KR20070023973A - Apparatus and method for inverting address input mode - Google Patents

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KR20070023973A
KR20070023973A KR1020050078376A KR20050078376A KR20070023973A KR 20070023973 A KR20070023973 A KR 20070023973A KR 1020050078376 A KR1020050078376 A KR 1020050078376A KR 20050078376 A KR20050078376 A KR 20050078376A KR 20070023973 A KR20070023973 A KR 20070023973A
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Abstract

A semiconductor memory device capable of converting an address input mode is provided to increase compatibility by enabling the conversion of the address input mode through an external control signal or a command. An address input circuit includes a first address buffer(120) and a second address buffer(130). An address alignment circuit receives addresses from the first address buffer and the second address buffer, and then rearranges the addresses. During a first mode, the addresses of the first and second address buffers are transferred to the inside of the address input circuit without additional rearrangement. During a second mode, an address serially inputted to one of the first and second address buffers is reconfigured in parallel and then transferred to the inside of the address input circuit.

Description

어드레스 입력방식이 전환 가능한 반도체 메모리 장치{APPARATUS AND METHOD FOR INVERTING ADDRESS INPUT MODE}Semiconductor memory device with switchable address input method {APPARATUS AND METHOD FOR INVERTING ADDRESS INPUT MODE}

도 1은 DDR 방식의 어드레스 입력방법을 설명하는 블록도.1 is a block diagram for explaining a DDR address method input method.

도 2는 DPA(Double Pumping Address) 방식을 설명하는 블록도.2 is a block diagram illustrating a double pumping address (DPA) method.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예를 설명하는 블록도.3 is a block diagram for explaining a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 어드레스 래치회로를 설명하는 블록도.4 is a block diagram illustrating an address latch circuit of FIG. 3.

도 5는 도 4의 구성을 통한 어드레스 입력을 설명하는 타이밍도.FIG. 5 is a timing diagram illustrating an address input through the configuration of FIG. 4. FIG.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예를 설명하는 블록도.6 is a block diagram for explaining a second embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

10, 40, : 입력 래치 20, 50, 111 : 제 1 래치10, 40, input latch 20, 50, 111: first latch

30, 60, 112 : 제 2 래치 70,112 : 제 3 래치30, 60, 112: second latch 70, 112: third latch

100 : 클록 제어기 110 : 어드레스 래치회로 100: clock controller 110: address latch circuit

120 : 입력 버퍼 1 130 : 입력 버퍼 2120: input buffer 1 130: input buffer 2

200 : 명령어 검출기 210 : 명령어 래치200: instruction detector 210: instruction latch

220 : 입력 버퍼 0220: input buffer 0

본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 메모리의 어드레스 입력구조에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor memory, and more particularly to an address input structure of the semiconductor memory.

일반적인 메모리 장치의 어드레스 입력 방식으로 하나의 어드레스를 두 클록 동안 각각 나누어 입력받는 더블 펌핑 어드레스(Double Pumping Address : 이하 DPA) 방식과 DDR(Double Data Rate) SDRAM과 같은 모든 어드레스를 한 클록 동안 일시에 입력받는 방식이 사용되고 있다. DPA 방식은 하나의 어드레스를 분할하여 두 클록 동안 입력할 수 있으므로 입력 핀 수를 반으로 줄일 수 있는 방식이다. 두 클록에 나누어서 입력되는 각 어드레스 비트들은 내부에서의 적절한 지연회로와 직-병렬 회로를 통하여 완전한 하나의 어드레스로 재구성할 수 있다. 로우 어드레스와 칼럼 어드레스를 두 클록으로 나누어 입력받는 어드레스 멀티플렉스(Address Multiplexing)방식도 이에 해당하는 어드레스 입력방식이다. 반면에 하나의 어드레스 비트를 한 클록에 모두 입력받는 DDR SDRAM의 어드레스 입력 방식에서는 어드레스의 입력속도는 빠르지만 입력을 위해 요구되는 핀 수가 DPA 방식에 비해 2배임을 짐작할 수 있다. 이하 표현의 편의상, 어드레스 입력방식을 두 클록 동안 하나의 어드레스를 입력받는 방식을 DPA 방식이라 하고, 한 클록에 하나의 어드레스를 입력받는 방식을 DDR 방식이라 칭하기로 한다. Input all addresses such as double pumping address (DPA) and DDR (Double Data Rate) SDRAM, which receive one address for two clocks and input each address for the general memory device. The receiving method is used. In the DPA method, one address can be divided and input for two clocks, thereby reducing the number of input pins in half. Each address bit divided into two clocks can be reconstructed into one complete address through an appropriate delay circuit and a parallel-parallel circuit. The address multiplexing method, in which a row address and a column address are divided into two clocks, is also an address input method. On the other hand, in the address input method of DDR SDRAM which inputs one address bit in one clock, the input speed of the address is fast but the number of pins required for the input is twice that of the DPA method. For convenience of expression, the address input method is called a DPA method for receiving one address for two clocks, and the method of receiving one address for one clock is called a DDR method.

도 1은 DDR 방식의 어드레스 입력경로를 설명하는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 도 1은 16비트 단위(A0~A15)로 어드레스의 I/O(입출력 단위)구성이 이루어지는 DDR 방식의 어드레스 입력에 대해 설명하고 있다. DDR 방식은 입력되는 모든 어 드레스 비트를 래치하는 입력 래치(10)와, 명령어와의 동기를 위한 제 1 래치(20)와, 내부 클록(PCLK)에 의해 구동되는 제 2 래치로 구성된다. 모든 어드레스 비트들이 하나의 클록에 동기 되어 일시에 입력되면, 내부로 전달되는 어드레스도 각각 16비트 단위로 래치되고, 제 2 래치(30)를 경유한 어드레스는 최종적으로 16비트의 완전한 형태로 내부로 전달된다. 1 is a block diagram illustrating an address input path of a DDR system. Referring to FIG. 1, FIG. 1 illustrates a DDR address input in which an I / O (input / output unit) configuration of an address is formed in 16 bit units A0 to A15. The DDR system includes an input latch 10 for latching all address bits input, a first latch 20 for synchronizing with an instruction, and a second latch driven by an internal clock PCLK. When all the address bits are inputted at one time in synchronization with one clock, the addresses transferred internally are also latched in units of 16 bits, and the addresses via the second latch 30 are finally internally completed in 16-bit complete form. Delivered.

도 2는 DPA 방식의 어드레스 입력경로를 설명하는 블록도이다. 도 2를 참조하면, DPA 방식은 8비트의 어드레스 비트가 일시 저장되는 입력 래치(40)와, 1 클록 지연되는 제 1 래치(50), 내부 클록(PCLK)에 동기 되어 1 클록 지연된 8비트 어드레스를 내부로 전달하는 제 2 래치(60), 지연되지 않은 어드레스를 래치하는 제 3 래치(70)로 구성된다. 하나의 어드레스를 구성하는 16비트의 어드레스 비트 중 A0~A7를 하위 어드레스, A8~A15를 상위 어드레스 비트라 칭하기로 한다. 2 is a block diagram illustrating an address input path of a DPA method. Referring to FIG. 2, the DPA method uses an input latch 40 for temporarily storing 8-bit address bits, a first latch 50 for one clock delay, and an 8-bit address for one clock delay in synchronization with the internal clock PCLK. It consists of a second latch 60 for transmitting the inside, and a third latch 70 for latching an address that is not delayed. Among the 16-bit address bits constituting one address, A0 to A7 are referred to as lower addresses, and A8 to A15 are referred to as upper address bits.

두 클록 동안 입력되는 상위 어드레스 및 하위 어드레스를 입력래치(40)는 순차적으로 입출력 클록(IO_CLK)에 동기 되어 래치한다. 만일 하위 어드레스(A0~A7)의 어드레스 비트들이 먼저 입력되고, 상위 어드레스(A8~A15)의 어드레스 비트들이 다음 클록에 입력되면, 입력래치(40)는 첫 번째 클록에서는 하위 어드레스(A0~A7)를 래치한다. 이후 두 번째 클록에서는 입력래치(40)는 상위 어드레스(A8~A15)를, 제 1 래치(50)는 하위 어드레스(A0~A7)를 래치한다. 세 번째 클록에서는 제 3 래치는 상위 어드레스(A8~A15)를 래치하고, 제 2 래치는 하위 어드레스(A0~A7)를 래치한다. 이때 외부 클록(CLK)으로부터 생성된 내부 클록(PCLK)에 동기 되어 제 2 래치(60)의 하위 어드레스(A0~A7)와 제 3 래치의 상위 어드레스(A8~A15)는 동시에 출력되어 내부로 전달된다. 내부 클록(PCLK)에 동기 되어 출력되는 각각의 8비트 어드레스들은 상술한 구성들에 의한 직-병렬 전환동작에 따라 AI(A0~A7)와 AJ(A8~A15)의 완전한 어드레스를 구성하게 된다. The input latch 40 sequentially latches the upper address and lower address inputted during the two clocks in synchronization with the input / output clock IO_CLK. If the address bits of the lower addresses A0 to A7 are input first and the address bits of the upper addresses A8 to A15 are input to the next clock, the input latch 40 is the lower address A0 to A7 at the first clock. Latch. In the second clock, the input latch 40 latches the upper addresses A8 to A15 and the first latch 50 latches the lower addresses A0 to A7. In the third clock, the third latch latches the upper addresses A8 to A15, and the second latch latches the lower addresses A0 to A7. At this time, in synchronization with the internal clock PCLK generated from the external clock CLK, the lower addresses A0 to A7 of the second latch 60 and the upper addresses A8 to A15 of the third latch are simultaneously output and transferred to the inside. do. Each 8-bit address output in synchronization with the internal clock PCLK constitutes complete addresses of the AIs A0 to A7 and AJ A8 to A15 according to the serial-to-parallel switching operation by the above-described configurations.

