KR20070033221A - 유전체로 코팅된 정전척 - Google Patents

유전체로 코팅된 정전척 Download PDF

Info

Publication number
KR20070033221A
KR20070033221A KR1020050087681A KR20050087681A KR20070033221A KR 20070033221 A KR20070033221 A KR 20070033221A KR 1020050087681 A KR1020050087681 A KR 1020050087681A KR 20050087681 A KR20050087681 A KR 20050087681A KR 20070033221 A KR20070033221 A KR 20070033221A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
cooling gas
groove
dielectric
substrate
Prior art date
Application number
KR1020050087681A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101296156B1 (ko
Inventor
권기청
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020050087681A priority Critical patent/KR101296156B1/ko
Publication of KR20070033221A publication Critical patent/KR20070033221A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101296156B1 publication Critical patent/KR101296156B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 정전척 내부를 유동하는 냉각가스의 미세 방전 또는 아킹을 방지하기 위한 것으로서, 구체적으로는 도전성 금속재질의 몸체부; 상기 몸체부를 상하로 관통하는 냉각가스유로; 상기 냉각가스유로와 연통되며 상기 몸체부의 상면에 형성된 그루브; 상기 몸체부 및 그루브의 표면에 형성되는 유전체 재질의 코팅부를 포함하는 정전척을 제공한다.
본 발명에 따르면, 정전척을 관통하는 냉각가스유로 및 상면의 그루브에서 냉각가스로 인한 플라즈마 방전 또는 아킹이 방지되어, 기판이나 유전체의 손상을 방지할 수 있다.
정전척, 코팅, 아킹

Description

유전체로 코팅된 정전척{Electrostatic chuck coated with dielectric}
도 1은 일반적인 플라즈마 발생장치의 구성도
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전척의 단면도
도 3은 정전척 상면의 그루브패턴을 나타낸 도면
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전척을 포함하는 플라즈마 발생장치의 구성도
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전척의 단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 정전척 110 : 몸체부
120 : 코팅부 130 : 냉각가스유로
140 : 그루브 150 : 절연관
160 : RF전원 162 : 매처
170 : DC전원 172 : 필터
182 : 냉매유입관 184 : 냉매유출관
190 : 유전체판 192 : 접착제
194 : DC전극 196 : 관통부
본 발명은 반도체소자 또는 액정표시장치 등의 평면표시장치를 제조하기 위해 플라즈마를 이용하여 글래스 또는 웨이퍼(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 플라즈마 발생장치의 정전척(electrostatic chuck)에 관한 것이다.
도 1은 이러한 플라즈마 발생장치 중에서 정전척에 RF전력이 인가되는 반응성 이온 식각장치(Reactive Ion Etching, RIE)의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
이를 살펴보면, 상기 RIE장치(10)는 일정한 반응영역을 정의하는 챔버(11), 상기 챔버(11)의 내부에 위치하며 상면에 기판(s)을 안치하는 정전척(12), 상기 정전척(12)의 상부로 원료물질을 분사하는 가스분배판(13), 상기 가스분배판(13)의 내부로 원료물질을 공급하는 가스공급관(14), 챔버(11)의 하부에 형성되어 잔류가스를 배기하는 배기구(20)를 포함한다.
정전척(12)은 알루미늄 재질의 몸체부(12a)와, 몸체부(12a)의 상면에 결합하는 세라믹 재질의 유전체판(16)과, 유전체판(16) 내부에 위치하는 DC전극(17)을 포함하여 이루어진다.
몸체부(12a)와 유전체판(16)은 실리콘(Si) 또는 인듐(Indium) 성분의 접착제 (23)을 이용하여 결합되며, DC전극(17)은 DC전원(18)에 연결되어 정전기력을 발생시킴으로써 상부의 기판(s)을 안정적으로 유지한다.
몸체부(12a)의 상면은 주연부에 단차가 형성되는데, 이는 정전척(12)의 주변부에 결합하는 포커스링(19)과 결합하기 위한 것이다. 포커스링(19)은 통상 세라믹 재질로 제조되며, 플라즈마의 영역을 기판(s)의 외측부위까지 확장함으로써 기판(s)의 표면전체가 균일한 플라즈마 영역에 포함될 수 있도록 한다.
상기 정전척(12)의 몸체부(12a)에는 RF전원(15)이 연결되고, 챔버(11)는 통상 접지되므로, 절연부재(20)를 이용하여 몸체부(12a)와 챔버(11)를 상호 절연시킨다.
RF전원(15)과 몸체부(12a) 사이에는 최대 전력을 공급하기 위해 소스임피던스와 부하임피던스를 정합시키는 매처(15a)가 설치된다.
한편 정전척(12)의 몸체부(12a)의 내부에는 기판(s)의 온도제어와 균일한 온도유지를 위하여 냉매유로(미도시)가 형성되며, 기판(s)의 배면을 냉각시키는 냉각가스를 공급하는 냉각가스유로(22)가 형성된다.
냉각가스유로(22)는 유전체판(16)의 상면까지 관통하여 형성되며, 유전체판(16)의 상면에는 냉각가스유로(22)를 통해 유입된 냉각가스가 기판(s)의 배면에서 균일하게 확산할 수 있도록 그루브(groove, 미도시)가 형성된다. 냉각가스에는 헬륨이 주로 이용된다.
또한 정전척(12)의 몸체부(12a)에는 냉매유로와 연통하는 냉매유입관(24) 및 냉매유출관(25)이 결합하며, 기판을 가열하는 히터(미도시)가 설치되기도 한다.
이러한 구성을 가지는 RIE장치(10)에서, 기판(s)이 유전체판(16)의 상면에 안치되면, 진공펌핑을 통해 공정분위기를 조성한 후에 가스분배판(13)을 통해 기판(s)의 상부로 원료물질을 분사함과 동시에 RF전원(15)을 통해 정전척(12)에 RF전력을 인가한다.
정전척(12)에 인가된 RF전력은 정전척(12)과 챔버(11) 사이에서 RF전기장을 발생시키고, RF 전기장에서 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 이온 및 활성종을 발생시키며, 이렇게 생성된 이온 및 활성종이 입사하여 기판(s)의 표면을 식각한다.
전술한 구성의 정전척(12)은 접착제(23)를 이용하여 알루미늄 재질의 몸체부(12a)와 세라믹 재질의 유전체판(16)을 결합한 구성을 가지는데, 플라즈마에서 기판(s)으로 가속되는 이온의 충격으로 인해 기판(s)의 온도가 접착제의 녹는점 보다 높아지면 유전체판(16)과 알루미늄 몸체부(12a) 사이의 접착력이 약화될 수 있고, 접착력이 약화되어 간극이 발생하면 그 사이에 아킹이 발생하여 유전체판(16)에 손상을 가하게 된다.
또한, 유전체판(16)과 알루미늄 몸체부(12a)의 열팽창률이 다르므로, 접착력이 약해지거나, 열팽창률이 큰 알루미늄 몸체부(12a)에 의해서 유전체판(16)이 파괴될 수도 있다.
또한 냉각가스유로(22) 및 기판(s)과 유전체판(16) 사이의 그루브(미도시)에는 냉각가스가 유동하므로, RF전력에 의해 냉각가스가 절연 파괴되면 미세 플라즈 마가 생성되거나 아킹이 발생하여 유전체판(16) 및 기판(s)에 큰 손상을 입힐 수 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 발생장치에서 정전척 내부 또는 기판의 배면에서 발생하는 플라즈마 방전이나 아킹 현상을 방지하여 기판 및 유전체의 손상을 방지할 수 있는 방안을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 도전성 금속재질의 몸체부; 상기 몸체부를 상하로 관통하는 냉각가스유로; 상기 냉각가스유로와 연통되며 상기 몸체부의 상면에 형성된 그루브; 상기 몸체부 및 그루브의 표면에 형성되는 유전체 재질의 코팅부를 포함하는 정전척을 제공한다.
상기 냉각가스유로의 내주면에도 유전체 재질의 코팅부가 형성되는 것이 바람직하며, 상기 냉각가스유로에는 유전체 재질의 절연관이 삽입될 수 있다.
상기 코팅부는 Al2O3, Al2O3+SiC3, AlN 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 형성된다.
상기 코팅부의 상부에는 DC전극을 내장한 유전체판이 결합할 수 있다. 이때 상기 코팅부와 상기 유전체판은 실리콘(Si) 또는 인듐(Indium) 성분의 접착제를 이 용하여 결합하며, 상기 유전체판은 상기 그루브와 연통하는 관통부를 구비한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전척(100)의 구성을 도시한 단면도이다.
이를 살펴보면, 알루미늄 재질의 몸체부(110)에 상하를 관통하는 냉각가스유로(130)를 형성하고, 기판(s)이 안치되는 상면부에 상기 냉각가스유로(130)를 통해 유입된 냉각가스가 유동할 수 있는 그루브(140)를 형성한다.
그리고 몸체부(110)의 표면에는 Al2O3, Al2O3+SiC3, AlN 등의 유전체를 이용하여 코팅부(120)를 형성하며, 이때 그루브(140)의 표면에도 동일한 재질로 코팅부(120)를 형성한다.
본 발명은 유전체를 이용하여 몸체부(110)에 코팅부(120)를 형성하기 전에 미리 몸체부(110)에 그루브(140)를 형성하는 점에 특징이 있다.
몸체부(110)에 형성된 그루브(140)는 너비가 3mm 이하이고, 깊이는 0.5mm 내지 3mm 이하의 범위에서 선택된다.
그루브(140) 내부의 표면에도 유전체를 이용한 코팅부(120)를 형성하기 때문에 코팅부(120) 두께만큼 그루브(140)의 너비와 깊이가 줄어들게 된다. 따라서 코 팅부(120)의 두께를 고려하여 그루브(140)의 가공치수가 결정되어야 함은 물론이다.
코팅부(120)의 두께는 10㎛ 내지 500㎛ 사이에서 정전척의 몸체부에 인가되는 전력의 크기와 기판을 흡착하는 흡착력의 크기를 고려하여 결정된다.
유전체 재질의 코팅부(120)는 냉각가스가 유동하는 그루브(140) 내에서 RF전기장을 최소화시키고 표면에 흐르는 RF전류를 감소시킴으로써 그루브(140) 내에서 미세 방전(micro discharge) 또는 아킹이 일어나지 않도록 하는 역할을 한다.
냉각가스유로(130)의 내부에서도 아킹이 발생할 수 있으므로 이를 방지하기 위해서는 냉각가스유로(130)의 내부에도 코팅부(120)를 형성하는 것이 바람직하지만, 도시된 바와 같이 절연관(150)을 삽입하는 것으로 대체할 수 있다.
한편, 몸체부(110)의 표면에 유전체 재질의 코팅부(120)를 보다 두껍게 형성하고 난 후에 그루브(140)와 냉각가스유로(130)의 내부가 설정된 깊이와 너비를 가지도록 추가적으로 절삭가공이 이뤄질 수 있다.
본 발명에서는 DC전극을 내장한 유전체판이 생략되기 때문에, 알루미늄 몸체부(110)에 RF전원(160)과 DC전원(170)을 함께 연결한다. 이때 RF전원(160)에 의해 DC전원(170)이 영향 받지 않도록 DC전원(170)의 출력단에는 필터(172)를 설치하는 것이 바람직하다.
상기 필터(172)는 DC전원(170)에 대하여 직렬로 연결된 인턱터와 병렬로 연결된 커패시터를 포함하는 저역통과필터(Low Pass Filter, LPF)로서, 고주파의 RF 전력을 인덕터를 통해 감쇠시키는 한편 커패시터를 통해 바이패스시키는 역할을 한다.
알루미늄 몸체부(110)에는 냉매유입관(182) 및 냉매유출관(184)이 연결되어 있으며, 상기 냉매유입관(182) 및 냉매유출관(184)은 기판(s)의 온도 조절을 위해 몸체부(110)의 내부에 형성된 냉매유로와 연통된다.
도 3은 정전척(100)의 상면에 형성된 그루브(140)의 패턴을 예시한 것으로서, 중앙부를 관통하는 냉각가스유로(130)와 연통되는 다수의 방사형 유로와 환형유로를 형성하여 기판(s)의 배면을 균일하게 냉각시킬 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 정전척(100)을 포함하는 플라즈마 발생장치(50)의 단면을 도시한 것으로서, 챔버(51)의 내부에 본 발명에 따른 정전척(100)이 설치되고, 정전척(100)의 상부에는 원료물질을 공급하는 가스공급관(53)과 연결되는 가스분배판(52)이 위치하며, 챔버(51)의 하부에는 잔류기체를 배출하기 위한 배기구(55)가 형성된다.
정전척(100)의 주변부에는 포커스링(54)이 결합되며, 포커스링(54)의 내주면은 정전척(100)의 주연부에 형성된 단차에 결합한다.
정전척(100)의 몸체부(110)에는 RF전원(160) 및 DC전원(170)이 연결되므로, 접지된 챔버(51)와 절연시키기 위해 절연부재(56)가 설치된다.
따라서 기판(s)이 챔버 내부로 반입되어 정전척(100)의 상면에 안치되면, 정전척(100)에 DC전원(170)을 인가하여 정전기력을 이용하여 기판(s)을 안정적으로 유지한다.
또한 상부의 가스분배판(52)을 통해 원료물질을 분사하면서 정전척(100)에 RF전원(160)을 인가하면, RF전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌하여 플라즈마를 발생시키며, 플라즈마 내의 이온과 활성종이 기판(s)으로 입사하여 식각 또는 증착공정을 수행하게 된다.
제2 실시예
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 정전척(100)의 단면을 도시한 것으로서, 알루미늄 몸체부(110)의 상면에 그루브(140)를 형성하고 RF전기장에 대한 냉각가스의 절연내압을 높이기 위해 몸체부(110) 및 그루브(140)의 표면에 Al2O3, Al2O3+SiC3, AlN 등의 유전체 재질로 코팅부(120)를 형성하는 점에서는 제1 실시예와 공통된다.
또한 제1 실시예와 마찬가지로 몸체부(110)의 중앙부에는 냉각가스유로(130)가 관통하여 형성되며, 상기 냉각가스유로(130)의 내주면은 전술한 코팅부(120)와 동일한 재질로 코팅되거나 절연관(150)이 삽입될 수 있고, 몸체부(110)에는 내부의 냉매유로(미도시)와 연통되는 냉매유입관(182) 및 냉매유출관(184)이 연결된다.
본 발명의 제2 실시예는 그루브(140)와 코팅부(120)가 형성된 몸체부(110)의 상면에 접착제(192)를 이용하여 세라믹 재질의 유전체판(190)을 결합하는 점에 특징이 있으며, 이때 유전체판(190)을 결합하기 위해 실리콘(Si) 또는 인듐(Indium) 성분의 접착제(192)를 이용한다.
코팅부(120)가 형성된 알루미늄 몸체부(110)에 유전체판(190)을 결합시키면 플라즈마에 의한 이온 충격으로 기판(s)의 온도가 급격이 상승할 경우 접착제(192)가 녹거나 접착력이 시간에 따라 약화되는데, 본 발명과 같이 세라믹 재질의 코팅부(120)에 세라믹 재질의 유전체판(190)을 결합시키면 접착제(192) 상하의 세라믹이 비슷하게 열팽창하므로 세라믹의 균열을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 접착제(192)의 열팽창도 최소화할 수 있다.
따라서 접착제(192)가 열화되어 간극이 발생하거나 아킹 등에 의해 세라믹이 균열되는 현상을 방지할 수 있다.
상기 접착제(192)의 두께는 열팽창을 최소화할 수 있도록 1 내지 2mm 정도로 하는 것이 바람직하다.
한편, 제2 실시예에서는 유전체판(190)에 DC전극(194)이 내장 되므로, 알루미늄 몸체부(110)에 연결되는 RF전원(160)과 DC전극(194)에 연결되는 DC전원(170)을 서로 격리시키기 위해 필터를 설치할 필요가 없다.
또한 몸체부(110)의 상면에는 냉각가스유로(130)와 연통되는 그루브(140)가 형성되어 있고, 기판(s)은 유전체판(190)의 상면에 안치되므로, 그루브(140)를 유동하는 냉각가스가 기판(s)의 배면까지 닿기 위해서는 유전체판(190)에도 관통부(196)가 형성되어야 한다.
상기 유전체판(190)의 관통부(196)는 몸체부(110)에 형성된 그루브(140)와 유사한 패턴의 슬릿이나 다수의 홀 형태로 형성되는 것이 바람직하다. 접착제(192)가 그루브(140)의 내부에 도포되면 냉각가스의 유동을 방해할 수 있으므로 접착제 (192)는 몸체부(110)의 상면에만 도포되어야 한다.
한편 이상에서는 RIE 장치를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 RF전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 모든 장치에 적용될 수 있는 것이므로 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치나 플라즈마를 이용하는 애싱(ashing) 장치, 스퍼터 등에도 적용될 수 있다
본 발명에 따르면, 정전척을 관통하는 냉각가스유로 및 상면의 그루브에서 냉각가스로 인한 플라즈마 방전 또는 아킹이 방지되어, 기판이나 유전체의 손상을 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 도전성 금속재질의 몸체부;
    상기 몸체부를 상하로 관통하는 냉각가스유로;
    상기 냉각가스유로와 연통되며 상기 몸체부의 상면에 형성된 그루브;
    상기 몸체부 및 그루브의 표면에 형성되는 유전체 재질의 코팅부
    를 포함하는 정전척
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각가스유로의 내주면에도 유전체 재질의 코팅부가 형성되는 정전척
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉각가스유로에는 유전체 재질의 절연관이 삽입되는 정전척
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코팅부는 Al2O3, Al2O3+SiC3, AlN 중에서 선택되는 어느 하나의 재질로 형성되는 정전척
  5. 제1항에 있어서,
    상기 코팅부의 상부에는 DC전극을 내장한 유전체판이 결합하는 정전척
  6. 제5항에 있어서,
    상기 코팅부와 상기 유전체판은 실리콘(Si) 또는 인듐(Indium) 성분의 접착제를 이용하여 결합하는 정전척
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유전체판은 상기 그루브와 연통하는 관통부를 구비하는 정전척
KR1020050087681A 2005-09-21 2005-09-21 유전체로 코팅된 정전척 KR101296156B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050087681A KR101296156B1 (ko) 2005-09-21 2005-09-21 유전체로 코팅된 정전척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050087681A KR101296156B1 (ko) 2005-09-21 2005-09-21 유전체로 코팅된 정전척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070033221A true KR20070033221A (ko) 2007-03-26
KR101296156B1 KR101296156B1 (ko) 2013-08-19

Family

ID=41560775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050087681A KR101296156B1 (ko) 2005-09-21 2005-09-21 유전체로 코팅된 정전척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101296156B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101448817B1 (ko) * 2008-05-02 2014-10-13 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
WO2023096023A1 (ko) * 2021-11-23 2023-06-01 피에스케이 주식회사 지지 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100404631B1 (ko) * 1994-01-31 2004-02-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 두께가일정한절연체막을갖는정전기척
US6256187B1 (en) * 1998-08-03 2001-07-03 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Electrostatic chuck device
KR100427459B1 (ko) * 2001-09-05 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 아크 방지용 정전척

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101448817B1 (ko) * 2008-05-02 2014-10-13 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
WO2023096023A1 (ko) * 2021-11-23 2023-06-01 피에스케이 주식회사 지지 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101296156B1 (ko) 2013-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102594473B1 (ko) 내장형 rf 차폐부를 갖는 반도체 기판 지지부들
US7199327B2 (en) Method and system for arc suppression in a plasma processing system
KR100802670B1 (ko) 정전 흡착 장치, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101919644B1 (ko) 디척 어시스트된 웨이퍼 후측 플라즈마를 갖는 정전 척
US7566368B2 (en) Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
KR102454532B1 (ko) 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척
US8877005B2 (en) Plasma processing apparatus and electrode used therein
US6727654B2 (en) Plasma processing apparatus
KR20190138285A (ko) 기판 지지 페디스털
KR100427459B1 (ko) 아크 방지용 정전척
US20120145186A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20190008126A (ko) 플라즈마 처리 장치용 부품의 용사 방법 및 플라즈마 처리 장치용 부품
JP2012186497A (ja) 電極アッセンブリ
WO2004030015A2 (en) Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
KR20190005798A (ko) 정전 척의 제조 방법 및 정전 척
US20210313151A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20190086699A (ko) 표면 입자를 감소시키기 위한 플라즈마 방전 점화 방법
WO2002052628A1 (fr) Procede et appareil de traitement au plasma
KR102189323B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20210243876A1 (en) Plasma Source Having a Dielectric Plasma Chamber with Improved Plasma Resistance
KR101296156B1 (ko) 유전체로 코팅된 정전척
KR102175086B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11705357B2 (en) Substrate processing system including electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck
KR20070095830A (ko) 플라즈마 처리 장치
US20220246404A1 (en) Sealant coating for plasma processing chamber components

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170526

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180518

Year of fee payment: 6