KR20070059517A - Electron emission device and electron emission display device using thereof and driving method the same - Google Patents

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Abstract

An electron emission device and an electron emission display device using the same, and a driving method thereof are provided to suppress abnormal emission by maintaining a constant temperature difference between upper and lower substrates. A first substrate(10) includes a cathode electrode(11), an insulating layer(12), and an electron emission region(14). A second substrate(16) includes a pixel, which includes plural phosphors(18). A spacer(15) is formed between the first and second substrates to maintain a predetermined distance. First and second temperature sensors contact with the first and second substrates, respectively. A comparator, which is connected to the first and second temperature sensors, compares the temperature of the first and second substrates. A heater heats the second substrate according to the compared result from the comparator.

Description

전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자 방출 표시 장치, 그리고 그 구동 방법{Electron emission device and electron emission display device using thereof and driving method the same}Electron emission device and electron emission display device using same, and driving method thereof {Electron emission device and electron emission display device using pretty and driving method the same}

도 1은 종래 전자 방출표시소자를 나타낸 도이다. 1 is a view showing a conventional electron emission display device.

도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 일례를 나타낸 도이다. 2 is a view showing an example of an electron emitting device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 일례를 나타낸 도이다. 3 is a view showing an example of an electron emission display device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 제조 방법을 나타낸 도이다. 4 is a view showing a method of manufacturing an electron emission display device according to the present invention.

*** 도면의 주요 부호에 대한 설명 ***** Description of the main symbols in the drawing **

100,200: 제 1 기판 110,207: 제 2 온도센서100,200: first substrate 110,207: second temperature sensor

106,201: 제 2 기판 111,208: 비교부106,201: second substrate 111,208: comparison unit

109,206: 제 1 온도센서 112,209: 가열부 109,206: first temperature sensor 112,209: heating part

106a,201a: 열선106a, 201a: heating wire

본 발명은 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자 방출 표시 장치, 그리고 그 구동 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 상부 기판을 가열하여, 상부 기판과 하부 기판 간의 온도를 일정하게 유지하기 위한 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자 방출 표시 장치, 그리고 그 구동 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electron emission device, an electron emission display device using the same, and a driving method thereof, and more particularly, an electron emission device for heating a top substrate to maintain a constant temperature between the top substrate and the bottom substrate; An electron emission display device using the same, and a driving method thereof.

최근 액정 표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP), 전계 발광 표시장치(Electro luminescent Display; ELD), 전자 방출 표시장치(Electron Emission Display; EED) 등의 평판 디스플레이가 활발히 연구 개발되고 있다. 이 중에서 전자 방출 표시장치는, 전자 방출소자를 구비하여 전자를 방출하는 전자방출 영역과 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 발광시키기 위한 화상표현 영역을 구비하여 구성된다. 특히, 탄소나노튜브를 이용하는 전자 방출 표시장치는 고화질, 고해상도, 광시야각 등의 우수한 화상 특성을 갖는 음극선관(Cathode Ray Tube, CRT)과 경량, 박형, 저소비전력 등을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 장점만을 결합한 이상적인 표시 장치이다. 일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.Recently, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an electroluminescent display (ELD), an electron emission display (EED), or the like. Is actively being researched and developed. Among these, the electron emission display device includes an electron emission region for emitting electrons having an electron emission element, and an image expression region for emitting light by colliding the emitted electrons with a fluorescent layer. In particular, an electron emission display device using carbon nanotubes has advantages of a cathode ray tube (CRT) having excellent image characteristics such as high definition, high resolution, and wide viewing angle, and a flat panel display characterized by light weight, thinness, and low power consumption. It is an ideal display device that combines bays. In general, an electron emission device has a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source. The electron-emitting devices using the cold cathode are FEA (Field Emitter Array) type, SCE (Surface Conduction Emitter) type, MIM (Metal-Insulator-Metal) type, MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) type, BSE (Ballistic) electron surface emitting) and the like are known.

FEA 형 전자 방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용하여 진공 중에서 전계차에 의하여 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질 또는 나노물질을 전자 방출원을 적용한 소자가 개발되고 있다.The FEA type electron emitting device uses a low work function or high β function as an electron emission source, and uses electrons to emit electrons by electric field in vacuum. In addition, devices using electron emission sources for nanomaterials have been developed.

SCE 형 전자 방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 전극에 전압을 인가하여 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.The SCE type electron emission device is a device in which an electron emission part is formed by providing a conductive thin film between two electrodes disposed to face each other on a substrate and providing a micro crack in the conductive thin film. The device utilizes a principle that electrons are emitted from the electron emission portion, which is the fine gap, by applying a voltage to an electrode to flow a current to the surface of the conductive thin film.

MIM 형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.The MIM and MIS electron-emitting devices each form an electron emission portion formed of a metal-dielectric layer-metal (MIM) and metal-dielectric layer-semiconductor (MIS) structure, and are disposed between two metals or metals and semiconductors having a dielectric layer therebetween. When a voltage is applied to the device, a device using the principle of emitting electrons while moving and accelerating from a metal having a high electron potential or a metal having a low electron potential toward the metal.

