KR20070070589A - Active matrix organic electroluminescent device and method of manufacturing for the same - Google Patents

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KR20070070589A
KR20070070589A KR1020050133285A KR20050133285A KR20070070589A KR 20070070589 A KR20070070589 A KR 20070070589A KR 1020050133285 A KR1020050133285 A KR 1020050133285A KR 20050133285 A KR20050133285 A KR 20050133285A KR 20070070589 A KR20070070589 A KR 20070070589A
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Abstract

An active matrix organic electro-luminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent scratches due to a misalignment of a shadow mask by adjusting a size of an insulation layer, which is formed between an anode electrode and an organic light emitting unit. An active matrix organic electro-luminescent display device includes an array substrate(52), an anode electrode(62), an insulation layer(56), an organic light emitting unit(66), and a cathode electrode(68). The array substrate includes a TFT unit. The anode electrode is connected to a drain region of the TFT(Thin Film Transistor) unit. The insulation layer is formed at a position corresponding to the TFT unit on the anode electrode. The insulation layer is formed at the position containing a region which is separated by the anode electrodes. The organic light emitting unit is formed on the anode electrode and the insulation layer. The cathode electrode is formed on the organic light emitting unit.

Description

액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 {Active Matrix Organic ElectroLuminescent Device and Method of Manufacturing for the same}Active Matrix Organic Electroluminescent Device and Method of Manufacturing for the same

도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구조 단면도와 애노드 전극과 절연층 및 유기 발광부의 부분 확대 단면도.1 is a cross-sectional view of a structure of an active matrix organic light emitting display device, and an enlarged cross-sectional view of an anode electrode, an insulating layer, and an organic light emitting unit.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구조 단면도와 애노드 전극과 절연층 및 유기 발광부의 부분 확대 단면도.2 is a cross-sectional view of a structure of an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and an enlarged cross-sectional view of an anode electrode, an insulating layer, and an organic light emitting unit.

도 3a 내지 3c는 도 2에 도시한 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 공정별 단면도.3A to 3C are cross-sectional views of processes of the active matrix organic light emitting display device shown in FIG. 2.

* 도면의 주요부호에 대한 설명 *Explanation of the main symbols in the drawings

52 : 기판 54 : 박막트랜지스터부52 substrate 54 thin film transistor portion

56 : 게이트 절연층 58 : 층간 절연층A56 gate insulating layer 58 interlayer insulating layer A

60 : 평탄화 절연층 62 : 애노드 전극60: planarization insulating layer 62: anode electrode

64 : 절연층B 66 : 유기 발광부64: insulating layer B 66: organic light emitting portion

68 : 캐소드 전극 70 : 정공 수송층68 cathode electrode 70 hole transport layer

72 : R,G,B 발광층 74 : 전자 수송층72: R, G, B light emitting layer 74: electron transport layer

본 발명은 애노드 전극 상의 절연층 구조를 개선하여 유기 발광부의 손상을 방지할 수 있는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an active matrix organic electroluminescent device capable of preventing damage to an organic light emitting part by improving an insulating layer structure on an anode electrode, and a method of manufacturing the same.

전자와 정공의 재결합으로 유기 물질을 발광시키는 유기전계발광소자를 이용한 유기전계발광 디스플레이 장치는 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자를 이용한 액정 디스플레이 장치에 비하여 응답 속도가 빠르고, 직류구동 전압이 낮고, 초박막화가 가능하기 때문에 벽걸이형 또는 휴대용으로 응용이 가능하다.The organic light emitting display device using the organic light emitting device that emits organic materials by recombination of electrons and holes is faster than the liquid crystal display device using a passive light emitting device that requires a separate light source, and the DC drive voltage is low. Because of its ultra-thin film, it is possible to be wall-mounted or portable.

이와 같은 유기전계발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 적색, 청색, 녹색의 서브픽셀들이 각각 또는 상호 작용하여 하나의 색을 표현하는 단위인 픽셀들을 이용하여 칼라를 구현한다. Such a display device using an organic light emitting display device realizes color using pixels, which are units in which red, blue, and green subpixels each represent or interact with each other.

유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix OLED, PMOLED)와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix OLED, AMOLED)로 나눌 수 있다.The organic light emitting diode is an active matrix organic light emitting diode (active matrix) which is driven by using a passive matrix organic light emitting diode (PMOLED) and a thin film transistor (TFT) according to the method of driving a subpixel. OLED, AMOLED).

도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional active matrix organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 종래의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)는 투명 기판(12) 상에 박막트랜지스터부(14)와 게이트 절연층(16) 및 층간 절연층A(18)이 형성되어 있었다.Referring to FIG. 1, the conventional active matrix type organic light emitting display device 10 includes a thin film transistor unit 14, a gate insulating layer 16, and an interlayer insulating layer A 18 formed on a transparent substrate 12. there was.

이때, 박막트랜지스터부(14)는 소스(14(a)) 및 드레인(14(b))과 활성층 (14(c)), 게이트 전극(14(d))을 포함한다.In this case, the thin film transistor unit 14 includes a source 14 (a) and a drain 14 (b), an active layer 14 (c), and a gate electrode 14 (d).

또한, 박막트랜지스터부(14)는 게이트 절연층(16) 및 층간 절연층A(18) 상에서 콘텍홀을 통해 박막트랜지스터부(14)의 소스(14(a)) 및 드레인(14(a))과 접촉 형성된 금속 전극(14(e))을 포함한다. In addition, the thin film transistor unit 14 may have a source 14 (a) and a drain 14 (a) of the thin film transistor unit 14 through contact holes on the gate insulating layer 16 and the interlayer insulating layer A 18. And a metal electrode 14 (e) formed in contact with it.

이어서, 층간 절연층A(18) 상에는 평탄화 절연층(20)이 형성되어 있었고, 평탄화 절연층(20) 상에 애노드 전극(22)이 형성되어 있었다.Next, the planarization insulating layer 20 was formed on the interlayer insulation layer A 18, and the anode electrode 22 was formed on the planarization insulating layer 20.

또한, 애노드 전극(22) 상에는 그 하부 영역에 박막트랜지스터부(14)가 형성된 위치 상에 혹은 애노드 전극(22) 사이 사이에 절연층B(24)가 형성되어 있었다.In addition, the insulating layer B 24 was formed on the anode electrode 22 on the position where the thin film transistor portion 14 was formed in the lower region or between the anode electrodes 22.

절연층B(24) 상 및 애노드 전극(22) 상에는 유기 발광층(26)이 형성되었고, 유기 발광층(26) 상에는 캐소드 전극(28)이 형성되어 있었다.The organic light emitting layer 26 was formed on the insulating layer B 24 and the anode electrode 22, and the cathode electrode 28 was formed on the organic light emitting layer 26.

이때, 유기 발광층(26)은 정공 수송층(30)과 R,G,B 발광층(32) 및 전자 수송층(34)으로 구성되어 있었다.At this time, the organic light emitting layer 26 was composed of the hole transport layer 30, the R, G, B light emitting layer 32 and the electron transport layer 34.

또한, 정공 수송층(30)은 순차적으로 정공 주입층(30(a))과 정공 전달층(30(b))으로 구성되어 있었고, 전자 수송층(34)은 순차적으로 전자 전달층(34(a))과 전자 주입층(34(b))으로 구성되어 있었다.In addition, the hole transport layer 30 was sequentially composed of a hole injection layer (30 (a)) and a hole transport layer (30 (b)), the electron transport layer 34 is sequentially an electron transport layer (34 (a)). ) And the electron injection layer 34 (b).

도 1상의 애노드 전극과 절연층 및 유기 발광부의 부분 확대 단면도를 추가로 참조하면, 전술한 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)는 그 구조에 있어서, 절연층B(24)의 높이(h1)가 1㎛ 이하의 두께로 형성되므로, 유기 발광부(26)의 정공 수송층(30) 상에 셰도우 마스크를 이용하여 R,G,B 발광층(32)을 형성시 셰 도우 마스크에 쳐짐 또는 기울어짐이 발생할 경우 정공 수송층(30)에 스크래치를 주는 문제점이 있었다.Referring to the partial enlarged cross-sectional view of the anode electrode, the insulating layer, and the organic light emitting part of FIG. 1 ) is formed to a thickness of 1 μm or less, so that on the hole transport layer 30 of the organic light emitting portion 26 When the R, G, and B light emitting layers 32 are formed by using the shadow mask, there is a problem in that the hole transport layer 30 is scratched when the shadow mask is struck or tilted.

이에 따라, 유기 발광부(26)의 손상에 의한 제품의 열화로 제품의 수명이 저하되는 문제점이 있었다.Accordingly, there is a problem in that the life of the product is reduced due to deterioration of the product due to damage of the organic light emitting unit 26.

또한, 유기 발광부(26)의 손상에 따른 공정의 신뢰도 저하로 인해 수율 저하의 문제점이 있었다. In addition, there is a problem in yield reduction due to a decrease in reliability of the process caused by damage to the organic light emitting portion 26.

이상과 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명은 애노드 전극 상에 형성되는 절연층 구조를 개선함으로써 공정상 셰도우 마스크의 쳐짐 또는 기울어짐에 의한 유기 발광부의 스크래치를 방지할 수 있는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention is to improve the insulating layer structure formed on the anode electrode active matrix organic light emitting device that can prevent the scratch of the organic light emitting portion due to the falling down or tilting of the shadow mask in the process The purpose is to provide.

다른 측면에서, 본 발명은 전술한 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. In another aspect, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing the active matrix organic electroluminescent device described above.

이러한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 박막트랜지스터부를 포함하는 어레이(Array) 기판과, 박막트랜지스터부의 드레인 영역과 접촉된 애노드 전극과, 애노드 전극 상에서 박막트랜지스터부에 대응되는 위치 및 애노드 전극의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 위치에 돌출 형성된 절연층과, 애노드 전극 및 절연층 상에 형성된 유기 발광부와, 유기 발광부 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an array substrate including a thin film transistor portion, an anode electrode in contact with a drain region of the thin film transistor portion, a position corresponding to the thin film transistor portion on the anode electrode, and an anode electrode. Provided is an active matrix organic electroluminescent device comprising an insulating layer protruding at a position including a separate region, an anode and an organic light emitting portion formed on the insulating layer, and a cathode electrode formed on the organic light emitting portion.

전술한 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 있어서, 유기 발광부는 애노드 전극 상에 순차적으로 형성된 정공 수송층과 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함하며 절연층의 높이는 정공 수송층의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다.In the above-described active matrix organic EL device, the organic light emitting part includes a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer sequentially formed on the anode, and the height of the insulating layer is greater than the thickness of the hole transport layer.

전술한 절연층의 높이는 1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 한다.The height of the above-described insulating layer is characterized in that 1㎛ to 5㎛.

또한, 전술한 절연층은 유기물 또는 무기물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the above-described insulating layer is characterized in that formed of any one or more of organic or inorganic.

전술한 무기물은 실리카계 산화물 또는 질화물 중 어느 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 한다.The above-described inorganic material is characterized in that any one or more than one of the silica-based oxide or nitride.

다른 측면에서 이상과 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명은 기판 상에 박막트랜지스터부를 패터닝하는 어레이(Array) 기판 형성단계와, 박막트랜지스터부의 드레인 영역과 애노드 전극을 접촉 형성하는 애노드 전극 형성단계와, 애노드 전극 상에서 박막트랜지스터부에 대응되는 위치 및 애노드 전극의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 위치에 돌출 구조로 절연층을 형성하는 절연층 형성단계와, 애노드 전극 및 절연층 상에 유기 발광부를 형성하는 유기 발광부 형성단계와, 유기 발광부 상에 캐소드 전극을 형성하는 캐소드 전극 형성단계를 포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides an array substrate forming step of patterning a thin film transistor portion on a substrate, an anode electrode forming step of forming a contact between an anode electrode and a drain region of the thin film transistor portion, and an anode. An insulating layer forming step of forming an insulating layer with a protruding structure at a position corresponding to the thin film transistor portion on the electrode and a region that is separated from each other of the anode electrode; and an organic forming the organic light emitting portion on the anode electrode and the insulating layer The present invention provides a method of manufacturing an active matrix organic light emitting display device including a light emitting part forming step and a cathode electrode forming step of forming a cathode electrode on an organic light emitting part.

전술한 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서, 유기 발광부는 애노드 전극 상에서 순차적으로 형성된 정공 수송층과 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 구조로 형성되며, 절연층의 높이는 정공 수송층의 두께보다 크 게 형성되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method of manufacturing an active matrix organic electroluminescent device, the organic light emitting part is formed in a structure including a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer sequentially formed on the anode electrode, the height of the insulating layer is greater than the thickness of the hole transport layer. It is characterized in that the crab is formed.

전술한 절연층의 높이는 1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 한다.The height of the above-described insulating layer is characterized in that 1㎛ to 5㎛.

또한, 전술한 절연층 형성단계에서 절연층은 유기물 또는 무기물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the above-described insulating layer forming step, the insulating layer is characterized by forming any one or more of an organic material or an inorganic material.

전술한 무기물은 실리카계 산화물 또는 질화물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.The above-described inorganic material is characterized in that it is formed of any one or more of silica-based oxide or nitride.

이하, 본 발명의 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)의 구조 단면도 및 애노드 전극(62)과 절연층B(64), 유기 발광부(66)의 부분 확대 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a structure of an active matrix type organic light emitting display device 50 according to an embodiment of the present invention, and a partially enlarged cross-sectional view of an anode electrode 62, an insulating layer B 64, and an organic light emitting part 66.

도 2를 참조하면, 투명 기판(52) 상에 박막트랜지스터부(54)와 게이트 절연층(56) 및 층간 절연층A(58)가 형성된다.Referring to FIG. 2, a thin film transistor unit 54, a gate insulating layer 56, and an interlayer insulating layer A 58 are formed on the transparent substrate 52.

이때, 박막트랜지스터부(54)는 소스(54(a)) 및 드레인(54(b))과 활성층(54(c)), 게이트 전극(54(d))을 포함한다.In this case, the thin film transistor unit 54 includes a source 54 (a) and a drain 54 (b), an active layer 54 (c), and a gate electrode 54 (d).

또한, 박막트랜지스터부(54)는 층간 절연층A(58) 및 게이트 절연층(58) 상에서 콘텍홀을 통해 박막트랜지스터부(54)의 소스(54(a)) 및 드레인(54(a))과 접촉 형성된 금속 전극(54(e))을 포함한다. In addition, the thin film transistor portion 54 may include a source 54 (a) and a drain 54 (a) of the thin film transistor portion 54 through contact holes on the interlayer insulating layer A 58 and the gate insulating layer 58. And a metal electrode 54 (e) formed in contact with it.

이어서, 게이트 절연층(58) 상에는 평탄화 절연층(60)이 형성되고, 평탄화 절연층(60) 상에 애노드 전극(62)이 형성된다.Subsequently, the planarization insulating layer 60 is formed on the gate insulating layer 58, and the anode electrode 62 is formed on the planarization insulating layer 60.

또한, 애노드 전극(62) 상에는 그 하부에 형성된 박막트랜지스터부(54)에 대응되는 영역 및 애노드 전극(62)의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 영역에 절연층B(64)가 형성된다.In addition, an insulating layer B 64 is formed on the anode electrode 62 in a region including a region corresponding to the thin film transistor portion 54 formed below and an region that is separated from each other of the anode electrode 62.

절연층B(64) 상에는 유기 발광층(66)이 형성되고, 유기 발광층(66) 상에는 캐소드 전극(68)이 형성되어 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)가 완성된다.The organic light emitting layer 66 is formed on the insulating layer B 64, and the cathode electrode 68 is formed on the organic light emitting layer 66, thereby completing the active matrix organic electroluminescent device 50 according to the exemplary embodiment of the present invention. do.

이하, 전술한 유기 발광층(66)의 구조에 대해 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting layer 66 described above will be described in more detail.

유기 발광층(66)은 크게 정공 수송층(70)과 R,G,B 발광층(72) 및 전자 수송층(74)으로 구성된다.The organic light emitting layer 66 is largely composed of a hole transporting layer 70, an R, G, and B light emitting layer 72, and an electron transporting layer 74.

더욱 상세하게는, 정공 수송층(70)은 순차적으로 형성된 정공 주입층(70(a))과 정공 전달층(70(b))으로 구성되고, 전자 수송층(74)은 순차적으로 형성된 전하 전달층(74(a))과 전하 주입층(74(b))으로 구성된다.More specifically, the hole transport layer 70 is composed of a hole injection layer 70 (a) and a hole transport layer 70 (b) sequentially formed, the electron transport layer 74 is a charge transport layer ( 74 (a)) and a charge injection layer 74 (b).

계속해서, 도 1 상의 부분 확대 단면도와 도 2 상의 부분 확대 단면도를 참조하여 비교 설명한다.Subsequently, a partial enlarged cross-sectional view of FIG. 1 and a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 2 will be described with reference.

도 1상의 부분 확대 단면도는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)에 있어서, 애노드 전극(22)과 절연층B(24) 및 유기 발광부(26)의 부분 확대 단면도이다.1 is a partially enlarged cross-sectional view of the anode electrode 22, the insulating layer B 24, and the organic light emitting portion 26 in the conventional active matrix type organic light emitting display device 10.

도 2상의 부분 확대 단면도는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)에 있어서, 애노드 전극(62)과 절연층B(64) 및 유기 발광부 (66)의 부분 확대 단면도이다.Partial enlarged cross-sectional view of FIG. 2 is a partial enlarged view of the anode electrode 62, the insulating layer B 64, and the organic light emitting part 66 in the active matrix type organic light emitting display device 50 according to the exemplary embodiment of the present invention. It is a cross section.

도 1상의 부분 확대 단면도 상의 절연층B(24)의 높이(h1)는 그 형성 범위가 1㎛ 이하인데 비해 도 2상의 부분 확대 단면도 상의 절연층B(64)의 높이(h2)는 그 다섯 배의 영역인 1㎛ 내지 5㎛ 사이의 범위이므로, 유기 발광부(66) 상의 R,G,B 발광층(72) 형성시 이용하는 셰도우 마스크의 쳐짐 및 기울어짐에 의한 스크래치를 방지하기에 충분하며, 이에 따라 본 발명의 소기 목적을 달성할 수 있다.The height (h 1) has a height (h 2) of the insulation layer B (64) on the part of enlarged cross-sectional view on the Figure 2 inde less than that range formed 1㎛ of the insulation layer on a partial enlarged sectional view taken along 1 B (24) is that Since it is a range between 1 μm and 5 μm, which is five times the area, it is sufficient to prevent scratches due to sagging and tilting of the shadow mask used when forming the R, G, and B light emitting layers 72 on the organic light emitting part 66. Thus, the desired object of the present invention can be achieved.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)의 제조 공정별 단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views of manufacturing processes of an active matrix organic light emitting display device 50 according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 투명한 기판(52) 상에 상에 박막트랜지스터부(54)와 게이트 절연층(56) 및 층간 절연층A(58)가 형성된다.Referring to FIG. 3A, the thin film transistor unit 54, the gate insulating layer 56, and the interlayer insulating layer A 58 are formed on the transparent substrate 52.

이때, 박막트랜지스터부(54)는 소스(54(a)) 및 드레인(54(b))과 활성층(54(c)), 게이트 전극(54(d))을 포함한다.In this case, the thin film transistor unit 54 includes a source 54 (a) and a drain 54 (b), an active layer 54 (c), and a gate electrode 54 (d).

또한, 박막트랜지스터부(54)는 게이트 절연층(56) 및 층간 절연층A(58) 상에서 콘텍홀을 통해 박막트랜지스터부(54)의 소스(54(a)) 및 드레인(54(a))과 접촉 형성된 금속 전극(54(e))을 포함한다. In addition, the thin film transistor portion 54 is a source 54 (a) and a drain 54 (a) of the thin film transistor portion 54 through contact holes on the gate insulating layer 56 and the interlayer insulating layer A 58. And a metal electrode 54 (e) formed in contact with it.

이어서, 층간 절연층A(58) 상에는 평탄화 절연층(60)이 형성되고, 평탄화 절연층(60) 상에 애노드 전극(62)이 형성된다.Subsequently, the planarization insulating layer 60 is formed on the interlayer insulating layer A 58, and the anode electrode 62 is formed on the planarization insulating layer 60.

도 3b를 참조하면, 애노드 전극(62) 상에는 그 하부에 형성된 박막트랜지스터부(54)에 대응되는 영역과 애노드 전극(62)의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 영역에 절연층B(64)가 형성된다.Referring to FIG. 3B, the insulating layer B 64 is disposed on the anode electrode 62 in a region including a region corresponding to the thin film transistor unit 54 formed below the anode electrode 62 and a region separated from each other. Is formed.

이때, 절연층B(64)의 재료는 유기물 또는 무기물 혹은 이들의 화합물 이나 혼합물 중 어느 하나일 수 있다.At this time, the material of the insulating layer B (64) may be any one of an organic or an inorganic material or a compound or a mixture thereof.

예를 들어, 유기물로는 아크릴아미드(Acrylamid), 폴리이미드(Polyimide), 폴리파라자일렌(Polyparaxylene)등을 포함한 유기물이 사용될 수 있다. 또한, 무기물로는 실리카계 산화물(SiOX) 또는 질화물(SiNX)이 사용될 수 있다.For example, an organic material including acrylamide, polyimide, polyparaxylene, or the like may be used as the organic material. In addition, a silica-based oxide (SiO X ) or nitride (SiN X ) may be used as the inorganic material.

도 3c를 참조하면, 절연층B(64) 상에는 유기 발광층(66)이 형성되고, 유기 발광층(66) 상에는 캐소드 전극이 형성되어 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)가 완성된다.Referring to FIG. 3C, the organic light emitting layer 66 is formed on the insulating layer B 64, and the cathode electrode is formed on the organic light emitting layer 66, so that the active matrix organic electroluminescent device 50 according to the exemplary embodiment of the present invention is provided. ) Is completed.

이하, 전술한 유기 발광층(66)의 구조에 대해 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting layer 66 described above will be described in more detail.

유기 발광층(66)은 크게 정공 수송층(70)과 R,G,B 발광층(72) 및 전자 수송층(74)으로 구성된다.The organic light emitting layer 66 is largely composed of a hole transporting layer 70, an R, G, and B light emitting layer 72, and an electron transporting layer 74.

더욱 상세하게는, 정공 수송층(70)은 순차적으로 형성된 정공 주입층(70(a))과 정공 전달층(70(b))으로 구성되고, 전자 수송층(74)도 순차적으로 형성된 전하전달층(74(a))과 전하 주입층(74(b))으로 구성된다.More specifically, the hole transport layer 70 is composed of a hole injection layer 70 (a) and a hole transport layer 70 (b) sequentially formed, and the electron transport layer 74 also sequentially formed charge transfer layer ( 74 (a)) and a charge injection layer 74 (b).

전술한 절연층B(64) 및 유기 발광층(66)의 구조에 있어서, 절연층B(64)의 높이는 유기 발광층(66)의 정공 수송층(60)의 두께보다 크게 예를 들어, 1㎛ 내지 5㎛ 사이의 범위 내에서 형성된다.In the above-described structures of the insulating layer B 64 and the organic light emitting layer 66, the height of the insulating layer B 64 is larger than the thickness of the hole transport layer 60 of the organic light emitting layer 66, for example, 1 μm to 5. It is formed within a range between μm.

이상과 같이, 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 구조에 있어서, 절연층B(24)의 높이(h1)에 비해 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50) 상의 절연층B(64)의 높이(h2)는 상대적으로 충분한 범위 내에서 형성되므로 본 발명의 소기 목적을 달성할 수 있다. As described above, in the structure of the conventional active matrix type organic light emitting display device 10, the active matrix type organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is compared with the height h 1 of the insulating layer B 24 ( Since the height h 2 of the insulating layer B 64 on the 50) is formed within a relatively sufficient range, the desired object of the present invention can be achieved.

이상 일실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the present invention has been described above with reference to one embodiment, the scope of the present invention is represented by the following claims rather than the foregoing detailed description, and all changes derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof. Or variations should be construed as being included in the scope of the invention.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 형성 구조와 달리, 애노드 전극과 유기 발광부 사이에 형성된 절연층을 충분한 범위내의 임의의 치수로 형성함으로써 유기 발광부의 R,G,B 발광층 형성시 이용하는 셰도우 마스크의 쳐짐 또는 기울어짐에 의한 스크래치를 방지할 수 있다. As described above, the present invention, unlike the conventional structure of the formation of the active matrix organic electroluminescent device, by forming an insulating layer formed between the anode electrode and the organic light emitting portion to any dimension within a sufficient range, R, G, Scratches due to sagging or tilting of the shadow mask used in forming the B light emitting layer can be prevented.

이에 따라, 본 발명의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 유기 발광부의 손상에 의한 제품의 열화를 방지함으로 제품의 수명을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the active matrix type organic light emitting display device and its manufacturing method of the present invention can improve the service life of the product by preventing degradation of the product by damage to the organic light emitting portion.

또한, 본 발명의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 유기 발광부의 손상에 따른 공정의 신뢰도 저하를 방지함으로 공정의 수율을 향상시 킬 수 있다.In addition, the active matrix type organic light emitting diode and the method of manufacturing the same of the present invention can improve the yield of the process by preventing the reliability of the process due to damage to the organic light emitting portion.

Claims (10)

박막트랜지스터부를 포함하는 어레이(Array) 기판과;An array substrate including a thin film transistor unit; 상기 박막트랜지스터부의 드레인 영역과 접촉된 애노드 전극과;An anode electrode in contact with the drain region of the thin film transistor portion; 상기 애노드 전극 상에서 상기 박막트랜지스터부에 대응되는 위치 및 상기 애노드 전극의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 위치에 돌출 형성된 절연층과;An insulating layer protruding from the anode electrode at a position corresponding to the thin film transistor and a region that is separated from each other; 상기 애노드 전극 및 상기 절연층 상에 형성된 유기 발광부와;An organic light emitting part formed on the anode electrode and the insulating layer; 상기 유기 발광부 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 액티브 매트릭스형 An active matrix type including a cathode electrode formed on the organic light emitting part 유기전계발광소자.Organic electroluminescent device. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유기 발광부는 애노드 전극 상에 순차적으로 형성된 정공 수송층과 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함하며 상기 절연층의 높이는 정공 수송층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자.And the organic light emitting part includes a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer sequentially formed on an anode, and the height of the insulating layer is greater than the thickness of the hole transporting layer. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 절연층의 높이는 1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자.The height of the insulating layer is an active matrix organic light emitting device, characterized in that 1㎛ to 5㎛. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연층은 유기물 또는 무기물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자.The insulating layer is an active matrix organic light emitting device, characterized in that formed of any one or more of organic or inorganic. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 무기물은 실리카계 산화물 또는 질화물 중 어느 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자.The inorganic material is an active matrix organic light emitting device, characterized in that any one or more of silica-based oxide or nitride. 기판 상에 박막트랜지스터부를 패터닝하는 어레이(Array) 기판 형성단계와;An array substrate forming step of patterning a thin film transistor unit on the substrate; 상기 박막트랜지스터부의 드레인 영역과 애노드 전극을 접촉 형성하는 애노드 전극 형성단계와;An anode electrode forming step of forming a contact between an anode electrode and a drain region of the thin film transistor unit; 상기 애노드 전극 상에서 상기 박막트랜지스터부에 대응되는 위치 및 상기 애노드 전극의 상호 간 구분되는 영역을 포함하는 위치에 돌출 구조로 절연층을 형성하는 절연층 형성단계와;An insulating layer forming step of forming an insulating layer with a protruding structure at a position corresponding to the thin film transistor on the anode electrode and a region that is separated from each other of the anode electrode; 상기 애노드 전극 및 상기 절연층 상에 유기 발광부를 형성하는 유기 발광부 형성단계와;An organic light emitting part forming step of forming an organic light emitting part on the anode electrode and the insulating layer; 상기 유기 발광부 상에 캐소드 전극을 형성하는 캐소드 전극 형성단계를 포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법.And a cathode electrode forming step of forming a cathode electrode on the organic light emitting part. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 유기 발광부는 애노드 전극 상에서 순차적으로 형성된 정공 수송층과 유기 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 구조로 형성되며, 상기 절연층의 높이는 정공 수송층의 두께보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법.The organic light emitting part is formed in a structure including a hole transport layer, an organic light emitting layer and an electron transport layer sequentially formed on the anode electrode, the height of the insulating layer is characterized in that the active matrix organic light emitting device is formed larger than the thickness of the hole transport layer Manufacturing method. 제 6항 또는 제 7항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 절연층의 높이는 1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자.The height of the insulating layer is an active matrix organic light emitting device, characterized in that 1㎛ to 5㎛. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연층 형성단계에서 상기 절연층은 유기물 또는 무기물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법.In the insulating layer forming step, the insulating layer is a method of manufacturing an active matrix organic electroluminescent device, characterized in that formed of any one or more of organic or inorganic. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 무기물은 실리카계 산화물 또는 질화물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 제조방법.The inorganic material is a method of manufacturing an active matrix organic light emitting device, characterized in that formed of any one or more of silica-based oxide or nitride.
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