KR20070040797A - Epitaxial reactor with susceptor controlled positioning - Google Patents

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KR20070040797A
KR20070040797A KR1020077001661A KR20077001661A KR20070040797A KR 20070040797 A KR20070040797 A KR 20070040797A KR 1020077001661 A KR1020077001661 A KR 1020077001661A KR 20077001661 A KR20077001661 A KR 20077001661A KR 20070040797 A KR20070040797 A KR 20070040797A
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susceptor
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reactor
electromagnetic radiation
reaction chamber
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프랑코 프레티
빈센조 오그리아리
귀세페 타렌지
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엘피이 에스피에이
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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
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Abstract

본 발명은 적층 리액터의 반응실(3) 내에서 회전하는 서셉터(2)의 위치결정동작을 제어하는 시스템에 관한 것이다. 상기 제어는 서셉터(2) 상에 배치된 핀(8)에 의해 반사될 때에 소스(15)에 의해 전달된 레이저 빔의 다른 선로를 기초로 하여 실시된다.The present invention relates to a system for controlling the positioning operation of the susceptor 2 rotating in the reaction chamber 3 of the stacked reactor. The control is carried out on the basis of the other line of the laser beam transmitted by the source 15 when reflected by the pin 8 arranged on the susceptor 2.

서셉터, 위치결정, 적층 리액터, CVD, 레이저 빔, 핀, 돌출 요소. Susceptors, positioning, stacked reactors, CVD, laser beams, fins, protruding elements.

Description

위치결정 제어를 받는 서셉터를 가진 적층 리액터{EPITAXIAL REACTOR WITH SUSCEPTOR CONTROLLED POSITIONING}Stacked Reactor with Susceptor Under Position Control {EPITAXIAL REACTOR WITH SUSCEPTOR CONTROLLED POSITIONING}

본 발명은 화학기상증착(CVD)에 의한 기판 생산에 사용된 적층 리액터(epitaxial reactor)에 관한 것이고; 또한 상기 리액터의 서셉터 위치를 제어하는 방법도 포함하는 것이다.The present invention relates to an epitaxial reactor used for the production of a substrate by chemical vapor deposition (CVD); It also includes a method of controlling the susceptor position of the reactor.

특히, 마이크로전자 산업에서 사용되는, 본원에서 이용된 리액터 분야에서, "서셉터(susceptor)" 용어는 적층 성장(epitaxial growth) 공정 중에 기판(또한 일반적으로 '슬라이스' 또는 '웨이퍼' 용어로도 사용)을 수용한 열 서포트(heated support)를 지칭하는 것이다.In particular, in the field of reactors used herein, used in the microelectronics industry, the term "susceptor" is used in substrate (also commonly referred to as 'slice' or 'wafer' terms during an epitaxial growth process) ) Refers to a heated support.

상기 서셉터는 일반적으로 석영으로 제조된 반응실 내부에 배치되고, 반면에 상기 기판은, 기판을 위치결정하는데 사용되는 소 간극부(small clearances)를 제외하고, 기판 형태(일반적으로 디스크 형태)를 취하는 내측 개별 안착부인, 상부면 상에 위치한다.The susceptor is typically placed inside a reaction chamber made of quartz, while the substrate is of a substrate type (generally in the form of a disc), except for small clearances used to position the substrate. It is located on the top surface, which is an inner individual seating portion.

알려진 바와 같이, 적층 성장은 2개 또는 그 이상의 기체 간에 화학반응의 결과이고, 반응 제품은 기판 표면 상에 증착되어 결정구조로 이루어진 순수 재료(pure material)이다. 상기 반응이 초고온에서 발생하기 때문에, 서셉터 수단을 통해 기판을 가열할 필요가 있다.As is known, lamination growth is the result of a chemical reaction between two or more gases, and the reaction product is a pure material deposited on the substrate surface to form a crystal structure. Since the reaction takes place at very high temperatures, it is necessary to heat the substrate via susceptor means.

증착 레이어의 균일성을 향상시키기 위해서 일반적으로 회전 서셉터를 사용한다. 이러한 회전 방식에서는, 성장 프로파일의 반경방향 온도 및 비율이 방위각 자표(azimuth coordinate)를 따라서 평균되어, 보다 균일하게 된다. Rotary susceptors are generally used to improve the uniformity of the deposition layer. In this rotation scheme, the radial temperature and ratio of the growth profile are averaged along the azimuth coordinate, making it more uniform.

상기 서셉터에는 1개 만의 기판용 또는 다수개 기판용 성질을 가진 서셉터가 있으며, 리액터의 생산성을 향상하기 위해서는 후자의 것이 사용되고; 또한, 추가적인 생산성 향상을 하기 위해서, 상기 기판의 로딩/언로딩 동작을 로보틱 아암을 사용하여 공지된 방법으로 실시한다.The susceptor has a susceptor having a property for only one substrate or a plurality of substrates, and the latter is used to improve the productivity of the reactor; In addition, in order to further improve productivity, the loading / unloading operation of the substrate is performed by a known method using a robotic arm.

이러한 경우, 상기 서셉터는 공정 중에 회전을 함으로, 로딩/언로딩 동작을 허용하도록 사전-배열된 위치로 이동하게 시스템이 위치결정 각도를 제어할 필요가 있고; 이러한 각도 이동은 로보틱 아암의 각도와 함께 전자적으로 제어된다.In this case, the susceptor rotates during the process so that the system needs to control the positioning angle to move to the pre-arranged position to allow loading / unloading operation; This angular movement is controlled electronically with the angle of the robotic arm.

CVD공정의 특성을 고려하여, 서셉터의 각도 위치결정을 하는 시스템은, 예를 들어 활주 부품으로 인해서, 금속입자를 시스템에 유입하거나 기타 물질을 방출하여 반응실을 오염시키지 않아야 한다.In view of the nature of the CVD process, systems for angular positioning of susceptors should not contaminate the reaction chamber by introducing metal particles or releasing other materials, for example due to sliding components.

그외 기본적으로 필요한 것에는, 위치결정 시스템(positioning system)이 적층 반응실에서 나타나게 되는 고온(약 1000℃이상)에서 동작하여야 하는 능력이 있어야 한다는 것이다.Another fundamental requirement is that the positioning system must be capable of operating at high temperatures (about 1000 ° C. or more) that will appear in the stack reaction chamber.

이러한 엄격한 조건의 견지에서 볼 때, 서셉터의 위치를 제어하는 종래기술의 시스템은 광학 타입의 것이 바람직한 것이다.In view of these stringent conditions, prior art systems for controlling the position of the susceptor are preferably of the optical type.

종래 시스템 중의 하나는 반응실의 외부에서 서셉터 디스크의 엣지 쪽으로 향해 있는 레이저 빔을 제공하였으며, 상기 목적에 맞게 노치를 구비하였다. 서셉터 디스크가 서셉터의 회전 결과로 레이저 빔 밑에 도달하면, 그 존재가 탐지되어, 목적에 필요한 동작으로 위치를 조정할 수 있다.One of the prior art systems provided a laser beam directed from the outside of the reaction chamber toward the edge of the susceptor disk and provided with a notch for this purpose. When the susceptor disk reaches the bottom of the laser beam as a result of the susceptor's rotation, its presence is detected and can be repositioned to the action required for the purpose.

상기 조정 공정에서의 여러 단계는 그 자체가 알려져 있는 제어 유닛으로 전자적으로 관리된다.The various steps in the adjustment process are managed electronically by a control unit which is known per se.

상술된 타입의 제어 시스템은 각도 위치결정을 한다는 견지에서는 만족할 만한 것이다. 그런데, 상기 시스템은 서셉터의 기계적 강도와 관련하여서는 제약을 받는 것이다.The control system of the type described above is satisfactory in terms of angular positioning. However, the system is limited in terms of the mechanical strength of the susceptor.

이러한 사실을 이해하기 위해서는, 상기 서셉터가 서셉터에 적용된 가열 사이클로 인하여 높은 열 변형을 받게 된다는 것을 염두에 두어야 한다. 반복되는 팽창과 수축에 따른 노치의 존재는, 여기에서부터 제기되는 모든 바람직하지 않은 결과로, 서셉터에서의 분할 또는 크랙의 원인이 된다는 사실을 쉽게 추론할 수 있을 것이다.To understand this fact, it should be borne in mind that the susceptor is subjected to high thermal strain due to the heating cycle applied to the susceptor. It can be easily deduced that the presence of notches with repeated expansion and contraction cause all the undesirable consequences raised here, causing splitting or cracking in the susceptor.

본 발명에 의해 해결되는 문제는 서셉터의 각도 위치가 상술된 결함이 없는 적층 리액터를 제조하는 것이다.The problem solved by the present invention is to produce a multilayer reactor in which the angular position of the susceptor is free from the above-mentioned defects.

이러한 문제를 해결하기 위한 생각에는, 서셉터 구조의 기계적 특성을 저하시키는 노치 또는 다른 유사 관련물 대신에, 서셉터의 표면에서 돌출되고 그리고 사용된 레이저 빔 또는 다른 전자기 방사선을 반사할 수 요소를 사용하는 서셉터를 생산하는 것이 있다.The idea to solve this problem is to use an element that protrudes from the surface of the susceptor and can reflect the laser beam or other electromagnetic radiation used, instead of a notch or other likeness that degrades the mechanical properties of the susceptor structure. To produce a susceptor.

넓은 면적의 헤드를 가진 핀으로 구성된 돌출 요소는, 방사선이 서셉터의 표면에서 반사될 때와 대비되는 변경된 입사선로(the path of the incident ray)에서의 변화 결과가 탐지되게 한다. 다음, 변경된 각도 위치는 본 발명을 이루는 방법에 의해 양호하게 조정된다.A protruding element consisting of a pin with a large area of head allows detection of the result of the change in the path of the incident ray as opposed to when radiation is reflected off the surface of the susceptor. The altered angular position is then well adjusted by the method of making the present invention.

입사선을 반사시키는 돌출 요소가 서셉터의 표면 상에 위치하여 그 구조를 손상하지 않음으로, 서셉터를 취약하게 하지 않는다.Protruding elements that reflect the line of incidence are located on the surface of the susceptor and do not damage its structure, thereby not suscepting the susceptor.

또한, 상기 돌출 요소는 반응실에 있는 고온의 기체에서 동일한 특성의 강도와 반사성을 가지도록 서셉터와 동일한 재료로 양호하게 제조된다.The projecting element is also preferably made of the same material as the susceptor so as to have the same properties of strength and reflectivity in the hot gases in the reaction chamber.

본 발명에 대한 특징적인 기술내용을 첨부 도면을 참고로 비-제한적인 예로서 이하에 기술하는 실시예를 통해서 명확하게 이해될 수 있을 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Characteristic details of the present invention will be clearly understood through the embodiments described below as non-limiting examples with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명에 따르는 서셉터를 위에서 보고 나타낸 도면이다.1 is a view showing the susceptor according to the present invention from above.

도2는 도1의 B-B선으로 지시된 평면을 따라 절취된 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the plane indicated by line B-B in FIG.

도3은 도1에 서셉터가 위치한 적층 리액터의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the stacked reactor in which the susceptor is located in FIG.

도4는 이전 도면에 있는 리액터의 레이저 선의 반사를 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing the reflection of the laser line of the reactor in the previous drawing.

도3을 참고로 설명한다. 도3은 평행6면체 형태로 이루어진 반응실(3)에 수용된 디스크 형태 서셉터(2)를 포함하는 도면번호 '1'로 전체적으로 지시된 적층 리액터를 나타낸 도면이다.This will be described with reference to FIG. 3. FIG. 3 shows a stacked reactor generally indicated by the numeral '1' which includes a disc shaped susceptor 2 housed in a reaction chamber 3 of parallel hexahedral form.

상기 서셉터는 양호하게 그래파이트로 제조되고, 기판을 수용하는 일련의 원형 안착부들(5)(이 경우에는 8개)를 갖는다. 서셉터는, 그 자체가 알려진 것이기에 도면에 도시 않은 전자식으로 제어되는 모터에 의해 구동되는 수직 축선(X)을 중심으로 회전한다. 실질적으로, 상기 구조는 전기모터가 펄스 발생기(엔코더)에 결합되어 있어서 축선(X)에 대한 360°회전을 소정의 간격의 수로(예를 들면, 200 x 103) 분할한다.The susceptor is preferably made of graphite and has a series of circular seats 5 (in this case 8) for receiving the substrate. The susceptor rotates about a vertical axis X which is known per se and is driven by an electronically controlled motor not shown in the figure. In effect, the structure is such that the electric motor is coupled to a pulse generator (encoder) to divide the 360 ° rotation about the axis X into a predetermined interval of number (eg 200 × 10 3 ).

상기 리액터(1)는 또한 서셉터에 기판을 로딩(그리고 서셉터로부터 기판을 언로딩)하는 로보틱 아암을 포함한다. 상기 아암은 예를 들어 유럽 특허출원 99962242호에 기재된 바와 같이 널리 공지된 타입의 것이기에 도면에서 도시하지 않았다.The reactor 1 also includes a robotic arm that loads the substrate into the susceptor (and unloads the substrate from the susceptor). The arm is of a well-known type, for example as described in European patent application 99962242 and is not shown in the drawings.

반응실(3)은 석영으로 이루어진 벽을 가지며, 양측 단부들이 개방되어 있어, 도3에서 지시된 바와 같이 기체가 관통하여 지나간다.The reaction chamber 3 has a wall made of quartz, and both ends are open so that gas passes through as indicated in FIG.

서셉터의 엣지 상에는, 편평하고 넓은 면적의 베이스(8a)와 헤드(8b)를 가진 핀(8)이 끼워지며, 상기 베이스(8a)와 헤드(8b)는 이하에서 보다 명료하게 설명되는 바와 같이 레이저 선을 반사하고 서셉터 상에 적절하게 설치될 수 있게 대략 보빈-형태(bobbin-shape)로 제조된다.On the edge of the susceptor, a pin 8 having a flat, large area base 8a and a head 8b is fitted, the base 8a and the head 8b as described more clearly below. It is made approximately bobbin-shape so that it can reflect the laser line and be properly installed on the susceptor.

본 발명의 이러한 예에 따라서, 핀 베이스(8a)는 도3에서 확대하여 나타낸 중공부(10)에 안착된다. 상기 중공부(10)는 핀의 베이스(8a)를 보다 안정적이게 안착되게 하고, 대체로 표면에서 얕게 있다.According to this example of the present invention, the pin base 8a is seated in the hollow portion 10 shown enlarged in FIG. The hollow part 10 makes the base 8a of the pin more stable and generally shallower at the surface.

핀(8) 위에 일 위치에서, 반응실(3)의 외측에는, 모듈(15)이 그 자체가 공지된 바와 같이 레이저 선 송신기와 수신기를 포함하고 배치된다. 상기 모듈은 공압, 전기기계식 또는 기타 다른 타입으로 이루어진 작동기(18)에 의해 지지되어서, 레이저 선이 서셉터 쪽으로 하방향으로 향하는 동작 위치와, 반응실(3)과 상관하여 멀어지는 방향으로 동작하는 비-동작 위치와의 사이에서 이동되게 한다.In one position on the pin 8, outside the reaction chamber 3, the module 15 is arranged with a laser line transmitter and receiver, as is known per se. The module is supported by an actuator 18 of pneumatic, electromechanical or other type, such that the operating position of the laser line is directed downward towards the susceptor and the ratio of operating in a direction away from the reaction chamber 3. -To be moved between the operating position.

양호하게, 레이저 선이 관통하여 지나가는 반응실(3)의 상부 벽 상에서, 석영의 표면이 평탄하여, 상부 벽에서의 불균일함이 없어졌고 그리고 광학 창(20)이 동작의 정밀도를 감소시킬 수 있는 레이저 선의 확산 현상이 없게 설치된다.Preferably, on the upper wall of the reaction chamber 3 through which the laser line passes, the surface of the quartz is flat, so that the nonuniformity in the upper wall is eliminated and the optical window 20 can reduce the precision of the operation. It is installed so that there is no diffusion phenomenon of the laser line.

동작 위치에서, 상기 모듈(15)은 소정의 입사 각에 레이저 빔을 서셉터(2)의 표면으로 전하며, 상기 표면은 상기 모듈에 있는 탐지기 쪽으로 빔을 반사한다.In the operating position, the module 15 delivers the laser beam to the surface of the susceptor 2 at a predetermined angle of incidence, which reflects the beam towards the detector in the module.

서셉터(2)의 회전의 결과로, 핀(8)이 모듈(15) 밑을 지나가면, 모듈(15)에 의해 전달된 빔은 서셉터(2)의 표면에 대해 투영된다는 조건하에, 다른 방식으로 편평한 헤드(8b)에 의해 반사된다. 도4는 서셉터(2)에 의해 그리고 핀의 헤드(8b)에 의해 반사될 때에 동일한 입사 선의 다른 선로를 개략적으로 나타낸 도면이다.As a result of the rotation of the susceptor 2, if the pin 8 passes under the module 15, the beam transmitted by the module 15 is projected relative to the surface of the susceptor 2. In a manner reflected by the flat head 8b. 4 is a diagram schematically showing another line of the same incidence line when reflected by the susceptor 2 and by the head 8b of the pin.

빔 선로의 차이는 서셉터의 조정을 제어하는 전자제어장치(CPU;electronic control unit)에 핀의 존재를 신호하는 모듈(15)에 의해 탐지된다. 이러한 일은 이 실시예에서 다음과 같은 동작 단계로, 상기 제어장치에 미리 입력되어 있는 프로그램을 기초로 하여 일어난다.The difference in the beam line is detected by the module 15 which signals the presence of a pin to an electronic control unit (CPU) that controls the adjustment of the susceptor. This takes place on the basis of a program previously input to the control device in the following operation steps in this embodiment.

제1단계로서, 상기 시스템이 초기화되고; 상기 서셉터(2)는 저속도(3회전/분)로 시계방향으로 회전하게 되고, 상기 레이저 빔은 상기 표면에 투영되고 그리 고 빔의 선로에 대한 값을 수 초 동안 구하여; 그 값의 평균을 취하여서, 측정값을 레이저 모듈(15)로부터의 서셉터 표면의 평균 거리로 구한다.As a first step, the system is initialized; The susceptor (2) is rotated clockwise at a low speed (three revolutions per minute), the laser beam is projected onto the surface and the value of the beam's track is obtained for several seconds; The values are averaged to determine the measured value as the average distance of the susceptor surface from the laser module 15.

상기 평균 거리에 비해 소정의 양만큼 더 작은 거리 값이 구해지면, 이러한 사실은 상기 레이저 빔이 핀(8)을 비추고 있음을 의미하며, 다음, 조정을 다음과 같은 방식으로 실시한다.If a distance value smaller by a predetermined amount relative to the average distance is obtained, this means that the laser beam is shining on the fin 8, and then the adjustment is carried out in the following manner.

a)서셉터(2)가 대략 100°/120°의 브레이킹 각도로 정지할 때까지 속도 감소 기울기로 천천히 속도가 떨어진다.a) The speed decreases slowly with the speed decreasing slope until the susceptor 2 stops at a braking angle of approximately 100 ° / 120 °.

b)서셉터(2)는, 이전에 방향에 대해 반대방향으로, 반시계방향으로 저속도(1회전/분)로 회전한다.b) The susceptor 2 previously rotated at a low speed (1 revolution / minute) counterclockwise in the direction opposite to the direction.

c)역회전의 결과로, 상기 빔이 다시 한번 핀(8)을 비추게 되면, 서셉터의 각도 위치(SZ1)를 서셉터를 회전시키는 모터와 상관한 펄스 발생기에 의해 공급된 신호에 기초하여 저장한다.c) As a result of the reverse rotation, when the beam illuminates the pin 8 once again, the angular position SZ1 of the susceptor is based on a signal supplied by the pulse generator correlating with the motor that rotates the susceptor. Save it.

d)서셉터는 빠르게 정지(브레이킹 공간은 대략 11°/13°)할 때까지 천천히 속도가 떨어진다.d) The susceptor slowly slows down until it stops quickly (breaking space approximately 11 ° / 13 °).

e)이 후, 서셉터의 정밀한 이동(속도 0.1 내지 0.05회전/분)으로, 핀(8)은 레이저 빔 밑으로 다시 돌아가고 그리고 이러한 각도 위치는 모터와 상관한 펄스 발생기를 초기화하는데 사용되는 0°기준위치가 된다.e) Subsequently, with the precise movement of the susceptor (speed 0.1 to 0.05 revolutions per minute), the pin 8 goes back under the laser beam and this angle position is 0 ° which is used to initialize the pulse generator relative to the motor. It becomes the standard position.

이러한 지점에서, 레이저 모듈(15)이 비-동작 위치로 상승되어진 후에, 로보틱 아암으로 서셉터로부터 기판을 언로딩하고 그리고 서셉터에 기판을 로딩하는 동작을 실시한다.At this point, after the laser module 15 is raised to the non-operational position, the robotic arm unloads the substrate from the susceptor and loads the substrate into the susceptor.

이러한 실시는 서셉터(2)의 회전이 작동 모터와 상관된 펄스 발생기에 의해 공급된 신호에 기초하여 정확하게 제어되어, 로보틱 아암에 의한 기판의 로딩/언로딩에 필요한 위치로 안착부(5)가 전해지게 한다.This practice allows the rotation of the susceptor 2 to be precisely controlled based on the signal supplied by the pulse generator correlated with the actuating motor, so that the seating portion 5 is positioned in a position necessary for loading / unloading of the substrate by the robotic arm. Let go.

상술된 설명으로부터, 본 발명에 따라 실시되는 각도 위치의 제어가 어떻게 종래 리액터에서 지적된 제약을 극복하였는지를 이해할 수 있을 것이다.From the foregoing description, it will be appreciated how the control of the angular position implemented according to the invention overcomes the limitations pointed out in the conventional reactor.

본원은 상기 서셉터의 디스크 상에 있는 핀의 존재가 서두에서 설명된 바와 같은 서셉터의 엣지를 노치시킬 필요를 없앤 것이다. 이러한 결과, 본원에서는, 서셉터가 받게 되는 열(thermal) 사이클에 의해 야기되는 응력으로 인해 형성되는 또는 전파되는 크랙 또는 브레이크의 위험이 처음부터 없어진 것이다.The present application eliminates the need for the presence of a pin on the disk of the susceptor to notch the edge of the susceptor as described at the outset. As a result of this, the risk of cracks or brakes being formed or propagated from the outset is eliminated from the outset due to the stress caused by the thermal cycle the susceptor receives.

또한, 상기 핀용 안착부를 제공하는 중공부(10)는 핀을 보다 안정적으로 만드는 효과가 있지만 엄격하게 할 필요가 없고 또한 생략될 수도 있는 것이다. 이 실시예에서는, 핀을 안정적으로 설치하기 위해서 베이스(8a)를 넓게 할 필요만이 있다.In addition, the hollow portion 10 which provides the seating portion for the pin has the effect of making the pin more stable, but does not need to be strictly and may also be omitted. In this embodiment, it is only necessary to widen the base 8a in order to install the pin stably.

그리고, 중공부(10)가 얕게 있기 때문에, 서셉터의 구조 강도는 영향을 받지 않는다.And since the hollow part 10 is shallow, the structural strength of the susceptor is not affected.

일반적으로, 상기 핀의 몸체는 양호하게, 리액터의 유체역학에 영향을 주지 않고 그리고 기체와 핀 사이에 마찰을 감소하도록 반응 기체의 간섭이 없게(또는 가능한 작은 간섭이게) 협소하게 이루어진다.In general, the body of the fin is preferably narrowed without affecting the hydrodynamics of the reactor and without interference of the reactant gas (or as little interference as possible) to reduce friction between the gas and the fin.

상기 효과들을 얻기 위해서, 넓은 베이스와 좁은 헤드를 가진 핀을 생산할 수도 있으며 또는 서셉터의 돌출부로서 서셉터에 직접 핀을 통합시킬 수도 있다.To achieve these effects, one may produce a pin with a wide base and a narrow head, or integrate the pin directly into the susceptor as a protrusion of the susceptor.

물론, 본원의 발명은 상술된 본 발명의 실시예에 대해서 다른 변경 실시를 이룰 수 있을 것이다.Of course, the invention of the present application may make other modifications to the embodiments of the invention described above.

먼저, 상술된 기본 원리는 열 응력에 의해 야기되는 크랙 및 브레이크의 문제가 있는 그래파이트 이외에 다른 재료로 이루어진 서셉터도 유효한 것이다.First, the basic principle described above is also effective for susceptors made of other materials in addition to graphite, which is problematic in cracks and brakes caused by thermal stress.

다른 변경으로는 또한, 상기 서셉터에 비추는 빔과 이러한 것을 전달 및 탐지하는 방법에 관한 변경도 할 수 있다. 예를 들어, 상기 빔은 레이저 빔 이외에 빔도 사실상 가능한 것이다.Other changes may also be made to the beams that illuminate the susceptor and how to transmit and detect them. For example, the beam is virtually possible in addition to the laser beam.

끝으로, 본 발명은 서셉터의 각도 위치를 제어하는 것만으로 한정되지 않으며, 선형 제어에도 적용될 수 있는 것이다. 즉, 일반적으로, 본 발명은, 위치결정동작이 제어되는 서셉터 또는 다른 유사한 운동성분이 있는 곳에 기상(vapour phase)에서 화학적 증착용 리액터에 적용할 수 있는 것이다.Finally, the present invention is not limited to only controlling the angular position of the susceptor, but may be applied to linear control. That is to say, in general, the present invention is applicable to a reactor for chemical vapor deposition in the vapor phase where there is a susceptor or other similar motion component in which the positioning operation is controlled.

Claims (17)

반응실(3)과, 상기 반응실 내에서 이동하는 서셉터(2)와, 서셉터 쪽으로 전자기 방사선을 전달하는 수단(15) 및 상기 방사선을 탐지하는 수단(15)을 포함하는 화학기상증착용 리액터로서: 서셉터 상에, 방사선을 탐지하는 수단 쪽으로 방사선을 반사할 수 있는, 적어도 1개의 돌출 기준 요소(8)를 설치한 것을 특징으로 하는 리액터.Chemical vapor deposition comprising a reaction chamber 3, a susceptor 2 moving in the reaction chamber, means 15 for transmitting electromagnetic radiation towards the susceptor, and means 15 for detecting the radiation. As reactor: a reactor, characterized in that at least one projecting reference element (8) is provided on the susceptor, capable of reflecting radiation towards the means for detecting radiation. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 전자기 방사선을 전달하는 수단(15)과 방사선을 탐지하는 수단이 반응실(3)의 외부에 배치된, 리액터.Reactor, means for transmitting electromagnetic radiation and means for detecting radiation are arranged outside of the reaction chamber (3). 제2항에 있어서, The method of claim 2, 전자기 방사선은 반사성(luminous)을 갖고 그리고 상기 반응실(3)의 벽은 상기 방사선을 통과시키는 것인, 리액터.The electromagnetic radiation is luminous and the walls of the reaction chamber (3) pass the radiation. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 반사 방사선은 레이저 빔을 포함하는, 리액터.The reflected radiation comprises a laser beam. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 반사 요소는 서셉터(2)의 표면에 대해 돌출된 핀(8)을 포함하는, 리액터.The reflective element comprises a pin (8) projecting against the surface of the susceptor (2). 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 핀은 편평한 헤드(8b)를 포함하는, 리액터.The pin comprises a flat head (8b). 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 핀은 서셉터 상에 핀을 안착시키기 위한 베이스(8a)를 포함하는, 리액터.The pin comprises a base (8a) for seating the pin on the susceptor. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 핀(8)의 베이스(8a)는 서셉터(2)의 표면에 형성된 중공부(10)에 안착되는, 리액터.The base (8a) of the fin (8) is seated in a hollow (10) formed on the surface of the susceptor (2). 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 반사 요소(8)는 서셉터와 동일한 재료로 제조되는, 리액터.The reflective element (8) is made of the same material as the susceptor. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 재료는 그래파이트(graphite)-기본인, 리액터.And the material is graphite-based. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 10, 상기 서셉터(2)는 축선(X)에 대해 회전하고 그리고 그 회전운동은 전자적으로 제어되는 초기화 동작 수단에 의해 야기되는, 리액터.The susceptor (2) rotates about an axis (X) and its rotational movement is caused by electronically controlled initialization operating means. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 11, 상기 서셉터 쪽으로 전자기 방사선을 전달하는 수단과 상기 서셉터에 의해 반사된 방사선을 탐지하는 수단이 모듈(15)에 합체되고, 상기 모듈은 모듈이 반응실(3)에 대해 멀어지는 방향으로 이동하는 비-동작 위치와 서셉터(2) 쪽으로 향하게 하는 동작 위치와의 사이에서 이동할 수 있는, 리액터.Means for delivering electromagnetic radiation towards the susceptor and means for detecting radiation reflected by the susceptor are incorporated into the module 15, the module having a ratio in which the module moves in a direction away from the reaction chamber 3. A reactor movable between the operating position and the operating position facing towards the susceptor 2. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 12, 상기 리액터는, 방사선의 확산을 피할 수 있는, 전자기 방사선이 통과하는 반응실(3) 영역에 있는 창(20)을 포함하는, 리액터.The reactor comprises a window (20) in the region of the reaction chamber (3) through which electromagnetic radiation passes, which can avoid the spread of radiation. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 리엑터용 서셉터로서, 상기 전자기 방사선을 반사시킬 수 있는 돌출 요소(8)의 베이스(8a)용 안착부를 제공하도록, 기판을 지지하는 면(face) 상에 있는 중공부(10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.14. A reactor supporting the substrate according to any one of claims 1 to 13, which provides a seat for the base 8a of the projecting element 8 capable of reflecting the electromagnetic radiation. Susceptor, characterized in that it comprises a hollow portion (10) on. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 서셉터로서, 전자기 방사선을 반사 할 수 있는, 기판을 지지하는 면 상에서 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.14. A susceptor according to any one of claims 1 to 13, comprising a protrusion on a surface supporting a substrate capable of reflecting electromagnetic radiation. 화학기상증착용 리액터의 서셉터(2)의 위치를 제어하는 방법으로서, 상기 방법은:A method of controlling the position of the susceptor 2 of a chemical vapor deposition reactor, the method comprising: -전자기 방사선을 반사할 수 있는, 서셉터의 표면에서 돌출된 요소(8)를 배치하는 단계와;Arranging an element 8 protruding from the surface of the susceptor, capable of reflecting electromagnetic radiation; -동작 시에 서셉터(2)에 전자기 방사선의 빔을 투영하는 단계와;Projecting a beam of electromagnetic radiation on the susceptor 2 in operation; -상기 빔이 돌출 요소(8)에 의해 반사될 때에 상기 빔의 선로의 차이를 탐지하는 단계와;Detecting the difference in the line of the beam when the beam is reflected by the projecting element (8); -상기 빔의 선로 차이(different path)의 탐지에 따라서 서셉터(2)의 위치를 입력하는 단계; 및Inputting a position of susceptor 2 in accordance with detection of a differential path of the beam; And -위치 입력을 근거로 서셉터(2)의 이동을 야기하는 단계;를 포함하는, 방법.Causing the movement of the susceptor (2) based on the positional input. 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 방법은 상기 서셉터의 위치를 입력하기 위해,The method for inputting the position of the susceptor, -소정의 시간동안 서셉터(2)를 동작하여, 입사 빔에 의해 이동된 거리 값의 평균을 구하는 단계와;Operating the susceptor 2 for a predetermined time period to average the distance values moved by the incident beam; -상기 거리가 상기 빔의 아래를 반사 요소(8)가 통과하여 변경될 때에 소정의 공간에서 서셉터(2)를 중지하는 단계와;Stopping the susceptor (2) in a predetermined space when the distance is changed by the reflective element (8) passing below the beam; -서셉터(2)를 역방향으로 동작하여, 반사 요소(8)를 빔 아래 위치로 복귀하는 단계 및;Operating the susceptor 2 in the reverse direction to return the reflective element 8 to a position below the beam; -이러한 위치를 기준으로 사용하는 서셉터(2)를 초기화 하는 단계를 더 포함하는, 방법.-Initializing the susceptor 2 using this position as a reference.
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