KR20070081508A - Spin coater having wafer monitoring unit - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 모니터링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터의 일부를 개략적으로 보인 도면.1 is a view schematically showing a part of a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 모니터링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터의 일부를 개략적으로 보인 도면.2 is a schematic view of a portion of a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit according to another embodiment of the present invention.
도 3은 도 1의 평면도.3 is a plan view of FIG.
도 4는 도 1에서의 웨이퍼 센서에서의 센싱 데이터의 일례를 보인 그래프.4 is a graph showing an example of sensing data in the wafer sensor of FIG. 1.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
W : 웨이퍼 10 : 스핀 척W: wafer 10: spin chuck
20, 50, 60 : 웨이퍼 센서 30, 70 : 영상 정보 처리부20, 50, 60:
40 : 메인 컨트롤러40: main controller
본 발명은 반도체 소자 제조용 스핀 코터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 상태를 모니터링하는 웨이퍼 모니터링부를 구비한 스핀 코터에 관한 것이다.The present invention relates to a spin coater for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a spin coater having a wafer monitoring unit for monitoring a state of a wafer.
반도체 소자가 점점 더 고집적화되어 감에 따라서 미세 패턴의 형성이 어려워지기 시작하였다. 따라서, 미세 패턴을 형성함에 있어서 포토 공정은 산화 공정, 확산 공정, 증착 공정, 식각 공정에 비해 더욱 중요한 것으로 인식되고 있다. 포토 공정은 포토 마스크(photo mask)에 형성된 집적 회로의 패턴을 웨이퍼 위의 포토레지스트 막(photoresist layer)에 광학적으로 전사하는 공정이다. 웨이퍼에 포토레지스트를 공급하여 코팅할 때는 포토레지스트막의 엄격한 두께 조절 및 균일한 코팅이 필요한데, 이를 구현하기 위한 방법 중 가장 널리 사용되는 기술은 반도체용 스핀 코터(이하에서는 '스핀 코터' 라고 한다)에 의한 포토레지스트 막을 코팅하는 것이다. 포토 공정에서 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 스핀 코터는 스핀 척(spin chuck) 위에 웨이퍼를 탑재하고 웨이퍼의 중심부에 일정량의 포토레지스트를 분사하면서 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 웨이퍼 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하여 포토레지스트 막을 형성한다. As semiconductor devices have become increasingly integrated, it has become difficult to form fine patterns. Therefore, it is recognized that the photo process is more important than the oxidation process, the diffusion process, the deposition process, and the etching process in forming the fine pattern. The photo process is a process of optically transferring a pattern of an integrated circuit formed on a photo mask to a photoresist layer on a wafer. When supplying and coating a photoresist on a wafer, strict thickness control and uniform coating of the photoresist film are required. The most widely used technique is to use a spin coater for semiconductors (hereinafter referred to as a 'spin coater'). By coating a photoresist film. The spin coater, which applies photoresist on the wafer in the photo process, mounts the wafer on a spin chuck and rotates the wafer at high speed while spraying a certain amount of photoresist at the center of the wafer to uniformly photoresist on the wafer. It is applied to form a photoresist film.
