KR20070033767A - Plasma Equipment and Plasma Monitoring Methods - Google Patents

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KR20070033767A
KR20070033767A KR1020050088285A KR20050088285A KR20070033767A KR 20070033767 A KR20070033767 A KR 20070033767A KR 1020050088285 A KR1020050088285 A KR 1020050088285A KR 20050088285 A KR20050088285 A KR 20050088285A KR 20070033767 A KR20070033767 A KR 20070033767A
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plasma
state
abnormality
chamber
cause
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Application number
KR1020050088285A
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Korean (ko)
Inventor
윤성준
백계현
곽희진
김진성
김오순
허명진
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것으로, 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 플라즈마 설비에 있어서, 상기 플라즈마의 상태를 분석하여 이상 여부를 확인하는 제1 장치와, 상기 플라즈마의 상태가 이상이 발견되었을 경우 상기 플라즈마 상태 이상의 원인을 규명하는 제2 장치를 포함하는 설비를 이용하여 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 플라즈마 상태의 이상 발생시 그 원인을 규명하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 이상 발생시 질량 분석 장비의 데이터를 이용하여 플라즈마 이상의 화학 조성 변동 기인 여부 및 문제가 되는 화학종 확인을 통하여 이상 원인을 규명할 수 있다. 따라서, 플라즈마를 최적의 상태로 유지할 수 있으므로 공정의 안정성을 통한 수율 및 생산량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a plasma apparatus and a plasma monitoring method, comprising: a plasma apparatus for performing a process using a plasma, the apparatus comprising: a first apparatus for analyzing a state of the plasma to check whether there is an abnormality; When found, it is determined whether the plasma state is abnormal by using a facility including a second device for identifying the cause of the plasma state abnormality, and when the plasma state abnormality occurs, the cause is characterized. According to the present invention, it is possible to determine the abnormality of the plasma state and determine the cause of the abnormality by identifying whether the chemical composition is the cause of variation in the chemical composition of the plasma abnormality and the problem species by using the data of the mass spectrometer when the abnormality occurs. Therefore, since the plasma can be maintained in an optimal state, there is an effect of improving the yield and yield through the stability of the process.

반도체, 플라즈마, SEERS, RGA Semiconductor, Plasma, SEERS, RGA

Description

플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법{PLASMA APPARATUS AND METHOD FOR MONITORING PLASMA}Plasma equipment and plasma monitoring method {PLASMA APPARATUS AND METHOD FOR MONITORING PLASMA}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비를 도시한 구성도.1 is a block diagram showing a plasma equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비의 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 흐름도.2 is a flow chart illustrating a plasma monitoring method of a plasma apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100; 플라즈마 설비 110; 챔버100; Plasma installation 110; chamber

120; 고주파 발생기 130; 플라즈마 분석 장치120; High frequency generator 130; Plasma analysis device

140; 질량분석기 150; 표시부140; Mass spectrometer 150; Display

본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치의 플라즈마 상태를 실시간으로 모니터링하고 이상 원인을 규명할 수 있는 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a plasma facility and a plasma monitoring method capable of real-time monitoring the plasma state of the semiconductor manufacturing apparatus using the plasma and to determine the cause of the abnormality.

반도체 산업에 있어서, 반도체 디바이스가 집적화되면서 플라즈마를 사용하는 설비 도입이 증가하고 있는 것이 최근의 실정이다. 플라즈마 설비의 증가로 인 해 플라즈마 상태에 대한 정확한 진단과 제어는 공정의 안정성 뿐만 아니라 제품의 특성에도 중요한 요소가 되고 있다. 따라서, 플라즈마 상태에 대한 정확한 모니터링으로 이상 발생 감지 및 그 원인을 규명할 수 있는 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법의 요구가 종래부터 있어왔다.In the semiconductor industry, it is the recent situation that the introduction of facilities using plasma is increasing as semiconductor devices are integrated. Due to the increasing number of plasma equipment, accurate diagnosis and control of the plasma condition is an important factor not only in the stability of the process but also in the product characteristics. Therefore, there has been a need for a plasma facility and a plasma monitoring method capable of detecting abnormality and determining the cause of the abnormality by accurate monitoring of the plasma state.

본 발명은 상술한 종래 기술에서의 요구 내지는 필요에 부응하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마 상태를 실시간으로 모니터링할 수 있는 플라즈마 설비 및 방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to meet the needs and needs of the prior art described above, and an object of the present invention is to provide a plasma apparatus and method capable of real-time monitoring of plasma conditions.

상기 특징을 실현할 수 있는 본 발명에 따른 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법은 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 이상 발생시 그 원인을 규명할 수 있는 장치 및 방법을 제공함에 있다.The plasma equipment and the plasma monitoring method according to the present invention which can realize the above characteristics are to provide an apparatus and method for determining whether or not an abnormal state of the plasma state, the cause of the abnormality occurs.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비는, 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 플라즈마 설비에 있어서, 상기 플라즈마의 상태를 분석하여 이상 여부를 확인하는 제1 장치와, 상기 플라즈마의 상태가 이상이 발견되었을 경우 상기 플라즈마 상태 이상의 원인을 규명하는 제2 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.Plasma equipment according to an embodiment of the present invention that can implement the above features, in the plasma equipment to perform the process using a plasma, the first device for checking whether the abnormality by analyzing the state of the plasma, and the plasma It is characterized in that it comprises a second device for identifying the cause of the abnormal state of the plasma when the state is found abnormal.

본 발명의 실시예에 따른 설비에 있어서, 상기 제1 장치는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 방법을 이용한 장치를 포함한다.In a plant according to an embodiment of the invention, the first device comprises a device using a magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) method.

본 발명의 실시예에 따른 설비에 있어서, 상기 제2 장치는 상기 플라즈마의 가스의 성분을 분석하는 질량분석기(RGA)를 포함한다.In a plant according to an embodiment of the invention, the second device comprises a mass spectrometer (RGA) for analyzing the gas component of the plasma.

본 발명의 실시예에 따른 설비에 있어서, 상기 제1 및 제2 장치의 동작 상태를 시각적으로 외부로 표시하는 표시부를 더 포함한다.In a facility according to an embodiment of the present invention, the display apparatus may further include a display unit for visually displaying the operating states of the first and second devices.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 플라즈마 설비는, 고주파 발생기에 의해 야기되는 플라즈마를 이용한 공정이 실제로 진행되는 장소를 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내의 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하는, 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치와, 상기 챔버 내의 플라즈마의 성분을 분석하여 상기 챔버 내의 플라즈마 상태가 정상적이지 아니한 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 확인하는 질량분석기(RGA)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Plasma equipment according to a modified embodiment of the present invention that can implement the above features, the chamber for providing a place where the process using the plasma caused by the high frequency generator is actually proceeded to determine whether the abnormal state of the plasma in the chamber A plasma analysis device applying magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory; and if the plasma state in the chamber is not normal by analyzing components of the plasma in the chamber, the specificity of the chemical composition of the plasma may be identified and It characterized in that it comprises a mass spectrometer (RGA) for identifying the cause of the abnormality of the condition.

본 발명의 변형 실시예에 따른 설비에 있어서, 상기 플라즈마 분석 장치와 상기 질량분석기 중 적어도 어느 하나의 동작 상태를 시각적으로 외부로 표시하는 표시부를 더 포함한다.In a facility according to a modified embodiment of the present invention, the apparatus further includes a display unit for visually displaying an operation state of at least one of the plasma analyzer and the mass spectrometer.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법은, 플라즈마를 이용한 공정이 실제로 진행되는 챔버 내의 플라즈마 상태를 모니터링하여 상기 플라즈마 모니터링하는 제1 단계와, 상기 제1 단계 이후 상기 플라즈마 상태가 비정상적으로 판단되는 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma monitoring method may include: a first step of monitoring a plasma state by monitoring a plasma state in a chamber where a process using a plasma is actually performed; and after the first step, the plasma state If it is determined that the abnormality characterized in that it comprises the step of identifying the singularity of the chemical composition of the plasma.

본 발명의 실시예에 따른 방법에 있어서, 상기 제1 단계는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치를 이용하여 상기 플라즈마 상태의 이상 여부를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a method according to an embodiment of the present invention, the first step includes determining whether the plasma state is abnormal by using a plasma analysis apparatus to which magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory is applied. It is done.

본 발명의 실시예에 따른 방법에 있어서, 상기 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치를 이용하여 상기 플라즈마 상태의 이상 여부를 확인하는 단계는, 상기 플라즈마 분석 장치를 통해 얻어진 데이터들의 평균값이 이미 설정된 기준값에 비해 ±10 % 이상 차이가 나는 경우 상기 플라즈마 상태가 불안정해졌다고 규정한다.In the method according to an embodiment of the present invention, the step of checking whether the plasma state is abnormal using a plasma analysis device to which the magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory is applied, is obtained through the plasma analysis device If the average value of the data differs by ± 10% or more from the preset reference value, the plasma state is defined as unstable.

본 발명의 실시예에 따른 방법에 있어서, 상기 제2 단계는 질량분석기(RGA)를 이용하여 상기 챔버 내의 플라즈마의 성분을 분석하여 상기 챔버 내의 플라즈마 상태가 정상적이지 아니한 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 분석하는 단계를 포함한다.In the method according to an embodiment of the present invention, the second step is to analyze the components of the plasma in the chamber using a mass spectrometer (RGA) to determine the singularity of the chemical composition of the plasma when the plasma state in the chamber is not normal And confirming the cause of the abnormal state of the plasma state.

본 발명의 실시예에 따른 방법에 있어서, 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 분석하는 단계는, 상기 플라즈마의 케미컬 조성을 확인하고 예상 조성과 비교하여 그 결과가 상이할 때를 의미한다.In the method according to an embodiment of the present invention, the step of identifying the singularity of the chemical composition of the plasma to analyze the cause of the abnormal state of the plasma state, the result of the chemical composition of the plasma and comparing with the expected composition may be different results Means when.

본 발명에 의하면, SEERS 이론을 적용한 분석 장비를 통해 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 이상 발생시 질량 분석 장비의 데이터를 이용하여 플라즈마 이상의 화학 조성 변동 기인 여부 및 문제가 되는 화학종 확인을 통하여 이상 원인을 규명할 수 있다.According to the present invention, the abnormality of the plasma state is determined through the analysis equipment applying the SEERS theory, and when the abnormality occurs, the cause of the abnormality is confirmed by identifying the chemical species that are the cause of the chemical composition variation and the problem by using the data of the mass spectrometry equipment. Can be identified.

이하, 본 발명에 따른 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a plasma apparatus and a plasma monitoring method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a plasma equipment according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비(100)는 고주파 발생기(120)에 의해 야기되는 플라즈마를 이용한 공정이 이루어지는 챔버(110)를 포함한다. 이 챔버(110)에는 플라즈마의 상태의 이상 여부를 판단하고 그 원인을 규명하는 장치(130,140)가 구비된다. 그리고, 이들 장치(130,140)의 동작 상태를 작업자로 하여금 시각적으로 확인할 수 있게 하는 표시부(150)를 더 구비한다.Referring to FIG. 1, the plasma apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a chamber 110 in which a process using a plasma caused by the high frequency generator 120 is performed. The chamber 110 is provided with devices 130 and 140 for determining an abnormal state of the plasma and identifying the cause thereof. In addition, the display unit 150 further includes a display unit 150 that enables the operator to visually check the operating states of the devices 130 and 140.

장치들(130,140) 중에서 어느 하나의 장치(130)는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy; SEERS) 방법을 이용한 장치이다. 플라즈마 내에서는 전자가 자유롭게 흐르므로 플라즈마의 양끝단에 전압을 가하게 되면 플라즈마 상태에 있는 챔버(110) 내에는 전류가 흐르게 된다. 이 장치(130)는 그 전류를 가지고 이른바 SEERS 이론에 의거 전자 밀도(electron density)와 전자의 충돌속도(electron collision rate) 등을 계산한다. 이와 같은 SEERS 이론을 적용한 분석 장치(130)를 통해 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단한다. 이 판단 기준의 예로서, 확보된 데이터들의 평균값의 ±10 % 이상의 변동 발생시 플라즈마 이상으로 규정한다. 이 분석 장치(130)로서 어드밴스드 세미컨덕터 인스트루먼트(Advanced Semiconductor Instruments) 사에서 입수 가능한 허큘리스(HERCULES) 라는 제품을 적용할 수 있다.Any one of the devices 130, 140 is a device using a Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy (SEERS) method. Since electrons flow freely in the plasma, when a voltage is applied to both ends of the plasma, current flows in the chamber 110 in the plasma state. The device 130 uses the current to calculate electron density, electron collision rate, and the like based on the so-called SEERS theory. The abnormality of the plasma state is determined by the analysis device 130 applying the SEERS theory. As an example of this criterion, it is defined as a plasma abnormality when a variation of ± 10% or more of the average value of the acquired data occurs. As this analysis device 130, a product called HERCULES available from Advanced Semiconductor Instruments can be used.

그런데, SEERS 이론을 적용한 분석 장치(130)는 상술한 바와 같이 공정 진행중 플라즈마 상태에 이상이 발생하였지 여부를 실시간으로 확인 가능하지만 이상 발생의 직접적인 원인을 분석하기에는 모자람이 있다. 따라서, 본 발명의 플라즈마 설비(100)에는 플라즈마 이상 발생의 원인을 규명할 수 있는 또 다른 하나의 분석 장치(140)가 구비된다. 이 장치(140)는 질량분석기(Residual Gas Analyzer; GSA)로서 가스의 성분을 분석하는 장치이다. 질량분석기(140)를 이용하여 플라즈마 이상의 화학 조성 변동 기인 및 문제가 되는 화학종 확인을 통해 플라즈마 상태의 이상 발생 원인을 규명한다.By the way, as described above, the analysis apparatus 130 applying the SEERS theory can check in real time whether an abnormality has occurred in the plasma state during the process, but it is insufficient to analyze the direct cause of the abnormality. Therefore, the plasma apparatus 100 of the present invention is provided with another analysis device 140 that can identify the cause of the plasma abnormality. The device 140 is a mass gas analyzer (GSA) that analyzes gas components. The mass spectrometer 140 is used to identify the cause of the abnormality of the plasma state by identifying the chemical species that are the cause of the chemical composition variation and the chemical species that are a problem.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 설비의 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a plasma monitoring method of a plasma apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy; SEERS) 방법을 이용한 장치(130)를 이용하여 실시간으로 챔버(110) 내부의 플라즈마 상태를 모니터링한다(S100). 모니터링을 통해 챔버(110) 내의 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단한다(S200). 그 판단 기준은 이 장치(130)를 통해 도출된 데이터들의 평균값이 기준값에 비해 ±10 % 이상 정도가 차이가 나는 경우 챔버(110) 내의 플라즈마 상태가 어떤 원인에 의해 불안정해졌다고 규정한다. Referring to FIG. 2, the plasma state of the inside of the chamber 110 is monitored in real time using the apparatus 130 using the self-excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) method (S100). It is determined whether or not the abnormal state of the plasma in the chamber 110 through the monitoring (S200). The criterion defines that the plasma state in the chamber 110 has become unstable for some reason when the average value of the data derived through the device 130 is about ± 10% or more different from the reference value.

만일, 이 판단 기준에 의해 플라즈마 상태가 불안정하지 않다고 판단되면 공정을 계속 진행한다(S300). 이와 달리, 이 판단 기준에 의해 플라즈마 상태가 불안정하다고 판단되면 플라즈마 상태 이상이 케미컬에 의해 의한 것인지 확인하기 위해 질량분석기(140)를 이용하여 케미컬 조성 데이터를 도출하여(S400) 케미컬 조성 변화를 확인한다(S500). 만일, 화학조성변화에 특이한 부분이 발견되지 않는다면 다른 원인을 찾는다(S600). 여기서, 화학조성변화의 특이점이란 케미컬 조성을 확인하고 예상 조성과 비교하여 그 결과가 상이할 때를 의미한다. 화학조성변화에 특이한 부분이 발생되면 화학조성을 변화시켜 개선점을 도출한다(S700). If it is determined by the criterion that the plasma state is not unstable, the process continues (S300). On the contrary, when it is determined that the plasma state is unstable according to this criterion, the chemical composition data is derived by using the mass spectrometer 140 to check whether the abnormal state of the plasma is caused by the chemical (S400) to check the chemical composition change. (S500). If no specific part is found in the chemical composition change, find another cause (S600). Here, the singularity of the chemical composition change means when the chemical composition is confirmed and the result is different from the expected composition. When an unusual part occurs in the chemical composition change, the chemical composition is changed to derive an improvement point (S700).

이상과 같이 본 발명의 플라즈마 설비(100)는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy; SEERS) 방법을 이용한 장치(130)를 이용하여 플라즈마 상태의 이상 여부를 확인하고, 플라즈마 상태가 이상이라고 판단되면 질량분석기(140)를 통해 플라즈마 이상의 원인을 찾아 개선시키는 것이다.As described above, the plasma apparatus 100 of the present invention checks whether the plasma state is abnormal by using the apparatus 130 using the self-excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) method, and checks the plasma state. If is determined to be abnormal is to find and improve the cause of the plasma abnormality through the mass spectrometer 140.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, SEERS 이론을 적용한 분석 장비를 통해 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 이상 발생시 질량 분석 장비의 데이터를 이용하여 플라즈마 이상의 화학 조성 변동 기인 여부 및 문제가 되는 화학종 확인을 통하여 이상 원인을 규명할 수 있다. 따라서, 플라즈마를 최적의 상태로 유지할 수 있으므로 공정의 안정성을 통한 수율 및 생산량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, whether an abnormality in the plasma state is determined through an analysis equipment applying the SEERS theory, and when the abnormality occurs, it is determined whether or not the cause of the chemical composition variation of the plasma abnormality is caused by using the data of the mass spectrometer. Identifying the species can help identify the cause of the anomaly. Therefore, since the plasma can be maintained in an optimal state, there is an effect of improving the yield and yield through the stability of the process.

Claims (11)

플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 플라즈마 설비에 있어서,In a plasma facility that proceeds the process using a plasma, 상기 플라즈마의 상태를 분석하여 이상 여부를 확인하는 제1 장치와, 상기 플라즈마의 상태가 이상이 발견되었을 경우 상기 플라즈마 상태 이상의 원인을 규명하는 제2 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.And a first device for analyzing the state of the plasma to check whether there is an abnormality, and a second device for identifying the cause of the abnormal state of the plasma when the state of the plasma is found to be abnormal. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 장치는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 방법을 이용한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.The first apparatus comprises a apparatus using magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 장치는 상기 플라즈마의 가스의 성분을 분석하는 질량분석기(RGA)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.And said second device comprises a mass spectrometer (RGA) for analyzing the gas component of said plasma. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1 및 제2 장치의 동작 상태를 시각적으로 외부로 표시하는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.And a display unit for visually displaying the operating states of the first and second devices to the outside. 고주파 발생기에 의해 야기되는 플라즈마를 이용한 공정이 실제로 진행되는 장소를 제공하는 챔버와;A chamber providing a place where a process using a plasma caused by the high frequency generator is actually performed; 상기 챔버 내의 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하는, 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치와;A plasma analysis device to which magnetically excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory, which determines whether or not an abnormal state of the plasma is in the chamber, is applied; 상기 챔버 내의 플라즈마의 성분을 분석하여 상기 챔버 내의 플라즈마 상태가 정상적이지 아니한 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 확인하는 질량분석기(RGA);A mass spectrometer (RGA) for analyzing the components of the plasma in the chamber to check the singularity of the chemical composition of the plasma when the plasma state in the chamber is not normal to identify the cause of the abnormality of the plasma state; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.Plasma equipment comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 플라즈마 분석 장치와 상기 질량분석기 중 적어도 어느 하나의 동작 상태를 시각적으로 외부로 표시하는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 설비.And a display unit for visually displaying an operation state of at least one of the plasma analyzer and the mass spectrometer to the outside. 플라즈마를 이용한 공정이 실제로 진행되는 챔버 내의 플라즈마 상태를 모니터링하여 상기 플라즈마 모니터링하는 제1 단계와;A first step of monitoring the plasma by monitoring a plasma state in a chamber where a process using plasma is actually performed; 상기 제1 단계 이후 상기 플라즈마 상태가 비정상적으로 판단되는 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하는 단계;Identifying a singularity of the chemical composition of the plasma when the plasma state is abnormally determined after the first step; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Plasma monitoring method comprising a. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 단계는 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치를 이용하여 상기 플라즈마 상태의 이상 여부를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Wherein the first step comprises the step of identifying the abnormal state of the plasma state using a plasma analysis device applying a magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 자기 여기된 전자 플라즈마 공명 분광법(SEERS) 이론을 적용한 플라즈마 분석 장치를 이용하여 상기 플라즈마 상태의 이상 여부를 확인하는 단계는, 상기 플라즈마 분석 장치를 통해 얻어진 데이터들의 평균값이 이미 설정된 기준값에 비해 ±10 % 이상 차이가 나는 경우 상기 플라즈마 상태가 불안정해졌다고 규정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.The step of determining whether the plasma state is abnormal using the plasma analysis device applying the magnetic excited electron plasma resonance spectroscopy (SEERS) theory, the average value of the data obtained through the plasma analysis device is ± 10 compared to the reference value already set Plasma monitoring method characterized in that the plasma state becomes unstable when the difference is more than%. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제2 단계는 질량분석기(RGA)를 이용하여 상기 챔버 내의 플라즈마의 성분을 분석하여 상기 챔버 내의 플라즈마 상태가 정상적이지 아니한 경우 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.The second step is to analyze the components of the plasma in the chamber using a mass spectrometer (RGA) to check the singularity of the chemical composition of the plasma when the plasma state in the chamber is not normal to analyze the cause of the abnormal state of the plasma state Plasma monitoring method comprising the step of. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 플라즈마의 케미컬 조성의 특이점을 확인하여 상기 플라즈마 상태의 이상의 원인을 분석하는 단계는, 상기 플라즈마의 케미컬 조성을 확인하고 예상 조성 과 비교하여 그 결과가 상이할 때를 의미하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Checking the singularity of the chemical composition of the plasma and analyzing the cause of the abnormality of the plasma state, the plasma monitoring method characterized in that when the results of the chemical composition of the plasma and the results are different compared to the expected composition .
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