KR20070081515A - The super protection circuit moudle - Google Patents

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Abstract

A super PCM(Protection Circuit Module) is provided to extend usage time by increasing a battery discharge capacity through an EDLC and a current limit and boosting circuit as the ASIC(Application-specific integrated chip). A super PCM includes a current limiting circuit(30), a boosting circuit(40), and a charging unit(50). The current limiting circuit(30) is connected at one side of a battery protecting circuit(20) which is formed at an inner side of a battery pack, detects whether a voltage of a charged EDLC(Electric Double Layer Capacitor) is over a set value, charges the EDLC, and controls current not to exceed a set value. The boosting circuit(40) is connected at one side of the current limiting circuit(30), generates voltage over battery voltage, makes the voltage as DC, rectifies the voltage to charge the EDLC. The charging unit(50) charges the EDLC with energy accumulated in a coil through MOSFET 1, and 2 of the current limiting circuit(30).

Description

전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM{THE SUPER PROTECTION CIRCUIT MOUDLE}SuperPCM equipped with an ECC that increases battery discharge capacity and an ASC with current limiting and boosting circuits {THE SUPER PROTECTION CIRCUIT MOUDLE}

도 1은 종래 전지의 부하소비전류 방전율에 따른 용량특성 그래프,1 is a capacity characteristic graph according to a load consumption current discharge rate of a conventional battery;

도 2는 본 발명에 따른 휴대폰, 디지털 카메라용 전지팩 내부의 회로구성을 도시한 블록도,2 is a block diagram showing a circuit configuration inside a battery pack for a mobile phone and a digital camera according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 휴대폰, 디지털 카메라 본체의 전지 입력부 내부회로도,3 is an internal circuit diagram of a battery input unit of a mobile phone and a digital camera body according to the present invention;

도 4은 본 발명에 따른 EDLC 및 전류제한·승압회로를 이용한 휴대폰, 디지털 카메라 본체 내부에 설치되는 내부회로도, 4 is an internal circuit diagram installed inside a mobile phone and a digital camera main body using an EDLC and a current limiting and boosting circuit according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압회로를 ASIC화하여 휴대폰용 전지일측에 장착되는 것을 도시한 일실시예도,5 is an embodiment showing that the EDLC and the current limiting and boosting circuit according to the present invention are mounted on one side of a battery for a mobile phone by ASIC;

도 6은 휴대폰의 연속통화시간을 기준으로 한 종래와 본 발명의 성능을 비교한 그래프,6 is a graph comparing the performance of the conventional and the present invention based on the continuous talk time of the mobile phone,

도 7은 종래와 본 발명의 전지의 라이프 사이클을 비교한 그래프,7 is a graph comparing the life cycle of the battery of the prior art and the present invention,

※ 도면부호의 간단한 설명 ※※ Brief description of drawing code ※

1 : 휴대 기기 20 : 전지보호회로1: portable device 20: battery protection circuit

30 : 전압제한회로 40 : 승압회로30: voltage limit circuit 40: boost circuit

50 : 충진부50: filling part

본 발명은 휴대폰, 디지털카메라등의 휴대기기의 본체내부 또는 그에 사용되는 리튬이온전지/리튬폴리머전지, 연료전지, 밀폐형연축전지등의 2차전지의 일측에 전지방전용량을 증대시키기 위한 EDLC 및 전류제한·승압회로로 구성하여 장착함으로서, 모바일용 리튬이온전지 등 상기 전지의 성능과 방전특성상 한계가 있는 순간 피크치 방전 전류의 공급을 어시스트하는 기능을 갖춘 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM에 관한 것이다.The present invention provides an EDLC and an electric current for increasing battery discharge capacity on one side of a main body of a portable device such as a mobile phone or a digital camera or a secondary battery such as a lithium ion battery / lithium polymer battery, a fuel cell, or a sealed lead-acid battery. EDLC and current limit increase battery discharge capacity with the function of assisting the supply of instantaneous peak value discharge current, which is limited by the performance and discharge characteristics of the battery such as mobile lithium-ion battery, by installing it by limiting and boosting circuit. A booster circuit is related to a super PCM equipped with an ASIC.

일반적으로, 모바일용 상기전지들 중 리튬이온전지/리튬폴리마전지는 특성상 과전압충전, 저전압방전 및 과전류방전이 금지되도록 하여 수명과 성능을 유지하기 위해서 상기의 전지보호회로를 필수적으로 내장한 전지팩으로 구성되어 사용되고 있다.In general, the lithium ion battery / lithium polymer battery among the above-mentioned mobile batteries is a battery pack which essentially incorporates the above battery protection circuit to maintain the life and performance by preventing overvoltage charging, low voltage discharge and overcurrent discharge. It is constructed and used.

상기의 전지들은 휴대기기 본체 소비전류의 대·소 즉, 전지의 방전율(Discharge Rate)의 증가에 따라서 정격용량을 발휘하지 못한다.The above batteries do not exhibit their rated capacity in accordance with the large and small current consumption of the main body of the portable device, that is, the increase in the discharge rate of the batteries.

통상 2차전지의 정격용량이 도 1에 도시된 바와 같이 예를들어 1,000mAh로 표기되어 있다면, 방전조건으로서 5시간 동안 방전하여 총 방전된 전기량, 이를테 면 0.2C의 방전전류 200mA × 5 hours= 1,000 mAh가 되는것을 의미한다. In general, if the rated capacity of the secondary battery is indicated as, for example, 1,000 mAh as shown in FIG. 1, the total discharged electricity by discharging for 5 hours as a discharge condition, for example, a discharge current of 0.2C 200 mA × 5 hours = 1,000 mAh.

여기에서 다른 조건, 1.0C의 방전전류 1,000mA로 방전한다면 계산상으로는 1시간 동안 사용가능한 것으로 생각되지만 실제로는 90~95%정도인 54분~57분에 전지가 소모되어 버린다. If the battery is discharged at 1,000 mA of discharge current of 1.0C under other conditions, it can be used for 1 hour by calculation, but the battery is consumed in 54 to 57 minutes, which is about 90 to 95%.

즉, 방전량을 높이면 높일수록 정격용량에 비해 60-70% 까지도 용량을 발휘하지 못하는 것이다. 게다가 방전율이 높은 상태로 전지를 계속 사용하면 수명이 짧아지는 문제점이 발생하였다.In other words, as the discharge amount is increased, the capacity is not exhibited up to 60-70% of the rated capacity. In addition, if the battery continues to be used in a high discharge rate, a problem of shortening the lifespan occurred.

상기의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 휴대기기에 사용되는 상기전지들이 정격용량을 대부분 발휘할 수 있는 0.5C(휴대폰의 경우 연속 2시간의 DMB감상 또는 총통화시간 2시간 정도의 방전율) 이상의 전류가 흐르지 않도록 하여, 전지의 성능을 충분히 발휘할 수 있게 하고, 전지의 라이프사이클도 연장할 수 있게해주는 EDLC와 전류제한·승압ASIC의 회로기술을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention devised to solve the above problems is that the above-mentioned batteries used in mobile devices can exhibit most of the rated capacity of 0.5C (discharge rate of 2 hours continuous DMB or total talk time 2 hours in the case of a mobile phone) or more The aim is to provide a circuit technology of EDLC and current limiting and boosting ASIC that allows the battery to fully exhibit its performance and extend the battery life cycle.

상기의 목적을 위해, 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압ASIC이 결합 구성된 휴대기기와 전지팩은 상기 전지들의 일측에 형성된 전지보호회로에 전지의 에너지를 저장하는 EDLC의 전압이 설정치에 도달할 때까지 제한된 전류로 충전을 제어하기 위해 전류스위치 역할의 MOS FET, 전류검출역할의 전류미러 MOS FET, 검출 된 미러전류를 비교하는 에러증폭기, 전류제한치를 설정하기위한 외부접속 Resistor, 기준전압원, 전류설정치와 흐르는 전류의 비교기, 전지전압이 설정 전압보다 낮으면 출력전압을 승압하기위한 PWM회로, 인덕터를 구동하기위한 MOS FET, 발생된 펄스를 DC전압으로 정류하는 쇼트키베리어 다이오드, 그 에너지를 일시 저장하는 EDLC와 결선 구성됨으로써 달성된다.For the above purpose, the portable device and the battery pack configured by combining the EDLC and the current limiting / boost-up ASIC according to the present invention, the voltage of the EDLC for storing the energy of the battery in the battery protection circuit formed on one side of the battery reaches a set value. MOS FET acting as current switch, current mirror MOS FET to control charging with limited current, error amplifier to compare detected mirror current, external connection resistor to set current limit, reference voltage source, current Comparator of set value and current flowing, PWM circuit for boosting output voltage when battery voltage is lower than set voltage, MOS FET for driving inductor, Schottky Barrier diode rectifying generated pulse to DC voltage This is achieved by configuring the wiring with the EDLC to store.

본 발명에 설명하기에 앞서, 슈퍼 PCM의 용어는 종래의 리튬이온이나 리튬폴리머전지에 필수적으로 사용되는 전지의 성능과 안전을 지켜주는 PCM(Protection Circuit Module) 보호회로모듈의 기능에 전지의 방전특성을 고효율화 하기 위해서 전지전압을 상승(승압)시켜서 그에너지를 일시적으로 저장하는 옥탑의 물탱크와 같은 또는 카메라 스트로브의 순간 고압을 방출하는 캐패시터와 같은 초고용량의 캐패시터(EDLC)와 그의 충전을 제어하기위한 전류제한회로를 추가하여 고성능화시킨 결과의 기능 집합체로서 본 발명에서 슈퍼 PCM으로 호칭한다.Prior to describing the present invention, the term "super PCM" refers to a discharge characteristic of a battery due to a function of a protection circuit module (PCM) protection circuit module that protects performance and safety of a battery essential for a conventional lithium ion or lithium polymer battery. To control the high-capacity capacitor (EDLC) and its charging, such as a rooftop water tank that temporarily stores its energy by temporarily increasing its voltage to store its energy, or a capacitor that emits instantaneous high pressure on the camera strobe, to increase efficiency. It is referred to as super PCM in the present invention as a functional aggregate that results from the addition of a current limiting circuit for high performance.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여, 이하에서 상세한 설명을 하도록 한다.With reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention described above will be described in detail below.

도 2는 본 발명에 따른 도시한 블록도에 관한 것이고, 도 3은 본 발명에 따른 휴대폰, 디지털 카메라 본체의 전지 입력부 내부회로도에 관한 것이며, 도 4는 본 발명에 따른 EDLC 및 전류제한·승압회로를 이용한 휴대폰, 디지털 카메라 본체 내부에 채용한 내부회로도에 관한 것이고, 도 5는 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한 ·승압ASIC을 휴대폰용 전지일측에 장착되는 것을 도시한 일실시예도에 관한 것이며, 도 6은 휴대폰의 연속통화시간을 기준으로 한 종래와 본 발명의 성능을 비교한 그래프에 관한 것이고, 도 7은 종래와 본 발명의 전지의 라이프 사이클을 비교한 그래프에 관한 것이다.Figure 2 relates to a block diagram according to the invention, Figure 3 relates to the internal circuit diagram of the battery input unit of the mobile phone, digital camera body according to the invention, Figure 4 is an EDLC and current limiting and boosting circuit according to the present invention The present invention relates to an internal circuit diagram employed in a mobile phone and a digital camera main body, and FIG. 5 relates to an exemplary embodiment showing that an EDLC and a current limiting / boosting ASIC according to the present invention are mounted on one side of a battery for a mobile phone. 6 relates to a graph comparing the performance of the conventional invention and the present invention based on the continuous talk time of the mobile phone, and FIG. 7 relates to a graph comparing the life cycle of the battery of the prior art and the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 휴대폰, 디지털 카메라 본체의 전지 입력부 내부회로 구성도로서, 이는 휴대폰, 디지털카메라등의 휴대기기의 본체내부나 그에 사용되는 리튬이온전지(10)등 상기전지 일측에 전지보호회로(20)가 구성되고, 그 전지보호회로(20) 일측에 전류제한(30) 및 승압회로(40)로 구성되며, 그 전류제한(30) 및 승압회로(40) 일측에 충진부(50)인 EDLC가 결선 구성된다.As shown in Figure 2 is a circuit diagram of the internal circuit of the battery input unit of the mobile phone, the digital camera body according to the present invention, which is the inside of the main body of the mobile device, such as a mobile phone, digital camera or the like lithium ion battery (10) The battery protection circuit 20 is configured at one side, and the current protection 30 and the booster circuit 40 are formed at one side of the battery protection circuit 20, and the current limit 30 and the booster circuit 40 are at one side of the battery protection circuit 20. EDLC which is the filling part 50 is connected.

여기서, EDLC는 천천히 충전하여 급속한 피크치 방전을 할 수 있는 특성을 가지는 것으로, 이에 착안하여 전지로부터 일정전류 이하로 EDLC에 충전하기 위한 회로로 구성된다.Here, EDLC has a characteristic capable of slow charging and rapid peak discharge, and focuses on this, and constitutes a circuit for charging EDLC with a constant current or less from a battery.

도 3은 본 발명에 따른 휴대폰, 디지털 카메라 본체의 전지 입력부 내부회로도에 관한 것으로, 이는 휴대기기에 사용되는 리튬이온전지 등 전지(10) 일측에 형성된 전지보호회로(20)에, 전류제한회로(30), 승압회로(40), 충진부(50)로 구성된다.3 is an internal circuit diagram of a battery input unit of a mobile phone and a digital camera main body according to the present invention, which includes a current protection circuit in a battery protection circuit 20 formed on one side of a battery 10 such as a lithium ion battery used in a portable device. 30), the booster circuit 40, and the filling unit 50.

먼저, 전류제한회로(30)는 칩내의 열측정 비교기(31), OR게이트(32), MOSFET 1, 2, 에러증폭기(33), 전류검출비교기(34)로 구성된다.First, the current limiting circuit 30 is composed of a thermal measurement comparator 31, an OR gate 32, MOSFETs 1 and 2, an error amplifier 33, and a current detection comparator 34 in a chip.

전지일측에 부착된 칩내부 온도측정센서로 부터 유입된 칩내부 온도측정신호 가 +단자로 유입되고, 150℃의 기준설정치가 -단자로 유입시켜 서로 분석하여 비교하는 칩내부 온도측정 비교기(31)가 구성된다.The chip internal temperature measurement signal from the chip internal temperature sensor attached to one side of the battery is introduced into the + terminal, and the internal temperature measurement comparator 31 for comparing and analyzing each other by introducing a reference set value of 150 ° C. into the terminal. Is composed.

그 칩내부 온도측정 비교기(31)를 통해 출력된 출력값이 입력되는 단자 A와, 전류검출비교기를 통해 검출된 전류값이 입력되는 단자 B값 중 어느 하나만 “1” 이면 결과가 “1” 이고, 모두 “0” 이면 결과가 “0” 이 되는 OR 게이트(32)가 연결되어 구성된다.If only one of the terminal A value to which the output value outputted through the chip internal temperature measuring comparator 31 is input and the terminal B value to which the current value detected through the current detection comparator is inputted are “1”, the result is “1”. If all are "0", the OR gate 32 whose result is "0" is connected.

OR게이트(32)의 출력측은 전지에너지를 저장하는 EDLC의 전압이 설정치를 도달할 때까지 제한된 전류로 충전을 제어하기 위해 전류스위치 역할을 하는 MOSFET 1의 게이트 단자와 연결된다.The output side of the OR gate 32 is connected to the gate terminal of the MOSFET 1 which serves as a current switch to control charging with a limited current until the voltage of the EDLC storing the cell energy reaches a set value.

그리고, OR 게이트(32)의 출력값 일측으로 MOSFET 2가 인덕터의 1차측과 연결되어 구성된다.The MOSFET 2 is connected to the primary side of the inductor to one side of the output value of the OR gate 32.

상기 MOSFET 1의 게이트 단자 일측이 -단자와 연결되고, MOSFET 2의 소스단자 일측이 +단자와 연결되어 충전된 상기 EDLC의 전압이 설정치를 넘었는지를 검출하여 충전을 제어하기 위해 동작하는 역할을 하는 에러증폭기(33)가 연결되어 구성된다One side of the gate terminal of the MOSFET 1 is connected to the negative terminal, and one side of the source terminal of the MOSFET 2 is connected to the positive terminal to serve to control charging by detecting whether the voltage of the charged EDLC exceeds a set value. The error amplifier 33 is connected and configured

에러증폭기(33)의 출력측에 연결된 MOSFET 3의 소스 단자가 +단자와 연결되 고, 1.24V의 ISET 값이 -단자에 연결되어 설정전류 이상으로 전지로부터 흐르지 않도록 하는 역할하는 전류검출비교기(34)가 연결되어 구성된다. A current detection comparator 34 which serves to prevent the source terminal of MOSFET 3 connected to the output terminal of the error amplifier 33 from being connected to the + terminal, and the I SET value of 1.24 V is connected to the-terminal so that it does not flow from the battery beyond the set current. ) Is connected and configured.

이러한 전류검출비교기(34)는 MOSFET 1, 2의 전류미러(Current Mirror) 효과에 의하여 검출된다.This current detection comparator 34 is detected by the current mirror (Current Mirror) effect of the MOSFET 1, 2.

이하, 본 발명에 따른 MOSFET 1, 2의 전류미러에 관해 설명하기로 한다.Hereinafter, the current mirrors of the MOSFETs 1 and 2 according to the present invention will be described.

본 발명에서는 도 3에 도시된 바와 같이, 문턱전압 Vt는 같지만 (W/L)비는 서로 다른 두 개의 증가형 MOSFET 1과 2로 이루어진 전류미러를 구성한다.In the present invention, as shown in Fig. 3, the current mirror is composed of two incremental MOSFETs 1 and 2 having the same threshold voltage Vt but different (W / L) ratios.

MOSFET 1은 기준 전류 IREF로 구동되고, 출력전류 IO는 MOSFET 2의 드레인에서 취해지며, MOSFET 2는 포화영역에서 동작해야 한다.MOSFET 1 is driven with reference current I REF , output current I O is taken from the drain of MOSFET 2, and MOSFET 2 must operate in the saturation region.

Q1의 IREF는 다음의 수학식1로 부터 구해진다.I REF of Q1 is obtained from the following equation (1).

Figure 112006010272899-PAT00001
Figure 112006010272899-PAT00001

여기서, K1은 전자의 이동도, 게이트의 SiO2층의 정전용량을 나타낸다.Here, K1 represents the mobility of electrons and the capacitance of the SiO 2 layer of the gate.

그리고, VGS는 IREF의 드레인 전류에 상응하는 게이트-소스간 전압이며, MOSFET 1과 2가 병렬로 접속되어 있으므로, 똑같은 VGS 값을 갖는다. V GS is a gate-source voltage corresponding to the drain current of I REF , and since MOSFETs 1 and 2 are connected in parallel, they have the same V GS value.

따라서 IO는 다음의 수학식 2로부터 구해진다.Therefore, I 0 is obtained from the following equation.

Figure 112006010272899-PAT00002
Figure 112006010272899-PAT00002

상기 수학식 1, 2에서In Equations 1 and 2

Figure 112006010272899-PAT00003
Figure 112006010272899-PAT00003

여기서, K1과 K2는 같은 기판위의 소자이므로 각각의 챤넬의 폭 W와 길이 L로 수학식 4와 같이 나타낼 수 있다. 즉,Here, since K1 and K2 are elements on the same substrate, the width W and the length L of each channel can be expressed by Equation 4 below. In other words,

Figure 112006010272899-PAT00004
Figure 112006010272899-PAT00004

따라서, 이상적인 경우에는 IO가 IREF의 배수가 되고, 배수의 값은 소자의 형태에 의해 결정되지만, 실제로는 MOSFET 2의 드레인 전압이 VGS와 같을 때에만 수학식 4의 IO값이 주어진다. 즉 드레인 전압이 변동하면, MOSFET 2의 유한 출력 저항 ro에 기인하여 IO가 변화한다.Thus, in an ideal case, I O is a multiple of I REF , and the value of the multiple is determined by the shape of the device, but in practice the I O value of Equation 4 is given only when the drain voltage of MOSFET 2 is equal to V GS. . In other words, when the drain voltage changes, I O changes due to the finite output resistance ro of MOSFET 2.