한편, 고속으로 회전하는 웨이퍼의 중심부 상에 분사된 포토레지스트는 원심력에 의해 웨이퍼의 가장 자리로 퍼져 나가면서 웨이퍼 전면에 도포되고 여분의 포토레지스트는 웨이퍼를 벗어나 스핀 척을 둘러싸고 있는 보울의 내벽에 충돌하게 된다. 이 때 보울은 스핀 척에 결합되어 스핀 척이 설치되는 베이스의 상부에 고정 설치되는 하부 컵과 하부 컵에 삽압되는 내부 컵, 그리고 내부 컵을 포함하도록 하부 컵에 결합되는 상부 컵으로 구성된다. 물론 웨이퍼를 로딩/언로딩할 수 있도록 하기 위해 보울의 중심 부분은 개방되어 있다. 한편, 스핀 코팅 공정을 반복적으로 진행하게 되면, 보울의 내벽에 묻은 포토레지스트의 양이 증가하게 되고, 보울의 내벽에 묻은 포토레지스트가 스핀 코팅시 오염원으로 작용할 수 있기 때문에, 주기적으로 보울을 클리닝한다. 즉, 보울을 스핀 척에서 분리한 이후에 클리닝 공정을 진행할 수 있다.On the other hand, the photoresist sprayed on the center of the rotating wafer at high speed is applied to the front surface of the wafer by centrifugal force and the excess photoresist escapes the wafer and impinges on the inner wall of the bowl surrounding the spin chuck. Done. At this time, the bowl is composed of a lower cup that is coupled to the spin chuck fixed to the upper portion of the base on which the spin chuck is installed, an inner cup inserted into the lower cup, and an upper cup coupled to the lower cup to include the inner cup. Of course, the center of the bowl is open to allow loading / unloading of the wafer. On the other hand, if the spin coating process is repeatedly performed, the amount of photoresist on the inner wall of the bowl increases, and since the photoresist on the inner wall of the bowl may act as a contaminant during spin coating, the bowl is periodically cleaned. . That is, the cleaning process may be performed after the bowl is separated from the spin chuck.
상기와 같은 스핀 척의 상부에 웨이퍼를 탑재하여 포토레지스트를 코팅하는 경우에, 만일 상기 웨이퍼가 손상되어 있는 경우에는 여러 가지 문제점들이 발생된다. When the wafer is mounted on the spin chuck and the photoresist is coated, various problems occur when the wafer is damaged.
즉, 손상된 웨이퍼(예를 들어, 에지 부분이 손상된 웨이퍼)가 상기 스핀 척에 의해 고속으로 회전함으로 인해 파티클을 발생시키게 된다. 그리하여, 상기 파티클이 설비를 오염시키게 되는 문제점이 있다. That is, damaged wafers (eg, wafers with damaged edges) are rotated at high speed by the spin chuck to generate particles. Thus, there is a problem that the particles contaminate the equipment.
또한, 상기 파티클로 인한 설비의 오염으로 설비의 가동 정지 시간이 늘어나서 공정 효율을 떨어뜨리는 원인이 되는 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the downtime of the equipment is increased due to contamination of the equipment due to the particles, causing a decrease in the process efficiency.
따라서, 포토레지스트를 코팅하기 이전에 상기 스핀 척의 상부에 탑재된 웨이퍼를 점검하는 것이 절실히 요구된다. Therefore, it is urgently necessary to inspect the wafer mounted on top of the spin chuck before coating the photoresist.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 웨이퍼 모니터 링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit for solving the above problems.
본 발명의 또 다른 목적은 스핀 척의 상부에 웨이퍼를 탑재하여 포토레지스트를 코팅하고자 할 때 상기 웨이퍼가 손상되어 있는 경우에는 발생되는 문제점들을 개선하기 위한 반도체 소자 제조용 스핀 코터를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a spin coater for manufacturing a semiconductor device for improving problems caused when the wafer is damaged when the wafer is mounted on the spin chuck to coat the photoresist.
본 발명의 또 다른 목적은 손상된 웨이퍼가 스핀 척에 의해 고속으로 회전함으로 인해 파티클을 발생하여 설비를 오염시키는 문제점을 개선하기 위한 반도체 소자 제조용 스핀 코터를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide a spin coater for manufacturing a semiconductor device for improving a problem in which a damaged wafer is polluted by generating particles due to high speed rotation by a spin chuck.
본 발명의 또 다른 목적은 파티클로 인한 설비의 오염으로 설비의 가동 정지 시간이 늘어나서 공정 효율을 떨어뜨리는 문제점을 개선하기 위한 반도체 소자 제조용 스핀 코터를 제공함에 있다.It is still another object of the present invention to provide a spin coater for manufacturing a semiconductor device for improving a problem of deterioration of process efficiency by increasing downtime of a facility due to contamination of a facility due to particles.
상기의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 반도체 소자 제조용 스핀 코터는, 상부에 웨이퍼를 안착시켜 회전하기 위한 스핀 척; 및 상기 웨이퍼가 상기 스핀 척에 안착된 상태에서 상기 웨이퍼의 상태를 센싱하여 이상 상태인 경우에는 인터락 신호를 생성하는 웨이퍼 모니터링부를 구비함을 특징으로 한다.Spin coater for manufacturing a semiconductor device according to an aspect of the present invention for achieving the above object, a spin chuck for rotating the wafer seated on the top; And a wafer monitoring unit which senses a state of the wafer while the wafer is seated on the spin chuck and generates an interlock signal when the wafer is in an abnormal state.
여기서, 상기 이상 상태는 상기 웨이퍼의 에지 부분이 손상된 상태임 것을 특징으로 한다.Here, the abnormal state is characterized in that the edge portion of the wafer is damaged.
또한, 상기 웨이퍼 모니터링부는 상기 웨이퍼의 에지 부분에 설치되어 상기 웨이퍼의 에지 부분의 상태를 센싱하는 웨이퍼 센서; 및 상기 웨이퍼 센서에서의 센싱 결과를 처리하여 웨이퍼의 상태가 이상 상태인 경우에는 인터락 신호를 생성하는 영상 정보 처리부를 구비할 수 있다.The wafer monitoring unit may include a wafer sensor installed at an edge portion of the wafer to sense a state of an edge portion of the wafer; And an image information processor configured to process the sensing result of the wafer sensor to generate an interlock signal when the wafer is in an abnormal state.
또한, 상기 웨이퍼 센서는 씨씨디 센서일 수 있다.In addition, the wafer sensor may be a CD sensor.
또한, 상기 웨이퍼 센서는 제1 및 제2 웨이퍼 센서로 구성되며 서로 대향되도록 설치될 수 있다.In addition, the wafer sensor may include a first and a second wafer sensor and may be installed to face each other.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 첨부된 도면 및 이하의 설명들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 의도로 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하다. 그러므로, 이하의 설명들이 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The accompanying drawings and the following description are by way of example only and are intended to assist those of ordinary skill in the art to understand the present invention. Therefore, the following descriptions should not be used to limit the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 모니터링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터의 일부를 개략적으로 보인 도면이다.1 is a view schematically illustrating a part of a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 스핀 척(10), 웨이퍼(W), 웨이퍼 센서(20), 영상 정보 처리부(30) 및 메인 컨트롤러(40)가 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, a
상기 스핀 척(10)은 상기 웨이퍼(W)를 상부에 안착시켜 회전하게 된다. 그리하여, 포토레지스트가 상기 웨이퍼(W)의 상부에 원활하게 코팅되도록 한다.The
상기 웨이퍼 센서(20) 및 영상 정보 처리부(30)는 웨이퍼 모니터링부를 구성한다. 상기 웨이퍼 모니터링부는 상기 웨이퍼(W)가 상기 스핀 척(10)에 안착된 상태에서 상기 웨이퍼(W)의 상태를 센싱하여 이상 상태인 경우에는 인터락 신호를 생성한다.The
상기 메인 컨트롤러(40)는 상기 스핀 코터의 작동을 제어하는 부분으로서, 상기 스핀 코터에서의 문제 발생시 알람 설정 및 인터락 설정 등을 행하는 부분이다. 따라서, 상기 메인 컨트롤러(40)는 상기 웨이퍼(W)의 상태가 이상 상태인 경우에 상기 웨이퍼 모니터링부에서 생성되는 인터락 신호를 수신하여 상기 스핀 코터에 인터락을 설정하게 된다. 상기 메인 컨트롤러(40)는 상기 스핀 코터의 인터락의 전, 후 또는 동시에 경보음, 경보등 등의 알람을 설정할 수도 있다.The
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 모니터링부는 웨이퍼 센서(20) 및 영상 정보 처리부(30)를 구비한다. As illustrated in FIG. 1, the wafer monitoring unit includes a
상기 웨이퍼 센서(20)는 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분에 설치되어 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분의 상태를 센싱한다. 상기 웨이퍼(W)의 전 에지 부분을 센싱하기 위해 상기 웨이퍼 센서(20)의 센싱 동작 중에 상기 스핀 척(10)이 회전하여 상기 웨이퍼(W)를 최소한 360도로 회전시키는 것이 바람직하다. 상기 웨이퍼 센서(20)는 씨씨디(CCD ; Charge Coupled Device) 센서일 수 있다. 상기 씨씨디 센서는 빛을 전기 신호로 바꿔서 디지털 형식으로 변환하는 역할을 하는 장치로서, 구체적으로는 도시되지 않았지만, 내부적으로는 센싱부와 상기 센싱부에서 센싱된 정보를 증폭하는 센서 앰프부를 구비한다. 즉, 상기 씨씨디 센서는 종래의 통상적인 센서일 수 있다. The
상기 영상 정보 처리부(30)는 상기 웨이퍼 센서(20)에서의 센싱 결과를 처리하여 웨이퍼(W)의 상태가 이상 상태인 경우에는 인터락 신호를 생성한다. 그리하여 생성된 인터락 신호는 상기 메인 컨트롤러(40)로 인가되고, 상기 메인 컨트롤러 (40)는 상기 스핀 코터의 동작을 중지시키게 된다.The
상기 웨이퍼(W)에서의 이상 상태는 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분이 손상된 상태를 말한다. 즉, 이전의 공정이나 로봇 암에 의한 웨이퍼의 이동 등에 의해 웨이퍼가 손상될 수 있고, 이와 같은 웨이퍼의 손상 중 대부분은 웨이퍼의 에지 부분의 손상이다. 그러므로, 상기 웨이퍼(W)의 이상 상태는 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분이 손상된 상태이고, 상기 웨이퍼 센서(20)는 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분을 센싱하게 되는 것이다.The abnormal state in the wafer W refers to a state in which an edge portion of the wafer W is damaged. In other words, the wafer may be damaged by the previous process or the movement of the wafer by the robot arm, and most of the damage of the wafer is damage of the edge portion of the wafer. Therefore, the abnormal state of the wafer W is a state in which the edge portion of the wafer W is damaged, and the
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 모니터링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터의 일부를 개략적으로 보인 도면이다.2 is a schematic view of a part of a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 스핀 척(10), 웨이퍼(W), 제1 웨이퍼 센서(50), 제2 웨이퍼 센서(60), 영상 정보 처리부(70) 및 메인 컨트롤러(40)가 도시되어 있다.Referring to FIG. 2, a
상기 스핀 척(10) 및 상기 메인 컨트롤러(40)는 도1에서의 실시예에서와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Since the
상기 제1 웨이퍼 센서(50) 및 제2 웨이퍼 센서(60)가 웨이퍼(W)를 사이에 두고 서로 대향되도록 설치되어, 상기 웨이퍼(W)의 상태를 상기 제1 웨이퍼 센서(50) 및 제2 웨이퍼 센서(60) 각각에서 센싱하게 된다. 따라서, 상기 제1 웨이퍼 센서(50) 및 제2 웨이퍼 센서(60)를 구비한 웨이퍼 모니터링부에 의한 웨이퍼의 상태 모니터링에 소요되는 시간이 도 1에서의 실시예에서 소요되는 시간과 비교할 때 반으로 줄어들게 된다. 즉, 웨이퍼의 상태 모니터링 속도가 그만큼 빨라지게 된다. 물론 상기 제1 웨이퍼 센서(50) 및 제2 웨이퍼 센서(60)에 의한 센싱시 상기 스핀 척(10)이 회전하여 상기 웨이퍼(W)를 회전시켜야 한다. 다만, 상기 웨이퍼(W)는 도 1에서의 실시예에서와는 달리 180도만 회전하여도 웨이퍼의 전 에지 부분이 모니터링될 수 있다.The
도 3 및 도 4는 도 1의 구체적인 사용 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 3은 도 1의 평면도이고, 도 4는 도 1에서의 웨이퍼 센서(20)에서의 센싱 데이터의 일례를 보인 그래프이다.3 and 4 are diagrams for explaining a specific use example of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 4 is a graph showing an example of sensing data in the
도 3 및 도 4를 참조하면, 스핀 척(미도시)의 상부에 안착된 웨이퍼(W)의 소정의 에지 부분에 손상이 발생된 상태가 보여진다. 상기 웨이퍼 센서(20)에 의한 웨이퍼의 센싱시, 상기 스핀 척이 회전함에 따라 상기 웨이퍼(W)도 소정의 방향(S1)으로 회전하게 된다. 이 때, 상기 웨이퍼(W)의 손상된 에지 부분(P1)이 센싱되는 경우에는 정상적인 웨이퍼의 에지 부분과는 다르게 센싱되고, 이는 도 4에서 보여지는 바와 같이 이상 파형(T1)으로 나타난다. 도 4에서와 같이 상기 웨이퍼 센서(20)에서 센싱한 결과 파형은 전압(V)으로 나타날 수도 있고, 그 이외의 다른 파형으로도 나타날 수도 있다. 도 4에서와 같이 이상 파형(T1)이 나타난 경우, 상기 웨이퍼(W)는 이상 상태인 경우이고, 상기 영상 정보 처리부(30)에서 인터락 신호를 생성하여 메인 컨트롤러(40)로 출력한다. 상기 메인 컨트롤러(40)에서는 상기 스핀 코터의 동작을 중지시키게 된다. Referring to FIGS. 3 and 4, a state in which damage occurs in a predetermined edge portion of the wafer W seated on the top of the spin chuck (not shown) is shown. When sensing the wafer by the
상기 웨이퍼 모니터링부에 의한 웨이퍼 상태 모니터링은 스핀 코터 설비의 특성상 스핀 척(10)이 업(up)된 상태에서 진행되는 것이 바람직하다.The wafer state monitoring by the wafer monitoring unit is preferably performed in a state in which the
상술한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼의 상태를 모니터링함으로써, 웨이퍼의 손상으로 인한 설비의 오염 및 가동 정지로 인한 손실을 줄일 수 있게 된다.As described above, the present invention can monitor the state of the wafer, thereby reducing the loss due to contamination and downtime of the equipment due to wafer damage.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 스핀 코터는 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명한 사실이라 할 것이다.The spin coater for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously designed and applied without departing from the basic principles of the present invention. It will be obvious to one.
상술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼 모니터링부를 구비한 반도체 소자 제조용 스핀 코터를 제공함으로써, 손상된 웨이퍼가 스핀 척에 의해 고속으로 회전함으로 인해 파티클을 발생하여 설비를 오염시키는 문제점을 개선하는 효과를 갖는다.As described above, the present invention provides a spin coater for manufacturing a semiconductor device having a wafer monitoring unit, and has an effect of improving the problem of polluting equipment by generating particles due to high speed rotation of the damaged wafer by the spin chuck.
또한, 본 발명은 파티클로 인한 설비의 오염으로 설비의 가동이 정지됨으로 인한 공정 효율의 저하 문제를 개선하는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has the effect of improving the problem of deterioration of the process efficiency due to the operation of the equipment is stopped due to contamination of the equipment due to particles.
Claims (5)
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KR1020060013434A KR20070081508A (en) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Spin coater having wafer monitoring unit |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020060013434A KR20070081508A (en) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Spin coater having wafer monitoring unit |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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KR1020060013434A KR20070081508A (en) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | Spin coater having wafer monitoring unit |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014074861A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method for detecting cracks in a wafer |
-
2006
- 2006-02-13 KR KR1020060013434A patent/KR20070081508A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |