KR20060108115A

KR20060108115A - Method of manufacturing a surface light source device

Info

Publication number: KR20060108115A
Application number: KR1020050030271A
Authority: KR
Inventors: 천호영; 전관구
Original assignee: 삼성코닝 주식회사
Priority date: 2005-04-12
Filing date: 2005-04-12
Publication date: 2006-10-17

Abstract

제조 시간을 크게 단축할 수 있는 면광원 장치의 제조 방법에 의하면, 내부에 방전 가스가 충진된 방전 공간이 마련되고 방전 공간에 인접하게 수은 게터가 배치된 광원 몸체의 외측 면에 도전성 페이스트를 도포한다. 수은 게터를 활성화시켜 수은 게터로부터 수은 가스를 발생시킨 뒤, 광원 몸체로부터 수은 게터를 제거한다. 이후, 광원 몸체를 가열하여, 방전 공간으로 수은 가스를 확산시킴과 동시에 도전성 페이스트를 경화시킨다. 이 경우, 도전성 페이스트는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 또는 이들의 조합으로 이루어진 것이 바람직하며 또한, 광원 몸체를 약 1시간동안 약 250℃까지 가열한 다음, 약 1시간동안 약 250℃로 유지한 후, 약 30분 동안 약 100℃로 냉각하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 수은 가스 확산 공정과 도전성 페이스트 경화 공정을 동시에 수행함으로써, 면광원 장치의 제조 시간을 크게 단축할 수 있다. According to the manufacturing method of the surface light source device which can shorten manufacturing time significantly, the electrically conductive paste is apply | coated to the outer surface of the light source body in which the discharge space filled with the discharge gas is provided inside, and the mercury getter is arrange | positioned adjacent to the discharge space. . The mercury getter is activated to generate mercury gas from the mercury getter and then removed from the light source body. Thereafter, the light source body is heated to diffuse the mercury gas into the discharge space and simultaneously cure the conductive paste. In this case, the conductive paste is preferably made of silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), or a combination thereof, and further, the light source body is heated to about 250 ° C. for about 1 hour and then for about 1 hour. After maintaining at about 250 ° C., cooling to about 100 ° C. for about 30 minutes is preferred. According to the present invention, by simultaneously performing the mercury gas diffusion process and the conductive paste curing process, the manufacturing time of the surface light source device can be greatly shortened.

Description

Method for manufacturing surface light source device {METHOD OF MANUFACTURING A SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE}

도 1a 내지 도 1n은 본 발명의 일 실시예에 따라 격벽 독립형 면광원 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.1A to 1N are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a barrier rib independent surface light source device according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2m은 본 발명의 다른 실시예에 따라 격벽 일체형 면광원 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.2A to 2M are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a barrier rib integrated surface light source device according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100, 300：제1 기판 101, 301：배기공100 and 300: 1st board | substrate 101 and 301: exhaust hole

102, 302：주입공 110, 310：제2 기판102, 302: Injection hole 110, 310: 2nd board | substrate

111, 311：초기 광원 몸체 112, 312：광원 몸체111, 311: Initial light source body 112, 312: Light source body

115, 315：방전 공간 120：격벽115, 315: discharge space 120: partition

130, 330：광 반사층 141, 341：제1 형광층130 and 330: light reflection layers 141 and 341: first fluorescent layer

142, 342：제2 형광층 150：밀봉 부재142 and 342: second fluorescent layer 150: sealing member

161：제1 실링용 프릿 162：제2 실링용 프릿161: frit for the first sealing 162: frit for the second sealing

170, 370：배기팁 180, 380：주입팁170, 370: Exhaust tip 180, 380: Injection tip

190, 390：수은 게터 200, 400：가열로190, 390: Mercury getter 200, 400: Heating furnace

210, 410：진공 펌프 212, 412：고주파 가열설비210, 410: vacuum pumps 212, 412: high frequency heating equipment

213, 413：가열 코일 220, 420：도전성 페이스트213 and 413: heating coil 220 and 420: conductive paste

320：격벽부 360：실링용 프릿320: partition wall 360: frit for sealing

본 발명은 면광원 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 면광원 장치의 방전 공간으로 수은을 주입하기 위해 수은 게터(getter)를 수용하는 팁(tip)과, 이러한 팁을 이용해서 면광원 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a surface light source device. More specifically, the present invention relates to a tip for receiving a mercury getter for injecting mercury into the discharge space of the surface light source device, and a method of manufacturing the surface light source device using the tip.

일반적으로, 액정(liquid crystal; LC)은 전기적 특성 및 광학적 특성을 함께 갖는다. 액정은 전기적 특성에 의해 전계의 방향에 대응하여 배열이 변경되고, 광학적 특성에 의해 배열에 대응하여 광의 투과율을 변경시킨다.In general, liquid crystals (LC) have both electrical and optical characteristics. The arrangement of the liquid crystal is changed in correspondence with the direction of the electric field by the electrical properties, and the transmittance of light is changed in response to the arrangement by the optical properties.

액정표시장치는 액정의 전기적 특성 및 광학적 특성을 이용하여 영상을 디스플레이 한다. 액정표시장치는 CRT 등에 비하여 부피가 매우 작고 무게가 가벼운 장점을 갖고, 이 결과 휴대용 컴퓨터, 통신 기기, 액정 TV(liquid crystal television receiver) 및 우주 항공 산업 등에 널리 사용되고 있다.The liquid crystal display displays an image using the electrical and optical characteristics of the liquid crystal. Liquid crystal displays have the advantages of being very small in volume and light in weight compared to CRTs, etc. As a result, they are widely used in portable computers, communication devices, liquid crystal television receivers, and aerospace industries.

액정을 제어하기 위해, 액정표시장치는 액정을 제어하는 액정 제어 파트(liquid crystal controlling part) 및 액정에 광을 공급하는 광 공급 파트(light supplying part)를 필요로 한다.In order to control the liquid crystal, a liquid crystal display device requires a liquid crystal controlling part for controlling the liquid crystal and a light supplying part for supplying light to the liquid crystal.

액정 제어 파트는 제 1 기판에 배치된 화소전극(pixel electrode), 제 2 기 판에 배치된 공통전극(common electrode) 및 화소전극과 공통전극의 사이에 개재된 액정을 포함한다. 화소전극은 해상도에 대응하여 다수개로 이루어지고, 공통전극은 화소전극과 대향하며 1개로 이루어진다. 각 화소전극에는 서로 다른 레벨을 갖는 화소전압(pixel voltage)을 인가하기 위해 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 연결되고, 공통전극에는 동일한 레벨의 레퍼런스 전압(reference voltage)이 인가된다. 화소 전극 및 공통전극은 도전성을 갖는 투명한 물질로 이루어진다.The liquid crystal control part includes a pixel electrode disposed on the first substrate, a common electrode disposed on the second substrate, and a liquid crystal interposed between the pixel electrode and the common electrode. The pixel electrode is formed in plural in correspondence with the resolution, and the common electrode is made of one and facing the pixel electrode. A thin film transistor (TFT) is connected to each pixel electrode to apply a pixel voltage having a different level, and a reference voltage of the same level is applied to the common electrode. The pixel electrode and the common electrode are made of a transparent material having conductivity.

광 공급 파트는 액정 제어 파트의 액정에 광을 공급한다. 광은 화소전극, 액정 및 공통전극을 순차적으로 통과한다. 이때, 액정을 통과한 영상의 표시 품질은 광 공급 파트의 휘도 및 휘도 균일성에 의하여 크게 좌우된다. 일반적으로 휘도 및 휘도 균일성이 높을수록 표시 품질은 양호해진다.The light supply part supplies light to the liquid crystal of the liquid crystal control part. Light sequentially passes through the pixel electrode, the liquid crystal, and the common electrode. In this case, the display quality of the image passing through the liquid crystal is greatly influenced by the luminance and luminance uniformity of the light supply part. In general, the higher the luminance and the uniformity of the luminance, the better the display quality.

종래 액정표시장치의 광 공급 파트는 막대 형상을 갖는 냉음극선관 방식 램프(cold cathode fluorescent lamp; CCFL) 또는 도트 형상을 갖는 발광 다이오드(light emitting diode; LED)가 주로 사용된다. 냉음극선관 방식 램프는 휘도가 높고 수명이 길으며, 백열등에 비하여 매우 작은 발열량을 갖는 장점을 갖는다. 한편, 발광 다이오드는 저소비전력 및 고휘도 장점을 갖는다. 그러나 종래 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드는 휘도 균일성이 취약한 단점을 갖는다.The light supply part of the conventional liquid crystal display device mainly uses a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) having a rod shape or a light emitting diode (LED) having a dot shape. Cold cathode ray tube type lamp has a high brightness, long life, and has the advantage of having a very low heat generation compared to incandescent lamps. On the other hand, the light emitting diode has advantages of low power consumption and high brightness. However, the conventional cold cathode ray tube lamps or light emitting diodes have a disadvantage in that the luminance uniformity is weak.

따라서 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드를 광원으로 갖는 광 공급 파트는 휘도 균일성을 증가시키기 위해 도광판(light guide panel; LGP), 확산 부재(diffusion member) 및 프리즘 시트(prism sheet) 등과 같은 광학 부재(optical member)를 포함한다. 이로 인해 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드를 사용 하는 액정표시장치는 광학 부재에 의한 부피 및 무게가 크게 증가되는 문제점을 갖는다.Therefore, a light supply part having a cold cathode ray tube lamp or a light emitting diode as a light source may have an optical member such as a light guide panel (LGP), a diffusion member, and a prism sheet to increase luminance uniformity. (optical member) is included. As a result, a liquid crystal display using a cold cathode ray tube lamp or a light emitting diode has a problem in that the volume and weight of the optical member are greatly increased.

이러한 문제점을 해소하기 위해, 평판 형태의 면광원 장치가 제시되었다. 면광원 장치는 크게 격벽 독립형과 격벽 일체형으로 구분할 수 있다.In order to solve this problem, a planar light source device has been proposed. The surface light source device can be largely divided into a partition independent type and a partition integral type.

격벽 독립형 면광원 장치는 제1 및 제2 기판을 포함한다. 다수개의 격벽들이 제1 및 제2 기판 사이에 배치된다. 격벽들은 등 간격으로 평행하게 배치되어, 제1 및 제2 기판 사이에 방전 공간이 형성된다. 제1 및 제2 기판의 가장자리 사이에는 밀봉 부재가 배치되어, 방전 공간들을 외부와 격리시킨다. 한편, 밀봉 부재는 실링용 프릿(frit)을 매개로 제1 및 제2 기판에 접합되며, 이 결과, 광원 몸체가 제조된다. The partition independent surface light source device includes a first and a second substrate. A plurality of partitions are disposed between the first and second substrates. The partitions are arranged in parallel at equal intervals to form a discharge space between the first and second substrates. A sealing member is disposed between the edges of the first and second substrates to isolate the discharge spaces from the outside. On the other hand, the sealing member is bonded to the first and second substrates via a sealing frit, and as a result, the light source body is manufactured.

광원 몸체의 방전 공간에는 방전 가스가 주입되며, 방전 가스에 전압을 인가하기 위한 전극이 제1 및 제2 기판의 양측 가장자리 외주면 또는 내부에 배치된다. 상기 전극들에 방전 전압이 인가되면, 방전 공간들 내부에서 장벽 방전이 발생되며, 방전에 의해 발생된 자외선은 형광층을 여기 시켜 가시 광을 발생시킨다.Discharge gas is injected into the discharge space of the light source body, and electrodes for applying a voltage to the discharge gas are disposed on the outer circumferential surfaces or inside both edges of the first and second substrates. When a discharge voltage is applied to the electrodes, a barrier discharge is generated in the discharge spaces, and the ultraviolet rays generated by the discharge excite the fluorescent layer to generate visible light.

종래에 면광원 장치를 제조하기 위하여, 방전 공간을 배기시킨 후, 방전 가스를 공급하는 방법은 다음과 같다. 제1 및 제2 팁(tip)을 광원 몸체에 형성된 배출공과 주입공에 각각 결합시킨다. 제1 팁은 배기 및 방전 가스 주입용이고, 제2 팁은 수은 가스 주입용으로 사용된다. 따라서 제2 팁에는 수은 게터(getter)가 내장된다.Conventionally, in order to manufacture a surface light source device, after discharging a discharge space, the method of supplying discharge gas is as follows. The first and second tips are coupled to the discharge and injection holes formed in the light source body, respectively. The first tip is for injection of exhaust and discharge gases and the second tip is for injection of mercury gas. Therefore, the mercury getter is embedded in the second tip.

제1 팁을 통해서 방전 공간을 진공 배기하여 면광원 장치 내부의 가스 및 불 순물을 제거한다. 이 경우, 진공 배기된 방전 공간으로 세정 가스를 주입한 뒤 다시 면광원 장치의 내부를 진공 배기하는 공정을 수 차례 반복적으로 수행한다. 이는 면광원 장치의 내부의 불순 가스 및 불순물을 완전히 제거하여 면광원 장치의 수명을 증대시키기 위함이다. The discharge space is evacuated through the first tip to remove gas and impurities inside the surface light source device. In this case, the step of repeatedly evacuating the inside of the surface light source device after injecting the cleaning gas into the vacuum-exhausted discharge space is repeated several times. This is to increase the life of the surface light source device by completely removing impurities and impurities inside the surface light source device.

방전 공간의 배기가 완료되면, 제1 팁을 통해서 방전 공간으로 방전 가스를 주입한다. 방전 가스의 주입이 완료되면 제1 팁을 가열하여 제1 기판으로부터 절단한다.When the discharge of the discharge space is completed, the discharge gas is injected into the discharge space through the first tip. When the injection of the discharge gas is completed, the first tip is heated and cut from the first substrate.

이어서, 제2 팁에 내장된 수은 게터를 가열하여, 수은 게터를 활성화시킨다. 이 결과, 수은 게터로부터 수은 가스가 방출된다. 방출된 수은 가스를 방전 공간에 균일하게 확산시키기 위하여, 수은 확산 공정을 수행한다. The mercury getter embedded in the second tip is then heated to activate the mercury getter. As a result, mercury gas is released from the mercury getter. In order to uniformly diffuse the released mercury gas into the discharge space, a mercury diffusion process is performed.

일반적으로 수은 확산 공정은, 광원 몸체를 제1 온도까지 가열하는 단계, 광원 몸체를 상기 제1 온도로 유지하는 단계, 및 광원 몸체를 제2 온도까지 냉각하는 단계로 구분된다. 수은 확산 공정은 총 약 2~3 시간정도 소요된다. Generally, the mercury diffusion process is divided into heating the light source body to a first temperature, maintaining the light source body at the first temperature, and cooling the light source body to a second temperature. The mercury diffusion process takes about 2-3 hours in total.

수은 확산 공정이 완료되면, 제1 팁과 마찬가지로 광원 몸체로부터 제2 팁을 가열하여 제거한다. When the mercury diffusion process is completed, the second tip is heated and removed from the light source body as in the first tip.

마지막으로, 제1 기판과 제2 기판의 양측 가장자리 외주면에 전극을 형성한다. 전극은 도전성 테이프를 부착하는 방식 또는 도전성 페이스트를 도포하는 방식으로 형성할 수 있다. 현재, 전극은 도전성 테이프 부착 방식보다 도전성 페이스트를 도포하는 방식으로 더 많이 제조되고 있다. Finally, electrodes are formed on the outer peripheral surfaces of both edges of the first substrate and the second substrate. The electrode can be formed by applying a conductive tape or applying a conductive paste. At present, more electrodes are manufactured by applying a conductive paste than by applying a conductive tape.

도전성 페이스트를 도포하여 전극을 형성할 경우, 소성 공정이 뒤따르게 된 다. 소성 공정은 도선성 페이스트에 열을 가하여 경화시키는 공정으로서, 일반적으로 도전성 페이스트를 제3 온도까지 가열하는 단계, 도전성 페이스트를 상기 제3 온도로 유지하는 단계, 및 도전성 페이스트를 제4 온도까지 냉각하는 단계로 구분된다. 소성 공정은 총 약 2~3 시간정도 소요된다. When the conductive paste is applied to form the electrode, the firing process follows. The firing process is a process of applying heat to the conductive paste to harden, generally heating the conductive paste to a third temperature, maintaining the conductive paste at the third temperature, and cooling the conductive paste to a fourth temperature. Are divided into stages. The firing process takes about 2-3 hours in total.

전술한 바와 같이, 종래의 면광원 장치 제조 방법에 의하면 수은 확산 공정과 도전성 페이스트의 소성 공정을 개별적으로 수행함으로써 면광원 장치의 제조 시간이 매우 길었다. 제조 시간은 생산 수율과 직결되어 제품 단가에 커다란 영향을 미치게 된다. 즉, 제조 시간이 길수록 생산 수율은 떨어지고, 제품 단가는 상승하게 된다. 이러함에도 불구하고, 제조 시간의 단축을 위한 대안 마련이 미약하여 이에 대한 대책마련이 시급한 실정이다. As described above, according to the conventional method of manufacturing the surface light source device, the manufacturing time of the surface light source device was very long by performing the mercury diffusion process and the firing process of the conductive paste separately. Manufacturing time is directly related to production yield, which greatly affects product cost. In other words, the longer the production time, the lower the production yield and the higher the product cost. In spite of this, it is urgent to prepare countermeasures for the provision of alternatives for shortening the manufacturing time.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점들을 해소하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 제조시간을 크게 단축할 수 있는 효율적인 면광원 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems described above, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an efficient surface light source device that can greatly shorten the manufacturing time.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 면광원 장치의 제조 방법에 따르면, 내부에 방전 공간이 마련되고 방전 공간에 인접하게 수은 게터가 배치된 광원 몸체의 외측 면에 도전성 페이스트를 도포한다. 수은 게터를 활성화시켜 수은 게터로부터 수은 가스를 발생시킨 뒤, 광원 몸체를 가열하여, 방전 공간으로 수은 가스를 확산시킴과 동시에 도전성 페이스트를 경화시킨다. 이 경우, 수은 가스를 확산시킴과 동시에 도전성 페이스트를 경화시키는 단계는, 광원 몸체를 제1 시간동안 제1 온도까지 가열한 다음, 제2 시간동안 제1 온도로 유지한 후, 제3 시간동안 제2 온도까지 냉각한다. 제1 및 제2 시간은 약 45분 내지 75분인 것이 바람직하며, 제3 시간은 약 20분 내지 40분인 것이 바람직하다. 제1 온도는 약 200 내지 300℃인 것이 바람직하고, 제2 온도는 약 50 내지 150℃인 것이 비람직하다. 또한, 도전성 페이스트는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 또는 이들의 조합으로 이루어진 것이 바람직하다. According to the method of manufacturing the surface light source device according to the preferred embodiment of the present invention in order to achieve the above object of the present invention, the discharge space is provided inside and the outside of the light source body in which the mercury getter is disposed adjacent to the discharge space. A conductive paste is applied to the surface. The mercury getter is activated to generate mercury gas from the mercury getter, and then the light source body is heated to diffuse the mercury gas into the discharge space and simultaneously cure the conductive paste. In this case, the step of diffusing the mercury gas and simultaneously curing the conductive paste includes heating the light source body to the first temperature for a first time, and then maintaining the first temperature for a second time, and then for a third time. Cool to 2 temperatures. Preferably, the first and second times are about 45 to 75 minutes and the third time is about 20 to 40 minutes. It is preferred that the first temperature is about 200 to 300 ° C, and the second temperature is about 50 to 150 ° C. In addition, the conductive paste is preferably made of silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), or a combination thereof.

본 발명에 따르면, 수은 가스 확산 공정과 도전성 페이스트 경화 공정을 동시에 수행함으로써, 면광원 장치의 제조 시간을 크게 단축할 수 있다. According to the present invention, by simultaneously performing the mercury gas diffusion process and the conductive paste curing process, the manufacturing time of the surface light source device can be greatly shortened.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 면광원 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a method of manufacturing a surface light source device according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the following embodiments.

우선, 도 1a를 참조하면, 제1 기판(100)에 배기공(101)과 주입공(102)을 천공한다. 이 경우, 제1 기판(100)은 유리 기판인 것이 바람직하다. First, referring to FIG. 1A, the exhaust hole 101 and the injection hole 102 are drilled in the first substrate 100. In this case, it is preferable that the first substrate 100 is a glass substrate.

배기공(101)과 주입공(102)은 제1 기판(100)의 양측 모서리 부분에 각각 형성한다. 바람직하게는, 배기공(101)과 주입공(102)을 제1 기판(100)에 대각선 방향 또는 수직 축선 방향으로 위치하도록 형성한다. The exhaust hole 101 and the injection hole 102 are respectively formed at both corners of the first substrate 100. Preferably, the exhaust hole 101 and the injection hole 102 are formed to be positioned in the diagonal direction or the vertical axis direction on the first substrate 100.

도 1b를 참조하면, 제1 기판(100) 상에 격벽들(120)을 형성한다. 격벽들 (120)은 제1 기판(100)과 동일한 재질인 것이 바람직하다. 또한, 격벽들(120)을 제1 기판(100) 상에 평행하게 사행 구조로 배열시키는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 1B, partition walls 120 are formed on the first substrate 100. The partition walls 120 are preferably made of the same material as the first substrate 100. In addition, it is preferable to arrange the partitions 120 in a meandering structure on the first substrate 100 in parallel.

도 1c를 참조하면, 제1 기판(100)과 격벽(120) 상에 광이 제1 기판(100)을 통해서 누설되지 않도록 반사하는 광 반사층(130)을 형성한다. Referring to FIG. 1C, a light reflection layer 130 is formed on the first substrate 100 and the partition wall 120 to reflect the light so as not to leak through the first substrate 100.

광 반사층(130)은 티타늄산화물(TiO₃) 또는 알루미늄산화물(Al₂O₃)로 이루어지는 것이 바람직하다. 광 반사층(130)은 화학 기상 증착 방법, 스프레이 도포법 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 제1 기판(100)과 격벽(120) 상에 형성할 수 있다. 이 경우, 광 반사층(130)이 배기공(101)과 주입공(102)을 폐쇄하지 않도록 한다. The light reflection layer 130 is preferably made of titanium oxide (TiO ₃ ) or aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ). The light reflection layer 130 may be formed on the first substrate 100 and the partition wall 120 using a chemical vapor deposition method, a spray coating method, or a sputtering method. In this case, the light reflection layer 130 does not close the exhaust hole 101 and the injection hole 102.

도 1d를 참조하면, 광 반사층(130) 상에 제1 형광층(141)을 형성한다. 이 경우에도, 제1 형광층(141)이 배기공(101)과 주입공(102)을 폐쇄하지 않도록 한다. 본 실시예에서는, 제1 기판(100)에 배기공(101)과 주입공(102)을 먼저 형성한 후, 광 반사층(130)과 제1 형광층(141)을 형성하는 것을 예시하였으나, 역의 순서도 가능하다. 즉, 먼저 제1 기판(100) 상에 광 반사층(130)과 제1 형광층(141)을 순차적으로 형성한 다음, 배기공(101)과 주입공(102)을 제1 형광층(141), 광 반사층(130) 및 제1 기판(100)을 관통하도록 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 1D, the first fluorescent layer 141 is formed on the light reflection layer 130. Also in this case, the first fluorescent layer 141 does not close the exhaust hole 101 and the injection hole 102. In the present exemplary embodiment, the exhaust hole 101 and the injection hole 102 are first formed in the first substrate 100, and then the light reflection layer 130 and the first fluorescent layer 141 are formed. The order of is also possible. That is, first, the light reflection layer 130 and the first fluorescent layer 141 are sequentially formed on the first substrate 100, and then the exhaust hole 101 and the injection hole 102 are formed in the first fluorescent layer 141. In addition, the light reflection layer 130 and the first substrate 100 may be formed to pass through.

도 1e를 참조하면, 제1 형광층(141) 상의 가장자리를 따라서 제1 실링용 프릿(161)을 형성한다. 이어서, 제1 실링용 프릿(161) 상에 밀봉 부재(150)를 형성한다. 다음으로, 밀봉 부재(150)와 격벽들(120) 상에 제2 실링용 프릿(162)을 형성한다. 이 경우, 제1 기판(100) 상에 밀봉 부재(150)를 먼저 형성한 다음, 격벽(120) 을 이후에 형성시킬 수도 있다.Referring to FIG. 1E, a first sealing frit 161 is formed along an edge on the first fluorescent layer 141. Next, the sealing member 150 is formed on the first sealing frit 161. Next, the second sealing frit 162 is formed on the sealing member 150 and the partition walls 120. In this case, the sealing member 150 may be first formed on the first substrate 100, and then the partition wall 120 may be formed later.

도 1f를 참조하면, 제1 기판(100) 상부에 배치되는 제2 기판(110)을 준비한다. 제2 기판(110)은 제1 기판(100)의 1/3 정도의 두께를 갖는 것을 선택하는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 1F, a second substrate 110 disposed on the first substrate 100 is prepared. It is preferable to select the second substrate 110 having a thickness about 1/3 of the first substrate 100.

이어서, 제2 기판(110) 상에 제2 형광층(142)을 일정 간격으로 형성한다. 이 경우, 제2 형광층(142)이 이후, 제1 기판(100)에 형성된 격벽(120) 사이에 위치하도록 형성한다. 즉, 제2 형광층(142)의 폭이 격벽들(120)의 간격과 실질적으로 동일하도록 형성한다. Next, the second fluorescent layer 142 is formed on the second substrate 110 at regular intervals. In this case, the second fluorescent layer 142 is formed to be located between the partition walls 120 formed on the first substrate 100. That is, the width of the second fluorescent layer 142 is formed to be substantially the same as the gap between the partition walls 120.

도 1g를 참조하면, 제2 기판(110)을 180ㅀ 반전시킨 상태에서, 제2 기판(110)을 제1 기판(100) 상에 접합한다. 이 경우, 제2 기판(110)은 제2 실링용 프릿(162)을 매개로 밀봉 부재(150)와 격벽들(120) 상에 접합된다. 이 결과, 전술한 바와 같이 제2 형광층(142)이 격벽들(120) 사이에 위치하게 되고, 제1 기판(100)과 제2 기판(110) 사이에 방전 공간(115)이 마련된다.Referring to FIG. 1G, the second substrate 110 is bonded onto the first substrate 100 while the second substrate 110 is inverted by 180 °. In this case, the second substrate 110 is bonded to the sealing member 150 and the partition walls 120 via the second sealing frit 162. As a result, as described above, the second fluorescent layer 142 is positioned between the partition walls 120, and a discharge space 115 is provided between the first substrate 100 and the second substrate 110.

격벽(120)들은 사행 구조로 배열된 경우, 방전 공간들(115)은 서로 연통된다. 또한, 방전 공간들(115)은 배기공(101)과 주입공(102)을 통해서 외부와도 연통된다. When the partition walls 120 are arranged in a meandering structure, the discharge spaces 115 communicate with each other. In addition, the discharge spaces 115 communicate with the outside through the exhaust hole 101 and the injection hole 102.

도 1h를 참조하면, 배기공(101)과 주입공(102)이 위를 향하도록 제2 기판(110)이 접합된 제1 기판(100)을 180ㅀ 반전시킨다. 이 상태에서, 배기공(101)에 배기팁(170)을, 주입공(102)에 주입팁(180)을 부착한다. 배기팁(170)과 주입팁(180)은 모두 양단이 개구된 관 형상을 갖는다. 이 경우, 주입팁(180)은 내측부에 걸림턱이 형성된 것을 선택할 수도 있다. 상술한 바와 같은 제조 공정 결과, 일측에 배기팁(170)이 형성되고 타측에 주입팁(180)이 형성된 초기 광원 몸체(111)가 완성된다. Referring to FIG. 1H, the first substrate 100 to which the second substrate 110 is bonded is inverted by 180 ° such that the exhaust hole 101 and the injection hole 102 face upwards. In this state, the exhaust tip 170 is attached to the exhaust hole 101 and the injection tip 180 is attached to the injection hole 102. Both the exhaust tip 170 and the injection tip 180 has a tubular shape with both ends open. In this case, the injection tip 180 may select that the locking step is formed on the inner side. As a result of the manufacturing process as described above, the exhaust tip 170 is formed on one side and the initial light source body 111 in which the injection tip 180 is formed on the other side is completed.

도 1i를 참조하면, 수은 게터(190)를 주입팁(180) 내에 삽입 배치한다. 이 경우, 수은 게터(190)는 주입공(102)과 실질적으로 동일하거나 조금 더 크다. 즉, 수은 게터(190)는 주입공(102)에 걸려서 더 이상 아래로 내려가지 않는다. Referring to FIG. 1I, the mercury getter 190 is inserted into the injection tip 180. In this case, the mercury getter 190 is substantially the same as or slightly larger than the injection hole 102. That is, the mercury getter 190 is caught by the injection hole 102 and does not go down anymore.

이어서, 주입팁(180)의 상부를 밀봉한다. 주입팁(180)을 밀봉하는 방법은 가스 불꽃을 이용해서 유리를 녹여서 밀봉하는 일반적인 방식이 채용될 수 있다.Then, the upper portion of the injection tip 180 is sealed. As a method of sealing the injection tip 180, a general method of melting and sealing the glass using a gas flame may be adopted.

도 1j를 참조하면, 배기팁(170)과 주입팁(180)이 아래를 향하도록 초기 광원 몸체(111)를 180ㅀ 반전시킨다.Referring to FIG. 1J, the initial light source body 111 is inverted by 180 ° such that the exhaust tip 170 and the injection tip 180 face downward.

이어서, 진공 펌프(210)와 같은 진공 설비를 배기팁(170)에 연결시킨다. 진공 펌프(210)를 가동시켜서, 초기 광원 몸체(111) 내의 불순물을 외부로 배출시킨다. 그런 다음, 배기팁(170)을 통해서 방전 가스를 방전 공간(115)으로 주입한다. 방전 가스 주입이 완료되면, 배기팁(170)을 제거한다. 배기팁(170)은 가열 방식으로 제거할 수 있다. A vacuum installation, such as vacuum pump 210, is then connected to the exhaust tip 170. The vacuum pump 210 is operated to discharge impurities in the initial light source body 111 to the outside. Then, the discharge gas is injected into the discharge space 115 through the exhaust tip 170. When the discharge gas injection is completed, the exhaust tip 170 is removed. The exhaust tip 170 may be removed by a heating method.

다르게는, 방전 공간(115)으로 방전 가스를 주입한 후에 배기팁(170)을 주입팁(180)을 밀봉한 것과 동일하게 밀봉한 뒤, 이후 주입팁(180)을 제거하는 시점에 배기팁(170)도 같이 제거할 수도 있다. Alternatively, after injecting the discharge gas into the discharge space 115, the exhaust tip 170 is sealed in the same manner as the injection tip 180 is sealed, and then the exhaust tip (at the time when the injection tip 180 is removed) 170 may also be removed.

상술한 바와 같은 제조 공정 결과, 내부에 방전 가스가 충진된 방전 공간(115)이 마련되고, 방전 공간(115)에 인접하게 수은 게터(190)가 배치된 광원 몸체 (112)가 완성된다. As a result of the manufacturing process described above, the discharge space 115 filled with the discharge gas is provided, and the light source body 112 in which the mercury getter 190 is disposed adjacent to the discharge space 115 is completed.

도 1k를 참조하면, 주입팁(180)을 고주파 가열설비(212)의 가열 코일(213)로 가열한다. 그러면, 주입팁(180)에 수용된 수은 게터(190)가 활성화(flashing)됨으로써, 수은 게터(190)로부터 수은 가스가 발생된다. 이 경우, 수은 가스는 방전 공간들(115)로 균일하게 확산되지는 못한다.Referring to FIG. 1K, the injection tip 180 is heated by the heating coil 213 of the high frequency heating facility 212. Then, the mercury getter 190 accommodated in the injection tip 180 is flashed to generate mercury gas from the mercury getter 190. In this case, the mercury gas does not spread evenly into the discharge spaces 115.

도 1l을 참조하면, 주입팁(180)을 가열하여 광원 몸체(112)로부터 제거한다. 이 경우, 주입팁(180)이 제1 기판(100)에 최대한 작은 두께로 잔존하도록 주입팁(180)을 가능한 많이 절단한다. 주입팁(180)을 절단 시, 수은 가스가 발생하고 남은 수은 게터(190)도 같이 제거된다. Referring to FIG. 1L, the injection tip 180 is heated to be removed from the light source body 112. In this case, the injection tip 180 is cut as much as possible so that the injection tip 180 remains in the first substrate 100 with the smallest possible thickness. When cutting the injection tip 180, mercury gas is generated and the remaining mercury getter 190 is also removed.

도 1m을 참조하면, 방전 공간(115)에 방전 전압을 인가하기 위한 전극을 형성하기 위하여, 광원 몸체(112)의 양측 외면에 도전성 페이스트(220)를 도포한다. 도전성 페이스트(220)는 유동성 재질로서, 열에 의하여 경화(소성 가공)된다. 이로써, 광원 몸체(112)의 외형에 대응하는 전극이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 1M, in order to form an electrode for applying a discharge voltage to the discharge space 115, conductive pastes 220 are coated on both outer surfaces of the light source body 112. The conductive paste 220 is a fluid material and is cured (baked) by heat. As a result, an electrode corresponding to the outer shape of the light source body 112 may be formed.

마지막으로 도 1n을 참조하면, 광원 몸체(112)를 가열로(200) 내에 반입한다. 도전성 페이스트(220)를 경화 온도 및 시간은 수은 가스를 방전 공간들(115)에 균일하게 확산시키기 위한 온도 및 시간과 상당부분 유사하다. 따라서 도전성 페이스트(220)를 경화시킴과 실질적으로 동시에 방전 공간들(115)에 수은 가스를 균일하게 확산시킬 수 있다. Finally, referring to FIG. 1N, the light source body 112 is loaded into the heating furnace 200. The curing temperature and time for the conductive paste 220 is substantially similar to the temperature and time for uniformly diffusing the mercury gas into the discharge spaces 115. Accordingly, mercury gas may be uniformly diffused in the discharge spaces 115 at the same time as the conductive paste 220 is cured.

도전성 페이스트(220)를 경화 온도 및 시간은 도전성 페이스트(220)의 종류 및 공정 조건에 따라서 달라질 수 있다. 이 경우, 수은 가스의 확산 온도 및 시간 과 유사한 경화 온도 및 시간을 갖는 도전성 페이스트(220)를 선택하는 것이 바람직하다. The curing temperature and time of the conductive paste 220 may vary depending on the type and process conditions of the conductive paste 220. In this case, it is preferable to select the conductive paste 220 having a curing temperature and time similar to the diffusion temperature and time of the mercury gas.

일반적인 방전 가스의 확산 온도 및 시간과 유시한 도전성 페이스트(220)로서는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트(220)가 있다. 이하, 일예로서 은(Ag)을 포함하는 도전성 페이스트(220)를 경화시키는 공정에 대하여 설명한다. As the conductive paste 220 similar to the diffusion temperature and time of a general discharge gas, there is a conductive paste 220 containing silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), or a combination thereof. Hereinafter, the process of hardening the electrically conductive paste 220 containing silver (Ag) as an example is demonstrated.

가열로(200)를 작동시켜 광원 몸체(112)를 약 45 내지 75분 동안 점차적으로 약 200 내지 300℃ 까지 가열한다. 이어서, 광원 몸체(112)를 약 45 내지 75분 동안 약 200 내지 300℃의 온도로 유지한다. 마지막으로, 약 20 내지 40분 동안 점차적으로 약 50 내지 150℃ 까지 냉각한다.The furnace 200 is operated to gradually heat the light source body 112 to about 200 to 300 ° C. for about 45 to 75 minutes. The light source body 112 is then maintained at a temperature of about 200-300 ° C. for about 45-75 minutes. Finally, gradually cool to about 50-150 ° C. for about 20-40 minutes.

바람직하게는, 광원 몸체(112)를 약 55 내지 65분 동안 점차적으로 약 240 내지 260℃ 까지 가열한다. 이어서, 광원 몸체(112)를 약 55 내지 65분 동안 약 240 내지 260℃의 온도로 유지한다. 마지막으로, 약 25 내지 35분 동안 점차적으로 약 90 내지 110℃ 까지 냉각한다.Preferably, the light source body 112 is gradually heated to about 240 to 260 ° C. for about 55 to 65 minutes. The light source body 112 is then maintained at a temperature of about 240 to 260 ° C. for about 55 to 65 minutes. Finally, gradually cool to about 90-110 ° C. for about 25-35 minutes.

보다 바람직하게는, 광원 몸체(112)를 약 60분 동안 점차적으로 약 250℃ 까지 가열한다. 이어서, 광원 몸체(112)를 약 60분 동안 약 250℃의 온도로 유지한다. 마지막으로, 약 30분 동안 점차적으로 약 100℃ 까지 냉각한다.More preferably, the light source body 112 is gradually heated to about 250 ° C. for about 60 minutes. The light source body 112 is then maintained at a temperature of about 250 ° C. for about 60 minutes. Finally, gradually cool to about 100 ° C. for about 30 minutes.

상술한 바와 같은, 가열 및 냉각 공정의 결과, 도전성 페이스트(220)가 소정의 강도를 갖도록 경화되어 전극으로 형성되고, 수은 가스가 방전 공간들(150)에 균일하게 확산된다. As described above, as a result of the heating and cooling process, the conductive paste 220 is cured to have a predetermined strength to be formed as an electrode, and mercury gas is uniformly diffused in the discharge spaces 150.

이미 전술한 바와 같이, 상술한 가열 및 냉각 공정의 조건은 단지 일예를 들어 설명한 것이며, 다르게 변형시킬 수도 있다. 만약, 도전성 페이스트(220)의 최적의 경화 조건과 수은 가스의 최적의 확산 조건이 상이할 경우, 당업자라면 도전성 페이스트(220)의 경화 조건 또는 수은 가스의 확산 조건을 유동적으로 변경시켜가며 바람직한 도전성 페이스트(220)의 경화 및 수은 가스의 확산 조건을 찾을 수 있을 것이다. As already mentioned above, the conditions of the heating and cooling process described above are just described as examples and may be modified differently. If the optimal curing conditions of the conductive paste 220 and the optimal diffusion conditions of the mercury gas are different, those skilled in the art will change the curing conditions of the conductive paste 220 or the diffusion conditions of the mercury gas in a fluid manner, and preferably Hardening and diffusion conditions of the mercury gas 220 may be found.

이미 전술한 바와 같이, 상술한 가열 및 냉각 공정의 조건은 단지 일예를 들어 설명한 것이며, 다르게 변형시킬 수도 있다. 따라서 도전성 페이스트(220)의 경화와 수은 가스의 확산을 동시에 실시하는 것은 모두 본 발명의 권리 범위에 속하는 것으로 간주할 수 있을 것이다. As already mentioned above, the conditions of the heating and cooling process described above are just described as examples and may be modified differently. Therefore, both the curing of the conductive paste 220 and the diffusion of the mercury gas may be regarded as falling within the scope of the present invention.

우선, 도 2a를 참조하면, 제1 기판(300)에 배기공(301)과 주입공(302)을 천공한다. 이 경우, 배기공(301)과 주입공(302)은 제1 기판(300)의 양측 모서리 부분에 각각 형성한다.First, referring to FIG. 2A, the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are drilled in the first substrate 300. In this case, the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are formed in both corner portions of the first substrate 300, respectively.

도 2b를 참조하면, 배기공(301)과 주입공(302)이 노출되도록, 제1 기판(300) 상에 광 반사층(330)을 형성한다. Referring to FIG. 2B, the light reflection layer 330 is formed on the first substrate 300 so that the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are exposed.

도 2c를 참조하면, 배기공(301)과 주입공(302)이 노출되도록, 제1 형광층(341)을 광 반사층(330) 상에 형성한다. 여기서, 본 실시예에서는, 제1 기판(300)에 배기공(301)과 주입공(302)을 먼저 형성한 후, 광 반사층(330)과 제1 형광층 (341)을 형성시키는 것으로 예시하였으나, 역의 순서도 가능하다. 즉, 먼저 제1 기판(300) 상에 광 반사층(330)과 제1 형광층(341)을 순차적으로 형성한 다음, 배기공(301)과 주입공(302)을 제1 형광층(341), 광 반사층(330) 및 제 1 기판(300)을 관통하도록 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 2C, the first fluorescent layer 341 is formed on the light reflection layer 330 so that the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are exposed. Here, in the present exemplary embodiment, the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are first formed in the first substrate 300, and then the light reflection layer 330 and the first fluorescent layer 341 are formed. Reverse order is also possible. That is, first, the light reflection layer 330 and the first fluorescent layer 341 are sequentially formed on the first substrate 300, and then the exhaust hole 301 and the injection hole 302 are formed in the first fluorescent layer 341. The light reflecting layer 330 and the first substrate 300 may be formed to penetrate through.

도 2d를 참조하면, 제1 기판(300) 상부에 배치되는 제2 기판(310)을 준비한다. 제2 기판(310)은 격벽부들(320)을 일체로 갖는다. 격벽부들(320)들은 제2 기판(310)의 밑면에 반원 형상의 공간을 형성한다. Referring to FIG. 2D, a second substrate 310 disposed on the first substrate 300 is prepared. The second substrate 310 has the partition walls 320 integrally. The partition portions 320 form a semicircular space on the bottom surface of the second substrate 310.

도 2e를 참조하면 제2 형광층(342)을 제2 기판(310)의 밑면에 형성한다. 즉, 격벽부(320)의 내면 전체를 따라 제2 형광층(342)을 형성한다.Referring to FIG. 2E, a second fluorescent layer 342 is formed on the bottom surface of the second substrate 310. That is, the second fluorescent layer 342 is formed along the entire inner surface of the partition 320.

도 2f를 참조하면, 실링용 프릿(360)을 격벽부(320)의 하단에 형성한다. Referring to FIG. 2F, a sealing frit 360 is formed at a lower end of the partition wall 320.

도 2g를 참조하면, 실링용 프릿(360)을 매개로 격벽부(320)의 하단을 제1 기판(300) 상에 접합시킨다. 이 결과, 격벽부들(320)의 사이에 복수개의 방전 공간들(315)이 형성된다. Referring to FIG. 2G, the lower end of the partition 320 is bonded to the first substrate 300 through the sealing frit 360. As a result, a plurality of discharge spaces 315 are formed between the partition walls 320.

도 2h를 참조하면, 배기공(301)과 주입공(302)이 위를 향하도록 제2 기판(310)이 접합된 제1 기판(300)을 180ㅀ 반전시킨다. 이러한 상태에서, 배기공(301)에 배기팁(370)을 주입공(302)에 주입팁(380)을 부착한다. 상술한 바와 같은 제조 공정 결과, 일측에 배기팁(370)이 형성되고 타측에 주입팁(380)이 형성된 초기 광원 몸체(311)가 완성된다.Referring to FIG. 2H, the first substrate 300 to which the second substrate 310 is bonded is inverted by 180 ° such that the exhaust hole 301 and the injection hole 302 face upward. In this state, the exhaust tip 370 is attached to the exhaust hole 301 and the injection tip 380 is attached to the injection hole 302. As a result of the manufacturing process as described above, the exhaust tip 370 is formed on one side and the initial light source body 311 in which the injection tip 380 is formed on the other side is completed.

도 2i를 참조하면, 수은 게터(390)를 주입팁(380) 내에 삽입 배치한다. 이 경우, 수은 게터(390)는 주입공(302)과 실질적으로 동일하거나 조금 더 크다. 즉, 수은 게터(390)는 주입공(302)에 걸려서 더 이상 아래로 내려가지 않는다. Referring to FIG. 2I, the mercury getter 390 is inserted into the injection tip 380. In this case, the mercury getter 390 is substantially the same as or slightly larger than the injection hole 302. That is, the mercury getter 390 is caught by the injection hole 302 and no longer descends.

도 2j를 참조하면, 배기팁(370)과 주입팁(380)이 아래를 향하도록 초기 광원 몸체(311)를 180ㅀ 반전시킨다. 이어서, 진공 펌프(410)와 같은 진공 설비를 배기팁(370)에 연결시킨다. 진공 펌프(310)를 가동시켜서, 초기 광원 몸체(311) 내의 불순물을 외부로 배출시킨다. 그런 다음, 배기팁(370)을 통해서 방전 가스를 방전 공간(315)으로 주입한다. 방전 가스 주입이 완료되면, 배기팁(370)을 제거한다. 배기팁(370)은 가열 방식으로 제거할 수 있다. Referring to FIG. 2J, the initial light source body 311 is inverted by 180 ° such that the exhaust tip 370 and the injection tip 380 face downward. A vacuum installation, such as vacuum pump 410, is then connected to the exhaust tip 370. The vacuum pump 310 is operated to discharge impurities in the initial light source body 311 to the outside. Then, the discharge gas is injected into the discharge space 315 through the exhaust tip 370. When the discharge gas injection is completed, the exhaust tip 370 is removed. The exhaust tip 370 may be removed by a heating method.

다르게는, 방전 공간(315)으로 방전 가스를 주입한 후에 배기팁(370)을 주입팁(380)을 밀봉한 것과 동일하게 밀봉한 뒤, 이후 주입팁(380)을 제거하는 시점에 배기팁(370)도 같이 제거할 수도 있다. Alternatively, after the discharge gas is injected into the discharge space 315, the exhaust tip 370 is sealed in the same manner as the sealing tip 380 is sealed, and then the exhaust tip 380 is removed at the time of removing the injection tip 380. 370 may also be removed.

상술한 바와 같은 제조 공정 결과, 내부에 방전 가스가 충진된 방전 공간(315)이 마련되고, 방전 공간(315)에 인접하게 수은 게터(390)가 배치된 광원 몸체(312)가 완성된다. As a result of the manufacturing process as described above, the discharge space 315 filled with the discharge gas is provided therein, and the light source body 312 in which the mercury getter 390 is disposed adjacent to the discharge space 315 is completed.

도 2k를 참조하면, 주입팁(380)을 고주파 가열설비(412)의 가열 코일(413)로 가열한다. 그러면, 주입팁(380)에 수용된 수은 게터(390)가 활성화되어 수은 게터(390)로부터 수은 가스가 발생된다. 이 경우, 수은 가스는 방전 공간들(315)로 균일하게 확산되지는 못한다. Referring to FIG. 2K, the injection tip 380 is heated by the heating coil 413 of the high frequency heating facility 412. Then, the mercury getter 390 accommodated in the injection tip 380 is activated to generate mercury gas from the mercury getter 390. In this case, the mercury gas does not spread evenly into the discharge spaces 315.

도 2l을 참조로, 주입팁(380)을 가열하여, 광원 몸체(312)부터 제거한다. 주입팁(380)을 절단 시, 수은 가스가 발생하고 남은 수은 게터(390)도 같이 제거된다. Referring to FIG. 2L, the injection tip 380 is heated to remove it from the light source body 312. When cutting the injection tip 380, mercury gas is generated and the remaining mercury getter 390 is also removed.

도 2m을 참조하면, 방전 공간(315)에 방전 전압을 인가하기 위한 전극을 형성하기 위하여, 광원 몸체(312)의 양측 외면에 도전성 페이스트(420)를 도포한다. Referring to FIG. 2M, in order to form an electrode for applying a discharge voltage to the discharge space 315, conductive pastes 420 are coated on both outer surfaces of the light source body 312.

마지막으로 도 2n을 참조하면, 광원 몸체(312)를 가열로(400) 내에 반입하여 가열 및 냉각 공정을 수행한다. 이 결과, 도전성 페이스트(320)를 경화시켜 전극을 형성함과 실질적으로 동시에 방전 공간들(315)에 수은 가스를 균일하게 확산시킬 수 있다. Finally, referring to FIG. 2N, the light source body 312 is carried into the heating furnace 400 to perform a heating and cooling process. As a result, mercury gas may be uniformly diffused in the discharge spaces 315 at the same time as the conductive paste 320 is cured to form the electrode.

도전성 페이스트(320)를 경화 온도 및 시간은 도전성 페이스트(320)의 종류 및 공정 조건에 따라서 달라질 수 있다. 이 경우, 수은 가스의 확산 온도 및 시간과 유사한 경화 온도 및 시간을 갖는 도전성 페이스트(320)를 선택하는 것이 바람직하다. The curing temperature and time of the conductive paste 320 may vary depending on the type and process conditions of the conductive paste 320. In this case, it is preferable to select the conductive paste 320 having a curing temperature and time similar to the diffusion temperature and time of the mercury gas.

전술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 도전성 페이스트의 경화 공정과 수은 가스의 확산을 동일 설비에서 동시에 수행함으로써, 제공 공정 소요 시간 단축 및 소요 에너지 절감을 달성할 수 있다. 또한, 공정을 단순화시킬 수 있어, 생산 수율을 극대화 시킬 수 있다. 결과적으로는 고휘도를 갖는 면광원 장치를 단시간에 제조할 수 있다. According to the present invention as described above, by performing the curing process of the conductive paste and the diffusion of mercury gas at the same equipment at the same time, it is possible to achieve a reduction in the time required for the provision process and to reduce the required energy. In addition, the process can be simplified, maximizing the production yield. As a result, the surface light source device having high brightness can be manufactured in a short time.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims

Providing a light source body having a discharge space filled with a discharge gas therein and having a mercury getter disposed adjacent to the discharge space;

Activating the mercury getter to generate mercury gas from the mercury getter;

Applying a conductive paste to an outer surface of the light source body; And

And heating the light source body to diffuse the mercury gas into the discharge space and to harden the conductive paste.

The method of claim 1, wherein the step of diffusing the mercury gas and at the same time curing the conductive paste,

Heating the light source body to a first temperature for a first time;

Maintaining the light source body at a first temperature for a second time; And

And cooling said light source body to a second temperature for a third time period.

The method of claim 2, wherein the first and the second time is 45 to 75 minutes, the third time is 20 to 40 minutes,

The said 1st temperature is 200-300 degreeC, The said 2nd temperature is a manufacturing method of the surface light source device characterized by the above-mentioned.

The method of claim 1, wherein the conductive paste comprises at least one selected from the group consisting of silver (Ag), gold (Au), and copper (Cu).

The method of claim 1, wherein providing the light source body,

Providing an initial light source body having a discharge space provided therein, a first tip formed on one side thereof in communication with the discharge space, and a second tip formed on the other side thereof in communication with the discharge space;

Inserting and sealing the mercury getter in the first tip of the initial light source body;

Exhausting the discharge space through the second tip;

Injecting a discharge gas into the discharge space through the second tip; And

Sealing the second tip to seal the discharge space.

The method of manufacturing a surface light source device according to claim 1, wherein the light source body has a partition wall that partitions the discharge space into a plurality of discharge regions.

2. The method of claim 1, further comprising removing the mercury getter from which the mercury gas is generated from the light source body.