KR20070023330A

KR20070023330A - Vertice furnace device

Info

Publication number: KR20070023330A
Application number: KR1020050077816A
Authority: KR
Inventors: 이은수
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-08-24
Filing date: 2005-08-24
Publication date: 2007-02-28

Abstract

본 발명은 종형확산로 설비에서 ALD방식을 사용하여 캐패시터를 제조할 시 Al(알루미늄) 파우더 발생을 최소화시킬 수 있는 실캡커버를 가지는 종형확산로설비에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffuser facility having a seal cap cover that can minimize the generation of Al (aluminum) powder when manufacturing a capacitor using the ALD method in a vertical diffuser facility.

종형확산로 설비에서 ALO3생성 공정 진행 시 Al파우더가 공정튜브 내부 전체로 날리지 않도록 하기 위한 본 발명의 종형확산로설비는, 상기 실캡의 상부에 장착되어 프로세스 진행 중 상기 싱글튜브 내부의 보트에 적재되어 있는 웨이퍼로 Al파우더가의 확산되지 않도록 실캡커버를 장착한다.The vertical diffusion furnace facility of the present invention for preventing Al powder from flying into the entire process tube during the ALO3 generation process in the vertical diffusion furnace facility is mounted on the top of the seal cap and loaded on the boat inside the single tube during the process. Install the seal cap cover to prevent Al powder from spreading to the wafer.

종형확산로 설비에서 실캡에 실캡커버를 장착하여 Al203를 생성할 때 발생되는 Al파우더를 보트에 적재된 웨이퍼로 날리지 않도록 실캡커버에 머물게 하여 웨이퍼 품질불량을 방지하고, 웨이퍼 로스를 줄인다.In the vertical spreader facility, the Al cap generated when Al203 is produced by installing the seal cap cover on the seal cap stays on the seal cap cover so as not to be blown by the wafer loaded on the boat to prevent wafer quality defects and reduce wafer loss.

종형확산로, 플랜지, 파우더 Vertical Diffusion Furnace, Flange, Powder

Description

Vertical spreader facility {VERTICE FURNACE DEVICE}

도 1은 종래의 반도체 공정용 종형확산로를 도시한 종단면도Figure 1 is a longitudinal sectional view showing a vertical diffusion path for a conventional semiconductor process

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 종형확산로 설비의 구조도2 is a structural diagram of a vertical diffusion plant in accordance with an embodiment of the present invention

도 3은 도 2중 실캡커버의 평면도3 is a plan view of the seal cap cover of FIG.

도 4는 도 2중 실캡커버의 단면도 4 is a cross-sectional view of the seal cap cover of FIG.

도 5는 도 2중 실캡커버의 사시도5 is a perspective view of the seal cap cover of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 공정튜브 12: 싱글튜브 10: process tube 12: single tube

14: 보트 16: 보트엘리베이터14: Boat 16: Boat Elevator

18: 노즐 19: 가스방출18: nozzle 19: gas discharge

20: 진공배기구 22: 플랜지20: vacuum exhaust 22: flange

24: 셔터 26: 오링24: shutter 26: O-ring

28: 실캡 30: 실캡커버28: seal cap 30: seal cap cover

본 발명은 종형확산로설비에 것으로, 특히 종형확산로 설비에서 ALD방식을 사용하여 캐패시터를 제조할 시 Al(알루미늄) 파우더 발생을 최소화시킬 수 있는 실캡커버를 가지는 종형확산로설비에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical diffuser facility, and more particularly, to a vertical diffuser facility having a seal cap cover capable of minimizing the generation of Al (aluminum) powder when manufacturing a capacitor using the ALD method.

일반적으로 반도체 소자는 반도체기판으로 사용되는 웨이퍼상에 증착공정, 사진공정, 식각공정, 이온주입공정, 확산공정 및 열처리공정 등의 일련의 반도체 제조공정들을 수행하여 제조된다. 이렇게 반도체를 제조하기 위해서는 여러 공정을 진행하게 되는데 이러한 공정 중에는 제조될 웨이퍼에 주기율표 상의 3족원소 또는 5족의 불순물 원자를 도입하여 도전성을 변화시키거나, 웨이퍼 표면에 불순물 원자를 확산시켜 P형 또는 N형 반도체 부분을 형성하는 확산공정이 있으며, 이러한 확산공정을 위해 사용되는 장비 중 하나가 반도체 공정용 종형 확산로이다. In general, a semiconductor device is manufactured by performing a series of semiconductor manufacturing processes such as a deposition process, a photographic process, an etching process, an ion implantation process, a diffusion process, and a heat treatment process on a wafer used as a semiconductor substrate. In order to manufacture a semiconductor as described above, various processes are performed. During this process, an impurity atom of a Group 3 element or Group 5 on the periodic table is introduced into a wafer to be manufactured to change conductivity, or an impurity atom is diffused on a wafer surface to form a P-type or There is a diffusion process for forming an N-type semiconductor portion, and one of the equipment used for such a diffusion process is a vertical diffusion furnace for a semiconductor process.

또한 불순물을 산소원자로 하여 산화막을 형성시킬 수 있는 기술로서, 이온주입에 의한 불순물의 도입 후의 드라이브-인(Drive-in) 등의 기술까지 포함하는 경우, 통상 LSI, MOS LSI의 제조공정에서 각각 수회 이상 반복되어 행해지는 중요한 공정이다.In addition, as a technique for forming an oxide film using an oxygen atom as an impurity, and including techniques such as drive-in after introduction of the impurity by ion implantation, it is usually several times in the manufacturing process of LSI and MOS LSI. It is an important process performed repeatedly above.

이러한 반도체 공정용 종형확산로설비는 대한민국 등록특허번호 10-290305호에 개시되어 있다. 지금 등록특허번호 10-290305호를 보면, 종래의 반도체소자 제조용 공정튜브(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 돔형의 싱글튜브(12)를 구비한다. 상기 싱글튜브(12) 내부에는 복수의 웨이퍼(W)가 적재된 보트(Boat : 14)가 위치되어 있다. 여기서 상기 보트(14)는 보트엘리베이터(16)의 구동에 의해서 상하로 이 동함으로써 싱글튜브(12) 내측 및 외측으로 이동하고, 상기 싱글튜브(12) 내부에서 회전할 수 있도록 되어 있다. 일반적으로 보트(14)는 석영재질의 상부링 및 하부고정부가 3개의 봉형상의 석영로드(Quartz rod)에 의해서 연결된 구조로 이루어지고, 상기 석영로드 내측에 웨이퍼(W)가 삽입되는 복수의 슬롯(Slot)이 형성되어 있다.The vertical diffusion furnace equipment for semiconductor processing is disclosed in Korean Patent No. 10-290305. Referring now to Patent No. 10-290305, the process tube 10 for manufacturing a conventional semiconductor device is provided with a domed single tube 12, as shown in FIG. Inside the single tube 12, a boat 14 on which a plurality of wafers W are loaded is positioned. Here, the boat 14 moves up and down by driving the boat elevator 16 to move inside and outside the single tube 12, and to rotate inside the single tube 12. In general, the boat 14 has a structure in which an upper ring and a lower fixing part of a quartz material are connected by three rod-shaped quartz rods, and a plurality of slots into which the wafers W are inserted into the quartz rods. Slot) is formed.

그리고, 상기 싱글튜브(12) 내측에 노즐(18)이 구비됨으로써 저압화학기상증착공정에 사용될 반응가스를 싱글튜브(12) 내부로 공급할 수 있도록 되어 있다. 상기 노즐(18)은 공정튜브(10)의 하부를 관통하여 싱글튜브(12)내측 상부로 절곡 연장되어 있고, 상기 노즐(18)에는 복수의 가스방출구(19)가 형성되어 있다.In addition, the nozzle 18 is provided inside the single tube 12 to supply the reaction gas to be used in the low pressure chemical vapor deposition process into the single tube 12. The nozzle 18 penetrates and extends through the lower portion of the process tube 10 to an upper portion inside the single tube 12, and a plurality of gas discharge ports 19 are formed in the nozzle 18.

또한, 상기 공정튜브(10)의 하부 소정부에는 공정튜브(10)의 내부압력을 조절할 수 있도록 진공배기구(20)가 형성되어 있다. 상기 진공배기구(20)는 도면에는 도시되지 않았으나 진공펌프(도시되지 않음)와 연결되어 있다. 그리고 공정튜브(10) 하단에는 진공을 형성하기 위해 외부와 차단하기 위해 셔터(24)가 설치되어 있다. 상기 셔터(24)는 보트(14)를 로딩하거나 언로딩 시 오픈하거나 클로즈 하도록 한다. 그리고 플랜지(22)는 싱글튜브(12)의 하우징 하단을 장착하도록 하고 있다. 상기 싱글튜브(12)와 플랜지(22) 사이에는 누설을 방지하기 위한 오링(26)이 설치되어 있다. In addition, a vacuum exhaust port 20 is formed at a lower predetermined portion of the process tube 10 to adjust the internal pressure of the process tube 10. Although not shown in the drawing, the vacuum exhaust port 20 is connected to a vacuum pump (not shown). And the shutter 24 is installed at the bottom of the process tube 10 to block the outside to form a vacuum. The shutter 24 allows the boat 14 to open or close when loading or unloading the boat 14. And the flange 22 is to mount the lower end of the housing of the single tube (12). An o-ring 26 is provided between the single tube 12 and the flange 22 to prevent leakage.

상기와 같이 구성된 종형확산로 설비의 공정진행 절차에 따라 공정을 진행하는 종래의 동작을 설명하면, 프로세스가 시작되면 보트(14)가 언로딩된 상태에서 프로세스를 진행할 웨이퍼(W)를 보트(14)에 적재하게 된다. 보트(14)에 웨이퍼(W)의 적재가 완료되면 셔터(24)를 오픈(open)한 상태에서 보트(14)를 공정튜브(10)의 내부로 로딩시키게 된다. 그런 후 셔터(24)를 클로즈(close)한 상태에서 진공배기구(20)를 통해서 공정튜브(10)의 내부기체가 외부로 펌핑됨에 따라 공정튜브(10)의 내부압력은 특정 저진공상태가 형성되고, 공정튜브(10)의 내부온도 등과 같은 다른 공정환경이 설정되면, 반응가스는 노즐(18)의 가스방출구(19)를 통해서 싱글튜브(12) 내부로 공급된다. 이때 반응가스는 TMA(TRI METHLY ALUMINUM)개스와 O3(OZONE)가 될 수 있다. 싱글튜브(12) 내부로 공급된 반응가스는 보트(14)에 적재된 웨이퍼(W)의 상부표면과 각각 화학반응함으로써 웨이퍼(W) 상에는 상기 두 개스가 결합하여 ALO3가 생성된다. 통상, 전술한 증착공정이 진행될 때, 상기 보트(14)는 구동원의 구동에 의해서 회전함으로써 보트(14)에 적재된 각 웨이퍼(W)의 전면에 전체적으로 균일한 특정막이 형성될수 있도록 한다.Referring to the conventional operation of proceeding with the process according to the process proceeding process of the vertical diffusion furnace equipment configured as described above, when the process is started, the boat (14) to the wafer (W) to proceed the process in the unloaded state of the boat (14) ) Will be loaded. When the loading of the wafer W is completed in the boat 14, the boat 14 is loaded into the process tube 10 while the shutter 24 is opened. Then, as the inner gas of the process tube 10 is pumped out through the vacuum exhaust port 20 while the shutter 24 is closed, the internal pressure of the process tube 10 is formed in a specific low vacuum state. When another process environment such as the internal temperature of the process tube 10 is set, the reaction gas is supplied into the single tube 12 through the gas outlet 19 of the nozzle 18. At this time, the reaction gas may be TMA (TRI METHLY ALUMINUM) gas and O3 (OZONE). The reaction gas supplied into the single tube 12 is chemically reacted with the upper surface of the wafer W loaded on the boat 14, so that the two gases are combined on the wafer W to generate ALO3. In general, when the above-described deposition process is performed, the boat 14 is rotated by the driving of the driving source so that a uniform film is formed on the entire surface of each wafer W loaded on the boat 14.

이렇게 상기 증착이 완료되면, 셔터(24)가 오픈되고 상기 보트(14)는 보트엘리베이터(16)의 구동에 의해서 하부로 이동함으로써 싱글튜브(12) 외부로 언로딩하게 된다. 이후, 상기 보트(14) 상에 증착이 완료된 복수의 웨이퍼(W)는 이송로봇(도시하지 않음) 등에 의해서 꺼내어 소정위치로 이동하게 된다. 상기 보트(14)에 증착이 완료된 복수의 웨이퍼(W)가 모두 꺼내어지면 프로세스가 종료된다. When the deposition is completed in this way, the shutter 24 is opened and the boat 14 is unloaded to the outside of the single tube 12 by moving downward by driving the boat elevator 16. Thereafter, the plurality of wafers W on which the deposition is completed on the boat 14 are taken out by a transfer robot (not shown) or the like to move to a predetermined position. The process is terminated when all of the plurality of wafers W on which the deposition is completed are removed from the boat 14.

상기와 같은 종래의 종형로 확산설비는 ALO3 생성공전 진행 후 공정튜브(10)의 내부에 생성되는 Al파우더의 발생으로 인하여 품질 불량 발생 및 설비가동률을 저하시키는 문제가 있었다.The conventional vertical furnace diffusion equipment as described above has a problem of poor quality and deterioration of facility utilization rate due to the generation of Al powder generated inside the process tube 10 after the ALO3 generation idle progress.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 종형확산로 설비에서 ALO3생성 공정 진행 시 Al파우더가 공정튜브 내부 전체로 날리지 않도록 하여 품질불량을 방지하고 설비가동률을 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 실캡커버를 갖는 종형확산로설비를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to prevent the Al powder from flying throughout the process tube during the ALO3 generation process in the vertical diffusion furnace equipment to solve the above problems to prevent quality defects and increase the equipment operation rate to improve productivity It is to provide a vertical diffusion furnace equipment having a seal cap cover.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 공정튜브를 밀폐시키기 위한 실캡을 구비하여 파우더확산을 방지하는 종형확산로설비는, 상기 실캡의 상부에 장착되어 프로세스 진행 중 상기 싱글튜브 내부의 보트에 적재되어 있는 웨이퍼로 Al파우더가의 확산되지 않도록 실캡커버를 장착함을 특징으로 한다.Vertical diffusion furnace equipment for preventing powder diffusion by having a seal cap for sealing the process tube of the present invention for achieving the above object, is mounted on the top of the seal cap is loaded on the boat inside the single tube during the process It is characterized in that the seal cap cover is mounted so that Al powder is not diffused to the wafer.

상기 실캡커버는 석영으로 이루어짐을 특징으로 한다.The seal cap cover is characterized in that made of quartz.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 종형확산로 설비의 구조도이고,2 is a structural diagram of a vertical diffusion plant in accordance with an embodiment of the present invention,

도 3은 도 2중 실캡커버의 평면도이며,3 is a plan view of the seal cap cover of Figure 2,

도 4는 도 2중 실캡커버의 단면도이고,4 is a cross-sectional view of the seal cap cover of Figure 2,

도 5는 도 2중 실캡커버의 사시도이다. 5 is a perspective view of the seal cap cover of FIG.

돔형의 싱글튜브(12)를 구비한다. 상기 싱글튜브(12) 내부에는 복수의 웨이 퍼(W)가 적재된 보트(Boat)(14)가 위치되어 있다. 여기서 상기 보트(14)는 보트엘리베이터(16)의 구동에 의해서 상하로 이동함으로써 싱글튜브(12) 내측 및 외측으로 이동하고, 상기 싱글튜브(12) 내부에서 회전할 수 있도록 되어 있다. 일반적으로 보트(14)는 석영재질의 상부링 및 하부고정부가 3개의 봉형상의 석영로드(Quartz rod)에 의해서 연결된 구조로 이루어지고, 상기 석영로드 내측에 웨이퍼(W)가 삽입되는 복수의 슬롯(Slot)이 형성되어 있다.A domed single tube 12 is provided. Inside the single tube 12, a boat 14 loaded with a plurality of wafers W is positioned. Here, the boat 14 moves up and down by driving the boat elevator 16 to move inside and outside the single tube 12 and to rotate inside the single tube 12. In general, the boat 14 has a structure in which an upper ring and a lower fixing part of a quartz material are connected by three rod-shaped quartz rods, and a plurality of slots into which the wafers W are inserted into the quartz rods. Slot) is formed.

또한, 상기 공정튜브(10)의 하부 소정부에는 공정튜브(10)의 내부압력을 조절할 수 있도록 진공배기구(20)가 형성되어 있다. 상기 진공배기구(20)는 도면에는 도시되지 않았으나 진공펌프(도시되지 않음)와 연결되어 있다. 그리고 공정튜브(10) 하단에는 진공을 형성하기 위해 외부와 차단하기 위해 셔터(24)가 설치되어 있다. 상기 셔터(24)는 보트(14)를 로딩하거나 언로딩 시 오픈하거나 클로즈 하도록 한다. 그리고 플랜지(22)는 싱글튜브(12)를 장착할 수 있도록 설치되어 있다. 싱글튜브(12)는 플랜지(22)의 상부에 지지판과 볼트에 의해 체결되어 장착된다. 상기 싱글튜브(12)와 플랜지(22) 사이에는 누설을 방지하기 위한 오링(26)이 설치되어 있다. 상기 공정튜브(16)의 하단에 설치되어 상기 싱글튜브(12)의 내부를 밀폐시키기 위한 실캡(SEAL CAP)(28)과, 실캡(28)의 상부에 설치되어 상기 Al파우더가 실캡(28)의 내부로 날리지 않도록 차단하는 실캡커버(30)가 설치되어 있다. In addition, a vacuum exhaust port 20 is formed at a lower predetermined portion of the process tube 10 to adjust the internal pressure of the process tube 10. Although not shown in the drawing, the vacuum exhaust port 20 is connected to a vacuum pump (not shown). And the shutter 24 is installed at the bottom of the process tube 10 to block the outside to form a vacuum. The shutter 24 allows the boat 14 to open or close when loading or unloading the boat 14. And the flange 22 is provided so that the single tube 12 can be mounted. The single tube 12 is fastened to the upper portion of the flange 22 by a support plate and bolts. An o-ring 26 is provided between the single tube 12 and the flange 22 to prevent leakage. Sealed cap (SEAL CAP) 28 for sealing the inside of the single tube 12 is installed on the lower end of the process tube 16, the Al powder is installed on the upper portion of the seal cap 28 seal cap 28 The seal cap cover 30 is installed so as not to blow into the interior of the.

상술한 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 종형확산로 설비의 공정진행 절차에 따라 공정을 진행하는 동작을 설명하면, 프로세스가 시작되면 보트(14)가 언로딩된 상태에서 프로세스를 진행할 웨이퍼(W)를 보트(14)에 적재하게 된다. 보트(14)에 웨이퍼(W)의 적재가 완료되면 셔터(24)를 오픈(open)한 상태에서 보트(14)를 공정튜브(10)의 내부로 로딩시키게 된다. 그런 후 셔터(24)를 클로즈(close)한 상태에서 진공배기구(20)를 통해서 공정튜브(10)의 내부기체가 외부로 펌핑됨에 따라 공정튜브(10)의 내부압력은 특정 저진공상태가 형성되고, 공정튜브(10)의 내부온도 등과 같은 다른 공정환경이 설정되면, 반응가스는 노즐(18)의 가스방출구(19)를 통해서 싱글튜브(12) 내부로 공급된다. 이때 반응가스는 TMA(TRI METHLY ALUMINUM)개스와 O3(OZONE)가 될 수 있다. 싱글튜브(12) 내부로 공급된 반응가스는 보트(14)에 적재된 웨이퍼(W)의 상부표면과 각각 화학반응함으로써 웨이퍼(W) 상에는 상기 두 개스가 결합하여 ALO3가 생성된다. 이때 Al2O3가 생성될 때 Al파우더는 공정튜브(10)의 내부로 날리지 않고 실캡커버(28)에 머무르게 된다. 따라서 Al파우더가 실캡(28)의 내부 및 적재된 웨이퍼로 Al파우더가 확산되지 않게 되어 Al파우더로 인한 품질불량을 방지할 수 있다. 통상, 전술한 증착공정이 진행될 때, 상기 보트(14)는 구동원의 구동에 의해서 회전함으로써 보트(14)에 적재된 각 웨이퍼(W)의 전면에 전체적으로 균일한 특정막이 형성될수 있도록 한다. 여기서 상기 실캡커버(30)는 석영(QUARTZ)으로 형성되어 있다. Referring to FIG. 2 to FIG. 5, the operation of proceeding the process according to the process progress procedure of the bell spreader facility according to the preferred embodiment of the present invention will be described. In the state, the wafer W to be processed is loaded on the boat 14. When the loading of the wafer W is completed in the boat 14, the boat 14 is loaded into the process tube 10 while the shutter 24 is opened. Then, as the inner gas of the process tube 10 is pumped out through the vacuum exhaust port 20 while the shutter 24 is closed, the internal pressure of the process tube 10 is formed in a specific low vacuum state. When another process environment such as the internal temperature of the process tube 10 is set, the reaction gas is supplied into the single tube 12 through the gas outlet 19 of the nozzle 18. At this time, the reaction gas may be TMA (TRI METHLY ALUMINUM) gas and O3 (OZONE). The reaction gas supplied into the single tube 12 is chemically reacted with the upper surface of the wafer W loaded on the boat 14, so that the two gases are combined on the wafer W to generate ALO3. At this time, when Al2O3 is produced, the Al powder does not fly into the process tube 10 but stays in the seal cap cover 28. Therefore, Al powder is not diffused into the inside of the seal cap 28 and the stacked wafers, thereby preventing the quality defects caused by the Al powder. In general, when the above-described deposition process is performed, the boat 14 is rotated by the driving of the driving source so that a uniform film is formed on the entire surface of each wafer W loaded on the boat 14. The seal cap cover 30 is formed of quartz (QUARTZ).

이렇게 상기 증착이 완료되면, 셔터(24)가 오픈되고 상기 보트(14)는 보트엘 리베이터(16)의 구동에 의해서 하부로 이동함으로써 싱글튜브(12) 외부로 언로딩하게 된다. 이후, 상기 보트(16) 상에 증착이 완료된 복수의 웨이퍼(W)는 이송로봇(도시하지 않음) 등에 의해서 꺼내어 소정위치로 이동하게 된다. 상기 보트(14)에 증착이 완료된 복수의 웨이퍼(W)가 모두 꺼내어지면 프로세스가 종료된다. When the deposition is completed, the shutter 24 is opened and the boat 14 is unloaded to the outside of the single tube 12 by moving downward by driving the boat elevator 16. Thereafter, the plurality of wafers W on which the deposition is completed on the boat 16 are taken out by a transfer robot (not shown) or the like to move to a predetermined position. The process is terminated when all of the plurality of wafers W on which the deposition is completed are removed from the boat 14.

상술한 바와 같이 본 발명은 종형확산로 설비에서 실캡에 실캡커버를 장착하여 Al203를 생성할 때 발생되는 Al파우더를 보트에 적재된 웨이퍼로 날리지 않도록 실캡커버에 머물게 하여 웨이퍼 품질불량을 방지하고, 웨이퍼 로스를 줄일 수 있으며, 설비가동율을 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the present invention prevents wafer quality defects by keeping the Al powder generated when Al203 is produced by mounting the seal cap cover on the seal cap in the vertical diffusion furnace facility to the seal cap cover so as not to be blown by the wafer loaded on the boat. Loss can be reduced, and there is an advantage of improving productivity by increasing facility operation rate.

Claims

In the vertical diffusion furnace equipment to prevent powder diffusion by having a seal cap for sealing the process tube,

And a seal cap cover mounted on an upper portion of the seal cap so as to prevent diffusion of Al powder into a wafer loaded in a boat inside the single tube during a process.

The method of claim 1,

The seal cap cover is a vertical diffusion furnace equipment, characterized in that made of quartz.