KR20070069846A - Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system - Google Patents

Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system Download PDF

Info

Publication number
KR20070069846A
KR20070069846A KR1020050132405A KR20050132405A KR20070069846A KR 20070069846 A KR20070069846 A KR 20070069846A KR 1020050132405 A KR1020050132405 A KR 1020050132405A KR 20050132405 A KR20050132405 A KR 20050132405A KR 20070069846 A KR20070069846 A KR 20070069846A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
polishing
polishing pad
average value
unit
Prior art date
Application number
KR1020050132405A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박성후
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050132405A priority Critical patent/KR20070069846A/en
Publication of KR20070069846A publication Critical patent/KR20070069846A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/02—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces of plane surfaces on abrasive tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Abstract

A pad conditioning apparatus for a chemical mechanical polishing system is provided to achieve improved efficiency of a polishing pad by setting the cycle of the polishing pad in accordance with characteristics of equipment. A pad conditioning apparatus for a chemical mechanical polishing system includes a pad conditioner(40), a pad state detection unit, an average value calculation unit(103), a reference value storing unit(107), and an abrasion degree determination unit(105). The pad conditioner tightly contacts a polishing pad(20), and rotates through the relative motion to the polishing pad and polishes the polishing pad. The pad state detection unit detects the distance between the pad conditioner and the polishing pad having a groove during pad conditioning performed by the pad conditioner. The average value calculation unit calculates an average value of the distance detected values of the pad state detection unit. The reference value storing unit stores a reference value for calculating a replacement cycle of the polishing pad. The abrasion degree determination unit calculates the degree of abrasion of the polishing pad in accordance with the result of the comparison between the average value calculated by the average value calculation unit and the reference value stored in the reference value storing unit, and determines a replacement cycle of the polishing pad.

Description

화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치{APPARATUS FOR PAD CONDITIONING OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}PAD CONDITIONING OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM

도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 패드 컨디셔너가 채용된 화학적 기계 연마(CMP) 시스템의 구성도,1 and 2 are schematic views of a chemical mechanical polishing (CMP) system employing a pad conditioner according to the prior art,

도 3a는 연마 패드의 평면도이고, 도 3b는 연마 패드의 부분 단면도,3A is a plan view of the polishing pad, and FIG. 3B is a partial cross-sectional view of the polishing pad,

도 4는 본 발명에 따른 패드 컨디셔닝 장치의 구성도,4 is a block diagram of a pad conditioning apparatus according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 패드 컨디셔닝 장치에서 패드 상태 감지부의 동작 원리를 보인 상태도.Figure 5 is a state diagram showing the operation principle of the pad state detection unit in the pad conditioning apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101 : 패드 상태 감지부 103 : 평균값 산출부101: pad state detection unit 103: average value calculation unit

105 : 마모도 판단부 107 : 기준값 저장부105: wear degree determination unit 107: reference value storage unit

109 : 경보부109: alarm unit

본 발명은 화학적 기계 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 연마 패드의 연마 수행 능력을 유지하기 위해 패드 컨디셔닝을 수행하는 패드 컨디셔닝 장치로서 연마 패드의 마모도에 따라 교체 주기를 판별할 수 있는 화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) system, and more particularly to a pad conditioning apparatus that performs pad conditioning to maintain polishing performance of a polishing pad. A pad conditioning apparatus of a chemical mechanical polishing system that can be discriminated.

주지와 같이, CMP는 반도체 에칭기술의 하나로 기존의 화학물질을 사용하여 불필요한 박막층을 녹여버리는 방법과는 달리 화학적 요소와 기계적인 요소를 결합한 고 효율 및 고 평탄도를 제공하는 연마방법이다.As is well known, CMP is one of semiconductor etching techniques, and unlike conventional methods for melting unnecessary thin film layers using conventional chemicals, CMP is a polishing method that provides high efficiency and high flatness by combining chemical and mechanical elements.

도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 패드 컨디셔너가 채용된 CMP 시스템의 구성도이다.1 and 2 is a block diagram of a CMP system employing a pad conditioner according to the prior art.

CMP 시스템은 웨이퍼(도시 생략됨)를 잡기 위한 캐리어(10) 및 연마 패드(20)에 부착된 정반(25)과 함께 제공된다. 웨이퍼는 캐리어(10)에 의하여 연마 패드(20)의 정상부에 대하여 압착되며, 이러한 상태에서 정반(25)(연마 패드) 및 캐리어(10)(웨이퍼)는 상대 운동으로 회전된다.The CMP system is provided with a carrier 10 for holding a wafer (not shown) and a surface 25 attached to the polishing pad 20. The wafer is pressed against the top of the polishing pad 20 by the carrier 10, and in this state, the surface plate 25 (polishing pad) and the carrier 10 (wafer) are rotated in relative motion.

슬러리와 세척수(31)는 슬러리 공급 유닛의 기능을 겸비한 세척수 공급 유닛(30)을 통하여 공급되며, 세척수로는 탈이온수(D.I Water)가 주로 사용된다.The slurry and the washing water 31 are supplied through the washing water supply unit 30 having the function of the slurry supply unit, and deionized water (D.I Water) is mainly used as the washing water.

슬러리는 세척수 공급 유닛(30)의 노즐을 통하여 연마 패드(20)의 정상부로 연속적으로 공급되어 웨이퍼의 연마 및 연마율의 정밀도를 향상시키며, 세척수는 웨이퍼 연마가 끝난 후 패드 컨디셔너(40)에 의한 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 세척수 공급 유닛(30)의 노즐을 통하여 연마 패드(20)의 중앙부로 공급되어 연마 패드(20)에 남아 있는 슬러리 잔존물을 세척한다. 도면 중 미설명 부호인 41은 다이아몬드 헤드로서, 패드 컨디셔너(40)가 소정의 연마력을 갖도록 한다.The slurry is continuously supplied to the top of the polishing pad 20 through the nozzle of the washing water supply unit 30 to improve the accuracy of polishing and polishing rate of the wafer, and the washing water is applied by the pad conditioner 40 after the polishing of the wafer is completed. When performing pad conditioning, the slurry is supplied to the center portion of the polishing pad 20 through the nozzle of the washing water supply unit 30 to wash the slurry residues remaining on the polishing pad 20. Reference numeral 41 in the figure denotes a diamond head, so that the pad conditioner 40 has a predetermined polishing force.

한편, 이러한 CMP 시스템에서 연마 패드(20)는 주요 소모품 중의 하나이다. 연마 패드(20)는 도 3a에 도시된 바와 같이 그루브(Groove)(G) 형태를 가지는데, 그 단면을 살펴보면 도 3b와 같이 그루브(G)의 깊이(D)는 0.015∼0.03 인치, 넓이(W)는 0.01∼0.03 인치, 피치(P)는 0.06∼0.12 인치로 이루어진다.On the other hand, in such a CMP system, the polishing pad 20 is one of the main consumables. The polishing pad 20 has the shape of a groove G as shown in FIG. 3A. Looking at the cross section, the depth D of the groove G is 0.015 to 0.03 inch, the width ( W) is 0.01 to 0.03 inch, and pitch P is 0.06 to 0.12 inch.

이러한 연마 패드(20)의 그루브(G)는 웨이퍼 연마량을 결정하는 매우 중요한 요소이며, 연마를 진행할 수록 그루브(G)의 깊이는 패드 컨디셔너(40)나 다이아몬드 헤드(41)와의 마찰 등에 의해 낮아지게 된다. 이는 곳 연마량(Removal Rate)의 감소를 가져오므로 연마 패드(20)는 평균적인 라이프 타임(Life Time)을 가지고 교체를 해 주게 된다.The groove G of the polishing pad 20 is a very important factor in determining the amount of wafer polishing. As the polishing proceeds, the depth of the groove G decreases due to friction with the pad conditioner 40 or the diamond head 41. You lose. This results in a reduction in the removal rate (Removal Rate), so that the polishing pad 20 is replaced with an average life time.

연마 패드(20)의 교체 주기의 설정에 있어 각각의 장비가 장비 특성에 따라 다소 큰 차이가 발생하게 되는데, 이는 패드 그루브의 상태와도 크게 연관 지을 수 있다.In the setting of the replacement period of the polishing pad 20, each device is somewhat different depending on the characteristics of the equipment, which can be significantly associated with the state of the pad groove.

예를 들어 CMP2x 장비의 경우 200 장에서 깊이(D)가 0.023 인데 반해 CMP3x 장비는 200 장에서 깊이(D)가 0.027인 경우가 발생하게 된다. 이는 여러 가지 변수, 즉 RPM, 압력, 온도, 소모품들의 재질 계수와 상당한 연관성을 가지고 있으며, 이 모든 변수에 영향을 받는 연마 패드의 상태를 점검할 수 있는 기술이 개발되어 있지 않아서 일정한 주기를 설정하고 각각의 장비에 일괄 적용하고 있다.For example, in case of CMP2x equipment, the depth (D) is 0.023 in 200 sheets, whereas in case of CMP3x equipment, the depth (D) is 0.027 in 200 sheets. This has a significant correlation with various variables, such as RPM, pressure, temperature, and material factor of consumables, and since there is no technology developed to check the condition of the polishing pad affected by all these variables, It is applied to each equipment collectively.

이로써, 연마 패드의 사용 효율이 매우 낮아 질 수 있고 장비나 현재 사용되고 있는 소재의 컨디션이 전혀 고려되지 않는 문제점이 있었다.As a result, the use efficiency of the polishing pad may be very low and there is a problem that the condition of the equipment or the material currently used is not considered at all.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안한 것으로, 연마 패드의 연마 수행 능력을 유지하기 위해 패드 컨디셔닝을 수행하는 패드 컨디셔닝 장치로서 연마 패드의 마모도에 따라 교체 주기를 판별할 수 있는 화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치를 제공함으로써, 장비 특성에 맞추어 연마 패드의 주기를 설정할 수 있고, 이에 따라 연마 패드의 효율을 극대화시킬 수 있도록 하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve such a conventional problem, and is a pad conditioning apparatus that performs pad conditioning to maintain the polishing performance of the polishing pad. The chemical mechanical polishing can determine the replacement cycle according to the wear of the polishing pad. By providing a pad conditioning apparatus of the system, it is possible to set the period of the polishing pad in accordance with the characteristics of the equipment, and thus to maximize the efficiency of the polishing pad.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 CMP 시스템의 패드 컨디셔닝 장치는, 화학적 기계 연마 시스템의 연마 패드를 연마하는 패드 컨디셔닝 공정을 수행하는 패드 컨디셔닝 장치로서, 연마 패드에 밀착되어 연마 패드와의 상대 운동으로 회전되어 연마 패드를 연마하는 패드 컨디셔너와, 패드 컨디셔너에 의한 패드 컨디셔닝 공정 중에 그루브가 형성된 연마 패드와의 거리를 감지하는 패드 상태 감지부와, 패드 상태 감지부에 의한 거리 감지값의 평균값을 산출하는 평균값 산출부와, 연마 패드의 교체 주기의 산출을 위한 기준값이 저장된 기준값 저장부와, 평균값 산출부에서 산출된 거리 감지값의 평균값과 기준값 저장부에 저장된 기준값과의 비교 결과에 의거해 연마 패드의 마모도를 산출하여 교체 주기를 판단하는 마모도 판단부를 포함한다.The pad conditioning apparatus of the CMP system according to the present invention for realizing the above object is a pad conditioning apparatus for performing a pad conditioning process for polishing a polishing pad of a chemical mechanical polishing system. A pad conditioner for rotating the polishing pad to polish the polishing pad, a pad condition detector for detecting a distance from the polishing pad having grooves formed during the pad conditioning process by the pad conditioner, and an average value of the distance detection value by the pad condition detector. Based on the result of comparison between the average value calculating unit to be calculated, the reference value storage unit for storing the reference value for calculating the replacement cycle of the polishing pad, and the average value of the distance detection value calculated in the average value calculation unit and the reference value stored in the reference value storage unit. The wear determination unit that calculates the wear rate of the pad to determine the replacement cycle is included. The.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 4는 본 발명에 따른 패드 컨디셔닝 장치의 구성도이고, 도 5는 본 발명에 따른 패드 컨디셔닝 장치에서 패드 상태 감지부의 동작 원리를 보인 상태도이다.Figure 4 is a block diagram of a pad conditioning apparatus according to the present invention, Figure 5 is a state diagram showing the operation principle of the pad state sensing unit in the pad conditioning apparatus according to the present invention.

이에 나타낸 바와 같이 본 발명의 패드 컨디셔닝 장치는, 정반(25)과 함께 회전하는 연마 패드(20) 상에 다이아몬드 헤드(41)를 밀착시켜 정반(25)과의 상대 운동으로 회전하여 연마 패드(20)를 연마하는 패드 컨디셔너(40)와, 패드 컨디셔너(40)의 일측에 설치되어 패드 컨디셔닝 공정 중에 그루브가 형성된 연마 패드(20)와의 거리를 감지하는 패드 상태 감지부(101)와, 패드 상태 감지부(101)에 의한 거리 감지값의 평균값을 산출하는 평균값 산출부(103)와, 연마 패드(20)의 교체 주기의 산출을 위한 기준값이 저장된 기준값 저장부(107)와, 평균값 산출부(103)에서 산출된 거리 감지값의 평균값과 기준값 저장부(107)에 저장된 기준값과의 비교 결과에 의거해 연마 패드(20)의 마모도를 산출하여 교체 주기를 판단하는 마모도 판단부(105)와, 마모도 판단부(105)의 제어신호에 의거하여 연마 패드(20)의 교체 주기를 외부에 경보하거나 프로세스 인터락을 설정하는 경보부(109)를 포함하여 구성된다.As shown in the drawing, the pad conditioning apparatus of the present invention adheres the diamond head 41 on the polishing pad 20 that rotates together with the surface plate 25 to rotate in a relative motion with the surface plate 25 so that the polishing pad 20 Pad conditioner (40) for polishing the pad conditioner (101) installed on one side of the pad conditioner (40) and detecting the distance between the polishing pad (20) in which the groove is formed during the pad conditioning process, An average value calculation unit 103 for calculating an average value of the distance sensed values by the unit 101, a reference value storage unit 107 for storing a reference value for calculating a replacement cycle of the polishing pad 20, and an average value calculation unit 103 A wear degree determining unit 105 for calculating a wear degree of the polishing pad 20 based on a comparison result between the average value of the distance sensed values calculated in the reference value and the reference value stored in the reference value storage unit 107, and a wear rate determining unit 105 for determining a replacement cycle, Control signal of the determination unit 105 Pursuant to the alarm unit is configured to include a unit 109 to set the process alarm or interlock the replacement cycle of the polishing pad 20 to the outside.

도면 중 미설명 참조부호 30은 패드 컨디셔닝 공정 중에 연마 패드(20)에 세척수(31)를 분사하는 세척수 공급 유닛(30)이다.In the drawings, reference numeral 30 denotes a washing water supply unit 30 that sprays the washing water 31 to the polishing pad 20 during the pad conditioning process.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 패드 컨디셔닝 장치에 의한 패드 컨디셔닝 과정을 도 4 및 도 5를 참조하여 아래에서 상세히 설명하기로 한다.The pad conditioning process by the pad conditioning apparatus according to the present invention configured as described above will be described in detail below with reference to FIGS. 4 and 5.

먼저, 패드 컨디셔너(40)는 연마 패드(20) 상에 밀착되며, 패드 컨디셔너 (40)와 정반(25)(연마 패드)은 상대 운동으로 회전된다. 이로써, 패드 컨디셔너(40)의 다이아몬드 헤드(41)가 연마 패드(20)를 연마하여 연마 패드(20)의 컨디셔닝 처리가 수행된다.First, the pad conditioner 40 is in close contact with the polishing pad 20, and the pad conditioner 40 and the surface plate 25 (polishing pad) are rotated in relative motion. In this way, the diamond head 41 of the pad conditioner 40 polishes the polishing pad 20 so that the conditioning process of the polishing pad 20 is performed.

이러한 패드 컨디셔닝 공정 중에 세척수 공급 유닛(30)은 통해 연마 패드(20) 상에 세척수(31)를 분사하며, 연마 패드(20)에 잔존하는 산화제 등의 화학액이 세척수에 의해 제거된다. 여기서 세척수로는 탈이온수(DI Water)가 이용된다.During the pad conditioning process, the washing water supply unit 30 sprays the washing water 31 on the polishing pad 20, and chemical liquids such as oxidants remaining on the polishing pad 20 are removed by the washing water. Here, deionized water (DI Water) is used as the washing water.

이러한 패드 컨디셔닝 공정 중에 패드 컨디셔너(40)의 일측에 설치된 패드 상태 감지부(101)는 그루브가 형성된 연마 패드(20)와의 거리를 감지하여 평균값 산출부(103)로 제공한다.During the pad conditioning process, the pad state detector 101 installed on one side of the pad conditioner 40 senses a distance to the polishing pad 20 having grooves and provides the average value to the calculator 103.

그러면, 평균값 산출부(103)는 패드 상태 감지부(101)에 의한 거리 감지값의 평균값을 산출하여 마모도 판단부(105)로 제공한다.Then, the average value calculation unit 103 calculates the average value of the distance detection value by the pad state detection unit 101 and provides it to the wear degree determination unit 105.

마모도 판단부(105)는 평균값 산출부(103)에서 산출된 거리 감지값의 평균값과 기준값 저장부(107)에 기 저장된 기준값과의 비교 결과에 의거해 연마 패드(20)의 마모도를 산출하여 교체 주기를 판단한다.The wear degree determining unit 105 calculates and replaces the wear level of the polishing pad 20 based on a comparison result between the average value of the distance sensed value calculated by the average value calculating unit 103 and the reference value previously stored in the reference value storing unit 107. Determine the cycle.

여기서, 마모도 판단부(105)는 교체 주기의 판단 결과, 현재 연마 패드(20)의 고체 주기가 도래한 것으로 판단되면 경보부(109)를 통해 연마 패드(20)의 교체 주기를 외부에 경보한다. 또는 패드 컨디셔닝 장치를 운용하는 제어부(도시 생략됨)로 프로세스 인터락 신호를 송출하여 패드 컨디셔닝 공정을 정지시킬 수도 있다.Here, when it is determined that the solid cycle of the polishing pad 20 has arrived as a result of determining the replacement cycle, the wear degree determining unit 105 alerts the outside of the replacement cycle of the polishing pad 20 through the alarm unit 109. Alternatively, the pad conditioning process may be stopped by sending a process interlock signal to a controller (not shown) that operates the pad conditioning apparatus.

예로서, 연마 패드(20)의 그루브(G)의 깊이(D)가 0.030 인치일 때 패드 상태 감지부(101)의 광원에 의해 발생하는 빛 에너지가 연마 패드(20)에 의해 반사되어 패드 상태 감지부(101)의 수광 소자로 받아 들여지는 시간이 10ms라고 가정하면 0.021 인치인 경우에는 17ms로 가정할 수 있다. 이를 각각 에너지 변환기(Transducer)를 통해 전압으로 변환해 주면 이는 각각 1V와 1.7V로 가정할 수 있을 것이다. 이때 이 값을 아날로그 입력으로 설정하면 1.5V 이상 입력될 때에 그루브의 마모가 심한 상태로 인식하고, 교체 주기를 경보하거나 프로세스 인터락을 설정할 수 있는 것이다.For example, when the depth D of the groove G of the polishing pad 20 is 0.030 inch, the light energy generated by the light source of the pad state detecting unit 101 is reflected by the polishing pad 20 so that the pad state Assuming that the time taken by the light receiving element of the sensing unit 101 is 10 ms, it may be assumed to be 17 ms when 0.021 inches. If this is converted into voltage through an energy transducer, respectively, it can be assumed to be 1V and 1.7V, respectively. If this value is set as an analog input, when the groove is input more than 1.5V, the groove may be recognized as a severe condition, and the replacement cycle may be alarmed or the process interlock may be set.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시 예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 당연히 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the present invention, and it is obvious that the techniques of the present invention can be easily modified and implemented by those skilled in the art. Such modified embodiments should be construed as naturally included in the technical spirit described in the claims of the present invention.

전술한 바와 같이 본 발명은 연마 패드의 마모도에 따라 교체 주기를 판별할 수 있으므로 장비 특성에 맞추어 연마 패드의 주기를 설정할 수 있고, 이에 따라 연마 패드의 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention can determine the replacement cycle according to the degree of wear of the polishing pad, so that the cycle of the polishing pad can be set according to the characteristics of the equipment, thereby maximizing the efficiency of the polishing pad.

Claims (3)

화학적 기계 연마 시스템의 연마 패드를 연마하는 패드 컨디셔닝 공정을 수행하는 패드 컨디셔닝 장치로서,A pad conditioning apparatus for performing a pad conditioning process for polishing a polishing pad of a chemical mechanical polishing system, 상기 연마 패드에 밀착되어 상기 연마 패드와의 상대 운동으로 회전되어 상기 연마 패드를 연마하는 패드 컨디셔너와,A pad conditioner adhered to the polishing pad and rotated in a relative motion with the polishing pad to polish the polishing pad; 상기 패드 컨디셔너에 의한 패드 컨디셔닝 공정 중에 그루브가 형성된 상기 연마 패드와의 거리를 감지하는 패드 상태 감지부와,A pad state sensing unit for sensing a distance from the polishing pad having grooves formed thereon during a pad conditioning process by the pad conditioner; 상기 패드 상태 감지부에 의한 거리 감지값의 평균값을 산출하는 평균값 산출부와,An average value calculator for calculating an average value of the distance sensed values by the pad state detector; 상기 연마 패드의 교체 주기의 산출을 위한 기준값이 저장된 기준값 저장부와,A reference value storage unit for storing a reference value for calculating a replacement period of the polishing pad; 상기 평균값 산출부에서 산출된 거리 감지값의 평균값과 상기 기준값 저장부에 저장된 기준값과의 비교 결과에 의거해 상기 연마 패드의 마모도를 산출하여 교체 주기를 판단하는 마모도 판단부The wear level determining unit determines a replacement cycle by calculating a wear rate of the polishing pad based on a comparison result between the average value of the distance sensed value calculated by the average value calculating unit and the reference value stored in the reference value storage unit. 를 포함하는 화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치.Pad conditioning apparatus of a chemical mechanical polishing system comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패드 컨디셔닝 장치는, 상기 마모도 판단부의 제어신호에 의거하여 상기 연마 패드의 교체 주기를 외부에 경보하는 경보부The pad conditioning apparatus is configured to alert the outside of a replacement cycle of the polishing pad based on a control signal of the wear determining unit. 를 더 포함하는 화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치.Pad conditioning apparatus of a chemical mechanical polishing system further comprising. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패드 컨디셔닝 장치는, 상기 마모도 판단부의 제어신호에 의거하여 프로세스 인터락을 설정하는 경보부The pad conditioning apparatus may include an alarm unit configured to set a process interlock based on a control signal of the wear level determining unit. 를 더 포함하는 화학적 기계 연마 시스템의 패드 컨디셔닝 장치.Pad conditioning apparatus of a chemical mechanical polishing system further comprising.
KR1020050132405A 2005-12-28 2005-12-28 Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system KR20070069846A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132405A KR20070069846A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132405A KR20070069846A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070069846A true KR20070069846A (en) 2007-07-03

Family

ID=38505414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050132405A KR20070069846A (en) 2005-12-28 2005-12-28 Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070069846A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100879761B1 (en) * 2007-07-12 2009-01-21 주식회사 실트론 Apparatus for chemical mechanical polishing and method of dressing using the same
CN108422321A (en) * 2018-04-28 2018-08-21 睿力集成电路有限公司 The polishing pad image detecting system and method for chemical mechanical grinding
KR20190092180A (en) * 2018-01-30 2019-08-07 주식회사 케이씨텍 Substrate processing apparatus
US20200070307A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization system and a method of using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100879761B1 (en) * 2007-07-12 2009-01-21 주식회사 실트론 Apparatus for chemical mechanical polishing and method of dressing using the same
KR20190092180A (en) * 2018-01-30 2019-08-07 주식회사 케이씨텍 Substrate processing apparatus
CN108422321A (en) * 2018-04-28 2018-08-21 睿力集成电路有限公司 The polishing pad image detecting system and method for chemical mechanical grinding
CN108422321B (en) * 2018-04-28 2023-12-01 长鑫存储技术有限公司 Polishing pad image detection system and method for chemical mechanical polishing
US20200070307A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization system and a method of using the same
US11806833B2 (en) * 2018-08-31 2023-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization system and a method of using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6383058B1 (en) Adaptive endpoint detection for chemical mechanical polishing
JP5025848B2 (en) Polishing end point detection method and apparatus using optical monitoring
US7235000B2 (en) Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US20040192168A1 (en) Arrangement and method for conditioning a polishing pad
JP5110754B2 (en) End point monitoring by changing polishing rate
US7220163B2 (en) Method and apparatus for measuring abrasion amount and pad friction force of polishing pad using thickness change of slurry film
US9144878B2 (en) Polishing apparatus and wear detection method
US7024268B1 (en) Feedback controlled polishing processes
WO2000026613A1 (en) Optical monitoring of radial ranges in chemical mechanical polishing a metal layer on a substrate
US20020077037A1 (en) Fixed abrasive articles
KR102414470B1 (en) Predictive filter for monitoring polishing pad wear rates
US20080003923A1 (en) Polishing pad with window having multiple portions
JP2012056029A (en) Polishing apparatus
US20030087586A1 (en) Chemical mechanical polishing endpoinat detection
US20050048875A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus
JP7287977B2 (en) Pad conditioner cut speed monitoring
KR20070069846A (en) Apparatus for pad conditioning of chemical mechanical polishing system
US20230381918A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method
KR101327146B1 (en) Method of recognizing the demage of consumables in chemical mechanical polishing apparatus
JP2008068338A (en) Polisher, polishing method and manufacturing method of semiconductor device
US6939202B2 (en) Substrate retainer wear detection method and apparatus
KR20230078720A (en) Polishing device and method for determining replacement timing of polishing pad
US6796879B2 (en) Dual wafer-loss sensor and water-resistant sensor holder
US20160218001A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US20230166380A1 (en) Endpoint window with controlled texture surface

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application