KR20070029959A - Manufacturing method of carbon nanotube fed using neutral beam - Google Patents

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Abstract

A manufacturing method of a carbon nanotube FED using a neutral beam is provided to enhance reproducibility and uniformity of a carbon nanotube emitter by exposing a carbon nanotube from a surface of a carbon nanotube paste. A carbon nanotube paste(307) to be used as an emitter is formed on a cathode electrode. A baking process is performed to bake the carbon nanotube paste. A binder element is removed from a surface of the carbon nanotube paste by irradiating neutral beam(308) on the baked carbon nanotube paste. A carbon nanotube is exposed to the surface of the carbon nanotube paste by removing the binder element. A method for forming the cathode electrode includes a process for forming cathode metal layer(303) on a transparent substrate, a process for forming a cathode line on the cathode metal layer, a process for depositing a gate insulating layer(305) on the cathode electrode, a process for forming a gate metal layer(306) on the gate insulating layer, and a process for forming a gate hole on the gate metal layer.

Description

중성빔을 이용한 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법{Manufacturing method of carbon nanotube FED using neutral beam}Manufacturing method of carbon field emission display device using neutral beam {Manufacturing method of carbon nanotube FED using neutral beam}

도 1은 CNT를 에미터로 하여 구성된 일반적인 3극형 CNT 전계방출 표시소자의 개략도를 나타낸 도면,1 is a schematic diagram of a general tripolar CNT field emission display device constructed of CNTs as emitters;

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 특징인 에미터로 사용된 CNT 페이스트의 표면처리와 관련한 CNT 전계방출 표시소자에 대하여 3극형 소자의 공정을 나타낸 도면,2A to 2B are views showing the process of the tripolar device for a CNT field emission display device related to the surface treatment of the CNT paste used as an emitter, which is a feature of the invention;

도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 특징인 에미터로 사용된 CNT 페이스트의 표면처리와 관련한 CNT 전계방출 표시소자에 대하여 2극형 소자의 공정을 나타낸 도면,3A to 3B show a process of a bipolar device for a CNT field emission display device related to the surface treatment of a CNT paste used as an emitter, which is a feature of the present invention;

도 4a 내지 도 4f는 전계방출 표시소자의 한 실시예인 3극형 캐소드 전극을 형성하는 공정 나타낸 도면,4A to 4F are views showing a process of forming a tripolar cathode electrode which is one embodiment of a field emission display device;

도 5a 내지 도 5c는 상기 한 실시예에 따른 CNT 페이스트를 형성하는 공정을 나타낸 도면,5A to 5C are views illustrating a process of forming a CNT paste according to the embodiment;

도 6은 본 발명에 따른 CNT 페이스트 표면처리와 관련하여 중성빔을 발생하는 중성빔 발생장치의 구성을 나타내는 개략도이다.6 is a schematic diagram showing the configuration of a neutral beam generator for generating a neutral beam in connection with the CNT paste surface treatment according to the present invention.

도 7은 캐소드 전극상에 프린팅된 CNT 페이스트를 소성한 후의 SEM 사진을 나타낸 도면,7 is a SEM photograph after firing the CNT paste printed on the cathode;

도 8은 종래의 CNT 페이스트의 표면처리 방법중 Adhesive Taping 방법에 의 해 표면처리한 후의 SEM 사진을 나타낸 도면,8 is a view showing a SEM photograph after the surface treatment by the Adhesive Taping method of the conventional CNT paste surface treatment method,

도 9는 종래의 CNT 페이스트의 표면처리 방법중 Ar+플라즈마에 의해 표면처리한 후의 SEM 사진을 나타낸 도면,9 is a view showing an SEM photograph after the surface treatment by Ar + plasma in the conventional surface treatment method of CNT paste;

도 10은 종래의 CNT 페이스트의 표면처리 방법중 Ar+이온빔에 의해 표면처리한 후의 SEM 사진을 나타낸 도면이다.FIG. 10 is a SEM photograph after surface treatment with Ar + ion beam in the conventional surface treatment method of CNT paste. FIG.

본 발명은 전계방출 어레이(FEA)에 있어서 에미터를 탄소나노튜브로 사용하는 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에미터로 사용되는 CNT 페이스트의 효과적인 전계방출과 우수한 재현성 및 균일성을 위해 새로운 표면처리를 포함하는 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a CNT field emission display device using an emitter as a carbon nanotube in a field emission array (FEA), and more particularly, effective field emission and excellent reproducibility of a CNT paste used as an emitter. And it relates to a method for manufacturing a CNT field emission display device comprising a new surface treatment for uniformity.

최근에 나노미터 크기의 극미세 영역에서 새로운 물리현상과 향상된 물질특성을 나타내는 연구결과가 보고되면서 나노과학기술이라는 새로운 영역이 태동하게 되었고, 이러한 나노과학기술은 앞으로 21C를 선도해 나갈 수 있는 과학기술로서 전자정보통신, 의약, 소재, 제조공정, 환경 및 에너지 등의 분야에서 미래의 기술로 부각되었다.Recently, a new field of nanotechnology has emerged as a result of research showing new physical phenomena and improved material properties in the nanometer-sized micro-area, and this nanotechnology is a science technology that can lead 21C in the future. It has emerged as a future technology in the fields of electronic information communication, medicine, materials, manufacturing process, environment and energy.