상술한 두 가지 어드레스 입력방식에 따른 메모리 장치는 각각 서로 다른 이점을 가지고 있다. DPA 방식은 한 번에 어드레스를 입력하는 DDR 방식에 비해 핀 수를 반으로 줄일 수 있는 반면, 입력속도의 제한이 따른다. 반면, DDR 방식과 같이 하나의 어드레스를 한 클록 동안 동시에 입력하는 경우에는 핀 수는 증가하지만 고속동작이 가능하다. 일반적으로 메모리 장치에서는 하나의 어드레스 입력방식을 채택하고 있다. 그러나 서로 호환되지 못해 각각의 단점들을 해결하기 어렵다는 문제가 있었다. Memory devices based on the two address input methods described above have different advantages. The DPA method can reduce the number of pins in half compared to the DDR method that inputs an address at one time, while the input speed is limited. On the other hand, when one address is input simultaneously for one clock like the DDR method, the number of pins increases but high speed operation is possible. In general, a memory device adopts one address input method. However, there was a problem that it is difficult to solve each of the shortcomings because they are not compatible with each other.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 DPA 방식과 DDR 방식을 모두 사용할 수 있는 메모리 장치를 구현하는 데 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to implement a memory device that can use both the DPA method and the DDR method.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 어드레스 입력회로는 제 1 어드레스 버퍼와; 제 2 어드레스 버퍼와; 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼로부터 어드레스를 입력받아 재배열하는 어드레스 정렬회로를 포함하되, 제 1 모드에서는 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼의 어드레스를 별도의 재배열 없이 내부로 전달하고, 제 2 모드에서는 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상 기 제 2 어드레스 버퍼 중 어느 하나로 직렬 입력되는 어드레스를 병렬로 재구성하여 내부로 전달한다.An address input circuit of the present invention for achieving the above object includes a first address buffer; A second address buffer; And an address alignment circuit for receiving and rearranging addresses from the first address buffer and the second address buffer, wherein in the first mode, addresses of the first address buffer and the second address buffer are rearranged without any rearrangement. In the second mode, an address serially input into one of the first address buffer and the second address buffer is reconfigured in parallel and transferred to the inside.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 어드레스 버퍼는 상위 어드레스가 입력되고, 상기 제 2 어드레스 버퍼는 하위 어드레스가 입력된다.In a preferred embodiment, an upper address is input to the first address buffer, and a lower address is input to the second address buffer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 모드는 상기 상위 어드레스와 상기 하위 어드레스가 동시에 입력되는 모드이다.In a preferred embodiment, the first mode is a mode in which the upper address and the lower address are simultaneously input.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 2 모드는 상기 상위 어드레스와 상기 하위 어드레스가 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼 중 어느 한 버퍼로만 순차적으로 입력되는 모드이다.In a preferred embodiment, the second mode is a mode in which the upper address and the lower address are sequentially input to only one of the first address buffer and the second address buffer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 선택은 외부의 제어신호에 의해 제어된다.In a preferred embodiment, the selection of the first mode and the second mode is controlled by an external control signal.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 선택은 명령어에 의해 선택된다.In a preferred embodiment, the selection of the first mode and the second mode is selected by a command.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 어드레스 입력회로는 명령어를 검출하여 모드 선택신호를 출력하는 명령어 검출기를 포함한다.In a preferred embodiment, the address input circuit includes a command detector for detecting a command and outputting a mode selection signal.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 어드레스 정렬 회로는 입력되는 어드레스를 외부 클록에 의해 순차적으로 래치하는 제 1 래치와; 상기 제 1 래치의 어드레스를 제 1 내부 클록에 구동되어 입력받고 저장하는 제 2 래치와; 상기 제 1 래치의 어드레스를 제 2 내부 클록에 구동되어 입력받고 저장하는 제 3 래치를 포함한다.In an exemplary embodiment, the address alignment circuit includes: a first latch configured to sequentially latch an input address by an external clock; A second latch driving and receiving and storing an address of the first latch on a first internal clock; And a third latch driving and receiving and storing an address of the first latch on a second internal clock.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 내부 클록은 상기 제 1 래치에 순차적 으로 입력되는 상위 어드레스 및 하위 어드레스 중 하나를 래치하도록 상기 제 2 래치에 인가된다.In a preferred embodiment, the first internal clock is applied to the second latch to latch one of an upper address and a lower address sequentially input to the first latch.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 2 클록은 상기 제 1 래치에 순차적으로 입력되는 상위 어드레스 및 하위 어드레스 중 상기 제 2 래치에 저장되지 아니한 어드레스를 래치하도록 제 3 래치에 인가된다.In a preferred embodiment, the second clock is applied to a third latch to latch an address not stored in the second latch among upper and lower addresses sequentially input to the first latch.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도 3는 본 발명의 바람직한 일 실시예를 보여주는 블록도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 어드레스 입력회로는 상위 및 하위 어드레스를 정렬하는 클록을 발생시키는 클록 제어기(100)와, 입력되는 어드레스를 각 모드에 따라 정렬하는 어드레스 래치회로(110)와 외부로부터의 어드레스가 일시 저장되는 입력버퍼1(120) 및 입력버퍼2(130)를 포함한다. 3 is a block diagram showing a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, an address input circuit according to the present invention includes a clock controller 100 for generating a clock to align upper and lower addresses, an address latch circuit 110 for aligning an input address according to each mode, and an external device. An input buffer 1 120 and an input buffer 2 130 are temporarily stored.

클록 제어기(100)는 어드레스 입력 방식을 선택하는 모드 선택신호(DPA_SEL)에 의해 어드레스 래치회로(110)의 어드레스를 정렬하기 위한 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)을 생성하여 공급한다. 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)은 도 3에서는 외부로부터 제공되는 입출력 클록(IO_CLK)으로부터 생성한다. 그러나 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)의 생성은 외부로부터 생성된 입출력 클록(IO_CLK)이 아닌 내부에서 사용되는 클록을 통해서 생성될 수도 있음은 이 분야에서 통상의 지식을 습득한 자들에게는 자명하다. 어드레스 정렬 클 록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)의 어드레스 입력 방식에 따른 파형은 후술하게 되는 도 5의 타이밍도에서 설명하기로 한다.The clock controller 100 generates and supplies clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK for aligning addresses of the address latch circuit 110 by the mode selection signal DPA_SEL for selecting an address input method. The address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK are generated from an input / output clock IO_CLK provided from the outside in FIG. However, it will be apparent to those skilled in the art that the generation of the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK may be generated through internally used clocks rather than externally generated I / O clocks IO_CLK. . Waveforms according to the address input method of the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK will be described in the timing diagram of FIG. 5 to be described later.

어드레스 래치회로(110)는 입력 버퍼로부터 외부에서 입력되는 어드레스를 프리패치(Prefetch)하여 내부 어드레스로 전달한다. 특히 DDR방식에서 사용하는 모든 어드레스를 일시에 입력받는 경우에는 입력버퍼1(120) 및 입력버퍼2(130)로부터 동시에 모든 어드레스를 프리패치하고 래치하게 된다. 이때 어드레스의 정렬을 위한 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)은 각각 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 주기의 파형을 가진다. 다만 적정한 타이밍을 위한 지연의 차이는 존재한다. 반면에, 어드레스 입력 모드가 DPA 모드로 선택되어 모드 선택신호(DPA_SEL)이 'HIGH'인 경우, 어드레스는 입력버퍼1(120)으로 두 클록 동안 나누어 입력될 것이다. 이때 어드레스 래치회로(110)는 모드 선택신호(DPA_SEL)에 응답하여 출력되는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)을 통해서 직렬로 입력되는 상위 어드레스(A8~A15) 및 하위 어드레스(A0~A7)가 병렬로 정렬되어 완전한 어드레스로 재구성된다. 어드레스 래치회로(110)의 상세한 설명은 후술하게 되는 도 4에서 다루기로 한다. The address latch circuit 110 prefetches an externally input address from an input buffer and transfers the address to an internal address. In particular, when all addresses used in the DDR method are received at a time, all addresses are prefetched and latched simultaneously from the input buffer 1 120 and the input buffer 2 130. At this time, the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK for address alignment have the same waveform as the input / output clock IO_CLK. However, there is a difference in delay for proper timing. On the other hand, when the address input mode is selected as the DPA mode and the mode selection signal DPA_SEL is 'HIGH', the address will be divided into the input buffer 1 120 for two clocks. At this time, the address latch circuit 110 receives the upper address A8 to A15 and the lower address A0 to A7 serially inputted through the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK output in response to the mode selection signal DPA_SEL. Are aligned in parallel and reconstructed to complete addresses. A detailed description of the address latch circuit 110 will be given in FIG. 4 to be described later.

