KR20070078902A

KR20070078902A - Process for electron emission device

Info

Publication number: KR20070078902A
Application number: KR1020060009331A
Authority: KR
Inventors: 최근홍; 이상진
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-01-31
Filing date: 2006-01-31
Publication date: 2007-08-03

Abstract

A method for manufacturing an electron emission device is provided to improve electron emission characteristics by removing a protective layer including a nitride layer and performing a uniform activation process. A cathode electrode(6) is formed on a substrate(2). An electron emission unit(12) is formed on the cathode electrode by using a carbon-based material. A protective layer(20) including a nitride layer is formed on the cathode electrode and the electron emission unit. An insulating layer(8) and a gate electrode(10) are sequentially formed on the protective layer. Apertures(9,11) are formed in the gate electrode, the insulating layer, and the protective layer and the electron emission unit is exposed by performing a dry-etch process. An activation process is performed. The nitride layer for forming the protective layer is selected from a TiN layer, a TiCN layer, and a CrN layer.

Description

Process for Electron Emission Device

도 1은 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법의 일실시예를 나타내는 부분확대 단면 공정도이다.1 is a partially enlarged cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing an electron emission device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법의 다른 실시예를 나타태는 부분확대 단면 공정도이다.2 is a partially enlarged cross-sectional process diagram showing another embodiment of the method of manufacturing an electron emission device according to the present invention.

본 발명은 전자 방출 디바이스 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐소드 전극 위에 전자 방출부를 형성한 다음 질화티탄막의 보호층을 형성하고 건식 식각으로 활성화를 행하므로 잔사 및 탈막이 방지되고 전자 방출 특성을 향상시킨 전자 방출 디바이스 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electron emission device, and more particularly, to form an electron emission portion on a cathode electrode, and then to form a protective layer of a titanium nitride film and to perform activation by dry etching to prevent residue and film formation and to improve electron emission characteristics. An improved electron emission device manufacturing method.

일반적으로 전자 방출 디바이스(Electron Emission Device)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다. 상기에서 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 디바이스로는 전계방출 어레이(FEA;Field Emitter Array)형, 표면전도 에미션(SCE;Surface-Conduction Emission)형, 금속-절연층-금속(MIM;Metal-Insulator- Metal)형 및 금속-절연층-반도체(MIS;Metal-Insulator-Semiconductor)형, 발리스틱(BSE;Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.In general, an electron emission device may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source. Examples of the electron-emitting device using the cold cathode include a field emitter array (FEA) type, a surface conduction emission type (SCE) type, and a metal-insulating layer-metal (MIM) type. Insulator-metal type, metal-insulating layer-semiconductor (MIS) type, ballistic electron surface emitting (BSE) type, and the like are known.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 디바이스는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 구비하며, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한다.The MIM type and the MIS type electron emission device each have an electron emission portion formed of a metal / insulation layer / metal (MIM) and a metal / insulation layer / semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals having an insulation layer therebetween, or When a voltage is applied between the metal and the semiconductor, a principle is used in which electrons move and accelerate from a metal having a high electron potential or from a semiconductor to a metal having a low electron potential.

상기 SCE형 전자 방출 디바이스는 기판 위에 서로 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 형성하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하고 있으며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device forms an electron emission portion by forming a conductive thin film between a first electrode and a second electrode spaced apart from each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film, and applying a voltage to both electrodes. By using the principle that the electron is emitted from the electron emission portion when the current flows to the surface of the conductive thin film.

그리고 상기 FEA형 전자 방출 디바이스는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 전자 방출부를 형성하거나, 탄소 나노튜브와 같은 탄소계 물질로 전자 방출부를 형성한 예가 개발되고 있다.The FEA type electron emission device uses a principle that electrons are easily emitted by an electric field in vacuum when a material having a low work function or a large aspect ratio is used as the electron source, and molybdenum (Mo) or silicon (Si) is used. An example of forming an electron emitting portion using a tip structure having a sharp tip, which is mainly made of a material, or a carbon emitting substance such as carbon nanotubes has been developed.

상기 FEA형 전자 방출 디바이스의 전형적인 구조는, 진공용기를 구성하는 두 기판 중 제1기판 위에 전자 방출부가 형성되고, 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로 캐소드 전극과 게이트 전극이 형성되며, 제1기판에 대향하는 제2기판의 일면에 형광층과 더불어 형광층을 고전위 상태로 유지시키는 애노드 전극이 형성되는 구성으로 이루어진다.A typical structure of the FEA type electron emission device includes an electron emission portion formed on a first substrate of two substrates constituting a vacuum container, a cathode electrode and a gate electrode formed of driving electrodes for controlling electron emission of the electron emission portion, An anode electrode for maintaining the fluorescent layer in a high potential state is formed on one surface of the second substrate opposite to the first substrate.

종래 전자 방출 디바이스에 있어서, 전자 방출부는 포토레지스트(PR)를 이용하여 희생층을 형성하고, 바인더, 분산제, 감광제 등이 포함된 탄소나노튜브 페이스트 등을 캐소드 전극 위에 주입하고, 희생층을 제거하고, 테이핑(taping) 등의 방법으로 활성화(activation)시키는 과정으로 형성한다.In the conventional electron emission device, the electron emission unit forms a sacrificial layer using a photoresist (PR), injects carbon nanotube paste containing a binder, a dispersant, a photosensitive agent, and the like onto the cathode electrode, and removes the sacrificial layer. It is formed by a process of activation (activation), such as taping (taping).

상기와 같이 전자 방출부를 형성하게 되면, 탄소나노튜브(CNT)를 현상하고 희생층을 제거하는 과정이나 활성화를 행하는 과정에서 탄소나노튜브의 탈막 및 잔사가 발생하여 전자 방출 특성이 저하되는 문제가 있다. 즉 희생층이 탄소나노튜브 등과 같은 감광재료로서 노광에 의해 반응하므로, 탄소나노튜브의 탈막 및 잔사의 원인으로 작용한다.When the electron emission portion is formed as described above, there is a problem in that the electron emission characteristics are deteriorated due to the formation and residue of carbon nanotubes in the process of developing the carbon nanotubes (CNT), removing the sacrificial layer, or performing the activation. . That is, since the sacrificial layer reacts by exposure as a photosensitive material such as carbon nanotubes, the sacrificial layer acts as a cause of film removal and residue of the carbon nanotubes.

또 탄소나노튜브의 활성화를 테이핑에 의해 행하므로, 전체적으로 활성화가 불균일하게 이루어지고, 균일한 전자 방출 특성을 얻는 것이 매우 어렵다.In addition, since the activation of carbon nanotubes is performed by taping, the activation is uniformly performed as a whole, and it is very difficult to obtain uniform electron emission characteristics.

본 발명의 목적은 캐소드 전극에 탄소계 물질을 이용하여 전자 방출부를 형성한 다음 질화티탄막의 보호층을 형성하고 절연층과 게이트 전극을 형성하고 전자 방출용 개구부를 형성하면서 건식 식각으로 전자 방출부에 대한 활성화를 행하므로 잔사 및 탈막의 우려가 없으며 균일한 활성화가 가능한 전자 방출 디바이스 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to form an electron emission portion using a carbon-based material on the cathode electrode, and then to form a protective layer of the titanium nitride film, to form an insulating layer and a gate electrode, and to form an opening for electron emission, to form an electron emission portion by dry etching. The present invention provides a method of manufacturing an electron emitting device capable of uniformly activating without causing a residue and film removal since activation is performed.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 위에 캐소드 전극을 형성하 고, 캐소드 전극 위에 탄소계 물질을 이용하여 전자 방출부를 형성하고, 기판을 전체적으로 덮도록 캐소드 전극과 전자 방출부 위에 질화막으로 이루어지는 보호층을 형성하고, 상기 보호층 위에 절연층, 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 게이트 전극 및 절연층, 보호층에 건식 식각을 이용하여 개구부를 형성하면서 전자 방출부를 노출시키고 활성화를 행하는 단계를 포함하는 전자 방출 디바이스 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is to form a cathode electrode on the substrate, to form an electron emission portion using a carbon-based material on the cathode electrode, the protection consisting of a nitride film on the cathode electrode and the electron emission portion to cover the substrate as a whole Forming a layer, sequentially forming an insulating layer and a gate electrode on the protective layer, and exposing and activating an electron emission part while forming openings in the gate electrode, the insulating layer, and the protective layer using dry etching. It provides a method for manufacturing an electron emission device.

상기 전자 방출부는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 기능을 하는 것으로, 주로 카본 나노 튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본 및 C₆₀ 등과 같은 탄소계 물질들로 이루어진다.The electron emission unit functions to emit electrons when an electric field is applied, and is mainly made of carbon-based materials such as carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, and C ₆₀ .

상기 보호층을 형성하는 질화막으로는 질화티탄(TiN)막, 질화산화티탄(TiCN)막, 질화크롬(CrN)막 등이 열거된다.Examples of the nitride film forming the protective layer include a titanium nitride (TiN) film, a titanium nitride oxide (TiCN) film, a chromium nitride (CrN) film, and the like.

다음으로 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a preferred embodiment of the electron emitting device manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(2) 위에 캐소드 전극(6)을 형성한다(P10).First, as shown in FIG. 1, the cathode electrode 6 is formed on the substrate 2 (P10).

상기에서 캐소드 전극(6)은 기판(2) 위에 도전막을 형성하고 이를 패터닝함에 의해 형성될 수 있다.The cathode electrode 6 may be formed by forming and patterning a conductive film on the substrate 2.

상기와 같이 캐소드 전극(6)을 패터닝한 다음, 캐소드 전극(6) 위에 소정의 패턴으로 탄소계 물질을 이용하여 전자 방출부(12)를 형성한다(P20).After the cathode electrode 6 is patterned as described above, the electron emission part 12 is formed on the cathode electrode 6 using a carbon-based material in a predetermined pattern (P20).

상기 전자 방출부(12)를 형성하는 탄소계 물질로는 카본 나노 튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The carbon-based material forming the electron emission part 12 may be selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamond, diamond-like carbon, C _60, and mixtures thereof.

상기 전자 방출부(12)는 스크린인쇄법 등을 이용하여 후막으로 형성하는 것도 가능하고, 박막 성장으로 형성하는 것도 가능하다.The electron emission unit 12 may be formed into a thick film by using a screen printing method, or may be formed by thin film growth.

그리고 상기 전자방출부(12) 및 캐소드 전극(6)을 덮도록 기판(2) 전체에 걸쳐서 질화막으로 이루어지는 보호층(20)을 형성한다(P30).A protective layer 20 made of a nitride film is formed over the entire substrate 2 to cover the electron emission unit 12 and the cathode electrode 6 (P30).

상기 보호층(20)을 형성하는 질화막으로는 질화티탄(TiN)막, 질화산화티탄(TiCN)막, 질화크롬(CrN)막 등이 열거된다.Examples of the nitride film forming the protective layer 20 include a titanium nitride (TiN) film, a titanium nitride oxide (TiCN) film, a chromium nitride (CrN) film, and the like.

상기 보호층(20)은 질화티탄(TiN), 질화산화티탄(TiCN), 질화크롬(CrN) 등의 질화물을 박막 증착 공정을 통하여 질화막으로 형성하여 이루어지는 것도 가능하고, 티탄(Ti), 산화티탄(TiC), 크롬(Cr) 등을 코팅한 다음 질소 분위기에서 소성하는 공정을 통하여 질화막을 형성하여 이루어지는 것도 가능하다.The protective layer 20 may be formed by forming nitrides such as titanium nitride (TiN), titanium nitride oxide (TiCN), and chromium nitride (CrN) into a nitride film through a thin film deposition process, and may include titanium (Ti) and titanium oxide. It is also possible to form a nitride film by coating (TiC), chromium (Cr) and the like and then firing in a nitrogen atmosphere.

이어서 기판(2) 전체에 절연 물질을 코팅하여 절연층(8)을 형성하고, 상기 절연층(8) 위에는 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극(6)과 교차하는 방향으로 게이트 전극(10)을 형성한다(P40).Subsequently, an insulating material is coated on the entire substrate 2 to form an insulating layer 8, and a conductive film is formed on the insulating layer 8 and patterned to cross the cathode electrode 6 in a direction intersecting with the cathode electrode 6. To form (P40).

예를 들면, 상기 캐소드 전극(6) 및 게이트 전극(10)은 스트라이프 패턴으로 형성하며, 서로 직교하는 방향으로 배열하여 형성된다. 상기 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 사이에는 기판(2)의 전체 면적에 걸쳐서 절연층(8)을 형성된다.For example, the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 are formed in a stripe pattern and arranged in a direction orthogonal to each other. An insulating layer 8 is formed between the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 over the entire area of the substrate 2.

상기 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(9), (11)를 형성하여 상기 보호층(20)이 노출되도록 한다(P50).Openings 9 and 11 corresponding to the electron emission portions 12 are formed in the insulating layer 8 and the gate electrode 10 to expose the protective layer 20 (P50).

본 실시예에 있어, 상기 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 상기 개구부(9), (11)를 통해 노출되는 상기 캐소드 전극(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성된다. 여기에서 상기 전자 방출부(12)의 형상, 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 다양하게 구성하는 것이 가능하다.In the present exemplary embodiment, when the intersection region of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is defined as a pixel region, each pixel is disposed on the cathode electrode 6 exposed through the openings 9 and 11. One or more electron emitters 12 are formed in each region. Here, the shape of the electron emission unit 12, the number and arrangement form per pixel area, etc. may be variously configured.

그리고 개구부(9), (11)를 통하여 노출되는 보호층(20)을 식각하여 전자 방출부(12)를 노출시키면서 활성화를 행한다(P60). 즉 상기 보호층(20)에도 상기 개구부(9), (11)에 대응하는 개구부(21)를 형성한다.Then, the protective layer 20 exposed through the openings 9 and 11 is etched and activated while exposing the electron emission unit 12 (P60). That is, the openings 21 corresponding to the openings 9 and 11 are also formed in the protective layer 20.

상기에서 절연층(8), 게이트 전극(10), 보호층(20)을 식각하여 개구부(9), (11), (21)를 형성하는 과정은 건식 식각을 이용하여 행한다.The process of forming the openings 9, 11, and 21 by etching the insulating layer 8, the gate electrode 10, and the protective layer 20 is performed by dry etching.

상기와 같이 건식 식각을 이용하여 보호층(20)에 개구부(21)를 형성하여 전자 방출부(12)를 노출시키게 되면, 개구부(21)가 형성되는 과정(보호층(20)의 일부가 건식 식각에 의하여 제거되는 과정)에서 전자 방출부(12)의 활성화(activation)가 함께 이루어진다.As described above, when the opening 21 is formed in the protective layer 20 by using dry etching to expose the electron emission unit 12, a process of forming the opening 21 (part of the protective layer 20 is dry). In the process of removal by etching), the activation of the electron emission unit 12 is performed together.

상기에서 절연층(8), 게이트 전극(10), 보호층(20)을 식각하는 과정은 (P50) 및 (P60)의 2단계로 이루어지는 것이 아니고, 실제로는 하나의 건식 식각 공정이 연속적으로 행해지는 것에 의해 이루어지게 된다.The etching of the insulating layer 8, the gate electrode 10, and the protective layer 20 is not performed in two steps (P50) and (P60), and in practice, one dry etching process is performed continuously. Is made by.

따라서 개구부(9), (11), (21)의 형성과 전자 방출부(12)의 활성화가 동시에 이루어지게 된다.Therefore, the openings 9, 11, and 21 are formed and the electron emission part 12 is activated at the same time.

상기에서 보호층(20)을 질화티탄(TiN)막 등의 질화막으로 형성하게 되면, 건식 식각을 행하는 과정에서 빠른 속도로 식각이 이루어지게 되며, 전자 방출부(12)의 활성화가 효과적으로 이루어지게 된다.When the protective layer 20 is formed of a nitride film such as a titanium nitride (TiN) film, etching is performed at a high speed during the dry etching process, and the electron emission part 12 is activated effectively. .

상기 보호층(20)을 건식 식각으로 일부를 제거하여 개구부(21)를 형성하게 되면, 습식 식각으로 행하는 것에 비하여 식각된 부분이 깨끗하게 형성되는 장점이 있다.When the opening layer 21 is formed by removing a portion of the protective layer 20 by dry etching, the etched portion may be cleanly formed as compared with the wet etching.

그리고 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법의 일실시예는 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 게이트 전극(10) 위에 집속 전극(18)을 더 형성할 수 있다.In one embodiment of the method for manufacturing an electron emission device according to the present invention, a focusing electrode 18 may be further formed on the gate electrode 10.

상기 집속 전극(18)은 게이트 전극(10)과의 절연 유지를 위해 절연층(16) 위에 형성된다.The focusing electrode 18 is formed on the insulating layer 16 to maintain insulation from the gate electrode 10.

즉 상기 게이트 전극(10) 위에 기판(2) 전체를 덮도록 절연층(16)을 형성하고, 상기 절연층(16) 위에 집속 전극(18)을 형성한다.That is, the insulating layer 16 is formed on the gate electrode 10 to cover the entire substrate 2, and the focusing electrode 18 is formed on the insulating layer 16.

상기 집속 전극(18) 및 절연층(16)에는 전자 방출부(12)가 노출되도록 각각 개구부(19), (17)가 형성된다.Openings 19 and 17 are formed in the focusing electrode 18 and the insulating layer 16 to expose the electron emission part 12.

상기 집속 전극(18)은 절연층(16)에 개구부(17)를 식각한 다음 또는 전자 방출부(12)를 형성한 다음에 형성하는 것도 가능하며, 집속 전극(18)의 형성은 종래 집속 전극을 형성하는 방법과 동일하게 실시하는 것이 가능하므로 상세한 설명은 생략한다.The focusing electrode 18 may be formed after the opening 17 is etched in the insulating layer 16 or after the electron emission part 12 is formed. The focusing electrode 18 may be formed by a conventional focusing electrode. Since it is possible to perform the same as the method for forming a detailed description thereof will be omitted.

상기에서는 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.In the above, a preferred embodiment of the method of manufacturing an electron emission device according to the present invention has been described, but the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. This also belongs to the scope of the present invention.

상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법에 의하면, 전자 방출부의 표면에 도포된 질화막으로 이루어지는 보호층을 건식 식각으로 제거하면서 활성화(activation)가 행해지므로, 전체적으로 균일하게 활성화가 진행되어 전자 방출 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 전자 방출 특성의 향상에 따라 휘도 향상을 얻을 수 있으며, 전자 방출 디바이스의 표시품위가 향상된다.According to the electron emission device manufacturing method according to the present invention made as described above, since activation is performed while removing the protective layer made of a nitride film coated on the surface of the electron emission portion by dry etching, the activation proceeds uniformly as a whole. It is possible to improve the release properties. In addition, the luminance can be improved by the improvement of the electron emission characteristic, and the display quality of the electron emission device is improved.

그리고 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법에 의하면, 전자 방출부를 형성한 다음 보호층을 형성하여 전자 방출부를 지지하는 상태에서 이후의 공정을 진행하며 포토레지스트(PR)에 의한 희생층을 사용하지 않으므로, 전자 방출부의 탈막이나 잔사 등의 발생이 방지되고, 전자 방출의 특성이 저하되는 것을 해소하는 것이 가능하다.According to the method of manufacturing an electron emission device according to the present invention, since the electron emission part is formed and then the protective layer is formed to support the electron emission part, the subsequent process is performed and the sacrificial layer by the photoresist PR is not used. It is possible to prevent the occurrence of film formation, residue, etc. of the electron emitting portion, and to reduce the deterioration of the electron emission characteristic.

본 발명에 따른 전자 방출 디바이스 제조방법에 의하면, 별도의 활성화 공정을 행하지 않고, 개구부를 형성하면서 전자 방출부의 활성화를 행하므로, 제조공정이 간단해지고, 생산성이 향상된다.According to the electron emission device manufacturing method according to the present invention, since the electron emission portion is activated while forming the openings without performing an additional activation process, the manufacturing process is simplified and the productivity is improved.

Claims

Forming a cathode on the substrate,

Forming an electron emission portion using a carbon-based material on the cathode,

A protective layer made of a nitride film is formed on the cathode electrode and the electron emitting portion so as to cover the substrate as a whole.

An insulating layer and a gate electrode are sequentially formed on the protective layer;

Exposing and activating an electron emission portion while forming an opening by using dry etching in the gate electrode, the insulating layer, and the protective layer.

The method according to claim 1,

And the nitride film forming the protective layer is selected from a titanium nitride (TiN) film, a titanium nitride oxide (TiCN) film, and a chromium nitride (CrN) film.

The method according to claim 1 or 2,

The protective layer is formed by forming a nitride film through a thin film deposition process, or a nitride (Ti), titanium oxide, chromium coating and then forming a nitride film by firing in a nitrogen atmosphere.

The method according to claim 1,

And the electron emission unit is formed by selecting one or more of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamond, diamond-like carbon, and C ₆₀ .

The method according to claim 1,

A focusing electrode is further formed on the gate electrode with an insulating layer interposed therebetween;

And forming an opening in the focusing electrode and the insulating layer in the step of forming an opening in the gate electrode.

Electron emitting device manufactured by the manufacturing method of any one of Claims 1-5.