formed by circulating and supplying helium gas to lower the surface temperature of the substrate 108. In this case, when the refrigerant leaks out from the back surface of the semiconductor substrate W, a defect in the semiconductor manufacturing process in the chamber 100 may occur. Therefore, the semiconductor substrate W on the electrostatic chuck 118 should be fixed with a predetermined pressing force.

예컨대, 상기 정전척(118)은 존슨-라벡 효과를 이용하여 상기 반도체 기판(W)을 소정 크기의 정전력으로 압착 고정시킨다. 존슨-라벡 효과는 1920년 존슨과 라벡에 의해 마노(瑪瑙), 점판암(粘板岩)등과 같은 약한 전도성 물질을 연마한 판과 인접한 금속 판이 200V의 전압이 가해진 상태로 단단하게 결합하는 현상으로 발견되었다. 전하가 없는 상태에서는 이러한 결합이 쉽게 끊어진다. 이 현상은 몇몇 점에서 약한 전도성 물질과 금속이 접촉하기 때문에 일어나는 것이다. 이는 전이 영역에서의 저항은 크고, 금속판의 횡단면 사이와 금속판 자체 내에서의 저항력은 작기 때문에 발생한다. 따라서 금속과 물체 사이의 전이 공간에 조금이라도 전기장 이 존재한다면, 큰 전압이 발생한다. 금속과 물체사이의 거리는 거의 1nm정도로 작기 때문에, 이 공간 사이로 큰 전압이 발생하는 것이다. 상기 정전척(118)은 상기 존슨-라벡 효과에 의해 유도되는 정전력을 이용해 반도체 기판(W)과 접촉하지 않고도 반도체 기판(W)을 착탈할 수 있는 소모성 부분이다. 이때, 존슨-라벡 효과와 관련된 힘은 전위차가 가해지는 시간에 따라 증가한다. 전위차가 전극으로부터 제거될 때에, 잔류하는 힘은 시간에 따라 점차 감소할 것이다. 이는 존슨-라벡 효과의 힘이 너무 큰 경우, 정전척(118)으로부터 반도체 기판(W)을 즉각적으로 분리시킬 수 없다. 따라서, 상기 정전척(118)은 존슨-라벡 효과에 의해 고정 압착 시 상기 반도체 기판(W)의 표면에 유도된 전하를 보상하기 위해 접지되어 상기 반도체 기판(W)을 디척킹토록 할 수 있다. 이때, 반도체 기판(W)은 소정 레벨의 전하가 잔존하더라도 상기 정전척(118)이 접지되어 상기 반도체 기판(W)에 잔존하는 전하에 의해 유도되는 정전력이 보상되어 분리되도록 할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 정전척(118) 상에서 상기 반도체 기판(W)을 리프팅 시키는 복수개의 리프트 핀이 상기 정전척(118)에 형성된 복수개의 핀홀을 관통하여 상기 반도체 기판(W)을 상기 정전척(118)에 안착시키거나 상기 반도체 기판(W)을 상기 정전척(118) 상에서 분리시킬 수 있다. For example, the electrostatic chuck 118 press-fixes the semiconductor substrate W with a constant power of a predetermined size by using the Johnson-Labeck effect. The Johnson-Lavec effect was discovered in 1920 by Johnson and Lavec, in which a weakly conductive material such as agate and slate rock and a metal plate adjacent to it were tightly coupled with a voltage of 200V. In the absence of charge, this bond is easily broken. This phenomenon occurs in some ways because the metal is in contact with the weak conductive material. This occurs because the resistance in the transition region is large and the resistance between the cross sections of the metal plate and in the metal plate itself is small. Therefore, if there is any electric field in the transition space between the metal and the object, a large voltage is generated. Since the distance between the metal and the object is as small as about 1 nm, a large voltage is generated between these spaces. The electrostatic chuck 118 is a consumable part capable of attaching and detaching the semiconductor substrate W without contacting the semiconductor substrate W using the electrostatic force induced by the Johnson-Labeck effect. At this time, the force associated with the Johnson-Labeck effect increases with the time that the potential difference is applied. When the potential difference is removed from the electrode, the remaining force will gradually decrease with time. This may not immediately separate the semiconductor substrate W from the electrostatic chuck 118 if the force of the Johnson-Labeck effect is too large. Accordingly, the electrostatic chuck 118 may be grounded to compensate for the charge induced on the surface of the semiconductor substrate W during the fixed compression by the Johnson-Labeck effect. In this case, even if a predetermined level of charge remains in the semiconductor substrate W, the electrostatic chuck 118 may be grounded so that the electrostatic force induced by the charge remaining in the semiconductor substrate W may be compensated for and separated. Although not shown, a plurality of lift pins for lifting the semiconductor substrate W on the electrostatic chuck 118 pass through the plurality of pinholes formed in the electrostatic chuck 118 to pass the semiconductor substrate W to the electrostatic chuck. The semiconductor substrate W may be seated at 118 or separated from the electrostatic chuck 118.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는, 챔버(100)에서의 반도체 제조공정이 완료되면 정전척(118)으로부터 반도체 기판(W)을 분리시키기 위해 정전척(118)을 접지시켜 상기 정전척(118)이 상기 반도체 기판(W)을 디척킹하도록 형성된 디척킹 유닛(122)을 구비하여 상기 반도체 기판(W)에 잔존하는 전하에 기인되어 유 도되는 정전기력에 의해 상기 반도체 기판(W)이 정전척(118)으로부터 정상적으로 분리되지 않거나 파손되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, when the semiconductor manufacturing process in the chamber 100 is completed, the electrostatic chuck 118 is grounded to separate the semiconductor substrate W from the electrostatic chuck 118. 118 has a dechucking unit 122 formed to dechuck the semiconductor substrate W so that the semiconductor substrate W is electrostatically induced by an electrostatic force induced due to the charge remaining in the semiconductor substrate W. Since it can be prevented from being normally separated or broken from the chuck 118, the production yield can be increased or maximized.

도 3은 도 2의 디척킹 유닛(122)을 자세하게 나타내기 위한 다이아 그램으로서, 본 발명에 따른 디척킹 유닛(122)은 정전척(118)과 상기 정전척 전원공급부(120)사이에 형성되고, 상기 정전척(118)의 척킹 동작 시 상기 정전척 전원공급부(120)와 상기 정전척(118)의 전극(119)을 서로 연결시키고, 상기 정전척(118)의 디척킹 동작 시 상기 정전척(118)의 전극(119)을 접지토록 스위칭하는 복수개의 릴레이 스위치를 포함하여 이루어진다.3 is a diagram for showing the dechucking unit 122 of FIG. 2 in detail, a dechucking unit 122 according to the present invention is formed between the electrostatic chuck 118 and the electrostatic chuck power supply 120 The electrostatic chuck 118 connects the electrostatic chuck power supply 120 and the electrode 119 of the electrostatic chuck 118 to each other during the chucking operation of the electrostatic chuck 118. And a plurality of relay switches for switching the electrode 119 of 118 to ground.

여기서, 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 제어부(130)에서 출력되는 제어신호를 이용하여 상기 정전척(118)이 상기 반도체 기판(W)을 척킹하거나 디척킹토록 할 수 있다. 예컨대, 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 정전척 전원공급부(120)에서 출력되는 상기 정전압을 상기 정전척(118)의 전극(119)으로 인가되도록 스위칭하는 고전압 릴레이 스위치를 포함하여 이루어진다. 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 제어부(130)에서 입력되는 제어신호에 의해서 상기 정전척(118) 복수개의 전극단(119)을 기준으로 접지단(126)과, 정전척 전원공급단(128)을 각각 스위칭토록 형성되어 있다. 이때, 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 접지단(126)을 포함하여 상기 정전척 전원공급부(120) 내에 형성되어도 무방하다.Here, the plurality of relay switches may allow the electrostatic chuck 118 to chuck or dechuck the semiconductor substrate W using a control signal output from the controller 130. For example, the plurality of relay switches include a high voltage relay switch for switching the constant voltage output from the electrostatic chuck power supply 120 to be applied to the electrode 119 of the electrostatic chuck 118. The plurality of relay switches may connect the ground terminal 126 and the electrostatic chuck power supply terminal 128 with respect to the plurality of electrode terminals 119 of the electrostatic chuck 118 by a control signal input from the controller 130. Each is formed to switch. In this case, the plurality of relay switches may be formed in the electrostatic chuck power supply unit 120 including the ground terminal 126.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 정전척(118)의 척킹 시 정전척 전원공급부(120)에서 인가되는 정전압을 상기 정전척(118)의 전극(119)에 인가하 고, 상기 정전척(118)의 디척킹 시 상기 정전척(118)의 전극(119)을 접지시키는 복수개의 릴레이 스위치를 이용하여 상기 정전척(118)에서 상기 반도체 기판(W)을 분리시킥자 할 경우, 상기 반도체 기판(W)에 잔존하는 전하에 기인되어 유도되는 정전기력에 의해 상기 반도체 기판(W)이 정전척(118)으로부터 정상적으로 분리되지 않거나 파손되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Accordingly, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention applies a constant voltage applied from the electrostatic chuck power supply 120 to the electrode 119 of the electrostatic chuck 118 when the electrostatic chuck 118 is chucked, and the electrostatic chuck ( When the semiconductor substrate W is separated from the electrostatic chuck 118 by using a plurality of relay switches that ground the electrode 119 of the electrostatic chuck 118 during the dechucking of the 118. Since the semiconductor substrate W can be prevented from being normally separated or broken from the electrostatic chuck 118 due to the electrostatic force induced due to the charge remaining in the (W), the production yield can be increased or maximized.

도 4는 누적 사용시간에 따른 도 2의 정전척(118)의 단면을 나타내는 도면으로서, 누적 사용시간이 작은 새로운 정전척(118)은 상기 정전척 전원공급부(120)로부터 인가되는 상기 정전압을 받아 소정의 전하로 대전되는 전극(119) 상에서 위치되는 상기 반도체 기판(W)의 하부를 지지하여 신축성이 부여되는 유전체 세라믹 코팅층(117)이 형성되어 있다(도 4a). 4 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck 118 of FIG. 2 according to a cumulative use time, and a new electrostatic chuck 118 having a small cumulative use time receives the constant voltage applied from the electrostatic chuck power supply unit 120. A dielectric ceramic coating layer 117 is formed to support a lower portion of the semiconductor substrate W positioned on the electrode 119 that is charged with a predetermined electric charge (FIG. 4A).

반면, 누적 사용시간이 많은 정전척(118)은 상기 유전체 세라믹 코팅층(117) 상에 파티클이나 폴리머와 같은 오염막질(132)이 소정두께를 갖도록 형성되어 상기 반도체 기판(W)의 척킹 동작과, 디척킹 동작의 효율을 떨어뜨릴 수 있다(도 4b). 상기 오염막질(132)은 상기 정전척(118)이 소정의 전하로 대전되어 있을 경우, 상기 정전척(118)을 더 빠르게 오염시키기 때문에 상기 정전척(118)의 수명을 감소시킨다.On the other hand, the electrostatic chuck 118, which has a large cumulative use time, is formed on the dielectric ceramic coating layer 117 so that the contaminant film 132 such as particles or polymers has a predetermined thickness, and thus the chucking operation of the semiconductor substrate W, The efficiency of the dechucking operation can be degraded (FIG. 4B). The fouling film 132 reduces the life of the electrostatic chuck 118 because the electrostatic chuck 118 pollutes the electrostatic chuck 118 more quickly when the electrostatic chuck 118 is charged with a predetermined charge.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 반도체 기판(W)의 제조공정이 완료되면 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 정전척(118)을 접지시키는 디척킹 유닛(122)을 구비하여 상기 오염막질(132)에 의한 상기 정전척(118)의 오염을 방지토록 할 수 있기 때문에 상기 정전척(118)의 수명을 연장토록 할 수 있다. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a dechucking unit 122 for grounding the electrostatic chuck 118 supporting the semiconductor substrate W when the manufacturing process of the semiconductor substrate W is completed. Since it is possible to prevent contamination of the electrostatic chuck 118 by 132, it is possible to extend the life of the electrostatic chuck 118.

예컨대, 상기 정전척(118)이 장시간(평균 누적 사용시간이상)사용되어 상기 정전척(118) 상에 소정 두께의 오염막질(132)이 형성될 경우, 상기 오염막질(132)이 소정의 전하로 대전되어 상기 정전척(118)의 디척킹 시 상기 반도체 기판(W)에 잔존하는 전하와 소정크기의 정전기력을 갖는다. 이때, 상기 정전척(118)의 디척킹 동작 시 상기 반도체 기판(W)에 잔존하는 전하에 의해 상기 오염막질(132)에 전하가 유도되어 종래의 더킹(ducking)문제와 같은 반도체 기판(W)의 깨짐 현상이 발생될 수 있으나, 본 발명에서는 정전척(118)이 상기 디척킹 유닛(122)에 의해 접지됨으로서 상기 오염막질(132)에 유도된 전하를 제거시켜 종래의 더킹 문제와 같은 상기 반도체 기판(W)의 깨짐 현상을 제거토록 할 수 있다. For example, when the electrostatic chuck 118 is used for a long time (average cumulative usage time or more) so that the fouling film 132 having a predetermined thickness is formed on the electrostatic chuck 118, the fouling film 132 may have a predetermined charge. When the electrostatic chuck 118 is charged to have a charge remaining on the semiconductor substrate (W) and the electrostatic force of a predetermined size. At this time, during the dechucking operation of the electrostatic chuck 118, charge is induced in the contaminant film 132 by the charge remaining in the semiconductor substrate W so that the semiconductor substrate W may be the same as a conventional ducking problem. In the present invention, the electrostatic chuck 118 is grounded by the dechucking unit 122 to remove the electric charges induced in the contaminant 132, thereby preventing the semiconductor from being a conventional ducking problem. The cracking phenomenon of the substrate W can be eliminated.

또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. In addition, the description of the above embodiment is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention, it should not be construed as limiting the present invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 챔버에서의 반도체 제조공정이 완료되면 정전척으로부터 반도체 기판을 분리시키기 위해 정전척을 접지시켜 상기 정전척이 상기 반도체 기판을 디척킹하도록 형성된 디척킹 유닛을 구비하여 상기 반도체 기판에 잔존하는 전하에 기인되어 유도되는 정전기력에 의해 상기 반도체 기판이 정전척으로부터 정상적으로 분리되지 않거나 파손되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, when the semiconductor manufacturing process in the chamber is completed, the dechucking unit is formed to ground the electrostatic chuck to separate the semiconductor substrate from the electrostatic chuck so that the electrostatic chuck dechucks the semiconductor substrate. It is possible to prevent the semiconductor substrate from being normally separated or broken from the electrostatic chuck due to the electrostatic force induced by the charge remaining in the semiconductor substrate, thereby increasing or maximizing the production yield.

또한, 반도체 기판의 제조공정이 완료되면 상기 반도체 기판을 지지하는 정전척을 접지시키는 디척킹 유닛을 구비하여 상기 오염막질에 의한 상기 정전척의 오염을 방지토록 할 수 있기 때문에 상기 정전척의 수명을 연장토록 할 수 있는 효과가 있다.In addition, when the manufacturing process of the semiconductor substrate is completed, a dechucking unit for grounding the electrostatic chuck supporting the semiconductor substrate can be provided to prevent contamination of the electrostatic chuck by the fouling film quality, so as to extend the life of the electrostatic chuck. It can work.

Claims (4)

반도체 제조공정이 수행되는 챔버;A chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed; 상기 챔버 내부에서 반도체 기판을 지지하는 정전척;An electrostatic chuck supporting a semiconductor substrate in the chamber; 상기 정전척에 상기 반도체 기판이 정전기적으로 고정되도록 상기 정전척에 정전압을 인가하는 정전척 전원공급부; 및An electrostatic chuck power supply unit applying a constant voltage to the electrostatic chuck to electrostatically fix the semiconductor substrate to the electrostatic chuck; And 상기 챔버에서의 반도체 제조공정 중에 상기 정전척 전원공급부에서 상기 정전척에 상기 정전압을 인가토록 하고, 상기 챔버에서의 반도체 제조공정이 완료되면 상기 정전척으로부터 상기 반도체 기판을 분리시키기 위해 정전척을 접지하도록 형성된 디척킹 유닛을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The electrostatic chuck power supply unit applies the constant voltage to the electrostatic chuck during the semiconductor manufacturing process in the chamber, and grounds the electrostatic chuck to separate the semiconductor substrate from the electrostatic chuck when the semiconductor manufacturing process in the chamber is completed. And a dechucking unit formed so as to be formed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 디척킹 유닛은 정전척과 상기 정전척 전원공급부사이에 형성되고, 상기 정전척의 척킹 동작 시 상기 정전척 전원공급부와 상기 정전척의 전극을 서로 연결시키고, 상기 정전척의 디척킹 동작 시 상기 정전척의 전극을 접지토록 스위칭하는 복수개의 릴레이 스위치를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The dechucking unit is formed between the electrostatic chuck and the electrostatic chuck power supply unit, and connects the electrodes of the electrostatic chuck power supply unit and the electrostatic chuck to each other during the chucking operation of the electrostatic chuck, and grounds the electrodes of the electrostatic chuck during the dechucking operation of the electrostatic chuck. And a plurality of relay switches for switching. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 정전척 전원공급부에서 출력되는 상기 정전압을 상기 정전척의 전극으로 인가되도록 스위칭하는 고전압 릴레이 스위치를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The plurality of relay switches comprises a high voltage relay switch for switching the constant voltage output from the electrostatic chuck power supply unit to be applied to the electrode of the electrostatic chuck. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 복수개의 릴레이 스위치는 상기 접지단을 포함하여 상기 정전척 전원공급부 내에 형성함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And the plurality of relay switches are formed in the electrostatic chuck power supply unit including the ground terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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