KR20070001640A - Semiconductor cleaning apparatus for cleaning back sides of semiconductor wafers - Google Patents

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KR20070001640A
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최민호
박성욱
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Abstract

Semiconductor cleaning equipment for cleaning a back side of a semiconductor wafer is provided to prevent the damage of a front side of the wafer due to a contact by separating a center of the front side of the wafer from an upper side of a chuck. A process chamber(100) has an inner space. A plasma generating unit(140) generates plasma in the process chamber. A gas injection unit injects a cleaning gas into the process chamber. A chuck(110) is arranged in the process chamber. The chuck is loaded so that a back side of a wafer(W) faces upward. The back side of the wafer is cleaned by using the plasma cleaning gas. A center of a front side of the loaded wafer is separated from an upper surface of the chuck. A placing surface(112) where an edge of the front side of the wafer is placed is arranged on the upper surface of the chuck. The upper surface of the chuck located in the placing surface is separated from the center of the front side of the loaded wafer.

Description

반도체 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 반도체 세정 장비{SEMICONDUCTOR CLEANING APPARATUS FOR CLEANING BACK SIDES OF SEMICONDUCTOR WAFERS}Semiconductor cleaning equipment for cleaning the back of semiconductor wafers {SEMICONDUCTOR CLEANING APPARATUS FOR CLEANING BACK SIDES OF SEMICONDUCTOR WAFERS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 장비를 보여주는 도면이다.1 is a view illustrating a semiconductor cleaning device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 척을 보여주는 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view showing the chuck of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1의 웨이퍼 이송 수단을 보여주는 도면이다.3 is a view showing the wafer transfer means of FIG.

본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 반도체 장비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 뒷면(back side)을 세정하는 반도체 세정 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor equipment used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to semiconductor cleaning equipment for cleaning the back side of a wafer.

반도체 소자의 제조하는 공정들을 수행할때, 웨이퍼에는 여러 종류의 오염원들이 발생될 수 있다. 오염원들은 반도체 소자에 직접 영향을 주어 패턴 불량들을 유발시키거나, 반도체 공정 자체의 불량을 유발시켜 생산성을 저하시키는 요인들로 작용된다. 오염원들은 파티클(particle)성 오염원, 스크래치(scratch)성 오염원 또는 화학적 오염원등으로 구분될 수 있다.When performing processes for manufacturing a semiconductor device, various kinds of contamination sources may be generated on the wafer. The pollutants directly affect the semiconductor device to cause pattern defects or to cause a defect in the semiconductor process itself, thereby acting as a factor that lowers productivity. The contaminants may be classified into particle contaminants, scratch contaminants or chemical contaminants.

이러한 오염원들은 웨이퍼의 앞면 뿐만 아니라 웨이퍼의 뒷면에도 발생될 수 있다. 웨이퍼의 뒷면에 발생되는 오염원들도 반도체 소자의 불량을 초래할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼의 뒷면에 파티클성 오염원들이 존재하는 경우, 포토리소그라피 공정을 진행하는 동안에 포커스(focus) 불량을 유발시켜 반도체 소자내 패턴 불량을 유발시킬 수 있다.These contaminants can occur on the back of the wafer as well as on the front of the wafer. Pollutants generated on the back side of the wafer may also cause defects in the semiconductor device. For example, when particle contaminants are present on the back side of the wafer, a focus defect may occur during the photolithography process, thereby causing a pattern defect in the semiconductor device.

반도체 소자의 고집적화 경향에 따라, 포토리소그라피 공정의 공정 마진도 매우 감소되고 있다. 이러한 상황들에 의하여 웨이퍼의 뒷면으로 부터 제어되어야할 파티클성 오염원들의 크기도 점점 감소되고 있다. 즉, 고집적화가 심화됨에 따라, 웨이퍼의 뒷면에 발생된 매우 미세한 파티클성 오염원들도 반도체 공정의 불량을 초래할 수도 있다.Due to the high integration trend of semiconductor devices, the process margin of the photolithography process is also greatly reduced. Due to these circumstances, the size of the particle contaminants to be controlled from the back side of the wafer is also gradually reduced. In other words, as the high integration increases, even very fine particle contaminants generated on the back side of the wafer may cause defects in the semiconductor process.

이러한 이유들로 인하여, 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 것에 대한 관심이 점점 높아지고 있다. 일반적으로 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 방법은 습식 세정법을 주로 사용하고 있다. 습식 세정법이란 세정용액이 들어있는 배스(bath)에 웨이퍼를 담구어 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 방법을 말한다. 하지만, 이러한 습식 세정법은 공정 시간이 상당히 길어 생산성을 저하시킬 수 있다. 또한, 습식 세정법으로 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 경우, 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면도 세정 용액에 노출됨으로써, 반도체 소자들이 세정 용액에 영향을 받아 반도체 소자의 불량이 초래될 수 있다. 이에 따라, 습식 세정법으로 웨이퍼의 뒷면을 세정하는 것은 여러가지의 제약이 발생되어 적용하는 것이 매우 한정적일 수 있다.For these reasons, there is an increasing interest in cleaning the back side of the wafer. In general, a wet cleaning method is mainly used to clean the back side of the wafer. The wet cleaning method refers to a method of cleaning the back side of a wafer by dipping the wafer in a bath containing a cleaning solution. However, such a wet cleaning method may take a long time to reduce productivity. In addition, when the back surface of the wafer is cleaned by the wet cleaning method, the front surface of the wafer on which the semiconductor devices are formed is also exposed to the cleaning solution, whereby the semiconductor devices may be affected by the cleaning solution, resulting in a defect of the semiconductor device. Accordingly, the cleaning of the back side of the wafer by the wet cleaning method may be very limited due to various restrictions.

본 발명은 상술한 제반적인 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자들이 형성되는 웨이퍼의 앞면에 대 한 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 효율적으로 세정할 수 있는 반도체 세정 장비를 제공하는데 있다.The present invention has been devised to solve the above-mentioned general problems, and the technical problem to be achieved by the present invention is to minimize the influence on the front side of the wafer on which semiconductor elements are formed and to efficiently clean the back side of the wafer. To provide a semiconductor cleaning equipment.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 반도체 세정 장비를 제공한다. 이 장비는 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 수단, 상기 공정 챔버내로 세정 가스를 분사하는 가스 분사구, 및 상기 공정 챔버 내에 배치되되, 웨이퍼의 뒷면(back side)이 위로 향하게 로딩되는 척(chuck)을 포함한다. 플라즈마화된 상기 세정 가스를 이용하여 상기 웨이퍼의 뒷면을 세정하고, 상기 로딩된 웨이퍼의 앞면의 중앙부는 상기 척의 상부면과 이격된다.It provides a semiconductor cleaning equipment for solving the above technical problem. The equipment is arranged in a process chamber having an interior space, plasma generating means for generating a plasma in the process chamber, a gas nozzle for injecting a cleaning gas into the process chamber, and within the process chamber, the back side of the wafer being It includes a chuck that is loaded upward. The backside of the wafer is cleaned using the plasma cleaning gas, and a central portion of the front surface of the loaded wafer is spaced apart from the top surface of the chuck.

구체적으로, 상기 척의 상부면에 상기 웨이퍼의 앞면의 가장자리가 놓여지는 거치면(据置面)이 배치될 수 있다. 이 경우에, 상기 거치면 내측에 위치하는 상기 척의 상부면은 상기 거치면 보다 낮아 상기 로딩된 웨이퍼의 앞면의 중앙부와 이격될 수 있다. 상기 척은 상기 거치면 상에 배치된 복수개의 갭 돌출부들을 더 포함할 수 있다. 상기 갭 돌출부들은 옆으로 이격되어 있으며, 상기 웨이퍼의 앞면의 가장자리는 상기 갭 돌출부들과 접촉한다. 상기 척은 상기 거치면의 외측에 배치된 보호부를 더 포함할 수 있다. 상기 보호부는 상기 거치면 보다 높게 위로 연장되며, 상기 로딩된 웨이퍼의 측면을 적어도 일부를 커버(cover)한다. 상기 세정 장비는 상기 공정 챔버의 내부 및 외부간에 상기 웨이퍼를 이동시키는 웨이퍼 이송 수단을 더 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 이송 수단은 웨이퍼의 뒷면에 고정되는 고정 부를 갖는다. 상기 웨이퍼 이송 수단은 상기 고정부를 사용하여 상기 웨이퍼의 앞면이 상기 척의 상부면을 향하도록 상기 척에 로딩시킨다.Specifically, a mounting surface on which an edge of the front surface of the wafer is placed may be disposed on an upper surface of the chuck. In this case, the upper surface of the chuck located inside the mounting surface may be lower than the mounting surface and may be spaced apart from the central portion of the front surface of the loaded wafer. The chuck may further include a plurality of gap protrusions disposed on the mounting surface. The gap protrusions are laterally spaced apart, and the front edge of the wafer contacts the gap protrusions. The chuck may further include a protection unit disposed outside the mounting surface. The protection portion extends higher than the passivation portion and covers at least a portion of the side of the loaded wafer. The cleaning equipment may further comprise wafer transfer means for moving the wafer between the interior and exterior of the process chamber. The wafer transfer means has a fixing portion fixed to the back side of the wafer. The wafer transfer means uses the fixing portion to load the chuck so that the front surface of the wafer faces the top surface of the chuck.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 장비를 보여주는 도면이며, 도 2는 도 1의 척을 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 1의 웨이퍼 이송 수단을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor cleaning equipment according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view showing the chuck of Figure 1, Figure 3 is a view showing the wafer transfer means of FIG.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 세정 장비는 세정 공정이 수행되는 내부 공간을 갖는 공정 챔버(100)를 포함한다. 상기 공정 챔버(100)내에는 척(110)이 배치되고, 상기 공정 챔버(100)의 일측벽에는 웨이퍼(W)의 출입을 위한 웨이퍼 출입구가 형성되어 있다. 상기 웨이퍼 출입구는 개폐 수단(120)에 의하여 오픈(open) 및 클로즈(close)된다.1, 2 and 3, the semiconductor cleaning equipment includes a process chamber 100 having an internal space in which a cleaning process is performed. The chuck 110 is disposed in the process chamber 100, and a wafer entrance and exit for entering and exiting the wafer W is formed at one side wall of the process chamber 100. The wafer entrance is opened and closed by the opening and closing means 120.

상기 공정 챔버(100)의 외부에는 플라즈마 생성 수단(140)이 배치된다. 상기 플라즈마 생성 수단(140)은 상기 공정 챔버(100)의 외벽을 복수번 둘러싸는 코일 형태일 수 있다. 상기 공정 챔버(100)내에 상기 척(110)의 상부로 세정 가스들을 분사하는 가스 분사구(130)가 배치된다. 상기 척(110)의 상부로 세정 가스들을 균일하게 분사하기 위하여 상기 공정 챔버(100)내에는 복수개의 가스 분사구들(130)이 균일한 간격으로 배치될 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 공정 챔버(100)에는 챔버내 잔류 가스등을 배출하기 위한 가스 배출관이 배치된다.Plasma generating means 140 is disposed outside the process chamber 100. The plasma generating means 140 may be in the form of a coil surrounding the outer wall of the process chamber 100 a plurality of times. In the process chamber 100, a gas injection hole 130 for injecting cleaning gases into the upper portion of the chuck 110 is disposed. In order to uniformly inject cleaning gases to the upper portion of the chuck 110, a plurality of gas injection holes 130 may be disposed in the process chamber 100 at uniform intervals. Although not shown, the process chamber 100 is provided with a gas discharge pipe for discharging residual gas in the chamber.

상기 척(110)에는 웨이퍼(W)가 로딩된다. 이때, 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 앞면(151)은 아래로 향하고, 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 뒷면(152)은 위로 향한다. 즉, 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)은 상기 척(110)의 상부면(top surface)과 마주보며, 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)은 상기 척(110)의 상부(over)를 향한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)이 노출된다.The chuck 110 is loaded with a wafer (W). In this case, the front surface 151 of the loaded wafer W faces downward, and the back surface 152 of the loaded wafer W faces upward. That is, the front surface 151 of the wafer W faces the top surface of the chuck 110, and the rear surface 152 of the wafer W is over the chuck 110. Heads up. Accordingly, the back surface 152 of the wafer W is exposed.

상기 척(110)의 상부면에는 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 가장자리가 놓여지는 거치면(112, 据置面)이 배치된다. 상기 웨이퍼(W)가 원형일때, 상기 거치면(112)은 평면적으로 링(ring) 형태를 갖는다. 상기 거치면(112) 내측의 상기 척(110)의 상부면(114)은 상기 거치면(112)에 비하여 낮은 것이 바람직하다. 상기 거치면(112) 내측의 상기 척(110)의 상부면(114)을 상기 척(110)의 중앙 상부면(114)이라 정의한다. 상기 중앙 상부면(114)이 상기 거치면(112)에 비하여 낮음에 따라, 상기 척(110)의 중앙부에는 함몰 영역이 배치된다. 이러한 척(110)의 형태에 의하여 상기 웨이퍼(W)가 상기 척(110)에 로딩될때, 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 가장자리는 상기 거치면(112)에 놓여지고, 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 중앙부는 상기 척(110)의 중앙 상부면(114)과 이격된다. 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 중앙부는 반도체 소자들이 형성되는 영역에 해당한다.On the upper surface of the chuck 110, a mounting surface 112 on which the edge of the front surface 151 of the wafer W is placed is disposed. When the wafer W is circular, the mounting surface 112 has a ring shape in plan view. The upper surface 114 of the chuck 110 inside the mounting surface 112 is preferably lower than the mounting surface 112. An upper surface 114 of the chuck 110 inside the mounting surface 112 is defined as a central upper surface 114 of the chuck 110. As the central upper surface 114 is lower than the mounting surface 112, a recessed area is disposed in the central portion of the chuck 110. When the wafer W is loaded on the chuck 110 by the shape of the chuck 110, the edge of the front surface 151 of the wafer W is placed on the mounting surface 112, and the wafer W The central portion of the front surface 151 of the) is spaced apart from the central upper surface 114 of the chuck 110. The central portion of the front surface 151 of the wafer W corresponds to a region where semiconductor elements are formed.

상기 거치면(112) 외측의 상기 척(110)의 상부면에 보호부(116)가 배치된다. 상기 보호부(116)는 상기 거치면(112) 보다 높게 위로 연장되어 있다. 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 측면의 적어도 일부는 상기 보호부(116)에 의해 커버(cover)된다. 이로써, 상기 로딩된 웨이퍼(W)가 상기 척(110)으로 부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.The protection part 116 is disposed on the upper surface of the chuck 110 outside the mounting surface 112. The protection part 116 extends higher than the mounting surface 112. At least a portion of the side of the loaded wafer W is covered by the protection part 116. As a result, the loaded wafer W may be prevented from being separated from the chuck 110.

상기 거치면(112) 상에 서로 이격된 복수개의 갭 돌출부들(118)이 배치될 수 있다. 상기 갭 돌출부들(118)은 서로 균일한 간격으로 이격되는 것이 바람직하다. 상기 갭 돌출부들(118)이 존재하는 경우, 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 가장자리는 상기 갭 돌출부들(118)과 접촉한다. 이에 따라, 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 앞면(151)과 상기 척(110)간의 접촉 면적을 감소시킬 수 있다. 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 앞면(151)은 반도체 소자들이 형성되는 면임으로, 상기 척(110)과의 접촉 면적이 감소될수록 반도체 소자에 대한 영향을 최소화할 수 있다. 상기 갭 돌출부들(118)이 존재하는 경우에도, 상기 보호부(116)는 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 측면의 적어도 일부를 커버하는 것이 바람직하다.A plurality of gap protrusions 118 spaced apart from each other may be disposed on the mounting surface 112. The gap protrusions 118 are preferably spaced apart from each other at uniform intervals. When the gap protrusions 118 are present, the edge of the front surface 151 of the loaded wafer W is in contact with the gap protrusions 118. Accordingly, the contact area between the front surface 151 of the loaded wafer W and the chuck 110 may be reduced. Since the front surface 151 of the loaded wafer W is a surface on which semiconductor devices are formed, the influence on the semiconductor device may be minimized as the contact area with the chuck 110 decreases. Even when the gap protrusions 118 are present, the protection part 116 preferably covers at least a portion of the side surface of the loaded wafer W.

상기 반도체 세정 장비는 상기 공정 챔버(100)의 내부 및 외부간에 웨이퍼(W)를 이동시키는 웨이퍼 이송 수단(160)을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 웨이퍼 이송 수단(160)은 본체(164), 고정부(166) 및 상기 본체(164)와 상기 고정부(166)에 연결된 암(162, arm)을 포함한다. 상기 본체(164)는 수평 운동이 가능하다. 물론, 상기 본체(164)는 상하 운동을 할 수도 있다. 상기 고정부(166)는 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)에 부착되어 고정된다. 상기 고정부(166)는 진공압에 의하여 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)에 부착될 수 있다. 상기 암(162)은 상기 본체(164)를 기준으로 수직 회전 운동할 수 있다. 또한, 상기 암(162)은 상기 본체(164)를 기준으로 수평 회전 운동을 할 수도 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 이송 수단(160)은 윗면(151)이 위로 향한채로 상기 반도체 세정 장비에 이동된 웨이퍼(W)를 뒷면(152)이 위로 향하게 하여 상기 척(110) 상에 로딩시킬 수 있다.The semiconductor cleaning equipment may further include a wafer transfer means 160 for moving the wafer W between the inside and the outside of the process chamber 100. The wafer transfer means 160 includes a main body 164, a fixed part 166, and an arm 162 connected to the main body 164 and the fixed part 166. The main body 164 is capable of horizontal movement. Of course, the main body 164 may also move up and down. The fixing part 166 is attached to and fixed to the rear surface 152 of the wafer (W). The fixing part 166 may be attached to the rear surface 152 of the wafer W by vacuum pressure. The arm 162 may rotate vertically with respect to the body 164. In addition, the arm 162 may be horizontally rotated relative to the main body 164. Accordingly, the wafer transfer means 160 may load the wafer W, which has been moved to the semiconductor cleaning equipment, with the upper surface 151 facing upwards, with the rear surface 152 facing upward. .

상술한 구조의 반도체 세정 장비로 웨이퍼(W)의 뒷면을 세정하는 방법을 설명한다. 먼저, 상기 웨이퍼 이동 수단(160)는 윗면(151)이 위로 향한채 카셋트(미도시함)에 탑재된 웨이퍼(W)의 뒷면에 상기 고정부(166)를 고정시킨다. 이어서, 상기 본체(164)가 수평 이동하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 카셋트로부터 이탈시킨다. 상기 암(162)이 상기 본체(164)를 기준으로 수직 회전 운동하여 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)이 위로 향하게 한다. 이어서, 상기 본체(164)가 수평이동하여 상기 웨이퍼(W)를 상기 웨이퍼 출입구를 통하여 상기 척(110)에 로딩시킨다. 이어서, 상기 개폐 수단(120)으로 상기 웨이퍼 출입구를 닫는다. 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 뒷면(152)이 위로 향하고, 그것의 앞면(151)이 상기 척(110)의 상부면을 향한다. 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 가장자리는 상기 거치면(112) 또는 상기 갭 돌출부(118)와 접촉한다.A method of cleaning the back side of the wafer W with the semiconductor cleaning equipment having the above-described structure will be described. First, the wafer moving means 160 fixes the fixing part 166 to the rear surface of the wafer W mounted on the cassette (not shown) with the top surface 151 facing upward. Subsequently, the main body 164 moves horizontally to release the wafer W from the cassette. The arm 162 moves vertically with respect to the main body 164 so that the rear surface 152 of the wafer W faces upward. Subsequently, the main body 164 moves horizontally to load the wafer W into the chuck 110 through the wafer entrance and exit. Subsequently, the opening and closing means 120 closes the wafer entrance and exit. The back side 152 of the loaded wafer W faces upward, and its front side 151 faces the top side of the chuck 110. An edge of the front surface 151 of the wafer W is in contact with the mounting surface 112 or the gap protrusion 118.

이어서, 상기 가스 분사구(130)를 통하여 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 상부로 세정 가스들이 분사된다. 이때, 상기 플라즈마 생성 수단(140)에는 플라즈마 파워가 인가된다. 상기 척(110)에는 백바이어스 파워가 인가될 수 있다. 이에 따라, 상기 로딩된 웨이퍼(W) 상부의 세정 가스들은 플라즈마화된다. 상기 플라즈마화된 세 정 가스들은 상기 로딩된(loaded) 웨이퍼(W)의 노출된 뒷면(152)을 세정하여 오염원을 제거한다.Subsequently, cleaning gases are injected to the upper portion of the loaded wafer W through the gas injection hole 130. In this case, plasma power is applied to the plasma generating means 140. A back bias power may be applied to the chuck 110. Accordingly, the cleaning gases on the loaded wafer W are converted into plasma. The plasmalized cleaning gases clean the exposed backside 152 of the loaded wafer W to remove contaminants.

세정 공정이 완료한 후에, 상기 개폐 수단(120)에 의해 상기 웨이퍼 출입구가 오픈되고, 상기 웨이퍼 이송 수단(160)은 상기 고정부(166)를 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 뒷면(152)에 고정시켜 상기 웨이퍼(W)를 상기 공정 챔버(100) 외부로 인출한다. 이어서, 상기 웨이퍼 이송 수단(160)은 상기 암(162)이 수직 회전 운동을 하여 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)이 위로 향하게 한 후에, 카셋트(미도시함)에 웨이퍼(W)를 탑재시킨다.After the cleaning process is completed, the wafer entrance and exit is opened by the opening and closing means 120, and the wafer transfer means 160 moves the fixing part 166 to the rear surface 152 of the loaded wafer W. By fixing, the wafer W is taken out of the process chamber 100. Subsequently, the wafer transfer means 160 mounts the wafer W on a cassette (not shown) after the arm 162 makes a vertical rotational movement so that the front surface 151 of the wafer W faces upward. Let's do it.

상기 반도체 세정 장비는 플라즈마화된 세정 가스를 이용하여 웨이퍼(W)의 뒷면(152)을 세정한다. 이때, 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)은 상기 척(110)을 향한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼의 앞면(151)에 대한 세정 영향을 최소화함과 더불어 상기 웨이퍼(W)의 뒷면(152)의 세정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 중앙부는 상기 척(110)의 상부면과 이격됨으로써, 접촉에 의한 상기 웨이퍼(W)의 앞면(151)의 손상을 방지할 수 있다. 이에 더하여, 상기 세정은 건식 식각으로 수행됨으로써, 세정 시간을 대폭 감소시킬 수 있다.The semiconductor cleaning apparatus cleans the back side 152 of the wafer W using the plasma cleaning gas. In this case, the front surface 151 of the wafer W faces the chuck 110. Accordingly, the cleaning effect on the front surface 151 of the wafer may be minimized and the back surface 152 of the wafer W may be cleaned. In addition, the center portion of the front surface 151 of the wafer W is spaced apart from the upper surface of the chuck 110, thereby preventing damage to the front surface 151 of the wafer W due to contact. In addition, the cleaning may be performed by dry etching, thereby greatly reducing the cleaning time.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 세정 장비는 웨이퍼의 뒷면을 위로 향한채로 척에 로딩한 후에 플라즈마화된 세정 가스를 이용하여 웨이퍼의 뒷면을 세정한다. 이에 따라, 웨이퍼의 앞면에 대한 세정 영향을 최소화함과 더불어 웨이퍼의 뒷면을 세정할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 앞면의 중앙부는 상기 척의 상부면과 이격 됨으로써, 접촉에 의한 상기 웨이퍼의 앞면의 손상을 방지할 수 있다.As described above, the cleaning equipment according to the present invention cleans the back side of the wafer using plasma cleaning gas after loading the chuck with the back side facing up. Accordingly, the cleaning effect on the front side of the wafer can be minimized and the back side of the wafer can be cleaned. In addition, the central portion of the front surface of the wafer is spaced apart from the upper surface of the chuck, thereby preventing damage to the front surface of the wafer due to contact.

