KR20060102632A - Method for preparing metal oxide nanostructure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법, 보다 상세하게는 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)을 이용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서 표면적이 30 m2/g 이상인 카본블랙을 사용하여 상대적으로 저온에서도 효율적으로 금속 산화물을 기체 상태의 금속으로 환원시켜 다양한 금속 산화물 나노 구조체를 제조할 수 있는 방법에 대한 것이다. The present invention uses a carbon black having a surface area of 30 m 2 / g or more in the method for producing a metal oxide nanostructure, more specifically, a method for producing a metal oxide nanostructure using carbon thermal reduction (Carbothermal Reduction). By reducing the metal oxide to a gaseous metal efficiently at a relatively low temperature to a method for producing a variety of metal oxide nanostructures.

본 발명에 있어서 금속 산화물은 바람직하게는 MO, M2O3 또는 MO2 (여기서, M은 1종 이상의 금속 원소이고, O는 산소 원자임)의 양론비를 가지는 금속 산화물, 가장 바람직하게는 산화아연, 산화갈륨 또는 산화티탄을 의미한다. In the present invention, the metal oxide is preferably a metal oxide having a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3 or MO 2 , wherein M is one or more metal elements, and O is an oxygen atom, most preferably oxidation Zinc, gallium oxide or titanium oxide.

나노 선, 나노 구조, 금속 산화물, 열적 환원반응, Carbothermal Reduction, 카본블랙 Nanowire, Nanostructure, Metal Oxide, Thermal Reduction, Carbothermal Reduction, Carbon Black

Description

금속 산화물 나노 구조체의 제조방법{Method for Preparing Metal Oxide Nanostructure}Method for Preparing Metal Oxide Nanostructure

도 1은 금속 산화물 나노 구조체 제조를 위한 반응기의 모식도.1 is a schematic view of a reactor for the production of metal oxide nanostructures.

도 2는 탄소를 이용한 열적 환원반응에서 탄소의 종류를 변화시키면서 제조한 산화아연 나노 구조체의 주사전자현미경 사진[(가): 흑연 사용, (나) ~ (마): 각각 단위무게당 표면적이 100 m2/g, 200 m2/g, 800 m2/g, 1600 m2/g인 카본블랙 사용] Figure 2 is a scanning electron micrograph of the zinc oxide nanostructures prepared by changing the carbon type in the thermal reduction reaction using carbon [(a): graphite used, (b) ~ (e): surface area per unit weight of 100 using carbon black with m 2 / g, 200 m 2 / g, 800 m 2 / g, 1600 m 2 / g]

도 3은 탄소를 이용한 열적 환원반응에서 탄소의 종류를 흑연 및 각각 단위무게당 표면적이 100 m2/g, 200 m2/g, 800 m2/g, 1600 m2/g인 카본블랙을 사용하여 제조한 산화아연 나노 구조체의 X-선 광전자 분광분석기의 분석결과를 나타내는 그래프.FIG. 3 is a graph of carbon in thermal reduction reaction using carbon and carbon black having a surface area of 100 m 2 / g, 200 m 2 / g, 800 m 2 / g, and 1600 m 2 / g, respectively. Graph showing the analysis results of an X-ray photoelectron spectrometer of the zinc oxide nanostructures prepared according to the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 산화아연 나노봉을 촬영한 주사전자현미경 사진.Figure 4 is a scanning electron micrograph of the zinc oxide nanorods prepared according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따르지 않는 비교예에 따라 실험한 후 촬영한 주사전자현미경 사진.Figure 5 is a scanning electron microscope photograph taken after the experiment according to a comparative example not according to the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 산화아연 나노 구조체를 촬영한 주사전자현미경 사진.Figure 6 is a scanning electron microscope photograph of the zinc oxide nanostructures prepared in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 산화아연 나노 구조체를 촬영한 주사전자현미경 사진.Figure 7 is a scanning electron microscope photograph of the zinc oxide nanostructures prepared according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 산화갈륨(Ga2O3) 나노 구조체를 촬영한 주사전자현미경 사진.8 is a scanning electron microscope photograph of the gallium oxide (Ga 2 O 3 ) nanostructures prepared in accordance with an embodiment of the present invention.

도 9은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 산화티탄(TiO2) 나노 구조체를 촬영한 주사전자현미경 사진.9 is a scanning electron micrograph of the titanium oxide (TiO 2 ) nanostructures prepared according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1: 석영 튜브 2: 탄소와 금속 산화물의 혼합물로 구성된 원재료1: quartz tube 2: raw material consisting of a mixture of carbon and metal oxides

3: 원재료의 용기 4: 기판3: container of raw materials 4: substrate

본 발명은 금속 산화물, 바람직하게는 MO, M2O3, MO2 (여기서, M은 1종 이상의 금속 원소이며 O는 산소 원자임)의 양론비를 가지는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법, 보다 상세하게는 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)을 이용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 표면적이 30 m2/g 이상인 카본블랙을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a method for producing metal oxide nanostructures having a stoichiometric ratio of metal oxides, preferably MO, M 2 O 3 , MO 2 , where M is one or more metal elements and O is an oxygen atom, Preferably, in the method for producing a metal oxide nanostructure by using carbon thermal reduction (Carbothermal Reduction), the method for producing a metal oxide nanostructure, characterized in that the carbon black having a surface area of 30 m 2 / g or more is used. It is about.

금속 산화물, 특히 산화아연, 산화갈륨, 산화티탄, 산화주석, 산화 인듐 등의 MO, M2O3, MO2의 양론비를 지니는 금속 산화물의 나노 구조체들은 반도성, 압전성, 강유전성, 강자성 등의 다양한 성질을 지닌다. 특히 최근 들어서는 이러한 나노 구조체를 여러 종류의 촉매, 투명전도막, 센서, 광전 소자 및 에너지 전환 소자에 이용하려는 연구가 활발하다.Nanostructures of metal oxides, especially metal oxides having a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3 , MO 2 , such as zinc oxide, gallium oxide, titanium oxide, tin oxide, indium oxide, etc., are semiconducting, piezoelectric, ferroelectric, and ferromagnetic. It has a variety of properties. In particular, recent studies have been actively conducted to use such nanostructures in various types of catalysts, transparent conductive films, sensors, photoelectric devices, and energy conversion devices.

기존에 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법으로는 여러 가지가 알려져 있으나, 그 중 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)을 이용하는 방법이 단순하고, 비용이 저렴하며, 많은 양의 분말과 탄소 분말을 혼합하여 고온으로 가열하면 반응 단계 (a)와 (b)를 거치 금속 산화물 나노구조체를 얻을 수 있기 때문에, 최근 이 분야에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. Conventional methods for manufacturing metal oxide nanostructures are known, but among them, the method using carbon thermal reduction (Carbothermal Reduction) is simple, inexpensive, and a large amount of powder and carbon powder When mixed and heated to a high temperature, metal oxide nanostructures can be obtained through the reaction steps (a) and (b), and thus, much research has recently been conducted in this field.

이러한 금속 산화물 나노 구조체 제조를 위한 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)은 다음과 같은 단계들을 거친다.Carbothermal Reduction using carbon for the preparation of the metal oxide nanostructures is performed through the following steps.

먼저 원재료로서 금속산화물 분말과 탄소 분말을 혼합하여 고온으로 가열하면 반응 단계 (a)와 (b)를 거치게 된다.First, when the metal oxide powder and the carbon powder as a raw material is mixed and heated to a high temperature, the reaction steps (a) and (b) are performed.

MxOy(s) + yC(s) → xM(g) + yCO(g) (a)M x O y (s) + yC (s) → xM (g) + yCO (g) (a)

yCO(g) + MxOy(s) → yCO2(g) + xM(g) (b)yCO (g) + M x O y (s) → yCO 2 (g) + xM (g) (b)

상기 반응식에서, M은 1종 이상의 금속 원소를 나타내고, x 및 y는 금속의 원자가에 의해 결정되는 수이다.In the above scheme, M represents one or more metal elements, and x and y are numbers determined by the valence of the metal.

상기 반응의 결과로 원재료인 고체 상태의 MxOy(s) 분말이 기체 상태의 M(g)로 환원된다. 이렇게 형성된 M(g)는 적절하게 고안된 반응기 속에서 다양한 나노 구조체의 MxOy(s)로 다시 산화된다(하기 (c) 및 (d) 단계 참조). As a result of the reaction, M x O y (s) powder in the solid state as a raw material is reduced to M (g) in the gas state. The M (g) thus formed is oxidized back to M x O y (s) of various nanostructures in a properly designed reactor (see steps (c) and (d) below).

xM(g) + yCO(g) → MxOy(s) + yC(s) (c)xM (g) + yCO (g) → M x O y (s) + yC (s) (c)

yC(s) + yCO2(g) → 2yCO(g) (d)yC (s) + yCO 2 (g) → 2yCO (g) (d)

상기 반응식에서, M, x 및 y는 전술한 바와 동일하다.In the above scheme, M, x and y are the same as described above.

다시 말하면, 위와 같은 반응 단계들을 통하여 금속 산화물 나노 구조체를 형성하는 공정을 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)이라고 한다.In other words, the process of forming the metal oxide nanostructures through the above reaction steps is called carbon thermal reduction.

기존의 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)에서는 원재료로 사용되는 탄소 분말로 흑연을 사용하여 왔다. 이런 경우, 상기 반응단계 (a)의 MxOy(s)와 C(s)의 고상 반응이 원활하지 않게 된다. 따라서, MxOy(s)를 M(g)로 원활히 환원시키기 위하여 고온반응이 필요하거나 부수적인 기체 조절 공급 장치를 추가하여야 했다. In conventional carbon thermal reduction using carbon, graphite has been used as a carbon powder used as a raw material. In this case, the solid phase reaction of M x O y (s) and C (s) in the reaction step (a) is not smooth. Therefore, in order to smoothly reduce M x O y (s) to M (g), a high temperature reaction was required or an additional gas-controlled feeder had to be added.

또한, 최근 문헌에 따르면 단일벽 탄소 나노튜브(Single-walled carbon nanotube)를 이용하여 상기 고상 반응(반응 단계 (a))을 활성화시킬 수도 있으나, 단일벽 탄소 나노튜브는 소량으로 생산되는 값비싼 원료이므로 대량생산에 적합하지 못하다는 큰 단점을 갖는다{참고문헌: C.M. Lieber and P. Yang, US005897945A; H.T. Ng et al. Science 300, 1249 (2003); D. Banerjee et al. Appl. Phys. Lett. 83, 2061 (2003); C.X. Xu et al. Appl. Phys. Lett. 83, 3806 (2003); Z. L. Wang, Materials Today 7, 26 (2004); Y.H. Leung, Chemical Physics Letters 394, 452(2004)}.In addition, according to the recent literature, single-walled carbon nanotubes may be used to activate the solid phase reaction (reaction step (a)), but single-walled carbon nanotubes are expensive raw materials produced in small amounts. Has a major disadvantage that it is not suitable for mass production. {Ref .: CM Lieber and P. Yang, US005897945A; HT Ng et al . Science 300 , 1249 (2003); D. Banerjee et al . Appl. Phys. Lett. 83 , 2061 (2003); CX Xu et al. Appl. Phys. Lett. 83 , 3806 (2003); ZL Wang, Materials Today 7 , 26 (2004); YH Leung, Chemical Physics Letters 394 , 452 (2004)}.

따라서, 본 발명자들은 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)을 이용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조할 때, 가격이 저렴하면서도 표면적이 넓은 카본블랙을 사용하면 고상반응을 활성화시켜 상대적으로 저온에서도 다양한 형태의 금속 산화물 나노 구조체를 제조할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다. Therefore, the inventors of the present invention, when manufacturing a metal oxide nanostructure using carbon thermal reduction (Carbothermal Reduction), using carbon black having a low surface area but a large surface area to activate the solid-phase reaction in a variety of forms at relatively low temperatures The present invention was completed by discovering that the metal oxide nanostructure of the compound can be prepared.

본 발명은 탄소를 이용한 열적 환원반응에서의 고상반응을 활성화시켜 나노선(Nanowire), 나노봉(Nanorod), 나노판, 나노빗살(Nanocomb), 나노띠(Nanobelt), 나노스프링(Nanosping), 테트라포드(tetrapod) 등의 다양한 금속 산화물, 특히 산화아연, 산화갈륨, 산화티탄, 산화주석, 산화 인듐 등의 MO, M2O3, MO2의 양론비를 지니는 금속 산화물 나노 구조체를 상대적으로 저온에서도 제조할 수 있는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.The present invention activates the solid phase reaction in the thermal reduction reaction using carbon nanowire, nanorod, nanoplate, nanocomb, nanobelt, nanospring, tetrapod Metal oxide nanostructures having a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3 and MO 2 , such as various metal oxides such as (tetrapod), in particular zinc oxide, gallium oxide, titanium oxide, tin oxide and indium oxide, are produced at relatively low temperatures. It is to provide a method for producing a metal oxide nanostructure that can be.

이하 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter will be described in detail with respect to the present invention.

본 발명은 금속 산화물, 특히 산화아연, 산화갈륨, 산화티탄, 산화주석, 산 화 인듐 등의 MO, M2O3, MO2의 양론비를 지니는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법, 보다 구체적으로는 탄소를 이용한 열적 환원반응(carbothermal reduction)을 이용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 표면적이 30 m2/g 이상인 카본블랙을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다.The present invention provides a method for producing metal oxide nanostructures having a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3 , MO 2 , such as metal oxides, in particular zinc oxide, gallium oxide, titanium oxide, tin oxide, indium oxide, and more specifically In the method for producing a metal oxide nanostructure by using a carbon thermal reduction reaction (carbothermal reduction), a method for producing a metal oxide nanostructure, characterized in that the carbon black having a surface area of 30 m 2 / g or more will be.

본 발명의 방법에서는 종래에 사용되던 흑연 대신에 카본블랙을 원재료로 사용하여 금속 산화물 분말과 혼합하여 사용한다. 기존에 사용되어온 흑연은 단위 무게 당 표면적이 10 m2/g 미만으로서 상기 고상반응(반응단계 (a))이 원활치 않아 고온 또는 부수적인 기체 조절 공급 장치가 필요하였다. In the method of the present invention, carbon black is used as a raw material instead of graphite, which is conventionally used, and mixed with metal oxide powder. Graphite, which has been used in the past, has a surface area per unit weight of less than 10 m 2 / g, and the solid phase reaction (reaction step (a)) is not smooth, requiring a high temperature or ancillary gas control supply device.

그러나, 본 발명에서 사용하는 카본블랙은 30 m2/g 이상의 표면적을 가진다. 따라서 카본블랙을 금속 산화물 분말과 혼합해 가열할 경우, 흑연에 비하여 M(g)를 형성하는 C(s)와 MxOy(s)간의 고상 반응이 촉진되어 상대적으로 저온에서도 금속 산화물 나노 구조체를 제조할 수 있다.However, the carbon black used in the present invention has a surface area of 30 m 2 / g or more. Therefore, when carbon black is mixed with metal oxide powder and heated, the solid phase reaction between C (s) and M x O y (s), which forms M (g), is promoted, compared to graphite, so that the metal oxide nanostructure is relatively low. Can be prepared.

이렇게 단위 무게 당 표면적이 30 m2/g 이상인 카본블랙과 금속 산화물 분말을 혼합한 원재료를 적절하게 고안된 반응기에 넣어 원하는 나노 구조체의 제조에 적합한 조건에서 탄소를 이용한 열적 환원반응(Carbothermal Reduction)을 수행한다. Carbothermal Reduction using carbon is carried out under suitable conditions for the preparation of the desired nanostructure by putting a raw material mixed with carbon black and metal oxide powder having a surface area of 30 m 2 / g or more per unit weight in an appropriately designed reactor. do.

도 1은 금속 산화물 나노 구조체 제조를 위한 온도 구배가 있는 반응기의 모 식도이다. 부호(1)은 석영 튜브이며, 부호(2)는 탄소 분말과 금속 산화물 분말의 혼합물로 구성된 원재료이고, 부호(3)은 고온에서 안정한 원재료의 용기이며, 부호(4)는 금속 산화물의 나노 구조체가 형성될 기판이다. 1 is a schematic diagram of a reactor having a temperature gradient for preparing a metal oxide nanostructure. Reference numeral 1 denotes a quartz tube, reference numeral 2 denotes a raw material composed of a mixture of carbon powder and metal oxide powder, reference numeral 3 denotes a container of raw material stable at high temperature, and reference numeral 4 denotes a nanostructure of metal oxide. Is the substrate to be formed.

상기의 석영 튜브를 튜브형 고온로에 장착하는데, A에서 B까지 온도가 감소하는 방향으로 구배를 가지도록 한다. 원재료를 담고 있는 용기(3)은 탄소가 흑연일 경우 통상 1000 ~ 1400 oC의 범위에 놓이며, 기판 (4)는 원하는 구조에 따라 적절하게 이보다 낮은 온도에 위치하며, 또는 경우에 따라서는 용기(3)의 위에 위치하기도 한다. 이렇게 구성된 반응기에서, 원재료(2)의 금속 산화물은 탄소에 의해 산소를 뺏기며 기체상태 M(g)로 환원되어 온도 구배를 따라 이동하다가 기판(4) 상에 금속 산화물 나노 구조체를 형성한다. 또한 온도 구배가 없이 기판(4)이 용기(3) 위에 위치하는 경우에도 역시 기체상태로 환원된 M(g)가 금속 산화물의 상태로 기판 위에 나노 구조체를 형성한다. The quartz tube is mounted in a tubular high temperature furnace, with a gradient in the direction of decreasing temperature from A to B. The container 3 containing the raw material is usually in the range of 1000 to 1400 ° C. if the carbon is graphite, and the substrate 4 is suitably positioned at a lower temperature, depending on the desired structure, or in some cases, the container. It may be located above (3). In the reactor configured as described above, the metal oxide of the raw material 2 is deprived of oxygen by carbon and is reduced to a gaseous state M (g) to move along a temperature gradient to form a metal oxide nanostructure on the substrate 4. In addition, even when the substrate 4 is positioned on the container 3 without a temperature gradient, M (g), which is also reduced to a gaseous state, forms a nanostructure on the substrate in the state of a metal oxide.

본 발명의 방법에 있어서 카본블랙과 금속 산화물 분말의 혼합비는 반응 온도 즉, 원재료 용기의 가열 온도 및 기판 상의 온도, 제조하고자 하는 금속 산화물 나노 구조체의 종류, 사용하는 카본블랙의 표면적, 가열 시간 등에 따라 의존하며, 그 혼합비가 특정 범위로 반드시 한정되어야 하는 것은 아니나, 바람직하게는 10:1 내지 1:10 (중량비)의 범위로 존재하는 것이 좋다.In the method of the present invention, the mixing ratio of the carbon black and the metal oxide powder depends on the reaction temperature, that is, the heating temperature of the raw material container and the temperature on the substrate, the type of the metal oxide nanostructure to be manufactured, the surface area of the carbon black used, the heating time, and the like. It does not necessarily need to be limited to the specific range in the mixing ratio, Preferably it exists in the range of 10: 1-1:10 (weight ratio).

또한, 본 발명에서 사용하는 카본블랙은 그 표면적이 30 m2/g 이상이어야 한다. 카본블랙의 표면적이 30 m2/g 미만이면 고상반응을 활성화시키는 기능이 약하여 원하는 정도의 저온에서 반응을 진행하는 것이 곤란해지게 된다. 바람직하게는 카본블랙의 표면적은 100 내지 2500 m2/g 인 것이 유리하다. In addition, the carbon black used in the present invention should have a surface area of 30 m 2 / g or more. If the surface area of the carbon black is less than 30 m 2 / g, the function of activating the solid phase reaction is weak and it becomes difficult to proceed the reaction at a low temperature of the desired degree. Preferably the surface area of the carbon black is advantageously between 100 and 2500 m 2 / g.

본 발명의 방법에 있어서 카본블랙과 금속 산화물 분말의 혼합물인 원재료를 담은 용기를, 기존의 방법에서는 산화아연 등의 금속 산화물의 나노 구조체가 형성되기 힘들었던 600 내지 1,000 oC 이하의 상대적으로 저온의 온도 범위에서 가열하여도 금속 산화물 나노 구조체가 형성될 수 있다. In the method of the present invention, a container containing a raw material, which is a mixture of carbon black and metal oxide powder, in a conventional method, a relatively low temperature of 600 to 1,000 o C or less, in which nanostructures of metal oxides such as zinc oxide are difficult to form. The metal oxide nanostructure may be formed even by heating in the range.

본 발명의 방법에서는 용기의 가열 온도는 600 oC 내지 1500 oC의 범위에 존재하는 것이 유리하다. 가열 온도가 600 oC 미만이면 표면적이 넓은 카본블랙을 사용하여도 금속 산화물 나노 구조체가 형성되는 정도가 미미하며, 가열 온도가 1500 oC 이상이면 에너지 소모가 많을 뿐만 아니라, 금속 산화물 나노 구조체가 오히려 환원되는 경우가 있기 때문이다.In the process of the invention, the heating temperature of the vessel is advantageously present in the range of 600 ° C. to 1500 ° C. If the heating temperature is less than 600 o C, even though carbon black having a large surface area is used, the degree of formation of the metal oxide nanostructures is insignificant. If the heating temperature is more than 1500 o C, energy consumption is high, and the metal oxide nanostructures are rather This is because it may be reduced.

용기의 가열 시간은 반응 조건에 따라 변화되는 것으로 특별히 한정되는 것은 아니다.Heating time of a container changes with reaction conditions, and is not specifically limited.

기판의 온도 또한 형성하고자 하는 금속 산화물 나노 구조체의 종류 및 원재료 용기의 가열 온도, 원재료의 혼합비, 카본블랙의 표면적 등에 의존하며, 특별히 한정되는 것은 아니다.The temperature of the substrate also depends on the type of metal oxide nanostructure to be formed, the heating temperature of the raw material container, the mixing ratio of the raw materials, the surface area of the carbon black, and the like, and is not particularly limited.

