KR20070016312A - Process chamber of rapid thermal processor - Google Patents

Process chamber of rapid thermal processor Download PDF

Info

Publication number
KR20070016312A
KR20070016312A KR1020050070858A KR20050070858A KR20070016312A KR 20070016312 A KR20070016312 A KR 20070016312A KR 1020050070858 A KR1020050070858 A KR 1020050070858A KR 20050070858 A KR20050070858 A KR 20050070858A KR 20070016312 A KR20070016312 A KR 20070016312A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
edge ring
heat treatment
process chamber
fastening groove
treatment apparatus
Prior art date
Application number
KR1020050070858A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정영권
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050070858A priority Critical patent/KR20070016312A/en
Publication of KR20070016312A publication Critical patent/KR20070016312A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Abstract

급속 열처리 장치가 개시된다. 그러한 급속 열처리 장치에서의 공정 챔버는 웨이퍼를 상부에 안착시키기 위한 안착부를 구비하며 테두리에 적어도 하나 이상의 체결용 홈을 구비하는 에지 링 및 상기 에지 링의 하부에 설치되어 상기 에지 링에 회전력을 전달하며 상기 에지 링의 체결용 홈에 대응되는 위치에 상기 체결용 홈에 결합되기 위한 체결용 돌기가 상기 체결용 홈의 개수와 동일한 개수로 형성된 서포팅 실린더를 구비한다. 그리하여 본 발명은 종래 급속 열처리 장치에서 서포팅 실린더와 에지 링 간이 별도의 결합 수단에 의해 고정되어 있지 않아 서포팅 실린더 하부의 회전 기판이 회전할 경우 상기 서포팅 실린더와 에지 링의 사이에 틈이 발생되어 회전 불균형을 야기하는 문제를 개선하는 효과를 갖는다.A rapid heat treatment apparatus is disclosed. The process chamber in such a rapid heat treatment apparatus is provided with a seating portion for seating the wafer on the top and has an edge ring having at least one fastening groove in the rim and a lower portion of the edge ring to transmit rotational force to the edge ring. The support protrusion for coupling to the fastening groove at the position corresponding to the fastening groove of the edge ring is provided with a support cylinder having the same number as the number of the fastening groove. Therefore, the present invention is not fixed by a separate coupling means between the supporting cylinder and the edge ring in the conventional rapid heat treatment apparatus, when the rotating substrate of the lower support cylinder rotates, a gap is generated between the supporting cylinder and the edge ring, resulting in rotational imbalance. Has the effect of improving the problem causing.

급속, 열처리, 에지 링, 서포팅 실린더, 홈, 돌기 Rapid, heat treatment, edge ring, supporting cylinder, groove, protrusion

Description

급속 열처리 장치의 공정 챔버{Process chamber of rapid thermal processor}Process chamber of rapid thermal processor

도 1은 종래의 급속 열처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 평면도.1 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional rapid heat treatment apparatus.

도 2는 도 1에 도시된 종래의 급속 열처리 장치의 공정 챔버의 단면도.2 is a cross-sectional view of the process chamber of the conventional rapid heat treatment apparatus shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 분해 사시도.3 is an exploded perspective view of the process chamber shown in FIG. 1;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 급속 열처리 장치에서의 공정 챔버의 분해 사시도.Figure 4 is an exploded perspective view of the process chamber in the rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에서의 공정 챔버의 체결 상태를 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view illustrating a fastening state of the process chamber in FIG. 4.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

102 : 회전 기판 103 : 에지 링102: rotating substrate 103: edge ring

103a : 웨이퍼 안착부 103b : 체결용 홈103a: wafer seating portion 103b: fastening groove

104 : 리프트 핀 105 : 서포팅 실린더104: lift pin 105: supporting cylinder

106 : 웨이퍼106: wafer

본 발명은 급속 열처리 장치(Rapid Thermal Processor)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 급속 열처리 장치의 공정 챔버에서 에지 링(edge ring) 및 서포팅 실린더(supporting cylinder)에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a rapid thermal processor, and more particularly, to an edge ring and a supporting cylinder in a process chamber of a rapid thermal processor.