나노과학기술 분야와 관련하여 영상 디스플레이 분야에서 최근 각광받는 기술이 FED(Field Emission Display) 기술이다. 전계에 의해 방출된 전자를 가속 충돌시킴으로써 빛을 일으키는 방식으로, 전계방출 디스플레이라고도 한다. In the field of nanotechnology, FED (Field Emission Display) technology is recently attracting much attention in the field of image display. It is also called a field emission display in a manner that generates light by accelerating collision of electrons emitted by an electric field.

음극판(cathode) 패널과 양극판(anode) 패널로 구성되어 있는데, 음극판에서 방출된 전자가 양극판의 형광체에 조사(照射)되어 영상을 나타낸다. 작동방식이 기존의 CRT(cathode ray tube, 브라운관)와 유사하면서도 평판으로 되어 있어 차세대 평면 브라운관으로 불린다.It consists of a cathode panel and a cathode panel. The electrons emitted from the cathode plate are irradiated onto the phosphor of the anode plate to display an image. Its operation is similar to that of conventional CRT (cathode ray tube) and its flat plate is called next generation flat CRT.

그러나 CRT가 하나의 전자총에서 방출된 전자들의 주사를 통해 영상을 표시하는 데 반해 FED는 아주 작은 크기의 수많은 전자총에서 방출된 전자가 전면에 있는 각각의 형광체를 여기(勵起)시켜 발광시킴으로써 영상을 표시하는 것이 다르다.However, while the CRT displays the image by scanning electrons emitted from one electron gun, the FED uses the electrons emitted from numerous electron guns of very small size to excite each phosphor in front and emit light. The display is different.

FED는 CRT와 마찬가지로 음극선 발광에 의해 작동하므로 발광 효율이 높고 시야각이 넓은 장점이 있다. 크기가 작고 가벼우며 동작속도가 빠르고 제조비가 저렴하다. 반면 구동전압이 LCD에 비해 높아 효율적인 저전압 형광체의 개발이 시급하다는 것이 문제점이다Like the CRT, the FED operates by cathode ray emission, and thus has a high luminous efficiency and a wide viewing angle. Small size, light weight, fast operation speed and low manufacturing cost. On the other hand, it is urgent to develop an efficient low voltage phosphor because the driving voltage is higher than that of LCD.

이와 관련하여 최근 탄소나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)는 새로운 물질특성의 구현이 가능하여 기초연구의 중요성과 산업적 응용성이 동시에 크게 각광을 받고 있다.In recent years, carbon nanotubes (CNTs) have recently been able to realize new material properties.

탄소나노튜브는 기계적으로 쉽게 변형되지 않으며, 화학적 안정성과, 음의 전자 친화도(negative electron affinity; NEA) 특성 등의 많은 장점을 가지고 있으며 이와 같은 장점으로 인해 전자소자로서의 응용 가능성이 높아지고 있다.Carbon nanotubes are not easily deformed mechanically, and have many advantages such as chemical stability and negative electron affinity (NEA) characteristics, and as a result, their application as electronic devices is increasing.

특히, 음의 전자 친화도(NEA) 특성은 FED의 한 종류인 CNT를 전계방출 소자에 매우 적합한 재료로 여기게 하는 가장 큰 이유가 되고 있으며, CNT로 부터의 전계방출 특성은 진공도가 다소 좋지 않은 환경에서도 안정된 방출 특성을 가지는 것 으로 알려져 있다. 이와 같은 특성은, 실제 패키징 공정 이후 어느 정도 진공도의 악화가 불가피 하다는 점을 고려하면, 실제 소자에의 적용시 매우 큰 장점이 될 수 있다.In particular, the negative electron affinity (NEA) characteristics are the main reason for considering CNT, which is a kind of FED, as a very suitable material for field emission devices, and the field emission characteristics from CNTs have a somewhat poor vacuum environment. It is also known to have stable emission characteristics. Such characteristics may be a great advantage when applied to an actual device, considering that deterioration of the degree of vacuum is inevitable to some extent after the actual packaging process.

이를 극복하기 위해 제안된 종래 기술인, 게이트 홀 안에 CNT 에미터를 직접 성장(direct growing) 방식으로 형성하는 전계방출소자(FED) 구조는, 게이트 홀 안에 대칭성을 가지고 균일하게 CNT 에미터를 형성시키기가 매우 어렵기 때문에, 재현성있는 CNT 에미터-게이트 구조를 만들기 어렵다.In order to overcome this problem, the conventional field emission device (FED) structure, which directly forms a CNT emitter in a gate hole, is used to form a CNT emitter uniformly with symmetry in the gate hole. It is very difficult to make a reproducible CNT emitter-gate structure.

상술한 직접 성장법에 의한 CNT 에미터 형성 방법의 문제점을 극복하기 위하여, CNT를 페이스트 형태로 만들어 스크린 프린팅이나, 로울링(rolling) 및 닥터 블레이드(doctor blade) 방법으로 게이트 홀 안으로 밀어넣어 CNT 에미터를 형성시키는 방법이 사용되고 있다. 특히, CNT 페이스트를 감광성(Photo sensitive) 재료와 혼합하여 사진식각방법(Photolithography) 방법으로 게이트 홀 안에만 CNT를 남기는 기술이 적용되기도 한다. In order to overcome the problems of the CNT emitter formation method by the direct growth method described above, CNT is formed into a paste form and pushed into the gate hole by screen printing or rolling and doctor blade methods. A method of forming the rotor is used. In particular, the CNT paste may be mixed with a photosensitive material to leave CNTs only in the gate holes by a photolithography method.

이때 감광성 재료로써 네거티프 포토레지스트(negative photoresist)를 이용하면 CNT가 도포된 유리면의 반대쪽에서 노광을 실시하는 후면 노광을 적용하여 게이트 홀 안의 노광된 CNT 페이스트만 선택적으로 남기는 방식을 취할 수 있어 보다 재현성 있는 게이트-에미터 구조의 형성이 가능하게 된다.In this case, if a negative photoresist is used as the photosensitive material, the backside exposure is performed on the opposite side of the CNT-coated glass surface to selectively leave only the exposed CNT paste in the gate hole. It is possible to form a reproducible gate-emitter structure.

첨부한 도 1에서는 위와같이 CNT를 에미터로 하여 구성된 3극형 CNT 전계방출 표시소자의 개략도를 나타낸 것이다. 투명기판(baseplate)에 캐소드 금속막(30)이 형성되고 그상층에 절연막(insulator)과 게이트 금속막(20)을 형성시켜 CNT 에 미터(50)에서 전계방출을 이끌어낼 전압을 걸어준다.FIG. 1 shows a schematic diagram of a tripolar CNT field emission display device constructed using the CNT as an emitter. The cathode metal film 30 is formed on a transparent substrate, and an insulating film and an gate metal film 20 are formed on the upper layer to apply a voltage to induce a field emission from the meter 50 to the CNT.

그결과 이러한 게이트 전극(20)과 형광입자(Phosphor particles)로 입혀진 어노드(10)와의 전압차에 의해, 방출된 전자가 형광입자에 충돌 함으로써 최종적으로 발광하게 된다.As a result, due to the voltage difference between the gate electrode 20 and the anode 10 coated with fluorescent particles, the emitted electrons collide with the fluorescent particles to finally emit light.

그러나 이러한 CNT 페이스트를 이용한 에미터 제조방법상에서 중요한 문제점중에 하나가 표면처리(surface treatment) 방법이다. However, one of the important problems in the emitter manufacturing method using the CNT paste is the surface treatment method.

CNT 페이스트는 바인더 성분 내에 일정한 양의 CNT 입자가 혼합된 물질로서, 프린팅 후 소성을 하게되면 CNT 입자는 바인더 내에 묻혀있어 전자를 방출할 수 없게된다. 전자를 방출 시키기 위해서는 페이스트의 표면쪽에서 바인더의 일부를 선택적으로 제거하여 CNT 입자 자체가 표면 밖으로 드러나게 해야 하는 것이 관건이다.The CNT paste is a material in which a certain amount of CNT particles are mixed in the binder component. When firing after printing, the CNT particles are buried in the binder and cannot emit electrons. The key is to selectively remove some of the binder from the surface of the paste so that the CNT particles themselves come out of the surface to release the electrons.

이처럼 CNT 입자 자체를 표면 밖으로 드러나게 해주는 공정을 표면처리(surface treatment)라고 하는데, 표면처리 방법으로 종래에는 접착성 테이프를 페이스트의 표면쪽에 일정한 압력으로 접착 시켰다가 떼어내는 접착성 테이핑(adhesive taping) 방법이 있다This process of revealing the CNT particles themselves out of the surface is called surface treatment, which is an adhesive taping method in which conventional adhesive tape is adhered to the surface of a paste at a constant pressure and then peeled off. There is this

또한 아르곤(Ar)이나 질소(N2)등의 불활성 가스를 이온화시켜 이온 빔(ion beam)을 수백 V 전압으로 가속시켜 CNT 페이스트에 조사(exposure)하는 방법, 아르곤이나 질소의 가스를 플라즈마화 시켜 플라즈마 상태로 CNT 페이스트를 표면처리하는 방법, 및 레이져 빔(laser beam)을 조사시켜 표면처리하는 방법 등이 있다.In addition, a method of ionizing an inert gas such as argon (Ar) or nitrogen (N 2 ) to accelerate the ion beam to a voltage of several hundred volts to expose the CNT paste, and to plasma the gas of argon or nitrogen. And a method of surface-treating CNT paste in a plasma state, and a method of surface-treating by irradiating a laser beam.

그러나 가장 널리 사용되는 접착성 테이핑(adhesive taping) 방법은 표면처리 측면에서는 효과적이나 접착제와 같은 이물질들이 남을 수 있고 특히 3극 구조와 같이 게이트 홀 안에 CNT 페이스트 에미터가 게이트 전극 높이보다 아래에 형성된 경우 적절히 표면처리되지 못하는 단점이 있다.However, the most widely used adhesive taping method is effective in terms of surface treatment, but foreign substances such as adhesives may remain, especially when a CNT paste emitter is formed below the gate electrode height in the gate hole such as a three-pole structure. There is a drawback of not being properly surface treated.

플라즈마에 의한 방법은 CNT 페이스트를 구성하는 바인더 성분이 제거되는 성질 뿐만 아니라 CNT 자체도 플라즈마 내의 이온이나 radical들과 심하게 반응하여 소거됨으로써 바인더를 선택적으로 제거시키는 효과가 떨어진다.In the plasma method, not only the binder component constituting the CNT paste is removed but also the effect of selectively removing the binder by CNT itself is severely reacted with ions and radicals in the plasma to be removed.