BSE 형 전자 방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.The BSE type electron emitting device forms an electron supply layer made of a metal or a semiconductor on an ohmic electrode by using the principle that electrons travel without scattering when the size of the semiconductor is reduced to a dimension area smaller than the average free stroke of electrons in the semiconductor. And an insulating layer and a metal thin film formed on the electron supply layer to emit electrons by applying power to the ohmic electrode and the metal thin film.

이와 같은 전자 방출 소자는 CRT(Cathode-Ray Tube)와 마찬가지로 캐소드 전 극선 발광에 의해 동작한다는 점(자체광원, 높은효율, 높은 휘도와 넓은 휘도영역, 천역색 및 높은 색순도, 넓은 시야각), 동작속도, 동작 온도 영역이 넓다는 점등의 장점으로 인하여 다양한 분야에서 활용가능하며, 최근까지 활발한 연구가 이루어지고 있다. Like the Cathode-Ray Tube (CRT), the electron-emitting device operates by cathode polarization (self-light source, high efficiency, high luminance and wide luminance region, natural color and high color purity, wide viewing angle), and operating speed. Due to the advantages of lighting, the operating temperature range is wide, it can be used in various fields, and active research has been made until recently.

도 1은 종래 전자 방출 표시소자를 나타낸 도이다.1 is a view showing a conventional electron emission display device.

도 1을 참조하여 설명하면, 종래 전자 방출 표시소자는 제 1 기판(10), 캐소드 전극(11), 절연층(12), 게이트 전극(13), 전자 방출 영역(14), 스페이서(15), 제 2 기판(16), 애노드 전극(17) 및 형광층(18)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a conventional electron emission display device includes a first substrate 10, a cathode electrode 11, an insulating layer 12, a gate electrode 13, an electron emission region 14, and a spacer 15. And a second substrate 16, an anode electrode 17, and a fluorescent layer 18.

제 1 기판(10)상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 적어도 하나의 캐소드 전극(11)이 배치된다. 제 1 기판(10)은 전자 방출 소자로 감광성 CNT(Carbon NanoTube) 페이스트를 이용하며 후면 노광에 의해 이를 형성하는 경우에는 유리(glass)와 같은 투명 기판을 사용할 수 있다. At least one cathode electrode 11 is arranged on the first substrate 10 in a predetermined shape, for example, on a stripe. The first substrate 10 uses a photosensitive carbon nanotube (CNT) paste as an electron emission device, and in the case of forming it by back exposure, a transparent substrate such as glass may be used.

캐소드 전극(11)은 데이터 구동부(미도시) 또는 주사 구동부(미도시)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 전자 방출 영역(14)으로 공급한다. 또한, 캐소드 전극(11)은 제 1 기판(10) 상에 스트라이프형으로 나란하게 배치될 수 있다. 이때, 전자 방출 영역(14)은 캐소드 전극(11)과 게이트 전극(13)에 의해 정의된 영역에 형성된다. The cathode electrode 11 supplies each data signal or scan signal applied from the data driver (not shown) or the scan driver (not shown) to each electron emission region 14. In addition, the cathode electrode 11 may be arranged side by side on the first substrate 10 in a stripe shape. At this time, the electron emission region 14 is formed in the region defined by the cathode electrode 11 and the gate electrode 13.

절연층(12)은 일례로, 캐소드 전극(11)과 게이트 전극(13) 사이에 형성되어, 캐소드 전극(11)과 게이트 전극(13)을 전기적으로 절연한다. 또한, 절연층(12)은 캐소드 전극(11)의 일영역이 노출될 수 있도록 캐소드 전극(11)과 게이트 전극(13)의 교차 영역에 적어도 하나의 제 1 관통홀(12a)을 구비한다.For example, the insulating layer 12 is formed between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 to electrically insulate the cathode electrode 11 and the gate electrode 13. In addition, the insulating layer 12 includes at least one first through hole 12a at an intersection area between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 so that one region of the cathode electrode 11 is exposed.

게이트 전극(13)은 절연층(12) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 캐소드 전극(11)과 교차하는 방향으로 배치되며, 데이터 구동부 또는 주사 구동부로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 화소로 공급한다. 또한, 게이트 전극(13)은 캐소드 전극(11)의 일영역이 노출 되도록 제 1 관통홀(12a)에 대응하는 적어도 하나의 제 2 관통홀(12b)을 구비한다.The gate electrode 13 is disposed on the insulating layer 12 in a predetermined shape, for example, in a direction crossing the cathode electrode 11 on a stripe, and each data signal or scan signal applied from the data driver or the scan driver. Is supplied to each pixel. In addition, the gate electrode 13 includes at least one second through hole 12b corresponding to the first through hole 12a so that one region of the cathode electrode 11 is exposed.

전자 방출영역(14)은 절연층(12)의 제 1 관통홀(12a)에 의해 노출된 캐소드전극(11) 상에 형성되며, 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질, 카본 나노튜브, 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 형성된다. 캐소드 전극(11)과 게이트 전극(13)에 인가된 전압에 의해 전계가 형성되면, 전자 방출영역(14)로부터 전자가 방출되며, 방출된 전자는 전자 방출영역(14)에 대응하는 형광층(18)에 충돌하여 화상을 표시한다. The electron emission region 14 is formed on the cathode electrode 11 exposed by the first through hole 12a of the insulating layer 12, and emits electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or It is formed of any one selected from the group consisting of nanometer (nm) size material, carbon nanotubes, graphite (graphite), graphite nanofibers, diamond-like carbon, C 60 , silicon nanowires. When an electric field is formed by the voltages applied to the cathode electrode 11 and the gate electrode 13, electrons are emitted from the electron emission region 14, and the emitted electrons are fluorescent layers corresponding to the electron emission region 14 ( 18) to display an image.

스페이서(15)는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(16) 사이에 위치하여, 제 1 기판(10)과 제 2 기판(16)의 처짐이 발생하지 않도록 지지해준다. The spacer 15 is positioned between the first substrate 10 and the second substrate 16 to support the first substrate 10 and the second substrate 16 to prevent sagging.

제 2 기판(16)에는 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층(18)이 임의의 간격을 두고 선택적으로 배치된다. 이때, 제 2 기판(16)은 투명한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The fluorescent layer 18 which emits light by the collision of electrons is selectively arranged in the 2nd board | substrate 16 at arbitrary intervals. At this time, the second substrate 16 is preferably made of a transparent material.

애노드 전극(17)은 제 2 기판(16)의 제 1 기판(10)과 마주하는 측면에 형성되며, 전자 방출영역(14)로부터 방출된 전자를 형광층(18)으로 가속시키는 전극이다. 이때, 애노드 전극(17)은 ITO와 같은 투명한 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The anode electrode 17 is formed on the side facing the first substrate 10 of the second substrate 16, and is an electrode that accelerates electrons emitted from the electron emission region 14 to the fluorescent layer 18. At this time, the anode electrode 17 is preferably formed using a transparent material such as ITO.

형광층(18)은 제 2 기판(16)의 제 1 기판(10)과 마주하는 측면에 소정의 간격을 두고 임의의 형상(예를 들면, 스트라이프상, 매트릭스형상 등)으로 배치되며, 이때, 형광층(18)은 적색 발광성의 형광층(R), 녹색 발광성의 형광층(G), 청색 발광성의 형광층(B)으로 이루어질 수 있다. 이들 각각의 형광층(18)에 사용하는 형광체에 특별히 제한은 없으며 종래부터 전자방출 표시장치에 사용되고 있는 형광체를 사용할 수 있다. The fluorescent layer 18 is disposed in an arbitrary shape (for example, a stripe shape, a matrix shape, etc.) at predetermined intervals on the side surface of the second substrate 16 facing the first substrate 10. The fluorescent layer 18 may be formed of a red luminescent fluorescent layer R, a green luminescent fluorescent layer G, and a blue luminescent fluorescent layer B. There is no restriction | limiting in particular in the fluorescent substance used for each fluorescent layer 18, The fluorescent substance conventionally used for the electron emission display apparatus can be used.

상술한 바와 같은 종래 전자 방출 표시소자는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(16) 즉, 상부 기판과 하부 기판 간의 온도차에 의한 과대 발광 또는 과소 발광과 같은 이상 발광 현상이 발생하는 문제점이 있었다. 이러한, 이상 발광 현상은 절대적인 온도가 아닌 상대적인 온도 차이에 달려 있기 때문에, 상, 하부 기판의 온도를 일정하게 유지해야할 필요가 있다. As described above, the conventional electron emission display device has a problem in that an abnormal emission phenomenon such as over- or under-emission occurs due to a temperature difference between the first substrate 10 and the second substrate 16, that is, the upper substrate and the lower substrate. . Since the abnormal light emission phenomenon depends on the relative temperature difference, not the absolute temperature, it is necessary to keep the temperature of the upper and lower substrates constant.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 상부 기판과 하부 기판의 온도차이를 일정하게 유지하여, 온도차에 의한 이상 발광 현상을 방지할 수 있는 전자 방출 표시소자 및 그 구동 방법을 제공하기 위한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to provide an electron emission display device and a driving method thereof capable of maintaining a constant temperature difference between an upper substrate and a lower substrate to prevent abnormal light emission caused by the temperature difference. .

상술한 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로, 본 발명의 일측면은, 상부에 캐소드 전극, 절연층 및 전자 방출 영역을 포함하는 제 1 기판, 상기 전자 방출 영역으로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 복수의 형광체가 구비된 화소부를 포함하는 제 2 기판, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성되어 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 소정의 거리를 유지하는 스페이서, 상기 제 1 기판과 접속되는 제 1 온도센서와 상기 제 2 기판과 접속되는 제 2 온도센서, 상기 제 1 온도센서 및 상기 제 2 온도센서와 접속되어, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 간의 온도를 비교하는 비교부 및 상기 비교부에서 비교된 결과에 따라 제 2 기판을 가열하는 가열부를 포함하는 전자 방출 소자를 제공하는 것이다. As a technical means for achieving the above object, one side of the present invention, the first substrate including a cathode electrode, an insulating layer and an electron emission region, a plurality of light emitting by the electrons emitted from the electron emission region A second substrate including a pixel portion provided with a phosphor, a spacer formed between the first substrate and the second substrate to maintain a predetermined distance between the first substrate and the second substrate, and connected to the first substrate A second temperature sensor connected to a first temperature sensor and the second substrate, a comparison unit connected to the first temperature sensor and the second temperature sensor and comparing a temperature between the first substrate and the second substrate; and It is to provide an electron emitting device comprising a heating unit for heating the second substrate in accordance with the result compared in the comparison unit.

본 발명의 다른 측면은 복수의 주사선 및 복수의 데이터선이 형성된 제 1 기판, 복수의 주사선 및 복수의 데이터선에 의해 정의된 영역에 복수의 화소를 구비하며, 전 영역에 걸쳐 애노드 전극이 형성된 화소부를 포함하는 제 2 기판, 상기 복수의 주사선에 주사 신호를 인가하는 주사 구동부, 상기 복수의 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 상기 제 1 기판과 접속되어, 상기 제 1 기판의 구동 온도를 측정하는 제 1 온도센서, 상기 제 2 기판과 접속되어, 상기 제 2 기판의 구동 온도를 측정하는 제 2 온도센서, 상기 제 1 온도센서와 상기 제 2 온도센서에서 측정된 온도를 비교하는 비교부, 상기 비교부에서 비교된 결과에 따라, 상기 제 2 기판을 가열하는 가열부를 포함하는 전자 방출 표시소자를 제공하는 것이다. According to another aspect of the present invention, a pixel includes a plurality of pixels in a region defined by a first substrate on which a plurality of scan lines and a plurality of data lines are formed, a plurality of scan lines, and a plurality of data lines, and an anode electrode is formed over the entire region. A second substrate including a portion, a scan driver for applying a scan signal to the plurality of scan lines, a data driver for applying a data signal to the plurality of data lines, and a first substrate, the drive temperature of the first substrate being adjusted. A first temperature sensor to be measured, a second temperature sensor connected to the second substrate and measuring a driving temperature of the second substrate, and a comparison unit comparing the temperature measured by the first temperature sensor and the second temperature sensor According to the result compared in the comparison unit, to provide an electron emission display device comprising a heating unit for heating the second substrate.

본 발명의 또 다른 측면은 상부에 캐소드 전극, 절연층 및 전자 방출 영역을 포함하는 제 1 기판과, 화소부를 구비하며, 상기 화소부의 외곽을 따라 형성된 열선을 포함하는 제 2 기판 간의 구동 온도를 각각 측정하는 단계, 상기 제 1 기판의 온도와 상기 제 2 기판의 온도를 비교하는 단계 및 상기 비교된 결과에 따라 상기 열선을 가열하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시소자 구동 방법을 제공하는 것이다. Another aspect of the present invention provides a driving temperature between a first substrate including a cathode electrode, an insulating layer, and an electron emission region on an upper portion thereof, and a second substrate including a pixel portion and a hot wire formed along the periphery of the pixel portion. It provides a method for driving an electron emission display device comprising the step of measuring, comparing the temperature of the first substrate and the temperature of the second substrate and heating the hot wire according to the comparison result.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described.

도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 일례를 나타낸 도이다. 2 is a view showing an example of an electron emission display device according to the present invention.

도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자는 종래 전자 방출 표시소자는 제 1 기판(100), 캐소드 전극(101), 절연층(102), 게이트 전극(103), 전자 방출 영역(104), 스페이서(105), 제 2 기판(106), 애노드 전극(107) , 형광층(108), 제 1 온도센서(109), 제 2 온도센서(110), 비교부(111) 및 가열부(112)를 포함한다. Referring to FIG. 2, in the electron emission display device according to the present invention, the conventional electron emission display device includes a first substrate 100, a cathode electrode 101, an insulating layer 102, a gate electrode 103, and electron emission. Region 104, spacer 105, second substrate 106, anode electrode 107, fluorescent layer 108, first temperature sensor 109, second temperature sensor 110, comparator 111 And a heating part 112.

제 1 기판(100)상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 적어도 하나의 캐소드 전극(101)이 배치된다. 제 1 기판(100)은 전자 방출 소자로 감광성 CNT(Carbon NanoTube) 페이스트를 이용하며 후면 노광에 의해 이를 형성하는 경우에는 유리(glass)와 같은 투명 기판을 사용할 수 있다. At least one cathode electrode 101 is disposed on the first substrate 100 in a predetermined shape, for example, on a stripe. The first substrate 100 uses a photosensitive CNT (Carbon NanoTube) paste as an electron emission device, and when forming the substrate by back exposure, a transparent substrate such as glass may be used.

캐소드 전극(101)은 데이터 구동부(미도시) 또는 주사 구동부(미도시)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 전자 방출 영역(104)으로 공급 한다. 이때, 전자 방출 영역(104)은 캐소드 전극(101)과 게이트 전극(103)에 의해 정의된 영역에 형성된다. The cathode electrode 101 supplies each data signal or scan signal applied from the data driver (not shown) or the scan driver (not shown) to each electron emission region 104. In this case, the electron emission region 104 is formed in the region defined by the cathode electrode 101 and the gate electrode 103.

절연층(102)은 제 1 기판(100)과 캐소드 전극(101)의 상부에 형성되며, 캐소드 전극(101)과 게이트 전극(103)을 전기적으로 절연한다. 또한, 절연층(102)은 캐소드전극(101)의 일영역이 노출될 수 있도록 캐소드 전극(101)과 게이트 전극(103)의 교차 영역에 적어도 하나의 제 1 관통홀(102a)을 구비한다.The insulating layer 102 is formed on the first substrate 100 and the cathode electrode 101, and electrically insulates the cathode electrode 101 and the gate electrode 103 from each other. In addition, the insulating layer 102 includes at least one first through hole 102a at an intersection of the cathode electrode 101 and the gate electrode 103 so that one region of the cathode electrode 101 can be exposed.

게이트 전극(103)은 절연층(102) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 캐소드 전극(101)과 교차하는 방향으로 배치되며, 데이터 구동부 또는 주사 구동부로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 화소로 공급한다. 또한, 게이트 전극(103)은 캐소드 전극(101)의 일영역이 노출 되도록 제 1 관통홀(102a)에 대응하는 적어도 하나의 제 2 관통홀(102b)을 구비한다.The gate electrode 103 is disposed on the insulating layer 102 in a predetermined shape, for example, in a direction crossing the cathode electrode 101 on a stripe, and each data signal or scan signal applied from the data driver or the scan driver. Is supplied to each pixel. In addition, the gate electrode 103 includes at least one second through hole 102b corresponding to the first through hole 102a so that one region of the cathode electrode 101 is exposed.

전자 방출영역(104)은 절연층(102)의 제 1 관통홀(102a)에 의해 노출된 캐소드전극(101) 상에 형성되며, 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질, 카본 나노튜브, 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 형성된다. 캐소드 전극(101)과 게이트 전극(103)에 인가된 전압에 의해 전계가 형성되면, 전자 방출영역(104)로부터 전자가 방출되며, 방출된 전자는 전자 방출영역(104)에 대응하는 형광층(108)에 충돌하여 화상을 표시한다. The electron emission region 104 is formed on the cathode electrode 101 exposed by the first through hole 102a of the insulating layer 102, and emits electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or It is formed of any one selected from the group consisting of nanometer (nm) size material, carbon nanotubes, graphite (graphite), graphite nanofibers, diamond-like carbon, C 60 , silicon nanowires. When an electric field is formed by the voltages applied to the cathode electrode 101 and the gate electrode 103, electrons are emitted from the electron emission region 104, and the emitted electrons are formed in a fluorescent layer corresponding to the electron emission region 104. 108) to display an image.

스페이서(105)는 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106) 사이에 위치하여, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 처짐이 발생하지 않도록 지지해준다. The spacer 105 is positioned between the first substrate 100 and the second substrate 106 to support the first substrate 100 and the second substrate 106 so that sag does not occur.

제 2 기판(106)에는 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광층(108)이 임의의 간격을 두고 선택적으로 배치된다. 이때, 제 2 기판(106)은 투명한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The fluorescent layer 108 which emits light by the collision of electrons is selectively arranged in the 2nd board | substrate 106 at arbitrary intervals. At this time, the second substrate 106 is preferably made of a transparent material.

애노드 전극(107)은 제 2 기판(106)의 제 1 기판(100)과 마주하는 측면에 형성되며, 전자 방출영역(104)로부터 방출된 전자를 형광층(108)으로 가속시키는 전극이다. 이때, 애노드 전극(107)은 ITO와 같은 투명한 물질을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The anode electrode 107 is formed on the side facing the first substrate 100 of the second substrate 106, and is an electrode that accelerates electrons emitted from the electron emission region 104 to the fluorescent layer 108. In this case, the anode electrode 107 is preferably formed using a transparent material such as ITO.

형광층(108)은 제 2 기판(106)의 제 1 기판(100)과 마주하는 측면에 소정의 간격을 두고 임의의 형상(예를 들면, 스트라이프상, 매트릭스형상 등)으로 배치되며, 이때, 형광층(108)은 적색 발광성의 형광층(R), 녹색 발광성의 형광층(G), 청색 발광성의 형광층(B)으로 이루어질 수 있다. The fluorescent layer 108 is disposed in an arbitrary shape (for example, a stripe shape, a matrix shape, etc.) at predetermined intervals on the side surface of the second substrate 106 facing the first substrate 100. The fluorescent layer 108 may be formed of a red luminescent fluorescent layer R, a green luminescent fluorescent layer G, and a blue luminescent fluorescent layer B.

제 1 온도센서(109)는 제 1 기판(100)과 접속되어 제 1 기판(100)의 구동온도를 측정하고, 측정된 온도에 관한 정보를 비교부(111)에 전달한다. The first temperature sensor 109 is connected to the first substrate 100 to measure the driving temperature of the first substrate 100, and transmits information about the measured temperature to the comparator 111.

제 2 온도센서(110)는 제 2 기판(106)과 접속되어 제 2 기판(106)의 구동온도를 측정하고, 측정된 온도에 관한 정보를 비교부(111)에 전달한다. The second temperature sensor 110 is connected to the second substrate 106 to measure the driving temperature of the second substrate 106, and transmits information about the measured temperature to the comparator 111.

비교부(111)는 제 1 온도센서(109)와 제 2 온도센서(110)로부터 측정된 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도를 비교하여, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도차이에 대응하는 신호를 가열부(112)에 전달한다. The comparator 111 compares the temperatures of the first substrate 100 and the second substrate 106 measured by the first temperature sensor 109 and the second temperature sensor 110, and the first substrate 100. The signal corresponding to the temperature difference of the second substrate 106 is transmitted to the heating part 112.

가열부(112)는 비교부(111)로부터 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도차이에 대응하는 신호를 전달받아, 제 2 기판(106)에 형성되어 있는 열선(106a)에 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도 차에 대응하는 전류를 인가한다. 즉, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도 차가 많이 발생할수록 열선(106a)에 인가하는 전류의 양을 증가시킨다. 이에 따라 제 2 기판(106)이 가열되어 온도가 올라가게 되므로, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(106)의 온도차를 일정하게 유지할 수 있다. The heating unit 112 receives a signal corresponding to the temperature difference between the first substrate 100 and the second substrate 106 from the comparator 111, and the heating wire 106a formed on the second substrate 106. The current corresponding to the temperature difference between the first substrate 100 and the second substrate 106 is applied to the. That is, as the temperature difference between the first substrate 100 and the second substrate 106 increases, the amount of current applied to the hot wire 106a is increased. Accordingly, since the second substrate 106 is heated to increase the temperature, the temperature difference between the first substrate 100 and the second substrate 106 can be kept constant.

도 3은 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 일례를 나타낸 도이다. 3 is a view showing an example of an electron emission display device according to the present invention.

도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자는 제 1 기판(200), 제 2 기판(201), 화소부(202), 주사 구동부(203), 데이터 구동부(204), 전원 공급부(205), 제 1 온도 센서(206), 제 2 온도 센서(207), 비교부(208) 및 가열부(209)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the electron emission display device according to the present invention includes a first substrate 200, a second substrate 201, a pixel portion 202, a scan driver 203, a data driver 204, a power supply. And a supply unit 205, a first temperature sensor 206, a second temperature sensor 207, a comparator 208, and a heating unit 209.

제 1 기판(200)에는 복수의 주사선(S1,S2,...Sn) 및 복수의 데이터선(D1,D2,...Dm)이 형성되며, 주사선 및 데이터선 중 어느 하나가 캐소드 전극으로 작용하고, 나머지 하나가 게이트 전극으로 작용한다.A plurality of scan lines S1, S2,... Sn and a plurality of data lines D1, D2, ... Dm are formed on the first substrate 200, and one of the scan lines and the data lines serves as a cathode electrode. The other acts as the gate electrode.

제 2 기판(201)은 복수의 주사선 및 복수의 데이터선에 의해 정의된 영역에 복수의 화소(202a)를 구비하며, 전 영역에 걸쳐 애노드 전극(ANODE)이 형성된 화소부(202)를 포함한다. The second substrate 201 includes a plurality of pixels 202a in a region defined by a plurality of scan lines and a plurality of data lines, and includes a pixel portion 202 in which an anode electrode ANODE is formed over the entire region. .

주사 구동부(203)는 복수의 주사선(S1,S2,...Sn) 에 주사 신호를 인가한다. The scan driver 203 applies a scan signal to the plurality of scan lines S1, S2, ... Sn.

데이터 구동부(204)는 복수의 데이터선(D1,D2,...Dm) 에 데이터 신호를 인가한다. The data driver 204 applies a data signal to the plurality of data lines D1, D2, ... Dm.

전원 공급부(205)는 주사 구동부(203)에 제 1 전원(V1) 및 제 2 전원(V2)을 공급하고, 데이터 구동부(204)에 제 3 전원(V3) 및 제 4 전원(V4)을 공급한다. The power supply unit 205 supplies the first power source V1 and the second power source V2 to the scan driver 203, and supplies the third power source V3 and the fourth power source V4 to the data driver 204. do.

제 1 온도센서(206)는 제 1 기판(200)과 접속되어 제 1 기판(200)의 구동온도를 측정하고, 측정된 온도에 관한 정보를 비교부(208)에 전달한다. The first temperature sensor 206 is connected to the first substrate 200 to measure the driving temperature of the first substrate 200, and transmits information about the measured temperature to the comparator 208.

제 2 온도센서(207)는 제 2 기판(201)과 접속되어 제 2 기판(201)의 구동온도를 측정하고, 측정된 온도에 관한 정보를 비교부(208)에 전달한다. The second temperature sensor 207 is connected to the second substrate 201 to measure the driving temperature of the second substrate 201, and transmits information about the measured temperature to the comparator 208.

비교부(208)는 제 1 온도센서(206)와 제 2 온도센서(207)로부터 측정된 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도를 비교하여, 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도차이에 대응하는 신호를 가열부(209)에 전달한다. The comparison unit 208 compares the temperatures of the first substrate 200 and the second substrate 201 measured by the first temperature sensor 206 and the second temperature sensor 207, and the first substrate 200. The signal corresponding to the temperature difference of the second substrate 201 is transmitted to the heating unit 209.

가열부(209)는 비교부(208)로부터 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도차이에 대응하는 신호를 전달받아, 제 2 기판(201)에 형성되어 있는 열선(201a)에 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도 차에 대응하는 전류를 인가한다. 즉, 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도 차가 많이 발생 할수록 열선(201a)에 인가하는 전류의 양을 증가시킨다. 이에 따라 제 2 기판(201)이 가열되어 온도가 올라가게 되므로, 제 1 기판(200)과 제 2 기판(201)의 온도차를 일정하게 유지할 수 있다. The heating unit 209 receives a signal corresponding to the temperature difference between the first substrate 200 and the second substrate 201 from the comparator 208, and forms the heating wire 201a formed on the second substrate 201. The current corresponding to the temperature difference between the first substrate 200 and the second substrate 201 is applied to the. That is, as the temperature difference between the first substrate 200 and the second substrate 201 increases, the amount of current applied to the hot wire 201a is increased. Accordingly, since the second substrate 201 is heated to increase the temperature, the temperature difference between the first substrate 200 and the second substrate 201 can be kept constant.

도 4는 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 제조 방법을 나타낸 도이다. 4 is a view showing a method of manufacturing an electron emission display device according to the present invention.

도 4를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 전자 방출 표시소자의 제조 방법은 제 1 단계(ST100) 내지 제 3 단계(ST300)에 걸쳐 실시된다. Referring to FIG. 4, the method of manufacturing the electron emission display device according to the present invention is performed in the first step ST100 to the third step ST300.

제 1 단계(ST100)는 상부에 캐소드 전극, 절연층 및 전자 방출 영역을 포함하는 제 1 기판과, 화소부를 구비하며, 화소부의 외곽을 따라 형성된 열선을 포함하는 제 2 기판 간의 구동 온도를 각각 측정하는 단계이다. The first step ST100 measures a driving temperature between a first substrate including a cathode electrode, an insulating layer, and an electron emission region on an upper portion thereof, and a second substrate including a pixel portion and a hot wire formed along the periphery of the pixel portion. It's a step.

제 2 단계(ST106)는 제 1 기판의 온도와 제 2 기판의 온도를 비교하는 단계이다. The second step ST106 is a step of comparing the temperature of the first substrate with the temperature of the second substrate.

제 3 단계(ST300)는 제 2 단계(ST200)에서 비교된 결과에 따라 열선을 가열하는 단계이다. 즉, 제 1 기판과 제 2 기판 간의 온도차를 측정하여, 측정된 결과에 따라 제 2 기판을 가열한다. 이때, 측정된 제 1 기판과 제 2 기판 간의 온도차가 커지면 커질수록 제 2 기판에 형성된 열선에 인가되는 전류의 양도 많아지게 된다. 일반적으로 제 1 기판의 온도가 제 2 기판보다 낮기 때문에 제 1 기판과 제 2 기판의 온도차이가 일정하지 않을 때, 제 1 기판과 제 2 기판의 온도차가 일정한 값을 갖도록 조절하기 위해서는 제 2 기판의 온도를 높여야 한다. 온도를 높이는 방법으로는 제 2 기판에 포함된 화소부의 외곽을 따라 형성되는 저항을 갖는 열선에 소정의 온도를 높이는데 필요한 양의 전류를 인가한다. 즉, 전류를 많이 흐르게 하면 할수록 제 2 기판의 온도를 상승시킬 수 있다. The third step ST300 is a step of heating the hot wire according to the result compared in the second step ST200. That is, the temperature difference between the first substrate and the second substrate is measured, and the second substrate is heated according to the measured result. At this time, as the measured temperature difference between the first substrate and the second substrate increases, the amount of current applied to the heating wire formed on the second substrate also increases. Generally, since the temperature of the first substrate is lower than that of the second substrate, when the temperature difference between the first substrate and the second substrate is not constant, the second substrate may be adjusted so that the temperature difference between the first substrate and the second substrate has a constant value. Should increase the temperature. In order to increase the temperature, an amount of current required to increase a predetermined temperature is applied to a heating wire having a resistance formed along the outer edge of the pixel portion included in the second substrate. In other words, the more the current flows, the higher the temperature of the second substrate can be.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, it will be understood by those skilled in the art that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 따른 전자 방출 소자 및 이를 이용한 전자 방출 표시 장치, 그리고 그 구동 방법에 의하면, 상부 기판과 하부 기판의 온도차이를 일정하게 유지하여 상부 기판과 하부 기판 간의 온도차이에 의해 발생하는 이상발광 현상을 억제할 수 있다. According to the electron emission device according to the present invention, an electron emission display device using the same, and a driving method thereof, the abnormal light emission phenomenon caused by the temperature difference between the upper substrate and the lower substrate by keeping the temperature difference between the upper substrate and the lower substrate constant Can be suppressed.

Claims (8)

상부에 캐소드 전극, 절연층 및 전자 방출 영역을 포함하는 제 1 기판;A first substrate including a cathode electrode, an insulating layer, and an electron emission region thereon; 상기 전자 방출 영역으로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 복수의 형광체가 구비된 화소부를 포함하는 제 2 기판; A second substrate including a pixel portion including a plurality of phosphors emitting light by electrons emitted from the electron emission region; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성되어 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 소정의 거리를 유지하는 스페이서;A spacer formed between the first substrate and the second substrate to maintain a predetermined distance between the first substrate and the second substrate; 상기 제 1 기판과 접속되는 제 1 온도센서와 상기 제 2 기판과 접속되는 제 2 온도센서; A first temperature sensor connected to the first substrate and a second temperature sensor connected to the second substrate; 상기 제 1 온도센서 및 상기 제 2 온도센서와 접속되어, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 간의 온도를 비교하는 비교부; 및A comparison unit connected to the first temperature sensor and the second temperature sensor and comparing a temperature between the first substrate and the second substrate; And 상기 비교부에서 비교된 결과에 따라 제 2 기판을 가열하는 가열부를 포함하는 전자 방출 소자.An electron emission device including a heating unit for heating the second substrate in accordance with the result compared in the comparison unit. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 기판에 상기 화소부의 외곽을 따라 형성되는 열선을 더 포함하는 전자 방출 소자. And a heat ray formed on the second substrate along the periphery of the pixel portion. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 가열부는 상기 열선에 전류를 인가하여 상기 제 2 기판을 가열하는 전자 방출 소자. The heating unit applies an electric current to the heating wire to heat the second substrate. 복수의 주사선 및 복수의 데이터선이 형성된 제 1 기판; A first substrate on which a plurality of scan lines and a plurality of data lines are formed; 복수의 주사선 및 복수의 데이터선에 의해 정의된 영역에 복수의 화소를 구비하며, 전 영역에 걸쳐 애노드 전극이 형성된 화소부를 포함하는 제 2 기판;A second substrate having a plurality of pixels in a region defined by a plurality of scan lines and a plurality of data lines, the second substrate including a pixel portion in which an anode electrode is formed over the entire region; 상기 복수의 주사선에 주사 신호를 인가하는 주사 구동부;A scan driver which applies a scan signal to the plurality of scan lines; 상기 복수의 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부;A data driver for applying a data signal to the plurality of data lines; 상기 제 1 기판과 접속되어, 상기 제 1 기판의 구동 온도를 측정하는 제 1 온도센서;A first temperature sensor connected to the first substrate and measuring a drive temperature of the first substrate; 상기 제 2 기판과 접속되어, 상기 제 2 기판의 구동 온도를 측정하는 제 2 온도센서;A second temperature sensor connected to the second substrate and measuring a driving temperature of the second substrate; 상기 제 1 온도센서와 상기 제 2 온도센서에서 측정된 온도를 비교하는 비교부;A comparison unit comparing the temperature measured by the first temperature sensor and the second temperature sensor; 상기 비교부에서 비교된 결과에 따라, 상기 제 2 기판을 가열하는 가열부를 포함하는 전자 방출 표시소자. And a heating unit for heating the second substrate according to the result compared in the comparison unit. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 제 2 기판에 상기 화소부의 외곽을 따라 형성되는 열선을 더 포함하는 전자 방출 표시소자. And a heat ray formed on the second substrate along the periphery of the pixel portion. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 가열부는 상기 열선에 전류를 인가하여 상기 제 2 기판을 가열하는 전자 방출 표시소자. And the heating unit heats the second substrate by applying a current to the heating wire. 상부에 캐소드 전극, 절연층 및 전자 방출 영역을 포함하는 제 1 기판과, 화소부를 구비하며 상기 화소부의 외곽을 따라 형성된 열선을 포함하는 제 2 기판 간의 구동 온도를 각각 측정하는 단계;Measuring a driving temperature between a first substrate including a cathode electrode, an insulating layer, and an electron emission region thereon, and a second substrate including a pixel portion and a hot wire formed along an outer edge of the pixel portion; 상기 제 1 기판의 온도와 상기 제 2 기판의 온도를 비교하는 단계; 및Comparing the temperature of the first substrate with the temperature of the second substrate; And 상기 비교된 결과에 따라 상기 열선을 가열하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시소자 구동 방법.And heating the hot wire according to the compared result. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 열선을 가열하는 단계는 상기 열선에 상기 비교된 온도차에 대응하는 전류를 인가하는 단계인 전자 방출 표시소자 구동 방법. And heating the hot wire is applying a current corresponding to the compared temperature difference to the hot wire.
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