KR20060100635A - Substrate drying apparatus using microwave - Google Patents

Substrate drying apparatus using microwave Download PDF

Info

Publication number
KR20060100635A
KR20060100635A KR1020050022324A KR20050022324A KR20060100635A KR 20060100635 A KR20060100635 A KR 20060100635A KR 1020050022324 A KR1020050022324 A KR 1020050022324A KR 20050022324 A KR20050022324 A KR 20050022324A KR 20060100635 A KR20060100635 A KR 20060100635A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
process chamber
photoresist
present
microwaves
Prior art date
Application number
KR1020050022324A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최용남
조중근
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020050022324A priority Critical patent/KR20060100635A/en
Publication of KR20060100635A publication Critical patent/KR20060100635A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/60—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers
    • H04M1/6033—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers for providing handsfree use or a loudspeaker mode in telephone sets
    • H04M1/6041—Portable telephones adapted for handsfree use
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/10—Earpieces; Attachments therefor ; Earphones; Monophonic headphones
    • H04R1/1033—Cables or cables storage, e.g. cable reels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/10—Details of earpieces, attachments therefor, earphones or monophonic headphones covered by H04R1/10 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/107—Monophonic and stereophonic headphones with microphone for two-way hands free communication
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2499/00—Aspects covered by H04R or H04S not otherwise provided for in their subgroups
    • H04R2499/10—General applications
    • H04R2499/11—Transducers incorporated or for use in hand-held devices, e.g. mobile phones, PDA's, camera's

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 균일한 온도 전달이 가능한 마이크로웨이브를 이용한 기판 건조 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기판 건조 장치는 기판이 위치되는 공정챔버; 상기 공정챔버에 위치된 기판의 표면으로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생기; 및 상기 마이크로웨이브가 상기 공정챔버 밖으로 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정챔버의 내벽에 설치되는 차폐막을 포함한다. 본 발명에 의하면, 기판에 균일한 온도전달이 가능하여 기판 표면에 도포된 포토레지스트의 온도 프로파일(profile)이 균일해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 포토레지스트층의 내부와 외부가 동시 가열됨으로써 건조시간을 단축할 수 있고, 포토레지스트의 건조시 외부층과 내부층의 온도차이에 의해 발생하는 크랙을 방지할 수 있다. The present invention relates to a substrate drying apparatus using microwaves capable of uniform temperature transfer to a substrate. The substrate drying apparatus of the present invention comprises a process chamber in which the substrate is located; A microwave generator for irradiating microwaves to the surface of the substrate located in the process chamber; And a shielding film disposed on an inner wall of the process chamber to prevent the microwaves from flowing out of the process chamber. According to the present invention, it is possible to achieve uniform temperature transfer to the substrate, thereby obtaining the effect of uniformizing the temperature profile of the photoresist applied to the substrate surface. In addition, the present invention can shorten the drying time by simultaneously heating the inside and the outside of the photoresist layer, it is possible to prevent cracks caused by the temperature difference between the outer layer and the inner layer during drying of the photoresist.

Description

마이크로웨이브를 이용한 기판 건조 장치{SUBSTRATE DRYING APPARATUS USING MICROWAVE} Substrate drying apparatus using microwaves {SUBSTRATE DRYING APPARATUS USING MICROWAVE}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 건조 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

110 : 공정챔버110: process chamber

120 : 마이크로웨이브 발생기120: microwave generator

122 : 건(GUN)122: Gun

124 : 차폐막 124: shielding film

본 발명은 주로 반도체 제조 공정에서 기판 표면의 포토레지스트를 건조시키는 기판 건조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판에 균일한 온도 전달이 가능한 기판 건조 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention mainly relates to a substrate drying apparatus for drying a photoresist on a substrate surface in a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to a substrate drying apparatus capable of uniform temperature transfer to a substrate.

일반적으로 웨이퍼(WAFER), 에프피디(F.P.D:FLAYER PANEL DISPLAYER), 피디피(P.D.P:PLASMA DISPLAY PANNEL), 액정디스플레이(L.C.D:LIQUID CRYSTAL DISPLAY) 등의 반도체 기판을 제조하는 공정중에서 기판 표면의 포토레지스트를 건조하는 공정은 미리 가열된 공기를 기판 표면에 불어주는 대류와 전도가열에 의한 건조방식(간접가열방식)과 전기정항열(열선)과 같은 열원을 사용하여 복사전도에 의한 건조방식(직접가열방식)을 사용하고 있다.Generally, photoresist on the surface of a substrate is used during the process of manufacturing a semiconductor substrate such as wafer, FPD (FLAYER PANEL DISPLAYER), PDP (PLASMA DISPLAY PANNEL), and liquid crystal display (LCD: LIQUID CRYSTAL DISPLAY). The drying process involves drying by radiative conduction (direct heating) using heat sources such as convection and conduction heating (indirect heating) and electrostatic heating (heating wire) that blows preheated air to the substrate surface. I'm using.

직접가열방식은 복사열이 건조의 주요인자가 되어 열원(히팅코일)과 기판(건조대상물) 사이의 공간조건에 따라 복사열량의 변화가 많고, 위치별 온도 차이가 많아 건조에 적절한 열원의 온도 제어가 어렵다. 그리고 간접가열방식은 직접가열방식에 비해 기판을 균일하게 가열할 수 있으나 상대적으로 건조시간이 길어져 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.In the direct heating method, the radiant heat is a major factor of drying, and thus the amount of radiant heat varies greatly depending on the space conditions between the heat source (heating coil) and the substrate (dry object). it's difficult. The indirect heating method can uniformly heat the substrate as compared to the direct heating method, but there is a problem in that productivity is reduced due to a relatively long drying time.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 기판에 균일한 열을 제공할 수 있는 새로운 형태의 기판 건조 장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a new type of substrate drying apparatus capable of providing uniform heat to a substrate.

상기 기술적 과제들을 이루기 위한 본 발명의 포토레지스트가 도포된 기판의 건조 장치는 기판이 위치되는 공정챔버; 상기 공정챔버에 위치된 기판의 표면으로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생기; 및 상기 마이크로웨이브가 상기 공정챔버 밖으로 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정챔버의 내벽에 설치되는 차폐막을 포함한다.The drying apparatus of the photoresist coated substrate of the present invention for achieving the technical problem is a process chamber in which the substrate is located; A microwave generator for irradiating microwaves to the surface of the substrate located in the process chamber; And a shielding film disposed on an inner wall of the process chamber to prevent the microwaves from flowing out of the process chamber.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 마이크로웨이브 발생기는 상기 기판의 측 방향에서 상기 마이크로웨이브를 조사하도록 상기 공정챔버의 측면에 설치된다. According to an embodiment of the invention, the microwave generator is installed on the side of the process chamber to irradiate the microwaves in the lateral direction of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 마이크로웨이브 발생기는 마이크로웨이브가 방출되는 전단에 상기 기판 측면으로의 마이크로웨이브 조사를 위한 건(gun)을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the microwave generator further includes a gun for irradiating microwaves to the side of the substrate in front of the microwave is emitted.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 건조 장치(100)는 웨이퍼(WAFER), 에프피디(F.P.D:FLAYER PANEL DISPLAYER), 피디피(P.D.P:PLASMA DISPLAY PANNEL), 액정디스플레이(L.C.D:LIQUID CRYSTAL DISPLAY)등의 기판을 제조하는 공정중에서 기판(w) 표면의 포토레지스트(PR)를 건조하는데 하는데 마이크로웨이브를 이용하여 기판의 포토레지스트(PR)를 직접 가열할 수 있는 장치이다. Referring to FIG. 1, the substrate drying apparatus 100 according to the present invention includes a wafer, a FDP (FLAYER PANEL DISPLAYER), a PDP (PLASMA DISPLAY PANNEL), and a liquid crystal display (LCD: LIQUID CRYSTAL DISPLAY). It is a device that can directly heat the photoresist (PR) of the substrate using a microwave to dry the photoresist (PR) on the surface of the substrate (w) in the process of manufacturing a substrate, such as.

상기 기판 건조 장치(100)는 공정챔버(110), 마이크로웨이브 발생기(120) 그리고 차폐막(124)을 포함한다.The substrate drying apparatus 100 includes a process chamber 110, a microwave generator 120, and a shielding film 124.

상기 공정챔버(110)의 일측에는 마이크로웨이브 발생기(120)가 설치되어 있으며, 어느 일측에는 기판이 반입,반출될 수 있도록 게이트밸브가(미도시됨) 설치되어 있다. 상기 공정챔버(110) 내부에는 기판이 놓여지는 테이블(118)이 배치된 다. A microwave generator 120 is installed at one side of the process chamber 110, and a gate valve (not shown) is installed at one side of the process chamber 110 so that the substrate can be carried in and out. The table 118 in which the substrate is placed is disposed in the process chamber 110.

상기 마이크로웨이브 발생기(120)는 상기 공정챔버(110)의 일측면에 설치되어, 기판의 측방향에서 마이크로웨이브를 조사하기 때문에, 기판에 도포된 포토레지스트(PR)의 급격한 가열을 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 마이크로웨이브 발생기(120)가 상기 공정챔버(110)의 상부에 설치되어, 마이크로웨이브를 기판 상부에서 조사할 경우, 포토레지스트의 두께가 1-2㎛ 정도로 매우 얇기 때문에 포토레지스트(PR) 표면과 내부의 순간적인 온도차에 의해 포토레지스트 표면에 크랙(crack)이 생기거나 들뜨는 현상이 발생될 수 있다. 본 발명에서는 마이크로웨이브를 포토레지스트의 측방향에서 조사하여 포토레지스트의 급속한 가열을 방지할 수 있다.The microwave generator 120 is installed on one side of the process chamber 110 to irradiate microwaves in the lateral direction of the substrate, thereby preventing rapid heating of the photoresist PR applied to the substrate. . For example, when the microwave generator 120 is installed above the process chamber 110, and the microwave is irradiated from the upper portion of the substrate, the photoresist PR is very thin because the thickness of the photoresist is about 1-2 μm. Due to the instantaneous temperature difference between the surface and the inside, cracking or lifting may occur on the photoresist surface. In the present invention, microwaves can be irradiated from the lateral direction of the photoresist to prevent rapid heating of the photoresist.

한편, 상기 공정챔버(110)의 내부 벽면에는 차폐막(124)이 설치된다. 이 차폐막(124)은 상기 마이크로웨이브 발생기(120)로부터 방출되는 마이크로웨이브가 외부(공정챔버 밖)로 누출되는 것을 차단함과 동시에, 상기 마이크로웨이브 전체가 상기 기판의 포토레지스트를 가열하는데 사용되도록 가이드해주는 역할을 갖는다. On the other hand, a shielding film 124 is provided on the inner wall surface of the process chamber 110. The shielding film 124 prevents the microwaves emitted from the microwave generator 120 from leaking outside (outside the process chamber), and guides the entire microwave to be used to heat the photoresist of the substrate. Has a role to play.

그리고, 상기 마이크로웨이브 발생기(1200의 전단(마이크로웨이브가 방출되는)에는 상기 마이크로웨이브가 상기 기판의 포토레지스트 측면으로 조사되도록 하는 건(gun)(122)이 설치된다. In addition, a gun 122 is installed at the front end of the microwave generator 1200 (the microwave is emitted) to irradiate the microwave to the photoresist side of the substrate.

이와 같이, 본 발명에서의 기판 건조 과정을 살펴보면, 상기 마이크로웨이브 발생기(120)에서 발생된 마이크로웨이브는 건(gun)(122)을 통해 상기 기판의 포토레지스트(PR) 측면으로 조사된다. 마이크로웨이브는 기판의 포토레지스트(PR)에 닿아 포토레지스트의 분자를 진동시킴으로서 포토레지스트를 유도가열시켜 균질 경화 를 유도할 수 있다. 상기 마이크로웨이브 발생기(120)의 공급 전력을 조절함으로써 기존의 방식에 비해 용이하게 기판 가열 온도를 조절할 수 있다. 한편, 상기 마이크로웨이브 발생기(120)로부터 조사된 마이크로웨이브는 공정챔버의 벽(차폐막;124)에 의해 반사되어 에너지손실을 최소화할 수 있다. As described above, referring to the substrate drying process of the present invention, the microwave generated by the microwave generator 120 is irradiated to the photoresist (PR) side of the substrate through a gun (122). The microwave may induce homogeneous curing by induction heating of the photoresist by vibrating molecules of the photoresist by contacting the photoresist (PR) of the substrate. By controlling the power supply of the microwave generator 120, it is possible to easily adjust the substrate heating temperature compared to the conventional method. Meanwhile, the microwave irradiated from the microwave generator 120 may be reflected by the wall (shielding film) 124 of the process chamber to minimize energy loss.

한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 기판 건조 장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.On the other hand, the present invention is a substrate drying apparatus having the above configuration can be variously modified and can take various forms. It is to be understood that the invention is not to be limited to the specific forms referred to in the foregoing description, but rather includes all modifications, equivalents and substitutions that fall within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It must be understood.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 건조 장치는 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the substrate drying apparatus according to the present invention has been shown in the configuration and operation according to the above description and drawings, but this is merely described for example, and various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Of course.

상술한 바와 같이 본 발명은 기판에 균일한 온도전달이 가능하여 기판 표면에 도포된 포토레지스트의 온도 프로파일(profile)이 균일해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 포토레지스트층의 내부와 외부가 동시 가열됨으로써 건조시간을 단축할 수 있고, 포토레지스트의 건조시 외부층과 내부층의 온도차이에 의해 발생하는 크랙을 방지할 수 있다. As described above, the present invention can achieve uniform temperature transfer to the substrate, thereby obtaining the effect of uniformizing the temperature profile of the photoresist applied to the substrate surface. In addition, the present invention can shorten the drying time by simultaneously heating the inside and the outside of the photoresist layer, it is possible to prevent cracks caused by the temperature difference between the outer layer and the inner layer during drying of the photoresist.

Claims (3)

포토레지스트가 도포된 기판의 건조 장치에 있어서:In the apparatus for drying a substrate coated with a photoresist: 기판이 위치되는 공정챔버;A process chamber in which the substrate is located; 상기 공정챔버에 위치된 기판의 표면으로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생기; 및 A microwave generator for irradiating microwaves to the surface of the substrate located in the process chamber; And 상기 마이크로웨이브가 상기 공정챔버 밖으로 유출되는 것을 방지하기 위해 상기 공정챔버의 내벽에 설치되는 차폐막을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.And a shielding film provided on an inner wall of the process chamber to prevent the microwaves from flowing out of the process chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마이크로웨이브 발생기는 상기 기판의 측방향에서 상기 마이크로웨이브를 조사하도록 상기 공정챔버의 측면에 설치되어, 상기 기판에 도포된 포토레지스트의 급격한 가열을 방지할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.The microwave generator is installed on the side of the process chamber to irradiate the microwaves in the lateral direction of the substrate, it is possible to prevent the rapid heating of the photoresist applied to the substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 마이크로웨이브 발생기는 마이크로웨이브가 방출되는 전단에 상기 기판 측면으로의 마이크로웨이브 조사를 위한 건(gun)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 건조 장치.The microwave generator further comprises a gun for irradiating microwaves to the side of the substrate at the front end of the microwave is emitted.
KR1020050022324A 2005-03-17 2005-03-17 Substrate drying apparatus using microwave KR20060100635A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050022324A KR20060100635A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Substrate drying apparatus using microwave

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050022324A KR20060100635A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Substrate drying apparatus using microwave

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060100635A true KR20060100635A (en) 2006-09-21

Family

ID=37632101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050022324A KR20060100635A (en) 2005-03-17 2005-03-17 Substrate drying apparatus using microwave

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060100635A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101244673B1 (en) * 2011-04-12 2013-03-18 한국광기술원 Apparatus and method for coating phosphor
CN111383946A (en) * 2018-12-29 2020-07-07 中国科学院微电子研究所 Nano-pattern rapid curing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101244673B1 (en) * 2011-04-12 2013-03-18 한국광기술원 Apparatus and method for coating phosphor
CN111383946A (en) * 2018-12-29 2020-07-07 中国科学院微电子研究所 Nano-pattern rapid curing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101676334B1 (en) Substrate processing apparatus
JP4593381B2 (en) Upper electrode, plasma processing apparatus, and plasma processing method
JP5789036B2 (en) Plasma etching apparatus and plasma etching method
US20060228818A1 (en) Edge temperature compensation in thermal processing particularly useful for SOI wafers
JP2008311298A (en) Placing stand and plasma treatment apparatus using the same
CN103572211A (en) Physical vapor deposition equipment and physical vapor deposition process
TW201704893A (en) Deposition method and deposition apparatus
US10591823B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20060100635A (en) Substrate drying apparatus using microwave
JP2002231637A (en) Plasma processor
JP2001110885A (en) Method and device for processing semiconductor
JP4502220B2 (en) Heat treatment equipment
JP2016009796A (en) Substrate heating apparatus, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2021042409A (en) Plasma treatment apparatus and temperature control method
KR101464207B1 (en) Flat panel display manufacturing apparatus and ir heater used in manufacturing flat panel display
JP2004140324A (en) Plasma treating apparatus
JP2007303805A (en) Heat treatment furnace for manufacturing planar display element, planar display element manufacturing apparatus including the same, manufacturing method for it, and planar display element using it
JP2923879B2 (en) Plasma processing equipment
JP2010062197A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW202147492A (en) Shower plate, substrate treatment device, and substate treatment method
WO2011125394A1 (en) Vacuum processing device, substrate processing method, and low-dielectric constant film manufacturing device
TW202033820A (en) Deposition apparatus
KR101259611B1 (en) Up-Down Device of Oven Chamber for Fabricating the ＬＣＤ Substrate
TWI640053B (en) Substrate support table and manufacturing method thereof
KR20090106177A (en) Substrate processing appratus and method for treating subtrate

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination