KR20070056847A - Donor substrate for flat panel display device and method of fabricating oled using the same - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 평판표시소자용 도너기판을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional donor substrate for a flat panel display device.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자용 도너기판 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a donor substrate for a flat panel display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10, 50. 도너기판 15, 55. 기재필름10, 50.
20, 60. 광-열변환층 25, 65. 중간층20, 60. Light-to-
30, 70. 전사층 100. 소자기판30, 70.
150. 하부전극 170. 화소정의막150.
180. 유기막 패턴 200. 레이저180.
본 발명은 평판표시소자용 도너기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도너기판의 중간층에 패터닝이 가능한 물질을 코팅하고 상기 물질을 소자기판에 형성된 소자에 대응하도록 리소그래피법을 이용하여 패터닝함으로써, 상기 도너기판의 전사층에서 전사된 필름이 소자기판에서 묻어나거나 뜯기는 현상을 방지하고 전사된 필름이 소자기판의 에지(edge)부분에서 발생될 수 있는 오픈 불량을 제거할 수 있는 평판표시소자용 도너기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a donor substrate for a flat panel display device and a method of manufacturing an organic light emitting device using the same, and more particularly, to coat a patternable material on the intermediate layer of the donor substrate and to correspond to the device formed on the device substrate By using the lithography method, the film transferred from the transfer layer of the donor substrate is prevented from being buried or teared off the device substrate, and the open defect that the transferred film can be generated at the edge of the device substrate is prevented. The present invention relates to a removable donor substrate for a flat panel display device and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.
일반적으로 평판표시소자인 유기전계발광소자는 하부전극과 상부전극 그리고 상기 하부전극과 상부전극 사이에 개재된 유기막을 포함한다. 상기 유기막은 적어도 발광층을 포함하며, 상기 발광층 외에도 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다. 이러한 유기전계발광소자는 상기 유기막 특히, 상기 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기전계발광소자와 저분자 유기전계발광소자로 나뉘어진다.In general, an organic light emitting display device as a flat panel display device includes a lower electrode and an upper electrode and an organic layer interposed between the lower electrode and the upper electrode. The organic layer may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer. The organic light emitting diode is divided into a polymer organic light emitting diode and a low molecular organic light emitting diode according to the organic layer, in particular, the light emitting layer.
이러한 유기전계발광소자에 있어 풀칼라 유기전계발광소자를 구현하기 위해서는 상기 발광층을 패터닝해야 하는데, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로 저분자 유기전계발광소자의 경우 미세패턴 마스크(fine metal mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기전계발광소자의 경우 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; 이하 LITI라 한다)이 있다. 이 중에서 상기 LITI는 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있는 장점이 있을 뿐 아니라, 상기 잉크-젯 프린팅이 습식공정인데 반해 상기 LITI는 건식공정이라는 장점이 있다.In the organic light emitting diode, in order to implement a full-color organic light emitting diode, the light emitting layer needs to be patterned. As a method for patterning the light emitting layer, a small metal organic light emitting diode uses a fine metal mask. There is a method, and in the case of a polymer organic electroluminescent device, there is ink-jet printing or laser induced thermal imaging (hereinafter referred to as LITI). Among these, the LITI has the advantage of finely patterning the organic film, and the ink-jet printing is a wet process, whereas the LITI has a dry process.
이러한 LITI에 의한 고분자 유기막의 패턴 형성 방법은 적어도 광원, 유기전계발광소자의 기판 즉, 소자기판 그리고 도너기판을 필요로 하는데, 상기 도너기판은 기재필름, 광-열 변환층 및 유기막으로 이루어진 전사층으로 구성된다. 상기 소자기판 상에 유기막을 패터닝하는 것은 상기 광원에서 나온 빛이 상기 도너기판의 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층을 이루는 유기막이 상기 소자기판 상으로 전사되면서 수행된다. 이는 한국특허출원 제 1998-51844호 및 미국 특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,088호에 게시되어 있다.The method of forming a pattern of the polymer organic film by LITI requires at least a light source, a substrate of an organic light emitting device, that is, a device substrate and a donor substrate, and the donor substrate is a transfer film composed of a base film, a photo-thermal conversion layer and an organic film. It is composed of layers. Patterning the organic film on the device substrate is that light from the light source is absorbed by the light-heat conversion layer of the donor substrate and converted into thermal energy, and the organic film forming the transfer layer is transferred onto the device substrate by the heat energy. Is performed. It is published in Korean Patent Application Nos. 1998-51844 and US Pat. Nos. 5,998,085, 6,214,520 and 6,114,088.
그러나, 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 LITI 공정에 사용되는 도너기판(10)은 기재필름(55) 상에 평탄한 다층의 유기 필름, 즉 광-열 변환층(20), 중간층(25) 및 전사층(30)이 적층되어 형성되는 구조인데, 상기 도너기판(10)을 평탄한 기판에 전사시킬 때는 문제가 없으나 기판 상에 소정의 소자가 형성되어 있는 AMOLED 등에 전사시킬 때는 평탄한 도너기판(10)과 단차가 있는 기판 상의 표면의 불일치(mismatching)로 인하여 연신(延伸:drawing)이 강요되고 때로는 스트레스(stress)를 견디지 못한 도너기판(10)의 전사층(30)이 단층되는 등의 유기전계발광소자의 불량을 야기하는 문제점이 있었다.However, as shown in FIG. 1, the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 도너기판의 중간층에 패터닝이 가능한 물질을 코팅하고 상기 물질을 기판 상에 형성된 단차가 있는 소자에 부합하도록 리소그래피법을 이용하여 패터닝함으로써, 상기 도너기판의 전사층에서 전사된 필름이 소자기판에서 묻어나거나 뜯기는 현상을 방지하고 전사된 필름이 단차가 있는 기판 상에 형성된 소자(화소정의막 등)의 에지(edge) 부분에서 발생될 수 있는 오픈 불량을 제거할 수 있는 평판표시소자용 도너기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자를 얻을 수 있는데 목적이 있다. The present invention is to solve the problems of the prior art, by coating a patternable material on the intermediate layer of the donor substrate and patterning the material using a lithography method to match the stepped device formed on the substrate, This prevents the transfer of the film transferred from the transfer layer of the donor substrate to the device substrate, and prevents the film from being peeled off from the device substrate. An object of the present invention is to provide a donor substrate for a flat panel display device capable of eliminating an open defect and an organic light emitting device using the same.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 평판표시소자용 도너기판은,In order to achieve the above object, the donor substrate for a flat panel display device according to the present invention,
기재필름(base film);A base film;
상기 기재필름 상에 위치한 광-열 변환층(LTHC);A light-to-heat conversion layer (LTHC) positioned on the base film;
상기 광-열 변환층 상에 위치한 전사층(transfer layer); 및A transfer layer on the light-to-heat conversion layer; And
상기 광-열 변환층과 전사층 사이에 개재되고 패터닝된 중간층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자용 도너기판과,A donor substrate for a flat panel display device comprising: an intermediate layer interposed and patterned between the light-to-heat conversion layer and the transfer layer;
상기 패터닝된 중간층은 소자기판에 형성된 소자와 대응하도록 형성된 것을 특징으로 한다.The patterned intermediate layer is formed to correspond to the device formed on the device substrate.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 평판표시소자용 도너기판의 제조방법은,In addition, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a donor substrate for a flat panel display device according to the present invention,
기재필름(base film)을 제공하는 단계;Providing a base film;
상기 기재필름 상에 광-열 변환층(LTHC)을 형성하는 단계;Forming a light-to-heat conversion layer (LTHC) on the base film;
상기 광-열 변환층 상에 중간층을 형성하는 단계;Forming an intermediate layer on the light-to-heat conversion layer;
상기 중간층을 패터닝하는 단계; 및Patterning the intermediate layer; And
상기 패터닝된 중간층 상에 전사층(transfer layer)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자용 도너기판의 제조방법과,Forming a transfer layer on the patterned intermediate layer; and a method of manufacturing a donor substrate for a flat panel display device, the method comprising:
상기 중간층은 소자기판에 형성된 소자와 대응하도록 패터닝하는 것과,The intermediate layer is patterned to correspond to the device formed on the device substrate,
상기 중간층을 패터닝하는 단계는 리소그래피법을 이용하여 패터닝하는 것과,The patterning of the intermediate layer may include patterning by lithography;
상기 리소그래피법은 노광원이 i-line, KrF, ArF, E-beam 및 X-ray인 것을 특징으로 한다.The lithography method is characterized in that the exposure source is i-line, KrF, ArF, E-beam and X-ray.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 상기 도너기판을 이용한 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the organic light emitting device according to the present invention using the donor substrate to achieve the above object,
소자기판을 제공하는 단계;Providing a device substrate;
상기 소자기판으로부터 일정 간격 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층, 소자기판과 부합하도록 패터닝된 중간층 및 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 도너기판을 상기 전사층이 상기 소자기판을 향하도록 배치하는 단계;A donor substrate manufactured by sequentially stacking a base film, a light-to-heat conversion layer, an intermediate layer patterned to match the device substrate, and a transfer layer, which is an organic layer, are sequentially stacked on the substrate film at a predetermined distance from the device substrate. Disposing the device substrate toward the device substrate;
상기 도너기판의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 소자기판 상으로 전사함으로써, 상기 소자기판 상에 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하 는 유기전계발광소자의 제조방법과,A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising forming an organic film pattern on the device substrate by irradiating a laser to a predetermined region of the donor substrate and transferring the transfer layer onto the device substrate;
상기 유기막 패턴은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 것과,The organic layer pattern is an electroluminescent organic layer, a hole injection organic layer, a hole transfer organic layer, an electron transfer organic layer, an electron injection organic layer, or a single layer film selected from the group consisting of two or more types of multilayer films. Characterized in that,
상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들인 것을 특징으로 한다.The organic layers may be organic layers each including a low molecular material.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부하는 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되어 지는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되어 지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail. The following embodiments are to be provided as an example to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자용 도너기판 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a donor substrate for a flat panel display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 도너기판(50)은 기재필름(55)을 제공한다. 상기 기재필름(55)은 투명성 고분자로 이루어져 있는데, 상기 투명성 고분자는 폴레에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 사용한다. 그 중에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 주로 사용한다. 상기 기재필름(55)은 지지필름으로서 적당한 광학적 성질과 충분한 기계 적 안정성을 가져야 한다. 상기 기재필름(55)의 두께는 10 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 2, the
이어서, 상기 기재필름(55) 상에 광-열 변환층(Light-To-Heat Conversion layer; LTHC)(60)을 형성한다. 상기 광-열 변환층(60)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하고 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 광-열 변환층(60)은 예를 들어, 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 황화물을 상기 광흡수성 물질로 포함하는 금속막, 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료를 상기 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 유기막이 있다. 이때, 상기 금속막의 경우는 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 100 내지 5,000Å 두께로 형성하는 것이 바람직하며, 상기 유기막의 경우는 일반적인 필름코팅 방법인 롤코팅(roll coating), 그라비아(gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅 방법을 이용하여 0.1 내지 10㎛ 두께로 형성하는 것이 바람직하다.Subsequently, a light-to-heat conversion layer (LTHC) 60 is formed on the
이어서, 상기 광-열 변환층(60) 상에 중간층(interlayer)(65)을 형성한다. 상기 중간층(65)은 상기 광-열 변환층(60)에 포함된 상기 광흡수성 물질 예를 들어, 카본 블랙이 후속하는 공정에서 형성되는 전사층(70)을 오염시키는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 중간층(65)은 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성할 수 있다. 상기 중간층(65)의 형성은 용매 코팅 등의 일반적인 코팅과정과 자외선 경화과정 등의 경화과정을 거쳐 수행되며 1 내지 2㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.Subsequently, an
다음, 상기 중간층(65)을 소자기판(도 2의 100) 상에 형성되어 있는 소자와 대응하도록 패터닝한다. 상기와 같이 중간층(65)을 패터닝함으로써 전사층(70)의 필름을 소자기판(100)에 전사할 때 상기 돌출된 소자 부분이 상기 패터닝 된 필름의 내측에 위치하게 되어 묻어남이나 뜯김없이 상기 전사층(70)의 필름을 소자기판(100)에 전사할 수 있다. 상기 패터닝은 일반적으로 코팅, 노광 및 현상의 공정을 거치는 리소그래피(lithography)법을 이용하여 형성하는데, 바람직하게는 포토 리소그래피(photolithography)법을 이용한다. 상기 리소그래피법에 사용되는 포토레지스트(photoresist; 이하, PR)는 고분해능과 고감도를 가지며 극성에 따라 네거티브형 PR(Negative Tone Working PR)과 포지티브형 PR(positive Tone Working PR)로 나눌 수 있는데, 상기 네거티브형 PR은 노광 후 노광부위가 패턴으로 남는 PR을 통칭하는 것으로 레진과 PAG(Photo Acid Generator) 그리고 가교제를 기본으로 하여 구성되어 있으며, 상기 포지티브형 PR은 노광부위가 현상액에 의해 제거되는 특성을 가진 레지스트(resist)를 말하는 것으로 레지스트와 감광제 그리고 용해 억제제를 기본으로 하여 구성되어 있다.Next, the
또한, 상기 PR은 노광원에 따라 i-선(line)(365nm), KrF(248nm), ArF(193nm), E-빔(beam) 및 X-ray 등으로 나눌 수 있다. 상기 i-선(line) 레지스트는 일반적으로 통상적인 레지스트(conventional resist)라고 말하는데, 이것을 크레솔 노볼락(cresol novolak) 레진을 주성분으로 하며 i-선(line)(365nm)에 대해 감광특성을 지닌 diazonaphtaquinone(DNQ) 화합물이 광활성화합물(PAC)로 작용한다. 상기 KrF 레지스트는 화학 증폭형(chemically amplified) 레지스트라고도 하는 데, 화학 증폭형 레지스트라 함은 양자 수율이 100%보다 큰 레지스트를 의미한다. 상기 KrF 레지스트는 레진과 PAG(photo acid generator)를 기본으로 하며 콘트라스트(contrast) 향상 및 용해도를 조절하기 위해 금지제를 사용하는 경우가 있다.In addition, the PR may be divided into i-line (365 nm), KrF (248 nm), ArF (193 nm), E-beam, X-ray, and the like depending on the exposure source. The i-line resist is generally referred to as a conventional resist, which is mainly composed of cresol novolak resin and has a photosensitive characteristic with respect to i-line (365 nm). The diazonaphtaquinone (DNQ) compound acts as a photoactive compound (PAC). The KrF resist is also referred to as chemically amplified resist, and chemically amplified resist means a resist having a quantum yield greater than 100%. The KrF resist is based on a resin and a photo acid generator (PAG), and in some cases, inhibitors are used to improve contrast and control solubility.
이어서, 상기 중간층(65) 상에 전사층(70)을 형성한다. 상기 전사층(70)은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있다. 상기 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막는 일반적으로 사용되는 재료이면 모두 가능하다. 바람직하게는 상기 전계발광성 유기막으로는 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도판트), Alq3(호스트)/DCM(형광도판트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도판트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 정공주입성 유기막으로는 CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자와 PANI, PEDOT와 같은 고분자물질을 사용할 수 있으며, 정공전달성 유기막으로는 아릴아민계 저분자, 히드라존계 저분자, 스틸벤계 저분자 스타버스트계 저분자로 NPB, TPD, s-TAD, MTADATA등의 저분자와 카바졸계 고분자, 아릴아민계 고분자, 페릴렌계 및 피롤계 고분자로 PVK와 같은 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 전자전달성 유기막으로는 PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자 물질을 사용할 수 있다. 또한 상기 전자주입성 유기막으로는 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD와 같은 저분자 물질이나 옥사디아졸계 고분자 물질을 사용할 수 있다.Subsequently, a
상기 전사층(70)의 형성은 일반적인 코팅 방법인 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD 등의 방법을 이용하여 100 내지 50,000 Å 두께로 코팅한다.Formation of the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참고하면, 하부전극(150)이 형성된 소자기판(100)을 제공한다. 한편, 기재필름(55) 상에 광-열 변환층(60), 패터닝된 중간층(65) 및 유기막인 전사층(70)을 차례로 적층하여 도너기판(도 1의 50)을 제조한다. Referring to FIG. 3, the
이어서, 상기 도너기판(50)을 상기 소자기판(100)으로부터 일정 간격 이격된 위치에 상기 전사층(70)이 상기 소자기판(100)을 향하도록 배치하고, 상기 도너기판의 소정 영역에 레이저(200)를 조사하여 상기 전사층(70)을 상기 하부전극(150) 상으로 전사함으로써, 상기 소자기판(100)의 하부전극(150) 상에 형성된 화소정의막(170) 사이로 상기 전사층(70)의 돌출된 부위가 삽입되어 상기 하부전극(150) 상에 유기막 패턴(180)을 형성한다.Subsequently, the
상기 유기막 패턴(180)은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달 성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막으로 형성될 수 있다. 상기 하부전극(150)은 애노드 전극이고, 상기 도너기판(50)을 사용하여 상기 하부전극(150) 상에 전계발광성 유기막 패턴(180) 즉, 발광층을 형성하는 경우에는 상기 발광층을 형성하기 전에 상기 하부전극(150) 상에 정공주입층 및/또는 정공전달층을 스핀 코팅 또는 진공증착을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 발광층 상에 전자전달층 및/또는 전자주입층을 LITI, 진공증착 또는 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 전자전달층 및/또는 전자주입층 상에 캐소드 전극인 공통전극(미도시)을 형성함으로써 유기전계발광소자를 완성한다.The
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 도너기판의 전사층에서 전사된 필름이 소자기판에서 묻어나거나 뜯기는 현상을 방지하고 전사된 필름이 단차가 있는 기판 상에 형성된 소자(화소정의막 등)의 에지(edge) 부분에서 발생될 수 있는 오픈 불량을 제거할 수 있다.As described above, according to the present invention, the film transferred from the transfer layer of the donor substrate is prevented from being buried or broken off from the element substrate, and the edge of the element (pixel crystal film or the like) formed on the substrate having the transferred film is stepped. Eliminates open defects that may occur at the edges.
Claims (11)
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Cited By (7)
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---|---|---|---|---|
KR101423557B1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-08-01 | 참엔지니어링(주) | Apparatus and method for repairing an organic light emitting device |
KR20140085252A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 제일모직주식회사 | Thermal transfer film and electroluminescence display device prepared using the same |
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