반도체 웨이퍼 표면에 불순물 확산 공정을 실시하는 경우, 재결정(recrystalline) 작업을 위해 열처리 공정을 실시하게 된다. 상기 반도체 웨이퍼의 열처리 공정을 급속히 처리하기 위해 급속 열처리 장치가 사용된다. 상기 급속 열처리 장치는 공정 챔버, 카세트 장착부, 냉각 챔버 및 이송 장치 등을 구비한다. 상기 카세트 장착부에 반도체 웨이퍼를 장입한 카세트(cassette)가 장착되면, 이송 장치는 카세트에 보관된 반도체 웨이퍼를 공정 챔버로 이송한다. 공정 챔버로 이송된 반도체 웨이퍼는 소정 온도(예를 들면, 섭씨 600℃ ~ 1000℃)에서 급속 열처리된 후 이송 장치에 의해 냉각 챔버로 이송된다. 냉각 챔버로 이송된 반도체 웨이퍼는 다시 이송 장치에 의해 카세트 장착부에 위치한 비어 있는 카세트에 장입된다. 이와 같이 반도체 웨이퍼의 로딩(loading), 열처리, 냉각 및 언로딩(unloading)의 연속적인 과정에 의해 반도체 웨이퍼의 급속 열처리 공정이 진행된다.When the impurity diffusion process is performed on the surface of the semiconductor wafer, a heat treatment process is performed for recrystallization. A rapid heat treatment apparatus is used to rapidly process the heat treatment process of the semiconductor wafer. The rapid heat treatment apparatus includes a process chamber, a cassette mounting portion, a cooling chamber, a transfer apparatus, and the like. When a cassette in which a semiconductor wafer is loaded in the cassette mounting portion is mounted, the transfer device transfers the semiconductor wafer stored in the cassette to the process chamber. The semiconductor wafer transferred to the process chamber is rapidly heat treated at a predetermined temperature (eg, 600 ° C. to 1000 ° C.) and then transferred to the cooling chamber by a transfer device. The semiconductor wafer transferred to the cooling chamber is loaded into an empty cassette located in the cassette mounting section by the transfer device. As described above, a rapid heat treatment process of the semiconductor wafer is performed by a continuous process of loading, heat treatment, cooling, and unloading of the semiconductor wafer.

반도체 웨이퍼를 급속 열처리하기 위한 공정 챔버와 이송 장치의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 이하와 같다.The configuration of a process chamber and a transfer device for rapid heat treatment of a semiconductor wafer will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 급속 열처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional rapid heat treatment apparatus.

도 1을 참조하면, 급속 열처리 장치는 이송 장치(미도시) 및 공정 챔버(10) 을 구비한다. 상기 이송 장치는 블레이드(blade) 및 이송 암(arm)을 구비한다. 한편, 공정 챔버(10)의 입구에는 안내부재(11)가 구비되며, 공정 챔버(10)의 내측에는 회전 기판(rotation substrate)(12)이 구비된다. 그리고, 회전 기판(12)의 내부에는 공정이 완료된 반도체 웨이퍼를 언로딩하기 위한 복수 개의 리프트 핀(lift pin)(14)이 구비된다. 상기 복수 개의 리프트 핀(14)은 반도체 웨이퍼를 언로딩할 때 반도체 웨이퍼를 상기 이송 장치가 이송할 수 있도록 하기 위해 소정의 높이로 상승시키는 역할을 한다. 참조부호 13은 에지링이고, 참조부호 13a는 웨이퍼 안착부로서, 상기 웨이퍼 안착부(13a)가 상기 에지링(13)의 내측에 웨이퍼의 크기에 대응되게 턱지게 형성되어, 공정 진행시 반도체 웨이퍼를 상부에 안착하게 된다.Referring to FIG. 1, a rapid heat treatment apparatus includes a transfer apparatus (not shown) and a process chamber 10. The conveying device has a blade and a conveying arm. Meanwhile, a guide member 11 is provided at the inlet of the process chamber 10, and a rotation substrate 12 is provided inside the process chamber 10. In addition, a plurality of lift pins 14 are provided in the rotating substrate 12 for unloading the semiconductor wafer on which the process is completed. The plurality of lift pins 14 serve to raise the semiconductor wafer to a predetermined height so that the transfer device can transfer the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is unloaded. Reference numeral 13 denotes an edge ring, reference numeral 13a denotes a wafer seating portion, and the wafer seating portion 13a is formed so as to correspond to the size of the wafer inside the edge ring 13 so that the semiconductor wafer can be processed during the process. Will be seated on top.

도 2는 도 1에 도시된 종래의 급속 열처리 장치의 공정 챔버의 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 분해 사시도이다.2 is a cross-sectional view of the process chamber of the conventional rapid heat treatment apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view of the process chamber shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 에지 링(13)은 웨이퍼(16)가 안착되는 웨이퍼 안착부(13a)를 구비하며, 상기 에지 링(13)의 내측면이 대체로 수직면으로 형성된다.2 and 3, the edge ring 13 has a wafer seating portion 13a on which the wafer 16 is seated, and the inner surface of the edge ring 13 is formed in a generally vertical plane.

상기 에지 링(13)의 하부에는 서포팅 실린더(15)가 구비된다. 공정 챔버(10)의 일단에 구비되어 있는 소정의 구동 장치(미도시)에 의해 상기 회전 기판(12)이 회전하게 되고 이에 따라 회전 기판 상에 차례대로 놓여져 있는 서포팅 실린더(15) 및 에지 링(13)이 회전하게 되어 웨이퍼(16)에 대한 급속 열처리 공정이 실시된다. A supporting cylinder 15 is provided below the edge ring 13. The rotating substrate 12 is rotated by a predetermined driving device (not shown) provided at one end of the process chamber 10, and accordingly, the supporting cylinder 15 and the edge ring are placed on the rotating substrate in turn. 13 is rotated to perform a rapid heat treatment process on the wafer 16.

그러나, 상기 서포팅 실린더(15)와 에지 링(13) 간의 결합은 별도의 결합 수단에 의해 고정되어 있는 것이 아니기 때문에 회전 기판의 회전시 상기 서포팅 실 린더(15)와 에지 링(13)의 사이에 틈이 발생되어 회전 불균형을 야기하는 문제가 발생한다. 그리고, 이와 같은 회전 불균형에 의해 웨이퍼가 에지 링의 웨이퍼 안착부에서 이탈되어 공정 챔버의 내측 벽면과 충돌하여 웨이퍼가 부서지거나 손상되는 문제가 발생한다. However, since the coupling between the supporting cylinder 15 and the edge ring 13 is not fixed by a separate coupling means, between the supporting cylinder 15 and the edge ring 13 during rotation of the rotating substrate. A gap arises, causing a problem of rotational imbalance. In addition, the rotational imbalance causes the wafer to be separated from the wafer seating portion of the edge ring and collides with the inner wall surface of the process chamber, thereby causing the wafer to be broken or damaged.

따라서, 상기 문제들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 종래 급속 열처리 장치에서의 공정 진행시 회전 불균형을 개선할 수 있는 서포팅 실린더 및 에지 링을 구비한 급속 열처리 장치의 공정 챔버를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention to solve the above problems is to provide a process chamber of a rapid heat treatment apparatus having a supporting cylinder and an edge ring that can improve the rotational imbalance during the process in the conventional rapid heat treatment apparatus.

본 발명의 다른 목적은 종래 급속 열처리 장치에서 서포팅 실린더와 에지 링 간이 별도의 결합 수단에 의해 고정되어 있지 않아 서포팅 실린더 하부의 회전 기판이 회전할 경우 상기 서포팅 실린더와 에지 링의 사이에 틈이 발생되어 회전 불균형을 야기하는 문제를 개선하기 위한 급속 열처리 장치의 공정 챔버를 제공함에 있다.Another object of the present invention is that the gap between the supporting cylinder and the edge ring is generated when the supporting substrate and the edge ring in the conventional rapid heat treatment apparatus is not fixed by a separate coupling means by a separate coupling means when the rotating substrate is rotated under the supporting cylinder. It is to provide a process chamber of a rapid heat treatment apparatus for improving the problem causing the rotational imbalance.

본 발명의 또 다른 목적은 종래 급속 열처리 장치에서의 공정 진행시 웨이퍼가 에지 링의 웨이퍼 안착부에서 이탈되어 공정 챔버의 내측 벽면과 충돌하여 웨이퍼가 부서지거나 손상되는 문제를 개선하기 위한 급속 열처리 장치의 공정 챔버를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a rapid heat treatment apparatus for improving a problem in which a wafer breaks from the wafer seat portion of an edge ring and collides with an inner wall of the process chamber during the process of the conventional rapid heat treatment apparatus. In providing a process chamber.

상기의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 양상에 따른 급속 열처리 장치의 공정 챔버는 웨이퍼를 상부에 안착시키기 위한 안착부를 구비하며 테두리에 체결용 홈을 구비하는 에지 링; 및 상기 에지 링의 하부에 설치되어 상기 에지 링에 회전력을 전달하며 상기 에지 링의 체결용 홈에 대응되는 위치에 상기 체결용 홈에 결합되기 위한 체결용 돌기가 적어도 하나 이상 형성된 서포팅 실린더를 구비함을 특징으로 한다.In order to achieve the above objects, a process chamber of a rapid heat treatment apparatus according to an aspect of the present invention includes an edge ring having a seating portion for seating a wafer thereon and a fastening groove at an edge thereof; And a supporting cylinder installed at a lower portion of the edge ring to transmit rotational force to the edge ring and having at least one fastening protrusion configured to be coupled to the fastening groove at a position corresponding to the fastening groove of the edge ring. It is characterized by.

여기서, 상기 체결용 홈은 상기 에지 링의 바깥 면을 따라 동일한 간격으로 네 개로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the fastening groove is preferably formed in four at equal intervals along the outer surface of the edge ring.

또한, 상기 체결용 돌기는 상기 체결용 홈에 대응되게 상기 서포팅 실린더의 상부에 네 개로 형성될 수 있다.In addition, the fastening protrusions may be formed in four on the upper portion of the supporting cylinder to correspond to the fastening groove.

또한, 상기 에지 링과 상기 체결용 홈의 체결시 상기 체결용 돌기는 상기 체결용 홈에 밀착될 수 있다.In addition, the fastening protrusion may be in close contact with the fastening groove when the edge ring and the fastening groove are fastened.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서의 설명들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명에 대한 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도없이 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The descriptions in the following embodiments are merely illustrated and limited by way of example and without intention other than the intention of helping those having ordinary knowledge in the art to which the present invention pertains more thoroughly. It should not be used to limit the scope.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 급속 열처리 장치에서의 공정 챔버의 분해 사시도이고, 도 5는 도 4에서의 공정 챔버의 체결 상태를 나타낸 단면도이다.4 is an exploded perspective view of a process chamber in a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a fastening state of the process chamber in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 급속 열처리 장치의 공정 챔버는 에지링(103), 서 포팅 실린더(105) 및 회전 기판(102)를 포함한다.4 and 5, the process chamber of the rapid heat treatment apparatus includes an edge ring 103, a supporting cylinder 105, and a rotating substrate 102.

