KR20070080501A - Wide beam uniformity controller in the ion implantation device - Google Patents
Wide beam uniformity controller in the ion implantation device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070080501A KR20070080501A KR1020060011864A KR20060011864A KR20070080501A KR 20070080501 A KR20070080501 A KR 20070080501A KR 1020060011864 A KR1020060011864 A KR 1020060011864A KR 20060011864 A KR20060011864 A KR 20060011864A KR 20070080501 A KR20070080501 A KR 20070080501A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion beam
- motor
- ion
- coupler
- shaft
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치가 적용되는 이온 주입 설비의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of an ion implantation apparatus to which an ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention is applied.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치에서 모터의 축과 커플러를 보여주는 도면이다. 3 is a view showing the shaft and the coupler of the motor in the ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 모터의 축과 커플러의 조립 부분을 보여주는 도면이다.4 shows the assembly of the shaft and the coupler of the motor.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
110 : 로드110: load
112 : 축112: axis
120 : 구동장치120: drive device
122 : 모터122: motor
124 : 커플러124: Coupler
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 사용되는 이온 주입 설비에 관한 것으로, 구체적으로는 불순물을 기판에 주입하는 이온 주입설비에서 이온빔이 불균일하게 방사되는 것을 방지하기 위하여, 이온빔에 전자기력을 가하여 불균일한 이온빔을 균일화시키도록 하는 이온빔 균일성 조정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation facility used in a manufacturing process of a semiconductor device. Specifically, in order to prevent an ion beam from being unevenly radiated in an ion implantation facility injecting impurities into a substrate, an uneven ion beam is applied by applying an electromagnetic force to the ion beam. An ion beam uniformity adjusting device for uniformizing the
이온주입(ion implantation)은 불순물을 기판에 주입하는 기술이다. 소망하는 불순물 재료가 이온소스에서 이온화되고, 이온들은 미리 정해진 에너지의 이온빔을 형성하도록 가속화되어, 이온빔이 웨이퍼의 표면으로 향한다. 빔의 활성 이온들은 반도체 물질 속으로 침투되고 반도체 물질의 결정 격자로 매립되어 원하는 전도도의 영역을 형성한다. Ion implantation is a technique of implanting impurities into a substrate. The desired impurity material is ionized in the ion source and the ions are accelerated to form an ion beam of predetermined energy, such that the ion beam is directed to the surface of the wafer. Active ions of the beam penetrate into the semiconductor material and are embedded in the crystal lattice of the semiconductor material to form regions of desired conductivity.
이온주입기에서 이온소스로부터 발산된 이온빔은 원하지 않는 이온의 혼입을 제거하기 위해 질량 분석되고, 원하는 에너지로 가속화되어, 타겟(target)인 웨이퍼 표면으로 향한다. 이온빔은 주사장치를 이동하거나, 이온빔 주사기는 고정하고 타겟을 이동시키거나, 또는 빔 이동주사와 타겟 이동의 조합에 의해 타겟인 웨이퍼 전 표면으로 골고루 방사된다. The ion beam emitted from the ion source in the ion implanter is mass analyzed to eliminate the incorporation of unwanted ions, accelerated to the desired energy, and directed to the target wafer surface. The ion beam moves evenly through the scanning device, the ion beam syringe is fixed and the target is moved, or the beam is moved evenly to the entire surface of the target wafer by a combination of the scanning and target movement.
이온빔은 이온소스에서 1차원으로 주사되어 주사 원점(scan origin)이라 칭해지는 하나의 점으로부터 발산되고, 이온소스에서 발산된 이온빔은 포커싱(focusing)을 수행하는 이온 광학 소자인 포커싱장치를 통과한다. 이온 광학 소자는 기판로의 전달을 위해, 발산하는 이온 궤적을 평행한 이온 궤적으로 변환시킨다. 기판에 대한 평행 이온 빔의 전달은 많은 응용에서 중요한 요구사항이다. 평행 이온빔은 기판의 표면에 걸쳐 평행한 이온 궤적을 갖는 이온빔이다. The ion beam is scanned in one dimension at an ion source and is emitted from one point called a scan origin, and the ion beam emitted at the ion source passes through a focusing device, which is an ion optical element that performs focusing. The ion optical element converts the diverging ion trajectory into a parallel ion trajectory for delivery to the substrate. The transfer of parallel ion beams to the substrate is an important requirement in many applications. Parallel ion beams are ion beams with parallel ion trajectories across the surface of the substrate.
한편, 포커싱은 각도 보정기 마그넷 또는 정전(electrostatic) 렌즈로 행해진다. 이들은 주사된 이온빔의 굴곡화 (bending), 포커싱 및 평행화 기능을 수행한다. Focusing, on the other hand, is done with an angle corrector magnet or an electrostatic lens. They perform the bending, focusing and parallelizing functions of the scanned ion beams.
각도 보정기 마그넷 또는 다른 포커싱장치를 통과한 이온빔은, 이온빔의 파라미터에 따라 평행일 수 있고 수렴형 또는 발산형일 수 있다. 각도 보정기 마그넷이 이용되는 경우에는 각도 보정기 마그넷의 자계를 가변시킴으로써 평행성이 조정될 수 있다. 이온빔 파라미터가 변경되면 이온빔 평행성을 복귀시키기 위해 각도 보정기 마그넷의 재조정이 요구된다. The ion beam passing through the angle corrector magnet or other focusing device may be parallel and convergent or divergent depending on the parameters of the ion beam. When an angle corrector magnet is used, the parallelism can be adjusted by varying the magnetic field of the angle corrector magnet. If the ion beam parameters are changed, readjustment of the angle corrector magnet is required to restore ion beam parallelism.
여기서, 이온빔은 스폿빔(spot beam)과 와이드빔(wide beam)으로 나눌수 있는데, 스폿빔(spot beam)은 직경 약 1cm정도의 작은 범위의 이온빔을 주사하여 이온주입하는 방식으로 직경이 큰 웨이퍼 표면에 골고루 이온빔을 방사하기 위하여는 웨이퍼의 이동거리 혹은 이온빔주사기의 이동거리가 상대적으로 길어지게 되는 단점이 있는 반면, 와이드빔에 의한 이온주입방식은 예를 들어 직경200mm의 웨이퍼라고 하면 200mm보다 긴 폭의 이온빔을 주사하여 일축 방향만의 웨이퍼 혹은 이온빔주사기의 스캔에 의하여 이온주입이 이루어지는 장점이 있으나, 이온빔의 폭이 길어짐에 따라 이온빔 강도의 전자기적 균일성이 전제되어야만 한다. Here, the ion beam can be divided into a spot beam and a wide beam, and the spot beam is a surface of a large diameter wafer in which ion beams are scanned by ion implantation in a small range of about 1 cm in diameter. In order to radiate the ion beam evenly, the moving distance of the wafer or the moving distance of the ion beam scanner is relatively long, while the ion implantation method using the wide beam is longer than 200 mm for a wafer having a diameter of 200 mm, for example. There is an advantage that the ion implantation is performed by scanning the ion beam of the wafer or the ion beam scanner only by scanning the ion beam, but as the width of the ion beam becomes longer, the electromagnetic uniformity of the ion beam intensity must be premised.
이러한 이온빔의 균일성을 조정하는 장치는, 이온빔의 불균일한 부분에 국부적인 전자기력을 가하여 이온빔의 균일화를 도모하는 것으로, 이온빔에 전자기력을 가하는 로드(마그넷)들은 모터들에 의해 움직이게 된다. 그런데, 모터의 축과 로드의 축을 연결하는 커플러의 구조적인 문제 때문에 모터 회전시 약간의 틈이 발생하 여 모터가 헛도는 현상이 발생되며, 모터 축을 커플러에 고정하는 세트 스크류에 의해 데미지 자국이 발생되어 라이프 타임이 단축되는 단점도 있고, 세트 스크류 고정방식이기 때문에 조립하는데 불편함이 있었다. The device for adjusting the uniformity of the ion beam is to apply the local electromagnetic force to the non-uniform portion of the ion beam to homogenize the ion beam, and the rods (magnets) that apply the electromagnetic force to the ion beam are moved by motors. However, due to the structural problem of the coupler connecting the shaft of the motor and the shaft of the rod, a slight gap occurs when the motor rotates, causing the motor to fail.A damage mark is generated by a set screw that fixes the motor shaft to the coupler. There is also a disadvantage that the life time is shortened, there was an inconvenience in assembling because of the set screw fixing method.
본 발명의 목적은 모터와 커플러의 조립이 용이한 이온빔 균일성 조정장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 목적은 모터와 커플러의 연결부위에 데미지가 적게 발생하는 이온빔 균일성 조정장치를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide an ion beam uniformity adjusting device that is easy to assemble a motor and a coupler. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an ion beam uniformity adjusting device in which damage is less generated at a connection portion of a motor and a coupler.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명의 이온빔 균일성 조정 장치는 이온빔이 지나가는 경로의 상하측에 독립적으로 상하 이동이 가능하도록 일렬로 설치되는 다수의 로드; 및 각각의 상기 로드를 상하 이동시키기 위한 구동장치를 포함하되; 상기 구동장치는 적어도 일측이 평평한 면을 갖는 회전축을 갖는 모터와; 상기 모터의 동력을 상기 로드로 전달하기 위하여 일단에는 상기 모터의 축이 삽입되는 상기 모터의 축과 대응되는 형상의 제1삽입구, 타단에는 상기 로드의 축이 삽입되는 제2삽입구를 구비한 커플러를 구비한다.In order to achieve the above technical problem, the ion beam uniformity adjusting apparatus of the present invention comprises: a plurality of rods installed in a row so as to be able to move up and down independently on the upper and lower sides of a path through which the ion beam passes; And a driving device for vertically moving each of the rods; The drive device includes a motor having a rotating shaft having a flat surface on at least one side; In order to transfer the power of the motor to the rod, a coupler having a first inserting opening having a shape corresponding to the shaft of the motor into which the shaft of the motor is inserted, and a second inserting opening into which the shaft of the rod is inserted into the other end thereof. Equipped.
본 발명의 실시예에서, 상기 로드의 축은 상기 제2삽입구에 삽입된 후 나사에 의해 고정된다. In an embodiment of the invention, the shaft of the rod is fixed by screws after being inserted into the second insertion opening.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용 이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.
이온빔에 전자기력을 가하는 로드(마그넷)들은 모터들에 의해 움직이게 된다. 그런데, 도 5에 도시한 바와 같이 모터의 축과 로드의 축을 연결하는 커플러의 구조적인 문제 때문에 모터 회전시 약간의 틈이 발생하여 모터가 헛도는 현상이 발생되며, 모터 축을 커플러에 고정하는 세트 스크류에 의해 데미지 자국이 발생되어 라이프 타임이 단축되는 단점도 있고, 세트 스크류 고정방식이기 때문에 조립하는데 불편함이 있었다. The rods (magnets) that apply electromagnetic force to the ion beam are moved by motors. However, as shown in FIG. 5, due to the structural problem of the coupler connecting the shaft of the motor and the shaft of the rod, a slight gap occurs during the rotation of the motor, resulting in a phenomenon in which the motor is idle, and the set fixing the motor shaft to the coupler. There is a disadvantage that damage marks are generated by the screw, which shortens the life time, and there is inconvenience in assembling because the set screw is fixed.
본 발명은 기판에 불순물을 주입하는 이온 주입 설비 중에서, 이온빔의 균일성을 조정할 있는 장치에 관한 것으로, 본 발명은 모터의 축과 커플러의 연결 구조를 변경하여 조립이 쉽고 데미지가 발생되지 않도록 하는데 그 특징이 있다. The present invention relates to a device that can adjust the uniformity of the ion beam in the ion implantation equipment for injecting impurities into the substrate, the present invention is to change the connection structure of the shaft and the coupler of the motor so that the assembly is easy and does not cause damage There is a characteristic.
이와 같이 이온빔의 균일성을 조정하기 위한 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다. As described above, an apparatus for adjusting the uniformity of the ion beam will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치가 적용되는 이온 주입 설비의 개략적인 구성도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치의 단면도이다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온빔 균일성 조정장치에서 모터의 축과 커플러를 보여주는 도면이다. 도 4는 모터의 축과 커플러의 조립 부분을 보여주는 도면이다.1 is a schematic configuration diagram of an ion implantation apparatus to which an ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention is applied. 2 is a cross-sectional view of an ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view illustrating an axis and a coupler of a motor in the ion beam uniformity adjusting device according to an embodiment of the present invention. 4 shows the assembly of the shaft and the coupler of the motor.
도 1을 참조하면, 이온 주입 장치(200)는 이온 소스(210)와 빔 라인 챔버 (220)와 엔드 스테이션 챔버(240)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the ion implantation apparatus 200 includes an
이온 소스(210)는 아크 챔버(212)와 열전자를 방출하기 위한 필라멘트(214) 등을 포함한다. 아크 챔버(212)로 공급된 소스 가스는 열전자와의 충돌에 의해 이온화될 수 있다. 이밖에도, 고주파(radio frequency)형 이중 플라즈마트론(duoplasmatron), 냉음극(cold cathode)형, 스퍼터(sputter)형, 페닝(penning ionization)형 등의 이온 소스(210)가 사용될 수 있다. The
빔 라인 챔버(220)는 이온 소스(210)로부터 이온빔을 추출하기 위한 이온 추출기(222), 이온 추출기(222)에 의해 추출된 이온빔의 극성을 변환시키기 위한 제1극성 변환기(224), 및 극성이 변환된 이온빔으로부터 특정 이온을 선별하기 위한 질량 분석기(226), 선별된 이온으로 이루어진 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 인젝터 패러데이 컵 조립체(228), 상기 선별된 이온으로 이루어진 이온빔을 가속하기 위한 가속기(230), 상기 가속기(230)에 연결되며 가속기(230)를 통과하는 이온빔의 극성을 변환시키기 위한 제2극성 변환기(232), 가속된 이온빔을 포커싱하기 위한 포커싱 마그네트(234)등 을 포함한다. The
제1극성 변환기(224)는 전자공여물질로 사용되는 고체 마그네슘과 히터를 포함한다. 히터로부터 450℃ 정도의 고열이 고체 마그네슘으로 제공되고, 고체 마그네슘으로부터 기상의 마그네슘 분자가 방출되어 추출된 이온빔과 충돌된다. 그러면, 이온빔은 마그네슘 분자로부터 전자를 얻어서 부의 성질을 갖는 이온빔으로 변환된다. 상기와 같이 부의 성질을 갖는 이온빔은 질량 분석기(226)에서 특정 이온만이 선별되어 가속기(230)로 제공된다. The first
가속기(230)로는 고전압이 인가되는 다수의 전극들을 포함하는 탄데트론 챔버가 사용될 수 있으며, 부의 이온빔을 가속하기 위한 제1가속부(230a)와 제2극성 변환기(232)에 의해 변환된 정의 이온빔을 가속하기 위한 제2가속부(230b)를 포함한다. 제2극성 변환기(232)는 상기 제1가속부(230a) 및 제2가속부(230b) 사이에 배치되며, 질소 가스와 같은 스트리핑 가스를 이용하여 부의 이온빔을 정의 이온빔으로 변환시킨다. As the
가속기(230)를 통해 가속된 정의 이온빔은 포커싱 마그네트(234)를 통해 초점이 조절되고, 반도체 기판(10) 상에 입사된다. 이때, 반도체 기판(10)에 전체적으로 이온을 주입하기 위한 스캐너(미도시) 등이 더 구비될 수 있다. 한편, 제2극성 변환기(232)에 의해 정의 이온빔으로 변환될 때 상기 정의 이온빔은 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들을 포함한다. 상기 정의 이온빔에 포함된 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들 중에서 특정 에너지를 갖는 이온을 선별하기 위한 이온 필터(미도시)가 더 구비될 수 있다. The positive ion beam accelerated through the
엔드 스테이션 챔버(240)에는 다수매의 반도체 기판(10)을 지지하고 회전시키기 위한 회전 디스크(202)가 구비되며, 회전 디스크(202) 상에는 상기 반도체 기판들(10)을 지지하기 위한 다수의 척(미도시)과 상기 이온빔을 통과시키기 위한 개구가 원주 방향으로 구비된다. 회전 디스크(202)는 수직 구동부(미도시)에 연결되어 있으며, 회전 디스크(202)의 후면에는 회전 디스크(202)를 회전시키기 위한 스캔 모터(140)가 연결되어 있다. 보다 구체적으로, 상기 회전 디스크 (202)는 원반 형상을 갖고, 다수매의 반도체 기판(10)이 가장자리를 따라 배치된다. 이온 주입 공정이 진행되는 동안, 회전디스크(202)는 상기 정의 이온빔이 반도체 기판(10)들에 전체적으로 주입되도록 수직 구동부 및 스캔 모터(140)에 의해 수직 이동 및 회전될 수 있다. 또한, 회전 디스크(202)의 후방에는 일 회전시마다 개구를 통해 통과된 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 디스크 패러데이 컵 조립체(204)가 배치되며, 반도체 기판(10)으로 주입되는 이온들의 카운팅은 상기 이온 전류 측정에 의해 이루어질 수 있다.The
이러한 이온 주입 장치(200)는 빔 라인 챔버의 질량 분석기(226)와 가속기(230) 후단 또는 이온빔의 이동경로상에 이온빔 균일성 조정장치(100)가 설치된다. 이온빔 균일성 조정장치(100)는 이온빔(10)의 균일성을 확보하기 위하여 프로파일러(미도시됨)로 균일성을 측정하고 균일성이 불량인 경우에는 이온소스(110)를 조정하거나 마그넷을 조정하여 이온빔(10)의 발생단계나 그 후의 전달단계에서 이온빔(10)의 주사조건을 변경시키는 방법이 이용된다. The ion implantation apparatus 200 is provided with an ion beam
본 발명의 이온빔 균일성 조정장치(100)는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 이온빔(10)이 방사되는 방향의 상하측으로 국부적인 전자기력을 발생시킬 수 있는 장치이다. 즉, 국부적으로 이온빔(10)의 밀도가 커서 이온빔(10)이 집중된 부분은 그 부분에만 작용하는 전자기력으로 이온빔(10)의 밀도를 낮게 하여 균일성을 확보하며, 반대로 이온빔(10)의 밀도가 낮은 부분은 그 부분 주위에 작용하는 전자기력으로 이온빔(10)의 밀도가 낮은 부분의 이온빔(10) 밀도를 높이는 작업을 하여 전체적으로 이온빔(10)의 균일성을 확보하는 과정을 수행한다. The ion beam
상술한 이온빔(10)이 방사되는 방향의 상하측으로 국부적인 전자기력을 가하 기 위하여 여러개의 자성체로 된 로드(110)들을 일렬로 이온빔(10)의 상하측에 설치하고, 상기 다수의 로드(110)들을 상하 이동시킬 수 있는 구동장치(120)를 결합하여 로드(110)들을 독립적으로 상하이동 시킴으로써 국부적으로 전자기력에 변동을 주게 된다.In order to apply local electromagnetic force to the upper and lower sides of the direction in which the
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 구동장치(120)는 모터(122)와 커플러(124)를 이용하여 로드를 독립적으로 상하 이동시키게 된다. 여기서 모터(122)는 적어도 일측이 평평한 면(122')을 갖는 회전축(122a)을 갖으며, 커플러(124)는 일단에 모터(122)의 회전축(122a)이 삽입되기 위하여 회전축(122a)과 동일한 형상의 제1삽입구(125)가 형성된다. 모터(122)의 회전축(122a)과 커플러(124)의 결합은 나사 체결 없이 삽입만으로 이루어진다. 모터의 회전축(122a)은 사각 기둥 형태로 이루어질 수도 있다. 커플러(124)의 타단에는 로드(110)의 축(112)이 삽입되는 제2삽입구(126)가 구비되며, 로드(110)의 축(112)은 제2삽입구(126)에 삽입된 후 나사(190)에 의해 고정된다. 한편, 커플러(124)의 하단 일측에는 로드축 고정나사(190)가 삽입되는 제3삽입구(127)와, 커플링 로드 드라이버 고정 나사(192)가 체결되는 제4삽입구(128)가 형성되어 있다. 3 and 4, the driving
상술한 바와 같이, 본 발명은 모터(122)의 회전축(122a)과 커플러(124)를 고정시키기 위한 별도의 체결수단이 필요 없기 때문에, 모터 고장시 모터 교체가 용이하다.As described above, since the present invention does not require a separate fastening means for fixing the
여기서, 상기 기판은 포토레티클(reticlo: 회로 원판)용 기판, 액정 디스플레이 패널용 기판이나 플라즈마 디스플레이 패널용 기판 등의 표시 패널 기판, 하 드 디스크용 기판, 반도체 장치 등의 전자 디바이스용 웨이퍼 등을 뜻한다. Here, the substrate refers to a substrate for a photo reticle, a display panel substrate such as a substrate for a liquid crystal display panel or a substrate for a plasma display panel, a substrate for a hard disk, a wafer for an electronic device such as a semiconductor device, and the like. do.
한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 이온빔 균일성 조정장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.On the other hand, in the present invention, the ion beam uniformity adjusting device having the above configuration can be variously modified and can take various forms. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms referred to in the above description, but rather includes all modifications, equivalents and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It should be understood to do.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 종래기술에 비하여 모터의 회전축과 커플러의 체결 구조를 보다 견고하게 그리고 용이하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 모터의 회전축이 헛도는 것을 방지할 수 있어 로드의 정확한 이동이 가능하게 한다. As described above, according to the present invention, as compared with the prior art, it is possible to more firmly and facilitate the fastening structure of the rotational shaft of the motor and the coupler, and also to prevent the rotational axis of the motor from running down, so that the accurate movement of the rod can be achieved. Makes this possible.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060011864A KR20070080501A (en) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | Wide beam uniformity controller in the ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060011864A KR20070080501A (en) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | Wide beam uniformity controller in the ion implantation device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070080501A true KR20070080501A (en) | 2007-08-10 |
Family
ID=38600864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060011864A KR20070080501A (en) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | Wide beam uniformity controller in the ion implantation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070080501A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100909125B1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | Wave Guide Feeder for Ion Implantation |
KR20180058243A (en) | 2016-11-23 | 2018-06-01 | 주식회사 현택 | Monitoring system for RF power of Linaer accelerator |
-
2006
- 2006-02-07 KR KR1020060011864A patent/KR20070080501A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100909125B1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-07-23 | 주식회사 동부하이텍 | Wave Guide Feeder for Ion Implantation |
KR20180058243A (en) | 2016-11-23 | 2018-06-01 | 주식회사 현택 | Monitoring system for RF power of Linaer accelerator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4334865B2 (en) | Method and apparatus for adjusting beam parallelism of an ion implanter | |
US8330127B2 (en) | Flexible ion source | |
JP5652583B2 (en) | Ion implantation system and method with hybrid coupling and dual mechanical scanning structure | |
US7589333B2 (en) | Methods for rapidly switching off an ion beam | |
KR101860337B1 (en) | Ion beam tuning | |
JP7474255B2 (en) | Ion implantation systems and methods | |
US9697988B2 (en) | Ion implantation system and process | |
WO2005117059A1 (en) | Charge neutralization device | |
US9297063B2 (en) | Plasma potential modulated ion implantation system | |
KR100844619B1 (en) | Bi mode ion implantation with non-parallel ion beams | |
KR20100041732A (en) | Cathode having electron prodution and focusing grooves, ion source and related method | |
KR20070080501A (en) | Wide beam uniformity controller in the ion implantation device | |
KR20120004999A (en) | End terminations for electrodes used in ion implantation systems | |
JP2005353537A (en) | Ion implanter | |
KR0143433B1 (en) | Ion implanter | |
JPWO2020123063A5 (en) | ||
KR20070089300A (en) | Ion-implanting apparatus for fabricating semiconductor device | |
KR20080051862A (en) | Manipulator of ion implantation system | |
KR100664375B1 (en) | Ion implantation apparatus | |
KR100474533B1 (en) | Ion injection equipment for manufacturing semiconductor devices using wide beams and wide beam uniformity improvement method using them | |
KR100516256B1 (en) | wide beam uniformity controller in the ion implantation device and the method thereof | |
KR20060066792A (en) | Beam uniformity controller in ion implanter and the method thereof | |
JPH1064474A (en) | Ion-implanting device | |
KR20060025926A (en) | Ion implanter having magnetic force generating means attached on the aperture | |
KR100685120B1 (en) | A scan appratus for implanting |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |