KR20070081251A - The intergrated circuit to measure the remaining capacity - Google Patents

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Abstract

An IC(Integrated Circuit) for measuring the residual capacity of a secondary battery is provided to accurately measure fine current by using a power MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) instead of an NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor). On a substrate of an IC for measuring the residual capacity of a secondary battery(312), a voltage detecting circuit(330) detects current flowing between a source and a drain of a power MOSFET(Q1) as a voltage value. An MPU(Micro Processor Unit)(322) estimates the residual capacity of the secondary battery by using voltage value data supplied from the voltage detecting circuit, temperature data, and battery voltage data and displays the result on an LCD(Liquid Crystal Display) window(323) of a device body. A control circuit(340) controls timing of reading voltage of the voltage detecting circuit or the generation of sweep voltage indicating the change state of an operation mode of a gate voltage control circuit(360), on the basis of the output of the MPU. An abnormality detecting circuit(350) reads information about cell voltage of the secondary battery and current flowing between a source and a drain of the power MOSFETs and detects over-charge, over-discharge, over-current, and the abnormal state of a short circuit. The gate voltage control circuit controls a gate of the power MOSFET by the controls of the control circuit and the abnormality detecting circuit.

Description

2차전지 잔량 측정용 집적회로{THE INTERGRATED CIRCUIT TO MEASURE THE REMAINING CAPACITY}Integrated circuit for secondary battery level measurement {THE INTERGRATED CIRCUIT TO MEASURE THE REMAINING CAPACITY}

도 1은 본 발명의 제１의 실시 형태에 관련된 전류 측정 회로의 대략을 나타내는 회로 구성도,1 is a circuit configuration diagram showing an approximation of a current measurement circuit according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 동일하게，전류 측정 회로에 있어서 게이트 전압 제어 회로의 구성예를 나타내는 회로도,2 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a gate voltage control circuit in a current measuring circuit;

도 3은 동일하게，스위프 동작 온 모드시에 있어서，파워MOSFET의 게이트 전압과 시간과의 관계를 나타내는 대략 설명도,3 is a schematic diagram showing the relationship between the gate voltage and the time of the power MOSFET in the sweep operation on mode.

도 4는 본 발명의 제２의 실시 형태에 관련되어，게이트 전압 제어 회로에 있어서 스위프 회로의 다른 구성예를 나타내는 회로도,4 is a circuit diagram showing another configuration example of a sweep circuit in a gate voltage control circuit according to a second embodiment of the present invention;

[도면부호의 간단한 설명]BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

311ａ，311ｂ: 단자（＋，－） 312 : ２차 전지311a, 311k: terminal (+,-) 312: secondary battery

321 : Ｉ.Ｃ 기판 322 : MPU321: IC substrate 322: MPU

322ａ : ＲＡＭ 322ｂ : ＲＯＭ     322 a: RA M 322 ｂ: R O M

323 : LCD 창 330 : 전압 검출 회로 323: LCD window 330: voltage detection circuit

331 : 증폭기 332 : ＡＤＣ       331 amplifier 332 AC

340 : 제어 회로 350 : 이상 검출 회로 340 control circuit 350 abnormal detection circuit

360 : 게이트 전압 제어 회로 360: gate voltage control circuit

360ａ，360ｃ，360ｄ，360ｆ，360ｉ，360ｊ，360ｋ : 인버터 회로 360a, 360c, 360d, 360ｆ, 360i, 360ｊ, 360ｋ: inverter circuit

360ｂ，360ｅ : ＮＡＮＤ 회로 360ｇ : 연산 증폭기360ｂ ， 360ｅ: NAD circuit 360 g: Operational amplifier

360ｍ : POWER MOSFET 360ｎ : 캐패시터 360m: POWER MOSFET 360ｎ: Capacitor

3601 : ＰＭＯＳ FET 361 : 스위프 회로 3601: PMOS FET 361: sweep circuit

361ａ : ＰＭＯＳ FET 361ｂ : 정전류원361a: PMOS FET 361ｂ: Constant current source

362 : 스위프 회로 362: sweep circuit

본 발명은 휴대폰, PDA, MP3, 동영상플레이어(DMB,MPEG4, DVD플레이어 포함), 네비게이션, 게임기, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 디지털카메라, 비디오카메라 등의 휴대용 기기 LCD 창에 2차전지 잔량을 표시하기 위해 전류검출저항(Current Shunt Resistor)을 사용하지 아니하고 전류를 측정할 수 있을 뿐 아니라 미세한 전류도 측정할 수 있는 2차전지 잔량 측정용 집적회로에 관한 것이다.The present invention displays the remaining battery level in the LCD window of mobile devices such as mobile phones, PDAs, MP3, video players (including DMB, MPEG4, DVD players), navigation, game consoles, smartphones, tablet computers, digital cameras, video cameras, etc. The present invention relates to an integrated circuit for measuring the remaining battery capacity of a secondary battery capable of measuring current as well as measuring current without using a current shunt resistor.

오늘날 휴대 전화등의 휴대 기기의 보급에는 눈부신 발전을 하고 있으며 휴대 기기는 통상，옥외에 있어 사용하는 것이 대부분이다．이 때문에, ２차 전지의 잔량을 예측하고，잔량이 없어지기 전에 이용자에게 표시와 Low Battery의 경고를 할 필요가 있다．Today, the development of mobile devices such as mobile phones has made remarkable progress, and mobile devices are usually used outdoors when they are used. Therefore, the remaining power of the secondary battery is predicted and displayed to the user before the remaining power is lost. It is necessary to warn of low battery.

종래 ２차 전지의 잔량은，온도，전지전압，충방전 전류라고 한 정보를 기초로，MPU등에 의하여 적산전류로 예측하는 방법이 보다 정확한 수단으로 쓰여지고 있다．Conventionally, the method for estimating the remaining amount of secondary batteries based on information such as temperature, battery voltage and charge / discharge current by integrated current by the MPU is used as a more accurate means.

여기에서，충방전 전류를 측정하기 위한 방법에 관하여 설명한다．일예로 전지의 전류 흐름에 전류검출저항(Current Shunt Resistor이하 Rcs)을 통상，저항치 10ｍΩ∼100ｍΩ을 직렬로 삽입하고，동작시에 있어서，저항 Rcs의 양단의 전위차를，전압 검출 회로에 의하여 읽어들인다．그리고，그 읽은 전위차 데이터를，전압 검출 회로 안의 증폭기 및 ＡＤＣ에 의하여 디지털화한다．그 후，이 디지털 데이터를 제어부에 보내는 것으로，다른 정보와 동시에，잔량 예측을 위한 충방전 전류에 관한 정보로서 이용된다．Here, the method for measuring the charge / discharge current will be described. For example, a current detection resistor (Ccs below the current shunt resistor) is inserted in series into the current flow of the battery, and a resistance value of 10 mΩ to 100 mΩ is inserted in series. The potential difference across the resistor Rcs is read by the voltage detecting circuit. The read potential difference data is digitized by the amplifier and the ADC in the voltage detecting circuit. Then, the digital data is sent to the control unit. At the same time as the information, it is used as information on the charge / discharge current for the remaining amount prediction.

하지만, 휴대 기기의 소비 전류는 적어지고 있기 때문에, 동작시에 있어서저항 Ｒcs 양단의 전위차를 하고 충방전 전류를 측정한 종래의 방법으로는 ２차 전지의 잔량 측정의 정밀도를 올리는 것이 어렵다． However, since the current consumption of the portable device decreases, it is difficult to increase the accuracy of the remaining amount measurement of the secondary battery by the conventional method of measuring the charge / discharge current with the potential difference across the resistance Rcs during operation.

그러면，대기시에 흐르는 전류를 측정하여，２차 전지의 잔량 산출에 이용할 수도 있다. 그런데，대기상태의 전류는，통상１ｍＡ 이하로 미세하다．그 때문에, 저항 Ｒcｓ를 이용한 종래의 방법으로는，저항 Ｒcｓ의 양단으로부터 얻어지는 전위차가 아주 미세한 값으로, 예를 들면，저항 Ｒcｓ의 저항치를 50ｍΩ 로 설계(전 지의 내부임피던스가 통상 350mOhm 전후이므로 이와 직렬로 접속되는 Rcs는 그보다 작은 20mOhm을 넘지 않게 정하는 것이 바람직함)하면, 흐르는 전류가１ｍＡ일때 전압 강하분은 2０μＶ로 된다．이것은 노이즈와 구별하기 어려운 레벨이다．Then, the current flowing in standby can be measured and used for calculating the remaining amount of the secondary battery. By the way, the current in the standby state is usually less than 1 mA. Therefore, according to the conventional method using the resistor Rcs, the potential difference obtained from both ends of the resistor Rcs is a very small value, for example, the resistance value of the resistor Rcs. If the design is 50mΩ (the internal impedance of the battery is usually around 350mOhm, Rcs connected in series should be set not to exceed 20mOhm). If the current flow is 1mA, the voltage drop is 20μＶ. It is a level difficult to do.

고로, 전류검출저항 Ｒcｓ의 저항치를 크게 하면，큰 전위차를 얻을 수 있어서 미세한 대기시의 전류를 정확하게 측정할 수 있다．그러나，저항 Ｒcｓ는，전류 경로에 직렬로 삽입되는 것이므로 그 때문에, 저항 Ｒcｓ로 발생한 전압 강하를 생각하면 ，전지팩의 전압강하로 기기 본체에의 전압 공급 부족하게 되므로 동작을 멈추게 할 수 있으므로，Ｒcｓ의 저항치를 극단적으로 크게 하는 것은 허용되지 않는다.Therefore, if the resistance value of the current detection resistor Rcs is increased, a large potential difference can be obtained and the minute standby current can be accurately measured. However, since the resistance Rcs is inserted in series in the current path, the resistance Rcs is therefore reduced. Considering the generated voltage drop, the voltage drop of the battery pack may cause a shortage of voltage supply to the main body of the device, so that the operation may be stopped. Therefore, it is not permitted to increase the resistance of the R cs to an extremely high level.

이처럼 고정된 저항 Ｒcｓ를 이용하고 충방전 전류를 측정한 종래의 방법으로는，미세한 대기시의 전류를 정확하게 측정할 수 없다. 따라서, 휴대폰 사용후 대기시에 흐르는 전류를 측정하여，잔량 예측에 이용하도록 한다 하여도，고정밀의 ２차 전지의 잔량 예측하기는 어려운 실정이다.In the conventional method in which charge / discharge current is measured using the fixed resistor Rcs as described above, minute standby current cannot be accurately measured. Therefore, even if the current flowing in the standby state after the use of the mobile phone is measured and used to predict the remaining capacity, it is difficult to predict the remaining capacity of the high-precision secondary battery.

이러한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은，NMOS 트랜지스터 대신에 파워 MOSFET를 이용하여 미세한 전류를 정확하게 측정할 수 있고，２차 전지의 잔량을 고정밀도로 예측하는 것을 용이하게 가능하게 한 직접회로를 제공하는데 목적으로 하고 있다．The present invention devised to solve such a problem provides an integrated circuit that can accurately measure minute current using a power MOSFET instead of an NMOS transistor, and easily makes it possible to accurately predict the remaining amount of a secondary battery. It aims to.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 2차전지 잔량 측정용 집적회로는,In order to achieve the above object, an integrated circuit for measuring a residual amount of secondary battery according to the present invention,

기기 본체 또는 충전기의 단자에 접속된 단자（＋，－）(311ａ，311ｂ) 사이에 １개 또는 여러 개의 ２차 전지(312)가 직렬로 접속되어 전류가 흐르고, 그 전류가 흐르는 도중，이상 전류 발생시에 전류 흐름을 차단하기 위한 파워MOSFET Q１，Q２가 직렬로 형성된I.C 기판(321)이 구성되되;One or several secondary batteries 312 are connected in series between the terminals (+,-) (311a, 311ｂ) connected to the terminals of the main body of the apparatus or the charger, and a current flows while the current flows. An IC substrate 321 is formed in which power MOSFETs Q1 and Q2 for blocking current flow at the time of occurrence are formed in series;

상기 I.C 기판(321)상에는,On the I.C substrate 321,

파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류(방전 전류)를 전압치(Vgs)로서 검출하기 위한 전압 검출 회로(330)와,A voltage detecting circuit 330 for detecting the measured current (discharge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFET Q1 as the voltage value Vgs;

전압 검출 회로(330)으로 부터 공급되는 전압치 데이터，온도 데이터 및 전지전압 데이터를，잔량 예측을 위한 정보로서 이용하고 ２차 전지 312의 잔량을 예측하고，기기 본체등의 LCD 창(323)에 표시하는 MCU(322)와,Voltage value data, temperature data, and battery voltage data supplied from the voltage detection circuit 330 are used as information for remaining amount prediction, the remaining amount of the secondary battery 312 is estimated, and the LCD window 323 such as the main body of the device is used. MCU 322 to display,

MPU(322)의 출력에 근거하여，상기 전압 검출 회로 (330)로의 전압을 읽는 타이밍을 제어하거나，게이트 전압 제어 회로(360)의 동작 모드의 변경상태를 나타내는 스위프 전압 발생 유무 등을 제어하는 제어 회로(340)와,Control to control the timing of reading the voltage to the voltage detection circuit 330 based on the output of the MPU 322, or to control the presence or absence of a sweep voltage indicating a change state of the operation mode of the gate voltage control circuit 360. Circuit 340,

２차 전지(312)의 셀 전압 및 파워MOSFET Q1，Q2의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류 등(방전 전류／충전 전류)이 정보를 읽어들이고，과충전，과방전，과전류，단락회로 등의 이상의 발생을 검출하는 이상 검출 회로(350)와,The cell voltage of the secondary battery 312 and the measured current (discharge current / charge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFETs Q1 and Q2 read information, such as overcharge, overdischarge, overcurrent, and short circuit. An abnormality detection circuit 350 for detecting the occurrence of abnormality,

제어 회로(340) 및 상기 이상 검출 회로(350)의 제어에 의하여 파워 MOSFET Q1의 게이트를 제어하는 게이트 전압 제어 회로(360)로 이루어져 구성됨으로서 달성된다.It is achieved by consisting of a gate voltage control circuit 360 for controlling the gate of the power MOSFET Q1 by the control of the control circuit 340 and the abnormality detection circuit 350.

이러한 본 발명에 따른 2차전지 전류 측정용 집적회로인 전류 측정 회로에 의하면，피측정 전류의 측정에 본래，이상 발생시에 전지에 연결된 전류 흐름을 차단하기 위해 설치된 파워 MOSFET의 온 저항을 이용할 수 있게 된다．이것에 의해，저항 Rcs를 이용하지 아니하고，미세한 전류도 용이하게 측정할 수 있는 것이다．According to the current measuring circuit which is an integrated circuit for measuring the current of the secondary battery according to the present invention, it is possible to use the on-resistance of the power MOSFET installed to cut off the current flow connected to the battery when an abnormality occurs inherently in the measurement of the measured current. This makes it possible to easily measure minute currents without using the resistor Rcs.

이하，이 발명의 실시의 형태에 관하여 도면을 참조하여 설명한다．EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도 1은 본 발명의 제１의 실시 형태에 관련된 전류 측정 회로의 대략 구성을 나타내는 것이다．여기에서는，예를 들면 휴대폰, PDA, MP3, 동영상플레이어(DMB,MPEG4, DVD플레이어 포함), 네비게이션, 게임기, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 디지털카메라, 비디오카메라 등의 휴대용 기기에 사용된 전지팩의 예로서，그 주요부를 나타내고 있다．BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 shows a general configuration of a current measuring circuit according to a first embodiment of the present invention. Here, for example, a mobile phone, a PDA, an MP3, a video player (including DMB, MPEG4, a DVD player), a navigation device, and a game machine. An example of a battery pack used in a portable device such as a smartphone, a tablet computer, a digital camera, a video camera, etc., shows the main part thereof.

이 전지팩에는，기기 본체 또는 충전기의 단자에 접속된 단자（＋，－）(311ａ，311ｂ) 사이에 １개 또는 여러 개의 ２차 전지가 직렬로 접속되어，전류가 흐르게 된다．또，이 전류가 흐르는 도중，이상 전류 발생시에 전류 흐름을 차단하기 위한 파워MOSFET Q１，Q２가 직렬로 구성된다.In this battery pack, one or several secondary batteries are connected in series between the terminals (+,-) (311a, 311ｂ) connected to the terminals of the main body or the charger, and current flows. In the course of flow, power MOSFETs Q1 and Q2 for blocking current flow in the event of abnormal current generation are configured in series.

I.C 기판(321)상에는 전압 검출 회로(330)，제어 회로(340)，이상 검출 회로(350)，및 게이트 전압 제어 회로(360)가 구성된다．The voltage detection circuit 330, the control circuit 340, the abnormality detection circuit 350, and the gate voltage control circuit 360 are formed on the I.C substrate 321.

전압 검출 회로(330)는，파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류(방전 전류)를 전압치(Vgs)로서 검출하기 위한 것으로，이는 증폭기(331) 및 ＡＤＣ(332)로 구성된다. 여기에서 디지털화된 전압치 데이터는 MPU (322)에 보내지고，온도 데이터 및 전지전압 데이터와 동시에 잔량 예측을 위한 정보로서 이용된다．The voltage detection circuit 330 is for detecting the measured current (discharge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFET Q1 as the voltage value Vgs, which is composed of an amplifier 331 and an ADC 332. . The digitized voltage value data is sent to the MPU 322 and used as information for remaining amount prediction at the same time as temperature data and battery voltage data.

제어 회로(340)는，상기 MPU(322)의 출력에 근거하여，상기 전압 검출 회로 (330)로의 전압을 읽는 타이밍을 제어하거나，상기 게이트 전압 제어 회로(360)의 동작 모드의 변경상태를 나타내는 스위프 전압 발생 유무 등을 제어한다．The control circuit 340 controls the timing of reading the voltage to the voltage detection circuit 330 based on the output of the MPU 322, or indicates a change state of the operation mode of the gate voltage control circuit 360. Control the presence of sweep voltage.

여기에서 상기 스위프 동작이란，상기 파워 MOSFET Q1의 게이트 전압을 서서히 낮아지도록 변화시키는 것으로, 일예로，상기 파워 MOSFET Q1의 소오스와 드레인사이를 흐르는 피측정 전류가 전압 검출 회로(330)에 의하여 검출할 수 없는 정도의 미세한 값으로 설정되어 있다면, 이 스위프 동작 모드에서 전압 검출 회로 (330)로의 전압을 읽는 타이밍이，파워 MOSFET Q1의 온 저항이 미리 설정된 제２의 저항치가 되는 시점（일예 : 통상시의 저항 값이　 제１의 저항치의 １０ 배)이 되도록 제어된다．이로 인해，상기 파워MOSFET Q1의 온 저항이 상기 제２의 저항치로 된 소정의 스위프 시간이 경과한 시점에서，상기 MPU(322)의 제어를 전압 검출 회로(330)가 전압치를 읽어 들이도록 제어된다．Here, the sweep operation is to change the gate voltage of the power MOSFET Q1 to be gradually lowered. For example, the voltage detection circuit 330 may detect a current to be measured flowing between the source and the drain of the power MOSFET Q1. If it is set to an insignificant minute value, the timing at which the voltage reading to the voltage detection circuit 330 is read in this sweep operation mode, and the time when the on-resistance of the power MOSFET Q1 becomes the second predetermined resistance value (e.g., normal time) Is controlled to be 10 times the first resistance value. Thus, when the predetermined sweep time for which the on resistance of the power MOSFET Q1 becomes the second resistance value has elapsed, the MPU 322 is controlled. The control of the voltage detection circuit 330 is controlled to read the voltage value.

이상 검출 회로(350)는 상기 ２차 전지(312)의 셀 전압 및 파워MOSFET Q1，Q2의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류 등(방전 전류／충전 전류)이 정보를 읽어들이고，과충전，과방전，과전류，단락회로 등의 이상의 발생을 검출하는 곳이다. 이러한 이상발생시에는，파워 MOSFET Q2의 게이트 또는 상기 게이트 전압 제어 회로(360)을 제어하고，상기 전류 흐름을 차단하는 보호기능역할을 하게 된다.The abnormality detection circuit 350 reads information such as the cell voltage of the secondary battery 312 and the current to be measured (discharge current / charge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFETs Q1 and Q2, and overcharge and over discharge. It is a place to detect the occurrence of abnormality such as electric current, over current and short circuit. When such an abnormality occurs, the gate of the power MOSFET Q2 or the gate voltage control circuit 360 is controlled to serve as a protection function to block the current flow.

게이트 전압 제어 회로(360)은，상기 제어 회로(340) 및 상기 이상 검출 회로(350)의 제어에 의하여，파워 MOSFET Q1의 게이트를 제어하는 곳이다.The gate voltage control circuit 360 is a place where the gate of the power MOSFET Q1 is controlled by the control of the control circuit 340 and the abnormality detection circuit 350.

즉，게이트 전압 제어 회로(360)은，도 2에 도시된 바와 같이 제어 회로(340)로 부터의 출력이 인버터 회로(360ａ)에 공급된다．그 인버터 회로(360ａ)의 출력은，ＮＡＮＤ 회로(360ｂ)의 입력단의 한편에 공급된다．그 ＮＡＮＤ 회로(360ｂ)의 입력단의 다른 방향으로는，상기 이상 검출 회로(350)에 의해 출력이 공급된다．That is, the gate voltage control circuit 360 is supplied with the output from the control circuit 340 to the inverter circuit 360a as shown in Fig. 2. The output of the inverter circuit 360a is a NAD circuit ( The output is supplied by the abnormality detection circuit 350 in the other direction of the input terminal of the NAND circuit 360 '.

NAND 회로(360ｂ)의 출력은，인버터 회로(360ｃ，360ｄ)를 거쳐，스위프 회로(361)을 구성한 파워MOSFET(361ａ)의 게이트에 공급됨과 동시에，NAND 회로(360ｅ)의 입력단의 한편에 공급된다．파워MOSFET(361ａ)는，소오스가 제１의 전위인 전원 전압 VDD에 접속되어，드레인이 상기 파워 MOSFET Q1의 게이트에 접속된다.The output of the NAND circuit 360 'is supplied to the gate of the power MOSFET 361a constituting the sweep circuit 361 through the inverter circuits 360c and 360d, and to one of the input ends of the NAND circuit 360e. The power MOSFET 361 a is connected to the power supply voltage VDD whose source is the first potential, and the drain is connected to the gate of the power MOSFET Q1.

NAND 회로(360ｅ)의 입력단의 다른 방향으로는，상기 이상 검출 회로(350)로부터의 출력이 공급된다．이 NAND 회로(360ｅ)의 출력은，인버터 회로(360ｆ)를 거 쳐，전압 플로워 구성으로 되었던 연산 증폭기(360ｇ)에 공급된다．The output from the abnormality detection circuit 350 is supplied to the other direction of the input terminal of the NAND circuit 360 e. The output of the NAND circuit 360 e is a voltage follower configuration via an inverter circuit 360 kV. To the operational amplifier (360g).

상기 인버터 회로(360ｆ)의 출력 신호는 상기 연산 증폭기(360ｇ)를 온／오프의 상태를 제어하는 신호가 된다．The output signal of the inverter circuit 360 'serves to control the on / off state of the operational amplifier 360g.

상기 연산 증폭기(360ｇ)는 반전 입력단（－）과 비반전 입력단（＋）의 전압을 비교한 차동단과 ，파워MOSFET(361c)와，정전류원(361ｂ)로 된 출력단에 의하여 구성되고，파워MOSFET(361c)의 게이트에 차동단으로부터의 신호가 공급된다．The operational amplifier 360g includes a differential stage in which voltages of the inverting input terminal (−) and the non-inverting input terminal (+) are compared, an output terminal including a power MOSFET 361c and a constant current source 361 ，, and a power MOSFET ( The signal from the differential stage is supplied to the gate of 361c).

상기 정전류원(361ｂ)는 연산 증폭기(360ｇ)의 출력단의 일부임과 동시에，상기 스위프 회로(361)의 방전 회로이기도 한다．The constant current source 361 임 is part of the output terminal of the operational amplifier 360 g and is also a discharge circuit of the sweep circuit 361.

연산 증폭기(360ｇ)의 출력단（이 경우，상기 파워MOSFET 361c 와 정전류원361ｂ와의 접속점)에는 그 반전 입력단（－） 및 파워MOSFET Q1의 게이트가 접속되고 있다．한편，연산 증폭기(360ｇ)의 비반전 입력단（＋)에는，상기 파워MOSFET Q1의 게이트 전압（Vgs)의 하한에 제한을 주기 위한 기준 전압 Vref가 공급된다．The inverting input terminal (-) and the gate of the power MOSFET Q1 are connected to the output terminal of the operational amplifier 360g (in this case, the connection point between the power MOSFET 361c and the constant current source 361ｂ). The non-inverting of the operational amplifier 360g is connected. The input terminal (+) is supplied with a reference voltage Vref for limiting the lower limit of the gate voltage Vgs of the power MOSFET Q1.

또한，상기 이상 검출 회로(350)의 출력은，인버터 회로(360ｉ，360ｊ，360ｋ)를 거쳐 파워MOSFET(360ｍ)의 게이트에 공급된다．그 파워 MOSFET(360ｍ)는，드레인이 상기 파워MOSFET Q1의 게이트에 접속되어，소오스가 제２의 전위인　접지(－단자)에 접속된다．The output of the abnormality detection circuit 350 is supplied to the gate of the power MOSFET 360m through the inverter circuits 360i, 360kV, 360kV. The power MOSFET 360m is drained from the power MOSFET Q1. It is connected to the gate, and a source is connected to the ground (-terminal) which is a 2nd electric potential.

그리고, 파워MOSFET Q1의 게이트와 소오스 사이에는，상기 스위프 회로(361)을 구성한 캐패시터(360ｎ)가 구성된다.A capacitor 360 n constituting the sweep circuit 361 is formed between the gate and the source of the power MOSFET Q1.

이러한 구성으로 이루어진, 휴대 기기의 동작은 이상 검출 회로(350)보다 통상 동작 모드를 설정한 "H" 레벨의 신호가 출력된다．그러면 파워MOSFET(360ｍ)가 오프 상태로 된다．이와동시에 제어 회로(340)에서는 스위프 동작 오프 모드를 설정한 "L" 레벨의 신호가 출력된다．그러면，스위프 회로(361)의 파워MOSFET(361ａ)가 온 상태가 됨과 동시에，연산 증폭기(360ｇ)가 오프 상태, 즉, 연산 증폭기(360ｇ)의 출력이 하이·임피던스상태로 된다．이로인해 스위프 회로(361)의 캐패시터(360ｎ)가 전하에 의하여 충전된다．이러한 동작시에는，저항치가 제１의 저항치로 된 파워MOSFET Q1의 소오스 와 드레인 사이를 흐르는 방전 전류가，전압 검출 회로(330)에 의하여 제어 회로 (340)의 제어에 의하여 소정의 타이밍으로 반복해서 받아들이게 된다.In the operation of the portable device having such a configuration, a signal of " H " level in which the normal operation mode is set is output than the abnormality detection circuit 350. Then, the power MOSFET 360m is turned off. In step 340, the signal of the "L" level in which the sweep operation off mode is set is output. Then, the power MOSFET 361a of the sweep circuit 361 is turned on and the operational amplifier 360g is turned off, that is, The output of the operational amplifier 360g is in the high impedance state. This causes the capacitor 360n of the sweep circuit 361 to be charged by the electric charge. In this operation, the power MOSFET whose resistance is the first resistance value. The discharge current flowing between the source and the drain of Q1 is repeatedly received at a predetermined timing by the control of the control circuit 340 by the voltage detection circuit 330.

일예로, 방전 전류가 미세한 휴대용 기기의 대기시에 있어서는，제어 회로( 340)보다 스위프 동작 온 모드를 설정한 "H" 레벨의 신호가 출력된다．그러면，스위프 회로(361)의 파워MOSFET(361ａ)가 오프 상태가 됨과 동시에，연산 증폭기(360ｇ)가 온 상태로 된다．이로 인해 스위프 회로(361)의 캐패시터(360ｎ)에 충전되어 있는 전하가 정전류원(361ｂ)를 이용하여 방전된다．그 결과，파워MOSFET Q1의 게이트 전압이 서서히 저하되고，이와 동시에 파워MOSFET Q1의 온 저항이 서서히 상승된다．그리고，제어 회로(340)의 제어에 의하여 저항치가 제２의 저항치로 된 타이밍에，파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인사이를 흐르는 방전 전류（일예 : 대기상태 전류)가 전압 검출 회로(330)에 의하여 발생된다. For example, when a portable device with a small discharge current is in standby, a signal of the "H" level in which the sweep operation on mode is set is output from the control circuit 340. Then, the power MOSFET 361a of the sweep circuit 361 is output. ) Is turned off and the operational amplifier 360g is turned on. This causes the charge charged in the capacitor 360n of the sweep circuit 361 to be discharged using the constant current source 361kA. The gate voltage of the power MOSFET Q1 gradually decreases, and at the same time, the on-resistance of the power MOSFET Q1 gradually rises. Then, at the timing when the resistance value becomes the second resistance value by the control of the control circuit 340, the power MOSFET Q1. The discharge current (for example, standby current) flowing between the source and the drain of is generated by the voltage detection circuit 330.

또한，상기 방전 전류의 측정중에 파워MOSFET Q1을 완전하게 오프시키는 것은 문제가 있다． 그렇기 때문에 파워MOSFET Q1의 게이트 전압은 기준 전압 Vref이하로 저하되지 않도록 설정된다.In addition, it is problematic to completely turn off the power MOSFET Q1 during the measurement of the discharge current. Therefore, the gate voltage of the power MOSFET Q1 is set so as not to fall below the reference voltage Vref.

또한, 이상전류발생시에는 이상 검출 회로(350)보다 보호 동작 모드를 설정한 "L"레벨의 신호가 출력된다．그 이유는 파워 MOSFET(360ｍ)가 온 상태로 되고, 그로 인해 파워MOSFET Q1이 오프 상태로 되어，２차 전지(312)에 연결된 전류 흐름이 차단된다．In addition, when an abnormal current is generated, a signal of the "L" level in which the protection operation mode is set is output from the abnormality detection circuit 350. The reason is that the power MOSFET 360m is turned on, whereby the power MOSFET Q1 is turned off. In this state, the current flow connected to the secondary battery 312 is interrupted.

MPU(322)는 도 1에 도시된 바와 같이，상기 전압 검출 회로(330)로 부터 공급되는 전압치 데이터，온도 데이터 및 전지전압 데이터를，잔량 예측을 위한 정보로서 이용하고 ２차 전지 312의 잔량을 예측하고，기기 본체등의 LCD 창(323)에 표시하는 곳이다．이러한 MPU(322)에는，잔량 예측을 실행하기 위한 정보를 저장한 램(322ａ)과, 잔량 예측을 실행하기 위한 연산 프로그램등을 저장한 롬(322ｂ)이 접속되어 연결된다. As illustrated in FIG. 1, the MPU 322 uses the voltage value data, the temperature data, and the battery voltage data supplied from the voltage detection circuit 330 as information for remaining amount prediction and the remaining amount of the secondary battery 312. Is displayed on the LCD window 323 such as the main body of the device. The MPU 322 includes a RAM 322a that stores information for performing the remaining amount prediction, and an arithmetic program for executing the remaining amount prediction. ROMs (322 ｂ) storing the back and the like are connected and connected.

그리고, 램(322ａ)에는，상기 스위프 동작모드에 있어서，상기 전압 검출 회로(330)로의 전압치를 읽는 타이밍을 설정해 준다. 이러한 타이밍은 파워 MOSFET Q1의 온 저항이 제２의 저항치가 된 스위프 시간으로 기억된다.The RAM 322a is set with a timing for reading the voltage value to the voltage detection circuit 330 in the sweep operation mode. This timing is stored as the sweep time when the on resistance of the power MOSFET Q1 becomes the second resistance value.

도 3은 상기 스위프 동작 온 모드시에 있어서，파워 MOSET Q1의 게이트 전압의 변화와 시간과의 관계를 나타내는 것이다.Fig. 3 shows the relationship between the change in the gate voltage of the power MOSET Q1 and the time in the sweep operation on mode.

이는 스위프 동작모드가 설정되면，파워MOSFET Q1의 게이트 전압은，전원 전압 VDD이 기준 전압 Vref까지 서서히 저하된다. 이때, 파워 MOSFET Q1의 온 저항이 미리 설정한 온 저항(제２의 저항치)이 되는 게이트 전압（ΔＶ）에 대응된다.When the sweep operation mode is set, the gate voltage of the power MOSFET Q1 is gradually lowered to the reference voltage Vref. At this time, the on-resistance of the power MOSFET Q1 corresponds to the gate voltage (DELTA) k which becomes a preset on-resistance (second resistance value).

그리고, 스위프 동작 온 모드의 시작으로부터의 스위프 시간 ΔＴ가，상기 스위프 동작모드에 있어서，상기 전압 검출 회로(330)의 전압을 읽는 타이밍으로서 ，램(322ａ)에 기억된다.Then, the sweep time DELTA T from the start of the sweep operation on mode is stored in the RAM 322a as the timing of reading the voltage of the voltage detection circuit 330 in the sweep operation mode.

이하, 상기와 같은 구성을 통해 전류 측정 회로에서의 피측정 전류（방전 전류)의 측정 동작에 관하여 설명한다．The following describes the measurement operation of the measured current (discharge current) in the current measurement circuit through the above configuration.

도 1에 도시된 바와 같이, 전지팩이 휴대 기기의 본체에 장착된 상태에서，휴대폰등의 기기의 동작시에 있어서，이상 검출 회로(350)의 제어에 의하여 파워MOSFET Q1，Q2가 함께 온(ON) 되면서 동작 모드가 설정된다．이때，제어 회로(340)로부터의 출력에 의하여 전압 검출 회로(330)가 제어되어，이로 인해 게이트에서의 전원 전압 VDD 공급에 의하여 제１의 저항치로 된 파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 방전 전류가，전압값으로서 받아들여진다．이때 전압 검출 회로( 330)으로 받아들여지고，디지털화된 전압 데이터는 MPU(322)에 보내진다．그리고，２차 전지(312)의 잔량 예측을 위한 정보로 된다．As shown in FIG. 1, when the battery pack is mounted on the main body of the portable device, when the device such as a mobile phone is operated, the power MOSFETs Q1 and Q2 are turned on together under the control of the abnormality detection circuit 350. ON), and the operation mode is set. At this time, the voltage detection circuit 330 is controlled by the output from the control circuit 340, which causes the power MOSFET to be the first resistance value by supplying the power supply voltage VDD at the gate. The discharge current flowing between the source and the drain of Q1 is accepted as the voltage value. At this time, the voltage detection circuit 330 is accepted, and the digitized voltage data is sent to the MPU 322. The secondary battery 312 It becomes information for the remaining quantity prediction of the.

MPU(322)로는 전압 검출 회로(330)으로부터의 정보를 기초로 하여 ２차 전지 (312)의 잔량을 예측하고，그 결과를 LCD 창(323_에 표시한다．또한，MPU(322)로는 ，제어 회로(340)을 제어하고，전압 검출 회로(330)로의 전압치 데이터의 취입을 소정의 타이밍에 반복，２차 전지(312)의 잔량을 정기적으로 예측하고，LCD 창(323)로 표시하게 된다．The MPU 322 estimates the remaining amount of the secondary battery 312 based on the information from the voltage detection circuit 330, and displays the result in the LCD window 323_. The control circuit 340 is controlled, the voltage value data input to the voltage detection circuit 330 is repeated at a predetermined timing, and the remaining amount of the secondary battery 312 is periodically predicted and displayed on the LCD window 323. do.

그리고, 휴대 기기의 대기시에는，전압 검출 회로(330)로 검출할 수 없는 정도에까지 방전 전류가 미세하게 되면，MPU(322)에 의하여，제어 회로(340)를 통해 제어되어 게이트 전압 제어 회로(360)의 스위프 동작 온 모드가 설정된다．이때 파워MOSFET Q1의 게이트 전압이 서서히 저하되고, 파워MOSFET Q1의 온 저항이 서서히 상승된다．그리고，그 저항치가 제２의 저항치(일예 : 온 저항이 통상시의 １０ 배)로 된 타이밍에 제어 회로(340)의 제어에 의하여，파워MOSFET(Q1)의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 미세한 방전 전류가 전압 검출 회로(330)에 의하여 받아들여지게 된다.When the portable device is in standby, when the discharge current becomes fine to the extent that it cannot be detected by the voltage detection circuit 330, the MPU 322 is controlled by the control circuit 340 to control the gate voltage control circuit ( The sweep operation on mode of 360 is set. At this time, the gate voltage of the power MOSFET Q1 gradually decreases, and the on resistance of the power MOSFET Q1 gradually rises. Then, the resistance value is a second resistance value (e.g., the on resistance is normal). By the control of the control circuit 340 at the timing of 10 times the time, the minute discharge current flowing between the source and the drain of the power MOSFET Q1 is received by the voltage detection circuit 330.

그 전압 검출 회로(330)에 의해 방전 전류가 받아들여지고，디지털화되는 전압치 데이터는，MPU(322)에 보내진다．이로 인해, MPU(322)에 있어，전압 검출 회로(330)로부터의 정보를 기초로 하여 ２차 전지(312)의 잔량의 예측이 똑같이 하여 행해지고，그 결과가 휴대용 기기의 LCD 창(323)에 표시된다．The discharge current is received by the voltage detection circuit 330, and the voltage value data to be digitized is sent to the MPU 322. Therefore, the MPU 322 receives information from the voltage detection circuit 330. On the basis of this, prediction of the remaining amount of the secondary battery 312 is made in the same manner, and the result is displayed on the LCD window 323 of the portable device.

이처럼，방전 전류의 측정에，본래 이상발생시에 ２차 전지(312)에 연결된 전류 흐름을 차단하기 위해 설치된 파워 MOSFET Q1의 온 저항을 이용할 수 있도록 하고 있다．즉，파워 MOSFET Q1의 온 저항을 변화시키는 것에 의하여，큰 전압으로서，방전 전류를 측정할 수 있도록 하고 있다．이것에 의해，전류검출저항 Rcs를 이용하지아니하고，미세한 피측정 전류를 용이하게 측정하는 것이 가능해진다．따라서 미세한 피측정 전류도 정확하게 측정할 수 있고，종래의 바 그래프로 표시하고 있던 ２차 전지의 잔량을 시간 단위로 표시할 수 있는 등，고정밀의 예측이 용이하게 가능해지는 것이다．In this way, the on-resistance of the power MOSFET Q1 installed to cut off the current flow connected to the secondary battery 312 can be used to measure the discharge current. In other words, the on-resistance of the power MOSFET Q1 is changed. In this way, it is possible to measure the discharge current as a large voltage. This makes it possible to easily measure minute measured current without using the current detection resistor Rcs. It is possible to measure accurately, and to display the remaining amount of secondary batteries displayed in a bar graph in units of time, so that high-precision prediction can be easily performed.

또한. 파워 MOSFET Q1의 온 저항을 시간과 함께 변화시켜서，미리 설정한 온 저항으로 된 스위프 시간 타이밍에 미세한 방전 전류를 읽을 수 있기 때문에 게이트 전압 제어 회로(360)이나 파워 MOSFET Q1등의 회로 소자의 불규칙함을 시간의 불규칙함으로 대치하는 것이 가능해진다．그 결과 시간에 의한 조정，즉 소프트웨어의 조정에 의한 대응이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.Also. Since the on-resistance of the power MOSFET Q1 is changed with time, minute discharge current can be read at the sweep time timing of the preset on-resistance, so that irregularities of circuit elements such as the gate voltage control circuit 360 and the power MOSFET Q1 are obtained. Can be replaced by irregularities of time. As a result, the adjustment by time, that is, by software adjustment, can be facilitated.

그리고, 이상 검출 회로(350)에 의하여 방전 전류의 이상이 검출된 경우에는 보호 동작이 행해진다．When the abnormality of the discharge current is detected by the abnormality detection circuit 350, the protection operation is performed.

즉，게이트 전압 제어 회로(360)을 이용하여，파워 MOSFET Q1의 게이트가 제어되고, 이로 인해 파워 MOSFET Q1이 오프 상태로 되어 ２차 전지(312)에 연결된 전류 흐름이 차단된다．That is, using the gate voltage control circuit 360, the gate of the power MOSFET Q1 is controlled, which causes the power MOSFET Q1 to be turned off, thereby interrupting the current flow connected to the secondary battery 312.

또 다른 일실시예로 도 4는 본 발명의 제２의 실시 형태에 관련되어，게이트 전압 제어 회로에 있어서 스위프 회로의 다른 구성예를 나타내는 것이다．In still another embodiment, FIG. 4 is a diagram showing another configuration example of the sweep circuit in the gate voltage control circuit according to the second embodiment of the present invention.

스위프 회로(362)는 ，일예로, 한 끝이 파워 MOSFET Q1의 게이트에 접속되어 다른 단이 제１의 전위인 전원 전압 VDD에 접속된 스위치(362ａ)와，한 끝이 파워 MOSFET Q1의 게이트에 접속되어 다른 단이 제２의 전위인 접지 전위에 접속된 캐패시터(362ｂ)와，한 끝이 파워 MOSFET Q1의 게이트에 접속되어 다른 단이 접지 전위, 즉 제２의 전위에 접속된 정전류원(방전 회로）(362ｃ)를 갖춰 구성된다．The sweep circuit 362 includes, for example, a switch 362a having one end connected to a gate of the power MOSFET Q1 and the other end connected to a power supply voltage VDD having a first potential, and one end connected to a gate of the power MOSFET Q1. A capacitor 362k connected to the other terminal of which is connected to the ground potential of the second potential, and a constant current source having one end connected to the gate of the power MOSFET Q1 and the other end connected to the ground potential, that is, the second potential (discharge Circuit) 362c.

이러한 스위프 회로(362)의 경우，도 2의 파워 MOSFET(361ａ)에 상당한 상기 스위치(362ａ)를 오프 상태로 하여, 도 2의 정전류원(361ｂ)에 상당한 상기 정전류 원(362ｃ)를 이용하여，도 2의 캐패시터(360ｎ)에 상당한 상기 캐패시터(362ｂ)에 충전된 전하를 방전시키는 것에 의하여，파워 MOSFET Q1의 게이트 전압을 시간의 경과와 동시에 변화시키도록 구성할 수가 있다. In the case of such a sweep circuit 362, the switch 362a corresponding to the power MOSFET 361a in FIG. 2 is turned off, and the constant current source 362c corresponding to the constant current source 361k in FIG. 2 is used. By discharging the electric charge charged in the capacitor 362ｂ corresponding to the capacitor 360n in FIG. 2, the gate voltage of the power MOSFET Q1 can be configured to change with the passage of time.

이상에서 설명드린 바와 같이, 본 발명에 따른 2차전지 잔량 측정용 집적회로에 의하면，미세한 전류를 정확하게 측정할 수 있고，２차 전지의 잔량을 고정밀도로 예측할 수 있는 좋은 효과가 있다. As described above, according to the integrated circuit for measuring the remaining amount of secondary battery according to the present invention, it is possible to accurately measure the minute current and to have a good effect of accurately predicting the remaining amount of the secondary battery.

Claims (5)

기기 본체 또는 충전기의 단자에 접속된 단자（＋，－）(311ａ，311ｂ) 사이에 １개 또는 여러 개의 ２차 전지(312)가 직렬로 접속되어 전류가 흐르고, 그 전류가 흐르는 도중，이상 전류 발생시에 전류 흐름을 차단하기 위한 파워MOSFET Q１，Q２가 직렬로 형성된I.C 기판(321)이 구성되되;One or several secondary batteries 312 are connected in series between the terminals (+,-) (311a, 311ｂ) connected to the terminals of the main body of the apparatus or the charger, and a current flows while the current flows. An IC substrate 321 is formed in which power MOSFETs Q1 and Q2 for blocking current flow at the time of occurrence are formed in series; 상기 I.C 기판(321)상에는,On the I.C substrate 321, 파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류(방전 전류)를 전압치(Vgs)로서 검출하기 위한 전압 검출 회로(330)와,A voltage detecting circuit 330 for detecting the measured current (discharge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFET Q1 as the voltage value Vgs; 전압 검출 회로(330)으로 부터 공급되는 전압치 데이터，온도 데이터 및 전지전압 데이터를，잔량 예측을 위한 정보로서 이용하고 ２차 전지 312의 잔량을 예측하고，기기 본체등의 LCD 창(323)에 표시하는 MCU(322)와,Voltage value data, temperature data, and battery voltage data supplied from the voltage detection circuit 330 are used as information for remaining amount prediction, the remaining amount of the secondary battery 312 is estimated, and the LCD window 323 such as the main body of the device is used. MCU 322 to display, MPU(322)의 출력에 근거하여，상기 전압 검출 회로 (330)로의 전압을 읽는 타이밍을 제어하거나，게이트 전압 제어 회로(360)의 동작 모드의 변경상태를 나타내는 스위프 전압 발생 유무 등을 제어하는 제어 회로(340)와,Control to control the timing of reading the voltage to the voltage detection circuit 330 based on the output of the MPU 322, or to control the presence or absence of a sweep voltage indicating a change state of the operation mode of the gate voltage control circuit 360. Circuit 340, ２차 전지(312)의 셀 전압 및 파워MOSFET Q1，Q2의 소오스와 드레인 사이를 흐르는 피측정 전류 등(방전 전류／충전 전류)이 정보를 읽어들이고，과충전，과방전，과전류，단락회로 등의 이상의 발생을 검출하는 이상 검출 회로(350)와,The cell voltage of the secondary battery 312 and the measured current (discharge current / charge current) flowing between the source and the drain of the power MOSFETs Q1 and Q2 read information, such as overcharge, overdischarge, overcurrent, and short circuit. An abnormality detection circuit 350 for detecting the occurrence of abnormality, 제어 회로(340) 및 상기 이상 검출 회로(350)의 제어에 의하여 파워 MOSFET Q1의 게이트를 제어하는 게이트 전압 제어 회로(360)로 이루어져 구성되는 것을 특 징으로 하는 2차전지 잔량 측정용 집적회로.And a gate voltage control circuit (360) for controlling the gate of the power MOSFET Q1 under the control of a control circuit (340) and the abnormality detection circuit (350). 제1항에 있어서, 제어회로는 파워 MOSFET Q1의 소오스와 드레인사이를 흐르는 피측정 전류가 전압 검출 회로(330)에 의하여 검출할 수 없는 정도의 미세한 값으로 설정되어 있다면, 그 스위프 동작 모드에서 전압 검출 회로(330)로의 전압을 읽는 타이밍이，파워 MOSFET Q1의 온 저항이 미리 설정된 제２의 저항치가 되는 시점이 되도록 하여 파워 MOSFET Q1의 게이트 전압을 서서히 낮아지도록 변화시키도록 제어되는 것을 특징으로 하는 2차전지 잔량 측정용 집적회로.2. The control circuit of claim 1, wherein the control circuit sets the voltage in the sweep operation mode if the current to be measured between the source and the drain of the power MOSFET Q1 is set to a minute value that cannot be detected by the voltage detecting circuit 330. The timing of reading the voltage to the detection circuit 330 is controlled so as to change the gate voltage of the power MOSFET Q1 so that the gate voltage of the power MOSFET Q1 is gradually lowered such that the on resistance of the power MOSFET Q1 becomes a second predetermined resistance value. Integrated circuit for secondary battery level measurement. 제1항에 있어서, 게이트 전압 제어 회로는 시간의 경과에 따라 파워MOSFET Q1의 소오스와 드레인 사이의 저항이 변화하도록 하여 유입되는 게이트 전압을 변화시키는 것을 특징으로 하는 2차전지 잔량 측정용 집적회로.The integrated circuit for measuring the residual amount of secondary battery power according to claim 1, wherein the gate voltage control circuit changes the incoming gate voltage by changing the resistance between the source and the drain of the power MOSFET Q1 over time. 제3항에 있어서, 게이트 전압 제어 회로는 제어 회로(340)로부터의 출력이 인버터 회로(360ａ)에 공급되고, 그 인버터 회로(360ａ)의 출력이 NAND 회로(360ｂ) 입력단 일측에 공급되며, 그 NAND 회로(360ｂ) 입력단의 타측 방향으로 이상 검출 회로(350)에 의해 출력이 공급되고, 그 NAND 회로(360ｂ)의 출력이 인버터 회 로(360ｃ，360ｄ)를 거쳐 스위프 회로(361)을 구성한 파워MOSFET(361ａ)의 게이트에 공급됨과 동시에，NAND 회로(360ｅ)의 입력단 일측에 공급되며, 파워MOSFET(361ａ)의 소오스가 제１의 전위인 전원 전압 VDD에 접속되어 드레인이 파워 MOSFET Q1의 게이트에 접속되며, NAND 회로(360ｅ) 입력단 일측에 이상 검출 회로(350)로부터의 출력이 공급되고, 그 NAND 회로(360ｅ)의 출력이 인버터 회로(360ｆ)를 거쳐전압 플로워로 구성된 연산 증폭기(360ｇ)에 공급되며, 인버터 회로(360ｆ)의 출력 신호가 연산 증폭기(360ｇ)를 온／오프의 상태를 제어하는 신호가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 2차전지 잔량 측정용 집적회로.4. The gate voltage control circuit according to claim 3, wherein the output from the control circuit 340 is supplied to the inverter circuit 360a, and the output of the inverter circuit 360a is supplied to one side of an input terminal of the NAND circuit 360 '. The output is supplied by the abnormality detection circuit 350 in the other direction of the NAND circuit 360 kV input terminal, and the output of the NAND circuit 360 kV constitutes the sweep circuit 361 via the inverter circuits 360c and 360d. It is supplied to the gate of the MOSFET 361a and is supplied to one input terminal side of the NAND circuit 360e. The source of the power MOSFET 361a is connected to the power supply voltage VDD, which is the first potential, and the drain is supplied to the gate of the power MOSFET Q1. Connected to one side of the NAND circuit 360e input terminal, an output from the abnormality detection circuit 350 is supplied, and the output of the NAND circuit 360e is passed through an inverter circuit 360ｆ to an operational amplifier 360g constituted of a voltage follower. Supplied with inverter circuit An integrated circuit for measuring the residual amount of secondary battery power, characterized in that the output signal of 360 kV is a signal for controlling the state of turning on / off the operational amplifier 360 g. 제4항에 있어서, 연산 증폭기(360ｇ)는 반전 입력단（－）과 비반전 입력단（＋）의 전압을 비교한 차동단과 ，파워MOSFET(360a)와，정전류원(361ｂ)로 된 출력단에 의하여 구성되고，파워MOSFET(360a)의 게이트에는 차동단으로부터의 신호가 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 2차전지 잔량 측정용 집적회로.5. The operational amplifier (360g) is composed of a differential stage comparing voltages of the inverting input terminal (-) and the non-inverting input terminal (+), an output terminal comprising a power MOSFET (360a) and a constant current source (361 kHz). And a signal from the differential stage is supplied to the gate of the power MOSFET (360a).
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