입력 버퍼1(120)은 DDR 모드에서는 하위 어드레스(A0~A7)를 입력받는 입력 버퍼이다. 본 발명의 실시예에서 상위 및 하위 어드레스는 각각 8비트로 구성된 것으로 가정하였다. 그러나 DPA 모드에서는 입력 버퍼1(120)을 통하여 순차적으로 상위 어드레스(A8~A15) 및 하위 어드레스(A8~A15)가 두 클록 동안 입력될 것이다. 입력 버퍼1(120)은 DPA 모드나 일반 모드에서 모두 동작하게 된다.The input buffer 1 120 is an input buffer that receives the lower addresses A0 to A7 in the DDR mode. In the embodiment of the present invention, it is assumed that the upper and lower addresses each consist of 8 bits. However, in the DPA mode, the upper address A8 to A15 and the lower address A8 to A15 are sequentially inputted through the input buffer 1 120 for two clocks. The input buffer 1 120 operates in both the DPA mode and the normal mode.

입력 버퍼2(130)는 DDR 모드에서는 상위 어드레스(A8~A15)만을 입력받는 입력 버퍼이다. 그러나 DPA 모드에서는 입력 버퍼1(120)을 통해서 하위 어드레스와 상위 어드레스를 입력하게 될 것이고, 입력 버퍼2(130)는 사용되지 않는다. DPA 모드로 선택되면 외부에서 인가되는 모드 선택신호(DPA_SEL)에 의해서 입력버퍼2(130)는 비활성화되고, 어드레스 전달은 제한된다. The input buffer 2 130 is an input buffer that receives only the upper addresses A8 to A15 in the DDR mode. However, in the DPA mode, the lower address and the upper address will be input through the input buffer 1 120, and the input buffer 2 130 is not used. When the DPA mode is selected, the input buffer 2 130 is deactivated by the mode selection signal DPA_SEL applied from the outside, and address transfer is limited.

이상의 본 발명에 따른 어드레스 입력회로는 외부로부터 입력되는 모드 선택신호(DPA_SEL)에 따라서 한 클록에 하나의 어드레스를 모두 입력받는 DDR 모드와 두 클록에 나누어서 어드레스를 입력받는 DPA 모드 동작을 모두 구현할 수 있다.The address input circuit according to the present invention can implement both the DDR mode for receiving one address all in one clock and the DPA mode for receiving the address in two clocks according to the mode selection signal DPA_SEL input from the outside. .

도 4는 도 3에서 설명된 어드레스 래치회로(110)의 상세한 구성을 설명하는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 어드레스 래치회로(110)는 입력되는 어드레스에 대해 입출력 클록(IO_CLK)에 의해 프리패치 및 래치되는 제 1 래치(111)와, 내부 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK)에 의해 하위 어드레스(A0~A7)가 프래패치 및 래치되는 제 2 래치(112)와, 내부 어드레스 정렬 클록(TAJ_CLK)에 의해 상위 어드레스(A8~A15)의 프래패치 및 래치가 이루어지는 제 3 래치(113)와, 그리고 DDR 모드에서만 입출력 클록(IO_CLK)에 동기 되어 상위 어드레스(A8~A15)를 입력받는 제 4 래치를 포함한다. 4 is a block diagram illustrating a detailed configuration of the address latch circuit 110 described in FIG. 3. Referring to FIG. 4, the address latch circuit 110 includes a first latch 111 that is prefetched and latched by an input / output clock IO_CLK with respect to an input address, and a lower address (by an internal address alignment clock TAI_CLK). A second latch 112 to which A0 to A7 are patched and latched, a third latch 113 to patch and latch higher addresses A8 to A15 by the internal address alignment clock T AJ_CLK, and Only the DDR mode includes a fourth latch that receives the upper addresses A8 to A15 in synchronization with the input / output clock IO_CLK.

제 1 래치(111)는 입력 버퍼1(120)을 경유하여 입력되는 8비트의 어드레스를 입출력 클록(IO_CLK)에 의해 프리패치 및 래치하도록 제어된다. DDR 모드에서는 제 1 래치(111)는 하위 어드레스(A0~A7)만을 래치한다. 그러나 DPA 모드에서는 상위 어드레스(A8~A15)와 하위 어드레스(A0~A7)를 입출력 클록(IO_CLK)에 동기 되어 두 클록 동안 입력받아 래치하게 된다. The first latch 111 is controlled to prefetch and latch the 8-bit address input via the input buffer 1 120 by the input / output clock IO_CLK. In the DDR mode, the first latch 111 latches only the lower addresses A0 to A7. However, in the DPA mode, the upper addresses A8 to A15 and the lower addresses A0 to A7 are input and latched for two clocks in synchronization with the input / output clock IO_CLK.

제 2 래치(112)는 제 1 래치(111)에 래치된 데이터를 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK)에 의해 프리패치하고 래치된다. 제 1 래치(111)에 하위 어드레스(A0~A7)가 입력되면, 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK)에 의해 제 1 래치(111)의 하위 어드레스(A0~A7)가 제 2 래치(112)에 래치되도록 타이밍 동기될 것이다. 그러나 제 1 래치(111)에 상위 어드레스(A8~A15)가 래치된 시점에서는 입력받지 않고 이미 래치된 하위 어드레스(A0~A7)를 유지한다. 제 2 래치의 출력은 클록 제어기(100)에서 생성된 어드레스 정렬 클록(OUT_CLK)에 의해 제어된다. The second latch 112 prefetches and latches data latched in the first latch 111 by the address alignment clock TAI_CLK. When the lower addresses A0 to A7 are input to the first latch 111, the lower addresses A0 to A7 of the first latch 111 are latched to the second latch 112 by the address alignment clock TAI_CLK. Timing will be synchronized. However, when the upper addresses A8 to A15 are latched in the first latch 111, the lower addresses A0 to A7 that are already latched are maintained without being input. The output of the second latch is controlled by the address alignment clock OUT_CLK generated by the clock controller 100.

제 3 래치(113)은 어드레스 정렬 클록(TAJ_CLK)에 의해 구동되며, 입력되는 어드레스를 저장하고 출력하게 된다. DDR 모드에서 제 3 래치(113)는 제 4 래치(114)로부터 상위 어드레스(A8~A15)를 전달받게 될 것이지만, DPA 모드에서는 제 1 래치(111)로부터 상위 어드레스(A8~A15)를 입력받고 저장하게 될 것이다. 어드레스 정렬 클록(TAJ_CLK)는 제 1 래치(111)에 상위 어드레스가 래치되는 시점에 동기화하여 상위 어드레스(A8~A15)를 래치한다. 인용부호 ①로 표현된 어드레스 비트의 흐름 경로는 DPA 모드에서의 상위 어드레스(A8~A15)의 이동 경로를 설명한다. 제 3 래치(113)의 래치된 데이터의 출력은 클록 제어기(100)로부터 생성된 어드레스 정렬 클록(OUT_CLK)에 의해 제어된다. The third latch 113 is driven by the address alignment clock TAX_CLK, and stores and outputs an input address. In the DDR mode, the third latch 113 may receive the upper addresses A8 to A15 from the fourth latch 114, but in the DPA mode, the third latch 113 receives the upper addresses A8 to A15 from the first latch 111. Will be saved. The address alignment clock TAJ_CLK latches the upper addresses A8 to A15 in synchronization with the timing at which the upper address is latched in the first latch 111. The flow path of the address bits represented by the reference numeral 1 describes the movement path of the upper addresses A8 to A15 in the DPA mode. The output of the latched data of the third latch 113 is controlled by the address alignment clock OUT_CLK generated from the clock controller 100.

제 4 래치(114)는 도 3에서 설명된 입력 버퍼2(130)로부터 어드레스를 입력받는 래치회로이다. 그러나 이는 DDR 모드에서의 동작일 경우에 한정하여 설명하는 것이고, DPA 모드에서는 입력 버퍼2(130)가 비활성화되어 어드레스 전달이 차단되 기 때문에 도면에 표시된 경로 ②는 소멸하고, 경로 ①만이 활성화될 것이다. The fourth latch 114 is a latch circuit that receives an address from the input buffer 2 130 described with reference to FIG. 3. However, this will be described only in the case of operation in the DDR mode, and in the DPA mode, since the input buffer 2 130 is inactivated and the address transfer is blocked, the path ② shown in the figure will be destroyed and only the path ① will be activated. .

이상에서 설명한 도 4의 어드레스 래치회로는 DDR 모드에서는 상위 어드레스(A8~A15)와 하위 어드레스(A0~A7)를 동시에 입력받아 내부로 전달하게 되지만, DPA 모드에서는 제 1 래치(111)로 상위 및 하위 어드레스가 순차적으로 입력된다. 그리고 순차적으로 입력된 상위 및 하위 어드레스는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)에 의해 각각 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)에 각각 저장된다. 결과적으로 제 2 래치(112) 및 제 3 래치(113)에 각각 저장된 상위 및 하위 어드레스는 DDR 모드에서 모든 어드레스 비트를 동시에 입력했을 경우와 동일한 배열로 재구성된다. 상위 및 하위 어드레스가 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)에 저장되면, 어드레스 정렬 클록(OUT_CLK)이 출력을 활성화하게 되면, 두 클록동안 직렬로 입력된 상위 및 하위 어드레스가 동시에 내부로 출력될 것이다. The address latch circuit of FIG. 4 described above receives the upper addresses A8 to A15 and the lower addresses A0 to A7 at the same time in the DDR mode, and transfers them to the inside. Lower addresses are sequentially input. The upper and lower addresses sequentially input are stored in the second latch 112 and the third latch 113, respectively, by the address alignment clocks TAI_CLK and TAJ_CLK. As a result, the upper and lower addresses stored in the second latch 112 and the third latch 113, respectively, are reconfigured in the same arrangement as when all the address bits are simultaneously input in the DDR mode. When the upper and lower addresses are stored in the second latch 112 and the third latch 113, when the address alignment clock OUT_CLK activates the output, the upper and lower addresses input in series for two clocks are simultaneously internally. Will be output.

이상에서 기술한 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)의 제어를 통하여 별도의 지연회로의 구성없이 래치 및 출력되는 시점이 제어될 수 있다. 상술한 구성과 동작들을 통하여 직렬로 입력되는 상위 및 하위 어드레스가 완전한 하나의 어드레스로 재배열된다. By controlling the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK described above, a time point of latching and outputting without a separate delay circuit can be controlled. Through the above-described configuration and operations, the upper and lower addresses input serially are rearranged into one complete address.

도 5는 도 4의 구성과 각 모드 별 어드레스의 입력과 재정렬 동작을 설명하는 타이밍도이다. 이하 본 발명의 어드레스 입력과 재정렬의 동작이 상술한 도면들에 의거하여 설명될 것이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 어드레스 입력회로는 모드 선택신호(DPA_SEL)가 'LOW'인 DDR 모드에서는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)이 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 주기로 생성된다. 제 1 래치(111)와 제 4 래치(114)가 모두 활성화되어 각각 하위 어드레스(A0~A7)와 상위 어드레스(A8~A15)를 입력받을 것이다. 또한 어드레스 정렬 클록(OUT_CLK)은 소정의 지연을 갖지만 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 파형을 갖도록 생성되어 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)의 출력을 제어할 것이다. DDR 모드에서는 제 1 래치(111)와 제 4 래치(114)를 통해서 상위 및 하위 어드레스가 동시에 입력되어 별도의 어드레스 정렬이 불필요하다. 따라서 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)도 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 주기를 갖게 된다. FIG. 5 is a timing diagram illustrating the configuration of FIG. 4 and input and rearrangement operations of addresses for respective modes. The operation of address input and reordering of the present invention will now be described based on the above-described drawings. Referring to FIG. 5, in the DDR mode in which the mode selection signal DPA_SEL is 'LOW', the address alignment circuits TAI_CLK and TAJ_CLK are generated at the same period as the input / output clock IO_CLK. Both the first latch 111 and the fourth latch 114 are activated to receive the lower addresses A0 to A7 and the upper addresses A8 to A15, respectively. In addition, the address alignment clock OUT_CLK has a predetermined delay but is generated to have the same waveform as the input / output clock IO_CLK to control the output of the second latch 112 and the third latch 113. In the DDR mode, the upper and lower addresses are simultaneously input through the first latch 111 and the fourth latch 114 so that separate address alignment is unnecessary. Therefore, the address alignment clocks TAI_CLK and TAJ_CLK also have the same period as the input / output clock IO_CLK.

그러나 모드 선택신호(DPA_SEL)가 'HIGH'로 천이 되어 DPA 모드로 전환하게 되면, 내부 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)들의 주기는 2배로 전환된다. 그리고 제 4 래치(114)는 비활성화되며, 제 1 래치(111)로 순차적으로 입력되는 상위 및 하위 어드레스는 각각 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)에 의해서 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)로 선택적으로 프리패치되어 저장된다. 제 2 래치(112)는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK)에 의해 하위 어드레스(A0~A7 : TAI0)를 래치한다. 제 3 래치(113)는 한 클록 이후(IO_CLK 기준)에 제 1 래치로부터 출력되는 상위 어드레스(A8~A15: TAJ0)를 어드레스 정렬 클록(TAJ_CLK)에 의해 프리패치하고 저장한다. However, when the mode selection signal DPA_SEL transitions to 'HIGH' and switches to the DPA mode, the period of the internal address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK is doubled. In addition, the fourth latch 114 is inactivated, and the upper and lower addresses sequentially input to the first latch 111 are respectively the second latch 112 and the third latch 113 by the address alignment clocks TAI_CLK and TAJ_CLK. Are optionally prefetched and stored. The second latch 112 latches the lower addresses A0 to A7: TAI0 by the address alignment clock TAI_CLK. The third latch 113 prefetches and stores the upper addresses A8 to A15: TAJ0 output from the first latch after one clock (based on IO_CLK) by the address alignment clock TAJ_CLK.

결국, 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)에 저장되는 어드레스 하위 어드레스(TAI0)와 상위 어드레스(TAJ0)는 모든 어드레스 비트들이 병렬로 재배열되어 하나의 완전한 형태의 어드레스 단위(A0)를 구성하게 된다. 직렬로 입력된 상위 어드레스와 하위 어드레스가 제 2 래치(112)와 제 3 래치(113)에서 내부적 정렬이 완료되 면, 어드레스 정렬 클록(OUT_CLK)에 의해서 동시에 내부로 출력될 것이다. 이러한 방식으로 계속해서 두 클록 동안 하나의 어드레스를 입력하고 내부에서 재정렬을 행하는 방식으로 DDR 모드와 DPA 모드의 어드레스 입력이 모두 가능한 어드레스 입력회로가 구성된다.As a result, the address lower address TAI0 and the upper address TAJ0 stored in the second latch 112 and the third latch 113 are rearranged in parallel so that all the address bits are rearranged in one complete form of the address unit A0. Will be configured. When the upper and lower addresses input in series are internally aligned in the second latch 112 and the third latch 113, they will be simultaneously output internally by the address alignment clock OUT_CLK. In this way, an address input circuit capable of inputting addresses in both the DDR mode and the DPA mode is configured by continuously inputting one address for two clocks and rearranging internally.

도 6은 본 발명의 어드레스 입력회로의 다른 실시예를 설명하는 블록도이다. 도 3의 실시예에서는 외부에서 모드 선택을 위해 별도의 핀을 구비하고 이를 통하여 상술한 모드 전환이 이루어졌으나, 도 6의 구성은 명령어에 의해 모드 전환이 가능한 회로가 구성된다. 여기서, 앞서 도시된 도 3에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 어드레스 입력 회로는 도 3의 모드 선택신호(DPA_SEL)의 역할을 담당하는 명령어를 입력받는 입력 버퍼0(200)와, 명령어 래치(210)와, 유효 명령어인지를 판별하는 명령어 검출기(200)를 포함한다. 이러한 구성을 통해서 본 발명의 어드레스 입력회로는 명령어를 통해서 어드레스 입력 모드의 선택이 가능하다. 6 is a block diagram illustrating another embodiment of the address input circuit of the present invention. In the embodiment of FIG. 3, a separate pin is provided to select a mode from the outside, and the above-described mode switching is performed. However, the configuration of FIG. 6 includes a circuit capable of mode switching by a command. Here, the same reference numerals as in FIG. 3 shown above indicate the same members having the same function. Referring to FIG. 6, the address input circuit of the present invention may determine whether the input buffer 0 (200), the instruction latch (210), and the valid instruction that receive an instruction that plays the role of the mode selection signal (DPA_SEL) of FIG. And a command detector 200 for determining. Through such a configuration, the address input circuit of the present invention can select an address input mode through a command.

입력 버퍼0(200)는 어드레스와 동기 되어 입력되는 명령어(CMD)를 저장한다. 물론 입력 버퍼0(200)의 입출력은 입출력 클록(IO_CLK)에 의해 제어되며, 어드레스가 입력되는 입력 버퍼1(120) 및 입력 버퍼2(130)의 동작과 동기된다. The input buffer 0 200 stores a command CMD input in synchronization with the address. Of course, the input / output of the input buffer 0 (200) is controlled by the input / output clock (IO_CLK) and is synchronized with the operation of the input buffer 1 (120) and the input buffer 2 (130) to which an address is input.

명령어 래치(210)는 상술한 도 4의 제 1 래치(111)나 제 4 래치(114)와 동기 되도록 부가되는 구성이다. The instruction latch 210 is configured to be synchronized with the first latch 111 or the fourth latch 114 of FIG. 4 described above.

명령어 검출기(220)는 입력되는 명령어를 감지하여 DDR 모드를 지시하는 명령어인지, 혹은 DPA 모드를 정의하는 명령어인지를 판정하는 회로이다. DDR 모드를 지시하는 명령어인 경우 입력 버퍼2(130)를 활성화하여 상위 어드레스가 하위 어드레스와 동시에 입력되도록 한다. 그리고 클록 제어기(100)의 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)들이 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 주기를 갖도록 제어한다. 반면에, 입력되는 명령어가 DPA 모드를 정의하는 명령어인 경우, 명령어 검출기(220)는 이에 반응하여 입력 버퍼2(130)를 비활성화하여, 어드레스의 입력을 제한하도록 한다. 또한 명령어 검출기(220)는 DPA 모드일 경우 클록 제어기를 제어하여 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)이 직렬로 입력되는 상위 및 하위 어드레스가 내부적으로 재구성되도록 한다. The command detector 220 detects an input command and determines whether the command indicates a DDR mode or a command defining a DPA mode. In the case of the command indicating the DDR mode, the input buffer 2 130 is activated to allow the upper address to be input simultaneously with the lower address. The address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK of the clock controller 100 are controlled to have the same period as the input / output clock IO_CLK. On the other hand, when the input command is a command defining the DPA mode, the command detector 220 deactivates the input buffer 2 130 in response to this, thereby limiting the input of the address. In addition, the command detector 220 controls the clock controller in the DPA mode so that the upper and lower addresses to which the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK are input in series are internally reconfigured.

클록 제어기(100)는 명령어 검출기(220)의 출력에 응답하여 어드레스 래치회로(110)의 어드레스를 정렬하기 위한 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)을 생성하여 공급한다. 만일 명령어 검출결과 DDR 모드를 지시하는 경우 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)들은 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 주기로 생성될 것이다. 도 5의 모드 선택신호가 'LOW'일 때와 동일한 파형으로 생성됨을 의미한다. 그러나 명령어 검출기(220)의 명령어 검출결과 DPA 모드를 지시하는 명령어인 경우에는 입출력 클록(IO_CLK)의 두 배의 주기를 가지며, 각기 상반되는 논리치를 가지는 클록 신호로 발생된다. 이때의 어드레스 정렬 클록의 파형은 도 5의 DPA_SEL이 'HIGH'로 천이된 경우에 나타나는 파형과 동일하다.The clock controller 100 generates and supplies clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK for aligning addresses of the address latch circuit 110 in response to the output of the command detector 220. If the command detection result indicates the DDR mode, the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK will be generated at the same period as the input / output clock IO_CLK. This means that the mode selection signal of FIG. 5 is generated in the same waveform as when the signal is 'LOW'. However, when the command detection result of the command detector 220 indicates a command indicating the DPA mode, the command detector 220 generates a clock signal having a period twice as long as the input / output clock IO_CLK and having opposite logic values. The waveform of the address alignment clock at this time is the same as the waveform shown when the DPA_SEL of FIG. 5 transitions to 'HIGH'.

어드레스 래치회로(110)는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)들에 의해 입력 버퍼1(120) 및 입력 버퍼2(130)를 통해 입력되는 어드레스를 일시 저장하고 내부로 전달한다. 어드레스와 동기 되어 입력되는 명령어가 DDR 방식을 지시하는 경우 입력 버퍼1(120) 및 입력 버퍼2(130)를 통해 동시에 입력되는 어드레스 비트들을 래치한다. 이 경우에는 입력 버퍼1(120) 및 입력 버퍼2(130)로부터 동시에 모든 어드레스를 프리패치하여 래치하도록 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)이 입력될 것이다. 이때 어드레스의 정렬을 위한 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK)은 각각 입출력 클록(IO_CLK)과 동일한 파형을 가진다. 반면에, 명령어가 DPA 모드를 지시하는 명령어인 경우에는 어드레스는 입력 버퍼1(120)으로 두 클록으로 나누어 입력될 것이다. 이때 어드레스 래치회로(110)는 DPA 모드 동작을 구성하도록 출력되는 어드레스 정렬 클록(TAI_CLK, TAJ_CLK, OUT_CLK)을 통해서 직렬로 입력되는 상위 및 하위 어드레스를 병렬로 정렬하여 완전한 어드레스로 재구성하게 된다. The address latch circuit 110 temporarily stores an address input through the input buffer 1 120 and the input buffer 2 130 by the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK and transfers the address to the inside. When the command inputted in synchronization with the address indicates the DDR scheme, the address bits simultaneously input through the input buffer 1 120 and the input buffer 2 130 are latched. In this case, the address alignment clocks TAI_CLK and TAJ_CLK may be input to prefetch and latch all addresses simultaneously from the input buffer 1 120 and the input buffer 2 130. In this case, the address alignment clocks TAI_CLK and TAJ_CLK for address alignment have the same waveform as the input / output clock IO_CLK. On the other hand, if the command is a command indicating the DPA mode, the address will be divided into two clocks into the input buffer 1 (120). At this time, the address latch circuit 110 aligns the upper and lower addresses serially input in parallel through the address alignment clocks TAI_CLK, TAJ_CLK, and OUT_CLK output to configure the DPA mode operation, and reconfigures them into complete addresses.

입력 버퍼1(120)은 DDR 모드에서는 하위 어드레스(ADDR1:A0~A7)을 입력받는 입력 버퍼이다. 명령어가 DPA 모드인 경우, 입력 버퍼1(120)을 통하여 순차적으로 상위 어드레스(A8~A15) 및 하위 어드레스(A8~A15)가 두 클록 동안 입력될 것이다. 입력 버퍼1(120)은 DPA 모드나 DDR 모드에서 모두 동작하게 된다.The input buffer 1 120 is an input buffer that receives the lower addresses ADDR1: A0 to A7 in the DDR mode. When the command is in the DPA mode, the upper address A8 to A15 and the lower address A8 to A15 are sequentially inputted through the input buffer 1 120 for two clocks. The input buffer 1 120 operates in both the DPA mode and the DDR mode.

입력 버퍼2(130)는 DDR 모드에서는 상위 어드레스(ADDR2:A8~A15)만을 입력받는 입력 버퍼이다. 그러나 명령어 검출기(220)에서 DPA 모드를 지시하는 경우 입력 버퍼2(130)는 비활성화되고, 입력 버퍼1(120)을 통해서 하위 어드레스와 상위 어드레스가 입력될 것이다. The input buffer 2 130 is an input buffer which receives only the upper addresses ADDR2: A8 to A15 in the DDR mode. However, when the command detector 220 indicates the DPA mode, the input buffer 2 130 is inactivated and the lower address and the upper address are input through the input buffer 1 120.

상술한 구성을 통한 본 발명의 실시예에 따르면, 명령어를 통해서 어드레스 입력 모드를 설정할 수 있도록 구성된다. 특히 DPA 모드로 전환하도록 명령어를 입 력하게 되면, 상위 어드레스를 입력하는 경로는 비활성화되고, 하위 어드레스가 입력되는 어드레스로 상위 및 하위 어드레스들이 직렬로 입력되도록 하였다. 내부적으로 어드레스 정렬 클록에 의해 직렬 입력된 어드레스가 병렬로 재구성되어 완전한 어드레스 단위가 내부로 전달된다. According to the embodiment of the present invention through the above-described configuration, it is configured to set the address input mode through a command. In particular, when a command is entered to switch to the DPA mode, the path for inputting the upper address is deactivated, and the upper and lower addresses are serially input as the address to which the lower address is input. Internally, addresses serially inputted by the address alignment clock are reconstructed in parallel so that a complete address unit is delivered internally.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.On the other hand, in the detailed description of the present invention has been described with respect to specific embodiments, various modifications are of course possible without departing from the scope of the invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined by the equivalents of the claims of the present invention as well as the following claims.

상술한 바와 같이 본 발명은 DPA 방식과 DDR 방식의 상호 호환이 가능하도록 구성되어 외부 제어신호나 명령어를 통한 어드레스 입력방식의 전환을 가능케 하여 호환성 높은 반도체 메모리 장치를 구현할 수 있다. As described above, the present invention is configured to be compatible with the DPA method and the DDR method to enable the switching of the address input method through an external control signal or a command to implement a highly compatible semiconductor memory device.

Claims (10)

제 1 어드레스 버퍼와;A first address buffer; 제 2 어드레스 버퍼와;A second address buffer; 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼로부터 어드레스를 입력받아 재배열하는 어드레스 정렬회로를 포함하되,An address alignment circuit for receiving and rearranging addresses from the first address buffer and the second address buffer, 제 1 모드에서는 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼의 어드레스를 별도의 재배열 없이 내부로 전달하고, 제 2 모드에서는 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼 중 어느 하나로 직렬 입력되는 어드레스를 병렬로 재구성하여 내부로 전달하는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.In the first mode, addresses of the first address buffer and the second address buffer are transferred without any rearrangement, and in the second mode, an address inputted serially into any one of the first address buffer and the second address buffer. Address input circuit, characterized in that to deliver in the reconfigured in parallel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 어드레스 버퍼는 상위 어드레스가 입력되는 버퍼이고, 상기 제 2 어드레스 버퍼는 하위 어드레스가 입력되는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.And the first address buffer is a buffer to which an upper address is input, and the second address buffer is input to a lower address. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1 모드는 상기 상위 어드레스와 상기 하위 어드레스가 동시에 입력되는 모드인 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.And the first mode is a mode in which the upper address and the lower address are simultaneously input. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 2 모드는 상기 상위 어드레스와 상기 하위 어드레스가 상기 제 1 어드레스 버퍼와 상기 제 2 어드레스 버퍼 중 어느 한 버퍼로만 순차적으로 입력되는 모드인 것을 특징으로 하는 어드레스 입력 회로.And the second mode is a mode in which the upper address and the lower address are sequentially input only to any one of the first address buffer and the second address buffer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 선택은 외부의 제어신호에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력 회로.The selection of the first mode and the second mode is controlled by an external control signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 선택은 명령어에 의해 선택되는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력 회로.And the selection of the first mode and the second mode is selected by a command. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 어드레스 입력회로는 명령어를 검출하여 모드 선택신호를 출력하는 명령어 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력 회로.And the address input circuit includes a command detector for detecting a command and outputting a mode selection signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 어드레스 정렬 회로는,The address alignment circuit, 입력되는 어드레스를 외부 클록에 의해 순차적으로 래치하는 제 1 래치와;A first latch for sequentially latching an input address by an external clock; 상기 제 1 래치의 어드레스를 제 1 내부 클록에 구동되어 입력받고 저장하는 제 2 래치와;A second latch driving and receiving and storing an address of the first latch on a first internal clock; 상기 제 1 래치의 어드레스를 제 2 내부 클록에 구동되어 입력받고 저장하는 제 3 래치를 포함하는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.And a third latch driving and receiving and storing an address of the first latch on a second internal clock. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 1 내부 클록은 상기 제 1 래치에 순차적으로 입력되는 상위 어드레스 및 하위 어드레스 중 하나를 래치하도록 상기 제 2 래치에 인가되는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.And the first internal clock is applied to the second latch to latch one of an upper address and a lower address sequentially input to the first latch. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 2 클록은 상기 제 1 래치에 순차적으로 입력되는 상위 어드레스 및 하위 어드레스 중 상기 제 2 래치에 저장되지 아니한 어드레스를 래치하도록 제 3 래치에 인가되는 것을 특징으로 하는 어드레스 입력회로.And the second clock is applied to a third latch to latch an address not sequentially stored in the second latch among upper and lower addresses sequentially input to the first latch.
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US9620194B1 (en) 2015-11-23 2017-04-11 SK Hynix Inc. Stacked memory device having serial to parallel address conversion, refresh control unit, and pipe control unit

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