KR20060104115A - 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법 - Google Patents

전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 일 방향으로 연장되는 스캔 전극들 및 스캔 전극들에 교차하도록 연장되는 데이터 전극들을 구비하고, 그 교차하는 영역에서 화소(pixel)가 정의되는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법에 있어서, 스캔 전극들에 순차적으로 스캔 구동 신호를 인가하고, 스캔 구동 신호에 맞춰 데이터 전극들에 동일한 데이터 구동 신호를 인가하는 단계; 각 화소의 휘도를 측정하는 단계; 및 측정된 각 화소의 휘도에 대응하여 펄스폭(pulse width)을 가변시킨 균일도 조정 데이터 신호를 데이터 전극들에 인가하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법을 제공한다.

Description

전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법{Method of improving uniformity of brightness between pixel of electron emission panel}
도 1은 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상 방법이 적용될 수 있는 전자방출패널의 일예를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상 방법이 적용될 수 있는 전자방출패널의 다른 예를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1 및 도 2 에 도시된 전자방출패널에서 구동 신호가 인가되는 전극 배치를 간략히 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 전자방출패널의 스캔 전극들과 데이터 전극들에 인가되는 구동 신호를 도시한 타이밍도이다.
도 5는 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법의 단계를 도시한 순서도이다.
도 6은 도 5의 제1 단계(S501)를 실행하기 위하여 전자방출패널에 순차적으로 인가되는 스캔 구동 신호 및 동일한 데이터 구동 신호를 도시한 타이밍도이다.
도 7은 도 6의 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호에 따라 발생하는 화소간의 휘도 차이의 일예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 7에서의 화소간의 휘도 차이를 보정하기 위하여 각 화소의 스캔 전극 및 데이터 전극에 인가되는 균일도 조정 신호를 도시한 타이밍도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10...전자방출패널 D1, ...,Dm...데이터 전극들
S1, ...,Sn...스캔 전극들 PX(i,j)...(i,j)픽셀
US1...균일도 조정 스캔 신호
UD1~UD3...제1 내지 제3 균일도 조정 데이터 신호
본 발명은 전자방출소자(Electron emission device)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자방출소자로 이루어진 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도를 향상하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자방출소자(Electron emission device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다.
상기에서 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
상기 FEA형은 일함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계 차에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si)등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 Graphite, DLC(Diamond Like Carbon)등의 탄소계 물질 그리고 최근 나노 튜브(Nano Tube)나 나노 와이어(Nano Wire)등의 나모물질을 전자방출으로 적용한 소자가 개발되고 있다.
상기 SCE형은 제1기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1전극과 제2전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세균열을 제공함으로써 전자방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 상기 전극에 전압을 인가하여 상기 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
상기 MIM형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.
상기 BSE형은 반도체의 사이즈를 반도체중의 전자의 평균자유행정보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹전극상에 금속또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.
전자방출소자로 이루어진 전자방출패널은 일방향으로 연장되는 스캔 전극들과 상기 스캔 전극들에 교차하도록 연장되는 데이터 전극들을 구비하며, 그 교차하는 영역에서 화소(pixel)가 정의될 수 있다. 각 화소는 가시광을 방출하며 그 휘도는 화소별로 인가되는 구동 신호에 따라 달라지게 된다.
한편, 전자방출패널의 각 화소에 동일한 구동 신호를 인가하는 경우에, 바람직하게는 각 화소에서 동일한 휘도를 갖는 가시광이 방출되어야 한다. 그러나 실제로 전자방출패널의 전자방출원의 특성 및 제조 공정상의 문제로 인하여, 동일한 구동 신호를 각 화소에 인가하여도 동일한 휘도를 갖는 가시광이 방출되지 않아, 화소간의 휘도가 불균일하다는 문제점이 발생하고 있다.
이를 극복하기 위한 방안으로, 각 화소별 휘도차이를 보상회로를 통한 보상신호에 의해 구동 신호를 보정하는 방안이 있으나, 이는 별도의 보상회로로 인하여 제조비용이 증가하고, 실제 구현이 난해하며, 화소별 휘도차이를 보상을 하더라도 각 화소에 서로 다른 보상 신호를 인가함으로써 화소 단위별로 수명차이가 발생한다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 전자방출패널의 제조 공정단계에서, 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도를 향상하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 일 방향으로 연장되는 스캔 전극들 및 스캔 전극들에 교차하도록 연장되는 데이터 전극들을 구비하고, 그 교차하는 영역에서 화소(pixel)가 정의되는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법에 있어서,
스캔 전극들에 순차적으로 스캔 구동 신호를 인가하고, 스캔 구동 신호에 맞춰 데이터 전극들에 동일한 데이터 구동 신호를 인가하는 단계;
각 화소의 휘도를 측정하는 단계; 및
측정된 각 화소의 휘도에 대응하여 펄스폭(pulse width)을 가변시킨 균일도 조정 데이터 신호를 데이터 전극들에 인가하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 측정된 각 화소의 휘도가 높을수록 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭을 증가시키고, 측정된 각 화소의 휘도가 낮을수록 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭을 감소시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 각 화소에 균일도 조정 데이터 신호가 인가되는 것과 동시에 균일도 조정 스캔 신호가 스캔 전극들에 인가될 수 있다.
이러한 본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 균일도 조정 스캔 신호의 펄스폭은 균일도 조정 데이터 신호의 최대 펄스폭 보다 동일하거나 큰 것이 바람직하다.
이러한 본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭은 데이터 구동 신호의 펄스폭 보다 큰 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한 다.
도 1은 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상 방법이 적용될 수 있는 전자방출패널의 일예를 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자방출패널(10)은 서로 이격되어 배치되는 제1 패널(2), 제2 패널(3) 및 제1 패널(2)과 제2 패널(3)을 지지하는 스페이서(spacer)들(41,...,43)을 구비한다.
제1 패널(2)은 투명한 제1 기판(21), 애노드 전극(22), 및 형광셀들(FR11,...,FBnm)을 포함한다.
제1 기판(21)에서 제2 기판(31) 방향으로 제1 기판(21) 상에 애노드 전극(22)이 배치되며, 제2 기판(31) 방향으로 애노드 전극(22) 상에 형광셀들(FR11,...,FBnm)이 배치된다. 형광셀들에는 각각 적색, 청색 및 녹색 형광물질이 배치된다.
제2 패널(3)은 제2 기판(31), 전자방출원들(ER11,...,EBnm), 절연층(33), 서로 교차하도록 연장되는 캐소드 전극들(CR1,...,CBm) 및 게이트 전극들(G1,...,Gn)을 포함한다.
캐소드 전극들(CR1,...,CBm)은 전자방출원들(ER11,...,EBnm)과 전기적으로 연결되며, 절연층(33)과 게이트 전극들(G1,...,Gn)에는 전자방출원들(ER11,...,EBnm)에 대응하는 관통구들(HR11,...,HBnm)이 형성된다.
캐소드 전극들과 게이트 전극들에 각각 인가된 구동전압(일반적으로 캐소드 전극들에 인가되는 전압이 게이트 전극들에 인가되는 전압보다 낮음)으로 인하여 그 전위차가 캐소드 전극들과 전기적으로 연결된 전자방출원들에서 전자방출이 개시될 수 있는 전자방출개시전압을 초과하는 경우에, 전자방출원들에서 전자가 방출되기 시작한다. 이때 애노드 전극에 1 내지 4 킬로볼트(KV)의 높은 정극성 전압을 인가하면, 전자방출원들로부터 방출된 전자들이 가속되어 형광셀들로 수렴하며 형광셀들의 형광물질과 충돌하여 가시광을 발생시킨다.
도 2는 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상 방법이 적용될 수 있는 전자방출패널의 다른 예를 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일단 도 1에 도시된 전자방출패널과의 차이점은 캐소드 전극들(CR1,...,CBm)과 게이트 전극들(G1,...,Gn)의 배치가 다르다는 것이다.
전자방출패널(10)은 서로 이격되어 배치되는 제1 패널(2), 제2 패널(3) 및 제1 패널(2)과 제2 패널(3)을 지지하는 스페이서(spacer)들(41,...,43)을 구비한다.
제1 패널(2)은 투명한 제1 기판(21), 애노드 전극(22), 및 형광셀들(FR11,...,FBnm)을 포함한다.
제1 기판(21)에서 제2 기판(31) 방향으로 제1 기판(21) 상에 애노드 전극(22)이 배치되며, 제2 기판(31) 방향으로 애노드 전극(22) 상에 형광셀들(FR11,...,FBnm)이 배치된다. 형광셀들에는 각각 적색, 청색 및 녹색 형광물질이 배치된다.
제2 패널(3)은 제2 기판(31), 전자방출원들(ER11,...,EBnm), 절연층(33), 서 로 교차하도록 연장되는 캐소드 전극들(CR1,...,CBm) 및 게이트 전극들(G1,...,Gn)을 포함한다.
캐소드 전극들(CR1,...,CBm)은 전자방출원들(ER11,...,EBnm)과 전기적으로 연결되며, 제1 기판(21) 방향으로 게이트 전극들(G1,...,Gn) 상에는 절연층(33)을 뚫고 전자방출원들(ER11,...,EBnm)의 측면까지 연장되는 게이트 아일랜드(GI)들이 형성된다.
도 2와 같이 게이트 전극들(G1,...,Gn)이 캐소드 전극들(CR1,...,CBm)보다 아래측에 위치하는 구조를 가진 전자방출패널에서는, 게이트 전극에 연결된 게이트 아일랜드(GI)와 캐소드 전극간의 전위차에 의해 캐소드 전극에서 방출된 전자가 게이트 아일랜드(GI)를 향해 약간 끌린다. 이때 애노드 전극에 1 내지 4 킬로볼트(KV)의 높은 정극성 전압을 인가하면, 전자방출원들로부터 방출된 전자들이 가속되어 형광셀들로 수렴하며 형광셀들의 형광물질과 충돌하여 가시광을 발생시킨다.
도 3은 도 1 및 도 2 에 도시된 전자방출패널에서 구동 신호가 인가되는 전극 배치를 간략히 도시한 도면이다.
스캔 전극들이 일방향으로 연장되어 배치되며, 데이터 전극들은 스캔 전극들이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 배치된다. 그 교차하는 영역에서 화싱이 표현되는 기본단위인 일 화소(pixel,PX)가 정의된다. 스캔 전극들에 순차적으로 스캔 구동 신호가 인가되며, 스캔 신호에 맞춰 데이터 전극들에 데이터 구동 신호가 인가되어 각 화소별로 해당하는 휘도를 갖는 가시광이 방출되게 된다. 도 3에서는 스캔 전극과 데이터 전극이 교차하는 일 영역을 일 화소로 정의하였으나, 데이터 전극들이 연장되는 방향에 따라 적색, 녹색 및 청색광을 방출하도록 하는 형광물질이 도포될 수 있으며, 이 경우에 3개의 데이터 전극들 및 1개의 스캔 전극들이 교차하는 영역에서 가시광이 방출되므로, 3개의 데이터 전극들과 1개의 스캔 전극들이 교차하는 영역에서 일 화소가 정의될 수도 있다. 이때 1개의 데이터 전극들과 1개의 스캔 전극들이 교차하는 영역은 일 서브 화소(sub pixel)가 된다.
도 3에 도시된 스캔 전극들로서, 도 1 및 도 2에 도시된 캐소드 전극들이 될 수 있으며, 또는 도 1 및 도 2에 도시된 게이트 전극들이 될 수 있다. 또한 도 3에 도시된 데이터 전극들로서, 도 1 및 도 2에 도시된 게이트 전극들이 될 수 있으며, 또는 도 1 및 도 2에 도시된 캐소드 전극들이 될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 전자방출패널의 스캔 전극들과 데이터 전극들에 인가되는 구동 신호를 도시한 타이밍도이다.
전자방출패널에서 방출되는 가시광의 휘도를 조절하기 위한 계조(gray scale) 표현 방식에는, 데이터 구동 신호의 인가 시간을 제어하는 펄스폭 변조(Pulse Width Modulation;PWM) 방식과, 데이터 구동 신호의 전압 크기를 제어하는 펄스 크기 변조(Pulse Amplitude Modulation;PAM) 방식이 있다.
도 4에서는 PWM 방식에 의한 계조 표현 방식을 도시하고 있다.
도 4에서는 스캔 전극들에 각각 순차적으로 인가되는 스캔 구동 신호를 편의상 하나의 스캔 구동 신호로서 표현하고 있다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 스캔 전극들에 순차적으로 일정한 펄스폭의 스캔 구동 신호(Scan)를 인가할 때, 데이터 전극들에는 각 휘소별 표현될 계조에 따 라 가변하는 펄스폭을 갖는 데이터 구동 신호(Data)가 인가된다.
즉, 펄스폭에 따라 계조표현이 가능하도록, 데이터 구동 신호는, 스캔 구동 신호와의 관계에서 전자방출이 개시될 수 있는 임계점인 방출개시전압(Vth)보다 전위가 높은 제1 데이터 전압(VD1)과, 방출개시전압(Vth)보다 전위가 작은 제2 데이터 전압(VD2)으로 이루어진다. 한편 스캔 구동 신호는 스캔 전극들을 순차적으로 스캔하는 스캔 기간 동안에 스캔 전압(Vscan)을 가지며, 소정의 펄스폭(PWscan)을 갖는다.
도 4에 도시된 대로, n번째 데이터 구동 신호(Data[n])와 n+1번째 데이터 구동 신호(Data[n+1])의 계조가 동일하면, n번째 및 n+1번째 데이터 구동 신호의 펄스폭은 동일하다(PW[n]=PW[n+1]). 그리고 n+2번째 데이터 구동 신호(Data[n+2])의 계조가 n+1번째 데이터 구동 신호(Data[n+1])의 계조보다 낮을 경우에는 n+2번째 데이터 구동 신호(Data[n+2])의 펄스폭이 n번째 데이터 구동 신호(Data[n])의 펄스폭보다 작으며(PW[n]>PW[n+2]), n+3번째 데이터 구동 신호(Data[n+3])의 계조가 n번째 데이터 구동 신호(Data[n])의 계조보다 높을 경우에는 n+3번째 데이터 구동 신호(Data[n+3])의 펄스폭이 n번째 데이터 구동 신호(Data[n])의 펄스폭보다 크다(PW[n]<PW[n+3]). 한편, 제1 내지 제 4 데이터 구동 신호의 인가기간 사이에 블랭킹 신호(BK[n], ...BK[n+1])가 스캔 전극들 및 데이터 전극들에 인가된다.
한편, 도 4 에서는 스캔 구동 신호의 전위가 데이터 구동 신호의 전위보다 높은 것으로 도시되어 있다. 도 1 및 도 2에서 도시된 전자방출패널(10)에 따르면, 캐소드 전극들에 전기적으로 연결된 전자방출원들(ER11,...,EBnm)에 인가되는 전위가 게이트 전극들(G1,...,Gn)에 인가되는 전위보다 낮아야 전자방출원들(ER11,...,EBnm)에서 전자가 방출되므로, 도 4의 구동 신호에 의하면, 도 1 및 도 2의 캐소드 전극들(CR1,...,CBm)은 데이터 전극들(D1, ...,Dm)로 사용될 수 있으며, 도 1 및 도 2의 게이트 전극들(G1,...,Gn)은 스캔 전극들(S1, ...,Sn)로 사용될 수 있다.
또한 도 4에 도시된 스캔 구동 신호의 전위와 데이터 구동 신호의 전위는 역으로 인가될 수 있으며, 이 경우에 캐소드 전극들(CR1,...,CBm)은 스캔 전극들(S1, ...,Sn)로 사용될 수 있으며, 게이트 전극들(G1,...,Gn)은 데이터 전극들(D1, ...,Dm)로 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법의 단계를 도시한 순서도이고, 도 6은 도 5의 제1 단계(S501)를 실행하기 위하여 전자방출패널에 순차적으로 인가되는 스캔 구동 신호 및 동일한 데이터 구동 신호를 도시한 타이밍도이고, 도 7은 도 6의 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호에 따라 발생하는 화소간의 휘도 차이의 일예를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 8은 도 7에서의 화소간의 휘도 차이를 보정하기 위하여 각 화소의 스캔 전극 및 데이터 전극에 인가되는 균일도 조정 신호를 도시한 타이밍도이다.
도 3 내지 도 7을 참조하여 설명하면, 본 발명인 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도를 향상하는 방법은 3 단계로 나뉘어 실행될 수 있다.
먼저 제1 단계(S501)으로서, 스캔 전극들(S1, ...,Sn)에 순차적으로 스캔 구 동 신호(Scan)를 인가하고, 스캔 구동 신호에 맞춰 데이터 전극들(D1, ...,Dm)에 동일한 데이터 구동 신호(Data)를 인가한다. 도 6에서는 스캔 전극들에 각각 순차적으로 인가되는 스캔 구동 신호를 편의상 하나의 스캔 구동 신호로서 표현하고 있다.
동일한 데이터 구동 신호라 함은 동일한 펄스폭을 갖는 데이터 구동 신호를 의미한다. 이상적으로 펄스폭이 동일한 데이터 구동신호가 각 화소에 인가된다면, 각 화소는 동일한 휘도의 가시광을 방출하여야 한다. 그러나 제조 공정상 전자방출원의 전자방출특성이 동일하지 못하며 그 밖의 다른 이유로 인하여, 각 화소에서 동일한 휘도의 가시광이 방출되기가 어렵다. 따라서 각 화소의 휘도 특성을 관찰하기 위하여 동일한 데이터 구동신호를 데이터 전극들에 인가한다. 즉, n번째 데이터 구동 신호 내지 n+3번째 데이터 구동 신호의 펄스폭은 모두 일정하다(PW[n]=PW[n+1]=PW[n+2]=PW[n+3]).
한편, 도 6에서는 동일한 펄스폭의 데이터 구동 신호의 일예로서 최대 계조를 표현할 수 있는 최대 펄스폭을 갖는 데이터 구동 신호(Data)를 인가하고 있으나 이에 한정되지 않으며, 다양한 펄스폭을 갖는 동일한 데이터 구동 신호를 인가하는 것이 가능할 것이다.
다음으로 제2 단계(S502)로서, 제1 단계에서 스캔 전극들과 데이터 전극들에 각각 인가된 스캔 구동 신호와 데이터 구동 신호로 인하여 각 화소에서 실제로 출력되는 가시광의 휘도를 측정한다.
도 7은 도 6의 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호에 따라 발생하는 화소간 의 휘도 차이의 일예를 개략적으로 도시한 것으로서, 제1 스캔 전극(S1) 및 제1 데이터 전극(D1) 내지 제3 데이터 전극(D3)에 의해 정의되는 (1,1)픽셀(PX(1,1))과, (1,2)픽셀(PX(1,2))과, (1,3)픽셀(PX(1,3))의 휘도를 간략히 도시한 도면이다. 도면에서는 (1,3)픽셀(PX(1,3))의 휘도가 가장 높은 것으로 도시되고 있으며, 그 다음으로는 (1,1)픽셀(PX(1,1))의 휘도가 으며, (1,2)픽셀(PX(1,2))의 휘도가 가장 낮은 것으로 도시되고 있다.
한편, 각 화소별 가시광의 휘도 측정은 화소 촬영용 카메라를 이용하여 측정할 수 있다. 실제 전자방출패널의 전체 화소의 휘도를 측정 할 수도 있으며, 아니면 전자방출패널을 분할하여 측정하되 이 분할 측정을 여러 번 수행하여 전체 화소의 휘도를 측정할 수도 있을 것이다.
다음으로 제3 단계(S503)로서, 측정된 각 화소별 휘도에 대응하여 전체 화소의 균일도를 조정하기 위한 균일도 조정 데이터 신호를 인가한다. 균일도 조정 데이터 신호 인가시에 균일도 조정 스캔 신호가 함께 인가됨은 물론이다.
여기서, 전체 화소의 균일도를 조정하기 위한 방법으로, 전체 화소별 휘도 측정치를 분석하여 휘도 측정치가 낮은 화소에서 보다 휘도 측정치가 높은 화소에서 휘도의 감소 폭이 크도록 균일도 조정 데이터 신호를 인가한다. 다시 말하면, 휘도 측정치가 높은 화소에는 펄스폭이 넓은 균일도 조정 데이터 신호를 인가하고, 휘도 측정치가 낮은 화소에는 펄스폭이 좁은 균일도 조정 데이터 신호를 인가한다.
이와 같이 균일도 조정 데이터 신호를 인가하는 것은 각 화소를 구성하는 전 자방출원의 특성을 고려하여 인가하는 것이다. 전자방출원에 전압이 인가되는 기간에 따라 전자방출원의 방출특성이 영향을 받으므로, 구체적으로는 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭이 길수록 전자방출원의 방출특성이 열화되므로, 이 특성을 이용하여 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭을 가변하도록 인가하여 각 화소별 휘도 차이를 보정하는 것이다.
균일도 조정 데이터 신호가 인가되는 동안에 스캔 전극들에는 균일도 조정 스캔 신호가 인가되는 것이 바람직하다. 원활한 화소간의 균일도 조정을 위해 균일도 조정 스캔 신호의 펄스폭은 균일도 조정 데이터 신호의 최대 펄스폭 보다 동일하거나 큰 것이 바람직하다.
한편, 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭은 적어도 데이터 구동 신호의 펄스폭보다 넓은 것이 바람직하다. 균일도 조정 데이터 신호는 화소간의 휘도 차이를 보정하기 위해, 상세히는 화소를 구성하는 전자방출원의 특성을 각각 보정하기 위해 구동 신호의 펄스폭 보다 넓도록, 수 분(예를 들면, 1분, 2분, 4분 등등)이상 인가하는 것이 바람직하다.
도 8은 도 7에서의 화소간의 휘도 차이를 보정하기 위하여 각 화소의 스캔 전극 및 데이터 전극에 인가되는 균일도 조정 신호를 예시적으로 도시한 타이밍도로서, 일단 제1 스캔 전극(S1)에 소정의 펄스폭(PWU)을 갖는 균일도 조정 스캔 신호(US1)이 인가된다. 한편, 도 7에서 휘도가 가장 낮았던 (1,2)픽셀(PX(1,2))을 고려하여 제2 데이터 전극(D2)에 가장 좁은 펄스폭(PWd2)을 갖는 제2 균일도 조정 데이터 신호(UD2)를 인가한다. 또한 도 7에서 휘도가 가장 높았던 (1,3)픽셀(PX(1,3))을 고려하여 제3 데이터 전극(D3)에 가장 넓은 펄스폭(PWd3)을 갖는 제3 균일도 조정 데이터 신호(UD3)를 인가한다. 한편, 제1 데이터 전극(D1)에는 PWd1의 펄스폭을 갖는 제2 균일도 조정 데이터 신호(UD1)를 인가한다.
이와 같이 화소별 휘도 차이에 따라 균일도 조정 데이터 신호를 인가함으로써, 화소별 휘도 차이를 보정하여 화소간의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.
한편, 도 8에서는 균일도 조정 스캔 신호(US1)는 Vscan 전압을 갖는 것으로 도시되고 있으며, 제1 내지 제3 균일도 조정 데이터 신호(UD1~UD3)는 VD1 전압을 갖는 것으로 도시되고 있다. 균일도 조정 스캔 신호(US1)와 제1 내지 제3 균일도 조정 데이터 신호(UD1~UD3)는 전자방출원의 방출 특성이 열화될 수 있는 전위차이면 족하므로, 도면에서 도시된 것에 한정되지 않는다.
한편, 상기의 단계들은 전자방출패널의 제조 공정의 후반부에 이루어지게 된다.
상기한 바와 같은 본 발명의 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
전자방출패널의 제조 공정상의 문제점으로 인하여 화소간의 휘도가 불균일한 것을 스캔 전극들 및 데이터 전극들에 각각에 균일도 조정 스캔 신호와 균일도 조정 데이터 신호를 인가함으로써, 화소간의 휘도 불균일성을 해소 할 수 있으며, 따 라서 가시광의 색순도가 개선되게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 일 방향으로 연장되는 스캔 전극들 및 상기 스캔 전극들에 교차하도록 연장되는 데이터 전극들을 구비하고, 그 교차하는 영역에서 화소(pixel)가 정의되는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법에 있어서,
    상기 스캔 전극들에 순차적으로 스캔 구동 신호를 인가하고, 상기 스캔 구동 신호에 맞춰 상기 데이터 전극들에 동일한 데이터 구동 신호를 인가하는 단계;
    상기 각 화소의 휘도를 측정하는 단계;
    상기 측정된 각 화소의 휘도에 대응하여 펄스폭(pulse width)을 가변시킨 균일도 조정데이터 신호를 상기 데이터 전극들에 인가하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 측정된 각 화소의 휘도가 높을수록 상기 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭을 증가시키고,
    상기 측정된 각 휘소의 휘도가 낮을수록 상기 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭을 감소시키는 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 각 화소에 상기 균일도 조정 데이터 신호가 인가되는 것과 동시에 균일도 조정 스캔 신호가 상기 스캔 전극들에 인가되는 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 균일도 조정 스캔 신호의 펄스폭은
    상기 균일도 조정 데이터 신호의 최대 펄스폭 보다 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 균일도 조정 데이터 신호의 펄스폭은
    상기 데이터 구동 신호의 펄스폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 전자방출패널의 화소간의 휘도 균일도 향상방법.
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