KR20060099639A - Plasma display device and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 따르면, 플라즈마 표시 패널 또는 플라즈마 표시 패널의 주변 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 플라즈마 표시 패널 또는 플라즈마 표시 패널의 주변 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정한다. 이렇게 하면, 방전 개시 전압이 높아지는 저온에서 메인 리셋 파형에 의해 방전 프라이밍이 많이 형성되어 저방전이 방지된다.According to the driving method of the plasma display device according to the present invention, the number of subfields to which the main reset waveform for initializing all the discharge cells is applied in the first frame in which the ambient temperature of the plasma display panel or the plasma display panel is lower than the first reference temperature. Is set to be larger than the number of subfields to which the main reset waveform is applied in the second frame in which the ambient temperature of the plasma display panel or the plasma display panel is higher than the first reference temperature. In this way, a large amount of discharge priming is formed by the main reset waveform at a low temperature at which the discharge start voltage becomes high, and low discharge is prevented.
PDP, 전극, 온도, 메인 리셋, 보조 리셋, 저방전, 프라이밍 PDP, Electrode, Temperature, Main Reset, Auxiliary Reset, Low Discharge, Priming
Description
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 제어부의 동작을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an operation of the controller shown in FIG. 1.
도 3은 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a method of driving a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention at a low temperature.
도 4는 도 3의 구동 방법에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.4 illustrates a driving waveform of the plasma display device according to the driving method of FIG. 3.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 저온에서 저방전을 방지할 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 평면 표시 장치로서, 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 픽셀(pixel)이 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 있다. Plasma display devices are flat display devices that display characters or images using plasma generated by gas discharge, and dozens to millions or more of pixels are arranged in a matrix form according to their size.
이러한 플라즈마 표시 장치의 패널에는 그 한쪽 면에 서로 평행인 주사 전극 및 유지 전극이 형성되고 다른 쪽 면에 이들 전극과 직교하는 방향으로 어드레스 전극이 형성된다. 그리고 유지 전극은 각 주사 전극에 대응해서 형성되며, 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다.In the panel of the plasma display device, scan electrodes and sustain electrodes parallel to each other are formed on one surface thereof, and address electrodes are formed on the other surface in a direction orthogonal to these electrodes. The sustain electrode is formed corresponding to each scan electrode, and one end thereof is connected in common to each other.
일반적으로 플라즈마 표시 장치는 한 프레임이 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 여기서, 리셋 기간은 셀에 어드레싱 동작이 원활히 수행되도록 하기 위해 각 셀의 상태를 초기화시키는 기간이며, 어드레스 기간은 패널에서 켜질 방전 셀을 구별하기 위하여 켜질 셀에 벽 전하를 쌓아두는 동작을 수행하는 기간이다. 유지 기간은 어드레스 기간에서 선택된 셀에 대해서 각 서브필드의 가중치에 해당하는 기간 동안 표시 동작을 수행하는 기간이다.In general, a plasma display device is driven by dividing a frame into a plurality of subfields having respective weights, and each subfield is composed of a reset period, an address period, and a sustain period when expressed as a temporal operation change. Here, the reset period is a period for initializing the state of each cell in order to perform the addressing operation smoothly in the cell, and the address period is a period during which the wall charges are accumulated in the cells to be turned on to distinguish the discharge cells to be turned on in the panel. to be. The sustain period is a period in which a display operation is performed for a period corresponding to the weight of each subfield for the cell selected in the address period.
종래 플라즈마 표시 장치의 구동 파형으로, 미국특허 제6294875호에 따르면, 플라즈마 표시 장치의 명암비를 향상시키기 위해 복수의 서브필드 중 일부 서브필드(SF1)에서만 메인 리셋을 수행하고 나머지 서브필드(SF2∼SF8)에서는 보조 리셋을 수행한다. 이때, 메인 리셋은 모든 방전 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간이며, 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간을 말한다.As a driving waveform of a conventional plasma display device, according to US Pat. No. 6294875, in order to improve the contrast ratio of a plasma display device, a main reset is performed only in some subfields SF1 of a plurality of subfields and the remaining subfields SF2 to SF8. ) Performs a secondary reset. In this case, the main reset is a reset period for initializing all of the discharge cells, and the auxiliary reset is a reset period for initializing the cells in which sustain discharge has occurred in the immediately preceding subfield.
이와 같은 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하기 때문에 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀이 이후의 어드레스 기간에서 선택될 경우에는 방전 프라이밍이 충분히 형성되기 때문에 이후의 어드레스 방전이 잘 일어나지만, 직전 서브필드에서 유지방전이 일어나지 않은 셀이 이후의 어드레스 기간에서 선택될 경우에는 방전 프라이밍의 부족으로 인해 어드레스 방전이 잘 일어나지 않으므로 저방전이 발생할 수 있다. 특히, 플라즈마 표시 장치는 패널의 방전 전압 및 방전 특성이 온도에 따라 달라지는 특성을 가지고 있다. 즉, 온도가 낮아지면 방전 개시 전압이 높아지기 때문에 상기와 같은 저방전 현상이 더 심각해진다.Since the auxiliary reset performs initialization for the cell in which the sustain discharge has occurred in the immediately preceding subfield, since the discharge priming is sufficiently formed when the cell in which the sustain discharge has occurred in the immediately preceding subfield is selected in the subsequent address period, the address of the subsequent address is reset. Although discharge occurs well, when the cell in which the sustain discharge does not occur in the immediately preceding subfield is selected in a subsequent address period, address discharge does not occur due to lack of discharge priming, and thus low discharge may occur. In particular, the plasma display device has characteristics in which the discharge voltage and discharge characteristics of the panel vary with temperature. In other words, the lower discharge phenomenon becomes more serious because the discharge start voltage is increased when the temperature decreases.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저온에서 저방전을 방지할 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a plasma display device and a driving method thereof capable of preventing low discharge at low temperatures.
본 발명의 한 특징에 따르면, 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동되는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 플라즈마 표시 장치는, 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 상기 각 서브필드에서 상기 복수의 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형 또는 상기 복수의 방전 셀 중 직전 서브필드에서 화상을 표시한 방전 셀을 초기화하는 보조 리셋 파형을 상기 복수의 방전 셀에 인가하는 구동부, 상기 플라즈마 표시 패널 또는 상기 플라즈마 표시 패널의 주변 온도를 감지하는 온도 감지부, 그리고 상기 온도 감지부의 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서의 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 제어부를 포함한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a plasma display device in which one frame is divided into a plurality of subfields and driven. The plasma display device includes a plasma display panel in which a plurality of discharge cells are formed, a main reset waveform for initializing the plurality of discharge cells in each of the subfields, or a discharge cell displaying an image in a previous subfield among the plurality of discharge cells. A driving unit for applying an auxiliary reset waveform to initialize the plurality of discharge cells, a temperature sensing unit sensing an ambient temperature of the plasma display panel or the plasma display panel, and a sensing temperature of the temperature sensing unit is lower than a first reference temperature. And a controller configured to set the number of subfields to which the main reset waveform is applied in one frame is greater than the number of subfields to which the main reset waveform is applied in a second frame in which the sensing temperature is higher than the first reference temperature. do.
본 발명의 다른 한 특징에 따르면, 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 플라즈마 표시 장치의 패널 및 상기 패널의 주변 온도를 감지하는 단계, 상기 감지 온도를 제1 기준 온도와 비교하는 단계, 그리고 상기 감지 온도가 제1 기준 온도보다 낮은 제1 프레임에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수를 상기 감지 온도가 상기 제1 기준 온도보다 높은 제2 프레임에서 상기 메인 리셋 파형이 인가되는 서브필드의 수보다 많게 설정하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 제1 프레임에서 선택된 방전 셀에 인가되는 유지방전 펄스의 개수를 상기 제2 프레임에서 상기 유지방전 펄스의 개수보다 적게 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a driving method of a plasma display device for dividing and driving one frame into a plurality of subfields having respective weights. The driving method may include detecting a panel of the plasma display device and an ambient temperature of the panel, comparing the detected temperature with a first reference temperature, and in a first frame in which the detected temperature is lower than a first reference temperature. Setting the number of subfields to which a main reset waveform for initializing all discharge cells is applied to be greater than the number of subfields to which the main reset waveform is applied in a second frame in which the sensing temperature is higher than the first reference temperature. do. In this case, the method may further include setting the number of sustain discharge pulses applied to the discharge cells selected in the first frame to be smaller than the number of sustain discharge pulses in the second frame.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification.
그리고 본 발명에서 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.In the present invention, the wall charge refers to a charge formed close to each electrode on the cell wall (eg, the dielectric layer). And the wall charge is not actually in contact with the electrode itself, but is described here as “formed”, “accumulated” or “stacked” on the electrode. In addition, the wall voltage refers to the potential difference formed in the wall of the cell by the wall charge.
이제 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다.Now, a plasma display device and a driving method thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 2를 참조하여 자세하게 설명한다. 아래에서 메인 리셋은 모든 방전 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간이며, 보조 리셋은 직전 서브필드에서 유지방전이 일어난 셀에 대해서 초기화를 수행하는 리셋 기간을 말한다. 즉, 메인 리셋은 상승 기간과 하강 기간으로 이루어진 리셋 기간으로 정의하고, 보조 리셋은 하강 기간으로만 이루어진 리셋 기간으로 정의할 수 있다.First, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2. In the following, the main reset is a reset period for initializing all of the discharge cells, and the auxiliary reset is a reset period for initializing the cells in which sustain discharge has occurred in the immediately preceding subfield. That is, the main reset may be defined as a reset period consisting of a rising period and a falling period, and the auxiliary reset may be defined as a reset period consisting only of a falling period.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 유지전극 구동부(400) 주사전극 구동부(500) 및 온도 감지부(600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다. 유지 전극(X1∼Xn)은 각 주사 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되며, 일반적으로 그 일단이 서로 공통으로 연결되어 있다. 그리고 플라즈마 표시 패널(100)은 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)이 배열된 기판(도시하지 않음)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 배열된 기판(도시하지 않음)으로 이루어진다. 두 기판은 주사 전극(Y1∼Yn)과 어드레스 전극(A1∼Am) 및 유지 전극(X1∼Xn)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 각각 직교하도록 방전 공간을 사이에 두고 대향하 여 배치된다. 이때, 어드레스 전극(A1∼Am)과 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.The
제어부(200)는 외부로부터 영상신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어신호 및 주사 전극 구동 제어신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다. 이때, 제어부(200)는 온도 감지부(600)로부터 전달받은 플라즈마 표시 패널(100)의 온도 및 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도에 따라 복수의 서브필드에서 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋의 수를 가변시킨다. 구체적으로 제어부(200)는 상온보다 낮은 저온의 경우에 유지 기간에서 주사 전극(Y) 및 유지 전극(X)에 유지방전을 위해 인가되는 유지방전 펄스의 수를 줄이고 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수가 증가되도록 주사 전극 및 유지 전극에 제어신호를 출력한다.The
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.The
유지전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어신호를 수신하여 유지 전극에 구동 전압을 인가한다.The
주사전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어신호를 수신 하여 주사 전극에 구동 전압을 인가한다.The
온도 감지부(600)는 플라즈마 표시 패널(100) 또는 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도를 감지하여 제어부(200)로 전달한다.The
다음, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에서 제어부의 동작에 대해 도 2를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, an operation of the controller in the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.
도 2는 도 1에 도시된 제어부의 동작을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an operation of the controller shown in FIG. 1.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제어부(200)는 온도 감지부(600)로부터 감지된 플라즈마 표시 패널(100) 또는 플라즈마 표시 패널(100)의 주변 온도를 전달받아 이미 설정된 기준 온도와 비교한다(S310, S320). As shown in FIG. 2, the
이때, 감지된 온도가 기준 온도보다 작은 경우, 제어부(200)는 유지 기간에서 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 유지방전을 위해 인가되는 유지방전 펄스의 수를 줄인다. 그리고 줄어든 유지방전 펄스 수에 해당하는 기간을 리셋 기간에 할당하여 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수를 증가시키는 제어신호를 각 전극에 출력한다(S330).In this case, when the sensed temperature is smaller than the reference temperature, the
반면, 감지된 온도가 기준 온도보다 큰 경우에는 일반적인 구동 파형이 인가되도록 각 전극에 제어신호를 출력한다(S340). 여기서, 일반적인 구동 파형은 플라즈마 표시 패널(100)의 특성에 따라 다르지만, 예를 들어 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드가 1개 또는 2개로 설정되는 파형일 수 있다.On the other hand, when the detected temperature is greater than the reference temperature, a control signal is output to each electrode so that a general driving waveform is applied (S340). Here, although the general driving waveform is different depending on the characteristics of the
예를 들어, 기준 온도를 상온(15도에서 25도 사이의 온도)이라 가정하면, 기준 온도는 15도일 수 있다. 따라서, 감지 온도가 15도보다 낮은 저온인 경우에는 유지방전 펄스의 수를 줄이고 복수의 서브필드에서 메인 리셋의 수를 증가시킬 수 있도록 하는 제어 신호를 각 전극에 출력한다. 반면, 감지 온도가 15도 이상의 상온인 경우에는 일반적인 구동 파형이 각 전극에 인가되도록 하는 제어신호를 출력한다.For example, assuming that the reference temperature is room temperature (temperature between 15 degrees and 25 degrees), the reference temperature may be 15 degrees. Therefore, when the sensing temperature is lower than 15 degrees, a control signal is output to each electrode to reduce the number of sustain discharge pulses and increase the number of main resets in the plurality of subfields. On the other hand, when the sensing temperature is room temperature of 15 degrees or more, the control signal outputs a general driving waveform to each electrode.
이때, 기준 온도가 하나로 설정하면, 메인 리셋의 수를 증가시키는 제어 신호는 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 예를 들어 7개로 설정하는 신호일 수 있다.In this case, when the reference temperature is set to one, the control signal for increasing the number of main resets may be a signal for setting the number of subfields using the main reset in one frame to seven, for example.
그리고 기준 온도를 1개 이외에 복수 개로 설정할 수도 있다. 예를 들어 기준 온도를 3개(제1 내지 제3 기준 온도, 제1 기준 온도<제2 기준온도<제3 기준온도)로 설정하는 경우에 기준 온도에 따라 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 다르게 할 수도 있다. 즉, 감지 온도가 제1 기준 온도 이하인 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 7개로 설정하고, 감지 온도가 제1 기준 온도와 제2 기준 온도 사이인 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 5개로 설정하고, 제2 기준 온도와 제3 기준 온도 사이인 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 3개로 설정하고, 감지 온도가 제3 기준 온도보다 높은 경우 한 프레임에서 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수를 1개로 설정할 수 있다.It is also possible to set a plurality of reference temperatures in addition to one. For example, if the reference temperature is set to three (first to third reference temperature, first reference temperature <second reference temperature <third reference temperature), the sub using the main reset in one frame according to the reference temperature You can also vary the number of fields. That is, if the sensing temperature is less than or equal to the first reference temperature, the number of subfields using the main reset in one frame is set to seven. If the sensing temperature is between the first and second reference temperatures, the main reset is performed in one frame. If the number of subfields to be used is set to five, and if it is between the second reference temperature and the third reference temperature, the number of subfields using the main reset is set to three in one frame, and the sensing temperature is higher than the third reference temperature. If the value is high, the number of subfields using the main reset in one frame may be set to one.
다음으로, 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 도 3 및 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, a low temperature driving method of the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.
도 3은 저온의 경우 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 구동 방법에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.3 illustrates a driving method of a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention at a low temperature, and FIG. 4 illustrates a driving waveform of the plasma display device according to the driving method of FIG. 3.
도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 상온보다 낮은 저온의 경우 유지 기간에서 유지방전 펄스의 개수를 줄이고 줄어든 유지방전 펄스의 개수에 해당하는 기간을 리셋 기간에 할당하여 상온에서보다 메인 리셋의 수를 증가시킨다. 도 3 및 도 4에서는 서브필드(SF1∼SF7)에서 메인 리셋을 수행하고 서브필드(SF8)에서만 보조 리셋을 수행하는 것으로 도시하였으며, 상온의 경우에 메인 리셋을 사용하는 서브필드의 개수가 7개 이하인 것으로 가정하였다.3 and 4, the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention reduces the number of sustain discharge pulses in the sustain period at a low temperature lower than room temperature and resets the period corresponding to the reduced number of sustain discharge pulses. Increase the number of main resets than at room temperature by assigning to. 3 and 4 illustrate that the main reset is performed in the subfields SF1 to SF7 and the auxiliary reset is performed only in the subfield SF8. In the case of room temperature, the number of subfields using the main reset is 7 Assumed below.
구체적으로, 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 상승 기간에서는 유지 전극(X)을 0V로 유지한 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, 주사 전극(Y)으로부터 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)으로 각각 미약한 리셋 방전이 일어나면서, 주사 전극(Y)에 (-)의 벽 전하가 형성되고 어드레스 전극(A) 및 유지 전극(X)에 (+)의 벽 전하가 형성된다.Specifically, in the rising period of the reset period of the subfield SF1, the voltage of the scan electrode Y is gradually increased from the voltage Vs to the voltage Vset while the sustain electrode X is held at 0V. Then, a weak reset discharge occurs from the scan electrode Y to the address electrode A and the sustain electrode X, respectively, and a negative wall charge is formed on the scan electrode Y, and the address electrode A and the A positive wall charge is formed on the sustain electrode X.
그리고 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 하강 기간에서는 유지 전극(X)을 Ve 전압으로 유지시킨 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, 주사 전극(Y)의 전압이 감소하는 중에 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이 및 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A) 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서, 주사 전극(Y)에 형성된 (-) 벽 전하와 유지 전극(X) 및 어드레스 전극(A)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다.In the falling period of the reset period of the subfield SF1, the voltage of the scan electrode Y is gradually decreased from the Vs voltage to the Vnf voltage while the sustain electrode X is maintained at the Ve voltage. Then, while the voltage of the scan electrode Y decreases, a weak reset discharge occurs between the scan electrode Y and the sustain electrode X and between the scan electrode Y and the address electrode A, and thus the scan electrode ( The negative wall charges formed on Y) and the positive wall charges formed on the sustain electrode X and the address electrode A are erased.
서브필드(SF1)의 어드레스 기간에서는 방전 셀을 선택하기 위해서 유지 전극(X)의 전압을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A)에 순차적으로 VscL 전압을 가지는 주사 펄스 및 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그리고 선택되지 않는 주사 전극(Y)은 VscL 전압보다 높은 VscH 전압으로 바이어스하고, 켜지지 않을 셀의 어드레스 전극(A)에는 기준 전압을 인가한다. 그러면 Va 전압이 인가된 어드레스 전극(A)과 VscL 전압이 인가된 주사 전극(Y)에 의해 형성되는 방전 셀에서 어드레스 방전이 일어나면서 주사 전극(Y)에는 (+) 벽 전하가 형성되고 유지 전극(X)에는 (-) 벽 전하가 형성된다. 또한 어드레스 전극(A)에도 (-) 벽 전하가 형성된다.In the address period of the subfield SF1, in order to select the discharge cell, the scan pulses having the VscL voltage are sequentially applied to the scan electrode Y and the address electrode A while the voltage of the sustain electrode X is maintained at the Ve voltage. And an address pulse having a Va voltage. The unselected scan electrode Y is biased to a VscH voltage higher than the VscL voltage, and a reference voltage is applied to the address electrode A of the cell that is not turned on. Then, an address discharge occurs in the discharge cell formed by the address electrode A to which the Va voltage is applied and the scan electrode Y to which the VscL voltage is applied, and a positive wall charge is formed on the scan electrode Y, and the sustain electrode is formed. At (X), a negative wall charge is formed. In addition, a negative wall charge is also formed on the address electrode A. FIG.
이어서, 서브필드(SF1)의 유지 기간에서는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 차례로 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가한다. 그러면, 어드레스 기간에서 어드레스 방전에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이에 형성된 벽 전압과 Vs 전압에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에서 방전이 일어난다. 이후, 주사 전극(Y)에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정과 유지 전극(X)에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정을 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복한다.Subsequently, in the sustain period of the subfield SF1, the sustain discharge pulse of the Vs voltage is applied to the scan electrode Y and the sustain electrode X in order. Then, discharge occurs in the scan electrode Y and the sustain electrode X by the wall voltage and Vs voltage formed between the scan electrode Y and the sustain electrode X by the address discharge in the address period. Thereafter, the process of applying the sustain discharge pulse of the Vs voltage to the scan electrode Y and the process of applying the sustain discharge pulse of the Vs voltage to the sustain electrode X are repeated the number of times corresponding to the weight indicated by the corresponding subfield. .
이와 같이 하여, 서브필드(SF1)가 종료되면 서브필드(SF1)와 동일한 동작으로 서브필드(SF2∼SF7)까지 수행된다. 즉, 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수에 따라 각 서브필드(SF2∼SF8)의 유지 기간에서의 유지방전 펄스의 개수가 다르다는 점을 제외하고, 이후의 서브필드(SF2∼SF7)의 동작은 서브필드(SF1) 와 동일하므로 상세한 설명은 생략하였다.In this manner, when the subfield SF1 ends, the subfields SF2 to SF7 are performed in the same operation as the subfield SF1. That is, the number of sustain discharge pulses in the sustain period of each subfield SF2 to SF8 differs depending on the number of times corresponding to the weight indicated by the corresponding subfield. Since the operation is the same as the subfield SF1, the detailed description is omitted.
그리고 서브필드(SF7)가 종료되면 서브필드(SF8)가 수행된다. 이때, 서브필드(SF8)의 어드레스 기간 및 유지 기간의 동작은 서브필드(SF1)와 동일하므로 리셋 기간에 대해서만 설명한다.When the subfield SF7 ends, the subfield SF8 is performed. At this time, since the operation of the address period and the sustain period of the subfield SF8 is the same as the subfield SF1, only the reset period will be described.
서브필드(SF8)의 리셋 기간은 하강 기간으로만 이루어지며, 서브필드(SF7)의 유지 기간에서 Vs 전압의 유지방전 펄스가 주사 전극(Y)에 인가된 상태에서 주사 전극(Y)의 전압을 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 이 때, 서브필드(SF2)의 유지 기간에서 유지방전이 일어난 경우에는 주사 전극(Y)에 (-) 벽 전하, 유지 전극(X)과 어드레스 전극(A)에 (+) 벽 전하가 형성되어 있으므로, 주사 전극(Y)의 전압이 점진적으로 감소하는 중에 셀에 형성된 벽 전압과 함께 방전 개시 전압을 넘게 되면 서브필드(SF1)의 리셋 기간의 하강 기간에서와 같이 약 방전이 일어난다. 그리고 주사 전극(Y)의 최종 전압(Vnf)이 서브필드(SF1)의 하강 기간의 최종 전압(Vnf)과 동일하므로, 서브필드(SF2)의 하강 기간 종료 후의 셀의 벽 전하 상태는 제2 서브필드의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태와 실질적으로 동일해진다. 이와 같이, 리셋 기간이 하강 기간으로 이루어진 서브필드는 직전 서브필드에서 유지방전이 있는 경우에는 리셋 방전이 일어나고 유지방전이 없는 경우에는 리셋 방전이 일어나지 않는다.The reset period of the subfield SF8 is formed only in the falling period, and in the sustain period of the subfield SF7, the voltage of the scan electrode Y is applied while the sustain discharge pulse of the Vs voltage is applied to the scan electrode Y. Incrementally decreases to Vnf voltage. At this time, when sustain discharge occurs in the sustain period of the subfield SF2, negative wall charges are formed on the scan electrode Y, and positive wall charges are formed on the sustain electrode X and the address electrode A. Therefore, if the discharge start voltage is exceeded with the wall voltage formed in the cell while the voltage of the scan electrode Y gradually decreases, weak discharge occurs as in the falling period of the reset period of the subfield SF1. Since the final voltage Vnf of the scan electrode Y is the same as the final voltage Vnf of the falling period of the subfield SF1, the wall charge state of the cell after the falling period of the subfield SF2 ends is determined by the second sub. It becomes substantially the same as the wall charge state after the end of the falling period of the field. In this way, in the subfield having the reset period falling, reset discharge occurs when sustain discharge occurs in the immediately preceding subfield, and reset discharge does not occur when there is no sustain discharge.
이와 같이 본 발명의 실시 예에 따르면, 상온보다 낮은 저온에서는 상온에서보다 유지방전 펄스의 개수를 줄이고 메인 리셋의 수를 증가시켜 구동한다. 이렇게 하면, 메인 리셋에 의해 방전 프라이밍이 충분하게 형성되기 때문에 방전 전압이 높아지는 저온의 경우에서도 이후의 보조 리셋으로 유지방전이 일어나지 않은 셀에 대해서 안정적인 어드레스 방전을 일으킬 수 있게 된다. As described above, according to an exemplary embodiment of the present invention, at a low temperature lower than room temperature, the number of sustain discharge pulses is reduced and the number of main resets is increased. In this case, since sufficient discharge priming is formed by the main reset, stable address discharge can be caused to a cell in which sustain discharge has not occurred by a subsequent auxiliary reset even in a low temperature where the discharge voltage becomes high.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
본 발명에 의하면, 상온보다 낮은 저온의 경우에 각 서브필드에서 유지방전 펄스의 수를 줄이고 모든 방전 셀을 초기화하는 메인 리셋의 수를 증가시킴으로써 방전 프라이밍이 충분히 형성되어 저방전이 방지된다.According to the present invention, the discharge priming is sufficiently formed by reducing the number of sustain discharge pulses in each subfield and increasing the number of main resets for initializing all discharge cells in the case of low temperature lower than normal temperature, thereby preventing low discharge.
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