KR20070019582A - Polymerizable dielectric material - Google Patents

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KR20070019582A
KR20070019582A KR1020060075729A KR20060075729A KR20070019582A KR 20070019582 A KR20070019582 A KR 20070019582A KR 1020060075729 A KR1020060075729 A KR 1020060075729A KR 20060075729 A KR20060075729 A KR 20060075729A KR 20070019582 A KR20070019582 A KR 20070019582A
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데이비드 스패로웨
이아인 맥쿨로쉬
마틴 히니
맥심 슈쿠노브
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 전자 제품의 유전 층의 제조에 유용한, 가교결합성 유기 아민 유도체를 포함하는 신규의 중합성 유전 물질 및 이로부터 수득된 가교결합된 중합체, 전자 제품의 유전 층의 신규한 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 수득된 전자 제품에 관한 것이다.The present invention provides novel polymeric dielectric materials comprising crosslinkable organic amine derivatives and crosslinked polymers obtained therefrom, novel methods of preparing dielectric layers for electronic products, useful for preparing dielectric layers for electronic products, and It relates to an electronic product obtained by the above method.

Description

중합성 유전 물질{POLYMERIZABLE DIELECTRIC MATERIAL}Polymerizable Dielectric Material {POLYMERIZABLE DIELECTRIC MATERIAL}

도 1은 트랜지스터 장치의 제법을 예시한다.1 illustrates the manufacture of a transistor device.

도 2는 본 발명에 따른 유전 층을 포함하는 트랜지스터 장치를 도시한다.2 illustrates a transistor device including a dielectric layer in accordance with the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터 장치 및 종래 기술에 따른 트랜지스터 장치의 임계 특성을 도시한다.3 shows the threshold characteristics of a transistor device according to the invention and a transistor device according to the prior art.

본 발명은 전자 제품의 유전 층의 제조에 유용한, 가교결합성 유기 아민 유도체를 포함하는 신규한 중합성 유전 물질 및 이로부터 수득된 가교결합된 중합체에 관한 것이다. 또한 본 발명은 전자 제품의 유전 층의 신규한 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 수득된 전자 제품에 관한 것이다.The present invention relates to novel polymeric dielectric materials comprising crosslinkable organic amine derivatives and crosslinked polymers obtained therefrom, which are useful for the preparation of dielectric layers of electronic products. The present invention also relates to a novel method for producing a dielectric layer of an electronic product, and to an electronic product obtained by the method.

유기 기재 집적 회로의 대규모, 저 비용 제조를 위한 유망한 접근법은 제조 단계들을 용액 가공에 의해 수행하는 것이다. 이는 넓은 면적을 코팅할 수 있고 고속으로 인쇄할 수 있는 롤-대-롤 가공 가능성을 허용한다. 상기 기법에 적합한 절연체의 중요 요건은 상기 용액이 표면을 습윤시켜 코팅하고 형성된 필름이 확실히 밀착되도록 하는 적합한 공정 용매에 대한 충분한 용해도이다. 이는 상기 용액 유동학 및 증발 속도의 최적화를 요한다. 또한, 다층 구조의 경우, 각 층의 침착에 사용되는 용매는 상기와 접촉하는 층에 용해되지 않거나 상기 층을 팽윤시키지 않고, 따라서 불량한 경계면 및 층간 확산을 방지하는 것이 필수적이다. 각 층을 용액을 통해 적용시킬 때, 선행 층에 부적합한 용해도 매개변수를 갖는 용매가 필요하며, 때때로 이를 직교(orthogonal) 용매라 칭한다. 상기 선행 층이 가교결합과 같은 화학 공정을 수행할 수 있는 경우 상기 용매 매개변수 범위를 상당히 확장시킬 수 있다. 동일 반응계에서 상기 필름을 가교결합시킴으로써, 보다 짧은 잠재적으로 이동성인 분자 단위들을 고정 네트워크로 속박한다.A promising approach for large scale, low cost fabrication of organic substrate integrated circuits is to perform the fabrication steps by solution processing. This allows for roll-to-roll processing possibilities that can coat large areas and print at high speeds. An important requirement of an insulator suitable for this technique is sufficient solubility in a suitable process solvent such that the solution wets the surface and coats and the formed film is tightly adhered. This requires optimization of the solution rheology and evaporation rate. In addition, in the case of a multilayer structure, it is essential that the solvent used for the deposition of each layer does not dissolve or swell the layer in contact with the layer, and thus prevent poor interface and interlayer diffusion. When applying each layer through solution, a solvent with solubility parameters inadequate for the preceding layer is required, which is sometimes referred to as an orthogonal solvent. The solvent parameter range can be significantly expanded if the preceding layer can carry out chemical processes such as crosslinking. By crosslinking the film in situ, shorter potentially mobile molecular units are bound into the fixed network.

통상적인 장치 구조에서, 상기 절연체를 반도체 표면상에 적용시킨다. 대부분의 반도체들은 지방족 쇄를 함유하며, 상기 쇄는 용해도를 부여하고 종종 형태를 개선시킨다. 그러나, 상기 화학 구조의 영향은 상기 지방족 그룹들을 반도체 표면으로 열역학적으로 몰아, 상기 표면을 소수성으로 만들고 매우 낮은 에너지를 갖게 한다. 이는 상기 절연체의 용액 적용 중에 상기 표면을 습윤시키며, 이는 중요한 고려사항이다.In a typical device structure, the insulator is applied on the semiconductor surface. Most semiconductors contain aliphatic chains, which give solubility and often improve form. However, the effect of the chemical structure is to thermodynamically drive the aliphatic groups to the semiconductor surface, making the surface hydrophobic and having very low energy. This wets the surface during solution application of the insulator, which is an important consideration.

작동 장치는, 높은 유전 저항을 나타내고, 상기 장치의 기하학에 의해 한정되는 바와 같은 최적의 유전 상수를 가지며, 상기 장치의 수명 동안 화학적으로 불활성인 절연체를 필요로 한다. 높은 전자 띠 간격 유기 물질은 탁월한 전기 절연을 제공하는 반면, 상기 필름의 유전 상수는 전자 분극성의 함수이며 흔히 종속적 이다. 상기 전자 분극성은 극성 그룹의 첨가에 의해 증가될 수 있다.The operating device exhibits high dielectric resistance, has an optimal dielectric constant as defined by the geometry of the device, and requires an insulator that is chemically inert for the life of the device. High electron band spacing organic materials provide excellent electrical insulation, while the dielectric constant of the film is a function of electron polarization and is often dependent. The electron polarization can be increased by the addition of polar groups.

EP 1 416 004 A1(내용 전체가 본 발명에 참고로 인용되어 있다)에는 가교결합성 유기 아민 유도체, 임의로 상기 아민과 반응할 수 있는 추가의 다작용성 화합물, 및 중합 개시제를 포함하는 제제이 개시되어 있다. EP 1 416 004 A1에는 또한 상응하는 가교결합된 중합체 생성물, 예를 들어 멜라민 수지, 및 전자 장치의 유전 층의 제조를 위한 그의 용도가 개시되어 있다.EP 1 416 004 A1 (the content of which is incorporated herein by reference in its entirety) discloses a formulation comprising a crosslinkable organic amine derivative, optionally a multifunctional compound capable of reacting with said amine, and a polymerization initiator. . EP 1 416 004 A1 also discloses corresponding crosslinked polymer products, for example melamine resins, and their use for the preparation of dielectric layers of electronic devices.

그러나, 상기 가교결합성 절연체는 일부 다층 장치의 경우 잘 작용하지만, 때때로 이러한 유형의 장치에서 나타나는 작동 이력 현상에 대한 문제는 여전히 존재한다. 이러한 이력 현상 및 일부 다른 관련 문제들은 상기 반도체 또는 절연체 층 내부의 이동성 이온들로부터 유래하는 것으로 생각된다. 이러한 문제들을 극복하는 한 가지 방법은 명백히는 상기 물질들을 정제하는 것이다. 그러나, 상기 절연체의 정제는, 특히 상기 절연체의 가교결합에 필요한 중합 촉매 또는 개시제가 상기 중합체의 정제 중에 존재하는 경우 그의 근복적인 성질 변화를 발생시킨다.However, while the crosslinkable insulators work well for some multilayer devices, there are still problems with the operational hysteresis phenomena that sometimes appear in this type of device. This hysteresis and some other related problems are believed to stem from mobile ions inside the semiconductor or insulator layer. One way to overcome these problems is obviously to purify the materials. However, purification of the insulator produces a change in its underlying properties, especially when a polymerization catalyst or initiator necessary for crosslinking of the insulator is present in the purification of the polymer.

본 발명의 목적은 종래의 유전 물질 및 제조 방법의 단점들을 갖지 않는 개선된 물질 및 유전 층의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가의 목적은 유전 장치의 유전 층의 제조에 특히 적합한 가교결합성 아민 유도체를 포함하는 제제을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가의 목적은 다수의 조각 및/또는 넓은 면적의 생산에 특히 적합한 전자 장치의 유전 층의 개선된 제조 방법을 제공하는 것이 다. 본 발명의 추가적인 목적들은 유기 전자 장치에 관한 것이다. 본 발명의 다른 목적들은 하기의 상세한 설명으로부터 당해 분야의 숙련가에게 바로 자명하다.It is an object of the present invention to provide an improved method of making a material and dielectric layer that does not have the disadvantages of conventional dielectric materials and manufacturing methods. A further object of the present invention is to provide a formulation comprising a crosslinkable amine derivative which is particularly suitable for the preparation of the dielectric layer of a dielectric device. It is a further object of the present invention to provide an improved method for producing a dielectric layer of an electronic device which is particularly suitable for the production of large numbers of pieces and / or large areas. Further objects of the invention relate to organic electronic devices. Other objects of the present invention are immediately apparent to those skilled in the art from the following detailed description.

본 발명의 발명자들은 상기 목적들이 본 발명에 청구된 물질 및 방법을 사용함으로써 성취될 수 있음을 발견하였다. 따라서, 본 발명자들은 종래 분야에 개시된 바와 같은 전자 장치에서 절연 층으로서 사용하기 위한 가교결합성 유전체 제제에서, 중합 촉매, 예를 들어 산성 시약의 혼입이 이동성 이온 불순물의 소스가 될 수 있으며, 이는 최종 전자 장치에 바람직하지 못한 이력 현상을 유발함을 발견하였다. 본 발명자들은 또한 이러한 문제들이 중합 개시제로서 중합체성 또는 중합체 결합된 열 산(thermal acid)을 사용함으로써 극복될 수 있음을 발견하였다. 상기 중합체 결합된 열 산은 높은 분자량을 가지며, 따라서 상기 절연체 내에서 이동성이 될 수 없을 것이고, 일단 반응하면 상기 절연체 또는 장치의 성질들을 크게 변경시키지 않는다. 열 산을 사용하는 추가의 이점은 가교결합이 일어나는 온도를 낮출 수 있다는 것이다.The inventors of the present invention have found that the above objects can be achieved by using the materials and methods claimed in the present invention. Accordingly, the inventors have found that in crosslinkable dielectric formulations for use as insulating layers in electronic devices as disclosed in the prior art, the incorporation of a polymerization catalyst, for example an acidic reagent, can be a source of mobile ionic impurities, It has been found to cause undesirable hysteresis in electronic devices. The inventors have also found that these problems can be overcome by using polymeric or polymer bonded thermal acid as the polymerization initiator. The polymer bonded thermal acid has a high molecular weight and therefore cannot be mobile in the insulator and, once reacted, does not significantly alter the properties of the insulator or device. An additional advantage of using thermal acid is that it can lower the temperature at which crosslinking occurs.

본 발명에 따른 물질 및 방법은 전자 장치용 유전 층 이외에, 다른 중합체 생성물 또는 용도에도 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기를, 유리 라디칼 중합이 불리한 액정 디스플레이 필름용 광학 중합체 필름의 제조에 사용할 수 있다. 상기와 같은 경우에, 양이온 중합을 상기 LC 필름의 전도성의 증가 없이 사용할 수 있다.In addition to the dielectric layers for electronic devices, the materials and methods according to the invention can also be used in other polymer products or applications. For example, it can be used for manufacture of the optical polymer film for liquid crystal display films in which free radical polymerization is disadvantageous. In such cases, cationic polymerization can be used without increasing the conductivity of the LC film.

용어의 정의Definition of Terms

전자 장치란 용어는 전기광학 작용성을 포함하여, 전자공학, 바람직하게는 마이크로 전자공학에 사용되는 모든 장치 및 구성요소들, 예를 들어 저항기, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 발광 다이오드 및 전광 디스플레이를 포함한다. 특히, 전자 장치란 용어는 유기 전자 장치, 즉 하나 이상의 작용성, 예를 들어 전도성, 반전도성 및/또는 발광성이 중합체 및/또는 유기 물질에 의해 실현되는 모든 전자 장치 및 구성요소들을 포함한다. 상기와 같은 유기 전자 장치의 예는 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET), 및 다수의 상기와 같은 구성요소들을 함유하는 장치, 예를 들어 OFET를 함유하는 중합체 집적 회로, 및 예를 들어 액정 디스플레이(LCD) 및 다른 디스플레이들의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 능동 매트릭스이다.The term electronic device includes all devices and components used in electronics, preferably microelectronics, including electro-optical functionality, such as resistors, diodes, transistors, integrated circuits, light emitting diodes and all-optical displays. Include. In particular, the term electronic device includes organic electronic devices, ie all electronic devices and components in which one or more functionalities, such as conductivity, semiconductivity and / or luminescence, are realized by polymers and / or organic materials. Examples of such organic electronic devices include organic light emitting diodes (OLEDs), organic field effect transistors (OFETs), and devices containing a plurality of such components, such as polymer integrated circuits containing OFETs, and examples. For example, it is an active matrix that includes a liquid crystal display (LCD) and a thin film transistor (TFT) of other displays.

유전 층 또는 물질이란 용어는 특히 10+8 Ω㎝ 이상의 저항을 갖는, 매우 낮거나 또는 심지어는 비전도성인 전기 성질을 나타내는 층 또는 물질을 의미한다.The term dielectric layer or material refers to a layer or material that exhibits very low or even nonconductive electrical properties, particularly with a resistance of at least 10 +8 Ωcm.

본 출원에 사용되는 층이라는 용어는 다소 현저한 기계적 안정성 및 가요성을 나타내는, 지지 기판상 또는 2개 기판 사이의 코팅층뿐만 아니라 자기 지지된, 즉 독립되어 있는(free-standing) 필름을 포함한다. 상기 층은 편평하거나 또는 패턴화를 포함하여 임의의 3 차원 가변 형상을 가질 수 있다.The term layer as used in this application includes self-supported, ie free-standing films as well as coating layers on or between supporting substrates, which exhibit somewhat significant mechanical stability and flexibility. The layer may be flat or have any three dimensional variable shape, including patterning.

본 출원에 사용된 바와 같은 기판이라는 용어는 아민 혼합물이 위에 코팅되는 유기 장치 부분에 관한 것이다.The term substrate as used in this application relates to the portion of the organic device on which the amine mixture is coated.

상기 기판이라는 용어는 또한 상기 장치의 기부로서 사용되는 출발 물질로 사용된다. 상기 물질은 전형적으로는 규소 웨이퍼, 유리 또는 플라스틱(예를 들어 PET 호일)이다. 전형적인 트랜지스터 장치에서 소스 및 드레인 전극은 이미 표면이 조직화되어 있을 것이다(석판인쇄술, 열 증발 또는 인쇄 방법). 상기 구조의 상부 상에, 표면 에너지 개질 층 또는 배열 층이 임의로 침착되어 있고, 이어서 반도체(예를 들어 폴리헥실티오펜), 절연체, 즉 아민 혼합물 및 최종적으로 게이트 전극이 배열된다.The term substrate is also used as starting material used as the base of the device. The material is typically a silicon wafer, glass or plastic (eg PET foil). In a typical transistor device, the source and drain electrodes will already have a structured surface (lithography, thermal evaporation or printing method). On top of the structure, a surface energy modification layer or arrangement layer is optionally deposited, followed by a semiconductor (for example polyhexylthiophene), an insulator, ie an amine mixture and finally a gate electrode.

발명의 요약Summary of the Invention

본 발명은The present invention

- 중합 또는 가교결합 반응에서 자체적으로 및/또는 상호간에 및/또는 하나 이상의 추가의 다작용성 화합물과 가교결합된 중합체를 형성할 수 있는 하나 이상의 가교결합성 유기 아민 유도체,At least one crosslinkable organic amine derivative capable of forming a polymer crosslinked by itself and / or with each other and / or with at least one further multifunctional compound in a polymerization or crosslinking reaction,

- 상기 중합 또는 가교결합 반응을 개시시킬 수 있는 하나 이상의 중합체성 또는 중합체 결합된 개시제At least one polymeric or polymer bound initiator capable of initiating the polymerization or crosslinking reaction.

를 포함하는 제제에 관한 것이다.It relates to a formulation comprising a.

본 발명은 또한 상기 제제을 가교결합시켜 수득할 수 있는 가교결합된 중합체 생성물에 관한 것이다.The present invention also relates to crosslinked polymer products obtainable by crosslinking the above formulations.

본 발명은 또한 전자 및 전기광학 장치에서 유전체 또는 절연 물질로서의 상기 제제 및 가교결합된 중합체의 용도에 관한 것이다.The invention also relates to the use of such formulations and crosslinked polymers as dielectric or insulating materials in electronic and electro-optical devices.

본 발명은 또한 상기 제제 또는 중합체를 사용하여 전자 장치의 유전 층을 제조하는 방법에 관한 것이다.The invention also relates to a method of making a dielectric layer of an electronic device using the agent or polymer.

본 발명은 또한 상기 방법에 의해 수득할 수 있는 유전 층, 및 상기 유전 층을 포함하는 전자, 광학 또는 전기광학 장치에 관한 것이다.The invention also relates to a dielectric layer obtainable by the above method, and to an electronic, optical or electro-optical device comprising the dielectric layer.

바람직한 전자, 광학 또는 전기광학 구성요소 또는 장치에는 비 제한적으로 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET), 박막 트랜지스터(TFT), 집적 회로(IC)의 구성요소, 전파식별(RFID) 태그, 유기 발광 다이오드(OLED), 전기발광 디스플레이, 평판 디스플레이, 백라이트, 광검출기, 센서, 논리 회로, 기억 소자, 캐패시터, 태양광(PV) 전지, 전하 주입 층, 쇼트키 다이오드, 평탄화 층, 대전방지용 필름, 전도성 기판 또는 패턴, 광전도체, 및 전자사진 소자가 포함된다.Preferred electronic, optical or electro-optical components or devices include, but are not limited to, organic field effect transistors (OFETs), thin film transistors (TFTs), components of integrated circuits (ICs), radio frequency identification (RFID) tags, and organic light emitting diodes (OLEDs). ), Electroluminescent displays, flat panel displays, backlights, photodetectors, sensors, logic circuits, memory elements, capacitors, photovoltaic (PV) cells, charge injection layers, Schottky diodes, planarization layers, antistatic films, conductive substrates or patterns , Photoconductors, and electrophotographic devices.

중합 개시제로서 높은 분자량을 갖는 중합체성 또는 중합체 결합된 열 산을 포함하는, 본 발명에 따른 가교결합성 제제을 사용하는 경우, 상기 개시제는 최종의 가교결합된 중합체 물질 내에서 이동하지 않을 것이다. 따라서, 중합 후에 상기 개시제는 상기 중합체 물질 또는 절연체 층 또는 상기를 포함하는 장치의 성질들을 현저하게 변경시키지 않는다.When using a crosslinkable formulation according to the invention comprising a polymeric or polymer bonded thermal acid having a high molecular weight as a polymerization initiator, the initiator will not migrate in the final crosslinked polymeric material. Thus, after polymerization, the initiator does not significantly alter the properties of the polymeric material or insulator layer or the device comprising the same.

특히Especially

- 50 내지 99.5 중량%의 성분 A,From 50 to 99.5% by weight of component A,

- 0 내지 50 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 50 중량%의 성분 B, 및From 0 to 50% by weight, preferably 0.5 to 50% by weight of component B, and

- 0 내지 10 중량%의 성분 C0-10% by weight of component C

를 포함하는 제제이 바람직하며, 여기에서 Formulations comprising are preferred, wherein

A는 바람직하게는 상기 정의한 바와 같은 화학식 1의 2개 이상의 동일하거나 상이 한 그룹을 포함하는, 상기 및 하기에서 개시하는 바와 같은 하나 이상의 유기 아민 유도체를 포함하고, A preferably comprises at least one organic amine derivative as disclosed above and below, comprising at least two identical or different groups of formula 1 as defined above,

B는 성분 A의 하나 이상의 화합물과 반응하여 가교결합된 중합체를 형성할 수 있는, 하나 이상의 다작용성 화합물을 포함하고,B comprises one or more multifunctional compounds, which can react with one or more compounds of component A to form a crosslinked polymer,

C는 성분 A 또는 성분 A와 B의 중합을 위한, 상기 및 하기에서 개시하는 바와 같은 하나 이상의 개시제를 포함한다.C comprises at least one initiator as disclosed above and below for the polymerization of component A or components A and B.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 및 하기에서 개시하는 바와 같은 제제의 중합에 의해 수득할 수 있는 가교결합된 중합체 물질이다.Another object of the present invention is a crosslinked polymeric material obtainable by polymerization of a formulation as disclosed above and below.

본 발명의 또 다른 목적은Another object of the present invention

a) 절연, 반전도, 전도, 전자 및/또는 광자 작용성을 갖는 물질의 하나 이상의 층 또는 패턴을 임의로 포함하는 기판을 제조하는 단계,a) manufacturing a substrate optionally comprising one or more layers or patterns of a material having insulation, inversion, conduction, electrons and / or photon functionality,

b) 상기 기판상에 또는 상기 기판의 한정된 영역 상에 상기 및 하기에서 정의하는 바와 같은 하나 이상의 가교결합성 유기 아민 유도체를 포함하는 제제의 박층을 형성시키는 단계, 및b) forming a thin layer of a formulation comprising at least one crosslinkable organic amine derivative as defined above and below on the substrate or on a defined region of the substrate, and

c) 상기 제제의 중합을 개시시키는 단계c) initiating the polymerization of said formulation.

를 포함하는, 전자 장치의 유전 층의 제조 방법이다.It includes a method of manufacturing a dielectric layer of the electronic device.

본 발명의 추가의 목적은 본 발명에 따른 방법에 의해 수득할 수 있는 전자 장치에 관한 것이다.A further object of the invention relates to an electronic device obtainable by the method according to the invention.

또한, 본 발명의 목적은 유전체로서 본 발명에 따른 가교결합된 중합체 물질을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.The object of the invention also relates to an electronic device comprising as a dielectric a crosslinked polymeric material according to the invention.

성분 A에 적합한 가교결합성 유기 아민들이 EP 1 416 004 A1에 개시되어 있다. 하기 화학식 1의 2개 이상의 동일하거나 상이한 그룹을 포함하는 아민 유도체가 특히 바람직하다:Suitable crosslinkable organic amines for component A are disclosed in EP 1 416 004 A1. Particular preference is given to amine derivatives comprising at least two identical or different groups of the general formula (1):

Figure 112006057314987-PAT00001
Figure 112006057314987-PAT00001

상기 식에서,Where

Ra는 H, -[(CR'R")v-CO]r-R"', -[(CR'R")v-O-]r-R"' 또는 -(CR'R")v-NHZ이고,R a is H,-[(CR'R ") v -CO] r -R"',-[(CR'R") v -O-] r -R"'or-(CR'R") v -NHZ,

R', R", R"'는 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, 이들은 할로겐에 의해 치환될 수 있으며,R ′, R ″, R ″ ′ independently of one another are H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, which may be substituted by halogen,

Z는 H 또는 보호 그룹이고,Z is H or a protecting group,

v는 0 또는 1 이상이고,v is 0 or 1 or more,

r은 1 이상이되, v가 0인 경우, r은 1이다.r is 1 or more, but if v is 0, r is 1.

화학식 1의 그룹들을 포함하는 아민 유도체는 유동성 및 도막 간 부착에 대해 유리한 용액 성질을 나타내며 따라서 전자 장치의 유전 층들의 제조에 특히 적합하다. 이러한 발견은 또한 상기 아민 유도체를 자체적으로 또는 하나 이상의 다작용성 화합물과 가교결합시켜 수득할 수 있는 가교결합된 중합체 생성물에 적용된다. 또한 이러한 유도체는 저 에너지 소수성 표면, 특히 유기 반전도성 물질의 표면을 유효하게 습윤시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 아민 유도체를 자기-가교 결합시키거나 또는 상기를 하나 이상의 다작용성 화합물과 가교결합시킴으로써 전기, 점탄성 양상 및 치밀화의 유리한 변화, 즉 개선된 가요성, 탄성, 내구성, 용매 내성 및/또는 절연체 특성을 성취할 수 있음이 관찰되었다.Amine derivatives comprising groups of formula (1) exhibit favorable solution properties for fluidity and intercoating adhesion and are therefore particularly suitable for the preparation of dielectric layers of electronic devices. This finding also applies to crosslinked polymer products obtainable by crosslinking the amine derivatives on their own or with one or more multifunctional compounds. Such derivatives can also effectively wet low energy hydrophobic surfaces, especially the surfaces of organic semiconducting materials. In addition, advantageous changes in the electrical, viscoelastic behavior and densification, ie improved flexibility, elasticity, durability, solvent resistance and by self-crosslinking or crosslinking the amine derivatives according to the invention with one or more multifunctional compounds, It has been observed that / or insulator properties can be achieved.

본 발명에 따른 아민 유도체는 자체적으로 또는 공-성분, 특히 하기에 정의하는 바와 같은 다작용성 화합물과 화학 반응을 수행하여 가교결합된 중합체 네트워크를 형성할 수 있는 작용기들을 갖는다. 상기 화학 반응은 실온, 즉 20 ℃ 이상 또는 이하에서 상기 아민 유도체를 필수적으로 화학 반응의 발생 없이 보관할 수 있다는 점에서 제어가 가능하다. 상기 화학 반응을 예를 들어 온도를 상승시키거나, pH를 변경시키거나, 전자기 또는 입자 조사, 또는 반응성 화합물에 노출시킴으로써 개시시킬 수 있다. 자체적으로 또는 하나 이상의 다작용성 화합물과 가교결합하여 높은 저항, 특히 10+8 Ω㎝ 이상의 저항을 갖는 안정한 유전 필름을 생성시키는 아민 유도체가 바람직하다.The amine derivatives according to the invention have functional groups which are capable of carrying out chemical reactions on their own or with co-components, in particular multifunctional compounds as defined below, to form crosslinked polymer networks. The chemical reaction is controllable in that the amine derivative can be stored at room temperature, i.e. above 20 ° C or below, essentially without the occurrence of a chemical reaction. The chemical reaction can be initiated, for example, by raising the temperature, changing the pH, or irradiating with electromagnetic or particle irradiation, or reactive compounds. Preference is given to amine derivatives which, by themselves or crosslinked with one or more multifunctional compounds, produce stable dielectric films having high resistance, in particular 10 + 8 Ωcm or more.

바람직하게는, 본 발명에 따른 아민 유도체는 Ra 그룹 중 하나 이상이 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹을 포함하고 이들 그룹이 할로겐에 의해 치환될 수 있는 상기 정의한 바와 같은 화학식 1의 2개 이상의 그룹을 포함한다.Preferably, the amine derivatives according to the invention are as defined above wherein at least one of the R a groups comprises an alkyl group of 1 to 12 carbon atoms or an alkenyl group of 2 to 12 carbon atoms and these groups may be substituted by halogen. Two or more groups of the same formula (I).

또한 본 발명에 따른 아민 유도체는 바람직하게는 하나 이상의 -OH 그룹을 포함한다. 가장 바람직하게는 상기는 Ra 그룹 중 하나 이상이 -[(CR'R")v-O-]r-H이 고, R', R", v 및 r이 상기 정의한 바와 같은, 상기 정의한 바와 같은 화학식 1의 2개 이상의 그룹을 포함한다.The amine derivatives according to the invention also preferably comprise at least one —OH group. Most preferably, as defined above, at least one of the R a groups is-[(CR'R ") v -O-] r -H and R ', R", v and r as defined above. Two or more groups of the same formula (I).

본 발명의 바람직한 실시태양에 따라, 상기 아민 유도체는 하기 화학식 1a 내지 1c의 그룹 중에서 선택된다:According to a preferred embodiment of the present invention, the amine derivative is selected from the group of formulas 1a to 1c:

Figure 112006057314987-PAT00002
Figure 112006057314987-PAT00002

Figure 112006057314987-PAT00003
Figure 112006057314987-PAT00003

Figure 112006057314987-PAT00004
Figure 112006057314987-PAT00004

상기 식들에서,In the above formulas,

R1, R2, R3은 서로 독립적으로 하기 화학식 2의 그룹이고:R 1 , R 2 , R 3 are independently of each other a group of formula (2):

Figure 112006057314987-PAT00005
Figure 112006057314987-PAT00005

Ra, Rb, Rc, Rd는 서로 독립적으로 H, -[(CR'R")v-CO]r-R"', -[(CR'R")v-O-]r-R"' 또는 -(CR'R")v-NHZ이고,R a , R b , R c , and R d are each independently of H,-[(CR'R ") v -CO] r -R"',-[(CR'R") v -O-] r- R "'or-(CR'R") v -NHZ,

R', R", R"'는 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, 이들 그룹은 할로겐에 의해 치환될 수 있으며,R ′, R ″, R ″ ′ are independently of each other H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, and these groups may be substituted by halogen,

Z는 H 또는 보호 그룹이고,Z is H or a protecting group,

v는 0 또는 1 이상이고,v is 0 or 1 or more,

r은 1 이상이되, v가 0인 경우, r은 1이고,r is 1 or more, if v is 0, r is 1,

W는 O 또는 S이고,W is O or S,

R3은 상기 의미 이외에, 알킬, 사이클로알킬, 아릴 또는 알킬아릴 그룹일 수 있고, 이들 그룹은 할로겐에 의해 임의로 치환된다.R 3 in addition to the above meanings may be alkyl, cycloalkyl, aryl or alkylaryl groups, which groups are optionally substituted by halogen.

하기에서, 그룹, 치환체 및 지수 R1, R2, R3, Ra, Rb, Rc, Rd, R', R", R"', Z, v, r 및 n은 달리 나타내지 않는 한 상기 주어진 의미를 갖는다.In the following, groups, substituents and indices R 1 , R 2 , R 3 , R a , R b , R c , R d , R ', R ", R"', Z, v, r and n are not indicated otherwise Has the meaning given above.

상기 또는 하기의 화학식들 중 하나에서 2개 이상 나타나는 각각의 그룹, 치환체 및 지수는 동일하거나 상이한 의미를 가질 수 있음을 강조한다.It is emphasized that each group, substituent and index of two or more appearing in one of the above or below formulas may have the same or different meanings.

치환체 Ra 및 Rb의 선택에 의해, 상기 아민 유도체, 그의 중합성 혼합물 및 생성 중합체의 물리적, 화학적 성질에, 유기 전자 장치의 유전 층의 제조 요건을 충족하도록 영향을 미칠 수 있다. 또한, 상기와 같은 아민 유도체를 포함하는 중 합성 혼합물의 가공 및 그의 중합 특성은 치환체 Ra 및 Rb에 의해 영향을 받는다.By the choice of substituents R a and R b , the physical and chemical properties of the amine derivatives, their polymerizable mixtures and the resulting polymers can be influenced to meet the requirements for the preparation of the dielectric layer of the organic electronic device. In addition, the processing of the synthetic mixtures containing such amine derivatives and their polymerization properties are influenced by the substituents R a and R b .

그룹 R1, R2, R3 및/또는 그룹 Ra, Rb, Rc, Rd 중 하나 이상이 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹을 포함하고, 이들 그룹이 할로겐에 의해 치환될 수도 있는 화학식 1a 내지 1c의 그룹 중에서 선택된 아민 유도체가 바람직하다.At least one of groups R 1 , R 2 , R 3 and / or groups R a , R b , R c , R d comprises an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, these groups Preference is given to amine derivatives selected from the group of the formulas 1a to 1c which may be substituted by this halogen.

Z는 H 또는 아미노 작용기의 보호 그룹, 예를 들어 폼일, 토실, 아세틸, 트라이플루오로아세틸, 메톡시, 에톡시, 3급-부톡시, 사이클로펜틸옥시뿐만 아니라 페녹시카보닐, 카보벤질옥시 및 p-나이트로벤질옥시이다.Z is a protecting group of H or amino functional groups, for example formyl, tosyl, acetyl, trifluoroacetyl, methoxy, ethoxy, tert-butoxy, cyclopentyloxy as well as phenoxycarbonyl, carbenzyloxy and p-nitrobenzyloxy.

지수 v는 바람직하게는 1 내지 6, 가장 바람직하게는 1 또는 2이다.The index v is preferably 1 to 6, most preferably 1 or 2.

지수 r은 바람직하게는 1 내지 4, 가장 바람직하게는 1 또는 2이다.The index r is preferably 1 to 4, most preferably 1 or 2.

그룹 R1, R2, R3 중 하나, 두 개 또는 세 개가 하기 화학식 2a의 그룹인 화학식 1a 및 1b의 그룹 중에서 선택된 유도체들이 바람직하다:Preferred are derivatives selected from the group of formulas 1a and 1b, in which one, two or three of the groups R 1 , R 2 , R 3 are the groups of formula 2a:

Figure 112006057314987-PAT00006
Figure 112006057314987-PAT00006

상기 식에서,Where

Ra, R', R", R"', v 및 r은 상기 주어진 의미를 갖는다.R a , R ', R ", R"', v and r have the meanings given above.

화학식 2a의 바람직한 실시태양에 따라, 하기의 변수들 자체 또는 이들 변수 의 둘 이상의 조합이 바람직하다:According to a preferred embodiment of formula 2a, the following variables themselves or combinations of two or more of these variables are preferred:

- 화학식 1a 및 1b의 그룹 R1, R2, R3 중 2 또는 3개가 서로 독립적으로 화학식 2a에 따른 의미를 갖는다.Two or three of the groups R 1 , R 2 , R 3 of formulas 1a and 1b independently of one another have the meaning according to formula 2a.

- R"'이, 할로겐에 의해 치환될 수도 있는 탄소수 2 내지 12, 바람직하게는 탄소수 3 내지 12의 알킬 그룹이다.R ″ 'is an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, preferably 3 to 12 carbon atoms, which may be substituted by halogen.

- R"'이 탄소수 2 내지 8, 바람직하게는 탄소수 3 내지 8, 가장 바람직하게는 탄소수 3, 4, 5 또는 6의 알킬 그룹이고, 이때 하나, 그 이상 또는 모든 H 원자가 할로겐, 바람직하게는 F 또는 Cl에 의해 치환될 수도 있다.R ″ 'is an alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, preferably 3 to 8 carbon atoms, most preferably 3, 4, 5 or 6 carbon atoms, wherein one, more or all H atoms are halogen, preferably F Or substituted by Cl.

- r이 1 또는 2, 바람직하게는 1이다.r is 1 or 2, preferably 1.

- v가 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 1이다.v is 1, 2, 3 or 4, preferably 1.

- R' 및 R"가 H이다.R 'and R "are H.

- Ra가 H이거나 또는 하나 이상의 -OH 그룹을 포함한다.R a is H or comprises at least one —OH group.

- Ra가 -[(CR'R")v-O-]r-H이고, 이때 R', R", v 및 r이 상기 정의한 바와 같고, 바람직하게는 R' 및 R"가 H이고, v가 바람직하게는 1, 2, 3 또는 4이고, 가장 바람직하게는 1 또는 2이고, r이 바람직하게는 1 또는 2이고, 가장 바람직하게는 1이다.R a is-[(CR'R ") v -O-] r -H, wherein R ', R", v and r are as defined above, preferably R' and R "are H, v is preferably 1, 2, 3 or 4, most preferably 1 or 2, r is preferably 1 or 2 and most preferably 1.

- Ra가 -CH2-OH이다.R a is —CH 2 —OH.

또한, 그룹 R1, R2, R3 중 하나, 두 개 또는 세 개가 서로 독립적으로 하기 화학식 2b의 그룹인 화학식 1a 및 1b의 그룹 중에서 선택된 유도체들이 바람직하다:Also preferred are derivatives selected from the group of formulas 1a and 1b, in which one, two or three of the groups R 1 , R 2 , R 3 are independently of each other a group of formula 2b:

Figure 112006057314987-PAT00007
Figure 112006057314987-PAT00007

상기 식에서,Where

v1은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 1이고,v1 is 0, 1, 2, 3 or 4, preferably 1,

v2는 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 1이고,v2 is 1, 2, 3 or 4, preferably 1,

R"'는 바람직하게는 H, 또는 탄소수 1 내지 12, 바람직하게는 탄소수 2 내지 8의 알킬 그룹이고, 이때 하나, 그 이상 또는 모든 H 원자는 할로겐, 바람직하게는 F 또는 Cl에 의해 치환될 수도 있다.R ″ 'is preferably H, or an alkyl group having 1 to 12, preferably 2 to 8 carbon atoms, wherein one, more or all H atoms may be substituted by halogen, preferably F or Cl have.

상기 바람직한 조건 이외에, 그룹 R1, R2, R3 및/또는 그룹 Ra, Rb, Rc, Rd 중 하나 이상이, 할로겐에 의해 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹을 포함하며,In addition to the above preferred conditions, one or more of the groups R 1 , R 2 , R 3 and / or groups R a , R b , R c , R d may be substituted by halogen or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or carbon atoms An alkenyl group of 2 to 12,

- Ra, Rb 중 하나 이상이 H인 경우, 빠른 경화 반응 및 양호한 필름 경도가 달성되고;When at least one of R a , R b is H, fast curing reaction and good film hardness are achieved;

- Ra, Rb 중 하나 이상이 -OH 또는 -CH2OH인 경우, 상기 아민 유도체를 포함 하는 혼합물은 유리한 유동성 성질을 나타내고;When at least one of R a , R b is —OH or —CH 2 OH, the mixture comprising said amine derivatives exhibits favorable flowability properties;

- Ra, Rb 중 하나 이상이 -(CH2)v-O-R"'이고, 이때 v≥1이고 R"'가 특히 탄소수 2 이상의 알킬 그룹인 경우, 보다 가요성인 유전 층이 수득될 수 있고;A more flexible dielectric layer can be obtained when at least one of R a , R b is — (CH 2 ) v —OR ″ ′ where v ≧ 1 and R ″ ′ is an alkyl group having at least 2 carbon atoms, ;

·Ra, Rb 중 하나 이상이 -(CH2)v-O-R"'이고, 이때 v≥1이고 R"'가 특히 탄소수 2 이상의 알킬 그룹인 경우, 본 발명의 아민 유도체를 포함하는 중합성 혼합물의 비교적 낮은 점도, 개선된 유동성, 평탄성 및 습윤성 및 양호한 도막 간 부착이 획득될 수 있으며, 또한 상기 혼합물은 높은 제제 안정성을 나타내고 생성되는 유전 층은 양호한 가요성을 갖는 것으로 밝혀졌다.A polymerizable comprising an amine derivative of the invention when at least one of R a , R b is — (CH 2 ) v —OR ″ ′, where v ≧ 1 and R ″ ′ is an alkyl group having at least 2 carbon atoms It has been found that the relatively low viscosity, improved flowability, flatness and wettability of the mixture and good interfilm adhesion can be obtained, and the mixture also exhibits high formulation stability and the resulting dielectric layer has good flexibility.

본 발명에 따른 아민 유도체는 N-H, N-CH2-OH 및/또는 N-CH2-O-알킬 작용기 외에 또한 -CO- 그룹을 가질 수 있다.The amine derivatives according to the invention may also have —CO— groups in addition to NH, N—CH 2 —OH and / or N—CH 2 —O-alkyl functional groups.

본 발명의 바람직한 실시태양에서, 상기 제제은 2개 이상의 가교결합성 유기 아민 유도체를 포함한다.In a preferred embodiment of the invention, the formulation comprises two or more crosslinkable organic amine derivatives.

한 종류의 치환체뿐만 아니라 상이한 치환체들의 조합을 나타내는 아민 유도체, 특히 상기에서 언급한 것들 및/또는 본 발명에 따른 2개 이상의 아민 유도체들의 조합이 특히 바람직한데, 그 이유는 이들이 유기 전자 장치의 유전 층의 제조를 위한 가공 기법 요건 및 상기 유전 층 자체의 요건을 보다 더 양호하게 만족시키기 때문이다.Particular preference is given to amine derivatives which show not only one kind of substituent but also a combination of different substituents, in particular those mentioned above and / or combinations of two or more amine derivatives according to the invention, because they are dielectric layers of organic electronic devices. This is because it satisfactorily satisfies the processing technique requirements for the production of and the dielectric layer itself.

본 발명에 따른 제제을 사용하여, 심지어 소수성인 표면, 특히 20 mN/㎝ 미 만의 표면 에너지를 갖는 표면을 습윤시키고 코팅시켜 밀착성 필름을 생성시킬 수 있으며, 이를 경화시킬 수 있다. 따라서, 예를 들어 용해도의 개선을 위해 지방족 쇄를 갖는 반전도성 중합체와 같이, 낮은 표면 에너지 및 매우 낮은 표면 에너지를 갖는 물질들의 패턴 또는 층을 본 발명의 물질로 코팅시킬 수 있다.Using the preparations according to the invention, even hydrophobic surfaces, in particular surfaces with surface energy of less than 20 mN / cm, can be wetted and coated to produce an adhesive film, which can be cured. Thus, a pattern or layer of materials with low surface energy and very low surface energy, such as a semiconducting polymer with aliphatic chains, for example for improved solubility, can be coated with the material of the invention.

상기 개시한 아민 유도체, 특히 치환체 R1, R2, R3 중 하나, 두 개 또는 세 개가 서로 독립적으로 화학식 2, 특히 화학식 2a 및/또는 2b의 것인 화학식 1a 및/또는 1b에 따른 아민 유도체 또는 2, 3 또는 그 이상의 아민 유도체들의 조합이 성분 A로서 바람직하다.Amine derivatives according to formulas 1a and / or 1b, wherein the amine derivatives disclosed above, in particular one, two or three of substituents R 1 , R 2 , R 3 , are independently of each other formulas (2), in particular of formulas (2a) and / or (2b) Or a combination of two, three or more amine derivatives is preferred as component A.

바람직한 실시태양에서, 멜라민-폼알데하이드 수지 및 유레아-폼알데하이드 수지가 성분 A로서 사용된다. 예를 들어 상표명 사이멜(Cymel)(등록상표)을 사용하는 상업적으로 입수할 수 있는 멜라민-폼알데하이드 수지를 사이텍 인더스트리즈 인코포레이티드(CYTEC INDUSTRIES INC., West Paterson, NJ 07424, USA)로부터 상업적으로 입수할 수 있다. 상업적으로 입수할 수 있는 유레아-폼알데하이드 수지는 UI20-E(CYTEC INDUSTRIES INC.)이다.In a preferred embodiment, melamine-formaldehyde resin and urea-formaldehyde resin are used as component A. Commercially available melamine-formaldehyde resins using, for example, the trade name Cymel® are commercially available from CYTEC INDUSTRIES INC., West Paterson, NJ 07424, USA. You can get it. A commercially available urea-formaldehyde resin is UI20-E (CYTEC INDUSTRIES INC.).

본 발명의 또 다른 바람직한 실시태양에서, 상기 제제은 하나 이상의 추가적인 다작용성 화합물(성분 B)을 포함하며, 상기 화합물은 A의 하나 이상의 성분과 반응하여 가교결합된 중합체를 형성할 수 있다. 상기 다작용성 화합물을 유리하게는 생성 혼합물이 얇은 유전 층의 제조에 사용된 기법에 대해 양호한 유동성을 나타내도록 선택한다. 또한, 상기 생성되는 유전 층의 기계적, 전기적 성질들은 상 기 다작용성 화합물의 선택에 의해 영향을 받을 수 있다. 또한, 생성되는 아민 중합체의 수분 흡수를 하나 이상의 소수성 그룹, 예를 들어 지방족 알킬 쇄를 갖는 다작용성 화합물을 사용함으로써 최소화할 수 있다.In another preferred embodiment of the invention, the formulation comprises one or more additional multifunctional compounds (component B), which compounds can react with one or more components of A to form a crosslinked polymer. The multifunctional compound is advantageously chosen such that the resulting mixture exhibits good flowability for the technique used to prepare the thin dielectric layer. In addition, the mechanical and electrical properties of the resulting dielectric layer can be influenced by the selection of the multifunctional compound. In addition, the water absorption of the resulting amine polymer can be minimized by using a multifunctional compound having at least one hydrophobic group, for example an aliphatic alkyl chain.

바람직하게는 성분 B의 하나 이상의 다작용성 화합물은 -OH, -NH2, -COOH 및 이들의 반응성 유도체들로 이루어진 군 중 2개 이상의 작용기를 갖는 유기 화합물이며, A의 하나 이상의 성분과 반응하여 가교결합된 중합체를 형성할 수 있다. 바람직한 다작용성 화합물은 지방족, 지환족 및 방향족 다이올, 폴리올, 이산, 폴리산, 다이아민, 폴리아민 및 이들의 반응성 유도체이다. 반응성 유도체는 유리하게는 목적하는 작용기가 적합한 반응 조건 하에서 예를 들어 보호 그룹의 제거에 의해 방출될 수 있는 상기와 같은 유도체이다. 바람직한 다작용성 화합물 군는 탄소수 2 내지 12의 알칸다이올, 폴리하이드록시알킬 (메트)아크릴레이트, 폴리(메트)아크릴산, 폴리올 및 임의로 치환된 페놀 폼알데하이드 축합 공중합체이다. 상기와 같은 화합물의 예로는 1,4-부탄다이올, 폴리하이드록시에틸 메트아크릴레이트, 폴리아크릴산, 폴리유레탄 폴리올, 폴리에틸렌 이민, 폴리비닐 페놀뿐만 아니라 크레졸 폼알데하이드 축합 공중합체가 있다. 상업적으로 입수할 수 있는 폴리유레탄 폴리올은 K-플렉스 다이올 DU 320(KING INDUSTRIES, 2741 EZ Waddinxveen, The Netherlands)이다. 상업적으로 입수할 수 있는 크레졸 폼알데하이드 축합 공중합체는 노볼락 AZ 520D(Clariant GmbH, 65926 Frankfurt am Main, Germany)이다.Preferably the at least one multifunctional compound of component B is an organic compound having at least two functional groups from the group consisting of —OH, —NH 2 , —COOH and reactive derivatives thereof, and reacts with at least one component of A to crosslink The bound polymer can be formed. Preferred multifunctional compounds are aliphatic, cycloaliphatic and aromatic diols, polyols, diacids, polyacids, diamines, polyamines and reactive derivatives thereof. Reactive derivatives are advantageously such derivatives in which the desired functional groups can be released under suitable reaction conditions, for example by removal of a protecting group. Preferred groups of multifunctional compounds are alkanediols, polyhydroxyalkyl (meth) acrylates, poly (meth) acrylic acids, polyols and optionally substituted phenol formaldehyde condensation copolymers having 2 to 12 carbon atoms. Examples of such compounds include 1,4-butanediol, polyhydroxyethyl methacrylate, polyacrylic acid, polyurethane polyols, polyethylene imines, polyvinyl phenols, as well as cresol formaldehyde condensation copolymers. A commercially available polyurethane polyol is K-Flex Diol DU 320 (KING INDUSTRIES, 2741 EZ Waddinxveen, The Netherlands). A commercially available cresol formaldehyde condensation copolymer is Novolak AZ 520D (Clariant GmbH, 65926 Frankfurt am Main, Germany).

본 발명에 따른 제제은 성분 A 또는 성분 A와 B의 중합을 위해 하나 이상의 중합체성 또는 중합체 결합된 중합 개시제(성분 C)를 또한 포함한다. 적합한 개시제는 산 또는 염기 및 적합한 반응 조건 하에서 예를 들어 가열 또는 화학선 조사에 의해 산 또는 염기를 방출하는 화합물이다.The preparations according to the invention also comprise at least one polymeric or polymer-bonded polymerization initiator (component C) for the polymerization of component A or components A and B. Suitable initiators are compounds which release the acid or base under acid or base and suitable reaction conditions, for example by heating or actinic radiation.

"중합체성 또는 중합체 결합된"이란 용어는 그 자체가 중합체 주쇄의 일부이거나 또는 중합체 주쇄에 결합된 개시제 그룹을 갖는 화합물을 포함한다. 상기 중합체 개시제는 바람직하게는 500 내지 1,000,000의 분자량을 갖는다.The term "polymeric or polymer bonded" includes compounds that are themselves part of the polymer backbone or have initiator groups bonded to the polymer backbone. The polymer initiator preferably has a molecular weight of 500 to 1,000,000.

용해성의 열 활성화된 산, 특히 폴리-4-스타이렌 설폰산과 같은 중합체 설폰산이 특히 적합하고 바람직하다. 열 산을 사용하는 이점은 가교결합이 발생하는 온도를 낮출 수 있다는 것이다. 그러나, 당해 분야의 숙련가들에게 공지된 다른 중합체 개시제들도 또한 사용될 수 있다.Particularly suitable and preferred are soluble heat activated acids, especially polymeric sulfonic acids such as poly-4-styrene sulfonic acid. The advantage of using thermal acid is that it can lower the temperature at which crosslinking occurs. However, other polymer initiators known to those skilled in the art can also be used.

상기 제제의 바람직한 하한치는 하기와 같다:Preferred lower limits of the formulations are as follows:

- 성분 A: 60 중량%, 가장 바람직하게는 75 중량%.Component A: 60% by weight, most preferably 75% by weight.

- 성분 B: 2 중량%, 가장 바람직하게는 5 중량%.Component B: 2% by weight, most preferably 5% by weight.

- 성분 C: 0 중량%, 가장 바람직하게는 0.5 중량%.Component C: 0% by weight, most preferably 0.5% by weight.

상기 제제의 바람직한 상한치는 하기와 같다:Preferred upper limits of the formulations are as follows:

- 성분 A: 98 중량%, 가장 바람직하게는 95 중량%.Component A: 98% by weight, most preferably 95% by weight.

- 성분 B: 40 중량%, 가장 바람직하게는 25 중량%.Component B: 40% by weight, most preferably 25% by weight.

- 성분 C: 5 중량%, 가장 바람직하게는 2 중량%.Component C: 5% by weight, most preferably 2% by weight.

상기 주어진 중량% 값은 성분 A, B 및 C의 전체 중량에 관한 것이다.The weight percent values given above relate to the total weight of components A, B and C.

바람직하게는 본 발명에 따른 제제은 성분 D를 상기 성분 A, B 및 C의 전체 중량에 대해 0.5 내지 50000 중량%의 양으로 추가로 포함하며, 이때 D는 상기 성분 A, B 및/또는 C를 용해시킬 수 있는 용매 또는 둘 이상의 용매들의 혼합물이다.Preferably the formulation according to the invention further comprises component D in an amount of 0.5 to 50000% by weight relative to the total weight of the components A, B and C, wherein D dissolves the components A, B and / or C Solvents or mixtures of two or more solvents.

이 경우에 용해란 용어는 성분 A, B 및/또는 C의 용액, 유화액 또는 현탁액을 임의로 하나 이상의 유화제 또는 계면활성제의 도움으로 생성시킬 수 있음을 의미한다.The term dissolution in this case means that a solution, emulsion or suspension of components A, B and / or C can optionally be produced with the aid of one or more emulsifiers or surfactants.

상기 용매 또는 용해 혼합물은 유리하게는 용액 코팅 기법에 상용성이다. 바람직한 용매는 지방족 또는 지환족 케톤, 알콜 및 에테르, 예를 들어 사이클로헥산온, 부탄온, 아이소 프로필 알콜(IPA), 부탄올, 에틸 락테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌 글리콜 메톡시 프로판올(PGME) 뿐만 아니라 이들의 혼합물이다. 상기 용매 또는 용매 혼합물을 바람직하게는 생성 혼합물을 안정화시키도록 선택하며, 이는 또한 그의 저장 수명을 증가시킨다.The solvent or dissolution mixture is advantageously compatible with solution coating techniques. Preferred solvents are aliphatic or cycloaliphatic ketones, alcohols and ethers such as cyclohexanone, butanone, isopropyl alcohol (IPA), butanol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol methoxy propanol (PGME) as well as mixtures thereof. The solvent or solvent mixture is preferably selected to stabilize the resulting mixture, which also increases its shelf life.

성분 D 이외에, 본 발명에 따른 제제은 목적하는 습윤, 유동성, 및 기판 및 연속 층들에의 부착성을 획득하기 위해서 상기 제제 및 생성 필름의 표면 에너지를 조절하기 위한 성분 E로서 하나 이상의 계면활성제를 포함할 수 있다. 첨가되는 계면활성제의 추가적인 이점은 생성되는 아민 중합체 층 내로의 수분 흡수의 감소이다. 상기 계면활성제는 바람직하게는 비 이온성 계면활성제, 예를 들어 폴리옥시에틸렌, 폴리올, 실록산, 플루오로닉 및 트윈이다.In addition to component D, the formulations according to the invention will comprise at least one surfactant as component E for controlling the surface energy of the formulation and the resulting film to obtain the desired wettability, flowability and adhesion to the substrate and continuous layers. Can be. A further advantage of the surfactant added is the reduction of water absorption into the resulting amine polymer layer. The surfactants are preferably nonionic surfactants such as polyoxyethylene, polyols, siloxanes, fluoronics and tweens.

상기 제제의 바람직한 하한치는 하기와 같다:Preferred lower limits of the formulations are as follows:

- 성분 D: 10 중량%, 가장 바람직하게는 100 중량%.Component D: 10% by weight, most preferably 100% by weight.

- 성분 E: 0 중량%, 가장 바람직하게는 0.05 중량%.Component E: 0% by weight, most preferably 0.05% by weight.

상기 제제의 바람직한 상한치는 하기와 같다:Preferred upper limits of the formulations are as follows:

- 성분 D: 10000 중량%, 가장 바람직하게는 5000 중량%.Component D: 10000% by weight, most preferably 5000% by weight.

- 성분 E: 2 중량%, 가장 바람직하게는 0.5 중량%.Component E: 2% by weight, most preferably 0.5% by weight.

이때 상기 주어진 중량% 값은 성분 A, B 및 C의 전체 중량에 관한 것이다.The weight percent values given above relate to the total weight of components A, B and C.

본 출원의 또 다른 바람직한 실시태양에서, 본 발명에 따른 제제은 성분 F로서 초미세 세라믹 입자를 추가로 포함한다.In another preferred embodiment of the present application, the formulation according to the invention further comprises ultrafine ceramic particles as component F.

상기 초미세 세라믹 입자 F는 제제 중에 성분 A, B 및 C의 전체 중량과 관련하여, 0 내지 80 중량%의 양으로 포함된다.The ultrafine ceramic particles F are included in the formulation in an amount of from 0 to 80% by weight, relative to the total weight of components A, B and C.

상기 세라믹 입자는 평균 직경이 200 ㎚ 미만이어야 하는데, 그 이유는 상기가 전형적으로는 절연 층의 목적하는 최대 두께이기 때문이다. 바람직하게는, 상기 입자는 중합체 기질 내에 용이한 분산을 제공하기 위해서 평균 크기가 100 ㎚ 미만, 보다 바람직하게는 약 50 ㎚이다.The ceramic particles should have an average diameter of less than 200 nm because this is typically the desired maximum thickness of the insulating layer. Preferably, the particles have an average size of less than 100 nm, more preferably about 50 nm to provide easy dispersion in the polymer matrix.

상기 입자를 높은 유전성을 갖는 입자로 형성시킬 수 있는 임의의 적합한 물질, 예를 들어 고 유전 상수 강유전성 세라믹 물질, 예를 들어 비 제한적으로 납 지르코네이트, 바륨 지르코네이트, 카드뮴 니오베이트, 바륨 타이타네이트, 및 스트론튬, 납, 칼슘, 마그네슘, 아연 및 네오디뮴의 타이타네이트 및 탄탈레이트, 및 이들의 고체 용액으로부터 제조할 수 있다. 세라믹 "고체 용액"이란 용어는 세라믹 성분들이 서로 혼화될 수 있는 둘 이상의 성분들의 세라믹 시스템을 의미한다. 또한, 본 발명에 유용한 세라믹 물질에는 바륨 지르코늄 타이타네이트(BZT), 바륨 스트론튬 타이타네이트(BST), 바륨 네오디뮴 타이타네이트, 납 마그네슘 니오베이 트, 및 납 아연 니오베이트가 있다. 각각의 입자를 단일 물질 또는 상기 물질들의 조합으로부터 제조할 수 있다.Any suitable material capable of forming the particles into particles with high dielectric properties, such as, but not limited to, high dielectric constant ferroelectric ceramic materials, such as, but not limited to, lead zirconate, barium zirconate, cadmium niobate, barium tie Tannates, and titanates and tantalates of strontium, lead, calcium, magnesium, zinc, and neodymium, and solid solutions thereof. The term ceramic "solid solution" means a ceramic system of two or more components in which ceramic components can be mixed with one another. Ceramic materials useful in the present invention also include barium zirconium titanate (BZT), barium strontium titanate (BST), barium neodymium titanate, lead magnesium niobate, and lead zinc niobate. Each particle can be prepared from a single material or a combination of these materials.

상기 층 중에 포함되는 입자는 모두 균일하거나 또는 물질 조성 및/또는 크기가 변할 수 있다. 또한, 본 발명에 유용한 세라믹 물질을 첨가제, 예를 들어 비 제한적으로 지르코늄, 비스무트, 및 니오브의 산화물에 의해 개질시킬 수 있다. 바람직하게는, 상기 세라믹 입자는 바륨 타이타네이트를 포함한다.The particles included in the layer may all be uniform or vary in material composition and / or size. In addition, ceramic materials useful in the present invention can be modified with additives such as, but not limited to, oxides of zirconium, bismuth, and niobium. Preferably, the ceramic particles comprise barium titanate.

본 발명에 따른 제제의 성분들을 또한 양호한 유동성 성질, 즉 용액 코팅 공정에서 밀착성 필름을 형성시키기에 충분히 높은 점도 및 여과성 및 확산성이기에 충분히 낮은 점도를 생성시키도록 선택한다. 상기 혼합물의 바람직한 점도 범위는 300 내지 100000 mPa·s이다.The components of the preparations according to the invention are also chosen to produce good flow properties, ie high enough to form an adhesive film in a solution coating process and low enough to be filterable and diffusive. The preferred viscosity range of the mixture is 300 to 100000 mPa · s.

상기 및 하기에 개시하는 화합물 및 성분들에서 치환체, 특히 R', R", R"', R1, R2, R3, Ra, Rb, Rc, Rd가 알킬 그룹인 경우, 상기는 직쇄이거나 분지될 수 있다. 상기는 바람직하게는 직쇄이며 탄소수 1 내지 12를 갖고, 따라서 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실 또는 도데실이다. 불소화된 알킬은 바람직하게는 CiF2i +1이되, i는 1 내지 12의 정수이고, 특히 CF3, C2F5, C3F7, C4F9, C5F11, C6F13, C7F15, C8F17, C9F19, C10F21, C11F23 또는 C12F25이다.In the compounds and components disclosed above and below, substituents, in particular when R ', R ", R"', R 1 , R 2 , R 3 , R a , R b , R c , R d are alkyl groups, It may be straight chain or branched. It is preferably straight chain and has 1 to 12 carbon atoms, and therefore preferably methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl or dodecyl. The fluorinated alkyl is preferably C i F 2i +1 , i is an integer from 1 to 12, in particular CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , C 9 F 19 , C 10 F 21 , C 11 F 23 or C 12 F 25 .

사이클로알킬은 바람직하게는 3 내지 7 개의 탄소 원자를 함유하는 지환족 그룹, 예를 들어 사이클로프로필, 사이클로펜틸 및 사이클로헥실을 나타낸다.Cycloalkyl preferably represents an alicyclic group containing 3 to 7 carbon atoms, for example cyclopropyl, cyclopentyl and cyclohexyl.

아릴은 바람직하게는 탄소수 5 내지 15의 방향족 탄화수소를 나타내며, 하나 이상의 헤테로원자 O, S 및/또는 N에 의해 치환될 수 있고, 1, 2 또는 3 개의 고리로 구성되며, 이들은 서로 융합될 수 있다. 가장 바람직한 의미의 아릴은 페닐이다.Aryl preferably denotes aromatic hydrocarbons having 5 to 15 carbon atoms, which may be substituted by one or more heteroatoms O, S and / or N, consist of one, two or three rings, which may be fused to each other . Aryl in the most preferred sense is phenyl.

알킬아릴은 바람직하게는 아릴 부분에 5 내지 15 개의 C 원자를 함유하고 알킬렌 부분에 1 내지 12개의 C 원자를 함유하며, 예를 들어 벤질, 펜에틸 및 펜프로필이다.Alkylaryl preferably contains 5 to 15 C atoms in the aryl moiety and 1 to 12 C atoms in the alkylene moiety, for example benzyl, phenethyl and phenpropyl.

할로겐은 F, Cl, Br 또는 I, 바람직하게는 F 또는 Cl이다. 다 치환의 경우에 할로겐은 특히 F이다.Halogen is F, Cl, Br or I, preferably F or Cl. Halogen is especially F in the case of poly substitution.

하기에 본 발명에 따른 전자 장치의 유전 층의 제조 방법을 개시한다.The following describes a method for producing a dielectric layer of an electronic device according to the present invention.

상기 방법의 단계 a)에서, 절연, 반전도, 전도, 전자 및/또는 광자 작용성을 갖는 물질의 하나 이상의 층 또는 패턴을 임의로 포함하는 기판을 제조한다. 당해 분야의 숙련가들은 통상적인 전자 장치뿐만 아니라 본 발명에 따른 바람직한 유기 전자 장치의 다수의 널리 공지된 제조 기법들을 이용할 수 있다. 예를 들어, 유기 전자 장치의 구조, 그의 제조를 위한 물질 및 기법들이 도입부에 인용된 문헌에 상세히 개시되어 있다. 상기 공정을 대개는 유기 및/또는 중합체 물질의 용액을 사용함으로써, 예를 들어 하기 개시하는 방법에 의해 수행한다. 생성되는 필름의 분자들을 이방성 전하 운반체 이동성 및/또는 광학 2색성을 성취하기 위해서 배열시킬 수 있다. 상기 유기 필름을 바람직하게는 예를 들어 한정된 부분들에서 마스크를 사용하여 조사에 의해 경화시킨다. 상기 노출된 부분은 물리적 및/또는 화학적 성질, 예를 들어 그의 컨덕턴스 또는 용해도의 변화를 겪는다. 노출되지 않은 부분은 그의 보다 높은 용해도로 인해 제거될 수 있다. 이러한 과정에 의해 상이한 전자 작용성을 갖는 다수의 층들(패턴화될 수도 있다)을 서로의 상부에 형성시킬 수 있다. 유리하게는 직교 용매들을, 도입부에 개시한 바와 같이, 앞서 형성된 층 또는 패턴을 손상시키지 않기 위해서 적용시킨다. 상기 외에 다른 패턴화 방법, 예를 들어 미세석판인쇄술, 스탬핑 또는 미세성형을 사용할 수 있다.In step a) of the method, a substrate is optionally prepared comprising one or more layers or patterns of material having insulation, inversion, conduction, electrons and / or photon functionality. Those skilled in the art can utilize a number of well-known manufacturing techniques of the preferred organic electronic device according to the present invention, as well as conventional electronic devices. For example, the structure of organic electronic devices, materials and techniques for their manufacture are disclosed in detail in the literature cited in the introduction. The process is usually carried out by using a solution of organic and / or polymeric material, for example by the method disclosed below. Molecules of the resulting film can be arranged to achieve anisotropic charge carrier mobility and / or optical dichroism. The organic film is preferably cured by irradiation, for example using a mask in defined portions. The exposed portion undergoes a change in physical and / or chemical properties, for example its conductance or solubility. Unexposed portions may be removed due to their higher solubility. This process allows formation of multiple layers (which may be patterned) with different electronic functionality on top of each other. Advantageously orthogonal solvents are applied, as described in the introduction, in order not to damage the previously formed layer or pattern. In addition to the above, other patterning methods may be used, such as microlithography, stamping or microforming.

상기 방법의 단계 b)에서 상기 정의한 바와 같은 하나 이상의 아민 유도체를 포함하는 제제을 상기 기판상에 또는 상기 기판의 한정된 부분 상에 형성시킨다. 상기 제제을 바람직하게는 용액으로서 적용시키며, 이때 유리한 용매 및 그의 혼합물은 상기 개시되어 있다. 바람직한 박층 형성 기법은 넓은 면적 및/또는 다수의 기판들을 저렴하게 가공할 수 있게 한다. 예로서 회전 코팅, 성형, 예를 들어 모세관에서의 미세 성형, 및 인쇄 기법, 예를 들어 스크린 인쇄, 잉크 젯 인쇄 및 미세접촉 인쇄가 있다. 릴 대 릴 제조 공정이 특히 바람직하다. 상기 및 다른 가공 기법들이 예를 들어 문헌[Z. Bao, Adv. Mater. 2000, 12, 227-230, Z. Bao et al., J. Mater. Chem. 1999, 9, 1895-1904] 및 상기 중에 인용된 문헌에 개시되어 있다. 상기 언급한 바와 같이, 사용된 아민 유도체 혼합물의 유동성 성질을 상기 혼합물의 성분들, 특히 상기 아민 유도체의 치환체 및 임의로 상기 다작용성 성분 및 이들 함량의 선택에 의해 상기 필름 형성 기법의 요건을 총족시키는 광범위한 범위 내에서 조절할 수 있다.A formulation comprising at least one amine derivative as defined above in step b) of the method is formed on the substrate or on a defined portion of the substrate. The formulation is preferably applied as a solution, wherein advantageous solvents and mixtures thereof are disclosed above. Preferred thin layer formation techniques make it possible to process large areas and / or multiple substrates at low cost. Examples include rotational coating, molding, such as microforming in capillaries, and printing techniques such as screen printing, ink jet printing and microcontact printing. Particular preference is given to reel to reel manufacturing processes. These and other processing techniques are described, for example, in Z. Bao, Adv. Mater. 2000, 12, 227-230, Z. Bao et al., J. Mater. Chem. 1999, 9, 1895-1904 and the documents cited above. As mentioned above, the rheological properties of the mixtures of amine derivatives used have a wide range of properties that meet the requirements of the film forming technique by the selection of the components of the mixture, in particular the substituents of the amine derivatives and optionally the multifunctional components and their contents. Can be adjusted within the range.

단계 c)에서 상기 박층 제제의 중합을 개시시킨다. 상기 아민 유도체 혼합 물의 성분 및 임의로 사용되는 개시제의 성질에 따라, 상기 중합을 예를 들어 온도를 증가시키거나, pH를 변경시키거나, 전자기 또는 입자 조사, 또는 반응성 화합물에 노출시킴으로써 개시시킨다. 상기 중합 반응은 대개는 아민 유도체 및 임의로 다작용성 성분들의 중축합이며, 이에 의해 예를 들어 물 또는 알콜이 방출된다. 생성되는 중합체 물질은 중합체, 공중합체 또는 그래프트 중합체일 수 있으며, 이들을 상기 및 하기에서 단지 중합체라 지칭한다.In step c) polymerization of the thin layer preparation is initiated. Depending on the components of the amine derivative mixture and optionally on the nature of the initiator used, the polymerization is initiated by, for example, increasing the temperature, changing the pH, irradiating with electromagnetic or particle, or reactive compounds. The polymerization reaction is usually a polycondensation of amine derivatives and optionally polyfunctional components, whereby for example water or alcohol is released. The resulting polymeric materials may be polymers, copolymers or graft polymers, which are referred to only above and below as polymers.

상기 성분 D 또는 적어도 상기 용매의 대부분은 단계 c) 수행 도중 및/또는 수행 후에 제거된다. 그러나, 중합성 혼합물이 기판상에 형성되는 동안 및/또는 그 후에, 단계 c)를 수행하기 전에 용매를 제거하는 것도 또한 가능하다.Most of the component D or at least the solvent is removed during and / or after performing step c). However, during and / or after the polymerizable mixture is formed on the substrate, it is also possible to remove the solvent before carrying out step c).

생성되는 상기 아민 중합체의 박층은 바람직하게는 0.01 내지 50 ㎛, 가장 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎛의 두께를 갖는다. 상기 아민 중합체 물질은 바람직하게는 10+8 Ω㎝ 이상, 보다 바람직하게는 10+10 Ω㎝ 이상, 가장 바람직하게는 10+11 Ω㎝ 이상의 저항을 나타낸다. 생성되는 상기 물질의 유전 상수는 바람직하게는 4 이상, 가장 바람직하게는 4 내지 6의 범위이다.The resulting thin layer of amine polymer preferably has a thickness of 0.01 to 50 μm, most preferably 0.1 to 10 μm. The amine polymer material preferably exhibits a resistance of at least 10 +8 Ωcm, more preferably at least 10 +10 Ωcm, most preferably at least 10 +11 Ωcm. The dielectric constant of the material produced is preferably at least 4, most preferably in the range of 4-6.

상기 박층을 중합 단계 후에 임의로 패턴화시킬 수 있다. 적합한 기법은 당해 분야, 특히 미세전자공학 및 마이크로공학 분야의 숙련가에게 공지되어 있다. 상기와 같은 기법의 예는 에칭, 석판인쇄술, 예를 들어 광-, UV- 및 전자-석판인쇄술, 레이저 묘화, 스탬핑 및 엠보싱이다. 또한, 상기 층을 또한 상기 중합성 아민 혼합물의 단지 한정된 부분만을 중합시킴으로써 패턴화할 수 있다. 한정된 부분에 서의 중합은 예를 들어 패턴화된 마스크 및 전자기 또는 입자 조사를 사용하여 중합을 개시시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 아민 유도체 혼합물의 중합되지 않은 부분을 경화된 부분에 비해 더 높은 용해도에 기인하여 제거할 수 있다.The thin layer can optionally be patterned after the polymerization step. Suitable techniques are known to those skilled in the art, in particular in the fields of microelectronics and microengineering. Examples of such techniques are etching, lithography, for example photo-, UV- and electron-lithography, laser drawing, stamping and embossing. In addition, the layer can also be patterned by polymerizing only a limited portion of the polymerizable amine mixture. Polymerization in the defined portion can be carried out by initiating the polymerization, for example using a patterned mask and electromagnetic or particle irradiation. The unpolymerized portion of the amine derivative mixture can be removed due to higher solubility compared to the cured portion.

상기 유전 아민 중합체 층의 형성은 전자 장치 제작에서 최종 단계이거나 또는 대개는 중간 단계일 수 있다. 따라서 단계 a) 및/또는 b) 및 c)를 포함한 하나 이상의 추가의 단계가 상술한 공정에 이어질 수 있다. 예를 들어 절연, 반전도, 전도, 전자 및/또는 광자 성질을 갖는 물질의 하나 이상의 추가적인 층 또는 패턴을 생성되는 유전 층에 적용시킬 수 있다.The formation of the dielectric amine polymer layer can be the final step in the fabrication of electronic devices or usually an intermediate step. Thus, one or more further steps, including steps a) and / or b) and c), may follow the process described above. For example, one or more additional layers or patterns of materials having insulating, semiconducting, conducting, electronic and / or photon properties can be applied to the resulting dielectric layer.

본 발명에 따른 방법에 의해 수득될 수 있는 전자 장치 및 유전체로서 본 발명의 아민 중합체 물질을 포함하는 전자 장치가 또한 본 발명의 목적이다. 바람직한 장치는 미세전자공학 및/또는 유기 전자 장치 및 구성요소이다. 예로서 박막 트랜지스터, OFET, OLED, 디스플레이, 특히 LCD용 대 면적 구동 회로, 광전지 용도 및 저렴한 기억 장치, 예를 들어 스마트 카드, 전자 수하물 태그, ID 카드, 신용 카드 및 티켓이 있다.Electronic devices obtainable by the process according to the invention and electronic devices comprising the amine polymer material of the invention as dielectrics are also an object of the invention. Preferred devices are microelectronics and / or organic electronic devices and components. Examples include thin film transistors, OFETs, OLEDs, displays, especially large area drive circuits for LCDs, photovoltaic applications and inexpensive storage devices such as smart cards, electronic luggage tags, ID cards, credit cards and tickets.

본 발명에 따른 중합체 아민 물질을 상기 장치에 절연체 물질을 포함하여 유전체로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 중합체 아민 물질을 OFET에서 소스 및 드레인 전극과 접촉하는 반도체 물질과 게이트 물질 사이의 유전 층으로서 사용한다. 또한, 본 발명의 아민 중합체 물질을 또한 전자 장치의 전도성 부품들을 절연시키기 위한 절연체 물질로서 사용할 수 있다. 따라서, 상기를 상부에 전도성 및/또는 반전도성 물질이 침착된 기판으로서 및/또는 전자 작용성을 갖는 층 또는 패 턴을 덮어, 상기를 단락 또는 산화로부터 보호하는 절연 물질로서 사용할 수 있다.The polymeric amine material according to the invention can be used as a dielectric by including an insulator material in the device. For example, the polymeric amine material is used as the dielectric layer between the semiconductor material and the gate material in contact with the source and drain electrodes in an OFET. In addition, the amine polymer material of the present invention may also be used as an insulator material for insulating conductive parts of electronic devices. Thus, it can be used as a substrate on which conductive and / or semiconducting materials are deposited on top and / or as an insulating material which covers the layer or pattern having electronic functionality and protects it from short circuits or oxidation.

상기 및 이후에 언급하는 모든 출원, 특허 및 공보들의 전체 내용을 본 출원에 참고로 도입한다.The entire contents of all applications, patents, and publications mentioned above and later are incorporated herein by reference.

상기 설명으로부터, 당해 분야의 숙련가는 본 발명의 필수 특징을 쉽게 확인할 수 있으며 본 발명의 진의 및 범위로부터 이탈됨 없이 본 발명의 다양한 변화 및 변경들을 다양한 용도 및 조건에 적합하도록 수행할 수 있다.From the above description, those skilled in the art can easily identify the essential features of the present invention and can make various changes and modifications of the present invention to suit various uses and conditions without departing from the spirit and scope of the present invention.

하기의 실시예들은 본 발명을 추가로 예시하기 위해 나타내며 이들을 본 발명의 진의 또는 범위를 제한하는 것으로 해석해서는 안 된다.The following examples are presented to further illustrate the invention and should not be construed as limiting the scope or spirit of the invention.

실시예Example

2 부의 수지 및 1 부의 경화제를 포함하는 유전체 제제에 대한 일반적인 과정General procedure for a dielectric formulation comprising 2 parts of resin and 1 part of curing agent

수지(예를 들어 사이텍 인코포레이티드로부터 상업적으로 입수할 수 있는 사이멜(등록상표))를 적합한 제제(제작할 장치의 성질, 예를 들어 구조, 기하, 필요 두께, 내구성, 안정성, 공정 흐름 등에 의해 결정됨)에 혼합시킨다. 이어서 중합체 열 산을 회전 코팅 직전에 가한다. 상기 단계는 상기 중합체 산을 첨가하고 이를 비교적 신속히 사용하지 못하는 경우(수 시간 이내) 상기 제제의 점도가 증가하기 때문에 수행된다. 점도의 증가는 상기가 코팅 두께에 영향을 미치고 장치의 성질을 변화시킬 수 있기 때문에 바람직하지 못하다.Resin (e.g., Cymel® commercially available from Cytec Incorporated) may be prepared from suitable formulations (such as the nature of the device to be manufactured, e.g. structure, geometry, required thickness, durability, stability, process flow, etc.). Determined by). Polymer thermal acid is then added immediately before the spin coating. This step is performed because the viscosity of the formulation increases if the polymer acid is added and not used relatively quickly (within a few hours). Increasing the viscosity is undesirable because it can affect the coating thickness and change the properties of the device.

상기 수지를 목적하는 필름 두께를 제공하기 위해서 목적하는 회전 속도 및 가속도로 회전 코팅시킨다. 이어서 상기 필름을 필요한 가교결합 속도에 따라, 고 온에서, 예를 들어 100 ℃에서 소성(baking)한다.The resin is spin coated at the desired rotational speed and acceleration to provide the desired film thickness. The film is then baked at high temperature, for example at 100 ° C., depending on the required crosslinking rate.

실시예Example 1 One

본 발명에 따른 하기의 중합성 아민 혼합물을 제조한다. 중량% 함량은 모든 성분들의 전체 중량에 관한 것이다.The following polymerizable amine mixtures according to the invention are prepared. The weight percent content relates to the total weight of all components.

1. 수지 제제1. Resin formulation

Figure 112006057314987-PAT00008
Figure 112006057314987-PAT00008

경화제 제제Curing Agent Formulation

Figure 112006057314987-PAT00009
Figure 112006057314987-PAT00009

상기 개별적인 성분들은 시간이 지남에 따라 안정하다.The individual components are stable over time.

상기 성분들은 혼합 시 안정하며 수 시간 동안 균질하다. 상기는 저 점도 내지 중간 점도를 나타낸다. 상기의 유동성 성질은 코팅 기법의 적용, 예를 들어 유리 또는 폴리헥실티오펜(유기 반도체임) 표면의 코팅에 매우 양호하다.The components are stable upon mixing and homogeneous for several hours. The above shows low to medium viscosity. This flowability property is very good for the application of coating techniques, for example the coating of glass or polyhexylthiophene (which is an organic semiconductor) surface.

2. 아민 중합체 물질의 제조2. Preparation of Amine Polymer Material

상기 중합성 아민 혼합물을 기본으로 아민 중합체 물질을 제조한다. 상기 수지 및 경화제를 각각 2 대 1의 비로 함께 철저히 혼합하고, 상기 혼합물을 평평한 기판(이 경우 PEN 호일이다)에 놓고, 증발시키고 금 소스 및 드레인을 접촉시키고 상기 위에 도 1에 나타낸 바와 같이 유기 반도체 층을 회전 코팅시키며 이어서 상기는 회전 코팅(1 초의 기간에 걸쳐 0에서 3000 rpm으로 증가하고 이어서 1 분 동안 3000 rpm에서 유지됨)에 의해 상기 기판상에 확산된다. 상기 중합 및 가교결합을 상기 기판을 공기 분위기 중에서 1 시간의 기간 동안 100 ℃에서 가열함으로써 수행한다. 생성되는 아민 중합체 층은 약 1 마이크론의 두께를 갖는다.An amine polymer material is prepared based on the polymerizable amine mixture. The resin and curing agent are thoroughly mixed together in a ratio of 2 to 1, respectively, and the mixture is placed on a flat substrate (in this case a PEN foil), evaporated and contacted the gold source and drain and the organic semiconductor as shown in FIG. 1 above. The layer is spin coated and then diffused onto the substrate by spin coating (increase from 0 to 3000 rpm over a period of 1 second and then held at 3000 rpm for 1 minute). The polymerization and crosslinking are carried out by heating the substrate at 100 ° C. for a period of 1 hour in an air atmosphere. The resulting amine polymer layer has a thickness of about 1 micron.

상기에 정의한 바와 같은 중합성 혼합물을 사용하여, 아민 중합체 층을 상술한 과정에 따라 제조한다. 모든 중합체 층들의 표면은 매우 평평하고 단단하지만, 무르지 않으며, 탁월한 결합을 나타낸다. 핀-홀 형성의 흔적은 없다.Using the polymerizable mixture as defined above, an amine polymer layer is prepared according to the procedure described above. The surface of all polymer layers is very flat and hard, but not soft and exhibit excellent bonding. There is no sign of pin-hole formation.

실시예Example 2 - 용도  2-Usage 실시예Example

도 2는 본 발명에 따른 유전체 제제을 시험하기 위한 트랜지스터 장치를 도시한다(축척으로 나타내지 않음). 전형적으로는 다수의 트랜지스터가 각각의 기판 상에 제조된다.2 shows a transistor device for testing a dielectric formulation according to the invention (not to scale). Typically multiple transistors are fabricated on each substrate.

트랜지스터의 제조 방법:Method of manufacture of transistors:

평면화 층을 갖는 특수 PEN 호일(Dupont Teijin films로부터 입수할 수 있음)을 장치 기판으로서 사용한다. 상기 기판을 사용 전에 IPA로 세정한다. 금 소스 및 드레인 접촉부를 셰도우 마스크를 통해 진공 증발에 의해 상기 PEN 호일 상에서 증발시킨다. 상기 금은 전형적으로는 50 ㎚의 두께를 갖는다. 소스와 드레인 사이의 거리는 전형적으로는 130 마이크론이다. 유기 반도체를 회전 코팅을 통해 글러브 박스에서 침착시켜 전형적으로는 100 ㎚의 필름을 수득한다. 상기 유전체 제제을 약 1 마이크론의 두께가 획득되도록 회전 코팅을 통해 침착시킨다. 전체 장치를 약 100 ℃에서 소성하여 상기 유전체를 가교결합시킨다. 최종 단계는 상기 장치의 게이트로서 작용하게 될 50 ㎚ 층의 금을 증발시키는 것이다.A special PEN foil with a planarization layer (available from Dupont Teijin films) is used as the device substrate. The substrate is cleaned with IPA before use. Gold source and drain contacts are evaporated on the PEN foil by vacuum evaporation through a shadow mask. The gold typically has a thickness of 50 nm. The distance between the source and drain is typically 130 microns. The organic semiconductor is deposited in a glove box via a spin coating to typically yield a 100 nm film. The dielectric formulation is deposited through a rotary coating such that a thickness of about 1 micron is obtained. The entire device is baked at about 100 ° C. to crosslink the dielectric. The final step is to evaporate the 50 nm layer of gold that will act as the gate of the device.

트랜지스터 장치 T1을 실시예 1에 개시된 바와 같은 유전 층(중합체 산 사용)을 사용하여, 상술한 바와 같이 제조한다.Transistor device T1 is prepared as described above using a dielectric layer (using polymer acid) as described in Example 1.

비교를 목적으로 트랜지스터 장치 T2를 상술한 바와 동일한 방식으로, 유전 층에 대해 동일한 수지 및 용매 제제을 사용하지만 비중합체 산 개시제(파라톨루엔 설폰산이다)를 사용하여 제조한다.For comparison purposes, transistor device T2 is prepared in the same manner as described above, using the same resin and solvent formulations for the dielectric layer but using a nonpolymeric acid initiator (which is paratoluene sulfonic acid).

상기 두 트랜지스터의 임계 특성을 도 3에 나타낸다(곡선 a = T1, 곡선 b = T2). T1에 대한 플롯은 역 및 전방 스캔 모두에서 동일한 임계 전압(약 +4V)을 나타낸다. T2에 대한 플롯은 역 스캔에 비해 전방 스캔 시 상이한 임계 전압을 나타낸다(대략 6V의 이력 현상).The critical characteristics of the two transistors are shown in FIG. 3 (curve a = T1, curve b = T2). The plot for T1 shows the same threshold voltage (about + 4V) in both reverse and forward scans. Plots for T2 show different threshold voltages in the forward scan compared to the reverse scan (hysteresis of approximately 6V).

본 발명에 의해, 종래의 유전 물질 및 제조 방법의 단점들을 갖지 않는 개선된 유전 물질 및 유전 층의 제조 방법이 제공된다.The present invention provides an improved method of making dielectric materials and dielectric layers that does not have the disadvantages of conventional dielectric materials and manufacturing methods.

Claims (19)

중합 또는 가교결합 반응에서 자체적으로 및/또는 상호간에 및/또는 하나 이상의 추가의 다작용성 화합물과 함께 가교결합된 중합체를 형성할 수 있는 하나 이상의 가교결합성 유기 아민 유도체, 및At least one crosslinkable organic amine derivative capable of forming a crosslinked polymer on its own and / or with each other and / or with at least one further multifunctional compound in a polymerization or crosslinking reaction, and 상기 중합 또는 가교결합 반응을 개시시킬 수 있는 하나 이상의 중합체성 또는 중합체 결합된 개시제One or more polymeric or polymeric bound initiators capable of initiating the polymerization or crosslinking reaction 를 포함하는 제제(formulation).Formulation comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 아민 유도체가 하기 화학식 1의 2개 이상의 동일하거나 상이한 그룹을 포함함을 특징으로 하는 제제:Formulations characterized in that the amine derivative comprises at least two identical or different groups of the formula 화학식 1Formula 1
Figure 112006057314987-PAT00010
Figure 112006057314987-PAT00010
상기 식에서,Where Ra는 H, -[(CR'R")v-CO]r-R"', -[(CR'R")v-O-]r-R"' 또는 -(CR'R")v-NHZ이고,R a is H,-[(CR'R ") v -CO] r -R"',-[(CR'R") v -O-] r -R"'or-(CR'R") v -NHZ, R', R", R"'는 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, 이들 그룹은 할로겐에 의해 치환될 수 있으며,R ′, R ″, R ″ ′ are independently of each other H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, and these groups may be substituted by halogen, Z는 H 또는 보호 그룹이고,Z is H or a protecting group, v는 0 또는 1 이상이고,v is 0 or 1 or more, r은 1 이상이되, v가 0인 경우, r은 1이다.r is 1 or more, but if v is 0, r is 1.
제 2 항에 있어서,The method of claim 2, Ra 그룹 중 하나 이상이 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹을 포함하고 이들 그룹이 할로겐에 의해 치환될 수 있는, 제 2 항에 기재된 화학식 1의 2개 이상의 그룹을 포함하는 하나 이상의 아민 유도체를 특징으로 하는 제제.At least two groups of formula 1 as defined in claim 2, wherein at least one of the R a groups comprises an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms and these groups may be substituted by halogen; Formulations comprising one or more amine derivatives. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method of claim 2 or 3, Ra 그룹 중 하나 이상이 -[(CR'R")v-O-]r-H이고 R', R", v 및 r이 제 2 항에 기재된 바와 같은, 제 2 항에 기재된 화학식 1의 2개 이상의 그룹을 포함하는 하나 이상의 아민 유도체를 특징으로 하는 제제.At least one of R a groups is-[(CR'R ") v -O-] r -H and R ', R", v and r are as defined in claim 2 Formulations characterized by one or more amine derivatives comprising two or more groups. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 하기 화학식 1a 내지 1c의 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 아민 유도체를 특징으로 하는 제제:Formulations characterized by one or more amine derivatives selected from the group of formulas 1a to 1c: 화학식 1aFormula 1a
Figure 112006057314987-PAT00011
Figure 112006057314987-PAT00011
화학식 1bFormula 1b
Figure 112006057314987-PAT00012
Figure 112006057314987-PAT00012
화학식 1cFormula 1c
Figure 112006057314987-PAT00013
Figure 112006057314987-PAT00013
상기 식들에서,In the above formulas, R1, R2, R3은 서로 독립적으로 하기 화학식 2의 그룹이고:R 1 , R 2 , R 3 are independently of each other a group of formula (2): 화학식 2Formula 2
Figure 112006057314987-PAT00014
Figure 112006057314987-PAT00014
Ra, Rb, Rc, Rd는 서로 독립적으로 H, -[(CR'R")v-CO]r-R"', -[(CR'R")v-O-]r-R"' 또는 -(CR'R")v-NHZ이고,R a , R b , R c , and R d are each independently of H,-[(CR'R ") v -CO] r -R"',-[(CR'R") v -O-] r- R "'or-(CR'R") v -NHZ, R', R", R"'는 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹이고, 이들 그룹은 할로겐에 의해 치환될 수 있으며,R ′, R ″, R ″ ′ are independently of each other H, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, and these groups may be substituted by halogen, Z는 H 또는 보호 그룹이고,Z is H or a protecting group, v는 0 또는 1 이상이고,v is 0 or 1 or more, r은 1 이상이되, v가 0인 경우, r은 1이고,r is 1 or more, if v is 0, r is 1, W는 O 또는 S이고,W is O or S, R3은 상기 의미 이외에도, 알킬, 사이클로알킬, 아릴 또는 알킬아릴 그룹일 수 있고, 이들 그룹은 할로겐에 의해 임의로 치환된다.R 3 in addition to the above meanings may be alkyl, cycloalkyl, aryl or alkylaryl groups, which groups are optionally substituted by halogen.
제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 그룹 R1, R2, R3 및/또는 그룹 Ra, Rb, Rc, Rd 중 하나 이상이 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 2 내지 12의 알케닐 그룹을 포함하고 이들 그룹은 할로겐에 의해 치환될 수도 있는, 제 5 항에 기재된 화학식 1a 내지 1c의 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 아민 유도체를 특징으로 하는 제제.At least one of the groups R 1 , R 2 , R 3 and / or groups R a , R b , R c , R d comprises an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms and these groups A formulation characterized by at least one amine derivative selected from the group of formulas 1a to 1c as defined in claim 5, which may be substituted by halogen. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 그룹 R1, R2, R3 중 하나, 두 개 또는 세 개가 서로 독립적으로 하기 화학식 2b의 그룹인, 제 5 항에 기재된 화학식 1a 및 1b의 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 아민 유도체를 특징으로 하는 제제:A formulation characterized by one or more amine derivatives selected from the group of formulas 1a and 1b as defined in claim 5, wherein one, two or three of the groups R 1 , R 2 , R 3 are independently of one another a group of formula 2b: 화학식 2bFormula 2b
Figure 112006057314987-PAT00015
Figure 112006057314987-PAT00015
상기 식에서,Where v1은 0, 1, 2, 3 또는 4이고,v1 is 0, 1, 2, 3 or 4, v2는 1, 2, 3 또는 4이고,v2 is 1, 2, 3 or 4, R"'는 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹이고, 이때 하나, 그 이상 또는 모든 H 원자는 할로겐에 의해 치환될 수 있다.R ″ 'is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, wherein one, more or all H atoms may be substituted by halogen.
제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 정의한 바와 같은 하나 이상의 유기 아민 유도체를 포함하는 성분 A 50 내지 99.5 중량%,From 50 to 99.5% by weight of component A comprising at least one organic amine derivative as defined in any of claims 2 to 7, A의 하나 이상의 화합물과 반응하여 가교결합된 중합체를 형성할 수 있는 하나 이상의 다작용성 화합물을 포함하는 성분 B 0 내지 50 중량%, 및0-50% by weight of component B comprising one or more multifunctional compounds capable of reacting with one or more compounds of A to form a crosslinked polymer, and 성분 A 또는 성분 A와 B의 중합을 위한 하나 이상의 중합체성 또는 중합체 결합된 개시제를 포함하는 성분 C 0 내지 10 중량%0-10% by weight of component C comprising component A or at least one polymeric or polymer-bonded initiator for the polymerization of components A and B 를 포함하는 제제. Formulations comprising a. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 성분 B의 다작용성 화합물이 -OH, -NH2, -COOH 및 이들의 반응성 유도체들로 이루어 진 군 중 2개 이상의 작용기를 갖는 유기 화합물 중에서 선택되고, 성분 A의 하나 이상의 성분과 반응하여 가교결합된 중합체를 형성할 수 있음을 특징으로 하는 제제.The multifunctional compound of component B is selected from organic compounds having at least two functional groups in the group consisting of —OH, —NH 2 , —COOH and reactive derivatives thereof, and reacts with at least one component of component A to crosslink To form a polymer. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 9, 중합체성 또는 중합체 결합된 개시제가 500 이상의 분자량을 갖는 용해성의 열 활성화된 산 중에서 선택됨을 특징으로 하는 제제.Wherein the polymeric or polymeric bound initiator is selected from soluble heat activated acids having a molecular weight of at least 500. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 10, 중합체성 또는 중합체 결합된 개시제가 폴리-4-스타이렌 설폰산임을 특징으로 하는 제제.Formulations characterized in that the polymeric or polymer bound initiator is poly-4-styrene sulfonic acid. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 11, 상기 성분 A, B 및/또는 C를 용해시킬 수 있는 용매 또는 둘 이상의 용매들의 혼합물인 성분 D를 성분 A, B 및 C의 전체 중량에 대해 0.5 내지 50000 중량%의 양으로 추가로 포함함을 특징으로 하는 제제.Further comprises component D, which is a solvent capable of dissolving the components A, B and / or C or a mixture of two or more solvents, in an amount of 0.5 to 50000% by weight relative to the total weight of components A, B and C Formulation. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 12, 성분 F로서 초미세 세라믹 입자를 추가로 포함함을 특징으로 하는 제제.Further comprising ultrafine ceramic particles as component F. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 초미세 세라믹 입자 F가 중합성 아민 혼합물 중에 성분 A, B 및 C의 전체 중량에 대해 0 내지 80 중량%의 양으로 함유됨을 특징으로 하는 제제.Wherein said ultrafine ceramic particles F are contained in the polymerizable amine mixture in an amount of 0 to 80% by weight relative to the total weight of components A, B and C. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 제제의 중합에 의해 수득할 수 있는 가교결합된 중합체 물질.Crosslinked polymeric material obtainable by polymerization of the formulation according to claim 1. 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET), 박막 트랜지스터(TFT), 집적 회로(IC)의 구성요소, 전파식별(RFID) 태그, 유기 발광 다이오드(OLED), 전기발광 디스플레이, 평판 디스플레이, 백라이트, 광검출기, 센서, 논리 회로, 기억 소자, 캐패시터, 태양광(PV) 전지, 전하 주입 층, 쇼트키 다이오드, 평탄화 층, 대전방지용 필름, 전도성 기판 또는 패턴, 광전도체, 또는 전자사진 소자에 있어서 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 제제 또는 가교결합된 중합체의 용도.Organic field effect transistors (OFETs), thin film transistors (TFTs), components of integrated circuits (ICs), radio frequency identification (RFID) tags, organic light emitting diodes (OLEDs), electroluminescent displays, flat panel displays, backlights, photodetectors, sensors In a logic circuit, a memory element, a capacitor, a photovoltaic (PV) cell, a charge injection layer, a Schottky diode, a planarization layer, an antistatic film, a conductive substrate or pattern, a photoconductor, or an electrophotographic element. Use of the agent or crosslinked polymer according to claim 15. a) 절연, 반전도, 전도, 전자 및/또는 광자 작용성을 갖는 물질의 하나 이상의 층 또는 패턴을 임의로 포함하는 기판을 제조하는 단계,a) manufacturing a substrate optionally comprising one or more layers or patterns of a material having insulation, inversion, conduction, electrons and / or photon functionality, b) 상기 기판상에 또는 상기 기판의 한정된 영역 상에 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 제제의 박층을 형성시키는 단계, 및b) forming a thin layer of the formulation of any one of claims 1 to 14 on the substrate or on a confined region of the substrate, and c) 상기 박층 제제의 중합을 개시시키는 단계c) initiating the polymerization of said thin layer formulation. 를 포함하는, 전자 장치의 유전 층의 제조 방법.A method of manufacturing a dielectric layer of an electronic device, comprising. 유전체로서 제 15 항에 따른 중합체 물질을 포함하는 전자 장치.An electronic device comprising the polymeric material according to claim 15 as a dielectric. 제 17 항에 따른 방법에 의해 수득할 수 있는 전자 장치.An electronic device obtainable by the method according to claim 17.
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