KR20070046656A - Method of preparing electron emission display device - Google Patents

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KR20070046656A
KR20070046656A KR1020050103519A KR20050103519A KR20070046656A KR 20070046656 A KR20070046656 A KR 20070046656A KR 1020050103519 A KR1020050103519 A KR 1020050103519A KR 20050103519 A KR20050103519 A KR 20050103519A KR 20070046656 A KR20070046656 A KR 20070046656A
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surface planarization
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planarization layer
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강정호
이수경
유승준
박진민
이원일
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명의 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 제조 방법은 전자 방출부가 형성된 제1 기판과 이 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제2 기판을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 제2 기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성하고, 상기 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 형광층을 형성하고, 상기 형광층 및 상기 흑색층에 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 제1 가교제 및 발포제를 포함하는 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 형광층에 도포하여, 제1 표면 평탄화층을 형성하고, 제2 감광성 모노머, 제2 광개시제, 제2 가교제 및 제2 용매를 포함하는 제2 표면 평탄화 조성물을 상기 제1 표면 평탄화층에 도포하여 제2 표면 평탄화층을 형성하고, 상기 제2 표면 평탄화층에 애노드 전극을 형성하고, 상기 제2 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거하는 공정을 포함한다.A manufacturing method of an electron emission display device of the present invention, the manufacturing method comprising: a first substrate on which an electron emission portion is formed and a first substrate disposed at an arbitrary distance from the first substrate to form a vacuum container together with the first substrate; A method of manufacturing an electron emission display device comprising two substrates, the method comprising: forming a black layer in a non-light emitting region set on the second substrate, forming a fluorescent layer in the light emitting region set on the second substrate, and forming the fluorescent layer And a first surface planarization composition comprising a first photosensitive monomer, a first photoinitiator, a first crosslinking agent, and a blowing agent on the black layer to the fluorescent layer to form a first surface planarization layer, and a second photosensitive monomer, A second surface planarization composition comprising a photoinitiator, a second crosslinking agent, and a second solvent is applied to the first surface planarization layer to form a second surface planarization layer; Forming an anode electrode on the planarization layer, and by firing the second substrate comprises the step of removing the surface flattening layer.

본 발명의 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법은 애노드 전극을 평탄하고 또한 탈락되지 않도록 제조할 수 있어, 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.The manufacturing method of the electron emission display device of this invention can manufacture an anode electrode so that it may be flat and will not fall, and can improve luminous efficiency and brightness.

전자방출표시디바이스,발포제,표면평탄화막,감광성모노머,광개시제 Emission display device, foaming agent, surface planarization film, photosensitive monomer, photoinitiator

Description

전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법{METHOD OF PREPARING ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of electron emission display device {METHOD OF PREPARING ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission display device according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 형성된 애노드 전극의 광학 사진.2 is an optical picture of the anode electrode formed according to Example 1 of the present invention.

도 3은 비교예에 따라 형성된 애노드 전극의 광학 사진.3 is an optical photograph of an anode electrode formed according to a comparative example.

[산업상 이용 분야][Industrial use]

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 애노드 전극이 탈락되는 문제없이 평탄하게 제조할 수 있어 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an electron emission display device, and more particularly, to a method of manufacturing an electron emission display device that can be manufactured flat without the problem of dropping the anode electrode, thereby improving luminous efficiency and luminance. .

[종래 기술][Prior art]

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 구분된다.In general, an electron emission element is classified into a method using a hot cathode and a method using a cold cathode.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이 (Field Emitter Array: 이하 FEA라 칭함), 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emitter: 이하 SCE라 칭함), 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal: 이하 MIM이라 칭함)형 및 금속-절연체-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor: 이하 MIS라 칭함)형 등이 알려져 있다.Here, the electron emission device using the cold cathode may include a field emitter array (FEA), a surface conduction emitter (SCE), a metal-insulator-metal (metal) -Insulator-Metal (hereinafter referred to as MIM) type and Metal-Insulator-Semiconductor (hereinafter referred to as MIS) type and the like are known.

이중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극이 구비되는 구성을 가지며, 상기 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이거나, 탄소 나노 튜브, 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 전자가 방출되는 원리를 이용한다. The dual FEA type electron emission device has an electron emission portion and a driving electrode for controlling electron emission of the electron emission portion, and includes one cathode electrode and one gate electrode, and has a work function as a material of the electron emission portion. Low tip) or high aspect ratio materials, for example, tip-shaped tip structures based on molybdenum (Mo) or silicon (Si), or carbon-based materials such as carbon nanotubes, graphite and diamond-like carbon It uses the principle that electrons are emitted by an electric field in a vacuum using a material.

이러한 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 표시 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.These electron emission devices are formed in an array on one substrate to form an electron emission device, and the electron emission display device is combined with another substrate having a light emitting unit including a fluorescent layer and an anode electrode to emit electrons. A display device (electron emission display device) is constituted.

즉 통상의 전자 방출 표시 디바이스는 일 기판 위에 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하고, 다른 일 기판 위에 발광 유닛을 구비한다. 이로써 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어하고, 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.That is, a typical electron emission display device includes a plurality of driving electrodes that function as scan electrodes and data electrodes along with an electron emission unit on one substrate, and a light emitting unit on the other substrate. Accordingly, the on / off of electron emission and the amount of electron emission are controlled by the action of the electron emission part and the driving electrodes, and the fluorescent layer is excited by the electrons emitted from the electron emission part to perform a predetermined light emission or display function.

상기한 전자 방출 표시 디바이스에서 알루미늄과 같은 금속막이 애노드 전극으로 사용될 수 있다. 이 금속의 애노드 전극은 형광층과 흑색층을 덮도록 형성되며, 형광층에서 방출된 가시광 중 제1 기판을 향해 방출된 가시광을 제2 기판측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.In the above electron emission display device, a metal film such as aluminum may be used as the anode electrode. The anode of the metal is formed to cover the fluorescent layer and the black layer, and serves to increase the brightness of the screen by reflecting the visible light emitted toward the first substrate among the visible light emitted from the fluorescent layer.

그런데 형광층은 대략 수 마이크로미터 크기의 형광체 입자들이 적층된 형태로 이루어지고, 애노드 전극은 전자 투과도 등을 고려해 대략 수천 옴스트롱의 얇은 두께로 형성되어야 하므로, 형광층 표면에 알루미늄을 직접 증착하는 경우에는 알루미늄이 형광층 입자 표면을 균일하게 커버하지 못하고 중간에 끊어짐 현상이 발생하여 애노드 전극을 균일하게 형성하기 어려운 문제가 있다.However, since the fluorescent layer is formed by stacking phosphor particles having a size of about several micrometers, and the anode electrode should be formed with a thin thickness of about several thousand ohms in consideration of electron transmittance, etc., when directly depositing aluminum on the surface of the fluorescent layer There is a problem in that aluminum does not uniformly cover the surface of the fluorescent layer particles and breakage occurs in the middle, making it difficult to uniformly form the anode electrode.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 제2 기판의 형광층과 흑색층 위에 표면 평탄화층을 형성하고, 그 위에 알루미늄을 증착하여 애노드 전극을 형성하고 있다. 표면 평탄화층은 소성에 의해 제거되므로, 소성 후의 애노드 전극은 형광층 및 흑색층과 소정의 갭을 사이에 두고 위치하며, 표면 평탄화층 표면에 매끄럽게 증착되어 끊어짐이 감소하고, 반사 효율이 높아진다.In order to solve this problem, a surface planarization layer is formed on the fluorescent layer and the black layer of the second substrate, and aluminum is deposited thereon to form an anode electrode. Since the surface planarization layer is removed by firing, the anode electrode after firing is positioned with the fluorescent layer and the black layer interspersed with a predetermined gap, and is smoothly deposited on the surface of the surface planarization layer to reduce breakage and increase reflection efficiency.

그러나 표면 평탄화층을 소성에 의해 제거할 때, 형광층과 제2 기판이 서로 분리되어, 형광층, 표면 평탄화층 및 애노드 전극이 모두 제2 기판으로부터 분리되어 탈락되는 문제가 발생되고 있다.However, when the surface planarization layer is removed by firing, a problem arises in that the fluorescent layer and the second substrate are separated from each other, and the fluorescent layer, the surface planarization layer, and the anode electrode are all separated from the second substrate.

본 발명은 목적은 애노드 전극이 탈락되지 않고, 평탄화하게 형성할 수 있어 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법을 제 공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electron emission display device which can be formed to be flattened without dropping the anode electrode, thereby improving luminous efficiency and luminance.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 전자 방출부가 형성된 제1 기판과 이 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제2 기판을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법으로서,In order to achieve the above object, the present invention provides an electron emission display comprising a first substrate having an electron emission portion formed thereon and a second substrate disposed at an arbitrary distance from the first substrate to form a vacuum container together with the first substrate. As a manufacturing method of a device,

상기 제2 기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성하고, 상기 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 형광층을 형성하고, 상기 형광층 및 상기 흑색층에 표면 평탄화층을 형성하고, 상기 표면 평탄화층에 애노드 전극을 형성하고, 상기 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거하는 공정을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 있어서, 상기 표면 평탄화층은 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제 및 발포제를 포함하는 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 형광층 및 상기 흑색층에 도포하여, 제1 표면 평탄화층을 형성한 후, 제2 감광성 모노머 및 제2 광개시제를 포함하는 제2 표면 평탄화 조성물을 상기 제1 표면 평탄화층에 도포하여 제2 표면 평탄화층을 형성하는 공정으로 제조된다. 이때, 상기 제1 표면 평탄화 조성물을 도포하고, 노광 및 현상 공정을 실시한 후, 제2 표면 평탄화 조성물을 도포할 수도 있고, 노광 및 현상 공정을 실시하지 않고 건조 공정만 실시한 후, 제2 표면 평탄화 조성물을 도포할 수도 있다.A black layer is formed on the non-light emitting region set on the second substrate, a fluorescent layer is formed on the light emitting region set on the second substrate, and a surface planarization layer is formed on the fluorescent layer and the black layer. A method of manufacturing an electron emission display device comprising forming an anode electrode on a planarization layer and baking the substrate to remove the surface planarization layer. In the present invention, the surface planarization layer is formed by applying a first surface planarization composition comprising a first photosensitive monomer, a first photoinitiator and a blowing agent to the fluorescent layer and the black layer to form a first surface planarization layer, A second surface planarization composition comprising a second photosensitive monomer and a second photoinitiator is applied to the first surface planarization layer to form a second surface planarization layer. In this case, the first surface planarization composition is applied, the exposure and development steps are performed, and then the second surface planarization composition may be applied, and only the drying step is performed without performing the exposure and development steps. May be applied.

이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 애노드 전극을 평탄화하기 위해 형성하는 표면 평탄화층 제조 공정을 개선하여, 애노 드 전극이 탈락되지 않으면서 평탄하게 형성시켜 발광 효율 및 휘도를 향상시키기 위한 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electron emission display device, and in particular, to improve a surface planarization layer manufacturing process for forming an anode electrode, to form a flat surface without dropping the anode electrode, thereby improving luminous efficiency and luminance. The present invention relates to a method for manufacturing an electron emission display device.

본 발명의 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법에 관하여 자세하게 설명하며, 전자 방출부가 형성된 제1 기판은 종래 제조 공정과 동일하므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하며, 상기 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 기판과 함께 진공 용기를 형성하며, 애노드 전극이 형성되는 제2 기판에 관한 내용만 다음과 같이 자세하게 설명하고자 한다.The manufacturing method of the electron emission display device of the present invention will be described in detail, and since the first substrate on which the electron emission unit is formed is the same as in the conventional manufacturing process, detailed description thereof will be omitted and disposed at an arbitrary distance from the first substrate. To form a vacuum container together with the first substrate, and only the second substrate on which the anode electrode is formed will be described in detail as follows.

먼저 상기 제2 기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성한다. 이 흑색층은 형광막 패턴 사이에 외광의 반사를 감소시켜 디스플레이의 콘트라스트(contrast)를 향상시키는 역할을 한다.First, a black layer is formed in the non-light emitting region set on the second substrate. This black layer serves to improve the contrast of the display by reducing reflection of external light between the fluorescent film patterns.

상기 흑색층을 형성하는 공정은 흑색층 조성물을 사용하여 전기 영동법, 스크린 인쇄, 스핀 코팅 등 어떠한 방법에 따라 실시하여도 무방하다. 상기 흑색층 조성물은 흑연과 같은 탄소 물질, 또는 크롬 산화물, 인듐, 주석, 인듐-주석, 구리, 안티몬, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 아연, 납, 크롬 등의 금속과 SiO, SiO2, MgF2 및 SiNx(x는 1 이상의 정수) 등의 유전성 물질 등을 포함할 수 있다.The step of forming the black layer may be performed by any method such as electrophoresis, screen printing, spin coating, etc. using the black layer composition. The black layer composition may be formed of a carbon material such as graphite, or metals such as chromium oxide, indium, tin, indium-tin, copper, antimony, titanium, manganese, cobalt, nickel, zinc, lead, chromium, and SiO, SiO 2 , MgF Dielectric materials such as 2 and SiN x (x is an integer of 1 or more).

이어서, 상기 흑색층 사이, 즉 설정된 발광 영역에 형광층을 형성한다. 형광층 형성 공정은 형광체 조성물을 사용하여 스핀 코팅 등 종래 형광층 형성 공정이면 어떠한 방법에 따라 실시하여도 무방하다. 상기 형광층 조성물은 형광체, 감광성 모노머 및 광개시제를 포함할 수 있다. 상기 형광체로는 종래 적색, 녹색 또 는 청색 형광체로 사용되던 물질은 모두 사용할 수 있으며, 적색 형광체로는 Y2O2S:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu, Y(V,P)O4:Eu,(Y,Gd)BO2:Eu, SrTiO3:Pr 또는 이들의 혼합물을 대표적으로 사용할 수 있다.Subsequently, a fluorescent layer is formed between the black layers, that is, in the set emission region. The fluorescent layer forming step may be performed according to any method as long as it is a conventional fluorescent layer forming step such as spin coating using a phosphor composition. The fluorescent layer composition may include a phosphor, a photosensitive monomer and a photoinitiator. As the phosphor, any material used as a conventional red, green, or blue phosphor may be used, and as the red phosphor, Y 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 3 : Eu, YVO 4 : Eu, Y (V, P) O 4 : Eu, (Y, Gd) BO 2 : Eu, SrTiO 3 : Pr or mixtures thereof can be used representatively.

또한, 상기 녹색 형광체로는 녹색 형광체로는 ZnS:Cu,Al, ZnS:Cu, SrGa2S4:Eu, CaS:Ce, La2O2S:Tb, Y2O2S:Tb, Y2SiO5:Tb, Gd2O2S:Tb, Zn(Ga,Al)2O4:Mn, (Ba,Sr,Mg)O-nAl2O3:Mn, ZnGa2O4:Mn, Zn2SiO4:Mn, SrGa2S4:Eu 또는 ZnS:Cu를 사용할 수 있고, 상기 청색 형광체로는 SrGa2S4:Ce, ZnS:Ag, Y2SiO5:Ce, Sr5(PO4)3Cl:Eu, ZnS:Ag, BaMgAl10O17:Eu 또는 이들의 혼합물을 대표적으로 사용할 수 있다. In addition, as the green phosphor, as the green phosphor, ZnS: Cu, Al, ZnS: Cu, SrGa 2 S 4 : Eu, CaS: Ce, La 2 O 2 S: Tb, Y 2 O 2 S: Tb, Y 2 SiO 5: Tb, Gd 2 O 2 S: Tb, Zn (Ga, Al) 2 O 4: Mn, (Ba, Sr, Mg) O-nAl 2 O 3: Mn, ZnGa 2 O 4: Mn, Zn 2 SiO 4 : Mn, SrGa 2 S 4 : Eu or ZnS: Cu may be used, and the blue phosphor may be SrGa 2 S 4 : Ce, ZnS: Ag, Y 2 SiO 5 : Ce, Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu, ZnS: Ag, BaMgAl 10 O 17 : Eu or mixtures thereof can be representatively used.

상기 흑색층 및 상기 형광층에 표면 평탄화층을 형성한다. 본 발명에서 표면 평탄화층은 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 제1 가교제, 발포제 및 제1 용매를 포함하는 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 흑색층 및 형광층 위에 도포하여 제1 표면 평탄화층을 형성한 후, 제2 감광성 모노머, 제2 광개시제, 제2 가교제 및 제2 용매를 포함하는 제2 표면 평탄화 조성물을 상기 제1 표면 평탄화층에 도포하여 제2 표면 평탄화층을 형성할 수 있다.A surface planarization layer is formed on the black layer and the fluorescent layer. In the present invention, the surface planarization layer is formed by applying a first surface planarization composition including a first photosensitive monomer, a first photoinitiator, a first crosslinking agent, a blowing agent, and a first solvent on the black layer and the fluorescent layer to form a first surface planarization layer. Thereafter, a second surface planarization composition including a second photosensitive monomer, a second photoinitiator, a second crosslinking agent, and a second solvent may be applied to the first surface planarization layer to form a second surface planarization layer.

이때, 상기 제1 표면 평탄화 조성물을 도포한 후, 제1 노광 및 제1 현상 공정을 실시한 후, 제2 표면 평탄화 조성물을 도포할 수도 있고, 상기 제1 표면 평탄화 조성물을 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 실시하지 않고 건조 공정을 실시한 후, 제2 표면 평탄화 조성물을 도포할 수도 있다. 상기 제1 노광 공정은 포토마스 크를 사용해서 자외선 노광 장치를 이용하여 실시한다. 이때, 조사하는 자외선은 150 내지 500 mJ/cm2가 바람직하다.In this case, after applying the first surface planarization composition, after performing the first exposure and first development steps, the second surface planarization composition may be applied, or after applying the first surface planarization composition, exposure and development After performing a drying process without performing a process, you may apply | coat a 2nd surface planarization composition. The said 1st exposure process is performed using an ultraviolet exposure apparatus using a photomask. At this time, the ultraviolet ray to be irradiated is preferably 150 to 500 mJ / cm 2 .

상기 제1 현상 공정은 일반적으로 현상액을 분사하여 50 내지 100초 동안 실시한다. 이때 현상액으로는 0.4 내지 0.8% 농도의 Na2CO3 수용액이 일반적으로 사용되나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 상기 노광 및 현상 공정을 실시하는 경우 상기 건조 공정은 약 100℃에서 10분 내지 15분 동안 실시한다. The first developing process is generally performed by spraying a developer for 50 to 100 seconds. In this case, a Na 2 CO 3 aqueous solution having a concentration of 0.4 to 0.8% is generally used, but is not limited thereto. In addition, in the case of performing the exposure and development processes, the drying process is performed at about 100 ° C. for 10 to 15 minutes.

상기 노광, 현상 공정 및 건조 공정의 조건이 상기 조건을 벗어나는 경우에는 미현상 또는 과현상이 일어나서 바람직하지 않다.When the conditions of the exposure, the developing process and the drying process deviate from the above conditions, undeveloped or overdeveloped is not preferable.

제1 노광 및 제1 현상 공정을 실시 여부와 상관없이 제2 표면 평탄화 조성물을 도포한 후에 제2 노광 및 제2 현상 공정은 실시한다. 이 제2 노광 및 제2 현상 공정은 상기 제1 노광 및 제1 현상 공정과 동일하게 실시한다.Regardless of whether the first exposure and first development steps are performed, the second exposure and second development steps are performed after the second surface planarization composition is applied. The second exposure and the second development steps are performed in the same manner as the first exposure and the first development steps.

상기 제1 및 제2 표면 평탄화층의 바람직한 두께는 제1 노광 및 제1 현상 공정 실시 여부에 따라 조절할 수 있으며, 실시하는 경우 제1 표면 평탄화층의 바람직한 두께는 4 내지 6㎛가 바람직하고, 상기 제2 표면 평탄화층은 1 내지 2㎛가 바람직하다. 제1 노광 및 제1 현상 공정을 실시하지 않는 경우에는 제1 표면 평탄화층은 4 내지 6㎛가 바람직하고, 제2 표면 평탄화층은 1 내지 3㎛가 바람직하다. Preferred thicknesses of the first and second surface planarization layers may be adjusted according to whether the first exposure and the first development processes are performed, and in the case of implementation, the preferred thickness of the first surface planarization layer is preferably 4 to 6 μm. As for a 2nd surface planarization layer, 1-2 micrometers are preferable. When 1st exposure and a 1st image development process are not implemented, 4-6 micrometers is preferable for a 1st surface planarization layer, and 1-3 micrometers is preferable for a 2nd surface planarization layer.

상기 제1 표면 평탄화층 및 제2 표면 평탄화층의 두께 범위가 상기 범위보다 얇을 경우에는 휘도 감소가 일어나서 바람직하지 않고, 상기 범위보다 두꺼운 경우에는 소성 공정에서 소성로의 팬의 풍압으로 인해 떨어질 수 있어 바람직하지 않 다.When the thickness ranges of the first surface planarization layer and the second surface planarization layer are thinner than the above ranges, the luminance decreases, which is undesirable. Don't.

상기 제1 및 제2 감광성 모노머는 동일하거나 서로 독립적으로 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 또는 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트를 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The first and second photosensitive monomers are the same or independently of each other ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tetramethylolpropane tetraacrylate, Tetramethylol propane trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate or pentaerythritol tetramethacrylate can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

상기 제1 및 제2 광개시제는 동일하거나 서로 독립적으로 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 또는 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The first and second photoinitiators are the same or independently from each other benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 2,2 Diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropano-1-one, 2 Benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide or bis (2 Or 4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 발포제로는 아조디카본아마이드(C2H4N4O2)를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the blowing agent may be used azodicarbonamide (C 2 H 4 N 4 O 2 ), but is not limited thereto.

상기 제1 및 제2 가교제는 동일하거나 서로 독립적으로 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라 아크릴레이트 또는 펜타에리스리톨 테트라 메타크릴레이트 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The first and second crosslinking agents are the same or independently of each other ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tetramethylolpropane tetraacrylate, tetramethyl Olpropane tetramethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate or pentaerythritol tetramethacrylate can be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 제1 및 제2 용매는 동일하거나 서로 독립적으로 에틸 카비톨, 부틸카비톨, 에틸 카비톨 아세테이트, 부틸카비톨 아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 에틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 트리프로필렌 글리콜를 사용할 수 있다. 이들 용매는 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.The first and second solvents are the same or independently of each other ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, di Propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, tripropylene glycol can be used. These solvents may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명의 제1 표면 평탄화 조성물에서, 발포제의 함량이 가장 중요하며, 그 양은 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 제1 가교제 및 용매 전체 중량에 대하여 5 내지 15 중량%가 바람직하다. 발포제의 함량이 5 중량% 미만이면, 소성 공정에서 부풀어오를 수 있고, 15 중량%를 초과하는 경우에는 휘도가 감소되어 바람직하지 않다.In the first surface planarizing composition of the present invention, the content of the blowing agent is most important, and the amount is preferably 5 to 15% by weight based on the total weight of the first photosensitive monomer, the first photoinitiator, the first crosslinking agent and the solvent. If the content of the blowing agent is less than 5% by weight, it may swell in the firing process, and if it exceeds 15% by weight, the luminance is reduced, which is not preferable.

이외에 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제 및 용매의 혼합 비율은 목적하는 물성에 따라 적절하게 조절할 수 있다.In addition, the mixing ratio of the first photosensitive monomer, the first photoinitiator and the solvent can be appropriately adjusted according to the desired physical properties.

이어서, 상기 표면 평탄화층에 애노드 전극을 형성한다. 애노드 전극은 표면 평탄화층의 전면에 형성한다. 상기 애노드 전극은 알루미늄과 같은 금속을 증기 증착 또는 스퍼터링하여 형성한다.Subsequently, an anode electrode is formed on the surface planarization layer. The anode electrode is formed on the entire surface of the surface planarization layer. The anode electrode is formed by vapor deposition or sputtering of a metal such as aluminum.

이어서, 상기 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거한다. 이 소성 공정은 450 내지 490℃에서 실시하며, 일반적으로 공기 분위기 하에서 실시한다. 상기 소성 공정의 온도가 450℃ 미만이면, 소성이 완전하게 실시되지 않고, 490℃를 초과하면, 형광체의 열화가 일어나서 바람직하지 않다.The substrate is then baked to remove the surface planarization layer. This baking process is performed at 450-490 degreeC, and is generally performed in air atmosphere. If the temperature of the said baking process is less than 450 degreeC, baking will not be performed completely, and if it exceeds 490 degreeC, deterioration of fluorescent substance will arise and it is unpreferable.

이 소성 공정에서, 발포제가 첨가된 제1 표면 평탄화층은 발포되어 표면 평탄화층의 높이를 유지하면서 또한, 발포로 인해 형성된 핀홀을 통해 제1 및 제2 표면 평탄화층이 보다 쉽게 제거될 수 있다. In this firing process, the first surface planarization layer to which the blowing agent is added is foamed to maintain the height of the surface planarization layer, and the first and second surface planarization layers can be more easily removed through pinholes formed due to foaming.

또한 상기 제2 표면 평탄화층은 발포제를 포함하지 않으므로 제1 표면 평탄화층이 발포제로 인해 부풀어 올라 표면 거칠기가 증가될 수 있는 문제를 방지하여 표면을 평탄화시킬 수 있다. In addition, since the second surface planarization layer does not include a foaming agent, the first surface planarization layer may be flattened by preventing the problem that the surface roughness may increase due to swelling due to the foaming agent.

본 발명의 전자 방출 표시 디바이스를 첨부된 도면을 참고하여 설명하기로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The electron emission display device of this invention is demonstrated with reference to attached drawing.

도 1은 본 발명의 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다. 전자 방출 표시 디바이스는 내부 공간부를 사이에 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 구조물이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하기 위한 구조물이 제공된다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission display device of the present invention. The electron emission display device includes a first substrate 2 and a second substrate 4 which are disposed in parallel to each other with an internal space therebetween. Among these substrates, the first substrate 2 is provided with a structure for emitting electrons, and the second substrate 4 is provided with a structure for emitting visible light by electrons to perform any light emission or display.

먼저, 제1 기판(2)에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 제2 기판(2)의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방 향)을 따라 스트라이프패턴으로 형성된다.First, cathode electrodes 6, which are first electrodes, are formed on the first substrate 2 in a stripe pattern along one direction (y-axis direction of the drawing) of the second substrate 2, and the cathode electrodes 6 are formed. The first insulating layer 8 is formed on the entire first substrate 2 while covering it. Gate electrodes 10, which are second electrodes, are formed on the first insulating layer 8 in a stripe pattern along a direction orthogonal to the cathode electrode 6 (x-axis direction in the drawing).

본 발명에서, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(8a, 10a)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.In the present invention, when the intersection region of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is defined as a pixel region, one or more electron emission portions 12 are formed in each pixel region over the cathode electrode 6, and the first insulation is formed. Openings 8a and 10a corresponding to the electron emission portions 12 are formed in the layer 8 and the gate electrode 10 to expose the electron emission portions 12 on the first substrate 2.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission unit 12 is formed of materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer (nm) size material. Preferred materials for use as the electron emitter 12 include carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamond, diamond-like carbon, C 60 , silicon nanowires, and combinations thereof. Screen printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering may be applied.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(12)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.In the drawing, the electron emission parts 12 are formed in a circular shape and arranged in a line along the length direction of the cathode electrode 6 in each pixel area. However, the planar shape of the electron emission unit 12, the number and arrangement form per pixel area, etc. are not limited to the illustrated example and may be variously modified.

한편, 상기에서는 제1 절연층(8)을 사이에 두고 게이트 전극(10)이 캐소드 전극(6) 상부에 위치하는 경우를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 경우도 가능하다. 이 경우에는 전자 방출부가 절연 층 위에서 캐소드 전극의 측면과 접촉하며 위치할 수 있다.Meanwhile, in the above, the case in which the gate electrode 10 is positioned above the cathode electrode 6 with the first insulating layer 8 interposed therebetween has been described. In the opposite case, that is, the cathode electrode is positioned above the gate electrode. It is also possible. In this case, the electron emission portion may be positioned in contact with the side of the cathode electrode over the insulating layer.

그리고 게이트 전극(10)과 제1 절연층(8) 위로 제2 절연층(14)과 집속 전극(16)이 형성된다. 제2 절연층(14)과 집속 전극(16)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(14a, 16a)가 마련되는데, 일례로 이 개구부(14a, 16a)는 화소 영역당 하나가 구비되어 집속 전극(16)이 한 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다. 이 때, 집속 전극(16)은 전자 방출부(12)와의 높이 차이가 클수록 우수한 집속 효과를 발휘하므로, 제2 절연층(14)의 두께를 제1 절연층(8)의 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.The second insulating layer 14 and the focusing electrode 16 are formed on the gate electrode 10 and the first insulating layer 8. The second insulating layer 14 and the focusing electrode 16 are also provided with openings 14a and 16a for passing electron beams. For example, one of the openings 14a and 16a is provided for each pixel area so that the focusing electrode 16 can be provided. The electrons emitted by this pixel are collectively focused. At this time, the focusing electrode 16 exhibits an excellent focusing effect as the height difference from the electron emitting part 12 increases, so that the thickness of the second insulating layer 14 is greater than the thickness of the first insulating layer 8. It is preferable.

집속 전극(16)은 제1 기판(2) 전체에 형성된다. 또한, 집속 전극(16)은 제2 절연층(14) 위에 코팅된 도전막으로 이루어지거나, 개구부(16a)를 구비한 금속 플레이트로 이루어질 수 있다.The focusing electrode 16 is formed on the entire first substrate 2. In addition, the focusing electrode 16 may be formed of a conductive film coated on the second insulating layer 14 or may be formed of a metal plate having an opening 16a.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R, 18G, 18B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다. 도 1에서는 형광층(18)과 흑색층(20)이 스트라이프패턴으로 형성된 경우를 도시하였으나, 형광층(18)은 제1 기판(2) 상에 설정되는 화소 영역들에 일대일로 대응하도록 개별적으로 위치할 수 있으며, 이 경우 흑색층(20)은 형광층(18)을 제외한 모든 비발광 영역 상에 형성된다.Next, on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, the fluorescent layer 18, for example, the red, green, and blue fluorescent layers 18R, 18G, and 18B may be spaced at random intervals. The black layer 20 is formed between the fluorescent layers 18 to improve contrast of the screen. In FIG. 1, the phosphor layer 18 and the black layer 20 are formed in a stripe pattern, but the phosphor layer 18 is individually provided to correspond to the pixel areas set on the first substrate 2 in one-to-one correspondence. In this case, the black layer 20 is formed on all of the non-light emitting regions except for the fluorescent layer 18.

형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.An anode electrode 22 made of a metal film such as aluminum is formed on the fluorescent layer 18 and the black layer 20. The anode electrode 22 receives a high voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside, and reflects the visible light emitted toward the first substrate 2 among the visible light emitted from the fluorescent layer 18 to the second substrate 4 side of the screen. It increases the brightness.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.The anode electrode may be made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) instead of a metal film. In this case, the anode electrode may be positioned on one surface of the fluorescent layer facing the second substrate and the black layer, and may be formed in plural in a predetermined pattern.

전술한 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 그 사이에 스페이서들(24)을 배치한 상태에서 글래스 프릿과 같은 밀봉재에 의해 가장자리가 일체로 접합되고, 내부 공간부를 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다. 이때 스페이서들(24)은 흑색층(20)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 배치된다.The first substrate 2 and the second substrate 4 described above are integrally bonded to each other by a sealing material such as glass frit in a state where spacers 24 are disposed therebetween, and the inner space is evacuated to form a vacuum. The electron emission display device is constituted by maintaining it. In this case, the spacers 24 are disposed corresponding to the non-light emitting region where the black layer 20 is located.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극(6), 게이트 전극(10), 집속 전극(16) 및 애노드 전극(22)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 중 어느 한 전극에는 주사 신호 전압이, 다른 한 전극에는 데이터 신호 전압이 인가되고, 집속 전극(16)에는 수 내지 수십 볼트의 (-)직류 전압이 인가되며, 애노드 전극(22)에는 수백 내지 수천 볼트의 (+)직류 전압이 인가된다.The electron emission display device having the above configuration is driven by supplying a predetermined voltage to the cathode electrode 6, the gate electrode 10, the focusing electrode 16, and the anode electrode 22 from the outside, for example, the cathode electrode 6 The scan signal voltage is applied to one of the and gate electrodes 10, the data signal voltage is applied to the other electrode, and the negative electrode voltage of several to several tens of volts is applied to the focusing electrode 16. 22, a positive DC voltage of several hundred to several thousand volts is applied.

따라서, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들은 집속 전극(16)을 통과하면서이로부터 척력을 인가받아 전자빔 다발의 중심부로 집속된 후 애노드 전극에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.Therefore, in the pixels where the voltage difference between the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission unit 12 to emit electrons from the electrons, and the emitted electrons may cause the focusing electrode 16 to emit. When passing through, the repulsive force is applied and focused to the center of the electron beam bundle, and then attracted by the high voltage applied to the anode electrode to impinge on the corresponding fluorescent layer to emit light.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

기판 상의 비발광 영역에 흑색층을 형성하고, 이 흑색층 사이에 적색, 녹색 및 청색 형광층을 형성하였다. A black layer was formed in the non-light emitting region on the substrate, and red, green, and blue fluorescent layers were formed between the black layers.

이어서, 상기 형광층 위에 제1 표면 평탄화 조성물을 도포하고, 고압 수은 램프가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 약 200 내지 300mJ/cm2의 자외선을 70초간 조사하여 제1 노광하고, 현상액으로 0.8% 농도의 Na2CO3 수용액을 사용하여 50초간 제1 현상 공정을 실시하여 5㎛ 두께의 제1 표면 평탄화층을 형성하였다. Subsequently, a first surface planarization composition was applied on the fluorescent layer, and the first exposure was performed by irradiating ultraviolet light of about 200 to 300 mJ / cm 2 for 70 seconds using an ultraviolet exposure apparatus equipped with a high-pressure mercury lamp, followed by 0.8% with a developer. The first development process was performed for 50 seconds using an aqueous Na 2 CO 3 solution at a concentration to form a first surface planarization layer having a thickness of 5 μm.

이어서, 제2 표면 평탄화 조성물을 제1 표면 평탄화층에 도포하고 제2 노광 및 제2 현상하여 2㎛ 두께의 제2 표면 평탄화층을 형성하였다. 이때 제2 노광 및 제2 현상 공정은 상기 제1 노광 및 제1 현상 공정과 동일하게 실시하였다.Subsequently, a second surface planarization composition was applied to the first surface planarization layer and subjected to second exposure and second development to form a second surface planarization layer having a thickness of 2 μm. At this time, the second exposure and the second development steps were performed in the same manner as the first exposure and the first development steps.

상기 제1 표면 평탄화 조성물은 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 제1 감광성 모노머, 벤조 페논 제1 광개시제, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트 가교제, 아조디카본아마이드(C2H4N4O2) 발포제 및 에틸 카비톨 아세테이트 제1 용매를 포함하는 것을 사용하였고, 상기 제2 표면 평탄화 조성물은 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 제2 감광성 모노머, 벤조 페논 제2 광개시제, 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트 가교제 및 에틸 카비톨 아세테이트 제2 용매를 포함하는 것을 사용하였다. 이때, 상기 제1 표면 평탄화 조성물에서 발포제의 함량은 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 가교제 및 용매 전체 중량에 대하여 10 중량%로 하였다.The first surface planarizing composition comprises ethylene glycol diacrylate first photosensitive monomer, benzophenone first photoinitiator, pentaerythritol tetramethacrylate crosslinker, azodicarbonamide (C 2 H 4 N 4 O 2 ) blowing agent and ethyl carbitol An acetate first solvent was used, and the second surface planarization composition was prepared by using an ethylene glycol diacrylate second photosensitive monomer, a benzophenone second photoinitiator, a pentaerythritol tetramethacrylate crosslinker, and an ethyl carbitol acetate second solvent. The containing was used. In this case, the content of the blowing agent in the first surface planarization composition was 10% by weight based on the total weight of the first photosensitive monomer, the first photoinitiator, the crosslinking agent, and the solvent.

상기 제2 표면 평탄화층에 알루미늄을 스퍼터링하여 알루미늄 애노드 전극을 형성한 후, 430℃에서 소성하여 상기 제1 및 제2 표면 평탄화층을 제거하였다.Aluminum was sputtered on the second surface planarization layer to form an aluminum anode electrode, and then calcined at 430 ° C. to remove the first and second surface planarization layers.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

제1 표면 평탄화층 형성 공정을 실시하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하였다.It carried out similarly to Example 1 except not having performed the 1st surface planarization layer formation process.

상기 실시예 1과 비교예 1에 따라 표면 평탄화층이 제거된 애노드 전극의 상태를 나타내는 광학 사진을 도 2 및 도 3에 각각 나타내었다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 실시예 1에 따라 제조된 애노드 전극은 표면이 평탄하게 형성된 것에 반하여, 도 3에 나타낸 비교예 1에 따라 제조된 애노드 전극은 기판으로부터 탈락되어 있음을 알 수 있다.2 and 3 show optical photographs showing the state of the anode electrode from which the surface planarization layer was removed according to Example 1 and Comparative Example 1, respectively. As shown in FIG. 2, it can be seen that the anode electrode manufactured according to Example 1 is flat, whereas the anode electrode manufactured according to Comparative Example 1 shown in FIG. 3 is removed from the substrate.

본 발명의 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법은 애노드 전극을 평탄하고 또한 탈락되지 않도록 제조할 수 있어, 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.The manufacturing method of the electron emission display device of this invention can manufacture an anode electrode so that it may be flat and will not fall, and can improve luminous efficiency and brightness.

Claims (13)

전자 방출부가 형성된 제1 기판과 이 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 기판과 함께 진공 용기를 형성하는 제2 기판을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법으로서, A method of manufacturing an electron emission display device, comprising: a first substrate having an electron emission portion formed thereon and a second substrate disposed at an arbitrary distance from the first substrate to form a vacuum container together with the first substrate; 상기 제2 기판 상에 설정된 비발광 영역에 흑색층을 형성하고;Forming a black layer in the non-light emitting region set on the second substrate; 상기 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 형광층을 형성하고;Forming a fluorescent layer in the light emitting region set on the second substrate; 상기 형광층 및 상기 흑색층에 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 제1 가교제, 발포제 및 제2 용매를 포함하는 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 형광층에 도포하여, 제1 표면 평탄화층을 형성하고;A first surface planarization composition comprising a first photosensitive monomer, a first photoinitiator, a first crosslinking agent, a foaming agent, and a second solvent is applied to the fluorescent layer and the black layer to form a first surface planarization layer. ; 제2 감광성 모노머, 제2 광개시제, 제2 가교제 및 제2 용매를 포함하는 제2 표면 평탄화 조성물을 상기 제1 표면 평탄화층에 도포하여 제2 표면 평탄화층을 형성하고, Applying a second surface planarization composition comprising a second photosensitive monomer, a second photoinitiator, a second crosslinking agent, and a second solvent to the first surface planarization layer to form a second surface planarization layer, 상기 제2 표면 평탄화층에 애노드 전극을 형성하고;Forming an anode electrode on the second surface planarization layer; 상기 제2 기판을 소성하여 표면 평탄화층을 제거하는 Firing the second substrate to remove the surface planarization layer 공정을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.A method of manufacturing an electron emission display device comprising the step. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 표면 평탄층은 상기 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 형광층에 도포하고, 노광 및 소성 공정을 실시하여 형성하고,The first surface planarization layer is formed by applying the first surface planarization composition to the fluorescent layer, performing an exposure and baking process, 상기 제2 표면 평탄층 형성 공정은 상기 제1 표면 평탄층에 상기 제2 표면 평탄화 조성물을 도포하고, 노광 및 소성 공정을 실시하여 형성하는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the second surface flattening layer forming step is formed by applying the second surface flattening composition to the first surface flattening layer, and performing an exposure and baking step. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제1 표면 평탄화층은 4 내지 6㎛의 두께를 갖고,The first surface planarization layer has a thickness of 4 to 6㎛, 상기 제2 표면 평탄화층은 1 내지 2㎛의 두께를 갖는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the second surface planarization layer has a thickness of 1 to 2 mu m. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제1 및 제2 노광 공정은 150 내지 500 mJ/cm2의 자외선을 조사하여 실시하고,The first and second exposure step is carried out by irradiation with ultraviolet rays of 150 to 500 mJ / cm 2 , 상기 제1 및 제2 현상 공정은 현상액을 사용하여 50 내지 100초 동안 실시하는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the first and second developing processes are performed for 50 to 100 seconds using a developing solution. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 표면 평탄층은 상기 제1 표면 평탄화 조성물을 상기 형광층에 도포하고, 건조하여 형성하고,The first surface planarization layer is formed by applying the first surface planarization composition to the fluorescent layer, drying it, 상기 제2 표면 평탄층 형성 공정은 상기 제1 표면 평탄층에 상기 제2 표면 평탄화 조성물을 도포하고, 노광 및 소성 공정을 실시하여 형성하는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the second surface flattening layer forming step is formed by applying the second surface flattening composition to the first surface flattening layer, and performing an exposure and baking step. 제5 항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제1 표면 평탄화층은 평탄화층은 4 내지 6㎛의 두께를 갖고,The first surface planarization layer has a thickness of 4 to 6 μm, 상기 제2 표면 평탄화층은 1 내지 3㎛의 두께를 갖는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the second surface planarization layer has a thickness of 1 to 3 mu m. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 건조 공정은 10 내지 15분 동안 실시하고,The drying process is carried out for 10 to 15 minutes, 상기 제1 및 제2 노광 공정은 150 내지 500 mJ/cm2의 자외선을 조사하여 실시하고,The first and second exposure step is carried out by irradiation with ultraviolet rays of 150 to 500 mJ / cm 2 , 상기 제1 및 제2 현상 공정은 현상액을 사용하여 50 내지 100초 동안 실시하는 것인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the first and second developing processes are performed for 50 to 100 seconds using a developing solution. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 발포제는 아조디카본아마이드(C2H4N4O2)인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.And the blowing agent is azodicarbonamide (C 2 H 4 N 4 O 2 ). 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 및 제2 감광성 모노머는 동일하거나 서로 독립적으로, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 및 펜타에리스리톨 테트라메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.The first and second photosensitive monomers are the same or independently of each other, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tetramethylolpropane tetraacrylate And tetramethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, and pentaerythritol tetramethacrylate, or a mixture of two or more thereof. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 및 제2 광개시제는 동일하거나 서로 독립적으로, 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.The first and second photoinitiators are the same or independently from each other, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 2, 2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropano-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide and bis ( 2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide is a method for producing an electron emission display device which is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 및 제2 가교제는 동일하거나 서로 독립적으로 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라 아크릴레이트 및 펜타에리스리톨 테트라 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.The first and second crosslinking agents are the same or independently of each other ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, tetramethylolpropane tetraacrylate, tetramethyl Electron emission display device, which is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of allpropane tetramethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetra acrylate and pentaerythritol tetra methacrylate Method of preparation. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 및 제2 용매는 서로 동일하거나 서로 독립적으로 에틸 카비톨, 부틸카비토르 에틸 카비톨 아세테이트, 부틸카비톨 아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 에틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트 및 트리프로필렌 글리콜으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.The first and second solvents are the same or independently of each other, ethyl carbitol, butyl carbitol ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, di Propylene glycol monomethyl ether acetate, γ-butyrolactone, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate and tripropylene glycol. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 발포제의 양은 제1 감광성 모노머, 제1 광개시제, 제1 가교제 및 용매의 전체 혼합 중량에 대하여 5 내지 15 중량%인 전자 방출 표시 디바이스의 제조 방법.The amount of the blowing agent is 5 to 15% by weight relative to the total mixed weight of the first photosensitive monomer, the first photoinitiator, the first crosslinking agent and the solvent.
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