Claims (5)

내부 공간을 갖는 공정 챔버;A process chamber having an interior space; 상기 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 수단;Plasma generating means for generating a plasma in the process chamber; 상기 공정 챔버내로 세정 가스를 분사하는 가스 분사구; 및A gas injection hole for injecting a cleaning gas into the process chamber; And 상기 공정 챔버 내에 배치되되, 웨이퍼의 뒷면(back side)이 위로 향하게 로딩되는 척을 포함하되, 플라즈마화된 상기 세정 가스를 이용하여 상기 웨이퍼의 뒷면을 세정하고, 상기 로딩된 웨이퍼의 앞면의 중앙부는 상기 척의 상부면과 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장비.A chuck disposed in the process chamber, wherein the back side of the wafer is loaded upward, wherein the backside of the wafer is cleaned using the plasma cleaning gas, and a central portion of the front side of the loaded wafer Semiconductor cleaning equipment, characterized in that spaced apart from the upper surface of the chuck. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 척의 상부면에 상기 웨이퍼의 앞면의 가장자리가 놓여지는 거치면(据置面)이 배치되고, 상기 거치면 내측에 위치하는 상기 척의 상부면은 상기 거치면 보다 낮아 상기 로딩된 웨이퍼의 앞면의 중앙부와 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장비.A top surface of the wafer is placed on the top surface of the chuck is disposed, the top surface of the chuck located inside the mounting surface is lower than the mounting surface spaced apart from the central portion of the front surface of the loaded wafer Semiconductor cleaning equipment characterized by the above-mentioned. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 척은 상기 거치면 상에 배치된 복수개의 갭 돌출부들을 더 포함하되, 상기 갭 돌출부들은 옆으로 이격되어 있으며, 상기 웨이퍼의 앞면의 가장자리는 상기 갭 돌출부들과 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장비.The chuck further includes a plurality of gap protrusions disposed on the mounting surface, wherein the gap protrusions are laterally spaced apart, and the front edge of the wafer contacts the gap protrusions. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 척은 상기 거치면의 외측에 배치되되, 상기 거치면 보다 높게 위로 연장된 보호부를 더 포함하되, 상기 보호부는 상기 로딩된 웨이퍼의 측면의 적어도 일부를 커버(cover)하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장비.And the chuck is disposed outside the mounting surface and further includes a protection portion extending higher than the mounting surface, wherein the protection portion covers at least a portion of a side of the loaded wafer. 제 1 항 내지 제 4 항 중에 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 공정 챔버의 내부 및 외부간에 상기 웨이퍼를 이동시키되, 웨이퍼의 뒷면에 고정되는 고정부를 갖는 웨이퍼 이송 수단을 더 포함하되,Moving the wafer between the inside and outside of the process chamber, further comprising a wafer transfer means having a fixing portion fixed to the back of the wafer, 상기 웨이퍼 이송 수단은 상기 고정부를 사용하여 상기 웨이퍼의 앞면이 상기 척의 상부면을 향하도록 상기 척에 로딩시키는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장비.And the wafer transfer means loads the chuck using the fixing part so that the front surface of the wafer faces the upper surface of the chuck.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101399904B1 (en) * 2007-11-28 2014-05-30 오재영 Apparatus for cleaning substrate with plasma

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