KR20070051534A - Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070051534A KR20070051534A KR1020050109211A KR20050109211A KR20070051534A KR 20070051534 A KR20070051534 A KR 20070051534A KR 1020050109211 A KR1020050109211 A KR 1020050109211A KR 20050109211 A KR20050109211 A KR 20050109211A KR 20070051534 A KR20070051534 A KR 20070051534A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- magnet
- fixing plate
- magnet assembly
- present
- rotating shaft
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
Abstract
본 발명은 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 관한 것으로,The present invention relates to a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility,
이를 실현하기 위하여 본 발명은, 복수개의 자석을 포함하는 마그네트 어셈블리; 상기 마그네트 어셈블리를 내부에 포함하는 마그네트 고정판; 상기 마그네트 고정판의 상측에 장착되는 모터; 및 상기 모터와 연결되어 상기 마그네트 어셈블리를 회전시키는 회전축;을 포함하여 구성되는 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 있어서, 상기 마그네트 고정판은 상기 마그네트 어셈블리를 상기 회전축으로부터 분해하는 수단의 삽입경로가 되는 관통홀을 성형하고 있으며 상기 관통홀을 개폐하는 고무 O-링을 포함하는 엔드캡을 추가로 장착하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치를 제공한다.The present invention to realize this, the magnet assembly including a plurality of magnets; A magnet fixing plate including the magnet assembly therein; A motor mounted on an upper side of the magnet fixing plate; And a rotating shaft connected to the motor to rotate the magnet assembly, wherein the magnet fixing plate is configured to form a through hole that is an insertion path of a means for disassembling the magnet assembly from the rotating shaft. The present invention provides a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility, further comprising an end cap including a rubber O-ring for opening and closing the through hole.
본 발명에 의하면 마그네트 고정판을 분해하지 않고도 그 내부에 포함되어 있는 마그네트 어셈블리를 회전축으로부터 분리를 할 수 있는 마그네트 장치를 제공할 수 있 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to provide a magnet device capable of separating a magnet assembly included therein from a rotating shaft without disassembling the magnet fixing plate.
마그네트 고정판, 모터, 스퍼터링, 웨이퍼 Magnet Plates, Motors, Sputtering, Wafers
Description
도 1a는 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비의 개략적인 구성을 나타내는 도면,Figure 1a is a view showing a schematic configuration of a conventional magnetron sputtering equipment,
도 1b는 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비에 사용되었었던 마그네트 장치의 구성을 설명하기 위한 도면,1B is a view for explaining the configuration of a magnet device that has been used in a conventional magnetron sputtering apparatus;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view illustrating a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
102: 공정챔버 104: 타겟102: process chamber 104: target
106: 웨이퍼 스테이지 108: 마그네트 고정판106: wafer stage 108: magnet holding plate
110: 마그네트 어셈블리 112: 모터110: magnet assembly 112: motor
114: 회전축 116, 200: 마그네트 장치114:
118: 마그네트 고정판 뚜껑 120: 마그네트 고정판 몸체118: magnet holder plate lid 120: magnet holder plate body
122: 모터 드라이버 202: 관통 홀(hole)122: motor driver 202: through hole
본 발명은 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마그넷 고정판 본체의 외부에서 그 내부에 포함되어 있는 마그넷 어셈블리를 결합 및 분리할 수 있는 마그네트 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility, and more particularly, to a magnet device capable of coupling and detaching a magnet assembly included therein from the outside of a magnet fixing plate body.
반도체 장치의 콘택이나 회로 배선을 이루는 방법으로 웨이퍼 전면에 알루미늄같은 금속 재료를 스퍼터링하여 금속막을 적층하고 포토리소그래피와 에칭을 통해 회로패턴을 형성하는 방법이 많이 사용되고 있다.As a method of forming a contact or circuit wiring of a semiconductor device, a method of forming a circuit pattern by sputtering a metal material such as aluminum on the entire surface of a wafer and forming a metal pattern through photolithography and etching is widely used.
스퍼터링은 공정챔버의 상부에 막의 재료가 되는 타겟을 놓고, 아래에는 웨이퍼를 위치시킨 상태에서 진공을 형성하고, 타겟을 음극으로 형성하고, 아르곤 혹은 양이온화된 아르곤 입자 등의 충돌 입자를 투입하여 타겟에 충돌시키고 그 파편이 웨이퍼에 쌓여 막을 형성시키는 공정이다.In sputtering, a target is used as a film material on the upper part of the process chamber, a vacuum is formed while the wafer is positioned below, a target is formed as a cathode, and collision particles such as argon or cationized argon particles are added to the target. And the debris pile up on the wafer to form a film.
따라서, 스퍼터링 설비는 공정챔버와 공정챔버에 놓이는 웨이퍼 스테이지, 타겟, 공정챔버에 전장을 인가시키는 전원, 진공 인가 장치 및 충돌 입자 공급 장치를 기본적으로 구비하여 이루어진다.Therefore, the sputtering equipment is basically provided with a process chamber, a wafer stage placed in the process chamber, a target, a power source for applying electric field to the process chamber, a vacuum applying device, and a collision particle supply device.
또한 근래의 반도체용 스퍼터링 설비들은 충돌 입자와 타겟 사이의 충돌 효율을 높이고, 적층되는 막의 균일성을 높이기 위해 타겟의 위쪽에 영구 자석을 이용하는 마그네트론 음극을 사용하고 있다.In addition, recent sputtering facilities for semiconductors use magnetron cathodes using permanent magnets on top of targets in order to increase collision efficiency between impact particles and targets and to increase the uniformity of the stacked films.
도 1a는 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.1A is a diagram showing a schematic configuration of a conventional magnetron sputtering facility.
마그네트 장치를 제외한 나머지 부분은 진공과 전장이 인가되고, 상부에 타 겟(104)이, 그리고 하부에 웨이퍼 스테이지(106)가 놓이는 공정챔버(102)와 같은 공통적인 스퍼터링 설비의 구성을 가지고 있다. 거기에 타겟(104) 상부로 일정 간격 이격되어 설치되는 마그네트 고정판(108), 마그네트 고정판의 몸체 내에 형성된 홈에 고정 안착되며 복수개의 자석을 포함하고 있는 마그네트 어셈블리(110), 상기 마그네트 어셈블리를 회전시키기 위한 모터(112)와 회전축(114)이 마그네트 장치(116)를 구성하고 있다.The remaining parts except the magnet device have a common sputtering configuration, such as a
마그네트 어셈블리(110)에 포함된 자석에 의한 자기장은 타겟면 주변에 형성되므로, 공정챔버(102) 내에서 발생된 전자들이 타겟면 부근에 밀집되고, 공정챔버에 입사된 아르곤 원자와 충돌하여 다시 타겟과 충돌할 수 있는 하전입자의 수를 증가시킬 수 있게 된다.Since the magnetic field generated by the magnet included in the
도 1b는 이러한 종래 마그네트 장치의 구성을 설명하기 위한 분해 사시도이다.1B is an exploded perspective view for explaining the configuration of such a conventional magnet device.
도면에서 보는 바와 같이 종래의 마그네트 장치(116)는 크게 마그네트 고정판 몸체(120)의 상부를 개폐하는 마그네트 고정판 뚜껑(118), 상기 마그네트 고정판 뚜껑에 장착된 모터(112) 및 상기 모터를 제어하는 모터 드라이버(122) 그리고 상기 모터와 연결되어 복수개의 자석을 포함하는 마그넷 어셈블리(110)를 회전시키는 회전축(미도시)을 포함하여 구성되었다.As shown in the drawing, the
또한, 상기 회전축과 상기 마그네트 어셈블리(110)의 결합은 상기 마그네트 어셈블리(110)의 중심부에 관통해 있는 상기 회전축(미도시)을 향해 상기 마그네트 어셈블리의 외부에서 수개의 스크류(미도시)를 삽입함으로서 고정시키는 방법을 사 용하였다.In addition, the combination of the rotating shaft and the
그러나, 이러한 구성의 종래 마그네트 장치는 상기 마그네트 어셈블리(110)를 내부에 포함하고 있는 마그네트 고정판(120)의 외부에서 상기 회전축과 상기 마그네트 어셈블리의 결합을 분해하는 방법이 없었다.However, in the conventional magnet device having such a configuration, there is no method of disassembling the combination of the rotation shaft and the magnet assembly outside the
따라서, 상기 마그네트 어셈블리(110)의 상하 위치를 조정할 필요가 있는 경우 등과 같이 상기 회전축과 상기 마그네트 어셈블리의 결합의 분해를 요하는 경우에 있어서, 상기 마그네트 고정판의 뚜껑(118)과 몸체(120)를 완전히 분해한 후에야 상기 마그네트 어셈블리와 상기 회전축의 분해 작업을 수행할 수 있는 문제점이 있었다.Therefore, in the case where disassembly of the combination of the rotating shaft and the magnet assembly is required, such as when the vertical position of the
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 마그넷 고정판 본체의 외부에서 그 내부에 포함되어 있는 마그넷 어셈블리를 결합 및 분리할 수 있는 마그네트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a magnet device capable of coupling and detaching a magnet assembly included therein from the outside of the magnet fixing plate body.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 복수개의 자석을 포함하는 마그네트 어셈블리; 상기 마그네트 어셈블리를 내부에 포함하는 마그네트 고정판; 상기 마그네트 고정판의 상측에 장착되는 모터; 및 상기 모터와 연결되어 상기 마그네트 어셈블리를 회전시키는 회전축;을 포함하여 구성되는 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 있어서, 상기 마그네트 고정판은 상기 마그네트 어셈블리를 상기 회전축으로부터 분해하는 수단의 삽입경로가 되는 관통홀을 성형하고 있으며 상기 관통홀을 개폐하는 고무 O-링을 포함하는 엔드캡을 추가로 장착하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치를 제공한다.To achieve this object, the present invention provides a magnet assembly including a plurality of magnets; A magnet fixing plate including the magnet assembly therein; A motor mounted on an upper side of the magnet fixing plate; And a rotating shaft connected to the motor to rotate the magnet assembly, wherein the magnet fixing plate is configured to form a through hole that is an insertion path of a means for disassembling the magnet assembly from the rotating shaft. The present invention provides a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility, further comprising an end cap including a rubber O-ring for opening and closing the through hole.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소 들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치를 설명하기 위한 도면이며, 종래의 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 도 1a,b와 동일한 도면 번호를 부여하였다.FIG. 2 is a view for explaining a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 1A and FIG.
본 발명의 실시예에 따른 마그네트 장치(200)는 마그네트 고정판(108)의 외부에서도 상기 마그네트 고정판의 내부에 안착되어 있는 마그네트 어셈블리(110)를 회전축(114)으로부터 분해하기 위한 관통홀(202)을 포함하고 있다.The
즉 본 발명의 실시예에 따른 마그네트 장치(200)는 종래의 구성과 동일한 구성요소로서 복수개의 자석을 포함하는 마그네트 어셈블리(110), 상기 마그네트 어셈블리를 내부에 포함하는 마그네트 고정판(108), 상기 마그네트 고정판의 상부에 장착된 모터(112) 및 상기 모터를 제어하는 모터 드라이버(122) 그리고 상기 모터와 상기 마그네트 어셈블리를 결합시키는 회전축(미도시)으로 구성된다.That is, the
그러나, 본 발명의 실시예에서 마그네트 장치(200)는 상기 회전축과 상기 마 그네트 어셈블리(110)의 결합을 상기 마그네트 고정판(108)의 외부에서 분해하도록 하는 관통홀(202)을 추가로 포함한다.However, in the embodiment of the present invention, the
이러한 관통홀(202)은 상기 회전축(미도시)과 상기 마그네트 어셈블리(110)가 스크류로 결합한 부위와 일하는 위치에 상기 마그네트 고정판(108)을 관통하도록 형성하며, T 렌치를 포함하는 분해 수단의 삽입 경로로 제공된다.The through
또한, 마그네트 고정판(108)은 타겟의 열화를 막을 수 있도록 하는 냉각수 유통로를 구비하고 있으며 공정 진행 중에는 냉각수가 공급되는 구조로 되어 있으므로, 본 발명은 공정 진행중 상기 냉각수의 유출을 방지하기 위하여 상기 관통홀(202)의 외측에 고무 O-링을 포함한 엔드캡(ENDCAP)을 추가로 장착한다.In addition, the
즉, 본 발명의 실시예에 따른 마그네트 장치(200)는 공정진행 중 상기 고무 O-링을 포함한 엔드캡(ENDCAP)이 상기 관통홀(202)을 밀폐하고 있으므로 냉각수의 유출없이 스퍼터링 공정을 진행할 수 있으며, 공정 진행 후 상기 마그네트 어셈블리(110)의 상하 위치 조정이 필요하다고 인정되는 경우, 상기 마그네트 고정판(108)의 외측에 형성된 관통홀(202)을 통해 T 렌츠 등을 포함하는 분해 수단을 삽입하는 방법으로 분해 작업을 수행함으로써 상기 회전축(미도시)과 상기 마그네트 어셈블리(110)의 스크류를 분해할 수 있다.That is, in the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아 니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 마그네트 고정판을 분해하지 않고도 그 내부에 포함되어 있는 마그네트 어셈블리를 회전축으로부터 분리를 할 수 있는 마그네트 장치를 제공할 수 있 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a magnet device capable of separating the magnet assembly included therein from the rotation shaft without disassembling the magnet fixing plate.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050109211A KR20070051534A (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050109211A KR20070051534A (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070051534A true KR20070051534A (en) | 2007-05-18 |
Family
ID=38274660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050109211A KR20070051534A (en) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070051534A (en) |
-
2005
- 2005-11-15 KR KR1020050109211A patent/KR20070051534A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100927561B1 (en) | Film forming equipment | |
KR100619112B1 (en) | Plasma processing device | |
US20110220494A1 (en) | Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication | |
US10550464B2 (en) | Physical vapor deposition method using backside gas cooling of workpieces | |
US6998033B2 (en) | Sputtering cathode adapter assembly and method | |
CN107004580B (en) | Dielectric deposition apparatus for physical vapor deposition | |
JPWO2016136121A1 (en) | Rotary cathode unit for magnetron sputtering equipment | |
JP2001271164A (en) | Magnetron having cooling system for substrate treatment system | |
US20110056829A1 (en) | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same | |
JP6480445B2 (en) | Encapsulated magnetron | |
EP1211332A1 (en) | Magnetron unit and sputtering device | |
US8858712B2 (en) | Electrode for use in plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
KR20070051534A (en) | Magnet apparatus of sputtering facility for manufacturing semiconductor device | |
JP5764467B2 (en) | Sputtering device, target device | |
US11348810B2 (en) | Dry etching device and method for controlling same | |
KR20010006989A (en) | Magnetron-plasma processing unit and magnetron-plasma processing method | |
US9957606B2 (en) | Physical vapor deposition system using rotating pallet with X and Y positioning | |
JP3729769B2 (en) | Plasma processing equipment | |
WO1999060617A1 (en) | Sputtering apparatus and magnetron unit | |
GB2522600A (en) | Sputtering device | |
US6903336B2 (en) | Polarity exchanger and ion implanter having the same | |
KR101988336B1 (en) | Inline sputtering apparatus | |
KR20110104362A (en) | Apparatus to sputter | |
US10053771B2 (en) | Physical vapor deposition system with target magnets controlled to only be above workpiece | |
JP2013199668A (en) | Sputtering apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |