KR20070080146A - Apparatus for making thin film - Google Patents
Apparatus for making thin film Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070080146A KR20070080146A KR1020060011298A KR20060011298A KR20070080146A KR 20070080146 A KR20070080146 A KR 20070080146A KR 1020060011298 A KR1020060011298 A KR 1020060011298A KR 20060011298 A KR20060011298 A KR 20060011298A KR 20070080146 A KR20070080146 A KR 20070080146A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- light emitting
- gas
- deposition apparatus
- film deposition
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래 하나의 일예인 박막증착장치의 개략적인 구성도.1 is a schematic configuration diagram of a conventional thin film deposition apparatus as one example.
도 2는 도 1에 도시한 박막증착장치의 노즐부를 이용하여 기판의 발광부상에 보호막을 증착시키는 과정을 보여주기 위한 도.FIG. 2 is a view illustrating a process of depositing a protective film on a light emitting part of a substrate by using a nozzle part of the thin film deposition apparatus shown in FIG. 1.
도 3은 도 2에 도시한 박막증착장치의 노즐부를 나타낸 평면도.3 is a plan view showing a nozzle unit of the thin film deposition apparatus shown in FIG.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시한 박막증착장치의 노즐부에 구비된 가스 유입구를 더욱 자세하게 나타낸 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing in more detail the gas inlet provided in the nozzle portion of the thin film deposition apparatus shown in FIG.
도 5는 본 발명에 따른 박막증착장치의 개략적인 구성도.5 is a schematic configuration diagram of a thin film deposition apparatus according to the present invention.
도 6은 도 5에 도시한 박막증착장치의 노즐부를 이용하여 기판의 발광부상에 보호막을 증착시키는 과정을 보여주기 위한 도.FIG. 6 is a view illustrating a process of depositing a protective film on a light emitting part of a substrate by using a nozzle part of the thin film deposition apparatus shown in FIG. 5.
도 7은 도 6에 도시한 박막증착장치의 노즐부에 구비된 가스 유입구를 더욱 자세하게 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing in more detail the gas inlet provided in the nozzle unit of the thin film deposition apparatus shown in FIG.
본 발명은 박막증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus.
박막(Thin Film)이란, 기계가공으로는 실현 불가능한 두께 수 ㎛ 이하의 엷은 막을 말한다. 이에는, 수면의 기름막, 비누방울이 아롱진 막, 금속 표면의 녹, 함석, 생철의 아연막, 주석막 등이 속하지만, 이 밖에 여러 가지 금속이나 반도체 또는 절연물 등을 재료로 삼아 금속박막, 반도체박막, 절연박막, 화합물 반도체박막, 자성박막, 유전체박막, 집적회로, 초전도박막 등이 소정의 진공증착법("증기건조법"이라고도 함)을 위시하여 전기도금법, 기체 또는 액체 속의 산화법, 화합물 열분해법, 전자빔 증착법, 레이저빔 증착법 등에 의해 만들어진다.Thin film refers to a thin film having a thickness of several micrometers or less that cannot be realized by machining. These include oil film on the surface of the water, soapy film on the surface of the soap, rust on the surface of the metal, tin, tin zinc film, tin film, etc., but also various metals, semiconductors or insulators, etc. Semiconductor thin films, insulating thin films, compound semiconductor thin films, magnetic thin films, dielectric thin films, integrated circuits, superconducting thin films, etc., are subjected to a predetermined vacuum deposition method (also referred to as "vapor drying"), electroplating, oxidation in gas or liquid, compound thermal decomposition , Electron beam vapor deposition, laser beam vapor deposition, or the like.
물질은 박막상태가 되면 물리적, 화학적 성질이 크게 변한다.When a substance becomes a thin film, its physical and chemical properties change greatly.
예를 들면, 불에 타지 않는 금속도 박막으로 만들면 타는 경우가 있다. 박막화된 물질은 일반적으로 점성이 커지고 표면장력이 작아지며, 빛의 간섭에 의해 착색현상이 일어난다. 이러한 물질의 박막화 특성은 각종 이화학 원리의 실험이나 이화학기계 제작에 원용되고 있다.For example, a metal that is not burned may be burned if it is made into a thin film. Thinner materials generally have higher viscosity, lower surface tension, and coloration due to interference of light. The thinning properties of these materials are used in experiments with various physics principles and in the manufacture of chemistry machines.
한편, 실용적인 예로는 광학렌즈의 반사방지막이 유명하며, 전자장치의 초소형화 경향에 힘입어, 초소형 박막 전자회로의 제조 및 전자부품의 박막화가 활발히 추진되고 있다.On the other hand, as a practical example, the anti-reflection film of the optical lens is famous, and thanks to the tendency of miniaturization of electronic devices, the manufacture of ultra-thin thin film electronic circuits and the thinning of electronic components have been actively promoted.
이처럼 박막화를 추진함으로써 제품은 소형, 경량화가 가능하게 되며, 박막화된 구조는 얇고 표면적이 커지기 때문에 열 발산이 좋아져서 큰 전력을 다룰 수 있다는 장점이 있다.By promoting the thinning as described above, the product can be made compact and light in weight, and the thinned structure has the advantage of being able to handle a large power by improving heat dissipation because of its thin and large surface area.
또한, 박막화 구조는 인덕턴스를 감소시키고, 고주파 특성을 좋게 하며, 얇고 치밀한 보호막으로서 성능이 뛰어나다. In addition, the thin film structure reduces inductance, improves high frequency characteristics, and has excellent performance as a thin and dense protective film.
자성체의 박막화는 히스테리시스 반전의 고속화를 가능하게 하고, 발광 박막같이 고휘도의 것을 만들 수 있는 등의 잇점이 있다.The thinning of the magnetic material has advantages such as high speed of hysteresis reversal and high brightness such as light emitting thin film.
또한, 박막화 구조는 재료가 적게 들고, 소형의 것을 동시에 대량 생산할 수 있는 잇점이 있다.In addition, the thinned structure is advantageous in that it requires less material and can mass produce a small one at the same time.
전술한 바와 같이, 반도체 박막은 통상적으로 증착에 의한 방법을 이용하여 제조된다. As mentioned above, semiconductor thin films are typically manufactured using a method by vapor deposition.
증착은 도금 물질계 및 응고 방법에 따라 물리 증착 (physical vapor deposition : PVD)과 화학 증착(chemical vapor deposition; CVD)으로 나눈다.Deposition is divided into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) depending on the plating material system and solidification method.
이런 증착에는 여러 가지의 방법이 존재하지만, 산업체의 현장에서 주로 채용되는 방법으로는 진공증착(Vaccum Evaporation)과 증착도금(Deposition Plating)을 들 수 있다.There are many methods for such deposition, but methods commonly employed in industrial sites include vacuum evaporation and deposition plating.
진공증착은 진공 중에서 코팅시키고자 하는 물질을 물리적 방법 또는 화학적 방법으로 기화 또는 승화시켜서 원자 또는 분자 단위로 기판 표면에 응고되도록 함으로써 피막을 형성시키는 방법이다.Vacuum deposition is a method of forming a film by vaporizing or subliming a substance to be coated in a vacuum by physical or chemical methods to solidify the surface of the substrate in atomic or molecular units.
이러한 진공증착 방식은 거의 모든 물품에 적용할 수 있다는 것이 장점이며, 심지어 천에 알루미늄을 붙이거나 플라스틱에 은을 붙일 수도 있다. 예를 들어, 광학렌즈의 반사방지 피막의 경우 플루오르화마그네슘 등을 대상 렌즈에 진공 증착시키는 경우가 있다.This vacuum deposition method is advantageous in that it can be applied to almost all articles, and even aluminum may be attached to the cloth or silver may be attached to the plastic. For example, in the case of the antireflection coating of the optical lens, magnesium fluoride or the like may be vacuum deposited on the target lens.
또 다른 방법인 증착도금은 화학적 기상도금 또는 화학 증착이라고도 하며,고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술이다.Another method, deposition plating, also called chemical vapor deposition or chemical vapor deposition, is a technique for forming a high purity, high quality thin film.
상세하게는, 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에서 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온 반응하고, 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속 화합물 층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데, 이때 Chamber상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착 방법이다.Specifically, the metal or metal compound layer on the surface of the object at a low temperature by high temperature decomposition and high temperature reaction by contact between the volatile metal salt (Vapor) vaporized at a low temperature and the solid to be plated heated at a high temperature. As a method of depositing a film by using a chemical reaction method of chemical gases, the deposition is performed in a chamber state at atmospheric pressure.
이러한 증착 도금 방식은, 반도체 박막을 포함하여 근래에 활발히 제조되고 있는 평면디스플레이(Flat Panel Display)용 기판에도 널리 적용된다. 참고로, 평면디스플레이(Flat Panel Display)란 PDP, LCD 및 OLED 등을 모두 포함하는 용어로 정의한다.Such a deposition plating method is widely applied to flat panel display substrates, which are being actively manufactured in recent years, including semiconductor thin films. For reference, a flat panel display is defined as a term including both PDP, LCD, and OLED.
여기서는, 평면디스플레이중 OLED(Organic Light Emitting Diodes)를 하나의 일예로 들어 반도체 박막을 형성시키는 과정을 설명하기로 한다.Herein, a process of forming a semiconductor thin film as an example of organic light emitting diodes (OLED) in a flat panel display will be described.
도 1은 종래 하나의 일예인 박막증착장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional thin film deposition apparatus as an example.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 하나의 일예인 VUV-CVD를 이용한 박막증착장치(100)는 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 가스 노즐부(108), 마스크(110)등이 설치된다.As shown in FIG. 1, the thin
먼저, 챔버(102)는 이후에 진술할 기판(101)상에 형성된 발광부(103)인 유기물을 수분 침투로부터 방지하기 위해서 도시하지는 않았지만 보호막(passivation layer, 미도시)을 형성시키기 위한 하나의 수용부로 설치된다.First, the
또한, 기판 고정부(104)는 기판 고정대(104a)와 기판 지지대(104b)가 구비되어, 전술한 발광부(103)인 유기물을 포함하고 있는 기판(101)을 지지 및 고정하게 된다.In addition, the
또한, 박막 형성부(106)는 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비되어, 전술한 유기물인 발광부(103)를 포함하고 있는 기판(101)을 향해 빛을 조사하게 된다.In addition, the thin
또한, 가스 노즐부(108)는 박막 형성부(106)에 의해서 조사된 보호막 증착 재료를 기판(101)상에 보호막으로 증착시킬 때, 국부적으로 발생하는 산소 침투를 방지하기 위하여 보호막의 표면을 균일하게 하는데, 이때 가스 유입구(108a)에 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)중 어느 하나의 불활성 가스를 주입하게 된다. 이러한, 가스 유입구(108a)를 통해서 기판(101)상의 발광부(103)에 마스크(110)를 이용하여 수분 및 산소로부터 방지하는 침투 방지막인 SiO2, Si3N4, Al2O3, SiOC, SION등의 보호막(미도시)을 형성시키게 된다.In addition, when the
그러나, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 종래 하나의 일예인 박막증착장치는 노즐부(108)에 구비된 가스 유입구(108a)가 노즐부(108)의 길이방향으로 설치되므로, 기판(101)의 발광부(103) 상부에 증착되는 가스 형태의 보호막 증착재료가 마스크(110)에 의해서 보호막으로 형성될 때, 발광부(103)의 중앙부분에 가스 형태의 보호막 증착재료가 집중될 수가 있어, 보호막의 표면이 불균일하게 나타난다.However, as shown in FIG. 2 to FIG. 4, in the conventional thin film deposition apparatus, since the
이에따라, 국부적으로 산소 또는 수분에 의한 침투가 일어날 수가 있어 전계 발광 소자의 수명이 단축되는 문제점이 발생하게 된다. 또한, 이러한 본 발명에 따른 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생하게 된다.As a result, infiltration by oxygen or moisture may occur locally, resulting in a shortening of the lifespan of the EL device. In addition, there is a problem that the reliability of the device is lowered when manufacturing the EL device using the thin film deposition apparatus according to the present invention.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 전계 발광 소자의 보호막을 형성시키기 위해 박막증착장치의 가스 노즐부를 이용할 시에 국부적으로 수분 또는 산소에 의한 침투를 방지하기 위하여 발광부에 가스를 토출하는 방향이 발광부의 방향이 되도록 설치된 가스 유입구가 구비된 가스 노즐부를 구비함으로써, 전계 발광 소자의 수명을 연장시키는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention is directed to a gas discharge part in order to locally prevent the penetration of moisture or oxygen when using the gas nozzle of the thin film deposition apparatus to form a protective film of the electroluminescent device. It is an object of the present invention to provide a gas nozzle portion provided with a gas inlet provided in the direction of the light emitting portion to extend the life of the electroluminescent element.
본 발명의 다른 목적은, 가스 유입구에서 토출되는 가스 형태의 보호막 증착재료가 발광부에 직접적으로 토출되도록 함으로써, 보호막을 형성시키기 위한 제조공정의 시간을 단축시켜 제조비용의 상승을 억제시키는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a gas-type protective film deposition material discharged from the gas inlet to be directly discharged to the light emitting portion, thereby reducing the manufacturing time for forming the protective film to suppress the increase in manufacturing cost The purpose is.
본 발명의 또 다른 목적은, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성을 향상시키는 것을 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an improvement in the reliability of the device at the time of manufacturing the electroluminescent device using such a thin film deposition apparatus.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 발광부가 형성된 기판을 구비한 챔버와 챔버 내부에 설치된 박막 형성부 및 박막 형성부와 연결되고 발광부에 가스를 토출하는 방향이 발광부의 방향이 되도록 설치된 가스 유입구를 구비한 가스 노즐부를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chamber having a substrate on which a light emitting part is formed, and a gas inlet connected to a thin film forming part and a thin film forming part installed in the chamber and discharging gas to the light emitting part. It includes a gas nozzle unit provided.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 박막 형성부는 챔버 내벽의 하단에 설치되고, 박막 형성부의 상부에 가스 유입구를 구비한 가스 노즐부가 설치되며, 발광부 가 형성된 기판은 챔버 내벽의 상단에 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the thin film forming portion is installed on the lower end of the chamber inner wall, the gas nozzle portion having a gas inlet is installed on the upper portion of the thin film forming portion, the substrate on which the light emitting portion is formed is installed on the upper end of the chamber inner wall It is done.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 가스 유입구는 발광부와 서로 마주보게 비스듬히 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the gas inlet is characterized in that the obliquely installed facing the light emitting portion.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 가스 유입구는 하나 이상으로 설치되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the gas inlet is characterized in that one or more installed.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 박막 형성부에 UV 투과창, 광매체, 히터가 구비되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the invention, the thin film forming portion is characterized in that the UV transmission window, the optical medium, the heater is provided.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention in more detail.
도 5는 본 발명에 따른 박막증착장치의 개략적인 구성도이다. 먼저, 본 발명에 따른 박막증착장치는 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치와 동일하게 설치된다. 다만, 본 발명에 따른 박막증착장치는 가스 노즐부에 구비된 가스 유입구가 기판에 형성된 발광부와 서로 마주보도록 설치된다. 이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치를 살펴보면 다음 도 5와 같다.5 is a schematic configuration diagram of a thin film deposition apparatus according to the present invention. First, the thin film deposition apparatus according to the present invention is installed in the same manner as the thin film deposition apparatus described above as shown in FIG. However, the thin film deposition apparatus according to the present invention is installed so that the gas inlet provided in the gas nozzle portion faces the light emitting portion formed on the substrate. Such a thin film deposition apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 5.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치(500)는 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)와 동일하게 챔버(102), 기판 고정부(104), 박막 형성부(106), 가스 노즐부(508), 마스크(110)등이 설치된다.As shown in FIG. 5, the thin
이러한, 본 발명에 따른 박막증착장치(500)의 각각의 구성요소들의 기능 및 유기적인 관계들은 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)의 각각의 구성요소들의 기능 및 유기적인 관계들과 동일하므로, 이것들에 대한 각각의 부연설 명들은 이하 생략하기로 한다.Such functions and organic relationships of the respective components of the thin
다만, 본 발명에 따른 박막증착장치는(500)는 가스 노즐부(508)에 구비된 가스 유입구(508a)가 기판(101)에 형성된 발광부(103)와 서로 마주보도록 설치된다.However, in the thin
더욱 자세하게 말하면, 박막 형성부(106)는 챔버(102) 내벽의 하단에 설치되고, 박막 형성부(106)의 상부에 가스 유입구(108a)를 구비한 가스 노즐부(508)가 설치되며, 발광부(103)가 형성된 기판(101)은 챔버(102) 내벽의 상단에 설치된다.In more detail, the thin
이때, 가스 유입구(508a)는 발광부(103)와 서로 마주보게 비스듬히 하나 이상으로 설치되고, 박막 형성부(106)에 가스 형태의 보호막 증착재료를 가열하여 발광부(103) 상부에 증착시키기 위한 수단인 UV 투과창(106a), 히터(106b), 광매체(106c)등이 구비되어 설치된다.At this time, at least one
이와같은 본 발명에 따른 박막증착장치(500)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 가스 노즐부(508)에 구비된 가스 유입구(508a)가 발광부(103)에 가스 형태의 보호막 증착재료를 토출할때 발광부(103)의 방향으로 토출하므로, 가스 형태의 보호막 증착재료가 마스크(110)에 의해서 보호막으로 형성될 때, 발광부(103)의 전부분에 걸쳐 가스 형태의 보호막 증착재료가 증착되어, 보호막의 표면이 불균일해지는 것을 억제시킬 수가 있게 된다.As described above, the thin
이에따라, 국부적으로 산소 또는 수분에 의한 침투를 최소화시킬 수가 있어 전계 발광 소자의 수명은 연장되고, 도 1에 도시하여 전술한 박막증착장치(도1의 100)보다 가스 유입구(508a)에서 토출되는 가스 형태의 보호막 증착재료가 발광부(103)에 직접적으로 토출시키므로, 보호막을 형성시키기 위한 제조공정의 시간이 단축되어 제조비용의 상승을 억제시킬 수가 있게 된다. 또한, 이러한 본 발명에 따른 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작하면 장치의 신뢰성은 향상된다.Accordingly, it is possible to minimize the penetration by oxygen or moisture locally, so that the life of the electroluminescent element is extended, and the gas discharged from the
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the foregoing description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막증착장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the thin film deposition apparatus of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.
첫째, 전계 발광 소자의 보호막을 형성시키기 위해 박막증착장치의 가스 노즐부를 이용할 시에 국부적으로 수분 또는 산소에 의한 침투를 방지하기 위하여 발광부에 가스를 토출하는 방향이 발광부의 방향이 되도록 설치된 가스 유입구가 구비된 가스 노즐부를 구비함으로써, 전계 발광 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 효과가 있다.First, when the gas nozzle of the thin film deposition apparatus is used to form a protective film of the electroluminescent device, the gas inlet provided so that the direction of discharging gas to the light emitting part is the direction of the light emitting part so as to prevent penetration by moisture or oxygen locally. By providing the gas nozzle part provided with, there is an effect that can extend the life of the electroluminescent element.
둘째, 가스 유입구에서 토출되는 가스 형태의 보호막 증착재료가 발광부에 직접적으로 토출되도록 함으로써, 보호막을 형성시키기 위한 제조공정의 시간을 단 축시켜 제조비용의 상승을 억제시킬 수 있는 효과가 있다.Second, by allowing the gas-type protective film deposition material discharged from the gas inlet to be directly discharged to the light emitting portion, it is possible to shorten the time of the manufacturing process for forming the protective film to suppress the increase in manufacturing costs.
셋째, 이러한 박막증착장치를 이용하여 전계 발광 소자를 제작시에 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Third, there is an effect that can improve the reliability of the device when manufacturing the electroluminescent device using the thin film deposition apparatus.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060011298A KR20070080146A (en) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | Apparatus for making thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060011298A KR20070080146A (en) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | Apparatus for making thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070080146A true KR20070080146A (en) | 2007-08-09 |
Family
ID=38600601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060011298A KR20070080146A (en) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | Apparatus for making thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070080146A (en) |
-
2006
- 2006-02-06 KR KR1020060011298A patent/KR20070080146A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7477203B2 (en) | Methods of patterning coatings on surfaces and devices containing patterned coatings - Patents.com | |
| US5869135A (en) | Selective chemical vapor deposition of polymers | |
| US7518142B2 (en) | Encapsulation for organic device | |
| KR101481749B1 (en) | Fabrication system | |
| JP4858167B2 (en) | Transparent conductive film, method for producing transparent conductive film, and organic electroluminescence element | |
| US6316734B1 (en) | Flexible circuits with static discharge protection and process for manufacture | |
| JP2023053021A (en) | Method for patterning coating on surface and device including patterned coating | |
| US6071597A (en) | Flexible circuits and carriers and process for manufacture | |
| JP2009538504A (en) | Method for fabricating sealed plasma sensitive device | |
| EP1995996A1 (en) | Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element | |
| US20210310124A1 (en) | Coating by ald for suppressing metallic whiskers | |
| US20150292085A1 (en) | Method for producing a layer on a surface area of an electronic component | |
| KR20020001376A (en) | Method of forming a Al2O3 layer in a semiconductor device | |
| Kim et al. | Hydrogen-assisted low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of thin film encapsulation layers for top-emission organic light-emitting diodes | |
| KR101480113B1 (en) | Mask for Manufacturing OLED and Method thereof | |
| KR20090065825A (en) | Shadow mask and method for fabricating of the same | |
| US6248958B1 (en) | Resistivity control of CIC material | |
| JP2006503976A (en) | Method for coating a metal surface and substrate having a coated metal surface | |
| KR20070080146A (en) | Apparatus for making thin film | |
| KR20080000432A (en) | Shadow mask and apparatus for depositing chemical layers which comprise the same and method for manufacturing oled with the apparatus | |
| KR101232085B1 (en) | Cleaning apparatus of Apparatus for Making Thin Film | |
| KR20070080135A (en) | Apparatus for making thin film | |
| KR20070080132A (en) | Apparatus for making thin film | |
| KR20070080137A (en) | Mask for apparatus making thin film | |
| KR100200910B1 (en) | Process and apparatus for producing a titanium nitride layer for circuits integrated on the very largest scale by means of chemical vapour deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |