KR20070047460A - Electron emission device and electron emission display device using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 집속 전극의 구조를 개선하여 방출되는 전자빔을 효과적으로 집속할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는, 기판과, 상기 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 상기 기판 위에 제공되어 상기 전자 방출부들에서의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들, 및 상기 구동 전극들 상부에서 상기 구동 전극들과 절연되어 위치하고, 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극을 포함한다. 이때 상기 집속 전극은 복수 층으로 구성되어, 전자빔을 보다 효과적으로 집속할 수 있다.The present invention relates to an electron emission device capable of effectively focusing an electron beam emitted by improving the structure of a focusing electrode, and an electron emission display device using the same, wherein the electron emission device according to the present invention is formed on a substrate and the substrate. A focusing electrode formed on the substrate, the driving electrodes provided on the substrate to control the emission of electrons from the electron emitting sections, and insulated from the driving electrodes on the driving electrodes, and forming openings for passing an electron beam; An electrode. In this case, the focusing electrode may be configured of a plurality of layers to focus the electron beam more effectively.
집속 전극, 비정질 실리콘, 게이트 전극, 캐소드 전극 Focusing electrode, amorphous silicon, gate electrode, cathode electrode
Description
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 일부를 분해하여 도시한 사시도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a part of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도2는 도1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.
도3은 집속 전극에서 전위 형성 시, 전자와 이온의 대전 상태를 도시한 상태도이다.Fig. 3 is a state diagram showing the state of charge of electrons and ions at the time of forming a potential in the focusing electrode.
도4는 집속 전극에 의하여 전자빔이 집속되는 상태를 도시한 상태도이다.4 is a state diagram showing a state in which an electron beam is focused by a focusing electrode.
본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 방출되는 전자빔을 효과적으로 집속할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.In general, electron emission elements may be classified into a method using a hot cathode and a cold cathode according to the type of electron source.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 어레이(Field Emitter Array: FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission: SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal: MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.Here, the electron-emitting device using the cold cathode may be a field array array (FEA) type, a surface conduction emission (SCE) type, a metal-insulation layer-metal : MIM) type and metal-insulation-semiconductor (MIS) type | mold are known.
이 중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질을 일 함수(work function) 낮거나 종횡비가 큰 물질을, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다. Among them, the FEA type electron emission device has an electron emission portion and a driving electrode for controlling electron emission of the electron emission portion, and includes one cathode electrode and one gate electrode, and the material of the electron emission portion has a low work function. For example, a material having a high aspect ratio, such as carbon nanotubes and carbon-based materials such as graphite and diamond-like carbon, uses a principle that electrons are easily released by an electric field in vacuum.
한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어지는 발광 유닛이 구비된 다른 일 기판과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.On the other hand, the electron emission elements are formed in an array on one substrate to form an electron emission device, and the electron emission device is combined with another substrate provided with a light emitting unit including a fluorescent layer, an anode electrode, and the like. An emission display device is configured.
즉, 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여, 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출부의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출되는 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.That is, a conventional electron emitting device has a plurality of driving electrodes which function as scan electrodes and data electrodes in addition to the electron emitting part, so that the electron emitting part on / off and the electron for each pixel are operated by the action of the electron emitting part and the driving electrodes. Control the amount of release. In addition, the electron emission display device excites the fluorescent layer with electrons emitted from the electron emission unit to perform a predetermined light emission or display function.
전자 방출 디바이스는 구동 전극들과 절연층 및 전자 방출부가 적층된 형태 로 이루어질 수 있다. 예를 들어 공지의 FEA형 전자 방출 디바이스는 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들이 순차적으로 형성되고, 게이트 전극들과 절연층에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극들 위에 전자 방출부가 배치된 형태로 이루어진다.The electron emission device may be formed by stacking driving electrodes, an insulating layer, and an electron emission unit. For example, in the known FEA type electron emission device, cathode electrodes, an insulating layer, and gate electrodes are sequentially formed on a substrate, and openings are formed in the gate electrodes and the insulating layer to expose a portion of the surface of the cathode electrode, and inside the opening. Thus, the electron emission parts are disposed on the cathode electrodes.
또한, 공지의 FEA형 전자 방출 디바이스에서 전자빔 집속을 위해 집속 전극이 더욱 구비되는 경우, 기판 위에 캐소드 전극들, 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극이 순차적으로 형성되고, 캐소드 전극들을 제외한 나머지 층들에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극 위에 전자 방출부가 형성된다.In addition, when a focusing electrode is further provided for electron beam focusing in a known FEA type electron emission device, cathode electrodes, a first insulating layer, a gate electrode, a second insulating layer and a focusing electrode are sequentially formed on a substrate, Openings are formed in the remaining layers except for the cathode electrodes to expose a portion of the surface of the cathode, and an electron emission portion is formed on the cathode inside the opening.
전자 방출 표시 디바이스는 스페이서를 개재하여 전자 방출 디바이스를 상기 발광 유닛이 구비된 상기 기판과 결합함으로써 형성된다.The electron emission display device is formed by coupling an electron emission device with the substrate provided with the light emitting unit via a spacer.
이와 같은 구조의 FEA형 전자 방출 디바이스 및 전자 방출 표시 디바이스는 제2 절연층 상에 집속 전극이 구비되어 있지만 전자 방출부에서 방출되는 전자빔을 일정하게 집속하기 어렵고, 또한 일부 전자들이 발광 유닛에 형성되어 있는 형광층을 여기시키지 못하고 스페이서에 충돌되어 차징(charging)되므로 형광층의 발광 효율을 저하시키는 단점을 가진다.The FEA type electron emission device and the electron emission display device having such a structure have a focusing electrode on the second insulating layer, but it is difficult to constantly focus the electron beam emitted from the electron emission portion, and some electrons are formed in the light emitting unit. Since it does not excite the fluorescent layer that is present, it is charged by the collision with the spacer (charging) has a disadvantage of lowering the luminous efficiency of the fluorescent layer.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 집속 전극의 구조를 개선하여 방출되는 전자빔을 효과적으로 집속할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron emission device and an electron emission display device using the same that can effectively focus the emitted electron beam by improving the structure of the focusing electrode.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스는, 기판과, 상기 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 상기 기판 위에 제공되어 상기 전자 방출부들에서의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들, 및 상기 구동 전극들 상부에서 상기 구동 전극들과 절연되어 위치하고, 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극을 포함하며, 상기 집속 전극이 복수 층으로 구성될 수 있다.In order to achieve the above object, an electron emission device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an electron emission portion formed on the substrate, and a drive provided on the substrate to control electron emission from the electron emission portions. And a focusing electrode disposed on the driving electrodes and insulated from the driving electrodes and forming openings for passing the electron beam, and the focusing electrode may be formed of a plurality of layers.
상기 집속 전극은 상기 구동 전극 상에 구비되는 절연층에 위치하는 제1 집속부와, 상기 제1 집속부 상에 구비되는 제2 집속부를 포함할 수 있다.The focusing electrode may include a first focusing part positioned on an insulating layer provided on the driving electrode, and a second focusing part provided on the first focusing part.
상기 제1 집속부는 전기적으로 연결되어 공통의 전위를 형성하고, 상기 제2 접속부는 상기 제1 집속부의 음 전압에 의하여, 상기 제1 접속부에 접촉되는 부분에 양의 이온이 배열되고 상기 제1 접속부로부터 먼 부분에 음의 전자가 배열될 수 있다.The first focusing part is electrically connected to form a common electric potential, and the second connecting part is arranged with a positive ion at a portion contacting the first connecting part by a negative voltage of the first focusing part, and the first connecting part Negative electrons can be arranged in the part farther from the.
상기 제1 집속부는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag) 중에서 선택된 어느 하나의 도전성 금속으로 이루어질 수 있다.The first focusing part may be made of any one conductive metal selected from chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), and silver (Ag).
상기 제2 집속부는 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.The second focusing part may be formed of amorphous silicon.
상기 구동 전극들은 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치하면서 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들과 게이트 전극들을 포함하며, 상기 전자 방출부들은 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 교차 영역마다 상기 캐소드 전극 위에 형성될 수 있다.The driving electrodes may include cathode electrodes and gate electrodes formed on different layers with an insulating layer interposed therebetween, and the electron emission portions may be formed at each crossing region of the cathode electrode and the gate electrode. It may be formed on the cathode electrode.
상기 집속 전극은 상기 교차 영역마다 상기 전자 방출부들을 동시에 노출시 키는 하나의 개구부를 구성할 수 있다.The focusing electrode may constitute an opening that simultaneously exposes the electron emission units at each crossing area.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는, 스페이서를 개재하여 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 상기 제1 기판 위에 제공되어 상기 전자 방출부들에서의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들, 상기 구동 전극들 상부에서 상기 구동 전극들과 절연되어 위치하고, 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극, 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 적색, 녹색, 청색의 형광층들, 상기 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 상기 집속 전극이 복수 층으로 구성될 수 있다.In addition, an electron emission display device according to another exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate and a second substrate disposed to face each other through a spacer, electron emission portions formed on the first substrate, and on the first substrate. Drive electrodes provided to control electron emission from the electron emission parts, a focusing electrode positioned to be insulated from the drive electrodes on the drive electrodes, and to form openings for passing an electron beam, on one surface of the second substrate Red, green, and blue fluorescent layers to be formed, the anode electrode formed on any one surface of the fluorescent layers, the focusing electrode may be composed of a plurality of layers.
상기 집속 전극은 상기 기판에 설정되는 단위 화소마다 하나의 개구부를 형성하고, 상기 형광층들은 상기 단위 화소마다 한가지 색상으로 대응할 수 있다.The focusing electrode may form one opening for each unit pixel set in the substrate, and the fluorescent layers may correspond to one color for each unit pixel.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 일부를 분해하여 도시한 사시도이고, 도2는 도1의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a part of an electron emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.
도면을 참조하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(30)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(30)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(30) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.Referring to the drawings, the electron emission display device includes a
이 제1 기판(10) 중 제2 기판(30)에 대향하는 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 어루며 배치되어 제1 기판(10)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 이 전자 방출 디바이스(100)가 스페이서(38)를 개재하여 제2 기판(30) 및 제2 기판(30)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.On the opposite surface of the
제1 기판(10) 위에는 제1 전극들(12, 이하 "캐소드 전극"이라 한다)이 제1 기판(10)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(14)이 형성된다. 제1 절연층(14) 위에는 제2 전극들(16, 이하 "게이트 전극"이라 한다)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.First electrodes 12 (hereinafter referred to as “cathode electrodes”) are formed on the
이 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16)의 교차 영역을 단위 화소로 정의하면, 캐소드 전극들(12) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(20)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(14)과 게이트 전극들(16)에는 각 전자 방출부(20)에 대응하는 개구부(141, 161)가 형성되어, 제1 기판(10) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다.When the intersection area between the
이 전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(㎚) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬 드상 카본(DLC), C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 스크린 인쇄, 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 등을 적용할 수 있다.The
다른 한편으로, 전자 방출부(20)는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 끝이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the
이 전자 방출부들(20)은 각 단위 화소에서 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16) 중 어느 한 전극, 일례로 캐소드 전극(12)의 길이 방향을 따라 일렬로 위치할 수 있으며, 원형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 단위 화소별 전자 방출부들(20)의 배열 형상과 전자 방출부(20)의 평면 형상은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.The
또한, 상기에서는 제1 절연층(14)을 사이에 두고 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극들(12) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하며, 이 경우 전자 방출부들은 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.In addition, in the above, the structure in which the
그리고, 게이트 전극들(16)과 제1 절연층(14) 위로 제3 전극(24, 이하 "집속 전극"이라 한다)이 형성된다. 이 집속 전극(24)은 복수 층 구조, 예로써 제1 집속부(241)와 제2 집속부(242)를 가지는 2층 구조로 형성된다. 이 집속 전극(24)의 하부에는 제2 절연층(22)이 위치하여 게이트 전극들(16)과 집속 전극(24)을 절연시킨다. 그리고 이 집속 전극(24)의 제1 집속부(241)와 제2 집속부(242) 및 제2 절연층 (22)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(243, 244, 221)가 마련된다.A third electrode 24 (hereinafter, referred to as a "focus electrode") is formed on the
이 집속 전극(24)의 개구부(243, 244)는 단위 화소마다 하나씩 형성되어 집속 전극(24)의 제1 집속부(241)와 제2 집속부(242)가 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하거나, 각 게이트 전극(16)의 개구부(163)마다 하나씩 형성되어 각 전자 방출부(20)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수 있다. 도면에서는 일례로 전자(前者)의 경우를 도시하였다.The
본 실시예에서 집속 전극(24)은 상기와 같이 제1 집속부(241)와 제2 집속부(242)로 구성되어 전자빔의 경로를 2번 집속함으로써 전자빔의 집속 효과를 보다 증가시킨다.In the present exemplary embodiment, the focusing
보다 구체적으로, 집속 전극(24)의 제1 집속부(241)와 제2 집속부(242)는 단위 화소들에 대응 배치되어 그 내부에 전술한 개구부(243, 244)를 형성하면서 제2 절연층(22) 상에 형성된다.More specifically, the first focusing
여기서 제1 집속부(241)는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag)과 같은 도전성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the first focusing
도3을 참조하면, 제1 집속부들(241)은 전자 방출부(20)로부터 방출되는 전자들(e-)을 일차로 집속시키며, 이를 위하여 전기적으로 연결되고 공통의 집속 접압을 인가 받는다. 제2 집속부들(242)은 제1 집속부(241) 상에 접촉 형성되어 제1 집속부(241)에 인가되는 음의 집속 전압에 의하여 이온들과 전자들의 배열을 형성한다. 즉 제1 접속부(241)에 음 전압이 인가되어 이에 음의 전자들이 배열된다. 그러면 제2 접속부(242)에서 제1 접속부(241)에 접촉되는 부분에는 양의 이온들이 배열되고, 제1 접속부(241)로부터 먼 부분에는 음의 전자들이 배열된다.Referring to FIG. 3, the first focusing
이로써 전자 방출부(20)로부터 방출되는 전자빔은 제1 접속부(241)의 음 전자들에 의하여 1차 집속되고(B1), 이어서 제2 접속부(242)의 음 전자들에 의하여 2차 집속되어(B2) 보다 효과적인 집속이 가능하게 된다.As a result, the electron beam emitted from the
즉, 제2 집속부(242)는 제1 접속부(241)에 의하여 집속된 1차 집속 빔(B1) 중 가상선 상태로 퍼지게 될 수 있는 일부 빔(B1)을 2차로 집속하여 스페이서(38)에 충돌되어 차징되는 것을 방지하고 형광층(32)에 충돌되게 한다(도4 참조).That is, the second focusing
이와 같이 제1 집속부(241)에 인가되는 집속 전압에 의하여 대전 현상을 일으킬 수 있도록 제2 집속부(242)는 반도체 물질로 이루어지며, 그 일례로 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 형성될 수 있다. 이 비정질 실리콘은 기계적 강도, 화학적 안정성 및 내열성이 강한 강점을 가진다. 이러한 비정질 실리콘은 집속 효율을 극대화하기 위하여 불순물이 도핑되지 않은 진성 비정질 실리콘을 사용할 수도 있고, 전자 또는 정공 소스를 도핑한 불순물 비정질 실리콘을 사용할 수도 있다.As such, the second focusing
또한, 이와 같은 집속 전극(24)은 전자빔의 효과적인 집속을 위하여 2층 이상의 집속부들로 이루어질 수도 있다.In addition, the focusing
한편, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(30)의 일면에는 형광층(32), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(32R, 32G, 32B)이 서로 간에 소정의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(32) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(34)이 형성된다. 이 형광층(32)은 제1 기판(10)에 설정된 단위 화소마다 하나의 형광층(32)이 대응하도록 배치된다.Meanwhile, on one surface of the
그리고, 형광층(32)과 흑색층(34) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(36)이 형성된다. 애노드 전극(36)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가 받아 형광층(32)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(32)에서 방사되는 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(30) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.An
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(30)을 향한 형광층(32)과 흑색층(34)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조로 가능하다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) rather than a metal film. In this case, the anode is positioned on one surface of the
그리고, 제1 기판(10)과 제2 기판(30) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 다수의 스페이서들(38)이 상기한 바와 같이 배치된다. 이 스페이서들(38)은 형광층(32)을 침범하지 않도록 흑색층(34)에 대응하여 위치한다.In addition, a plurality of
상기한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(12), 게이트 전들들(16), 제1 집속부(241), 제2 집속부(242) 및 애노드 전극(36)에 소정의 전압을 인가함으로서 구동된다.The above-described electron emission display device has a predetermined voltage from the outside to the
일례로 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가 받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전 압을 인가 받아 데이터 전극들로 기능한다.For example, any one of the
그리고 제1 집속부(241)는 전자빔의 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가 받으며, 애노드 전극(36)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가 받는다.The first focusing
그러면 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)간의 전위 차가 임계치 이상인 단위 화소들의 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 제1 집속부(241)의 개구부(243)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 1차 집속되고, 제2 집속부(242)의 개구부(244)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 2차 집속되며, 애노드 전극(36)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 단위 화소의 형광층(32)에 충돌함으로써 이를 효과적으로 발광시킨다.Then, an electric field is formed around the
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 집속 전극을 복수 층으로 형성하고, 이 집속 전극의 제1 집속부에 0 볼트 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 전압을 인가하여 이에 음의 전자들을 형성하여 전자빔을 1차로 집속하고, 상기 음 전압의 인가로 제2 집속부의 제1 집속부 접촉 부분에 양의 이온들이 배열되고 먼 부분에 음의 전자들이 배열되어, 1차로 집속된 전자빔을 제2 집속부의 전자들에 의하여 2차로 집속하므로 전자빔을 효과적으로 집속할 수 있고, 이로써 전자들이 스페이서에 충돌되어 차징되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 방출되는 전자빔을 보다 효과적으로 집속하여 형광층에 충돌시킴으로써 형광층의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the electron emission device according to the present invention forms a plurality of focusing electrodes, and applies negative voltages of 0 volts or several to several tens of volts to the first focusing portion of the focusing electrode to form negative electrons. The electron beam is focused first, and positive ions are arranged at the contact portion of the first focusing part of the second focusing part with the application of the negative voltage, and negative electrons are arranged at the far part, whereby the first focused electron beam is focused. Since secondary electrons are focused by the negative electrons, the electron beam can be effectively focused, thereby preventing the electrons from colliding with the spacer and being charged. Therefore, the electron emitting device according to the present invention can improve the luminous efficiency of the fluorescent layer by focusing the emitted electron beam more effectively and colliding with the fluorescent layer.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050104216A KR20070047460A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | Electron emission device and electron emission display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020050104216A KR20070047460A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | Electron emission device and electron emission display device using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20070047460A true KR20070047460A (en) | 2007-05-07 |
Family
ID=38272321
Family Applications (1)
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KR1020050104216A KR20070047460A (en) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | Electron emission device and electron emission display device using the same |
Country Status (1)
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2005
- 2005-11-02 KR KR1020050104216A patent/KR20070047460A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |