KR20070081045A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

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KR20070081045A
KR20070081045A KR1020060012754A KR20060012754A KR20070081045A KR 20070081045 A KR20070081045 A KR 20070081045A KR 1020060012754 A KR1020060012754 A KR 1020060012754A KR 20060012754 A KR20060012754 A KR 20060012754A KR 20070081045 A KR20070081045 A KR 20070081045A
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박대성
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Abstract

A semiconductor manufacturing apparatus is provided to restrain the generation of safety accidents due to the overheat by detecting an inner temperature of a power supply unit and interlocking the semiconductor manufacturing apparatus in an overheated state of the power source unit using a detection unit and a control unit. A semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber, a power supply unit, a detection unit and a control unit. The process chamber(300) for performing a predetermined process on a substrate. The power supply unit(200) supplies power to the process chamber. The detection unit(230) is installed at a transformer of the power supply unit in order to sense an inner temperature of the power supply unit. The control unit(250) generates a predetermined control signal corresponding to a detection signal transmitted from the detection unit.

Description

반도체 제조 장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE}Semiconductor manufacturing device {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 구성도이다.1 is a schematic block diagram showing an example of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 분배기 200 : 전원 공급부100: divider 200: power supply

210 : 입력 단자 220 : 출력 단자210: input terminal 220: output terminal

230 : 감지부 240 : 트랜스포머230: detection unit 240: transformer

250 : 제어부 260 : 표시부250: control unit 260: display unit

270 : 차단기 300 : 공정 챔버270: breaker 300: process chamber

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조 공정이 진행되는 반도체 설비에 전원을 공급하는 파워 서플라이 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a power supply apparatus for supplying power to a semiconductor facility in which a semiconductor element manufacturing process is performed.

일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 회로 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되며, 박막의 형성 및 적 층을 위해서는 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 그리고, 단위 공정들의 수행에는 각 단위 공정에 적합한 다양한 반도체 제조 장치가 이용되며, 예를 들면 증착 장치, 이온 주입 장치 및 식각 장치 등이 그러한 것이다. In general, a semiconductor device is manufactured by repeating a process of sequentially stacking thin films to form a predetermined circuit pattern on a silicon wafer, and for forming and stacking thin films, a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process are performed. You must repeat them. In addition, various semiconductor manufacturing apparatuses suitable for each unit process are used to perform the unit processes, for example, a deposition apparatus, an ion implantation apparatus, and an etching apparatus.

이러한 반도체 제조 장치는 외부 전원으로부터 주 전력을 공급받아 이를 전원 공급 장치에서 공정 챔버로 전달하여 공정 챔버에서 기판을 처리하는 등의 제조 공정을 수행하게 된다. The semiconductor manufacturing apparatus receives a main power from an external power source and transfers the main power from the power supply to the process chamber to perform a manufacturing process such as processing a substrate in the process chamber.

그런데, 고전압 고전류가 흐르는 직류 전원 공급 장치(DC Power Supply)의 경우에는, 내부 결함의 발생이나 와이어 결선 등에 의해 전류와 전압의 과다한 비균형이 야기되어 트랜스포머에 과부하가 걸리게 되고, 이로 인해 DC 브릿지의 고장을 유발시키는 등 여러 가지의 전원 장애가 발생할 가능성이 상존하는 문제점이 있었다.However, in the case of a DC power supply in which high voltage and high current flow, excessive imbalance of current and voltage is caused due to occurrence of internal defects or wire connection, resulting in overloading of the transformer, thereby causing There was a problem that the possibility of various power failures, such as causing a failure, existed.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 통상적인 반도체 제조 장치가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 전원 공급 장치에서 발생할 수 있는 안전 사고의 위험을 예방할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하기 위한 것이다.Therefore, the present invention was created to solve the problem in view of the conventional semiconductor manufacturing apparatus as described above, the object of the present invention is to prevent the risk of a safety accident that can occur in the power supply device It is for providing a semiconductor manufacturing apparatus.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는, 반도체 제조 장치에 있어서, 기판을 처리하는 공정이 진행되는 공정 챔버와; 상기 공정 챔 버에 전력을 공급하는 전원 공급부와; 상기 전원 공급부 내의 트랜스포머에 설치되며, 상기 전원 공급부의 내부 온도를 센싱하는 감지부와; 상기 감지부로부터 전송된 검출 신호에 대응하는 소정의 제어 신호를 생성시키는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises: a process chamber in which a process of processing a substrate is performed; A power supply unit supplying power to the process chamber; A sensing unit installed in a transformer in the power supply unit and sensing an internal temperature of the power supply unit; And a controller configured to generate a predetermined control signal corresponding to the detection signal transmitted from the detection unit.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 장치는 상기 전원 공급부의 내부 온도가 기설정된 값을 초과할 경우 상기 장치를 인터록(Interlock)시키도록 상기 제어부의 제어 신호를 수용하여 상기 전원 공급부로 전달되는 전력을 차단하는 차단기를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the apparatus receives the control signal of the control unit to interlock the device when the internal temperature of the power supply exceeds a predetermined value. It is preferable to further include a circuit breaker to cut off the power delivered to the power supply.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 장치는 상기 제어부의 제어 신호를 수용하여 상기 전원 공급부의 내부 온도를 나타내는 표시부를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to an aspect of the invention, the device preferably further includes a display unit for indicating the internal temperature of the power supply by receiving the control signal of the control unit.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시예 )(Example)

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 구성도이다.1 is a schematic block diagram showing an example of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 외부 전원(미도시)으로부터 공급되는 전력은 분배기(100)에서 분배된 후 전원 공급부(200)의 입력 단자(210)로 입력된다. 그리고 전원 공급부(200)에 입력된 전력은 전원 공급부(200) 내의 제어 장치(미도시)에 의해 출력 단자(220)를 통해 공정 챔버(300)로 전달된다.Referring to FIG. 1, power supplied from an external power source (not shown) is distributed by the distributor 100 and then input to the input terminal 210 of the power supply unit 200. In addition, the power input to the power supply unit 200 is transmitted to the process chamber 300 through the output terminal 220 by a control device (not shown) in the power supply unit 200.