또한 이온빔에 의한 방법은 바인더의 선택적 제거가 플라즈마 방법보다는 개선되는 측면이 있으나 이 역시, Ar+ 이온들과 CNT와의 화학적 반응에 의해 CNT가 빨리 소거될 우려가 있고, 레이져 빔(laser beam)의 조사에 의한 방법도 처리속도(throughput)가 느리다는 단점이 있다.In addition, the ion beam method improves the selective removal of the binder than the plasma method, but also, there is a fear that CNTs may be rapidly erased by the chemical reaction between the Ar + ions and the CNTs. The method also has a disadvantage in that the throughput is slow.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에미터로 사용되는 CNT 페이스트의 효과적인 전계방출과 우수한 재현성 및 균일성을 위해 새로운 표면처리를 포함하는 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법을 제안 함으로써, CNT 에미터 어레이에 관한 공정을 단순화 하고, 재현성 및 균일성이 우수한 CNT 에미터를 형성하는 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법을 제공하는데 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and proposes a method for manufacturing a CNT field emission display device including a new surface treatment for effective field emission and excellent reproducibility and uniformity of the CNT paste used as an emitter, CNT To simplify the process of the emitter array, to provide a CNT field emission display device to form a CNT emitter excellent in reproducibility and uniformity.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 캐소드 전극상에 에미터로 사용하기 위한 CNT 페이스트를 형성 시키는 단계, 형성된 CNT 페이스트를 소성하는 단계 및, 소성된 CNT 페이스트에 중성빔(neutral beam)을 조사시켜 페이스트 표면상에 바인더 성분을 제거함으로써, CNT 자체를 표면상으로 노출시킬 수 있도록 하는 표면처리 단계를 포함한다.The present invention for achieving the above object relates to a method for manufacturing a CNT field emission display device, comprising the steps of forming a CNT paste for use as an emitter on the cathode, firing the formed CNT paste, and And a surface treatment step of irradiating a CNT paste with a neutral beam to remove the binder component on the paste surface, thereby exposing the CNT itself onto the surface.

또한 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는 투명기판 일면에 금속막을 증착하여 캐소드 금속막을 형성하는 단계, 형성된 캐소드 금속막상에 사진식각에 의한 캐소드 라인을 형성하는 단계, 라인이 형성된 캐소드 전극상에 게이트 절연막을 증착하는 단계, 게이트 절연막상에 게이트 금속막을 증착하는 단계 및, 게이트 금속막상에 사진식각(potolithograpy)에 의한 게이트홀을 형성하는 단계를 포함하는 3극형 표시소자로 형성하는 것이 바람직하다.The forming of the cathode may include forming a cathode metal film by depositing a metal film on one surface of the transparent substrate, forming a cathode line by photolithography on the formed cathode metal film, and forming a gate insulating film on the cathode on which the line is formed. It is preferable to form the three-pole display device, which includes depositing, depositing a gate metal film on the gate insulating film, and forming a gate hole by photolithography on the gate metal film.

더 나아가 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는 투명기판에 캐소드 금속막을 형성하여 2극형 표시소자로 형성하는 것일 수 있다.Furthermore, the forming of the cathode electrode may be performed by forming a cathode metal film on a transparent substrate to form a bipolar display device.

또한 상기 CNT 페이스트를 형성하는 단계는 네가티브(negative) 감광성 CNT 페이스트를 프린팅 하는 단계, CNT 페이스트가 형성된 캐소드 전극상에 UV 자외선을 후면 노광시켜 현상함으로써, 노광된 후면부분의 CNT 페이스트만을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the forming of the CNT paste may include printing a negative photosensitive CNT paste, and developing only the exposed CNT paste by exposing UV ultraviolet rays to the cathode electrode on which the CNT paste is formed. It is preferable to include.

더 나아가 상기 CNT 페이스트를 형성하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing)이나 doctor blade법 혹은 스핀코팅 방법에 의해 도포된 것일 수 있다.Further, the forming of the CNT paste may be applied by screen printing, doctor blade, or spin coating.

한편, 상기 CNT 페이스트는 금속분말이 혼합된 것일 수 있고, 바람직하게는 CNT 페이스트는 frit이 혼합된 것을 특징으로 할 수 있다.On the other hand, the CNT paste may be a metal powder is mixed, preferably the CNT paste may be characterized in that the frit is mixed.

또한 상기 소성하는 단계는 CNT 에미터 페이스트를 300℃ 이상의 온도에서 소성하는 것이 바람직하고, 상기 중성빔은 불활성 가스를 이온원(source)으로 하는 것일 수 있으며, 산소가스를 이온원으로 하는 것도 가능하다. 그리고 중성빔의 가속 에너지는 100eV 내지 1000eV의 범위로 하여 조사하는 것이 바람직하다.In the firing step, the CNT emitter paste may be calcined at a temperature of 300 ° C. or higher, and the neutral beam may be an inert gas as an ion source, or an oxygen gas as an ion source. . The acceleration energy of the neutral beam is preferably irradiated in the range of 100 eV to 1000 eV.

이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법의 바람직한 실시예에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail with respect to a preferred embodiment of the manufacturing method of the CNT field emission display device according to the present invention.

첨부한 도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 특징인 에미터로 사용된 CNT 페이스트의 표면처리와 관련한 CNT 전계방출 표시소자에 대하여 3극형 소자의 공정을 나타낸 제 1실시예이다.2A to 2B show a first embodiment showing a process of a tripolar device for a CNT field emission display device related to the surface treatment of a CNT paste used as an emitter, which is a feature of the present invention.

도 2a에서 나타낸 바와 같이 기판(301)에 투명전도막(302)과 캐소드 전극막(303)을 차례로 증착하고 절연막(305), 게이트 전극막(306)으로 구성되는 3극형 캐소드 전극을 형성하고, 그 캐소드 전극상에 에미터로 사용하기 위한 CNT 페이스트(307)를 도포하여 그 CNT 페이스트(307)를 소성하는 것을 도시한 것이다.As shown in FIG. 2A, a transparent conductive film 302 and a cathode electrode film 303 are sequentially deposited on the substrate 301 to form a tripolar cathode electrode composed of an insulating film 305 and a gate electrode film 306. The CNT paste 307 for use as an emitter is applied on the cathode and the CNT paste 307 is fired.

또한 도 2b는 소성된 CNT 페이스트(307)를 중성빔(neutral beam)을 조사하는 것을 나타낸 것인데, 이것은 CNT 페이스트(307)에 있는 바인더를 제거 함으로써 CNT(307')가 표면에 잘 드러나도록 하기 위함이다.FIG. 2B also shows the firing of a neutral beam of the fired CNT paste 307 to remove the binder in the CNT paste 307 so that the CNT 307 'is well visible on the surface. to be.

이러한 CNT 페이스트는 파우더(powder)와 바인더(binder) 및 용매(solvent)를 일정한 비율로 혼합하여 형성되는데, 도포된 페이스트(307)를 소성하게 되면 CNT 입자는(307')는 바인더 내에 묻혀있어 전자를 방출할 수 없게 된다. 그래서 보다 효과적인 CNT 입자의 노출을 위해 중성빔(308)을 조사하게 되는 것이다.The CNT paste is formed by mixing a powder, a binder, and a solvent in a predetermined ratio. When the applied paste 307 is fired, the CNT particles 307 'are buried in the binder. Can not be released. Thus, the neutral beam 308 is irradiated for more effective CNT particle exposure.

그리고 첨부한 도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 특징인 에미터로 사용된 CNT 페이스트의 표면처리와 관련한 CNT 전계방출 표시소자에 대하여 2극형 소자의 공정을 나타낸 제 2실시 예이다.3A to 3B show a second embodiment showing a process of a bipolar device for a CNT field emission display device related to the surface treatment of a CNT paste used as an emitter, which is a feature of the present invention.

도 3a에서 나타낸 바와 같이 투명기판(401)상에 전도막(402)과 캐소드 금속막(403)을 차례로 증착 시키고, 그 상층에 에미터로 사용하기 위한 CNT 페이스트(407)를 도포 한 후 페이스트(407)를 소성하는 공정을 나타낸 것이다.As shown in FIG. 3A, the conductive film 402 and the cathode metal film 403 are sequentially deposited on the transparent substrate 401, and then the CNT paste 407 for use as an emitter is applied to the upper layer. 407) is shown.

도 3b는 소성된 CNT 페이스트(407)에 중성빔(408)을 조사함으로써, CNT(407')를 효과적으로 표면에 드러나게 하도록 하는 공정을 나타낸다.FIG. 3B shows a process that causes the fired CNT paste 407 to irradiate the neutral beam 408 to effectively expose the CNT 407 'to the surface.

한편 첨부한 도 4a 내지 도 4f는 3극형 캐소드 전극을 형성하는 공정을 상세하게 도시한 것이다.Meanwhile, FIGS. 4A to 4F show details of a process of forming a tripolar cathode electrode.

도 4a는 투명기판(101)을 나타내고, 도 4b는 투명기판(102)에 캐소드 전도막(201)과 캐소드 금속 전극막(103)이 증착된 단면도이다.4A illustrates a transparent substrate 101, and FIG. 4B is a cross-sectional view of the cathode conductive film 201 and the cathode metal electrode film 103 deposited on the transparent substrate 102.

도 4c는 캐소드 라인을 형성하기 위해 포토레지스트(photoresist)(104)를 도포하고, 통상의 사진식각(photolithography) 방법에 의해 포토레지스트(104)에 패턴을 형성한후, 이를 마스크로 사용한 식각(etching) 공정에 의해 금속막(103)과 전도막(102)을 각각 에칭함으로써 이중막 구조를 갖는 캐소드 전극이 형성된 상태의 기판 단면도이다.4C shows a photoresist 104 is applied to form a cathode line, a pattern is formed on the photoresist 104 by a conventional photolithography method, and then used as a mask for etching. It is sectional drawing of the board | substrate of the state in which the cathode electrode which has a double film | membrane structure was formed by etching each of the metal film 103 and the conductive film 102 by a step).

도 4d는 상기 캐소드 전극이 형성된 투명기판(101)상에 게이트 절연막이 증착된 단면도이고, 이 절연막(105)은 이후에 형성될 게이트 금속막(106)과의 캐소드 전극막간에 전압 인가시 전기적 단락을 방지하기 위함이다.4D is a cross-sectional view in which a gate insulating film is deposited on the transparent substrate 101 on which the cathode electrode is formed, and the insulating film 105 is electrically shorted when a voltage is applied between the cathode electrode film and the gate metal film 106 to be formed later. This is to prevent.

도 4e는 상기 게이트 절연막(103) 상에 게이트 전극으로 사용될 금속막(106)을 증착한 기판의 단면도이다. 이러한 게이트 전극은 충분한 전도성을 제공하는 어떤 재료도 사용 가능하다.4E is a cross-sectional view of a substrate on which a metal film 106 to be used as a gate electrode is deposited on the gate insulating film 103. Such gate electrodes can be used with any material that provides sufficient conductivity.

도 4f는 CNT 에미터가 내부에 형성될 게이트 홀(hole)의 관통공(109)이 만들어진 기판 단면도이다. 포토레지스트를 도포하여 사진식각 방법4F is a cross-sectional view of the substrate through which the through hole 109 of the gate hole in which the CNT emitter is to be formed is made. Photolithography method by applying photoresist

포토레지스트 패턴을 형성하고 식각공정에 의해, 게이트 금속막(106), 게이트 절연막(105) 및 캐소드 금속막(103)을 순차적으로 에칭한다.The photoresist pattern is formed and the gate metal film 106, the gate insulating film 105, and the cathode metal film 103 are sequentially etched by an etching process.

이 공정에서의 특징은 하나의 게이트 홀 마스크를 이용해 게이트 금속막(106), 게이트 절연막(105) 및 캐소드 금속막(104)을 연속으로 식각하기 때문에 게이트 전극 홀과 캐소드 전극 홀의 중심이 저절로 일치하게 된다는 것으로서 소위 자기정렬(self-alignment)이 가능하게 된다는 것이다.In this process, the gate metal film 106, the gate insulating film 105, and the cathode metal film 104 are continuously etched using one gate hole mask so that the centers of the gate electrode holes and the cathode electrode holes coincide with each other. In other words, self-alignment is possible.

그리고 첨부한 도 5a 내지 도 5c는 상기 CNT 페이스트를 형성하는 실시예를 난타낸 것으로, 도 5a는 캐소드 전극을 형성한 기판 전면에 감광성 CNT 페이스트(207)를 도포한 경우의 단면도이다. 이 CNT 페이스트(207)는 스크린 프린팅(screen printing)이나 doctor blade법 혹은 스핀코팅 방법에 의해 도포 가능하다.5A to 5C illustrate an embodiment of forming the CNT paste, and FIG. 5A is a cross-sectional view when the photosensitive CNT paste 207 is applied to the entire surface of the substrate on which the cathode electrode is formed. This CNT paste 207 can be applied by screen printing, doctor blade method or spin coating method.

도 5b는 CNT 페이스트(207)가 도포된 면의 반대쪽에서 블랙 마스크(black mask)(210)를 통해 자외선(UV)을 이용하여 노광(expose)시키는 상태의 기판 단면도를 나타낸 것이다. 이때 입사된 빛은 mask(210)를 통과하여 전달되며 노광된 CNT 페이스트(207')만 남고, 노광되지 않은 CNT 페이스트만 현상액(developer)에 의해 제거된다.FIG. 5B illustrates a cross-sectional view of the substrate in a state of exposing using ultraviolet (UV) through a black mask 210 on the opposite side of the surface to which the CNT paste 207 is applied. At this time, the incident light is transmitted through the mask 210 and only the exposed CNT paste 207 'remains, and only the unexposed CNT paste is removed by the developer.

상기에서 mask를 통해 빛이 통과되는 이유는 투명 전도막(201) 및 투명전도막(202)에 의해 빛이 투과되며, 나머지 부분은 캐소드 금속막(203) 및 블랙 마스크에 의해 빛이 가려지기 때문이다. 또한 상기 감광성 CNT 페이스트의 감광재료는 네가티브(negative)형을 사용함으로써 노광시 현상액에 영향을 받지 않기 때문이다.The reason why the light is passed through the mask is because light is transmitted by the transparent conductive film 201 and the transparent conductive film 202, and the rest of the light is blocked by the cathode metal film 203 and the black mask. to be. This is because the photosensitive material of the photosensitive CNT paste is not affected by the developer during exposure by using a negative type.

도 5c는 현상이 완료된 후, CNT 에미터(207')가 형성된 기판 단면도로서 CNT 에미터(207')와 게이트 홀이 일정 간격을 두고 자체정렬에 의해 대칭성을 가지고 형성 되어 있음을 볼 수 있다.5C is a cross-sectional view of the substrate on which the CNT emitter 207 'is formed after the development is completed, and it can be seen that the CNT emitter 207' and the gate hole are symmetrically formed by self-alignment at regular intervals.

더하여, 상기 도포된 CNT 페이스트(207)는 금속분말을 일정 비율로 혼합하여 형성하는 것도 가능하다. 이는 전도성을 높혀 전계방출을 용이하게 하기 위함이고, 결합력을 높이기 위해 프릿(frit)을 일정비율 혼합할 수 있다.In addition, the coated CNT paste 207 may be formed by mixing a metal powder at a predetermined ratio. This is to increase the conductivity to facilitate the field emission, and the frit may be mixed in a certain ratio to increase the bonding force.

그리고 CNT 페이스트(207)의 소성은 페이스트의 성질상 후처리(surface treatment)를 용이하게 하기 위하여 300℃ 이상의 온도에서 이루어질 수 있다.Firing of the CNT paste 207 may be performed at a temperature of 300 ° C. or more in order to facilitate the surface treatment of the paste.

첨부한 도 6은 중성빔을 발생하는 중성빔 발생장치의 구성을 나타내는 개략도이다. 기판(500)을 표면처리를 위한 피처리체인 CNT 페이스트가 도포된 캐소드 전극 기판으로하여 중성빔을 조사함으로써, CNT 자체가 효과적으로 CNT 페이스트 표면에 드러나게 된다.6 is a schematic diagram showing the configuration of a neutral beam generator for generating a neutral beam. The CNT itself is effectively exposed to the CNT paste surface by irradiating a neutral beam with the substrate 500 as a cathode electrode substrate coated with CNT paste, which is a target object for surface treatment.

상기 중성빔 발생은 저에너지 이온빔이 금속과 같은 반사체에 충돌하게 되면 중성화가 이루어져 중성빔이 발생하게 된다. 따라서 이온원(501)으로부터 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시키고, 이 가속된 이온빔(501)을 반사체(reflector)에 반사시켜 이온빔을 중성빔으로 전환시킨후, 중성빔의 경로상에 피처 리기판(500)을 위치시키고, 중성빔을 CNT 페이스트에 조사하여 표면처리 하는 것이다.In the neutral beam generation, when the low energy ion beam collides with a reflector such as a metal, the neutral beam is generated to generate a neutral beam. Therefore, by extracting and accelerating an ion beam having a certain polarity from the ion source 501, reflecting the accelerated ion beam 501 to a reflector to convert the ion beam into a neutral beam, and then features on the path of the neutral beam The substrate 500 is positioned, and the neutral beam is irradiated to the CNT paste to perform surface treatment.

상기 중성빔은 수율(yield)이 향상을 위해 반응성이 좋은 불활성 가스를 이온원(source)(501)으로 하는 것이 바람직하고, 더 나아가 CNT 바인더의 효과적 제거를 위해 산소가스를 이온원으로 하는 것일 수 있다.The neutral beam may be an ion source 501 as an inert gas having high reactivity for improving yield, and further, an oxygen gas as an ion source for effective removal of the CNT binder. have.

또한 중성빔의 가속 에너지는 100eV 내지 1000eV의 범위로 하여 조사하는 것일 수 있다. 이는 CNT 페이스트에 있는 바인더의 결합 에너지등과 관련하여 효과적인 바인더 제거를 위함이다.In addition, the acceleration energy of the neutral beam may be irradiated in the range of 100 eV to 1000 eV. This is for effective binder removal in relation to the binding energy of the binder in the CNT paste.

이상과 같은 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법과 관련한 CNT 페이스트의 표면처리에 대한 결과를 종래의 방법과 비교하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the results of the surface treatment of the CNT paste related to the manufacturing method of the CNT field emission display device as described above compared with the conventional method is as follows.

첨부한 도 7은 캐소드 전극상에 프린팅된 CNT 페이스트를 소성한 후의 SEM 사진을 나타낸 것이다. 사진에서 알 수 있듯이 CNT 페이스트 바인더가 다량 형성된 것을 알 수 있다.7 is a SEM photograph after firing the CNT paste printed on the cathode electrode. As can be seen from the photo, it can be seen that a large amount of CNT paste binder is formed.

첨부한 도 8은 이러한 바인더 제거를 위해 adhesive taping 방법에 의해 표면처리한 후의 SEM 사진을 나타낸 것으로 CNT 자체가 표면에 많이 드러나 있지만 특정 표시소자에 적용하기에는 실시상의 어려움이 있다.8 is a SEM photograph after surface treatment by an adhesive taping method for removing the binder. Although CNT itself is exposed to many surfaces, it is difficult to apply to a specific display device.

또한 첨부한 도 9는 Ar 플라즈마에 의한 표면처리 후의 SEM 사진을 나타낸 것으로 CNT 페이스트에 있는 바인더들이 다량 제거 되어 있으나 CNT 자체도 플라즈마 이온들과의 반응으로 제거되어 효과적인 표면처리가 되지 못함을 알 수 있다.In addition, Figure 9 is an SEM image after the surface treatment by the Ar plasma, it can be seen that a large amount of binders in the CNT paste is removed, but the CNT itself is not removed by the reaction with the plasma ions can not be effective surface treatment. .

그리고 첨부한 도 10은 Ar+ 이온빔에 의해 표면처리 한 후의 SEM 사진을 나 타내고 있으나 역시 CNT와 Ar+이온과의 화학적 반응 때문에 CNT가 빨리 소거되어 바인더의 선택적 제거에 효과적이지 못하다.In addition, FIG. 10 shows an SEM image after surface treatment with an Ar + ion beam, but CNTs are rapidly erased due to chemical reaction between CNTs and Ar + ions, and thus are not effective for selective removal of a binder.

그러므로 본 발명에서 제안된 에미터로 사용되는 CNT 페이스트 표면에 중성빔(neutrall beam)을 조사한다면 접착 테이핑 방법의 실시상의 어려움을 해결 할 수 있고, 이온빔이나 플라즈마에 의한 표면처리 방법에서 생기는 CNT 입자와의 반응성으로 인한 CNT 자체의 손상등의 문제점을 해결할 수 있다.Therefore, if the neutral beam is irradiated to the surface of the CNT paste used as the emitter proposed in the present invention, it is possible to solve the difficulties in the implementation of the adhesive taping method, and the CNT particles generated from the surface treatment method by ion beam or plasma. It can solve problems such as damage of CNT itself due to reactivity.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it is well known in the art that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 중성빔을 이용한 CNT 전계방출 표시소자의 제조방법을 제공하면 에미터로 사용한 CNT 페이스트 표면상에 CNT 자체를 용이하게 효과적으로 드러나게 함으로써, 재현성 및 균일성이 우수한 CNT 에미터 어레이 제조가 가능하며 특히 3극구조의 전계방출 표시소자의 제조에 효과적으로 적용할 수 있어 대형패널 특성을 개선시킬 수 있다. As described above, when the CNT field emission display device manufacturing method using the neutral beam according to the present invention is provided, the CNT Emi having excellent reproducibility and uniformity can be easily and effectively revealed on the surface of the CNT paste used as an emitter. It is possible to manufacture the array, and in particular, it can be effectively applied to the manufacture of the field emission display device having a three-pole structure can improve the large panel characteristics.

Claims (11)

전계 방출 표시소자 제조방법에 있어서,In the field emission display device manufacturing method, 캐소드 전극상에 에미터로 사용하기 위한 CNT 페이스트를 형성시키는 단계;Forming a CNT paste for use as an emitter on the cathode electrode; 상기 형성된 CNT 페이스트를 소성하는 단계; 및,Firing the formed CNT paste; And, 상기 소성된 CNT 페이스트에 중성빔(neutral beam)을 조사시켜 페이스트 표면상에 바인더 성분을 제거함으로써, CNT 자체를 표면상으로 노출시킬수 있도록 하는 표면처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.CNT field emission display device comprising a surface treatment step to expose the CNT itself on the surface by irradiating a neutral beam to the fired CNT paste to remove the binder component on the paste surface Manufacturing method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는 투명기판 일면에 금속막을 증착하여 캐소드 금속막을 형성하는 단계;The forming of the cathode may include forming a cathode metal film by depositing a metal film on one surface of the transparent substrate; 상기 형성된 캐소드 금속막에 사진식각에 의한 캐소드 라인을 형성하는 단계;Forming a cathode line by photolithography on the formed cathode metal film; 상기 라인이 형성된 캐소드 전극상에 게이트 절연막을 증착하는 단계;Depositing a gate insulating film on the cathode on which the line is formed; 상기 게이트 절연막상에 게이트 금속막을 증착하는 단계; 및,Depositing a gate metal film on the gate insulating film; And, 상기 게이트 금속막상에 사진식각(potolithograpy)에 의한 게이트홀을 형성하는 단계를 포함하여 3극형 표시소자로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.And forming a gate hole by photolithography on the gate metal film to form a tripolar display device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는 투명기판에 캐소드 금속막을 형성하여 2극형 표시소자로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법. The forming of the cathode electrode is a method of manufacturing a CNT field emission display device, characterized in that to form a cathode metal film on a transparent substrate to form a bipolar display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 CNT 페이스트를 형성하는 단계는 네가티브(negative) 감광성 CNT 페이스트를 프린팅 하는 단계;The forming of the CNT paste may include printing a negative photosensitive CNT paste; CNT 페이스트가 형성된 캐소드 전극상에 UV 자외선을 후면 노광시켜 현상함으로써, 노광된 후면부분의 CNT 페이스트만을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.A method of manufacturing a CNT field emission display device, comprising: forming only the CNT paste of an exposed backside portion by developing by exposing UV ultraviolet rays to the backside of the cathode on which the CNT paste is formed. 제1항 및 제2항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 CNT 페이스트를 형성하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing)이나 doctor blade법 혹은 스핀코팅 방법에 의해 도포된 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.Forming the CNT paste is a method of manufacturing a CNT field emission display device characterized in that the coating by a screen printing (screen printing), doctor blade method or spin coating method. 제 1항 및 제 2항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 CNT 페이스트는 금속분말이 혼합된 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The CNT paste is a CNT field emission display device manufacturing method characterized in that the metal powder is mixed. 제 1항 및 제 2항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 CNT 페이스트는 frit이 혼합된 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The CNT paste is a CNT field emission display device manufacturing method characterized in that the frit is mixed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소성하는 단계는 CNT 에미터 페이스트를 300℃ 이상의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The firing step is a CNT field emission display device manufacturing method characterized in that the firing the CNT emitter paste at a temperature of 300 ℃ or more. 제 1항 및 제 2항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 중성빔은 불활성 가스를 이온원(source)으로 하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The neutral beam is a CNT field emission display device, characterized in that the inert gas as an ion source (source). 제 1항 및 제 2하의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 중성빔은 산소가스(O2)를 이온원(source)으로 하는 것을 특징으로 하는 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The neutral beam is a CNT field emission display device characterized in that the oxygen gas (O 2 ) as an ion source (source). 제 1항 및 제 2항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 and 2, 상기 중성빔의 가속 에너지는 100eV 내지 1000eV의 범위로 하여 조사하는 것을 특징으로 CNT 전계방출 표시소자 제조방법.The acceleration energy of the neutral beam is irradiated in the range of 100eV to 1000eV CNT field emission display device manufacturing method.
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