KR20070021672A - Polyimide film and copper clad laminate using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리이미드 필름 및 이를 이용한 동장 적층판에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide film and a copper clad laminate using the same.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 내화학성, 특히 내알칼리성이 우수하여 별도의 무기필러를 사용하지 않고도 접착현상이 나타나지 않으면서 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 특성이 있다.The polyimide film according to the present invention is excellent in chemical resistance, in particular alkali resistance, and has no properties without deterioration in mechanical properties or bending properties without the use of a separate inorganic filler.

Description

폴리이미드 필름 및 이를 이용한 동장 적층판{Polyimide film and copper clad laminate using the same}Polyimide film and copper clad laminate using the same

본 발명은 폴리이미드 필름 및 이를 이용한 동장 적층판에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide film and a copper clad laminate using the same.

내열성이나 전기 절연성 등의 각종 우수한 특성을 갖는 폴리이미드 수지는 전자 분야에 널리 사용되고 있다. 예를 들면, 플렉시블 인쇄회로기판, COF 용도의 베이스 필름, TAB 테이프, 고밀도 기록 매체용 베이스 필름, 또는 PVD2층 금속 적층판 등에 사용되고 있다. 또한, 폴리이미드 수지는 필름체 이외에 고형 성형체, 코팅제 등의 각종 형태로 사용되고 있다. 폴리이미드 수지가 필름체인 경우 필름 표면에 동장을 접착제로 접착시키거나 또는 구리의 스퍼터링-구리 전해 도금을 실시하거나, 또한 동장 상에 폴리이미드 수지를 캐스팅 또는 코팅한 적층체의 형태로서 널리 사용되어 왔다. 이와 같이 폴리이미드 필름을 상기와 같은 전자 재료에 사용하는 경우, 그의 용도상 가공시의 치수 안정성이 요구되고 있다.Polyimide resins having various excellent properties such as heat resistance and electrical insulation are widely used in the electronic field. For example, it is used for a flexible printed circuit board, a base film for COF use, a TAB tape, a base film for high density recording media, or a PVD2 layer metal laminate. Moreover, polyimide resin is used in various forms, such as a solid molded object and a coating agent other than a film body. In the case where the polyimide resin is a film body, it has been widely used in the form of a laminate in which copper is adhered to the film surface with an adhesive, sputtering-copper electroplating of copper, or cast or coated polyimide resin on the copper field. . Thus, when using a polyimide film for the above electronic materials, the dimensional stability at the time of processing is calculated | required for the use.

한편, 포토에칭(Photo etching)법에 의해 도체 패턴을 작성하기 위하여, 감광성 레지스트를 100℃ 부근에서 적층한다. 감광성 레지스트는 도체상에 남겨놓아야 할 패턴을 레지스트 막으로 형성하여, 불필요한 도체를 에칭에 의해 제거하기 위해 사용한다. 플렉시블 인쇄회로기판 업체에서는 레지스트 막으로서 주로 건조필름(Dry Film)을 사용하고 있다.On the other hand, in order to produce a conductor pattern by the photo etching method, the photosensitive resist is laminated | stacked in the vicinity of 100 degreeC. The photosensitive resist forms a pattern to be left on the conductor with a resist film and is used to remove unnecessary conductors by etching. Flexible printed circuit board manufacturers mainly use dry film as a resist film.

감광제층을 형성한 판넬에는 마스크를 통과시켜 자외선으로 노광을 실시하고 도체 패턴의 잠상을 형성한다. 패턴 잠상의 형성에는 통상 폴리에스터 필름 기반의 마스크 필름을 진공에 의해 밀착시키고, 일괄 노광을 한다. 노광 공정에서 생성된 잠상은 많은 경우에 탄산 나트륨계의 현상액에서 현상된 후, 레지스트가 없이 노출된 불필요한 동을 에칭액으로 용해 제거한다. 다음에 수산화나트륨과 같은 알칼리성 용액을 사용하여 현상성 레지스트를 박리하게 되며 현상부터 박리까지의 일련의 과정을 연속적으로 수평적인 컨베이어 장치에서 스프레이로 액체를 분무하여 실시하게 된다.The panel on which the photosensitive agent layer is formed is exposed to ultraviolet rays through a mask to form a latent image of the conductor pattern. In forming the latent pattern image, a mask film based on a polyester film is usually closely adhered by vacuum, and a batch exposure is performed. In many cases, the latent image generated in the exposure process is developed in a sodium carbonate developer, and then the unnecessary copper exposed without a resist is dissolved and removed with an etching solution. Next, the developing resist is stripped using an alkaline solution such as sodium hydroxide, and a series of processes from development to stripping are continuously performed by spraying liquid with a spray on a horizontal conveyor apparatus.

이렇게 형성된 회로 패턴은 다층으로 적층되어 사용되는 것이 일반적이며, 적층시 본딩시트를 사용하여 150~200℃ 사이에서 적층하게 된다. 이때, 굴곡부위는 굴곡성 확보를 위하여 본딩시트를 사용하지 않는다. 그러나 본딩시트를 사용하지 않았음에도 불구하고 굴곡부위에서 이미드끼리 약한 접착현상(미분리)이 나타난다. 이러한 접착현상은 폴리이미드의 내화학성과 관련이 있다. 폴리이미드는 패턴 형성 과정 중에 거치는 여러 화학약품이나 용제 중 알칼리에 의해 에칭된다. 즉, 이미드가 알칼리에 의해 아믹산으로 다시 변성하는 것이다. 아믹산으로 변성된 폴리이미드 필름 표면이 본딩시트 적층과정에서 열과 압력을 가해 가압성형되기 때문에 아믹산끼리 약한 접착현상이 나타난다. 이런 접착현상이 나타나게 되면, 굴곡이 되는 부위가 서로 적층체 처럼 행동하게 되어 굴곡성을 발휘할 수 없게 된다.The circuit pattern thus formed is generally stacked and used in multiple layers, and is laminated between 150 and 200 ° C. using a bonding sheet during lamination. At this time, the bending portion does not use the bonding sheet to secure the flexibility. However, even though the bonding sheet was not used, weak adhesion between the imides (not separated) appears at the bent portion. This adhesion phenomenon is related to the chemical resistance of the polyimide. Polyimides are etched by alkali in various chemicals or solvents that go through the pattern formation process. That is, the imide denatures again to amic acid by alkali. Since the surface of the polyimide film modified with amic acid is press-molded by applying heat and pressure in the bonding sheet stacking process, weak adhesion between the amic acids occurs. When such an adhesive phenomenon occurs, the bent portions behave like laminates, and thus the flexibility cannot be exhibited.

따라서, 이러한 접착현상을 해결하기 위하여, 폴리이미드 부분에 무기필러 등을 사용하여 왔다. 그러나, 이러한 무기필러 등을 다량 사용할 경우 기계적 물성이 저하되고, 굴곡성이 발현되지 않는 문제점이 생긴다.Therefore, in order to solve this adhesive phenomenon, the inorganic filler etc. were used for the polyimide part. However, when a large amount of such an inorganic filler or the like is used, there is a problem in that mechanical properties are lowered and flexibility is not expressed.

이에, 본 발명자들은 별도의 무기필러를 사용하지 않고도 접착현상이 나타나지 않으면서 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 폴리이미드 필름에 대해 연구하던 중, 50℃, 50 중량% 수산화칼륨 수용액에 의한 에칭속도를 0.3㎛/min 이하로 낮춤으로써 폴리이미드 필름에서 접착현상이 나타나지 않고 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 것을 확인하고 본 발명을 완성하였다.Thus, the inventors of the present invention while studying a polyimide film without any deterioration in mechanical properties or bending properties without using an additional inorganic filler, the etching rate by 50 ℃, 50% by weight aqueous potassium hydroxide solution By lowering to 0.3 μm / min or less, the polyimide film showed no adhesion phenomenon and confirmed no deterioration in mechanical properties or flexibility.

본 발명은 디아민과 디안하이드라이드 성분을 반응시켜 얻어진 폴리이미드 필름으로서, 에칭속도가 0.3㎛/min 이하인 폴리이미드 필름을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a polyimide film having an etching rate of 0.3 µm / min or less as a polyimide film obtained by reacting a diamine and a dianhydride component.

또한, 본 발명은 상기 폴리이미드 필름을 이용한 동장 적층판을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a copper clad laminate using the polyimide film.

본 발명은 디아민과 디안하이드라이드 성분을 반응시켜 얻어진 폴리이미드 필름으로서, 에칭속도가 0.3㎛/min 이하인 폴리이미드 필름을 제공한다.The present invention provides a polyimide film having an etching rate of 0.3 µm / min or less as a polyimide film obtained by reacting a diamine and a dianhydride component.

또한, 본 발명은 동장, 및 동장 위에 상기 폴리이미드 필름이 1층 이상으로 적층되어 있는 동장 적층판을 제공한다.Moreover, this invention provides the copper clad laminated board in which the said polyimide film is laminated | stacked in one or more layers on the copper field and copper field.

이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 디아민과 디안하이드라이드 성분을 반응시켜 얻어진 폴리이미드 필름으로서, 50℃, 50 중량% 수산화칼륨 수용액에 의한 에칭속도가 0.3㎛/min 이하인 폴리이미드 필름을 제공한다.The present invention provides a polyimide film obtained by reacting a diamine with a dianhydride component and having an etching rate of 0.3 μm / min or less at 50 ° C. and a 50% by weight aqueous potassium hydroxide solution.