전원 공급부(200)에는 과열에 의한 발화 등으로 인해 발생할 수 있는 안전 사고의 위험을 예방하기 위해 전원 공급부(200)의 내부 온도를 센싱하는 감지부(230)가 설치된다. 감지부(230)는 열전쌍(Thermo-Couple : TC) 등과 같은 온도 센서를 포함한다. 감지부(230)는 전원 공급부(200) 내의 트랜스포머(Transformer, 240)에 설치될 수 있으며, 과도한 발열이 발생하는 기타 다른 파트들에 설치될 수도 있다. 감지부(230)의 온도 검출 신호는 제어부(250)로 전송되고, 제어부(250)는 검출 신호를 전달받아 이에 대응하는 소정의 제어 신호를 생성시킨다. 제어부(250)의 제어 신호는 표시부(260)로 전달되며, 표시부(260)는 전원 공급부(200)의 내부 온도를 작업자 등이 인지할 수 있도록 측정 온도 값을 외부로 나타낸다.The power supply unit 200 is provided with a sensing unit 230 for sensing the internal temperature of the power supply unit 200 to prevent the risk of a safety accident that may occur due to ignition due to overheating. The sensing unit 230 includes a temperature sensor such as a thermo-couple (TC). The detector 230 may be installed in a transformer 240 in the power supply 200, or may be installed in other parts in which excessive heat is generated. The temperature detection signal of the detector 230 is transmitted to the controller 250, and the controller 250 receives the detection signal and generates a predetermined control signal corresponding thereto. The control signal of the controller 250 is transmitted to the display unit 260, and the display unit 260 displays the measured temperature value to the outside so that an operator or the like can recognize the internal temperature of the power supply unit 200.

그리고, 전원 공급부(200)의 내부 온도 측정 결과 전원 공급부(200)의 내부 온도가 기설정된 값을 초과하여 과열로 인해 발화가 될 가능성이 있다고 판단되는 경우, 제어부(200)는 차단기(270)에 인터록(Interlock) 신호를 전송하여 전원 공급부(200)로 전달되는 전력을 차단한다. 이와 같이 전원 공급부(200)로 공급되는 전력이 차단됨으로써 반도체 제조 장치가 인터록되며, 그 결과 과열에 의한 발화 등으로 인해 발생할 수 있는 안전 사고를 예방할 수 있게 된다.When the internal temperature of the power supply unit 200 determines that the internal temperature of the power supply unit 200 exceeds a preset value and may cause ignition due to overheating, the control unit 200 may contact the breaker 270. The interlock signal is transmitted to cut off power transmitted to the power supply 200. As such, when the power supplied to the power supply unit 200 is cut off, the semiconductor manufacturing apparatus is interlocked, and as a result, a safety accident that may occur due to ignition due to overheating may be prevented.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으 로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전원 공급부의 내부 온도를 감지하여, 과열 상태 여부를 판단하고 과열 시 반도체 제조 장치를 인터록시킴으로써, 과열에 의한 발화 등으로 인해 발생할 수 있는 안전 사고의 위험을 예방할 수 있다.As described above, according to the present invention, the internal temperature of the power supply unit is sensed to determine whether it is in an overheat state and interlocks the semiconductor manufacturing apparatus when overheated, thereby preventing a risk of a safety accident that may occur due to ignition due to overheating. Can be.

Claims (3)

반도체 제조 장치에 있어서,In the semiconductor manufacturing apparatus, 기판을 처리하는 공정이 진행되는 공정 챔버와;A process chamber in which a process of processing a substrate is performed; 상기 공정 챔버에 전력을 공급하는 전원 공급부와;A power supply unit supplying power to the process chamber; 상기 전원 공급부 내의 트랜스포머에 설치되며, 상기 전원 공급부의 내부 온도를 센싱하는 감지부와;A sensing unit installed in a transformer in the power supply unit and sensing an internal temperature of the power supply unit; 상기 감지부로부터 전송된 검출 신호에 대응하는 소정의 제어 신호를 생성시키는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a controller configured to generate a predetermined control signal corresponding to the detection signal transmitted from the sensing unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장치는,The device, 상기 전원 공급부의 내부 온도가 기설정된 값을 초과할 경우 상기 장치를 인터록(Interlock)시키도록 상기 제어부의 제어 신호를 수용하여 상기 전원 공급부로 전달되는 전력을 차단하는 차단기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The circuit breaker may further include a circuit breaker configured to block a power transmitted to the power supply by receiving a control signal of the controller to interlock the device when the internal temperature of the power supply exceeds a preset value. Semiconductor manufacturing apparatus. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 장치는, The device, 상기 제어부의 제어 신호를 수용하여 상기 전원 공급부의 내부 온도를 나타 내는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a display unit which receives the control signal of the controller and indicates an internal temperature of the power supply unit.
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KR20160067602A (en) 2014-12-04 2016-06-14 (주)티티에스 Fire monitoring device of fabrication system for semiconductor or display using thermovision sensor

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