이러한 MOSFET 1, 2의 전류미러(Current Mirror) 특성을 이용하여 전지의 방전 종료에 가까운 저전압(통상 로우배터리의 경고가 시작되는 전압)영역에 도달 하더라도 EDLC에 승압충전되어 전지의 잔량이 바닥에 이를때까지 사용할 수 있게 된다.Using the current mirror characteristics of the MOSFETs 1 and 2, even when the low voltage (normally low battery warning voltage starts) region close to the end of discharge of the battery is boosted and charged to the EDLC, the remaining charge of the battery reaches the bottom. Until it becomes available.

다음으로, 승압회로(40)에 관해 설명하기로 한다. 승압회로(40)는 쇼트키베리어 다이오드, PWM회로 및 MOSFET 4로 이루어진다.Next, the booster circuit 40 will be described. The booster circuit 40 is composed of a Schottky barrier diode, a PWM circuit, and a MOSFET 4.

상기 쇼트키 베리어 다이오드 (Schottky barrier diode)는 MOSFET 2의 소스단자 일측에 연결되는데, 이는 MOSFET 2를 구동시켜 인덕터에 순간(10uS이하)적인 에너지를 저장하였다가 그 다음 주기에서 쇼트키베리어 다이오드를 통해 DC화 되어 정류해서 EDLC에 충전시키기 위한 것으로, N형태 반도체에 직접 쇼트키 게이트 전극을 붙여 금속과 반도체의 접촉면에서 역방향 전압을 저지하는 기능(쇼트 키 베리어)한다. 본 발명에서는 일반 정류 다이오드에 비해 순방향 전압이 작아 손실을 줄여주는 저전압 대전류의 전원 정류용을 사용하는 상기 다이오드를 사용한다.The Schottky barrier diode is connected to one side of the source terminal of MOSFET 2, which drives MOSFET 2 to store instantaneous energy (less than 10uS) in the inductor and then through the Schottky barrier diode in the next cycle. DC-type rectification is performed to charge the EDLC. The Schottky gate electrode is directly attached to the N-type semiconductor to prevent reverse voltage at the contact surface between the metal and the semiconductor (short key barrier). In the present invention, the diode is used for power rectification of low voltage and high current, which reduces the forward voltage as compared with the general rectifier diode, thereby reducing the loss.

그 쇼트키베리어 다이오드 입력단 일측으로 MOSFET 4가 연결되어 구성되고, 그 MOSFET 4의 게이트 단자 일측으로 PWM 회로가 구성된다.MOSFET 4 is connected to one side of the Schottky barrier diode input terminal, and a PWM circuit is configured to one gate terminal of the MOSFET 4.

PWM회로는 전지전압보다 높은 전압을 발생하기 위하여 인버터(41), 제어부(42), 전류비교기(43), 셧다운부(44), 오실레이터(OSC)(45)로 이루어진다.The PWM circuit is composed of an inverter 41, a controller 42, a current comparator 43, a shutdown unit 44, and an oscillator (OSC) 45 to generate a voltage higher than the battery voltage.

상기 인버터(41)는 직류전력을 교류전력으로 변환하는 역할을 한다.The inverter 41 serves to convert DC power into AC power.

제어부(42)는 전압의 도달과 전류의 제한치를 넘으면 부하에 전류가 더이상 흐르지 않도록 리셋시키는 역할을 한다.The controller 42 resets the current so that the current no longer flows to the load when the voltage reaches the voltage and exceeds the current limit.

전류비교기(43)는 외부저항 R1과 R2를 통해 센싱하여 EDLC 에 충전되는 전류값을 +단자에 인가시키고, 기준전압원(43a)이 -단자에 연결되어 전류제한치(ISET)를 설정한다.The current comparator 43 senses the external resistors R1 and R2 to apply the current value charged to the EDLC to the + terminal, and the reference voltage source 43a is connected to the-terminal to set the current limit value I SET .

셧다운부(Shutdown)(44)는 GSM방식/CDMA방식등의 휴대폰, 디지털카메라등의 휴대기기 사용시, 일예로 후레쉬 모듈 구동시 과전류로 인해 셧다운될 경우에 리셋을 통해 정상적으로 PWM회로가 구동되도록 하기 위해, 일측에 Exclusive-OR 게이트(44a)가 연결되어 구성된다.Shutdown section 44 is to allow the PWM circuit to be normally driven by a reset when shut down due to overcurrent when using a mobile device such as a GSM / CDMA mobile phone or a digital camera. Exclusive-OR gate 44a is connected to one side.

이러한 Exclusive-OR 게이트(44a)는 +단자에 셧다운 설정치가 설정되고, -단자에 GSM방식/CDMA방식등의 휴대폰, 디지털카메라등의 휴대기기 작동용 옵션이 연결되어, 두 개의 입력중 하나가 "1"이면 출력도 "1"이 된다. 그러나, 두 개의 입력 모두가 "0"이거나 또는 두 개의 입력 모두가 "1"이라면 출력은 "0"이 되도록 설정하여 셧다운(ShutDown)되도록 한다.The Exclusive-OR gate 44a has a shutdown set point at the + terminal, and-an option for operating a mobile device such as a mobile phone or a digital camera such as a GSM / CDMA method at the + terminal. 1 ", the output also becomes" 1 ". However, if both inputs are "0" or both inputs are "1", set the output to be "0" to cause a ShutDown.

이렇게 구성된 승압회로(40)는 PWM회로에서 통상적인 스위칭 레귤레이터와 같은 동작을 하여 그 발생된 신호는 MOSFET 1를 구동시켜 인덕터에 순간(10uS이하) 적인 에너지를 저장하였다가 그 다음 주기에서 쇼트키베리어 다이오드를 통해 DC화 되어 EDLC에 충전된다. 이렇게 승압된 출력전압(즉, EDLC의 충전전압)이 설정된 출력 전압에 도달하면 PWM의 듀티(Duty On시간의 비율)를 줄여서 출력전압을 일정하게 유지시킨다.The boost circuit 40 configured as described above operates like a normal switching regulator in a PWM circuit, and the generated signal drives MOSFET 1 to store instantaneous energy (less than 10 uS) in the inductor, and then, in the next cycle, the Schottky Barrier DC through the diode is charged to the EDLC. When the boosted output voltage (ie, the charge voltage of the EDLC) reaches the set output voltage, the output voltage is kept constant by reducing the duty (a ratio of duty on time) of the PWM.

다음으로, 충진부(50)는 코일(Inductor) 하단부 일측에 설치되어, 그 PWM회로, MOSFET1,2의 전류미러를 통해 코일에 축적된 에너지를 전기이중층축전지(EDLC : Electric Double Layer Capacitor)에 충전되도록 구성된다.Next, the filling unit 50 is installed at one side of the lower end of the coil (Inductor), and charges the energy accumulated in the coil through the current mirror of the PWM circuit, MOSFET1,2 in an electric double layer capacitor (EDLC). It is configured to be.

충진부의 구동과정을 상세히 설명하면, 상기 에러증폭기(33), 전류검출비교기(34), PWM회로에 구동된 각각의 신호는 OR게이트에 입력되어 논리적 결과가 출력에 나타나게 된다.The driving process of the filling unit will be described in detail. Each of the signals driven by the error amplifier 33, the current detection comparator 34, and the PWM circuit is inputted to an OR gate, and a logical result is displayed at an output.

그 OR게이트의 출력은 전지전원을 코일(인덕터)에 충전하기 위한 MOSFET 1을 ON시킨다. OSC의 발진주파수가 OFF영역에 들어서면, MOSFET1은 OFF가 되고 코일에 축적된 에너지는 FET2를 통해서 전기이중층축전지(EDLC)에 충전된다. 이러한 동작을 주기적으로 반복하면서 출력 전압이 규정치는 넘는지 또는 전지의 소비전류가 제한치를 넘는지 등을 연속적인 감시를 하여 MOSFET 1의 도통시간(ON TIME)을 자동으로 조절하게 된다.The output of the OR gate turns on the MOSFET 1 for charging the battery power to the coil (inductor). When the oscillation frequency of the OSC enters the OFF region, MOSFET1 is turned off and the energy accumulated in the coil is charged to the electric double layer storage battery EDLC through FET2. By repeating this operation periodically, the ON TIME of the MOSFET 1 is automatically adjusted by continuously monitoring whether the output voltage exceeds the specified value or the battery current consumption exceeds the limit.

도 4은 본 발명에 따른 EDLC 및 전류제한·승압회로를 이용한 휴대폰, 디지털 카메라 본체 내부에 설치되는 내부회로도에 관한 것이고, 도 5는 본 발명에 따 른 EDLC와 전류제한·승압회로를 ASIC화한 휴대폰용 전지일측에 장착되는 것을 도시한 일실시예도로서, 이는 전류제한회로, 승압회로가 ASIC화 되어 원칩(100)으로 구성되어, 휴대폰, 디지털 카메라 본체 내부에 장착되어 설치됨으로써, 전지의 성능을 향상되어 수명이 연장시킬 수가 있다.4 is a mobile phone using an EDLC and a current limiting and boosting circuit according to the present invention, and an internal circuit diagram installed inside a digital camera body, and FIG. 5 is a mobile phone ASIC using an EDLC and a current limiting and boosting circuit according to the present invention. As one embodiment showing that the battery is mounted on one side, which is the current limiting circuit, the boosting circuit is ASIC is composed of a one-chip 100, is installed inside the mobile phone, digital camera body, thereby improving the performance of the battery The life can be extended.

이하, 본 발명에 따른 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM와 기존의 전지팩과의, 연속 통화모드 등의 사용시간과 라이프사이클을 비교 실험해 보았다.Hereinafter, a comparison experiment between the use time and life cycle of a continuous communication mode, such as a super PCM equipped with an EDLC and an electric current limiting / boosting circuit with an ASIC that increases the battery discharge capacity according to the present invention and an existing battery pack, is performed. saw.

도 6은 동작시간을 기준으로 한 종래와 본 발명의 회로를 추가하여 휴대폰 사용시간을 비교한 그래프이다. 여기서 A1은 종래의 순수한 전지만 장착된 무부하 전지전압의 피크치를 도시한 것이고, A2는 종래의 순수한 전지만 사용한 경우의 RF Power 송출시의 전지전압을 도시한 것이고, B1은 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압ASIC이 장착된 슈퍼 PCM 전지전압의 피크치를 도시한 것이고, B2는 본 발명에 따른 EDLC와전류제한·승압ASIC이 장착된 슈퍼 PCM 사용시의 RF가 송출되지 않는 타이밍의 출력전압(즉 EDLC 단자전압)을 도시한 것이다.Figure 6 is a graph comparing the use time of the mobile phone by adding the circuit of the prior art and the present invention based on the operating time. Here, A1 shows the peak value of the no-load battery voltage mounted with the conventional pure battery, A2 shows the battery voltage at the time of RF power transmission when using the conventional pure battery, and B1 shows the EDLC according to the present invention. The peak value of the super PCM battery voltage with the current limiting and boosting ASIC is shown, and B2 is the output voltage of the timing at which the RF is not transmitted when using the EDLC according to the present invention and the super PCM with the current limiting and boosting ASIC. Terminal voltage) is shown.

이때, A1과 B1, A2와 B2를 비교한 결과, 3.3V~3.4V 사이에서 종래의 순수한 전지만 장착된 전지전압의 휴대폰 사용시간은 90분인데 비해, 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압ASIC이 장착된 전지전압의 휴대폰 사용시간은 123분으로, 대략 35%정도 연장되었음을 알 수가 있다.At this time, as a result of comparing A1 and B1, A2 and B2, the mobile phone operating time of the battery voltage equipped with a conventional pure battery between 3.3V and 3.4V was 90 minutes, whereas EDLC and current limiting and boosting according to the present invention were used. The battery life of an ASIC-equipped cell phone is 123 minutes, which is about 35% longer.

도 7은 종래와 본 발명의 전지라이프 사이클을 비교한 그래프이다. 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압ASIC이 겸비되어 사용되는 전지는 주기적으로 반복해서 EDLC에 충방전됨으로 피크파워의 소비를 전지가 아닌 EDLC에서 행하므로 전지에는 무리가 가지 않아, 특히 전지메이커들이 보증하는 수명특성은 규격표에 제한하고 있는 저전류에서의 조건이므로 GSM방식/CDMA방식등 휴대폰의 피크파워인 2.5A정도의 소비전류에 대해서는 보증하지 않는 영역이므로 본 발명의 회로기술에 의해 충방전 사이클수가 500회가 되어도, 전지용량은 620mAh 이상으로 75%정도인데 비해, 종래의 순수한 전지만을 사용하면 전지용량이 300사이클에서 50%이하인 것을 알 수가 있다.7 is a graph comparing the battery life cycle of the prior art and the present invention. The battery used in combination with the EDLC according to the present invention and the current limiting and boosting ASIC is repeatedly charged and discharged to the EDLC periodically so that the peak power is consumed by the EDLC rather than the battery. Since the guaranteed life characteristics are conditions under low current limited in the specification table, it is not guaranteed for the current consumption of about 2.5A, which is the peak power of a mobile phone such as GSM / CDMA system. Even if the number is 500 times, the battery capacity is about 620mAh or more and about 75%. However, when only a conventional pure battery is used, the battery capacity is 50% or less in 300 cycles.

즉, 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압회로가 부착된 ASIC이 장착된 전지가 종래의 순수한 전지만 사용하는것 보다 전지의 수명이 더 연장되는 효과를 알 수 있다.In other words, the battery equipped with the EDLC according to the present invention and the ASIC with the current limiting / boosting circuit can be seen that the life of the battery is longer than that of the conventional pure battery.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화 되어 장착되면 전지방전용량을 증대시켜주므로, 휴대폰의 통화모드등의 사용시간이 35%정도 연장되고, 전지의 수명은 150%이상 연장되며, 전지팩 내부에 모듈화로 구성됨으로서, 기존의 휴대폰 전지에도 용이하게 사용할 수 있어 호환성이 우수하며, 비용절감의 효과가 있다.As described above, when the EDLC according to the present invention and the current limiting / boosting circuit are installed as ASICs, the battery discharge capacity is increased, so that the use time of a mobile phone call mode is extended by about 35%, and the battery life is 150. It is extended by more than%, and is composed of a modular inside the battery pack, it can be easily used in the existing mobile phone batteries, the compatibility is excellent, and the cost saving effect.

Claims (4)

휴대기기의 본체내부 또는 리튬이온전지등의 전지팩(10) 내부 일측에 형성된 전지보호회로(20)일측에 연결되어 충전된 EDLC의 전압이 설정치를 넘었는지를 검출하여 충전하고, 설정전류 이상으로 전지로부터 흐르지 않도록 제어하는 전류제한회로(30)와,Connected to one side of the battery protection circuit 20 formed inside the main body of the mobile device or inside one side of the battery pack 10 such as a lithium ion battery to detect whether the charged EDLC voltage has exceeded the set value and charge the battery. A current limiting circuit 30 which controls not to flow from the battery; 그 전류제한회로(30) 일측에 연결되어 전지전압보다 높은 전압을 발생시켜 DC화 되어 정류해서 EDLC에 충전시키는 승압회로(40)와,A booster circuit 40 connected to one side of the current limiting circuit 30 to generate a voltage higher than the battery voltage to be DC to rectify and charge the EDLC; 전류제한회로(30)의 MOSFET1,2를 통해 코일에 축적된 에너지를 전기이중층축전지(EDLC : Electric Double Layer)Capacitor)에 충전시키는 충진부(50)가 ASIC화되어 원칩으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM.The charging unit 50 for charging the energy accumulated in the coils through the MOSFETs 1 and 2 of the current limiting circuit 30 in an electric double layer (EDLC) capacitor (ASLC) is ASIC and is composed of one chip. Super PCM with ASIC integrated EDLC which increases battery discharge capacity and current limit and boost circuit. 제1항에 있어서, 전류제한회로(30)는 전지 측에 부착된 칩온도측정센서로 부터 유입된 칩온도측정신호가 +단자로 유입되고, 150℃의 기준설정치가 -단자로 유입시켜 서로 분석하여 비교하는 칩열 측정 비교기(31)가 연결되고, 그 칩열측정 비교기(31)를 통해 출력된 출력값이 입력되는 단자 A와, 전류검출비교기(34)를 통해 검출된 전류값이 입력되는 단자 B값 중 어느 하나만 “1” 이면 결과가 “1” 이고, 모두 “0” 이면 결과가 “0” 이 되는 OR 게이트(32)가 연결되며, OR게이트 (32)의 출력측으로 전지의 충전에너지를 저장하는 EDLC의 전압이 설정치를 도달할 때까지 제한된 전류로 충전을 제어하기 위해 전류스위치 역할을 하는 MOSFET 1의 게이트 단자가 연결되며, OR 게이트(32)의 출력값에 의해 인덕터를 구동하기 위한 MOSFET 2가 인덕터의 1차측과 연결되며, 상기 MOSFET 1의 게이트 단자 일측이 -단자와 연결되고, MOSFET 2의 소스단자 일측이 +단자와 연결되어 충전된 상기 EDLC의 전압이 설정치를 넘었는지를 검출하여 충전을 제어하기 위해 동작하는 역할을 하는 에러증폭기(33)가 연결되고, 에러증폭기(33)의 출력측에 연결된 MOSFET 3의 소스 단자가 +단자와 연결되고, 1.24V의 ISET 값이 -단자에 연결되어 설정전류 이상으로 전지로부터 흐르지 않도록 하는 역할하는 전류검출비교기(34)가 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM.According to claim 1, the current limiting circuit 30 is a chip temperature measurement signal introduced from the chip temperature measurement sensor attached to the battery side is introduced into the + terminal, the reference set value of 150 ℃ is introduced into the terminal-to analyze each other And a chip A measurement comparator 31 for comparison, the terminal A to which the output value outputted through the chip thermal measurement comparator 31 is inputted, and the terminal B value to which the current value detected through the current detection comparator 34 is inputted. If either one is "1", the result is "1", and if all are "0", the OR gate 32 which is the result is "0" is connected, and the charge energy of the battery is stored to the output side of the OR gate 32. The gate terminal of MOSFET 1, which acts as a current switch, is connected to control charging with limited current until the voltage of the EDLC reaches the set value, and the MOSFET 2 for driving the inductor is driven by the output value of the OR gate 32. Connected to the primary side of One side of the gate terminal of the MOSFET 1 is connected to the negative terminal, and one side of the source terminal of the MOSFET 2 is connected to the positive terminal to operate to control charging by detecting whether the voltage of the charged EDLC exceeds a set value. The error amplifier 33 is connected, the source terminal of MOSFET 3 connected to the output side of the error amplifier 33 is connected to the + terminal, and the I SET value of 1.24V is connected to the-terminal so that it does not flow from the battery beyond the set current. Super PCM equipped with an EDLC and an electric current limiting / boosting circuit for increasing the battery discharge capacity, characterized in that the current detection comparator 34 is configured to be connected. 제2항에 있어서, 전류검출비교기(34)는 MOSFET 1, 2의 전류미러(Current Mirror) 효과에 의하여 검출되는 것을 특징으로 하는 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM.3. The current detection comparator 34 is detected by the current mirror effect of the MOSFETs 1 and 2, and the EDLC and the current limiting / boosting circuit for increasing the battery discharge capacity are ASIC. Comes equipped with a super PCM. 제1항에 있어서, 승압회로(40)는 PWM회로에서 통상적인 스위칭 레귤레이터와 같은 동작을 하여 그 발생된 신호가 MOSFET 1를 구동시켜 인덕터에 순간(10uS이하)적인 에너지를 저장하였다가 그 다음 주기에서 쇼트키베리어 다이오드를 통해 DC화 되어 EDLC에 충전되고, 그 승압된 출력전압(즉, EDLC의 충전전압)이 설정된 출력 전압에 도달하면 PWM의 듀티(Duty On시간의 비율)를 줄여서 출력전압을 일정하게 유지시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전지방전용량을 증대시켜 주는 EDLC와 전류제한·승압회로가 ASIC화되어 장착된 슈퍼 PCM.2. The boost circuit 40 operates in the same way as a conventional switching regulator in a PWM circuit so that the generated signal drives MOSFET 1 to store instantaneous (10 uS or less) energy in the inductor and then cycles. DC is charged through the Schottky Barrier diode at the EDLC, and when the boosted output voltage (ie, the charge voltage of the EDLC) reaches the set output voltage, the output voltage is reduced by reducing the duty of the PWM (a ratio of duty on time). A super PCM equipped with an ASIC integrated EDLC and a current limiting / boosting circuit for increasing battery discharge capacity, characterized by being configured to be kept constant.
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