상기 50℃, 50 중량% 수산화칼륨 수용액에 의한 에칭속도는 0.1㎛/min 이하가 바람직하다.As for the etching rate by the said 50 degreeC, 50 weight% potassium hydroxide aqueous solution, 0.1 micrometer / min or less is preferable.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 50℃, 50 중량% 수산화칼륨 수용액에 의한 에칭속도가 낮아 알칼리에 의해 영향을 덜 받으므로, 알칼리와 접촉하는 경우에도 폴리이미드가 폴리아믹산으로 다시 되돌아가려는 정도가 미미하다. 만일 에칭속도가 0.3㎛/min를 초과하면 접착현상이 나타나서, 굴곡성이 발현되지 않는다. 따라서, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 접착현상이 나타나지 않으면서 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 특성이 있다. 따라서, 상기 폴리이미드 필름을 이용한 동장 적층판은 플렉시블 인쇄회로기판, COF 용도의 베이스 필름, TAB 테이프, 고밀도 기록 매체용 베이스 필름, 또는 PVD2층 금속 적층판 등에 유용하게 사용할 수 있다.Since the polyimide film according to the present invention is less affected by alkali because of a low etching rate by 50 ° C. and 50% by weight aqueous potassium hydroxide solution, the degree of polyimide back to the polyamic acid even when contacted with alkali is insignificant. Do. If the etching rate exceeds 0.3 μm / min, adhesion phenomenon occurs, and the flexibility is not expressed. Therefore, the polyimide film according to the present invention has the property of not deteriorating mechanical properties or flexibility without adhesion. Therefore, the copper clad laminate using the polyimide film can be usefully used for flexible printed circuit boards, base films for COF applications, TAB tapes, base films for high density recording media, or PVD2 layer metal laminates.

본 발명에 사용된 디아민 성분은, 파라-페닐렌디아민(p-PDA: para-Phenylene diamine) 또는 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA: 4,4'-Oxydianiline) 중에서 선택된 1종을 반드시 포함하며, 상기 디아민 성분 이외에 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), 메타-페닐렌디아민(m-PDA: m-Phenylene diamine), 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP: 2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER: 1,3-bis(4- aminophenoxy)benzene), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA: 4,4'-diamino benzanilide), 또는 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB: 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 선택된 디아민 성분의 총 몰%의 합은 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 50~100 몰% 이며, 바람직하게는 80~100 몰% 이다. 만일 사용된 디아민 성분의 총 몰%의 합이 50 몰% 미만이면 접착현상이 나타난다.The diamine component used in the present invention is selected from para-phenylenediamine (p-PDA: para-Phenylene diamine) or 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA: 4,4'-Oxydianiline). 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline) and meta-phenylenediamine (m-PDA: m-Phenylene diamine) other than the diamine component , 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP: 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2,2'-dimethyl-4 , 4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER: 1,3 -bis (4-aminophenoxy) benzene), 4,4'-diamino benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide), or 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (BAPB : At least one selected from the group consisting of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl), and the sum of the total mole% of the selected diamine components is 50 to 100 based on the total mole% of the diamine components used. Mol%, preferably Crab is 80-100 mol%. If the sum of the total mole% of the diamine components used is less than 50 mole%, adhesion occurs.

본 발명에 사용된 디안하이드라이드 성분은, 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA: pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 선택된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%의 합은 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 50~100 몰%, 바람직하게는 70~100 몰% 이어야 한다. 만일 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%의 합이 50 몰% 미만이면 접착현상이 나타난다.The dianhydride component used in the present invention is pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA: 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-oxy At least one selected from the group consisting of diphthalic anhydride (ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride), wherein the sum of the total mole percent of the selected dianhydride component is the total mole of the dianhydride component used. It should be 50-100 mol%, preferably 70-100 mol% with respect to%. If the sum of the total mole% of the dianhydride components used is less than 50 mole%, adhesion occurs.

다만, 상기 디안하이드라이드 성분 중 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA)는 유리전이온도를 상승시키는 장점이 있으나, PMDA를 60 몰% 초과하여 사용하는 경우에는 내알칼리성이 떨어지므로 PMDA는 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 60 몰% 이하로 사용하는 것이 바람직하다.However, pyromellitic dianhydride (PMDA) of the dianhydride component has the advantage of increasing the glass transition temperature, but when used in excess of 60 mol% PMDA is less alkali resistance, so PMDA is used dianhydride Preference is given to using up to 60 mol% relative to the total mol% of the ride component.

본 발명에서는 필요에 따라 상기의 화합물 이외의 다른 디아민이나 다른 디 안하이드라이드, 또는 다른 화합물을 소량 첨가하는 것도 가능하다.In the present invention, it is also possible to add a small amount of other diamines, other dianhydrides, or other compounds other than the above compounds as necessary.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조방법은,The manufacturing method of the polyimide film which concerns on this invention,

1) 디아민 성분을 유기 용매에 가하고 교반하여 용해시키는 단계,1) adding a diamine component to an organic solvent and stirring to dissolve,

2) 상기 1)단계에서 얻은 용액을 냉각시키면서 디안하이드라이드를 가하면서 교반하고 중합하여 폴리아믹산 바니쉬를 얻는 단계,2) stirring and polymerizing with adding dianhydride while cooling the solution obtained in step 1) to obtain a polyamic acid varnish,

3) 상기 2)단계에서 얻은 폴리아믹산 바니쉬를 기판상 위에 코팅하는 단계, 및3) coating the polyamic acid varnish obtained in step 2) on a substrate, and

4) 상기 3)단계에서 얻은 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 경화시켜 폴리이미드 필름을 얻는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.4) hardening the coated polyamic acid varnish obtained in step 3) to obtain a polyimide film.

본 발명에서 사용된 디아민과 디안하이드라이드는 같은 몰비율로 반응시키는 것이 바람직하다. 만약 폴리이미드 필름 내에 카복실산이 많이 남아 있는 경우, 폴리이미드 필름의 가수분해 속도가 가속되는 문제가 발생하여 폴리이미드 필름의 안정성이 저하된다. 또한 폴리이미드 필름 내에 아민이 많이 남아 있는 경우, 폴리아믹산 용액의 점도가 충분히 높아지지 않아 폴리이미드 필름으로의 막형성 능력이 낮아지므로 필름으로의 성형이 곤란해진다.Diamine and dianhydride used in the present invention is preferably reacted at the same molar ratio. If a large amount of carboxylic acid remains in the polyimide film, a problem of accelerating the hydrolysis rate of the polyimide film occurs, thereby deteriorating the stability of the polyimide film. In addition, in the case where a large amount of amine remains in the polyimide film, the viscosity of the polyamic acid solution does not become high enough, so that the film forming ability of the polyimide film is low, making molding into a film difficult.

본 발명에 따른 폴리아믹산 바니쉬의 제조에 사용될 수 있는 용매로는, N-메틸피롤리디논(NMP: N-methylpyrrolidinone), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc: N,N-dimethylacetamide), 테트라히드로퓨란(THF: tetrahydrofuran), N,N-디메틸포름아미드(DMF: N,N-dimethylformamide), 디메틸설폭시드(DMSO: dimethylsulfoxide), 시클로헥산(cyclohexane), 아세토니트릴(acetonitrile) 또는 이들의 혼합물이 바람직 하다. 그러나, 상기 용매의 종류가 이들에 한정되는 것은 아니다.As a solvent that may be used for the preparation of the polyamic acid varnish according to the present invention, N-methylpyrrolidinone (NMP: N-methylpyrrolidinone), N, N-dimethylacetamide (DMAc: N, N-dimethylacetamide), tetrahydro Furan (THF: tetrahydrofuran), N, N-dimethylformamide (DMF: N, N-dimethylformamide), dimethyl sulfoxide (DMSO: dimethylsulfoxide), cyclohexane, acetonitrile or mixtures thereof are preferred. Do. However, the kind of the solvent is not limited to these.

상기 폴리아믹산 바니쉬는 랜덤(random copolymer)이나 블록 코폴리머 (block copolyimer)의 형태로 제조될 수 있으며, 반응온도는 0~100℃의 범위인 것이 바람직하다. 폴리아믹산 바니쉬의 점도는 2,000 내지 50,000 cps로 제조되는 것이 이미드 필름 또는 동장 적층판으로 제조하는데 공정 측면에서 바람직하다.The polyamic acid varnish may be prepared in the form of random (random copolymer) or block copolymer (block copolyimer), the reaction temperature is preferably in the range of 0 ~ 100 ℃. The viscosity of the polyamic acid varnish is preferably 2,000 to 50,000 cps, which is preferable in terms of process for producing an imide film or copper clad laminate.

폴리아믹산 용액으로부터 본 발명의 폴리이미드 필름을 얻기 위해서는, 열적으로 탈수 폐환시키는 열적 방법, 탈수제를 사용하는 화학적 방법 등 여러 가지 방법을 사용할 수 있다. 화학적 방법을 사용하면, 생성되는 폴리이미드 필름의 신장률이나 인장 강도 등의 기계적 특성이 우수하며, 단시간에 이미드화 할 수 있는 등의 장점이 있다. 본 발명에서는 열경화 또는 화학적 경화방법을 단독으로 사용하거나, 또는 이 둘을 병용하여 사용할 수 있다.In order to obtain the polyimide film of this invention from a polyamic-acid solution, various methods, such as the thermal method of thermally dehydrating and ring closing, and the chemical method using a dehydrating agent, can be used. When the chemical method is used, mechanical properties such as elongation and tensile strength of the resulting polyimide film are excellent, and there are advantages such as imidization in a short time. In the present invention, a thermosetting or chemical curing method may be used alone, or both may be used in combination.

또한, 본 발명은 동장, 및 동장 위에 상기 폴리이미드 필름이 1층 이상으로 적층되어 있는 동장 적층판을 제공한다.Moreover, this invention provides the copper clad laminated board in which the said polyimide film is laminated | stacked in one or more layers on the copper field and copper field.

동장 적층판은 폴리이미드 필름에 구리를 증착이나 스퍼터링을 하여 직접 구리를 형성할 수 있고, 접착제를 이용하여 금속박과 폴리이미드 필름을 접합시킨 동장 적층판일 수도 있다. 이때 사용되는 접착제는 에폭시 수지, 폴리아미드 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 고무계 수지 등을 단독 또는 여러 가지 혼합 비율로 용매와 함께 혼합하고, 여기에 필요에 따라서 경화제나 경화 촉진제 등의 첨가제를 첨가한 것을 사용할 수 있다.The copper clad laminated board can form copper directly by vapor-depositing or sputtering copper to a polyimide film, and may be a copper clad laminated board which bonded the metal foil and the polyimide film using the adhesive agent. At this time, the adhesive used is an epoxy resin, a polyamide resin, a phenol resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a rubber resin, or the like, mixed with a solvent alone or in various mixing ratios. What added the additive can be used.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 동장 적층판에 사용될 경우, 선팽창계수 (CTE)가 30×10-6/℃ 이하인 것이 바람직하고, 25×10-6/℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 폴리이미드 필름은 유리전이온도(Tg)가 300℃ 이상인 것이 바람직하다. 만일 폴리이미드 필름 자체의 선팽창계수가 30×10-6/℃ 초과하면 동장의 선팽창계수인 17×10-6/℃ 보다 많이 커지게 되어 동장 적층판의 컬(curl)이 심해져서 사용하기 어렵다. 또한, 폴리이미드 필름의 유리전이온도가 300℃ 미만이면 연속식 경화공정의 경우에는 큰 문제가 없을 수 있어도, 배치(batch)식으로 열경화(thermal imidization)를 하는 경우에는 롤에 감겨있는 상태로 열경화가 진행되기 때문에 폴리이미드 필름과 동장이 붙는 결과를 가져올 수도 있다.When the polyimide film according to the present invention is used in a copper clad laminate, the coefficient of linear expansion (CTE) is preferably 30 × 10 −6 / ° C. or less, more preferably 25 × 10 −6 / ° C. or less. In addition, the polyimide film preferably has a glass transition temperature (Tg) of 300 ° C or higher. If the coefficient of linear expansion of the polyimide film itself exceeds 30 × 10 −6 / ° C., the polyimide film becomes larger than the coefficient of linear expansion of 17 × 10 −6 / ° C. and the curl of the copper clad laminate becomes severe and difficult to use. In addition, if the glass transition temperature of the polyimide film is less than 300 ° C., even in the case of the continuous curing step, there may not be a big problem, but when the thermal imidization is performed in a batch manner, it is wound on the roll. Thermal curing can lead to the bonding of polyimide films with copper.

상기 선팽창계수를 달성하기 위하여, 폴리이미드 필름 제조시 디아민 성분으로서 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA) 또는 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA) 성분을 사용하는 경우 이들은 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 각각 50 몰% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB)을 사용하는 경우 이들은 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 각각 20 몰% 이하인 것이 선팽창계수(Coefficient for Thermal Expansion)의 측면에서 바람직하다. 또한 이러한 성분들의 함량이 높아질수록 유리전이온도가 낮아지는 경향이 있으므로, 유리전이온도의 측면에서도 상기의 몰%를 넘지 않는 것이 바람직하다.In order to achieve the linear expansion coefficient, 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA) or 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA) component as a diamine component in the production of polyimide film When using these, they are each preferably 50 mol% or less with respect to the total mol% of the diamine component used. Further, 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER), 4,4'-bis (4 When using -aminophenoxy) biphenyl (BAPB), they are preferably 20 mol% or less relative to the total mol% of the diamine components used in terms of coefficient of thermal expansion. In addition, since the glass transition temperature tends to decrease as the content of these components increases, it is preferable not to exceed the above mol% in terms of glass transition temperature.

또한, 상기 폴리이미드 필름을 동장 적층판의 제조에 사용할 경우, 선팽창계수나 유리전이온도를 고려하여, 폴리이미드 필름 제조시 디안하이드라이드 성분으 로서 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA) 또는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA)를 사용하는 경우 이들은 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 각각 30 몰% 이하로 사용하는 것이 바람직하다.In addition, when the polyimide film is used for the production of a copper clad laminate, 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) is used as a dianhydride component in the production of the polyimide film in consideration of the coefficient of linear expansion and the glass transition temperature. Or when using 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), they are preferably used at 30 mole% or less relative to the total mole% of the dianhydride component used. .

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples are provided to aid in understanding the present invention. However, the following examples are merely provided to more easily understand the present invention, and the contents of the present invention are not limited thereto.

실시예 및 비교예에서의 물성평가방법은 다음과 같다.The physical property evaluation method in an Example and a comparative example is as follows.

[[ 선팽창계수(CTE)의Coefficient of linear expansion (CTE) 측정] Measure]

Mettler Toledo사의 TMA(SDTA840)를 이용하여, 250℃까지 10℃/min의 승온속도로 온도를 상승시키고, 그 온도에서 10분간 유지한 뒤, 다시 50℃까지 10℃/min의 속도로 냉각시켰다가 다시 350℃까지 10℃/min의 승온속도로 온도를 상승시켜 승온과정 중의 100℃에서 200℃까지의 평균 CTE를 산출하였다. 또한 이 TMA 기기로부터 유리전이온도(Tg)를 측정하였다.Using Mettler Toledo's TMA (SDTA840), the temperature was raised to 250 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min, held at that temperature for 10 minutes, and then cooled to 50 ° C. at 10 ° C./min. The temperature was further raised at a temperature increase rate of 10 ° C./min to 350 ° C. to calculate an average CTE from 100 ° C. to 200 ° C. during the temperature increase. In addition, the glass transition temperature (Tg) was measured from this TMA apparatus.

