KR20060107986A - Wafer edge exposure apparatus for adaptively exposing wafers of various size - Google Patents

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KR20060107986A
KR20060107986A KR1020050029944A KR20050029944A KR20060107986A KR 20060107986 A KR20060107986 A KR 20060107986A KR 1020050029944 A KR1020050029944 A KR 1020050029944A KR 20050029944 A KR20050029944 A KR 20050029944A KR 20060107986 A KR20060107986 A KR 20060107986A
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light emitting
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김진선
임승준
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 에지노광(Wafer Edge Exposure; WEE)장치에 관한 것으로서, 다양한 크기의 웨이퍼를 수용할 수 있는 웨이퍼 에지노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer edge exposure (WEE) device, and to provide a wafer edge exposure device capable of accommodating wafers of various sizes.

이를 위해서, 본 발명은 다수 개의 발광소자들과 그에 대응하는 빛감지센서를 포함한 에지검출부를 구비하여, 에지검출부에 의해 웨이퍼의 크기에 따른 에지위치를 검출하는 것을 특징으로 한다. 이에, 검출한 에지위치를 기준으로 웨이퍼의 에지부위를 지정된 위치로 위치시킴으로써, 웨이퍼의 크기에 상관없이 에지부위를 정해진 폭으로 노광할 수 있다. To this end, the present invention is characterized by having an edge detector including a plurality of light emitting elements and a light sensor corresponding thereto, to detect the edge position according to the size of the wafer by the edge detector. Thus, by positioning the edge portion of the wafer to a specified position based on the detected edge position, the edge portion can be exposed to a predetermined width regardless of the size of the wafer.

웨이퍼 에지 노광(WEE), 위치정렬, 에지검출, 발광소자, 수광소자, CCD 센서 Wafer edge exposure (WEE), alignment, edge detection, light emitting device, light receiving device, CCD sensor

Description

다양한 크기의 웨이퍼를 수용할 수 있는 웨이퍼 에지노광장치{WAFER EDGE EXPOSURE APPARATUS FOR ADAPTIVELY EXPOSING WAFERS OF VARIOUS SIZE}Wafer edge exposure apparatus that can accommodate wafers of various sizes {WAFER EDGE EXPOSURE APPARATUS FOR ADAPTIVELY EXPOSING WAFERS OF VARIOUS SIZE}

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치를 개략적으로 나타낸 구성도.1 is a schematic view showing a wafer edge exposure apparatus according to the prior art.

도 2a는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 구성도.Figure 2a is a schematic diagram showing an embodiment of a wafer edge exposure apparatus according to the present invention.

도 2b는 도 2a의 A부위를 확대한 확대도시도.FIG. 2B is an enlarged view of a portion A of FIG. 2A.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

1, 101: 웨이퍼 에지노광장치 2, 102: 발광소자1, 101: wafer edge exposure apparatus 2, 102: light emitting element

2a: 제1 발광소자 2b: 제2 발광소자2a: first light emitting device 2b: second light emitting device

2c: 제3 발광소자 3, 103: 수광소자2c: third light emitting element 3, 103: light receiving element

3a: 제1 수광소자 3b: 제2 수광소자3a: first light receiving element 3b: second light receiving element

3c: 제3 수광소자 4, 104: 광원3c: third light receiving element 4, 104: light source

5, 105: 광섬유 6, 106: 노즐5, 105: optical fiber 6, 106: nozzle

7, 107: 거리측정센서 8, 108: 척구동부7, 107: distance measuring sensor 8, 108: chuck drive unit

9, 109: 노즐구동부 10, 110: 에지검출부9, 109: nozzle driving unit 10, 110: edge detection unit

11, 111: 광조사부 12, 112: 웨이퍼11, 111: light irradiation part 12, 112: wafer

13, 113: 척 13, 113: Chuck

본 발명은 웨이퍼 에지노광(Wafer Edge Exposure; WEE)장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에지검출부에 의해 웨이퍼의 에지위치를 검출한 후 검출한 웨이퍼의 에지위치를 기준으로 웨이퍼의 에지부위를 지정된 위치로 이동시키고, 거리측정센서에 의해 웨이퍼와 노즐 사이의 거리를 검출함으로써, 웨이퍼의 에지부위를 정해진 폭으로 노광하는 웨이퍼 에지노광장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer edge exposure (WEE) device, and more particularly, to detect a wafer edge position by an edge detector and then designate an edge portion of the wafer based on the detected edge position of the wafer. And a distance sensor to detect the distance between the wafer and the nozzle, thereby exposing the edge portion of the wafer to a predetermined width.

일반적으로, 반도체 소자 제조공정 중 포토(Photo) 공정은 웨이퍼 상면에 스핀 코터(Spin Coater)를 이용하여 포토레지스트를 도포한 후 소정 형상의 패턴을 형성하는 공정이다. In general, a photo process in a semiconductor device manufacturing process is a process of forming a pattern of a predetermined shape after applying a photoresist using a spin coater on the upper surface of the wafer.

여기서, 스핀 코터를 이용하여 웨이퍼 상면에 포토레지스트를 도포하는 경우에는 웨이퍼의 회전에 따른 원심력에 의해 웨이퍼의 에지(Edge)에 비드(Bead) 형태의 포토레지스트가 형성되는데, 이와 같이 형성된 포토레지스트는 대부분 현상 이후에도 그대로 남아있게 됨으로써 후속 공정에서의 하나의 파티클(Particle)로 작용할 수 있다. Here, when the photoresist is applied to the upper surface of the wafer by using a spin coater, a bead-shaped photoresist is formed at the edge of the wafer by centrifugal force due to the rotation of the wafer. In most cases, they remain as they are after development, so they can act as particles in subsequent processes.

따라서, 현재 포토 공정에서는 노광 공정 중이나 그 후에 웨이퍼의 에지부분을 추가로 노광시켜 웨이퍼의 에지에 잔존하는 포토레지스트를 에칭하는 웨이퍼 에지노광(Wafer Edge Exposure)을 시행하고 있다. Accordingly, in the current photo process, wafer edge exposure is performed to etch photoresist remaining on the edge of the wafer by further exposing the edge portion of the wafer during or after the exposure process.

이하, 첨부 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치를 이용 하여 웨이퍼 에지노광하는 방법에 대해 개략적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, a wafer edge exposure method using a wafer edge exposure apparatus according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a wafer edge exposure apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치(101)는 척(Chuck)(113)에 웨이퍼(112)가 고정되면 척구동부(108)가 가동되어 소정의 속도로 척(113)이 회전된다. 다음으로, 웨이퍼(112)의 상부 및 하부에 위치한 에지검출부(110)에 의해 웨이퍼(112)의 에지위치가 검출되면, 검출된 웨이퍼(112)의 에지위치를 기준으로 척(113)이 구동됨으로써, 웨이퍼(112)의 에지부위가 광조사부(111)의 노즐(106) 하부의 지정된 위치로 이동된다. 다음으로, 노즐(106)에 설치된 거리측정센서(107)에 의해 웨이퍼(112)와 노즐(106) 사이의 거리가 측정되면, 측정된 결과에 따라 노즐구동부(109)가 구동되어 노즐(106)이 상하로 구동됨으로써, 웨이퍼(112)와 노즐(106) 사이의 거리가 조절된다. 이에, 광조사부(111)의 광원(104)으로부터 빛이 방출되면, 방출된 빛이 광섬유(105)를 따라 이동되어 노즐(106)을 통해 회전하고 있는 웨이퍼(112)의 에지 상으로 조사됨으로써, 웨이퍼(112)의 에지 부위를 정해진 폭으로 노광한다. Referring to FIG. 1, in the wafer edge exposure apparatus 101 according to the related art, when the wafer 112 is fixed to the chuck 113, the chuck driving unit 108 is operated to operate the chuck 113 at a predetermined speed. Is rotated. Next, when the edge position of the wafer 112 is detected by the edge detectors 110 located above and below the wafer 112, the chuck 113 is driven based on the detected edge position of the wafer 112. The edge portion of the wafer 112 is moved to the designated position under the nozzle 106 of the light irradiation section 111. Next, when the distance between the wafer 112 and the nozzle 106 is measured by the distance measuring sensor 107 provided in the nozzle 106, the nozzle driver 109 is driven in accordance with the measured result to the nozzle 106 By driving up and down, the distance between the wafer 112 and the nozzle 106 is adjusted. Accordingly, when light is emitted from the light source 104 of the light irradiation unit 111, the emitted light is moved along the optical fiber 105 and irradiated onto the edge of the wafer 112 that is rotating through the nozzle 106, The edge portion of the wafer 112 is exposed to a predetermined width.

여기서, 에지검출부(110)는 발광소자(102)와 수광소자(103)로 이루어져 있으며, 발광소자(102)로부터 웨이퍼(112)의 에지 상으로 빛을 방출하고 수광소자(103)에서 이를 감지함으로써 웨이퍼(112)의 에지위치를 검출한다. 즉, 웨이퍼(112)의 에지가 발광소자(102)와 수광소자(103) 사이의 지정된 위치에 위치하게 되면 수광소자(103)에서 발광소자(102)로부터 방출된 빛 중 절반만이 감지되므로, 수광소자 (103)에서 감지한 빛의 양을 통해 웨이퍼(112)의 에지위치를 검출하는 것이다.Here, the edge detector 110 is composed of a light emitting element 102 and a light receiving element 103, by emitting light from the light emitting element 102 onto the edge of the wafer 112 and by detecting it in the light receiving element 103 The edge position of the wafer 112 is detected. That is, when the edge of the wafer 112 is located at a designated position between the light emitting element 102 and the light receiving element 103, only half of the light emitted from the light emitting element 102 is detected by the light receiving element 103. The edge position of the wafer 112 is detected by the amount of light detected by the light receiving element 103.

따라서, 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치(101)는 동일한 크기의 웨이퍼(112)만을 수용할 수 있다. 다시 말해, 정해진 크기를 갖는 웨이퍼(112)의 에지와 대응되는 위치에 에지검출부(110)가 위치되어 있으므로 그 크기를 갖는 웨이퍼(112)의 에지위치만을 검출할 수 있고, 이에 따라 검출된 에지위치를 기준으로 웨이퍼(112)의 에지부위를 지정된 위치로 위치시킴으로써 정해진 폭으로 노광할 수 있다. Therefore, the wafer edge exposure apparatus 101 according to the prior art can accommodate only wafers 112 of the same size. In other words, since the edge detector 110 is located at a position corresponding to the edge of the wafer 112 having a predetermined size, only the edge position of the wafer 112 having the size can be detected, and thus the detected edge position. By positioning the edge portion of the wafer 112 to a specified position with respect to the reference can be exposed to a predetermined width.

그러나, 현재 반도체 소자 제조 공정에서 사용되는 웨이퍼는 그 크기가 매우 다양하다. 이러한 이유로, 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치를 사용하고 있는 반도체 소자 생산 라인에서는 웨이퍼의 크기에 따른 여러 대의 웨이퍼 에지노광장치를 구비하여 사용하고 있는 실정이다. 이에, 여러 대의 웨이퍼 에지노광장치를 구비하기 위한 고청정실 내에서의 설치공간 문제 및 설비유지보수비에 따른 지출문제 등 많은 문제가 발생되고 있다. However, wafers currently used in semiconductor device manufacturing processes vary in size. For this reason, in the semiconductor device production line using the wafer edge exposure apparatus according to the prior art, the situation is provided with a plurality of wafer edge exposure apparatus according to the size of the wafer. Accordingly, many problems have arisen such as installation space problems in the high-cleaning room for providing a plurality of wafer edge exposure apparatus, and the expense of equipment maintenance costs.

따라서, 본 발명은 웨이퍼의 다양한 크기에 상관없이 수용하여 에지부위를 정해진 폭으로 노광함으로써, 웨이퍼의 크기에 따른 여러 대의 웨이퍼 에지노광장치를 구비하지 않아도 되는 웨이퍼 에지노광장치를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention is to provide a wafer edge exposure apparatus that does not need to include a plurality of wafer edge exposure apparatus according to the size of the wafer by accommodating a variety of wafers to expose the edge portion in a predetermined width.

본 발명은 웨이퍼를 고정하는 척(Chuck)과, 척에 고정된 웨이퍼의 에지부위를 소정의 폭으로 노광하는 노즐을 갖는 광조사부와, 에지위치를 검출하는 에지검 출부와, 웨이퍼와 노즐 사이의 거리를 측정하는 거리측정센서를 포함하는 웨이퍼 에지노광(Wafer Edge Exposure; WEE)장치로서, 에지검출부는 척에 고정되는 웨이퍼의 크기에 따른 에지위치와 대응되는 위치에 각각 설치되어 에지로 빛을 조사하는 다수 개의 발광소자들과, 발광소자들과 대응되는 위치에 설치되어 발광소자들로부터 방출되는 빛을 감지하는 빛감지센서를 포함하고, 빛감지센서에서 감지한 빛의 양을 통해 웨이퍼의 크기에 따른 에지위치를 검출하는 것을 특징으로 한다. The present invention provides a light irradiation unit having a chuck for fixing a wafer, a nozzle for exposing the edge portion of the wafer fixed to the chuck to a predetermined width, an edge detection unit for detecting an edge position, and a gap between the wafer and the nozzle. A wafer edge exposure (WEE) device including a distance measuring sensor for measuring a distance, wherein the edge detection unit is installed at a position corresponding to an edge position according to the size of the wafer fixed to the chuck to irradiate light to the edge A plurality of light emitting elements, and a light sensor installed at a position corresponding to the light emitting elements to detect light emitted from the light emitting elements, and the size of the wafer through the amount of light detected by the light sensor. It is characterized by detecting the edge position according to.

이 때, 빛감지센서는 다수 개의 수광소자들 또는 CCD(Charge Coupled Device) 센서 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 그리고, 거리측정센서는 노즐에 설치되고, 웨이퍼의 에지에 소정의 빛을 조사하여 반사된 빛을 감지함으로써, 웨이퍼와 노즐 사이의 거리를 측정하는 것이 바람직하다.In this case, the light detection sensor is preferably any one of a plurality of light receiving elements or a Charge Coupled Device (CCD) sensor. Then, the distance sensor is installed in the nozzle, it is preferable to measure the distance between the wafer and the nozzle by detecting the reflected light by irradiating a predetermined light on the edge of the wafer.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치의 바람직한 일 실시예를 설명하고자 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a wafer edge exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2b는 도 2a의 A부위를 확대한 확대도시도이다. FIG. 2A is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a wafer edge exposure apparatus according to the present invention, and FIG. 2B is an enlarged view illustrating an enlarged portion A of FIG. 2A.

도 2a를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치(1)는 척(13)과, 척(13)에 고정되는 웨이퍼(12)의 상부 및 하부에 위치되어 웨이퍼(12)의 에지를 검출하는 에지검출부(10)와, 척(13)과 소정 거리로 이격된 위치에 설치되어 웨이퍼(12)의 에지부위로 빛을 조사하는 노즐(6)을 구비한 광조사부(11)와, 웨이퍼(12)와 노즐(6) 사이의 거리를 측정하는 거리측정센서(7)를 포함한다. Referring to FIG. 2A, the wafer edge exposure apparatus 1 according to the present invention is located at the top and bottom of the chuck 13 and the wafer 12 fixed to the chuck 13 to detect edges of the wafer 12. A light irradiation section 11 and a wafer (13) provided with an edge detecting section (10), a nozzle (6) provided at a position spaced apart from the chuck (13) by a predetermined distance, and irradiating light to an edge of the wafer (12). 12) and a distance measuring sensor (7) for measuring the distance between the nozzle (6).

척(13)은 웨이퍼(12)를 고정 및 회전시키는 것으로서, 척구동부(8)와 연결되 어 척구동부(8)에 의해 회전 및 상하 또는 좌우로 구동한다.The chuck 13 fixes and rotates the wafer 12 and is connected to the chuck driver 8 to be rotated and driven up and down or left and right by the chuck driver 8.

광조사부(11)는 소정의 빛을 발생시키는 광원(4)과 소정의 위치로 빛을 유도하는 광섬유(5)와 유도된 빛을 웨이퍼(12)의 에지부위로 조사하는 노즐(6)을 포함하고, 노즐(6)에는 웨이퍼(12)와 노즐(6) 사이의 거리를 검출하는 거리측정센서(7)가 설치되어 있다. The light irradiator 11 includes a light source 4 for generating a predetermined light, an optical fiber 5 for guiding light to a predetermined position, and a nozzle 6 for irradiating the guided light to an edge portion of the wafer 12. The nozzle 6 is provided with a distance measuring sensor 7 that detects a distance between the wafer 12 and the nozzle 6.

거리측정센서(7)는 웨이퍼(12)의 에지에 소정의 빛을 조사하여 반사된 빛을 감지함으로써 웨이퍼(12)와 노즐(6) 사이의 거리를 측정하는 소자로서, 노즐(6)을 상하로 구동하는 노즐구동부(9)와 연결되어 있다. 이에, 거리측정센서(7)에서 검출한 결과에 따라 노즐구동부(9)를 구동하여 노즐(6)을 상하로 이동시킴으로써, 웨이퍼(12)와 노즐(6) 사이의 거리를 조정하여 웨이퍼(12)의 에지부위를 정해진 폭으로 노광할 수 있도록 한다. The distance measuring sensor 7 is an element that measures the distance between the wafer 12 and the nozzle 6 by detecting a reflected light by irradiating predetermined light to the edge of the wafer 12. It is connected with the nozzle drive part 9 which drives by the furnace. Accordingly, by driving the nozzle driver 9 to move the nozzle 6 up and down in accordance with the result detected by the distance measuring sensor 7, the distance between the wafer 12 and the nozzle 6 is adjusted to adjust the wafer 12. The edge of the cover can be exposed to a fixed width.

한편, 에지검출부(10)는 종래 기술에 따른 웨이퍼 에지노광장치(도 1의 101)와는 달리, 척(13)에 고정되는 다양한 크기를 갖는 웨이퍼(12)들의 에지와 각각 대응되는 위치에 설치되어 빛을 방출하는 다수 개의 발광소자(2)들과, 발광소자(2)들과 대응되는 위치에 설치되어 발광소자(2)들로부터 방출되는 빛을 감지하는 다수 개의 수광소자(3)들로 이루어진 빛감지센서를 포함한다. On the other hand, unlike the wafer edge exposure apparatus (101 of FIG. 1) according to the prior art, the edge detector 10 is installed at positions corresponding to the edges of the wafers 12 having various sizes fixed to the chuck 13, respectively. It consists of a plurality of light emitting elements (2) for emitting light and a plurality of light receiving elements (3) installed at a position corresponding to the light emitting elements (2) for detecting the light emitted from the light emitting elements (2) It includes a light sensor.

즉, 에지검출부(10)는 소정의 발광소자(2)와 대응되는 수광소자(3) 사이의 지정된 위치에 웨이퍼(12)의 에지가 존재하게 되면, 소정의 발광소자(2)로부터 방출된 빛의 절반만이 대응되는 수광소자(3)에서 감지됨으로써, 척(13)에 고정되는 웨이퍼(12)들의 크기에 따른 에지위치를 검출한다. 여기서, 빛감지센서는 다수 개 의 수광소자(3)로 이루졌으나, 수광소자(3)들 대신 CCD 센서를 사용하여도 무관하다. 그리고, 빛감지센서에서 감지된 빛의 양은 소정의 신호로 검출되는 것이 바람직하다.That is, when the edge of the wafer 12 is present at a designated position between the predetermined light emitting element 2 and the corresponding light receiving element 3, the edge detector 10 emits light emitted from the predetermined light emitting element 2. Only half of is detected by the corresponding light receiving element 3, thereby detecting the edge position according to the size of the wafers 12 fixed to the chuck 13. Here, the light sensor is composed of a plurality of light receiving elements (3), it is also possible to use a CCD sensor instead of the light receiving elements (3). In addition, the amount of light detected by the light sensor is preferably detected by a predetermined signal.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치(1)는 에지검출부(10)를 통해 웨이퍼(12)의 크기에 따른 에지위치를 검출한 후, 검출된 에지위치를 기준으로 웨이퍼(12)의 에지부위를 노즐(6) 하부의 지정된 위치로 이동시킴으로써, 웨이퍼(12)의 크기에 상관없이 에지부위를 정해진 폭으로 노광할 수 있다. The wafer edge exposure apparatus 1 according to the present invention having such a configuration detects the edge position according to the size of the wafer 12 through the edge detector 10, and then detects the wafer 12 based on the detected edge position. By moving the edge portion of the wafer to a designated position under the nozzle 6, the edge portion can be exposed to a predetermined width regardless of the size of the wafer 12.

이에 대해, 도 2b를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보면 다음과 같다. This will be described in more detail with reference to FIG. 2B.

도 2b를 참조하면, 에지검출부는 먼저 척구동부에 의해 소정의 속도로 회전하는 척 상에 소정의 크기를 갖는 웨이퍼(12)가 고정되어 있는 상태에서 웨이퍼(12)의 최외측에 위치한 제1 발광소자(2a)로부터 빛을 방출시킨다. 이 때, 제1 발광소자(2a)와 대응하는 제1 수광소자(3a)에서는 제1 발광소자(2a)에서 방출된 모든 빛을 감지하므로, 제1 발광소자(2a)와 제1 수광소자(3a) 사이에는 웨이퍼(12)의 에지가 위치되지 않았음을 알 수 있다. Referring to FIG. 2B, the edge detection unit firstly emits light on the outermost side of the wafer 12 in a state in which a wafer 12 having a predetermined size is fixed on the chuck that rotates at a predetermined speed by the chuck driver. Light is emitted from the element 2a. In this case, since the first light receiving element 3a corresponding to the first light emitting element 2a detects all the light emitted from the first light emitting element 2a, the first light emitting element 2a and the first light receiving element ( It can be seen that the edge of the wafer 12 is not located between 3a).

다음으로, 제2 발광소자(2b)로부터 빛을 방출시키면, 제2 발광소자(2b)와 대응하는 제2 수광소자(3b)에서는 제2 발광소자(2b)로부터 방출된 빛의 절반만을 감지하므로, 제2 발광소자(2b)와 제2 수광소자(3b) 사이에 웨이퍼(12)의 에지가 위치된 것을 알 수 있다. Next, when the light is emitted from the second light emitting device 2b, the second light receiving device 3b corresponding to the second light emitting device 2b detects only half of the light emitted from the second light emitting device 2b. It can be seen that the edge of the wafer 12 is positioned between the second light emitting element 2b and the second light receiving element 3b.

만약, 제3 발광소자(2c)와 제3 수광소자(3c) 사이에 웨이퍼(12)의 에지가 존재하는 경우에는 제3 발광소자(2c)로부터 방출된 빛 중 절반만이 제3 수광소자(3c) 에서 감지됨으로써, 웨이퍼(12)의 에지위치를 검출할 수 있다. If an edge of the wafer 12 exists between the third light emitting element 2c and the third light receiving element 3c, only half of the light emitted from the third light emitting element 2c may be used as the third light receiving element ( By sensing at 3c), the edge position of the wafer 12 can be detected.

따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치는 다양한 크기를 갖는 웨이퍼의 에지위치를 검출할 수 있고, 이에 따라 검출된 에지위치를 기준으로 웨이퍼의 에지부위를 지정된 위치로 이동시킴으로써 웨이퍼의 크기에 상관없이 에지부위를 정해진 폭으로 노광할 수 있다. Accordingly, the wafer edge exposure apparatus according to the present invention can detect edge positions of wafers having various sizes, and thus move the edge portions of the wafer to the designated positions based on the detected edge positions, regardless of the size of the wafer. The edge portion can be exposed to a predetermined width.

한편, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치는 상기 일 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능하다. 예를 들어, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치의 일 실시예에서는 웨이퍼로부터 최외각에 위치한 제1 발광소자, 제2 발광소자, 제3 발광소자의 순서로 빛을 방출시켜 제1 수광소자, 제2 수광소자, 제3 수광소자에서 감지한 빛의 양을 통해 웨이퍼의 에지위치를 검출하였으나, 제1 발광소자, 제2 발광소자, 제3 발광소자로부터 빛을 한꺼번에 방출시켜 제1 수광소자, 제2 수광소자, 제3 수광소자에서 감지한 빛의 양을 통해 웨이퍼의 에지위치를 검출할 수도 있다.On the other hand, the wafer edge exposure apparatus according to the present invention is not limited to the above embodiment, and many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. For example, in one embodiment of the wafer edge exposure apparatus according to the present invention, the first light emitting device, the first light emitting device, 2 The edge position of the wafer is detected by the amount of light detected by the light receiving element and the third light receiving element, but the first light receiving element and the first light emitting element are discharged by emitting light from the first light emitting element, the second light emitting element, The edge position of the wafer may be detected by the amount of light detected by the second light receiving element and the third light receiving element.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치는 노광하고자 하는 웨이퍼들의 크기에 따른 에지위치를 검출하는 에지검출부를 구비한다. 이에, 검출된 에지위치를 기준으로 웨이퍼의 에지부위를 지정된 위치로 이동시킴으로써, 웨이퍼의 크기에 상관없이 에지부위를 정해진 폭으로 노광할 수 있다. As described above, the wafer edge exposure apparatus according to the present invention includes an edge detection unit for detecting an edge position according to the size of wafers to be exposed. Thus, by moving the edge portion of the wafer to a specified position based on the detected edge position, the edge portion can be exposed to a predetermined width regardless of the size of the wafer.

따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지노광장치는 다양한 크기의 웨이퍼들을 수용할 수 있으므로, 웨이퍼의 크기에 따른 다수 개의 웨이퍼 에지노광장치를 구비 하지 않아도 된다. 이에, 고청정실 내에서의 설치공간 문제 및 설비유지보수비에 따른 지출문제 등과 같은 문제가 발생되지 않는다.Therefore, since the wafer edge exposure apparatus according to the present invention can accommodate wafers of various sizes, it is not necessary to have a plurality of wafer edge exposure apparatuses according to the size of the wafer. As a result, problems such as installation space in the high-cleaning room and expenses due to facility maintenance costs do not occur.

Claims (3)

웨이퍼를 고정하는 척(Chuck)과, 상기 척에 고정된 웨이퍼의 에지부위를 소정의 폭으로 노광하는 노즐을 갖는 광조사부와, 상기 에지위치를 검출하는 에지검출부와, 상기 웨이퍼와 상기 노즐 사이의 거리를 측정하는 거리측정센서를 포함하는 웨이퍼 에지노광(Wafer Edge Exposure; WEE)장치에 있어서,A light irradiation part having a chuck for fixing a wafer, a nozzle for exposing an edge portion of the wafer fixed to the chuck to a predetermined width, an edge detection part for detecting the edge position, and a gap between the wafer and the nozzle. In a wafer edge exposure (WEE) device comprising a distance sensor for measuring the distance, 상기 에지검출부는 The edge detection unit 상기 척에 고정되는 다양한 크기를 갖는 웨이퍼들의 에지위치와 각각 대응되는 위치에 설치되어 상기 에지로 빛을 조사하는 다수 개의 발광소자들;A plurality of light emitting elements installed at positions corresponding to edge positions of wafers having various sizes fixed to the chuck to irradiate light to the edges; 상기 발광소자들과 대응되는 위치에 설치되어 상기 발광소자들로부터 방출되는 상기 빛을 감지하는 빛감지센서; A light sensor installed at a position corresponding to the light emitting elements to sense the light emitted from the light emitting elements; 를 포함하고, 상기 빛감지센서에서 감지한 상기 빛의 양을 통해 상기 웨이퍼의 크기에 따른 상기 에지위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지노광장치.And an edge position according to the size of the wafer through the amount of light detected by the light sensor. 제1항에 있어서, 상기 빛감지센서는 다수 개의 수광소자들 또는 CCD(Charge Coupled Device) 센서 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지노광장치.The wafer edge exposure apparatus of claim 1, wherein the light detection sensor is any one of a plurality of light receiving elements or a charge coupled device (CCD) sensor. 제1항에 있어서, 상기 거리측정센서는 상기 노즐에 설치되고, 상기 에지에 소정의 빛을 조사하여 반사된 빛을 감지함으로써, 상기 거리를 측정하는 것을 특징 으로 하는 웨이퍼 에지노광장치. The wafer edge exposure apparatus of claim 1, wherein the distance measuring sensor is installed in the nozzle, and measures the distance by detecting light reflected by irradiating predetermined light on the edge.
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