KR20070068781A - Method for manufacturing lcd - Google Patents

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KR20070068781A
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최병국
임병호
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

A method for manufacturing an LCD(Liquid Crystal Display) is provided to prevent particles from entering chambers and reduce a substrate conveying time when a substrate is conveyed from a chamber to another chamber by performing an exposure and development process and a dry etching process in the same chamber. A substrate coated with photoresist is exposed in a first chamber and the exposed substrate is developed in the first chamber in such a manner that a developer is sprayed to the exposed substrate, by an exposure and developing process apparatus(400). The developed substrate is dry-etched through a dry etching process apparatus(500) by using atmospheric plasma in the first chamber.

Description

액정표시소자의 제조 방법{Method for manufacturing LCD}Manufacturing method of liquid crystal display device {Method for manufacturing LCD}

도 1은 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing an active matrix type liquid crystal display device.

도 2는 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.2 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a conventional liquid crystal display device.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.3 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 사용되는 노광 및 현상 공정장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an exposure and development process apparatus used in the present invention.

도 5는 본 발명에 사용되는 상압 프라즈마 건식에칭 공정장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an atmospheric pressure plasma dry etching process apparatus used in the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 400: 노광 및 현상 공정장치 200: 자동반송장치100, 400: exposure and development process device 200: automatic transfer device

300, 500: 건식에칭 공정장치 410: 유리 기판300, 500: dry etching process apparatus 410: glass substrate

420: 마스크 430: 홀더420: mask 430: holder

440: 광학계440: optical system

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 노광 및 현상 공정과 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a manufacturing method of a liquid crystal display device capable of performing an exposure and development process and a dry etching process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber.

최근의 정보화 사회에서 표시소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. 현재 주류를 이루고 있는 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있다. In today's information society, display elements are more important than ever as visual information transfer media. Cathode ray tubes or cathode ray tubes, which are currently mainstream, have problems with weight and volume.

평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.The flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence (EL). Most are commercially available and commercially available.

액정표시소자는 전자제품의 경박단소 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관을 빠른 속도로 대체하고 있다. Liquid crystal display devices can meet the trend of light and short and short of electronic products and mass production is improving, and are rapidly replacing cathode ray tubes in many applications.

특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다. In particular, an active matrix type liquid crystal display device that drives a liquid crystal cell using a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") has the advantages of excellent image quality and low power consumption, and secures the latest mass production technology. As a result of research and development, it is rapidly developing into larger size and higher resolution.

이러한 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 도 1과 같이 액정층(15)을 사이에 두고 합착되는 컬러필터 기판(22)과 TFT 어레이 기판(23)을 구비한다. 도 1에 도시된 액정표시소자는 전체 유효화면의 일부를 나타낸 것이다. The active matrix type liquid crystal display device includes a color filter substrate 22 and a TFT array substrate 23 bonded together with the liquid crystal layer 15 interposed therebetween as shown in FIG. 1. The liquid crystal display shown in FIG. 1 shows a part of the entire effective screen.

컬러필터 기판(22)에는 상부 유리기판(12)의 배면 상에 도시하지 않은 블랙 매트릭스, 컬러필터(13)와 공통전극(14)이 형성된다. 상부 유리기판(12)의 전면 상에는 편광판(11)이 부착된다. 컬러필터(13)는 적(R), 녹(G) 및 청(B) 색의 컬러필터를 포함하여 특정 파장대역의 가시광을 투과시킴으로써 컬러표시를 가능하게 한다. In the color filter substrate 22, a black matrix, a color filter 13, and a common electrode 14, which are not shown, are formed on the rear surface of the upper glass substrate 12. The polarizing plate 11 is attached on the front surface of the upper glass substrate 12. The color filter 13 includes color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors to allow color display by transmitting visible light in a specific wavelength band.

TFT 어레이 기판(23)에는 하부 유리기판(16)의 전면에 데이터라인들(19)과 게이트라인들(18)이 상호 교차되며, 그 교차부에 TFT들(20)이 형성된다. 그리고 하부 유리기판(16)의 전면에는 데이터라인(19)과 게이트라인(18) 사이의 셀 영역에 화소전극(21)이 형성된다. TFT(20)는 게이트라인(18)으로부터의 스캐닝신호에 응답하여 데이터라인(19)과 화소전극(21) 사이의 데이터 전송패스를 절환함으로써 화소전극(21)을 구동하게 된다. TFT 어레이 기판(23)의 배면에는 편광판(17)이 부착된다. In the TFT array substrate 23, the data lines 19 and the gate lines 18 cross each other on the front surface of the lower glass substrate 16, and TFTs 20 are formed at the intersections thereof. In addition, a pixel electrode 21 is formed in a cell region between the data line 19 and the gate line 18 on the front surface of the lower glass substrate 16. The TFT 20 drives the pixel electrode 21 by switching the data transfer path between the data line 19 and the pixel electrode 21 in response to the scanning signal from the gate line 18. The polarizing plate 17 is attached to the rear surface of the TFT array substrate 23.

액정층(15)은 자신에게 인가된 전계에 의해 TFT 어레이 기판(23)을 경유하여 입사되는 빛의 투과량을 조절한다. The liquid crystal layer 15 adjusts the amount of light transmitted through the TFT array substrate 23 by the electric field applied thereto.

컬러필터 기판(22)과 TFT 기판(23) 상에 부착된 편광판들(11,17)은 어느 한 방향으로 편광된 빛을 투과시키게 되며, 액정(15)이 90°TN 모드일 때 그들의 편광방향은 서로 직교하게 된다. The polarizers 11 and 17 attached to the color filter substrate 22 and the TFT substrate 23 transmit light polarized in either direction, and their polarization directions when the liquid crystal 15 is in the 90 ° TN mode. Are orthogonal to each other.

컬러필터 기판(22)과 어레이 TFT 기판(23)의 액정 대향면들에는 도시하지 않은 배향막이 형성된다. An alignment film (not shown) is formed on the liquid crystal facing surfaces of the color filter substrate 22 and the array TFT substrate 23.

액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자를 제조하기 위한 제조공정은 기판 세 정, 기판 패터닝 공정, 배향막형성/러빙 공정, 기판합착/액정주입 공정, 실장 공정, 검사 공정, 리페어(Repair) 공정 등으로 나뉘어진다. 기판세정 공정은 액정표시소자의 기판 표면에 오염된 이물질을 세정액으로 제거한다. 기판 패터닝 공정은 컬러필터 기판의 패터닝 공정과 TFT 어레이 기판의 패터닝 공정으로 나뉘어 실시된다. 배향막형성/러빙 공정은 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판 각각에 배향막을 도포하고 그 배향막을 러빙포 등으로 러빙하게 된다. 기판합착/액정주입 공정은 실재(Sealant)를 이용하여 컬러필터 기판과 TFT 어레이기판을 합착하고 액정주입구를 통하여 액정과 스페이서를 주입한 다음, 그 액정주입구를 봉지한다. 실장공정은 게이트 드라이브 집적회로 및 데이터 드라이브 집적회로 등의 집적회로가 실장된 테이프 케리어 패키지(Tape Carrier Package : 이하, "TCP"라 한다)를 기판 상의 패드부에 접속시키게 된다. 이러한 드라이브 집적회로는 전술한 TCP를 이용한 테이프 오토메이티드 본딩(Tape Automated Bonding) 방식 이외에 칩 온 글라스(Chip On Glass, COG) 방식 등으로 기판 상에 직접 실장될 수도 있다. 검사 공정은 TFT 어레이 기판에 데이터라인과 게이트라인 등의 신호배선과 화소전극이 형성된 후에 실시되는 전기적 검사와 기판합착/액정주입 공정 후에 실시되는 전기적검사 및 육안검사를 포함한다. 리페어 공정은 검사 공정에 의해 리페어가 가능한 것으로 판정된 기판에 대한 복원을 실시한다. 검사 공정에서 리페어가 불가능한 기판들은 폐기처분된다. The manufacturing process for manufacturing the active matrix type liquid crystal display device is divided into substrate cleaning, substrate patterning process, alignment film formation / rubbing process, substrate bonding / liquid crystal injection process, mounting process, inspection process, repair process, etc. . The substrate cleaning process removes foreign substances contaminated on the surface of the substrate of the liquid crystal display with a cleaning liquid. The substrate patterning process is divided into a patterning process of a color filter substrate and a patterning process of a TFT array substrate. In the alignment film formation / rubbing process, an alignment film is applied to each of the color filter substrate and the TFT array substrate, and the alignment film is rubbed with a rubbing cloth or the like. In the substrate bonding / liquid crystal injection process, a color filter substrate and a TFT array substrate are bonded together using a sealant, a liquid crystal and a spacer are injected through the liquid crystal injection hole, and then the liquid crystal injection hole is sealed. In the mounting process, a tape carrier package (hereinafter referred to as "TCP") in which integrated circuits such as a gate drive integrated circuit and a data drive integrated circuit are mounted is connected to a pad portion on a substrate. Such a drive integrated circuit may be directly mounted on a substrate by a chip on glass (COG) method in addition to the tape automated bonding method using the aforementioned TCP. The inspection process includes an electrical inspection performed after signal wiring such as data lines and gate lines and pixel electrodes are formed on the TFT array substrate, and an electrical inspection and a visual inspection performed after the substrate bonding / liquid crystal injection process. The repair process restores the substrate that is determined to be repairable by the inspection process. Non-repairable substrates are discarded in the inspection process.

상기한 바와 같은 액정표시소자를 포함한 대부분의 평판 표시소자를 제조함에 있어, 기판 상에 적층되는 박막 물질은 포토리소그래피(Photorithography) 공정 으로 패터닝되는데, 이러한 포토리소그래피 공정은 일반적으로 포토레지스트(Photoresist)의 도포, 마스크 정렬, 노광, 현상 및 세정을 포함하는 일련의 사진공정이다.In manufacturing most flat panel display devices including the liquid crystal display device as described above, the thin film material deposited on the substrate is patterned by a photolithography process, which is generally performed by photoresist. A series of photographic processes including application, mask alignment, exposure, development and cleaning.

이러한 노광 및 현상 공정이 수행된 후 진공 프라즈마를 이용한 건식에칭(Dry Etching) 공정이 수행되는데, 여기서 노광 및 현상 공정은 하나의 챔버 내에서 수행되는 반면에 건식에칭 공정은 다른 챔버에서 진공 프라즈마에 의해 수행된다.After the exposure and development processes are performed, dry etching using a vacuum plasma is performed, where the exposure and development processes are performed in one chamber, while the dry etching process is performed by vacuum plasma in another chamber. Is performed.

도 2를 참조하여 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 살펴보면, 하나의 챔버 내에 구비되는 포토리소그라피 공정장치(100)를 이용하여 노광 및 현상 공정을 수행한 후, 자동반송장치(AGV : Auto Guided Vehicle)(200)를 이용하여 노광 및 현상된 기판을 다른 챔버에 구비된 건식에칭 공정장치(300)로 이송시켜 진공 프라즈마에 의한 건식에칭 공정을 수행한다.Referring to FIG. 2, a method of manufacturing a conventional liquid crystal display device is described. After performing an exposure and development process using a photolithography processing apparatus 100 provided in one chamber, an automatic transport apparatus (AGV: Auto Guided Vehicle) The substrate 200 which is exposed and developed by using the 200 is transferred to a dry etching process apparatus 300 provided in another chamber to perform a dry etching process by vacuum plasma.

이와 같이 종래의 액정표시소자의 제조 방법을 통해 기판을 노광 및 건식에칭하는 경우, 자동반송장치(200)에 의해 기판이 하나의 챔버로부터 다른 챔버로 반송되는 과정에서 이물질이 혼입되는 문제점이 있었다.As described above, when the substrate is exposed and dry-etched through the conventional method of manufacturing the liquid crystal display device, there is a problem in that foreign matter is mixed in the process of transferring the substrate from one chamber to the other chamber by the automatic transfer device 200.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 노광 및 현상 공정과 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정을 동일 챔버 내에서 수행할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device that can perform the dry etching process using the exposure and development process and the atmospheric pressure plasma in the same chamber. There is.

본 발명의 목적은 노광 및 현상 공정과 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정을 동일 챔버 내에서 수행함으로써, 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing foreign substances from being mixed while transferring a substrate from one chamber to another chamber by performing an exposure and development process and a dry etching process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber. It is to provide a manufacturing method.

본 발명의 목적은 노광 및 현상 공정과 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정을 동일 챔버 내에서 수행함으로써, 반송시간을 절감할 수 있는 액정표시소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which can reduce a transportation time by performing an exposure and development process and a dry etching process using an atmospheric pressure plasma in the same chamber.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제 1 챔버 내에서, 포토레지스트에 의해 코팅된 기판을 노광하는 제 1 단계; 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 노광된 기판을 현상하는 제 2 단계; 및 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 현상된 기판을 상압 프라즈마를 이용하여 건식에칭하는 제 3 단계를 포함한다.The present invention for achieving the above object, in the first chamber, a first step of exposing a substrate coated with a photoresist; In the first chamber, a second step of developing the exposed substrate; And a third step of dry etching the developed substrate using an atmospheric pressure plasma in the first chamber.

본 발명은 상기 제 1 단계에서 상기 코팅된 기판과 대향되도록 마스크를 배치한 후, 상기 마스크와 대향되도록 배치된 광학계을 이용하여 광을 조사하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that in the first step after placing the mask to face the coated substrate, the light is irradiated using an optical system disposed to face the mask.

본 발명은 상기 제 2 단계에서 디벨러퍼를 이용하여 현상액을 상기 노광된 기판 상에 분사시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the developer is sprayed onto the exposed substrate using the developer in the second step.

본 발명은 상기 제 3 단계에서 상기 현상된 기판의 노출 영역에 상압 프라즈마를 가격하여 노출 영역을 제거하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that in the third step, the atmospheric pressure plasma is applied to the exposed area of the developed substrate to remove the exposed area.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조 방법을 설명하기 위한 예시도이다.3 is an exemplary view for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에서는, 상압에서 공정이 수행되는 하나의 챔버 내에 노광 및 현상 공정장치(400)와 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정장치(500)를 설치하며, 그리고 상기 챔버 내에는 노광 및 현상 공정장치(400)에 의해 노광 및 현상된 기판을 건식에칭 공정장치(500)로 이송하기 위한 이송장치(600)가 구비된다.Referring to FIG. 3, in the present invention, an exposure and development process apparatus 400 and a dry etching process apparatus 500 using an atmospheric pressure plasma are installed in one chamber in which the process is performed at atmospheric pressure, and the chamber is exposed to light. And a transfer apparatus 600 for transferring the substrate exposed and developed by the developing process apparatus 400 to the dry etching process apparatus 500.

노광 및 현상 공정장치(400)는 포토레지스트에 의해 코팅된 기판을 광과 마스크를 이용하여 노광시킨 후 디벨러퍼(Developer)를 이용하여 노광된 기판을 현상하는 것으로, 이에 관한 보다 구체적인 설명은 다음에 첨부된 도 4를 참조하여 설명한다.The exposure and development process apparatus 400 exposes a substrate coated with a photoresist using light and a mask, and then develops the exposed substrate using a developer. This will be described with reference to FIG. 4.

상압 프라즈마 건식에칭 공정장치(500)는 노광 및 현상된 기판의 노출된 영역에 상압 프라즈마를 가격하여 노출 영역을 제거하는 것으로, 이에 관한 상세 설명은 다음에 첨부된 도 5를 참조하여 설명한다. 즉, 플라즈마 처리를 하는 챔버 내의 두 전극 중 일측 전극을 절연 특성이 좋은 유전체 물질로 절연한 후, 타측에 무선주파수(RF : Radio Frequency)를 인가하면 대기압 상태에서도 상기 두 전극 사이에 사일런트(silent) 방전이 일어나고, 캐리어 가스(Carrier gas)로 준안정 상태(meta-stable state)인 불활성 기체(inert gas), 예를 들어 He, Ar를 이용하면 대 기압 중에서도 균일하고 안정된 상태의 플라즈마를 얻을 수 있다.The atmospheric plasma dry etching process apparatus 500 removes the exposed region by hitting the atmospheric plasma on the exposed region of the exposed and developed substrate, which will be described in detail with reference to FIG. 5. That is, if one of the two electrodes in the plasma processing chamber is insulated with a dielectric material having good insulating properties, and then a radio frequency (RF) is applied to the other side, a silence between the two electrodes even at atmospheric pressure Discharge occurs, and using an inert gas such as He and Ar, which is a meta-stable state as a carrier gas, for example, He and Ar, it is possible to obtain a uniform and stable plasma even at atmospheric pressure. .

이와 같이 본 발명에서는 노광 및 현상 공정장치(400)와 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정장치(500)를 하나의 챔버 내에 설치하고, 동일 챔버 내에서 기판을 노광 및 현상한 후 상압 프라즈마를 이용하여 건식에칭함으로써, 자동반송장치(200)에 의한 반송 과정을 생략한다. 이에 따라, 본 발명은 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 반송시간을 절감할 수 있다.As described above, in the present invention, the exposure and development process apparatus 400 and the dry etching process apparatus 500 using the atmospheric pressure plasma are installed in one chamber, and the substrate is exposed and developed in the same chamber and then dried using the atmospheric pressure plasma. By etching, the conveyance process by the automatic conveyance apparatus 200 is abbreviate | omitted. Accordingly, the present invention can prevent the foreign matter from being mixed during the transfer of the substrate from one chamber to the other chamber and can also reduce the transportation time.

도 4는 본 발명에 사용되는 노광 및 현상 공정장치의 단면도로서, 현상에 이용되는 디벨러퍼는 생략되고 노광 공정장치의 단면만을 나타낸 것이다.4 is a cross-sectional view of an exposure and development process apparatus used in the present invention, in which a developer is omitted and only a cross section of the exposure process apparatus is shown.

도 4를 참조하면, 노광 공정장치(400)는, 포토레지스트에 의해 코팅된 유리 기판(410)과, 노광을 위해 유리 기판(410)에 대향되어 배치되는 마스크(420)와, 유리 기판(410)에 대향되도록 마스크(420)를 고정시켜 주기 위한 홀더(430)와, 유리 기판(410)을 노광시키기 위해 마스크(420)에 자외선을 조사하기 위한 광학계(440)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the exposure process apparatus 400 includes a glass substrate 410 coated with a photoresist, a mask 420 disposed to face the glass substrate 410 for exposure, and a glass substrate 410. A holder 430 for fixing the mask 420 so as to be opposite to the mask), and an optical system 440 for irradiating ultraviolet rays to the mask 420 to expose the glass substrate 410.

유리 기판(410)은 포토레지스트에 의해 코팅되되, 우선적으로 진공척(미도시)에 의해 고정되어 포토레지스트가 도포된 다음 모터(미도시)의 회전력에 의해 회전되어 도포된 포토레지스트가 코팅된다. 이렇게 유리 기판(410)이 포토레지스트에 의해 코팅되고 나면 노광을 위해 마스크(420)의 하부에 대향되게 배치된다.The glass substrate 410 is coated by a photoresist, which is first fixed by a vacuum chuck (not shown) to apply the photoresist, and then rotated by the rotational force of the motor (not shown) to coat the applied photoresist. After the glass substrate 410 is coated by the photoresist, the glass substrate 410 is disposed to face the lower portion of the mask 420 for exposure.

마스크(420)는 광학계(440)로부터 조사되는 자외선을 투과시키는 투과부분 및 자외선의 투과를 차단하는 비투과부분으로 이루어지며, 투과부분을 통해 투과된 자외선에 의해 코팅된 유리 기판(410)이 노광되도록 하기 위해 유리 기판(410)의 상부에 대향되어 배치된다.The mask 420 is composed of a transmission portion for transmitting ultraviolet rays emitted from the optical system 440 and a non-transmission portion for blocking the transmission of ultraviolet rays, so that the glass substrate 410 coated by the ultraviolet rays transmitted through the transmission portions is exposed. In order to face the upper portion of the glass substrate 410 is disposed.

홀더(430)는 유리 기판(410)의 상부에 대향되게 배치된 마스크(420)를 고정시켜 주는 기능을 한다.The holder 430 serves to fix the mask 420 disposed to face the upper portion of the glass substrate 410.

광학계(440)는, 자외선을 발생하는 램프(441)와, 램프(441)로부터 발생되는 자외선을 마스크(420)에 조사하여 주는 렌즈(442)를 구비하고, 또한 미러(미도시)를 구비한다. 즉, 램프(441)로부터 발생되는 자외선은 렌즈(442)를 통해 마스크(420) 상으로 조사되되, 마스크(420)의 투과부분을 통해 코팅된 유리 기판(410)으로 조사되어 노광이 이루어지도록 한다.The optical system 440 includes a lamp 441 for generating ultraviolet rays, a lens 442 for irradiating the mask 420 with ultraviolet rays generated from the lamp 441, and a mirror (not shown). . That is, ultraviolet rays generated from the lamp 441 are irradiated onto the mask 420 through the lens 442, and is irradiated onto the coated glass substrate 410 through the transmissive portion of the mask 420 to perform exposure. .

도 5는 본 발명에 사용되는 상압 프라즈마 건식에칭 공정장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an atmospheric pressure plasma dry etching process apparatus used in the present invention.

도 5를 참조하면, 상압 프라즈마 건식에칭 공정장치(500)는, 가스 유입 개구부(511)와 가스 유출 개구부(512, 513)를 구비한 챔버(510)와, 챔버(510) 내에 배치되어 기판(520)이 장착되는 스테이지(530)와, 스테이지(530) 표면 및 스테이지(153)로부터 일정간격 이격되어 서로 대향되도록 형성되는 제 1 및 제 2 플레이트(540, 550)와, 챔버(510) 외부에 설치되어 제 2 플레이트(550)에 무선주파수(RF)를 발생시켜 인가하는 RF 파워 소오스(560)와, 챔버(510)의 가스 유입 개구부(511)를 통해 반응 가스 또는 분위기 가스를 공급하는 가스 공급부(570)와, 가스 공급부(570)에서 챔버(510)로 공급되는 반응 가스 또는 분위기 가스를 필터링하는 필터(580)를 구비하여 구성된다. 여기서, 제 1 플레이트(540)는 접지되고, 제 1 및 제 2 플레이트(540, 550)의 표면은 절연체(미도시)에 의해 보호되어 있다.Referring to FIG. 5, the atmospheric pressure plasma dry etching process apparatus 500 includes a chamber 510 having a gas inflow opening 511 and gas outflow openings 512 and 513, and a substrate disposed in the chamber 510. The stage 530 on which the 520 is mounted, the first and second plates 540 and 550 formed to face each other at a predetermined distance from the surface of the stage 530 and the stage 153, and the outside of the chamber 510. An RF power source 560 installed to generate and apply a radio frequency (RF) to the second plate 550, and a gas supply unit supplying a reactive gas or an atmosphere gas through the gas inlet opening 511 of the chamber 510. 570 and a filter 580 for filtering the reaction gas or the atmosphere gas supplied from the gas supply unit 570 to the chamber 510. Here, the first plate 540 is grounded, and the surfaces of the first and second plates 540 and 550 are protected by an insulator (not shown).

제 1 플레이트(540) 위에 기판(520)을 위치시키고, 가스 공급부(570)로부터 필터(580)를 통해 챔버(510)에 가스를 공급함과 동시에 제 2 플레이트(550)에 무선주파수(RF)를 인가하면, 제 1 및 제 2 플레이트(540, 550) 사이의 공급 가스는 플라즈마 상태가 된다.The substrate 520 is positioned on the first plate 540, and the gas is supplied from the gas supply unit 570 to the chamber 510 through the filter 580 while simultaneously applying a radio frequency RF to the second plate 550. When applied, the supply gas between the first and second plates 540, 550 is in a plasma state.

이때, 가스 공급부(570)로부터 공급되는 반응 가스 또는 분위기 가스의 성분과 제 2 플레이트(550)에 인가되는 무선주파수(RF) 파워의 세기 및 파형에 따라 기판(520) 상에 임의의 물질이 증착되거나 기판(520) 상에 형성된 물질이 건식에칭된다.At this time, any material is deposited on the substrate 520 according to the components of the reactive gas or the atmosphere gas supplied from the gas supply unit 570 and the intensity and waveform of the RF power applied to the second plate 550. Or material formed on the substrate 520 is dry etched.

여기서, 가스 유출 개구부(512, 513)는 기판(520) 상의 플라즈마 표면 처리 이후 남은 가스들의 배출구이다.Here, the gas outlet openings 512 and 513 are outlets of the gases remaining after the plasma surface treatment on the substrate 520.

이러한 상압 플라즈마 건식에칭 공정장치(500)는 무선주파수(RF) 파워 인가시 전계(Electric field)에 의해 가속된 이온의 분사물(bombardment)도 이용하므로 강한 세정력을 가지며, 유기물의 세정 및 배향막 등도 가능하다. 이 경우, 세정 유지는 7일 이상까지 가능하다. 또한, 강한 무선주파수(RF) 파워가 인가되기 때문에, 진공 방식과 동일하게 챔버(510)의 가스 유출 개구부(512, 513)를 통해 부산물(By-Product)이 배기되므로, 기판(520)에 파티클(particle)이 발생하거나 기판(520)이 오염되는 현상이 없다.The atmospheric plasma dry etching process apparatus 500 also has strong cleaning power because it uses a bombardment of ions accelerated by an electric field when RF power is applied, and it is also possible to clean organic materials and align films. Do. In this case, cleaning and maintenance can be carried out up to 7 days or more. In addition, since a strong radio frequency (RF) power is applied, by-products are exhausted through the gas outlet openings 512 and 513 of the chamber 510 in the same manner as in the vacuum method, so that particles are formed on the substrate 520. Particles do not occur or the substrate 520 is not contaminated.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 하나의 챔버 내에서 노광 및 현상 공 정을 수행한 후 상압 프라즈마를 이용한 건식에칭 공정을 수행함으로써, 하나의 챔버에서 다른 챔버로 기판을 반송하는 중에 이물질이 혼입되는 것을 방지함과 아울러 반송시간을 절감할 수 있다.As described above, the present invention performs a dry etching process using atmospheric pressure plasma after performing exposure and development processes in one chamber, whereby foreign matter is mixed during transport of the substrate from one chamber to another chamber. It is possible to reduce the conveyance time as well as to prevent it.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

Claims (4)

제 1 챔버 내에서, 포토레지스트에 의해 코팅된 기판을 노광하는 제 1 단계;In a first chamber, a first step of exposing a substrate coated with a photoresist; 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 노광된 기판을 현상하는 제 2 단계; 및In the first chamber, a second step of developing the exposed substrate; And 상기 제 1 챔버 내에서, 상기 현상된 기판을 상압 프라즈마를 이용하여 건식에칭하는 제 3 단계A third step of dry etching the developed substrate using an atmospheric pressure plasma in the first chamber; 를 포함하는 액정표시소자의 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 단계에서, 상기 코팅된 기판과 대향되도록 마스크를 배치한 후, 상기 마스크와 대향되도록 배치된 광학계을 이용하여 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조 방법.The method of claim 1, wherein after disposing the mask to face the coated substrate, light is irradiated using an optical system disposed to face the mask. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 단계에서, 디벨러퍼를 이용하여 현상액을 상기 노광된 기판 상에 분사시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조 방법.In the second step, the developer is sprayed on the exposed substrate using a developer. 제 1 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제 3 단계에서, 상기 현상된 기판의 노출 영역에 상압 프라즈마를 가격하여 노출 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조 방법.The method of claim 3, wherein the exposure region is removed by applying an atmospheric pressure plasma to the exposed region of the developed substrate.
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