상기 기판으로는 Si, Ge 등 통상 사용되는 반도체 기판, 글래스(Glass) 기판, ZnO와 유사한 구조를 가지는 GaN, 사파이어(Sapphire) 기판, 그리고 ZnO, MgO 등의 산화물 기판으로 이루어진 군에서 기판을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 Si, 사파이어(Sapphire), GaN 기판이 유리하다.As the substrate, a substrate may be used in the group consisting of a semiconductor substrate commonly used such as Si and Ge, a glass substrate, a GaN having a structure similar to ZnO, a sapphire substrate, and an oxide substrate such as ZnO or MgO. Preferably, Si, Sapphire, GaN substrates are advantageous.

탄소를 이용한 열적 환원반응에 의해 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 경우는 이의 효율적 제조를 위해서 기판 상에 금속 촉매를 증착시켜 사용할 수 있다. 금속 촉매로는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 그 종류를 가리지 아니하나, 바람직하게는 Au, Cu, Pt, Pd, Ir, Co로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 좋다.When the metal oxide nanostructure is manufactured by thermal reduction using carbon, a metal catalyst may be deposited on a substrate for efficient production thereof. As the metal catalyst, any one of those commonly used in the art may be used. Preferably, at least one selected from the group consisting of Au, Cu, Pt, Pd, Ir, and Co is used.

본 발명의 방법에서는 별도의 기체 공급 장치가 반드시 존재하여야 할 필요는 없다. In the process of the invention, a separate gas supply does not necessarily have to be present.

본 발명의 방법은 탄소를 이용한 열적 환원반응에 의해 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법이라면, 금속 산화물의 종류에 상관없이 적용될 수 있으며, 보다 구체적으로는, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 탄탈륨, 크로뮴, 몰리브데늄, 텅스텐, 망간, 테크네튬, 레늄, 철, 오스뮴, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 스칸디윰, 이트리움, 란타늄, 란탄계 원소(예를 들면, 세륨, 프라제오디미움, 네오디미움, 프로메티움, 사마리움, 이유로피움, 가도리늄, 테르비움, 디스프로지움, 홀미움, 에르비움, 투리움, 이테르비윰 및 루테티윰), 보론, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 탈륨, 규소, 게르마늄, 주석, 납, 마그네슘, 칼슘, 스트론듐 및 바륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 들 수 있다.If the method of the present invention is a method for producing a metal oxide nanostructure by thermal reduction reaction using carbon, can be applied regardless of the type of metal oxide, more specifically, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum , Chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium, rhenium, iron, osmium, cobalt, nickel, copper, zinc, scandinium, yttrium, lanthanum, lanthanum-based elements (e.g., cerium, prazeodymium, Neodymium, promethium, samarium, pyrodium, gadolinium, terbium, disprogium, holium, erbium, turrium, iterbitum and lutetium), boron, aluminum, gallium, indium, thallium, And oxides of at least one metal element selected from the group consisting of silicon, germanium, tin, lead, magnesium, calcium, strontium and barium.

바람직하게는 MO, M2O3, MO2의 양론비를 지니는 금속 산화물에 적용될 수 있 다. 여기서, M은 단일 금속 원소 또는 2 이상의 금속 원소의 혼합 상태일 수 있다.Preferably it can be applied to metal oxides having a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3 , MO 2 . Here, M may be a single metal element or a mixed state of two or more metal elements.

더욱 바람직하게는 금속 산화물이 산화아연, 산화갈륨, 산화티탄, 산화주석, 산화 인듐인 것이 유리하며, 특히 산화아연, 산화갈륨, 산화티탄인 경우 더욱 유리하다. 가장 바람직하게는 본 발명의 방법은 산화아연 나노 구조체를 제조하는 경우 적용하는 것이 더욱 좋다.More preferably, the metal oxide is advantageously zinc oxide, gallium oxide, titanium oxide, tin oxide, indium oxide, and more particularly in the case of zinc oxide, gallium oxide, titanium oxide. Most preferably the method of the present invention is better applied when producing zinc oxide nanostructures.

본 발명의 방법에 따라 제조된 금속 산화물 나노 구조체는 반응 조건에 따라 나노선(Nanowire), 나노봉(Nanorod), 나노판, 나노빗살(Nanocomb), 나노띠(Nanobelt), 나노스프링(Nanosping), 테트라포드(tetrapod) 등 다양한 형태의 형상을 선택적으로 취할 수 있다. The metal oxide nanostructures prepared according to the method of the present invention are nanowires, nanorods, nanoplates, nanocombs, nanobelts, nanosprings, nanosprings, Various forms of shapes, such as tetrapod, can be selectively taken.

통상 나노선은 직경이 10 ~ 50 nm이며 길이가 100 nm 이상이 되고, 나노봉은 직경이 50 nm ~ 200nm이고 길이가 100 nm 이상이며, 나노판은 두께가 50 nm 이상이며 폭이 1 ㎛ 이상인 구조를 갖는다. 또한, 나노 빗살은 상기의 나노봉 또는 나노선이 나노판 위에 빗살형으로 배열된 형태를 나노 빗살이라 한다.Normally, nanowires have a diameter of 10 to 50 nm and a length of 100 nm or more, nanorods have a diameter of 50 nm to 200 nm, a length of 100 nm or more, and a nanoplate having a thickness of 50 nm or more and a width of 1 μm or more. Has In addition, the nano-comb is a nano-comb is a form in which the nanorods or nanowires are arranged in a comb-tooth form on the nanoplate.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실험예 및 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, experimental examples and preferred examples are provided to help understanding of the present invention, but the following examples are merely to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.

[실험예 1]Experimental Example 1

본 실험예는 탄소의 표면적 효과를 보여주는 실험에 관한 것이다. 금속 산화물 분말로 산화아연 분말을 선택하여 탄소의 표면적 효과를 실험하였다.This experimental example relates to an experiment showing the surface area effect of carbon. Zinc oxide powder was selected as the metal oxide powder to test the surface area effect of carbon.

도 1과 같은 구조의 반응기에서 Si 기판을 원재료의 용기 위에 위치시키며, 탄소(흑연 또는 카본블랙)와 산화아연 분말과 1:1 (중량비)로 혼합한 원재료 0.2 g을 800 oC로 대기 중에서 30분간 가열하는 방식으로 별도의 기체 공급장치 없이 산화아연 나노 구조체를 제조하는 실험을 수행하였다. 이때, 기판은 Si로 이루어진 것을 사용하였으며, 기판의 온도는 800 oC 이었다. 카본블랙은 단위무게 당 표면적이 각각 100 m2/g, 200 m2/g, 800 m2/g, 및 1600 m2/g인 것을 사용하였다. In a reactor having a structure as shown in FIG. 1, a Si substrate is placed on a container of raw materials, and 0.2 g of raw materials mixed with carbon (graphite or carbon black) and zinc oxide powder in a 1: 1 (weight ratio) ratio is 30 ° C. in air at 30 ° C. The experiment was performed to produce a zinc oxide nanostructure without a separate gas supply by heating for a minute. At this time, the substrate used was made of Si, the temperature of the substrate was 800 ° C. Carbon black was used to have a surface area per unit weight of 100 m 2 / g, 200 m 2 / g, 800 m 2 / g, and 1600 m 2 / g, respectively.

기판 상에 형성된 산화아연 나노 구조체에 대한 결과를 도 2 및 도 3에 나타내었다. 도 2는 탄소의 표면적 효과를 나타내는 주사전자현미경 사진으로서 (가)는 표면적이 3 m2/g인 흑연을 사용한 경우이고, (나) ~ (마)는 각각 단위무게 당 표면적이 100 m2/g, 200 m2/g, 800 m2/g, 1600 m2/g인 카본블랙을 원재료로 사용한 경우의 반응 생성물에 대한 사진이다. Results of the zinc oxide nanostructures formed on the substrate are shown in FIGS. 2 and 3. Figure 2 is a scanning electron micrograph showing the surface area effect of carbon (a) is the case of using graphite having a surface area of 3 m 2 / g, (b) ~ (e) are each 100 m 2 / surface area per unit weight It is a photograph about the reaction product when the carbon black which is g, 200 m <2> / g, 800 m <2> / g, and 1600 m <2> / g is used as a raw material.

도 2(가)에서는 어떠한 산화아연의 나노 구조체도 형성되지 않았으며 단지 산화아연 나노 구조체의 효율적인 제조를 위하여 사용한 Au의 나노 입자만 관찰되었다. 그러나, 표면적이 100 m2/g인 카본블랙을 사용한 경우인 도 2(나)는 기판 표면에 약간의 아연이 도포되어 나노 도메인을 형성하고 있음을 보여준다. 이때, 금속촉매는 나노 도메인과 반응한 경우와 반응하지 않은 경우가 혼재하여, 따라서 본 실험 조건에서는 아연의 도포가 충분하지 않음을 나타낸다. 도 2(다)는 표면적이 200 m2/g인 카본블랙을 사용한 경우로, 도 2(나)에 비해 표면 대부분이 아연으로 도포된 것을 확인할 수 있다. 표면적이 800 m2/g인 카본블랙을 사용한 경우인 도 2(라)는 기판 표면에 나노 봉(Nanorod)이 일부 형성되었음을 보여주며, 마지막으로 표면적이 1600 m2/g인 카본블랙을 사용한 경우를 보여주는 도 2(마)에서는 도 2(라)에 성장하기 시작한 나노봉이 훨씬 더 자랐음을 확인할 수 있다. 따라서, 도 2는 표면적이 넓은 카본블랙을 원재료로 사용할 경우 효율적으로 산화아연의 나노 구조체를 제조할 수 있으며, 카본블랙의 표면적이 증가할수록 산화아연 나노 구조체가 보다 효율적으로 형성됨을 보여준다.In FIG. 2A, no zinc oxide nanostructures were formed, and only nanoparticles of Au used for efficient production of zinc oxide nanostructures were observed. However, FIG. 2 (b), in which carbon black having a surface area of 100 m 2 / g is used, shows that some zinc is applied to the surface of the substrate to form nano domains. In this case, the metal catalyst is mixed with the case where it is not reacted with the nano domains, and thus, zinc coating is not sufficient under the present experimental conditions. Figure 2 (C) is a case of using a carbon black having a surface area of 200 m 2 / g, it can be seen that most of the surface is coated with zinc compared to Figure 2 (b). In Figure 2 (d) when using the carbon black surface area of 800 m 2 / g when the nano rods (Nanorod) is the use of carbon black shows that some form, and finally, a specific surface area of 1600 m 2 / g to the surface of the substrate In Figure 2 (e) shows that the nanorods started to grow in Figure 2 (d) is much more grown. Therefore, FIG. 2 shows that zinc oxide nanostructures can be efficiently produced when carbon black having a large surface area is used as a raw material, and zinc oxide nanostructures are more efficiently formed as the surface area of carbon black increases.

도 3은 도 2에 나타낸 나노 구조체의 x-선 광전자 분광분석기(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) 분석 결과[가로축: 단위 m2/g(단, G는 흑연을 의미함), 세로축: 단위 원자%]이며, 원재료로 사용되는 탄소의 표면적이 증가함에 따라 기판의 표면에 더 많은 Zn 원자가 도포되는 경향성을 확연히 보여준다. 따라서, 도 2에서 보인 나노 구조체 형성에 대한 탄소의 표면적 효과를 XPS 분석을 통하여 다시 한번 확인하였다.3 is an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis result of the nanostructure shown in FIG. 2 (horizontal axis: unit m 2 / g (where G means graphite), and vertical axis: unit atom) %], Which clearly shows the tendency of more Zn atoms to be applied to the surface of the substrate as the surface area of carbon used as raw material increases. Therefore, the surface area effect of carbon on the nanostructure formation shown in Figure 2 was confirmed once again through XPS analysis.

[실시예 1]Example 1

10 ~ 20 nm 크기를 지니는 금속 촉매 Au가 증착된 Si 기판 위에 산화 아연의 나노 구조체 제조를 실시하였다. 본 실험은 흑연을 사용할 경우의 온도 범위인 1000 ~ 1400 oC 보다 훨씬 낮은 850 oC의 온도 범위에서 표면적이 800 m2/g인 카본블랙과 ZnO 분말의 혼합물 1:1인 원재료 0.2 g을 30분간 가열하여 수행하였다. 이때 기판의 온도는 650 ~ 850 ℃이었다. 도 4는 본 실험 결과 형성된 산화아연 나노봉을 보여주는 주사전자현미경 사진이며, (가)와 (나)는 각각 20,000배와 100,000만 배의 배율에서 측정한 결과이다. 이 때 형성된 산화아연 나노 봉의 지름은 50 ~ 150 nm 였으며, 길이는 ~ 1 ㎛ 정도를 지녔다. Nanostructures of zinc oxide were prepared on a Si substrate on which a metal catalyst Au having a size of 10 to 20 nm was deposited. In this experiment, 0.2 g of a raw material with a mixture of carbon black and ZnO powder having a surface area of 800 m 2 / g and ZnO powder at a temperature range of 850 o C, much lower than the temperature range of 1000 to 1400 o C, was used. It was carried out by heating for a minute. At this time, the temperature of the substrate was 650 ~ 850 ℃. 4 is a scanning electron micrograph showing the zinc oxide nanorods formed as a result of this experiment, (A) and (B) are measured at 20,000 times and 100,000 times magnification, respectively. The zinc oxide nanorods formed at this time had a diameter of 50 to 150 nm and a length of about 1 μm.

[비교예 1]Comparative Example 1

본 실험은 실시예 1의 대조 실험결과이다. 본 실험은 표면적이 800 m2/g인 카본블랙이 아닌 기존의 흑연(표면적: 3 m2/g)을 사용하여 실시예 1과 동일한 조건에서 실험을 수행하였다. 도 5는 이 실험의 결과를 보여주는 주사전자현미경 사진이며, (가)와 (나)는 각각 20,000배와 100,000만 배의 배율에서 측정한 결과이다. 실시예 1의 결과인 도 4와는 달리 어떠한 산화아연의 나노 구조체도 형성되지 않았으며, 단지 원래 Si 기판 위에 존재하는 크기가 10 ~ 50 nm인 Au 촉매의 형상만 보여준다. This experiment is the result of a control experiment of Example 1. This experiment was carried out under the same conditions as in Example 1 using conventional graphite (surface area: 3 m 2 / g) rather than carbon black having a surface area of 800 m 2 / g. 5 is a scanning electron micrograph showing the results of this experiment, (a) and (b) are measured at 20,000 times and 100,000 times magnification, respectively. Unlike FIG. 4, which is the result of Example 1, no zinc oxide nanostructures were formed, and only the shape of Au catalyst having a size of 10 to 50 nm originally present on the Si substrate was shown.

[실시예 2]Example 2

본 실시예에서는 표면적이 800 m2/g인 카본블랙을 사용하고, 원재료를 950 oC에서 가열하며 기판의 온도를 하기와 같이 조절하는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 반응조건에서 실험을 수행하여 산화아연 나노 구조체를 형성하였다. 도 6은 이 실험의 결과를 보여주는 주사전자현미경 사진으로, 기판의 온도가 930 ℃인 경우((가))는 산화아연 나노 선을, 900 ℃인 경우((나))는 산화아연 나노 핀을 형성하였다. In this example, the experiment was carried out under the same reaction conditions as in Example 1 except for using carbon black having a surface area of 800 m 2 / g, heating the raw material at 950 ° C., and controlling the temperature of the substrate as follows. Zinc oxide nanostructures were formed. 6 is a scanning electron micrograph showing the results of this experiment, when the temperature of the substrate is 930 ℃ (A) zinc oxide nanowires, (900) (Zn) zinc oxide nano pins Formed.

[실시예 3]Example 3

본 실시예에서는 표면적이 800 m2/g인 카본블랙을 사용하고, 카본블랙과 ZnO가 1:4의 중량비를 가지는 원재료를 1050 oC에서 가열하며 기판의 온도를 하기와 같이 조절하는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 반응조건에서 실험을 수행하여 산화아연 나노 구조체를 형성하였다. 도 7은 이 실험의 결과를 보여주는 주사전자현미경 사진으로, 기판의 온도가 950~1000 ℃인 경우((가))는 산화아연 나노 빗살을, 930 ~ 970 ℃인 경우((나))는 산화아연 테트라포드를 형성하였다. In this embodiment, carbon black having a surface area of 800 m 2 / g is used, and a raw material having a weight ratio of carbon black and ZnO 1: 4 is heated at 1050 ° C., except that the temperature of the substrate is controlled as follows. The experiment was performed under the same reaction conditions as in Example 1 to form a zinc oxide nanostructure. 7 is a scanning electron micrograph showing the results of this experiment, when the temperature of the substrate is 950 ~ 1000 ℃ (A) zinc oxide nano comb teeth, 930 ~ 970 ℃ ((B)) oxidation Zinc tetrapod was formed.

[실시예 4]Example 4

본 실시예에서는 표면적이 1600 m2/g인 카본블랙을 사용하고, 산화아연 대신에 산화갈륨(Ga2O3) 분말을 사용하며, 원재료를 1,000 oC에서 가열하는 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 반응조건에서 실험을 수행하여 산화갈륨 나노 구조체를 형성 하였다. 도 8은 이 실험의 결과를 보여주는 주사전자현미경 사진으로, (가)와 (나)는 각각 20,000배와 100,000만 배의 배율에서 측정한 결과이다. 20 nm 내외의 굵기를 가진 막대형 산화갈륨이 형성된 것을 확인할 수 있다. In this embodiment, carbon black having a surface area of 1600 m 2 / g is used, gallium oxide (Ga 2 O 3 ) powder is used instead of zinc oxide, and raw materials are heated at 1,000 o C. Experiments were performed under the same reaction conditions to form gallium oxide nanostructures. 8 is a scanning electron micrograph showing the results of this experiment, (a) and (b) are measured at 20,000 times and 100,000 times magnification, respectively. It can be seen that rod-shaped gallium oxide having a thickness of about 20 nm was formed.

[실시예 5]Example 5

본 실시예에서는 표면적이 1600 m2/g인 카본블랙을 사용하고, 산화아연 대신에 산화티탄(TiO2) 분말을 사용하며, 원재료를 1,000 oC에서 가열하는 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 반응조건에서 실험을 수행하여 산화티탄 나노 구조체를 형성하였다. 도 9는 이 실험의 결과를 보여주는 주사전자현미경 사진으로, (가)와 (나)는 각각 5000배와 10,000만 배의 배율에서 측정한 결과이다. 20 nm 내외의 굵기를 가진 산화티탄 나노봉과 함께 삼각형의 산화티탄 나노판이 형성된 것을 확인할 수 있다.In this embodiment, carbon black having a surface area of 1600 m 2 / g is used, titanium oxide (TiO 2 ) powder is used instead of zinc oxide, and the same reaction as in Experiment 1 except that the raw materials are heated at 1,000 ° C. Experiments were performed under the conditions to form a titanium oxide nanostructure. Figure 9 is a scanning electron micrograph showing the results of this experiment, (a) and (b) are measured at the magnification of 5000 times and 10 million times, respectively. Triangular titanium oxide nanoplatelets were formed together with the titanium oxide nanorods having a thickness of about 20 nm.

상기의 실험결과에서 보듯이 탄소의 표면적이 넓은 카본블랙을 사용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 본 발명은 반응 온도를 최소 150 oC 이상 낮출 수 있어도 금속 산화물 나노 구조체가 형성되는 효과를 가짐을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 방법은 다양한 금속 산화물 나노 구조체의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.As can be seen from the above experimental results, the present invention of preparing a metal oxide nanostructure using carbon black having a large surface area of carbon has an effect of forming a metal oxide nanostructure even though the reaction temperature can be lowered by at least 150 o C or more. Can be. In addition, the method of the present invention can be usefully used for the production of various metal oxide nanostructures.

카본블랙은 비교적 저렴한 원료이기 때문에 본 발명에서는 금속 산화물 나노 구조체의 제조 원가가 현저히 낮아질 수 있는 장점도 있다.Since carbon black is a relatively inexpensive raw material, there is an advantage in that the manufacturing cost of the metal oxide nanostructure may be significantly lowered in the present invention.

Claims (6)

탄소를 이용한 열적 환원반응(carbothermal reduction)을 이용하여 금속 산화물 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 표면적이 30 m2/g 이상인 카본 블랙을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법.A method for producing a metal oxide nanostructure using carbon thermal reduction using carbon, the method for producing a metal oxide nanostructure, characterized in that carbon black having a surface area of 30 m 2 / g or more is used. 제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물이 MO, M2O3 또는 MO2 (여기서, M은 1종 이상의 금속 원소이고, O는 산소 원자임)의 양론비를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법.The metal oxide nanostructure of claim 1, wherein the metal oxide has a stoichiometric ratio of MO, M 2 O 3, or MO 2 , wherein M is one or more metal elements, and O is an oxygen atom. Manufacturing method. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 카본 블랙의 표면적이 100 m2/g 내지 2,500 m2/g 인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법. The method of claim 1 or 2, wherein the carbon black has a surface area of 100 m 2 / g to 2,500 m 2 / g. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 카본블랙과 금속 산화물 분말을 1:10 내지 10:1의 중량비로 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법.The method of claim 1 or 2, wherein the carbon black and the metal oxide powder are mixed and used in a weight ratio of 1:10 to 10: 1. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 600 ℃ 이상의 온도 범위에서 카본블랙을 가 열하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법.The method for producing a metal oxide nanostructure according to claim 1 or 2, wherein the carbon black is heated at a temperature range of 600 ° C or higher. 제 1항 또는 제 2항에 있어서 금속 산화물 나노 구조체가 직경이 10 ~ 50 nm이며 길이가 100 nm 이상인 나노선, 직경이 50 nm ~ 200nm이며 길이가 100 nm 이상인 나노봉, 두께가 50 nm 이상이며 폭이 1 ㎛ 이상인 나노판, 또는 상기의 나노봉 또는 나노선이 나노판 위에 빗살형으로 배열된 나노 빗살의 형태인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 구조체의 제조방법.The metal oxide nanostructures of claim 1 or 2, wherein the metal oxide nanostructures have a diameter of 10 to 50 nm and a length of 100 nm or more, a nanorod of 50 nm to 200 nm and a length of 100 nm or more, and a thickness of 50 nm or more. A method for producing a metal oxide nanostructure, characterized in that the nanoplate having a width of 1 μm or more, or the nanorods or nanowires in the form of nanocombs arranged in a comb-tooth shape on the nanoplate.
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