KR20070080009A - 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치 - Google Patents

플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치 Download PDF

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KR20070080009A
KR20070080009A KR1020060011023A KR20060011023A KR20070080009A KR 20070080009 A KR20070080009 A KR 20070080009A KR 1020060011023 A KR1020060011023 A KR 1020060011023A KR 20060011023 A KR20060011023 A KR 20060011023A KR 20070080009 A KR20070080009 A KR 20070080009A
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강곤수
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삼성전자주식회사
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Abstract

플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치는, 반도체 기판으로 주입되는 이온빔을 중성화시키기 위한 플라즈마 플러드 건을 수용하는 챔버로 공정 가스를 제공하는 가스 제공부와 플렉서블 넥을 갖는 가스 공급 라인과 상기 가스 공급 라인과 상기 챔버 및 상기 가스 제공부 사이를 연결하기 위한 피팅들을 포함한다. 따라서, 상기 가스 공급 라인에 형성된 플렉서블 넥에 의하여 상기 플라즈마 플러드 건 가스 공급 장치의 유지 보수를 보다 안정적으로 수행할 수 있다.

Description

플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치{Apparatus for supplying gas of a plasma flood gun}
도 1은 종래 기술에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 가스 공급 장치의 연결 부위를 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 도 4에 도시된 가스 공급 장치의 연결 부위를 설명하기 위한 확대도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 이온 주입 장치 110 : 이온 소스
120 : 전송 유닛 130 : 빔 라인 챔버
140 : 엔드 스테이션 챔버 142 : 이온 주입 챔버
150 : 플라즈마 플러드 건 152 : 필라멘트
154 : 절연부재 158 : 전원 공급 장치
160 : 가스 공급 장치 162 : 가스 공급 라인
162 : 가스 공급 라인 162a : 플렉서블 넥
164 : 피팅 166 : 가스 인렛 노즐
본 발명은 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판으로 주입되는 이온빔을 중성화시키기 위하여 전자를 발생하는 플라즈마 플러드 건(plasma flood gun)을 수용하는 챔버에 공정 가스를 제공하는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터 등과 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 소자는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 지속적으로 발전되고 있다.
일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판에 대하여 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 연마, 세정 및 건조 등의 단위 공정을 순차적, 선택적, 반복적으로 수행함으로서 제조된다.
상기 단위 공정들 중에서 이온 주입 공정은 반도체 기판의 특정 영역에 목적 하는 이온들로 이루어지는 이온빔을 조사하여 상기 이온들을 주입하는 공정으로, 열확산 기술에 비하여, 상기 특정 영역에 주입되는 이온들의 수 및 주입 깊이 등을 조절할 수 있다는 장점이 있다.
상기 이온 주입 방법을 수행하기 위한 이온 주입 장치는 크게 이온 소스, 빔 라인 챔버, 엔드 스테이션 챔버로 구성되어 있다. 상기 이온 소스는 전자의 방출을 이용하여 소스 가스를 이온화하며, 상기 빔 라인 챔버는 상기 이온 소스로부터 제공되는 이온들을 엔드 스테이션 챔버로 유도하고, 상기 엔드 스테이션 챔버에는 적어도 하나 이상의 반도체 기판이 배치된다.
상기 이온 소스에서 방출한 이온들이 양전하의 극성으로 기판 내로 주입되면, 기판은 양전하의 극성으로 축전되고, 이것은 계속적으로 주입되는 이온빔에 대한 반발력으로 작용하게 됨으로써 공정 불량을 초래한다. 이러한 문제를 방지하기 위하여 상기 엔드 스테이션에는 기판 상에 불필요한 축전을 방지하기 위하여 플라즈마 플러드 건이 구비되어 있다.
상기 플라즈마 플러드 건은 반도체 기판에 대한 이온 주입 공정에서 사용되는 이온빔의 진행 경로 상에서 설치되어 있으며, 상기 이온빔을 향하여 전자를 방출한다. 상기 전자는 양전하의 극성을 가진 이온빔을 중성화시킴으로써, 상기 이온빔이 기판 상에 주입되는 과정에서 발생되는 이온 축전 현상을 방지한다.
상기 플라즈마 플러드 건을 수용하는 챔버에는 상기 중성화 공정을 위한 공정 가스를 제공하는 가스 공급 장치가 설치되어 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도 이며, 도 2는 도 1에 도시된 가스 공급 장치의 연결 부위를 설명하기 위한 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 가스 공급 장치(10)는 가스 제공부(미도시됨), 가스 공급 라인(14) 및 피팅들(fittings, 12)을 포함하고 있다.
상기 가스 제공부는 플라즈마 플러드 건 챔버(미도시됨)로 공정 가스를 제공하며, 상기 가스 공급 라인(14)은 상기 챔버와 상기 가스 제공부 사이를 연결하며 공정 가스가 공급되는 통로를 제공한다. 상기 가스 공급 라인(14)은 스테인리스 스틸(SUS)과 같은 금속으로 제조되며, 양단이 개방된 중공 형태이다. 상기 가스 공급 라인(14)과 상기 챔버 및 상기 가스 공급 라인(14)과 상기 가스 제공부는 각각 상기 피팅들(12)을 매개로 연결되어 있다.
상기 피팅들(12)은 연결캡(16)과 연결 피팅(18)으로 구성되어 있으며, 상기 연결캡(16)과 연결 피팅(18)사이에는 금속성의 소재로 된 얇은 판 형태의 개스킷(20)이 각각 개재되어 있어서 기밀성을 유지한다. 상기 가스 제공부 및 상기 챔버의 일측에는 각각 상기 나사부가 형성된 연결 피팅(18)이 구비되어 있으며, 상기 가스 공급 라인에는 상기 연결 피팅이 삽입되는 연결캡(16)이 구비되어 있다.
상기 플라즈마 플러드 건의 유지 보수를 수행할 때, 상기 가스 공급 장치(10)를 상기 챔버의 외측으로 이동시킨 상태에서 수행하거나, 상기 가스 공급 장치(10)의 부품들을 서로 분리하고 결합하는 과정을 거쳐야한다.
그런데, 상기 가스 공급 장치(10)의 유지 보수 과정을 수행하는 작업 공간이 협소하여 작업에 제약이 많다. 이로 인하여, 작업자의 위험 발생 우려 및 상기 가 스 공급 라인(14)이 뒤틀리는 등의 부품 파손 등의 문제를 발생시킨다. 또한, 상기 개스킷(20)의 체결 작업성이 매우 번거로울 뿐만 아니라,상기 개스킷(20)이 변형되어 한번 사용한 후에는 재사용이 불가능하다.
결과적으로, 이는 추가적인 정비 시간 손실 및 재정적 손실을 발생시키며, 상기 플라즈마 플러드 건의 가동율을 저하시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 가스 공급 장치의 피팅을 개선하여, 재정적 손실을 줄일 수 있는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 기판으로 주입되는 이온빔을 중성화시키기 위하여 전자를 발생하는 플라즈마 플러드 건을 수용하는 챔버로 상기 중성화 공정을 위한 공정 가스를 제공하는 가스 제공부와 상기 가스 제공부와 상기 챔버 사이를 연결하며, 플렉서블 넥(flexible neck)을 갖는 가스 공급 라인과 상기 가스 공급 라인과 상기 챔버 및 상기 가스 제공부 사이를 연결하기 위한 피팅들을 포함한다.
상기 피팅들과 상기 가스 공급 라인 및 상기 챔버 사이에 각각 개재되어 있 는 오-링을 더 포함하며, 상기 챔버의 일측으로부터 돌출되어 있으며, 단부가 상기 피팅에 삽입되는 가스 인렛 노즐 (gas inlet nozzle)을 더 포함하고 있다.
또한, 상기 플라즈마 플러드 건은 상기 전자를 발생시키는 필라멘트와, 상기 필라멘트와 상기 챔버 사이의 절연을 유지시키기 위한 절연부재 및 상기 필라멘트를 상기 챔버에 고정시키기 위한 고정 부재를 포함하고 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치는 금속 재질의 가스 공급 라인에 플렉서블 넥을 형성하여 유지 보수를 보다 용이하게 수행할 수 있으며, 피팅 부분을 개선하여 소모성 부재의 사용을 감소로 인한 재정적 손실을 억제할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치에 대해 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이며, 도 4는 도 3에 도시된 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이며, 도 5는 도 4에 도시된 가스 공급 장치의 연결 부위를 설명하기 위한 확대도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 도시된 이온 주입 장치(100)는 이온 소스(110) 와, 상기 이온 소스(110)로부터 제공되는 이온들을 실리콘기판과 같은 반도체 기판(미도시됨)의 소정 부위에 주입하기 위하여 상기 기판을 핸들링하는 엔드 스테이션 챔버(140)와, 상기 이온 소스(110)와 상기 엔드 스테이션 챔버(140)를 연결하고, 상기 이온들을 상기 이온 소스(110)로부터 상기 엔드 스테이션 챔버(140)로 전송하기 위한 전송 유닛(120)을 포함한다.
상기 이온 소스(110)는 이온들의 발생이 가능한 아크 챔버(112)와, 상기 아크 챔버(112) 내부로 전자적으로 전자를 방출하기 위한 아크 챔버(112)의 필라멘트(미도시됨)를 포함한다. 상기 아크 챔버(112)의 필라멘트에는 전자들을 방출하기 위한 필라멘트 전류가 인가되며, 상기 아크 챔버(112)에는 상기 필라멘트 전류에 대하여 바이어스 된 아크 전압이 인가된다. 즉, 상기 아크 챔버(112)의 필라멘트는 음극(cathode)으로 사용되며 상기 아크 챔버(112)는 양극(anode)으로서 사용된다.
상기 아크 챔버(112)로 공급된 소스 가스는 상기 전자와의 충돌에 의해 이온화될 수 있다. 이밖에도, 고주파(radio frequency)형 이중 플라즈마트론(duoplasmatron), 냉음극(cold cathode)형, 스퍼터(sputter)형, 페닝(penning ionization)형 등의 이온 소스(110)가 사용될 수 있다.
상기 전송 유닛(120)은 이온빔의 진행 경로를 따라 배치된 추출 전극(122), 질량 분석기(124), 4극자 렌즈(126), 가속기(128), 빔 라인 챔버(130) 등을 포함한다. 상기 추출 전극(122)은 상기 아크 챔버(112)의 내부에서 형성된 이온들을 추출하여 이온빔으로 형성하며, 상기 추출 전극(122)을 통해 형성된 이온빔은 질량 분석기(124)로 유도된다. 상기 질량 분석기(124)는 상기 이온빔을 구성하는 이온들 중에서 반도체 기판으로 주입하기 위한 특정 이온들을 선별한다. 상기 질량 분석기(124)에 의해 선별된 이온들로 구성되는 이온빔은 상기 4극자 렌즈(126)에 의해 포커싱되며, 상기 가속기(128)에 의해 목적하는 에너지를 갖도록 가속된다.
상기와 같이 가속된 이온빔은 엔드 스테이션 챔버(140)에 위치된 반도체 기판으로 유도된다. 상기 엔드 스테이션 챔버(140)는 적어도 하나 이상의 반도체 기판들이 위치되는 이온 주입 챔버(142)와, 상기 이온 주입 챔버(142) 내부에서 상기 반도체 기판들을 지지하는 기판 서포트(144, support)와, 상기 서포트(144)를 회전시키기 위한 모터(146a)와, 상기 서포트(144)를 직선 이동시키기 위한 리니어 모터(146b)와, 기판의 이온 주입 공정에 사용되는 이온빔이 진행 경로 상에 설치되는 플라즈마 플러드 건(150)과, 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 패러데이 컵 조립체(148) 등을 포함한다.
상기 기판 서포트(144, support)는 원반 형상을 갖고, 다수 매의 반도체 기판이 가장자리를 따라 배치된다. 상기 기판 서포트(144, support)상에는 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 다수의 척(미도시)과 상기 이온빔을 통과시키기 위한 개구(142a)가 구비된다.
상기 모터(146a)는 상기 서포트(144)의 후면과 연결되어 있으며, 상기 서포트(144)를 회전시키며, 상기 리니어 모터(146b)는 상기 서포트(144)를 직선 이동시킨다. 이온 주입 공정이 진행되는 동안, 상기 서포트(144)는 이온빔이 반도체 기판들에 전체적으로 주입되도록 상기 모터(146a) 및 리니어 모터(146b)에 의해 회전 및 수직 이동될 수 있다.
상기 플라즈마 플러드 건(150)은 반도체 기판으로 주입되는 이온빔을 중성화시키기 위하여 전자를 발생하기 위하여 구비되어 있다. 상기 플라즈마 플러드 건(150)은 플라즈마 플러드 건 챔버(156) 내에 설치되어 있으며, 상기 챔버(156)는 이온 주입 공정에서 사용되는 이온빔들이 기판을 향하여 통과하는 진행 경로 상에 위치된다. 상기 플라즈마 플러드 건(150)은 필라멘트(152), 절연부재(154), 전원 공급 장치(158) 및 가스 공급 장치(160)로 구성되어 있다.
상기 필라멘트(152)는 "U"자형의 형상으로 양단부가 후술되어지는 절연부재(154)의 일측면을 통하여 내설되어 있어 안정적으로 고정하며, 전기적으로 연결시키고 있다. 상기 필라멘트(152)는 일반적으로, "U"자형의 형상을 가지고 있지만, 단위 용적에서 길이를 증가시킬 수 있도록 나선형 구조를 가질 수 있다. 결과적으로, 상기 챔버(156) 내에 공급된 가스 원자들과 충돌하는 전자의 양이 많기 때문에 가스들을 이온화할 수 있는 이온화 효율을 높일 수 있다.
상기 절연부재(154)는 상기 필라멘트(152)와 상기 챔버(156) 사이의 절연을 유지시키기 위하여 상기 필라멘트(152)와 상기 챔버(156) 사이에 배치되어 있다. 상기 챔버(156)의 측벽에는 상기 절연 부재(154)가 각각 삽입하며 고정되기 위한 두 개의 홀이 형성되어 있다. 상기 절연부재(154)에 의해 상기 필라멘트(152)는 위치가 더욱 견고하게 고정된다.
상기 필라멘트(152)의 양단부는 전원 공급 장치(158)와 연결되어 있으며, 상기 전원 공급 장치(158)로부터 전원을 공급받아 전자를 방출한다.
상기 플라즈마 플러드 건 챔버(156)의 일측벽에는 상기 플라즈마 플러드 건 챔버(156)로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급 장치(160)가 설치되어 있다.
상기 가스 공급 장치(160)는 가스 제공부(미도시됨), 가스 공급 라인(162) 및 피팅(164)들로 구성되어 있다. 또한, 상기 챔버(156)에 일측에서 돌출되어 형성된 가스 인렛 노즐 (166)이 구비되어 있어서, 상기 가스 공급 장치(160)와 연결된다.
상기 가스 제공부는 상기 챔버(156)의 일측에 배치되며, 상기 중성화 공정을 위한 크세논(Xenon)가스를 제공한다.
상기 가스 공급 라인(162)은 상기 가스 제공부와 상기 챔버(156) 사이의 연결관으로써, 상기 가스 제공부에서 제공되는 가스를 상기 챔버(156)로 공급한다. 상기 가스 공급 라인(162)은 플렉서블 넥(162a)을 갖으며, 양단이 개방된 중공관이며, 상기 공정 가스에 의하여 부식되지 않은 재질인 스테인레스 스틸(SUS)과 같은 금속으로 제조될 수 있다.
상기 플렉서블 넥(162a)은 상기 플라즈마 플러드 건의 유지 보수 작업을 용이하게 수행하기 위하여 형성되어 있다. 구체적으로, 상기 플렉서블 넥(162a)은 상기 플라즈마 플러드 건의 정비를 위해 상기 가스 공급 라인(162)을 상기 챔버(156)의 외측으로 이동시키거나, 상기 가스 공급 장치(160)의 해체 및 체결 작업 시에 상기 금속 재질의 가스 공급 라인(162)이 상기 플렉서블 넥(162a)을 기준으로 자유롭게 회전될 수 있도록 한다. 또한, 상기 가스 공급 라인(162)이 뒤틀리지 않도록 완충하는 역할을 담당한다.
결과적으로, 상기 플렉서블 넥(162a)에 의하여 상기 가스 공급 라인(162)은 용이하게 유지 보수 작업을 할 수 있으며, 상기 가스 공급 장치(160)의 손상 및 파손을 사전에 방지함으로써, 상기 가스 공급 장치(160)의 수명이 연장된다.
이때, 가스 제공부는 상기와 같은 정비 작업을 위해 이동 가능하도록 설치되어 있으며, 상기 가스 공급 장치(160)의 이동을 위해 상기 가스 공급 라인(162)은 가스 제공부의 이동 거리를 고려하여 적절한 길이를 갖는다.
상기 피팅(164)들은 상기 가스 공급 라인과 상기 챔버(156) 및 상기 가스 제공부 사이를 연결하기 위하여 구비되어 있다.
상기 가스 공급 라인(162)과 상기 가스 제공부 및 상기 가스 공급 라인(162)과 상기 가스 인렛 노즐(166)은 각각 피팅(164)을 매개로 연결되어 있다. 상기 피팅(164)들은 연결캡(164a)과 연결 피팅(164b)으로 구성되어 있으며, 상기 연결캡(164a)과 연결 피팅(164b)에는 서로 대응되게 나사부가 형성되어 있다. 상기 연결캡(164a)은 상기 가스 공급 라인(162)의 양단부에 각각 구비되어 있으며, 상기 연결 피팅(164b)은 상기 가스 제공부 및 상기 가스 인렛 노즐(166)의 단부에 형성되어 있으며, 상기 연결캡(164a)을 수용한다.
상기 연결캡(164a)과 연결 피팅(164b)이 결합되면, 상기 가스 인렛 노즐(166)과 상기 가스 공급 라인(162), 상기 가스 제공부와 상기 가스 공급 라인(162)의 연결부위는 실링되어, 상기 가스 제공부로부터 공급되는 반응 가스가 외부로 누출되지 않고 가스 인렛 노즐(166)로 바로 전달될 수 있다. 상기 가스 인렛 노즐(166)과 상기 가스 공급 라인(162)의 연결부는 엘보우(elbow) 형상을 갖는 것이 바람직하다.
상기 연결캡(164a)과 연결 피팅(164b)사이에는 기밀성을 높이기 위한 오-링(168)이 개재된다. 상기 오-링(168)은 탄력성을 갖는 재질로 이루어지며 그 단면 형상이 원형으로 이루어져 있다. 상기 오-링(168)은 스패너 등과 같은 별도의 공구를 사용하지 않고 체결할 수 있으므로 작업상의 번거로움을 해소시킬 수 있으며 ,또한 상기 오-링(168)은 탄력성을 가지므로 그 형상 변형이 적게 일어나므로 재사용이 가능하며, 교체 시에도 저가의 비용으로 유지할 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 플라즈마 플러드 건은 다음과 같은 작용을 나타낸다.
이온 주입 공정을 수행하기 위하여 이온 소스로부터 이온빔이 발생한다. 상기 아크 챔버 내의 필라멘트에는 전자들을 방출하기 위한 필라멘트 전류가 인가되며, 상기 아크 챔버에는 상기 필라멘트 전류에 대하여 바이어스 된 아크 전압이 인가된다.
상기 이온 소스로부터 발생한 이온빔은 전송 유닛에 의하여 이온빔의 진행 경로로 전환되며, 목적하는 에너지를 갖도록 가속된다. 상기와 같이 가속된 이온빔은 엔드 스테이션 유닛에 위치된 반도체 기판으로 유도된다. 이때, 상기 이온빔은 플라즈마 플러드 건에 의해 중성화되어 기판으로 주입된다.
구체적으로, 상기 플라즈마 플러드 건은 가스 공급부를 통하여 크세논 가스가 공급됨과 동시에 필라멘트의 양단부에 연결된 필라멘트 전원 공급 장치에 고전압이 인가된다. 이때, 플라즈마 상태에서 전자 방출을 위한 필라멘트가 진공 상태로 형성된 엔드 스테이션 유닛의 자체 반응실 내에 인입되어 설치되어 있다. 상기 전원 공급 장치로부터 일정한 전원을 공급받은 필라멘트는 많은 전자를 방출한다. 상기 전자는 자체 반응실 내의 방출공을 통해 배출되어 기판에 대하여 이온 주입 공정을 하기 위한 이온빔의 경로 상에 뿌려진다.
이에 따라, 상기 엔드 스테이션 유닛 내부에는 크세논의 최외각 전자와 상기 필라멘트에서 방출된 전자가 교체되고, 크세논에서 떨어져 나온 전자는 기판 상에 주입될 양전하와 재결합한다. 상기 이온 소스에서 공급되는 상기 이온빔은 중성화되어 수직으로 세워진 기판에 주입된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 가스 공급 라인에 플렉서블 넥을 형성함으로써, 상기 플라즈마 플러드 건의 유지 보수를 보다 안정적으로 수행할 수 있으며, 소모성 부재로 인한 재정적 손실을 방지할 수 있다.
결과적으로, 상기 플라즈마 플러드 건의 효율적인 관리 및 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 반도체 기판으로 주입되는 이온빔을 중성화시키기 위하여 전자를 발생하는 플라즈마 플러드 건(plasma flood gun)을 수용하는 챔버로 상기 중성화 공정을 위한 공정 가스를 제공하는 가스 제공부;
    상기 가스 제공부와 상기 챔버 사이를 연결하며, 플렉서블 넥(flexible neck)을 갖는 가스 공급 라인; 및
    상기 가스 공급 라인과 상기 챔버 및 상기 가스 제공부 사이를 연결하기 위한 피팅들(fittings)을 포함하는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피팅들과 상기 가스 공급 라인 및 상기 챔버 사이에 각각 개재되어 있는 오-링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 챔버의 일측으로부터 돌출되어 있으며, 단부가 상기 피팅에 삽입되는 가스 인렛 노즐 (gas inlet nozzle)을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 플러드 건은 상기 전자를 발생시키는 필라멘트와, 상기 필라멘트와 상기 챔버 사이의 절연을 유지시키기 위한 절연부재 및 상 기 필라멘트를 상기 챔버에 고정시키기 위한 고정 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 플러드 건의 가스 공급 장치.
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KR20180086230A (ko) * 2015-12-27 2018-07-30 엔테그리스, 아이엔씨. 스퍼터링 가스 혼합물 중 미량의 계내 세정 가스를 사용하여 이온 주입 플라즈마 플러드 건 (prg)의 성능을 개선하는 방법

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