[에칭속도의 측정][Measurement of Etching Speed]

에칭액으로서 50 중량% 수산화칼륨 수용액을 조제하여 사용하였다. 형성된 폴리이미드 필름 두께를 10번 측정하고 그 평균값을 x ㎛이라 하였다. 두께를 측정한 폴리이미드 필름을 상기 에칭액을 50℃로 가열한 뒤 용액에 침지하고 용액 내부에서는 필름의 교반을 수행하였다. 양면이 에칭되도록 침지하여 폴리이미드 수지가 모두 사라지는 시간을 측정하여, 초기의 두께를 에칭에 소요된 시간으로 나눈 값을 에칭속도로 하였다. 또한, 에칭시간이 긴 폴리이미드 필름에 대해서는 막 두께가 감소한 양을 에칭에 소요된 시간으로 나눈 값을 에칭속도로 하였다.A 50 wt% aqueous potassium hydroxide solution was prepared and used as an etching solution. The formed polyimide film thickness was measured 10 times and the average value was x micrometer. The polyimide film having the thickness measured was immersed in the solution after the etching solution was heated to 50 ° C., and the film was stirred inside the solution. It was immersed so that both surfaces were etched, and the time which all the polyimide resin disappeared was measured, and the value which divided the initial thickness by the time required for etching was made into the etching rate. In addition, about the polyimide film with long etching time, the value which divided | segmented the quantity which reduced the film thickness by the time required for etching was made into the etching rate.

[접착현상 관찰][Adhesive phenomenon observation]

제조된 폴리아믹산 바니쉬를 취급이 용이하도록 동장 위에 코팅하여 경화시킨 뒤에, 15㎝×15㎝ 크기로 샘플을 절단하였다. 절단된 샘플을 50℃의 50 중량% 수산화칼륨 용액에 15분간 교반하면서 침지하였다. 물로 깨끗이 세척한 후 50℃의 건조 오븐(dry oven)에서 30분간 건조하였다. 이 같은 샘플을 두개씩 준비한 뒤, 폴리이미드면이 맞닿도록 하고, 쿠션패드(cushion pad)를 이용하여 180℃에서 1시간동안 진공 압력을 실시한 후 접착현상이 일어나는지 관찰하였다.The prepared polyamic acid varnish was coated on the copper field for easy handling and cured, and then the sample was cut into a size of 15 cm × 15 cm. The cut sample was immersed in 50 ° C. 50% potassium hydroxide solution with stirring for 15 minutes. After washing with water, it was dried for 30 minutes in a dry oven at 50 ℃. After preparing two such samples, the polyimide surface was brought into contact with each other, and a vacuum pad was performed at 180 ° C. for 1 hour using a cushion pad.

실시예Example 1 One : 폴리이미드 필름의 제조 : Production of Polyimide Film

온도계, 교반기 및 질소 입구와 분말투입구(powder dispensing funnel)를 설치한 2000 ㎖의 4구 둥근바닥 플라스크에 질소를 흘려 보내면서, 21.52g의 p-페닐렌 디아민(p-PDA)(0.20mol)과 20.42g의 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP)(0.05 mol)에 1000 ㎖의 N-메틸피롤리디논(NMP)을 가하고 교반하여 완전히 용해시켰다. 상기 용액을 15℃ 이하로 냉각시키면서 21.96g의 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA)(0.08 mol)와 56.11g의 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA)(0.17 mol)를 서서히 가하면서 교반하고 중합하여, 점도 15,000 cps의 폴리아믹산 바니쉬를 얻었다.21.52 g of p-phenylene diamine (p-PDA) (0.20 mol) was flowed with nitrogen into a 2000 ml four-necked round bottom flask equipped with a thermometer, stirrer and nitrogen inlet and powder dispensing funnel. To 20.42 g of 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP) (0.05 mol) was added 1000 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP) and stirred to dissolve completely. 21.96 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (0.08 mol) and 56.11g of 3,3', 4,4 ' -Benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA) (0.17 mol) was gradually added while stirring and polymerization to obtain a polyamic acid varnish having a viscosity of 15,000 cps.

얻어진 폴리아믹산 바니쉬를 유리판상 위에 닥터블레이드(doctor blade)를 이용하여 코팅하였다. 코팅된 바니쉬를 오븐에서 최고온도 400℃에서 5분간 가열하여 최종 두께 15㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다. 이 필름의 특성 평가를 행하고 결 과를 표 1에 나타내었다.The obtained polyamic acid varnish was coated on a glass plate using a doctor blade. The coated varnish was heated in an oven at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film having a final thickness of 15 μm. The film was evaluated for properties, and the results are shown in Table 1.

실시예Example 2~5 2 ~ 5 : 폴리이미드 필름의 제조 : Production of Polyimide Film

표 1에 기재되어 있는 디아민과 디안하이드라이드 성분의 비율로 배합하여, 실시예 1의 방법과 동일하게 하여 폴리이미드 필름을 얻었다. 이 필름의 특성 평가를 행하고 결과를 표 1에 나타내었다.It mix | blended in the ratio of the diamine and dianhydride component shown in Table 1, and carried out similarly to the method of Example 1, and obtained the polyimide film. The characteristics of this film were evaluated and the results are shown in Table 1.

배합비Compounding cost 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 디아민 (mol%)Diamine (mol%) 4,4'-ODA4,4'-ODA -- -- 2020 -- 2020 4,4'-PDA4,4'-PDA 8080 7070 8080 5050 6060 m-TB-HGm-TB-HG -- 3030 -- 5050 -- BAPPBAPP 2020 -- -- -- 2020 디안하이드라이드 (mol%)Dianhydride (mol%) PMDAPMDA -- 5050 -- -- 5050 BPDABPDA 3030 -- 100100 2020 5050 BTDABTDA 7070 5050 8080 -- CTECTE 44.744.7 20.020.0 14.314.3 43.543.5 42.1342.13 에칭속도Etching speed 0.060.06 0.100.10 0.090.09 0.050.05 0.240.24 접착현상Adhesion 없음none 없음none 없음none 없음none 없음none

표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 에칭속도가 0.3㎛/min 이하이고, 접착현상이 나타나지 않음을 확인하였다.As shown in Table 1, the polyimide film according to the present invention was confirmed that the etching rate is 0.3㎛ / min or less, no adhesion phenomenon.

따라서, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 무기필러를 사용하지 않고도 에칭속도가 0.3㎛/min 이하이고, 접착현상이 나타나지 않으므로써, 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 특성이 있음을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the polyimide film according to the present invention has an etching rate of 0.3 μm / min or less without using an inorganic filler, and does not exhibit adhesive properties, thereby reducing mechanical properties and flexibility.

비교예Comparative example 1 One : :

온도계, 교반기 및 질소 입구와 분말투입구를 설치한 2000 ㎖의 4구 둥근바닥 플라스크에 질소를 흘려 보내면서, 17.15g의 p-페닐렌 디아민(p-PDA)(0.159mol)과 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA)(0.106 mol)에 1000 ㎖의 N-메틸피롤리디논(NMP)을 가하고, 교반하여 완전히 용해시켰다. 상기 용액을 15℃ 이하로 냉각시키면서 57.67g의 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA)(0.264mol)를 서서히 가하면서 교반하고 중합하여, 점도 15,000 cps의 폴리아믹산 바니쉬를 얻었다.17.15 g of p-phenylene diamine (p-PDA) (0.159 mol) and 4,4'- were flowed into a 2000 ml four-necked round bottom flask equipped with thermometer, stirrer and nitrogen inlet and powder inlet. 1000 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP) was added to oxydianiline (4,4'-ODA) (0.106 mol), followed by stirring to dissolve completely. 57.67 g of pyromellitic dianhydride (PMDA) (0.264 mol) was gradually added while cooling the solution to 15 DEG C or lower, followed by polymerization to obtain a polyamic acid varnish having a viscosity of 15,000 cps.

얻어진 폴리아믹산 바니쉬를 유리판상 위에 닥터블레이드를 이용하여 코팅하였다. 코팅된 바니쉬를 오븐에서 최고온도 400℃에서 5분간 가열하여 최종 두께 15㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다. 이 필름의 특성 평가를 행하고 결과를 표 2에 나타내었다.The obtained polyamic acid varnish was coated on a glass plate using a doctor blade. The coated varnish was heated in an oven at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film having a final thickness of 15 μm. The characteristics of this film were evaluated and the results are shown in Table 2.

비교예Comparative example 2~5 2 ~ 5 : :

표 2에 기재되어 있는 디아민과 디안하이드라이드 성분의 비율로 배합하여, 비교예 1의 방법과 동일하게 하여 폴리이미드 필름을 얻었다. 이 필름의 특성 평가를 행하고 결과를 표 2에 나타내었다.It mix | blended in the ratio of the diamine and dianhydride component shown in Table 2, and carried out similarly to the method of the comparative example 1, and obtained the polyimide film. The characteristics of this film were evaluated and the results are shown in Table 2.

배합비Compounding cost 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 비교예 5Comparative Example 5 디아민 (mol%)Diamine (mol%) 4,4'-ODA4,4'-ODA 4040 4040 100100 4040 100100 4,4'-PDA4,4'-PDA 6060 6060 6060 -- 디안하이드라이드 (mol%)Dianhydride (mol%) PMDAPMDA 100100 7070 100100 7070 3030 BPDABPDA -- 3030 -- -- -- ODPAODPA -- -- -- 3030 -- BPADABPADA -- -- -- -- 7070 CTECTE 24.424.4 24.024.0 40.340.3 34.434.4 45.045.0 에칭속도Etching speed 6.556.55 0.450.45 8.338.33 0.560.56 0.850.85 접착현상Adhesion 있음has exist 있음has exist 있음has exist 있음has exist 있음has exist

※ BPADA : 비스페놀-A 디안하이드라이드※ BPADA: Bisphenol-A dianhydride

표 2에 나타난 바와 같이, 비교예에서 제조한 폴리이미드 필름은 에칭속도가 0.3㎛/min 이상이고, 접착현상이 일어남을 확인하였다.As shown in Table 2, the polyimide film prepared in the comparative example was confirmed that the etching rate is 0.3㎛ / min or more, the adhesion phenomenon occurs.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 내화학성, 특히 내알칼리성이 우수하여 별도의 무기필러를 사용하지 않고도 접착현상이 나타나지 않으면서 기계적 물성이나 굴곡성의 저하가 없는 특성이 있다. 따라서, 상기 폴리이미드 필름을 이용한 동장 적층판은 플렉시블 인쇄회로기판, COF 용도의 베이스 필름, TAB 테이프, 고밀도 기록 매체용 베이스 필름, 또는 PVD2층 금속 적층판 등에 유용하게 사용할 수 있다.The polyimide film according to the present invention is excellent in chemical resistance, in particular alkali resistance, and has no properties without deterioration in mechanical properties or bending properties without the use of a separate inorganic filler. Therefore, the copper clad laminate using the polyimide film can be usefully used for flexible printed circuit boards, base films for COF applications, TAB tapes, base films for high density recording media, or PVD2 layer metal laminates.

Claims (7)

디아민과 디안하이드라이드 성분을 반응시켜 얻어진 폴리이미드 필름으로서, 50℃, 50 중량% 수산화칼륨 수용액에 의한 에칭속도가 0.3㎛/min 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.A polyimide film obtained by reacting a diamine with a dianhydride component, wherein the polyimide film has an etching rate of 0.3 µm / min or less at 50 ° C. and a 50% by weight aqueous potassium hydroxide solution. 제1항에 있어서, 상기 디아민 성분은 파라-페닐렌디아민(p-PDA: para-Phenylene diamine) 또는 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA: 4,4'-Oxydianiline) 중에서 선택된 1종을 반드시 포함하며, 상기 디아민 성분 이외에 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), 메타-페닐렌디아민(m-PDA: m-Phenylene diamine), 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP: 2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER: 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA: 4,4'-diamino benzanilide), 또는 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB: 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 선택된 디아민 성분의 총 몰%의 합은 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 50~100 몰% 인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.The method of claim 1, wherein the diamine component is para-phenylenediamine (p-PDA: para-Phenylene diamine) or 4,4'- oxydianiline (4,4'-ODA: 4,4'-Oxydianiline) 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), meta-phenylenediamine (m-PDA: m-Phenylene diamine) in addition to the diamine component ), 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP: 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2,2'-dimethyl- 4,4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER: 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene), 4,4'-diamino benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide), or 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl ( BAPB: at least one selected from the group consisting of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl), wherein the sum of the total mole% of the selected diamine components is 50 to the total mole% of the diamine components used. Characterized by being 100 mol% Polyimide film made into. 제2항에 있어서, 상기 디아민 성분 중 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA) 또는 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA) 성분은 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 각각 50 몰% 이하이며, 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB)의 몰비는 사용된 디아민 성분의 총 몰%에 대해 각각 20 몰% 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.3. The diamine component according to claim 2, wherein the 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA) or 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA) component of the diamine component is used. 50 mole% or less relative to the total mole%, and 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER ), And the molar ratio of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (BAPB) is 20 mol% or less relative to the total mole percent of the diamine component used. 제1항에 있어서, 상기 디안하이드라이드 성분은, 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA: pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 선택된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%의 합은 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 50~100 몰% 인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.According to claim 1, The dianhydride component, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4' -Oxydiphthalic anhydride (ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride) containing at least one selected from the group consisting of, the sum of the total mole percent of the selected dianhydride component of the dianhydride component used It is 50-100 mol% with respect to a total mol%, The polyimide film characterized by the above-mentioned. 제4항에 있어서, 상기 디안하이드라이드 성분 중 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA)는 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 60 몰% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.5. The polyimide film of claim 4, wherein the pyromellitic dianhydride (PMDA) in the dianhydride component comprises less than 60 mol% relative to the total mole% of the dianhydride component used. 6. 제4항에 있어서, 상기 디안하이드라이드 성분 중 4,4'-옥시디프탈릭 안하이 드라이드(ODPA) 또는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA)는 사용된 디안하이드라이드 성분의 총 몰%에 대해 각각 30 몰% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.5. The method of claim 4, wherein 4,4′-oxydiphthalic anhydride (ODPA) or 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA) of the dianhydride component is used. 30 mole% or less relative to the total mole% of the dianhydride component. 동장, 및 동장 위에 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 폴리이미드 필름이 1층 이상으로 적층되어 있는 동장 적층판.The copper clad laminated board in which the polyimide film of any one of Claims 1-6 is laminated | stacked on the copper field and the copper field in one or more layers.
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