상기 에지 링(103)은 웨이퍼(106)를 상부에 안착시키기 위한 웨이퍼 안착부(103a)를 구비하며 테두리에 복수 개의 체결용 홈(103b)을 구비한다. 급속 열처리 공정 진행시 상기 웨이퍼 안착부(103a)의 상부에 웨이퍼(106)가 안착된다. 상기 체결용 홈(103b)은 상기 에지 링(103)의 바깥 면을 따라 동일한 간격으로 네 개로 형성될 수 있다. 상기 체결용 홈(103b)은 단면이 사각형, 원형 등의 형태로 다양하게 형성될 수 있다. 그 일례가 도 4에 도시된 바와 같이 한 면이 없는 직사각형 형태의 단면을 가질 수 있다. 즉, 상기 체결용 홈(103b)은 총 3개의 면으로 구성된다. 제1 면, 제 2면은 상기 에지 링(103)의 외측면에 수직하게 형성된 면이고, 제 3면은 상기 에지 링(103)의 외측면과 동일한 방향이면서 상기 제1, 2면에는 수직인 방향으로 형성된 면이다. 상기 제1 면 및 제 2면 각각의 길이(즉, 상기 에지 링(103)의 외측면으로부터 상기 제 3면까지의 거리 ; 이하에서는 이를 '상기 체결용 홈(103b)의 폭'이라 함)는 이하에서 설명될 체결용 돌기의 제1 면 및 제 2면 각각의 높이(이하에서는 이를 '체결용 돌기(105a)의 폭'이라 함)와 대체로 일치하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 에지 링(103)이 상기 서포팅 실린더(105)의 상부에 체결되는 경우 상기 체결용 홈(103b)의 폭과 상기 체결용 돌기(105a)의 폭이 일치하는 경우가 급속 열처리 공정 진행시 상기 에지 링(103)이 고정되어 회전 불균형을 더욱 감소시킬 수 있기 때문이다.The edge ring 103 has a wafer seating portion 103a for seating the wafer 106 thereon and has a plurality of fastening grooves 103b at an edge thereof. During the rapid heat treatment process, the wafer 106 is seated on the wafer seating portion 103a. Four fastening grooves 103b may be formed along the outer surface of the edge ring 103 at equal intervals. The fastening groove 103b may have various cross-sections in the form of a rectangle, a circle, or the like. An example may have a rectangular cross section without one side as shown in FIG. 4. That is, the fastening groove 103b has a total of three surfaces. The first and second surfaces are surfaces perpendicular to the outer surface of the edge ring 103, and the third surface is the same direction as the outer surface of the edge ring 103 and is perpendicular to the first and second surfaces. It is a surface formed in the direction. The length of each of the first and second surfaces (that is, the distance from the outer surface of the edge ring 103 to the third surface; hereinafter referred to as the 'width of the fastening groove 103b') It is preferable that the height of each of the first surface and the second surface of the fastening protrusion (hereinafter referred to as 'width of the fastening protrusion 105a') to be described below generally coincides. When the edge ring 103 is fastened to the upper portion of the supporting cylinder 105, the width of the fastening groove 103b coincides with the width of the fastening protrusion 105a during the rapid heat treatment process. This is because the edge ring 103 can be fixed to further reduce rotational imbalance.

상기 서포팅 실린더(105)는 상기 에지 링(103)의 하부에 설치되어 상기 에지 링(103)에 회전력을 전달한다. 그리고, 상기 에지링(103)의 체결용 홈(103b)에 대 응되는 위치에 상기 체결용 홈(103b)에 결합되기 위한 체결용 돌기(105a)가 적어도 하나 이상 형성된다. 상기 체결용 돌기(105a)의 개수는 상기 체결용 홈(103b)의 개수에 일치하게 형성되는 것이 바람직하다. 상기 체결용 돌기(105a)는 단면이 상기 체결용 홈(103b)에 대응되게, 사각형, 원형 등의 다양한 형태로 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 단면이 사각형인 경우(실제로는 한 면은 곡면이므로 엄밀한 의미에서의 사각형은 아닐 수 있다), 5 개의 면으로 구성된다. 제 1, 2면은 상기 체결용 홈(103b)의 제 1, 2면과 접하게 되는 면이고, 제 3면은 상기 체결용 홈(103b)의 제 3면과 접하게 되는 면이다. 그리고, 제 4면은 상부로 향하여 상기 에지 링(103)의 상부면과 같은 방향을 유지하는 면이다. 제 5면은 상기 서포팅 실린더(105)의 외측면과 동일한 방향으로 형성된 면이다. 상기 제 5면은 상기 서포팅 실린더(105)의 외측면에 연장되어져 일체로 형성되는 것이 상기 체결용 돌기(105a)의 내구성 측면에서 유리하여 바람직하다. 또한, 상기 에지 링(103)과 상기 체결용 홈(103b)의 체결시, 상기 체결용 돌기(103b)는 상기 체결용 홈(103b)에 밀착되는 것이 바람직하다.The supporting cylinder 105 is installed below the edge ring 103 to transmit rotational force to the edge ring 103. In addition, at least one fastening protrusion 105a for coupling to the fastening groove 103b is formed at a position corresponding to the fastening groove 103b of the edge ring 103. The number of the fastening protrusions 105a is preferably formed to match the number of the fastening grooves 103b. The fastening protrusion 105a may have a cross section corresponding to the fastening groove 103b, and may be formed in various shapes such as a rectangle and a circle. As shown in FIG. 4, when the cross section is a quadrangle (actually, one side may be a curved surface, and thus may not be a square in a strict sense), it is composed of five sides. The first and second surfaces are in contact with the first and second surfaces of the fastening groove 103b, and the third surface is in contact with a third surface of the fastening groove 103b. And, the fourth surface is a surface that maintains the same direction as the upper surface of the edge ring 103 toward the top. The fifth surface is a surface formed in the same direction as the outer surface of the supporting cylinder 105. The fifth surface is advantageously extended from the outer surface of the supporting cylinder 105 to be integrally formed in terms of durability of the fastening protrusion 105a. In addition, when the edge ring 103 and the fastening groove 103b are fastened, the fastening protrusion 103b may be in close contact with the fastening groove 103b.

그리하여, 공정 진행시 서포팅 실린더와 에지 링 간의 틈으로 인한 회전 불균형으로 공정 불량 또는 웨이퍼의 손상 등의 문제가 발생되는 것을 감소 또는 최소화할 수 있게 된다.Thus, it is possible to reduce or minimize the occurrence of problems such as process failure or damage to the wafer due to rotational imbalance due to the gap between the supporting cylinder and the edge ring during the process.

본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 장치의 공정 챔버는 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에 게는 자명한 사실이라 할 것이다. Process chamber of the rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment, it can be variously designed and applied within the scope without departing from the basic principles of the present invention is usually in the art To those who have the knowledge of God, it will be self-evident.

상술한 바와 같이 본 발명은 개선된 서포팅 실린더 및 에지 링을 구비한 급속 열처리 장치의 공정 챔버를 제공함으로써, 종래 급속 열처리 장치에서의 공정 진행시 회전 불균형 문제를 감소시키는 효과를 갖는다.As described above, the present invention provides the process chamber of the rapid heat treatment apparatus having the improved supporting cylinder and the edge ring, thereby reducing the rotational imbalance problem during the process in the conventional rapid heat treatment apparatus.

특히, 본 발명은 종래 급속 열처리 장치에서 서포팅 실린더와 에지 링 간이 별도의 결합 수단에 의해 고정되어 있지 않아 서포팅 실린더 하부의 회전 기판이 회전할 경우 상기 서포팅 실린더와 에지 링의 사이에 틈이 발생되어 회전 불균형을 야기하는 문제를 개선하는 효과를 갖는다.In particular, the present invention is not fixed by a separate coupling means between the supporting cylinder and the edge ring in the conventional rapid heat treatment apparatus, when the rotating substrate is rotated under the supporting cylinder, the gap is generated between the supporting cylinder and the edge ring to rotate It has the effect of improving the problem causing the imbalance.

또한, 본 발명은 종래 급속 열처리 장치에서의 공정 진행시 웨이퍼가 에지 링의 웨이퍼 안착부에서 이탈되어 공정 챔버의 내측 벽면과 충돌하여 웨이퍼가 부서지거나 손상되는 문제를 개선하는 효과를 갖는다.In addition, the present invention has an effect of improving the problem that the wafer is broken from the wafer seating portion of the edge ring during the process in the conventional rapid heat treatment apparatus and collides with the inner wall surface of the process chamber to break or damage the wafer.

Claims (5)

급속 열처리 장치의 공정 챔버에 있어서,In the process chamber of the rapid heat treatment apparatus, 웨이퍼를 상부에 안착시키기 위한 안착부를 구비하며 테두리에 적어도 하나 이상의 체결용 홈을 구비하는 에지 링; 및An edge ring having a seating portion for seating the wafer thereon and having at least one fastening groove at an edge thereof; And 상기 에지 링의 하부에 설치되어 상기 에지 링에 회전력을 전달하며 상기 에지 링의 체결용 홈에 대응되는 위치에 상기 체결용 홈에 결합되기 위한 체결용 돌기가 상기 체결용 홈의 개수와 동일한 개수로 형성된 서포팅 실린더를 구비함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 공정 챔버.Is installed in the lower portion of the edge ring for transmitting the rotational force to the edge ring and the fastening projection for coupling to the fastening groove in the position corresponding to the fastening groove of the edge ring in the same number as the number of the fastening groove Process chamber of the rapid heat treatment apparatus characterized in that it comprises a supporting cylinder formed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 체결용 홈은 상기 에지 링의 바깥 면을 따라 동일한 간격으로 네 개로 형성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 공정 챔버.The fastening groove is a process chamber of the rapid heat treatment apparatus, characterized in that formed in four at equal intervals along the outer surface of the edge ring. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 체결용 돌기는 상기 체결용 홈에 대응되게 상기 서포팅 실린더의 상부에 네 개로 형성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 공정 챔버.The fastening protrusion has four process chambers, characterized in that formed in the upper portion of the supporting cylinder to correspond to the fastening groove. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 에지 링과 상기 체결용 홈의 체결시 상기 체결용 돌기는 상기 체결용 홈에 밀착되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 공정 챔버.The fastening protrusion is a process chamber of the rapid heat treatment apparatus characterized in that the fastening projection is in close contact with the fastening groove when the edge ring and the fastening groove. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 체결용 돌기는 상기 서포팅 실린더와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 공정 챔버. The fastening protrusion is a process chamber of the rapid heat treatment apparatus, characterized in that formed integrally with the supporting cylinder.
KR1020050070858A 2005-08-03 2005-08-03 Process chamber of rapid thermal processor KR20070016312A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070858A KR20070016312A (en) 2005-08-03 2005-08-03 Process chamber of rapid thermal processor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070858A KR20070016312A (en) 2005-08-03 2005-08-03 Process chamber of rapid thermal processor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070016312A true KR20070016312A (en) 2007-02-08

Family

ID=43650508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050070858A KR20070016312A (en) 2005-08-03 2005-08-03 Process chamber of rapid thermal processor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070016312A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210154516A (en) 2020-06-12 2021-12-21 오중균 ANPR with Deep Learning
KR102562892B1 (en) * 2022-12-29 2023-08-03 주식회사 기가레인 Electrostatic chuck unit and plasma etching apparatus having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210154516A (en) 2020-06-12 2021-12-21 오중균 ANPR with Deep Learning
KR102562892B1 (en) * 2022-12-29 2023-08-03 주식회사 기가레인 Electrostatic chuck unit and plasma etching apparatus having the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4404481B2 (en) Vacuum processing system, wafer handler and end effector
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
WO2001084622A1 (en) Wafer supporting device of semiconductor manufacturing device
JP2005191585A (en) Semiconductor wafer boat
WO2000026961A1 (en) Wafer support device in semiconductor manufacturing device
KR20070016312A (en) Process chamber of rapid thermal processor
KR100920384B1 (en) Lift pin module of fpd manufacturing machine
KR101421645B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20150050305A (en) Plasma processing apparatus
KR20060007222A (en) Apparatus for treating semiconductor substrates
KR20060082486A (en) Wafer cooling apparatus
JP2001176811A (en) Wafer support device
KR100790721B1 (en) Process chamber in rapid thermal processing system
JP2004071618A (en) Substrate treating device
JP2003243319A (en) Boat for heat treatment and vertical thermal treatment equipment
KR100933034B1 (en) Baking device
KR20060032088A (en) Wafer lift unit of semiconductor manufacturing apparatus
JP5218039B2 (en) Vapor growth equipment
JPH10229114A (en) Substrate heating device
CN218585946U (en) Sheet-arranging device and processing system
KR200189335Y1 (en) Semiconductor wafer guider of rapid thermal processing apparatus
KR20070025092A (en) Lift finger of wafer lift unit
JP2000106349A (en) Wafer supporter
KR101099308B1 (en) Rapid thermall processing apparatus
JP2000286326A (en) Substrate treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination