KR20060096749A - Front end module - Google Patents

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KR20060096749A
KR20060096749A KR1020050017475A KR20050017475A KR20060096749A KR 20060096749 A KR20060096749 A KR 20060096749A KR 1020050017475 A KR1020050017475 A KR 1020050017475A KR 20050017475 A KR20050017475 A KR 20050017475A KR 20060096749 A KR20060096749 A KR 20060096749A
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switch
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gallium arsenide
frequency band
filter
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박원석
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 프론트 엔드 모듈에 있어서, 특히 갈륨비소(GaAs) 스위치의 비선형 특성으로 인해 자체 발생되는 제 2차 고조파(Harmonic) 성분을 최소화하기 위하여 상기 갈륨비소 스위치 내부에 위치된 캐패시터와, 상기 스위치 외부에 인덕터를 와이어 본딩 함으로써, 최종 안테나단에서 상기 제 2차 고조파가 최소화되도록 하는 프론트 엔드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a front end module, in particular a capacitor located inside the gallium arsenide switch to minimize the second harmonic (Harmonic) components generated by the non-linear characteristics of the gallium arsenide (GaAs) switch, and the outside of the switch The present invention relates to a front end module for wire-bonding an inductor to minimize the second harmonic at the final antenna stage.

본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈은, 송수신 신호를 제어하는 갈륨비소 스위치; 상기 스위치와 연결되어 상기 수신신호를 제어하는 1개이상의 필터; 상기 스위치와 연결되고 상기 송신신호의 잡음을 제거하는 1개이상의 대역통과필터; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.The front end module according to the present invention, the gallium arsenide switch for controlling the transmission and reception signals; At least one filter connected to the switch to control the received signal; At least one bandpass filter connected to the switch to remove noise of the transmission signal; Characterized in that it comprises a.

프론트 엔드 모듈(FEM,front end module), 갈륨비소(GaAs)스위치, 2차 하모닉 주파수, 캐패시터, 인덕터 Front end module (FEM), gallium arsenide (GaAs) switch, secondary harmonic frequency, capacitors, inductors

Description

프론트 엔드 모듈{Front End Module}Front End Module

도 1은 종래의 프론트 엔드 모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.1 is a view schematically showing the configuration of a conventional front end module.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈의 공진(Resonance)을 설명하기 위한 도면.2a to 2c are views for explaining the resonance (resonance) of the front end module according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성을 나타낸 도면.3 is a view showing the configuration of a front end module according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

300 : 갈륨비소 스위치 302 : 제 1 쏘필터       300: gallium arsenide switch 302: the first saw filter

304 : 제 2 쏘필터 306 : 제 3 쏘필터       304: second saw filter 306: third saw filter

308 : ESD 회로 310 : 와이어 본딩 패드       308: ESD circuit 310: wire bonding pad

312 : 제 1 저역통과필터 314 : 제 2 저역통과필터       312: first low pass filter 314: second low pass filter

본 발명은 프론트 엔드 모듈(FEM,front end module)에 관한 것이다.The present invention relates to a front end module (FEM).

최근 이동통신 시스템의 발전에 따라 휴대 전화, 휴대형 정보 단말기등의 이동통신 기기가 급속히 보급되고, 이들 이동 통신 시스템에 사용되는 주파수도 800㎒∼1㎓, 1.5㎓∼2㎓대로 다방면에 걸쳐 서로 다른 주파수 대역의 신호를 송수신하 기 위한 시스템이 제공되고 있다.With the recent development of mobile communication systems, mobile communication devices such as mobile phones and portable information terminals are rapidly spreading, and the frequencies used in these mobile communication systems are different from each other in various ways such as 800 MHz to 1 GHz and 1.5 GHz to 2 GHz. A system for transmitting and receiving signals in a frequency band is provided.

이들 기기의 소형화 및 고성능화의 요구로부터 이들에 사용되는 부품도 소형화 및 고성능화가 요구되고, 상기 이동 통신기기의 소형화와 비용절감을 위한 노력이 가속화되면서 필연적으로 상기 통신기기를 구성하는 여러 소자들의 소형화 및 집적화에 대한 관심과 연구가 활발히 진행되고 있다.Due to the demand for miniaturization and high performance of these devices, miniaturization and high performance of components used in them are required, and efforts for miniaturization and cost reduction of the mobile communication device are inevitably miniaturized and various components constituting the communication device and There is a lot of interest in research and integration.

도 1은 종래의 프론트 엔드 모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing the configuration of a conventional front end module.

도 1을 참조하면, 상기 프론트 엔드 모듈은 다이플렉서(100), 제 1 저역통과필터(102), 제 2 저역통과필터(104), 제 1 위상 변환기(106), 제 2 위상 변환기(108), 제 1 쏘필터(110), 제 2 쏘필터(112), 다이오드(114), 커패시터(116)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the front end module includes a diplexer 100, a first low pass filter 102, a second low pass filter 104, a first phase converter 106, and a second phase converter 108. ), A first saw filter 110, a second saw filter 112, a diode 114, and a capacitor 116.

상기 다이플렉서(100)는 안테나와 연결되어 제 1 주파수 대역(GSM)신호와 제 2 주파수 대역(DCS) 신호를 분리하는 역할을 수행한다.The diplexer 100 is connected to an antenna to separate a first frequency band (GSM) signal and a second frequency band (DCS) signal.

상기 제 1 저역통과필터(102)는 상기 제 1 주파수 대역(GSM) 송신단에서 전송되는 신호의 고주파 잡음을 제거하고, 상기 제 2 저역통과필터(104)는 제 2 주파수 대역(DCS) 송신단에서 전송되는 신호의 고주파 잡음을 제거한다.The first low pass filter 102 removes high frequency noise of a signal transmitted from the first frequency band (GSM) transmitting end, and the second low pass filter 104 transmits a second frequency band (DCS) transmitting end. Eliminate high frequency noise in the signal.

이때, 상기 제 1 저역통과필터(102)와 제 2 저역통과필터(104)가 파이(π)형이면, 상호 병렬로 연결되는 캐패시터와 인덕터의 조합에 의해 저역통과필터(LPF)의 성능이 결정되는데, 상기 캐패시터와 인덕터를 조합시키는 방법은 복수개일 수 있다.In this case, when the first low pass filter 102 and the second low pass filter 104 are pi type, the performance of the low pass filter LPF is determined by a combination of a capacitor and an inductor connected in parallel. However, there may be a plurality of methods of combining the capacitor and the inductor.

한편, 제 1 위상 변환기(106)는 상기 다이플렉서(100)에서 수신되는 제 1 주 파수 대역(GSM)수신 신호와 함께 제 1 주파수 대역(GSM)송신 대역의 신호가 수신되지 않도록 주파수의 위상을 변환시킨다.On the other hand, the first phase converter 106 is a phase of the frequency so as not to receive a signal of the first frequency band (GSM) transmission band with the first frequency band (GSM) reception signal received by the diplexer 100 To convert

또한, 제 2 위상 변환기(108)는 상기 다이플렉서(100)에서 수신되는 제 2 주파수 대역(DCS) 송신 신호가 수신되지 않도록 주파수의 위상을 변환시킨다.In addition, the second phase shifter 108 converts the phase of the frequency such that the second frequency band (DCS) transmission signal received by the diplexer 100 is not received.

여기서, 상기 제 2 주파수 대역과 제 1 주파수 대역의 송수신 신호는 상기 다이플렉서(100)에 의해서 분리되지만, 상기 제 2 위상 변환기(108)와 제 1 위상 변환기(106)에 의해서 각각 수신되는 신호에 영향을 미치지 않는다.Here, the signals transmitted and received in the second frequency band and the first frequency band are separated by the diplexer 100, but are signals respectively received by the second phase shifter 108 and the first phase shifter 106. Does not affect.

또한, 제 1 쏘필터(110)는 상기 제 1 위상 변환기(106)를 통과한 신호에 대해 제 1 주파수 대역(GSM) 수신단에서 원하는 소정 범위의 주파수대의 신호만 통과시키고, 이 범위를 벗어난 신호는 제거시킨다.In addition, the first saw filter 110 passes only signals of a predetermined range of frequency bands desired by the first frequency band (GSM) receiver for the signal passing through the first phase shifter 106. Remove it.

또한, 제 2 쏘필터(112)는 제 2 위상 변환기(108)를 통과한 신호에 대해 제 2 주파수 대역(DCS) 수신단에서 원하는 소정 범위의 주파수대의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거시킨다.In addition, the second saw filter 112 passes only signals in a predetermined range of frequencies desired by the second frequency band (DCS) receiver for the signal passing through the second phase shifter 108 and removes signals outside the range. .

또한, 다이오드(114)는 제 1 다이오드(D1), 제 2 다이오드(D2), 제 3 다이오드(D3), 제 4 다이오드(D4)를 포함한다.In addition, the diode 114 includes a first diode D1, a second diode D2, a third diode D3, and a fourth diode D4.

상기 제 1 다이오드(D1)와 제 2 다이오드(D2)는 상기 제 1 주파수 대역 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어주는 역할을 하고, 상기 제 3 다이오드(D3)와 제 4 다이오드(D4)는 상기 제 2 주파수 대역 신호의 송신경로와 수신경로를 바꾸어주는 역할을 한다.The first diode D1 and the second diode D2 change the transmission path and the reception path of the first frequency band signal, and the third diode D3 and the fourth diode D4 are the It serves to change the transmission path and the reception path of the second frequency band signal.

즉, 상기 제 1 주파수 대역 송신 모드시는 전원단 V1에 전압이 인가되어(V2 는 오프 상태) 상기 제 1 다이오드와 제 2 다이오드가 온(ON)되고, 상기 제 2 주파수 대역 송신 모드시는 전원단 V2에 전압이 인가되어(V1은 오프 상태), 제 3 다이오드와 제 4 다이오드가 온 상태가 된다.That is, the voltage is applied to the power supply terminal V1 in the first frequency band transmission mode (V2 is off), so that the first diode and the second diode are turned on, and the power is supplied in the second frequency band transmission mode. However, a voltage is applied to V2 (V1 is in an off state), and the third diode and the fourth diode are turned on.

상기 제 1 주파수 대역 수신 모드시는 전원단 V1이 오프 상태가 되어, 상기 제 1 다이오드와 제 2 다이오드 가 오프가 되고, 상기 제 2 주파수 대역 수신 모드시는 전원단 V2가 오프 상태가 되어 수신이 이루어진다.In the first frequency band reception mode, the power supply terminal V1 is turned off, and the first diode and the second diode are turned off. In the second frequency band reception mode, the power supply terminal V2 is turned off to receive the signal. Is done.

또한, 캐패시터(116)는 제 1 캐패시터와 제 2 캐패시터를 포함하는 것으로서, 전원단 V1, V2의 DC신호가 안테나로 유입되는 것을 막아주는 직류 차단 캐패시터이다.In addition, the capacitor 116 includes a first capacitor and a second capacitor, and is a DC blocking capacitor that prevents the DC signals of the power terminals V1 and V2 from flowing into the antenna.

상기 설명한 바와 같은 종래의 프론트 엔드 모듈은 갈륨비소 스위치 부분을 복수개의 PIN 다이오드로 구성하였으나, 상기 프론트 엔드 모듈의 소형화, 다기능화를 위해서는 공간상 제약이 따르므로, 더이상 PIN 다이오드를 사용하여 자체 발생되는 제 2차 고조파(Harmonic) 성분을 최소화할 수 없는 문제점이 있다.In the conventional front end module as described above, the gallium arsenide switch portion is composed of a plurality of PIN diodes. However, since the front end module is space-limited for miniaturization and multifunction, the front end module is no longer generated by using a PIN diode. There is a problem that the second harmonic component cannot be minimized.

본 발명은 갈륨비소(GaAs) 스위치의 비선형 특성으로 인해 자체 발생되는 제 2차 고조파(Harmonic) 성분을 최소화하기 위하여 상기 갈륨비소 스위치 내부에 위치된 캐패시터와, 상기 스위치 외부에 인덕터를 와이어 본딩 함으로써, 최종 안테나단에서 상기 제 2차 고조파가 최소화되도록 하는 프론트 엔드 모듈을 제공함에 있다.According to an embodiment of the present invention, a capacitor located inside the gallium arsenide switch and a inductor outside the switch are wire-bonded to minimize a second harmonic component generated by the nonlinear characteristic of the gallium arsenide (GaAs) switch. It is to provide a front end module to minimize the second harmonic in the final antenna stage.

본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈은, 송수신 신호를 제어하는 갈륨비소 스위치; 상기 스위치와 연결되어 상기 수신신호를 제어하는 1개이상의 필터; 상기 스위치와 연결되고 상기 송신신호의 잡음을 제거하는 1개이상의 대역통과필터; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.The front end module according to the present invention, the gallium arsenide switch for controlling the transmission and reception signals; At least one filter connected to the switch to control the received signal; At least one bandpass filter connected to the switch to remove noise of the transmission signal; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 갈륨비소(GaAs) 스위치에는 캐패시터가 포함된 것을 특징으로 한다.In addition, the gallium arsenide (GaAs) switch is characterized in that a capacitor is included.

또한, 상기 캐패시터와 상기 캐패시터와 연결된 인덕터가 상기 스위치 외부에 구비되고, 인덕터 사이의 선로길이를 변화시켜, 고조파 주파수에서 공진이 일어나는 인덕턴스 값으로 조정되는 것을 특징으로 한다.In addition, the capacitor and the inductor connected to the capacitor is provided on the outside of the switch, it characterized in that the line length between the inductor is changed, it is adjusted to the inductance value that resonance occurs at the harmonic frequency.

또한, 상기 필터는 제 1 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 1 쏘(SAW)필터, 제 2 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 2 쏘필터, 제 3 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 3 쏘필터로 구성되고, 상기 대역통과필터부는 제 1 주파수대역의 잡음을 제거하는 제 1 저역통과필터와 제 2 또는 제 3 주파수대역의 잡음을 제거하는 제 2 저역통과필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the filter may be operated according to a first SAW filter operated according to a received signal of a first frequency band, a second saw filter operated according to a received signal of a second frequency band, and a received signal of a third frequency band. The band pass filter unit includes a first low pass filter for removing noise in a first frequency band and a second low pass filter for removing noise in a second or third frequency band. It features.

이동통신 단말기가 소형화, 다기능화 되면서 프론트 엔드 모듈도 소형화, 다기능화가 되어야 하기 때문에 한정된 공간 내에 더이상 복수개의 PIN 다이오드를 연결하여 사용하는 구조로는 다기능화가 불가능하기 때문에 스위치를 사용한다.As the mobile terminal becomes smaller and more versatile, the front-end module must be smaller and more versatile, so a switch that uses a plurality of PIN diodes in a limited space can no longer be multifunctional.

여기서 상기 스위치는 편의에 따라 다양한 물질을 이용한 스위치일 수 있으나, 이하 갈륨비소(GaAs)스위치를 일례로 설명한다.Herein, the switch may be a switch using various materials for convenience. Hereinafter, a gallium arsenide (GaAs) switch will be described as an example.

다기능화를 위해 상기 갈륨비소(GaAs) 스위치를 사용하나, 상기 갈륨비소 (GaAs)스위치도 상기 PIN 다이오드 스위치와 마찬가지로 비선형 특성을 가지고 있기 때문에 고출력의 신호 입력시 제 2 차 고조파(Harmonic) 성분 및 많은 노이즈가 수반되게 된다.The gallium arsenide (GaAs) switch is used for the multifunction, but the gallium arsenide (GaAs) switch has the same nonlinear characteristics as the PIN diode switch, so the second harmonic component and many It is accompanied by noise.

상기 고조파(Harmonic)는 사용 주파수의 두배 혹은 정수배의 주파수성분을 말하며, 따라서 사용 주파수 외의 주파수성분이므로 노이즈(Noise)가 될 수 밖에 없다. 이동 통신 단말기는 일반적으로 하나의 단말기가 800㎒, 1800㎒ 등 다중대역을 지원하는데, 특히 800㎒의 고조파 성분이 1800㎒에 직접적으로 영향을 미치므로, 프론트 엔드 모듈의 800㎒ 대역의 제 2차 고조파 성분 제거가 중요하다.The harmonic refers to a frequency component that is twice or an integer multiple of the use frequency. Therefore, the harmonic is inevitably a noise component because it is a frequency component other than the use frequency. In general, a mobile terminal supports multiple bands such as 800 MHz and 1800 MHz. In particular, since a harmonic component of 800 MHz directly affects 1800 MHz, the second order of the 800 MHz band of the front end module is used. It is important to remove harmonics.

종래의 프론트 엔드 모듈은 제 2차 고조파 제거를 저역통과필터 특성에만 의존하였으나, 본 발명에서는 저역통과필터의 제 2 고조파 제거 특성은 그대로 유지하면서, 갈륨비소 스위치에서 발생되는 제 2 차 고조파 성분을 최소화시켜 최종적으로 프론트 엔드 모듈의 안테나단에서 제 2차 고조파 성분이 출력되지 않도록 한다.Conventional front end modules rely on the second harmonic rejection only for the low pass filter, but the present invention minimizes the second harmonic component generated in the gallium arsenide switch while maintaining the second harmonic rejection characteristic of the low pass filter. Finally, the second harmonic component is not output from the antenna end of the front end module.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈의 공진(Resonance)을 설명하기 위한 도면이다. 도시된 도면의 수치는 공진현상을 설명하기 위한 일례일뿐, 변형될 수 있다.2A to 2C are diagrams for describing resonance of the front end module according to the present invention. Numerical values in the drawings are merely examples for explaining resonance phenomena, and may be modified.

도 2a는 갈륨비소 스위치의 외부에서, 갈륨비소 스위치의 내부에 위치된 캐패시터와 연결된 인덕터만의 주파수 변화에 따른 데시벨(dB)을 나타낸 그래프이다. 도 2a를 참조하면, 상기 인덕터는 주파수가 낮을수록 통과를 잘 시키는 특성이 있 음을 알 수 있다.FIG. 2A is a graph showing decibels (dB) according to a frequency change of only an inductor connected to a capacitor located inside the gallium arsenide switch outside the gallium arsenide switch. Referring to FIG. 2A, it can be seen that the inductor has a characteristic of better passage as the frequency is lower.

도 2b는 갈륨비소 스위치의 내부에 위치된 캐패시터만의 주파수 변화에 따른 데시벨(dB)을 나타낸 그래프이다. 도 2b를 참조하면, 상기 캐패시터는 상기 인덕터와는 반대로 주파수가 높을수록 잘 통과됨을 알 수 있다.Figure 2b is a graph showing the decibel (dB) according to the frequency change of only the capacitor located inside the gallium arsenide switch. Referring to FIG. 2B, it can be seen that the capacitor passes well at higher frequencies as opposed to the inductor.

도 2c는 본 발명에 따라 도 2a의 특성을 갖는 인덕터와 도 2b의 특성을 갖는 캐패시터를 직렬로 연결한 경우를 나타낸 도면이다.2C is a diagram illustrating a case in which an inductor having the characteristics of FIG. 2A and a capacitor having the characteristics of FIG. 2B are connected in series according to the present invention.

도 2c를 참조하면, 주파수가 올라갈수록 자기장을 만들었다가 풀면서 흐름을 막는 인덕터의 성질과, 주파수가 올라갈수록 빠른 전기장변화를 통해 전류가 잘 흐를 수 있게 하는 캐패시터의 성질이 결합되어 둘간에 힘의 평형을 이루는 특정지점의 주파수(200)만 통과시키는 공진현상을 알 수 있다.Referring to FIG. 2C, the inductor prevents flow by creating and solving a magnetic field as the frequency increases, and the property of the capacitor combines the property of a capacitor to allow a good current to flow through a rapid electric field change as the frequency increases. It can be seen that the resonance phenomenon of passing only the frequency 200 at a specific point forming an equilibrium.

도 3은 본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성을 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 상기 프론트 엔드 모듈은 갈륨비소 스위치(300), 제 1 쏘(SAW,Surface Acoutic Wave; 표면탄성파)필터(302), 제 2 쏘필터(304), 제 3 쏘필터(306), ESD(Electrostatic discharge) 회로(308), 와이어 본딩 패드(310), 제 1 저역통과필터(312), 제 2 저역통과필터(314)를 포함하여 구성된다.3 is a view showing the configuration of a front end module according to the present invention. Referring to FIG. 3, the front end module includes a gallium arsenide switch 300, a first SAW filter 302, a second saw filter 304, and a third saw filter 306. ), An electrostatic discharge (ESD) circuit 308, a wire bonding pad 310, a first low pass filter 312, and a second low pass filter 314.

상기 갈륨비소 스위치(300)는 종래의 PIN 다이오드를 대체하여, 안테나와 연결되어 주어진 전원 조합에 의해 제 1 또는 제 2 주파수 대역(GSM, DCS, PCS) 송신 신호, 상기 제 1 또는 제 2 주파수 대역(GSM, DCS, PCS) 수신 신호를 분리하는 역할을 수행한다.The gallium arsenide switch 300 replaces the conventional PIN diode, the first or second frequency band (GSM, DCS, PCS) transmission signal by the given power combination connected to the antenna, the first or second frequency band (GSM, DCS, PCS) It separates the received signal.

제 1 쏘필터(302)는 상기 갈륨비소 스위치(300)의 GSM 수신경로를 통과한 신 호에 대해 GSM 수신단에서 원하는 소정 범위의 주파수대의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거시킨다.The first saw filter 302 passes only signals in a predetermined range of frequencies desired by the GSM receiver for the signal passing through the GSM reception path of the gallium arsenide switch 300 and removes the signal out of this range.

또한, 제 2 쏘필터(304)는 상기 갈륨비소 스위치(300)의 DCS 수신단에서 원하는 소정범위의 주파수대의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거시키고, 제 3 쏘필터(306)는 상기 갈륨비소 스위치(300)의 PCS 수신단에서 원하는 소정범위의 주파수대의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거시킨다.In addition, the second saw filter 304 passes only signals in a frequency band of the desired predetermined range from the DCS receiving end of the gallium arsenide switch 300 and removes signals outside the range, and the third saw filter 306 uses the gallium The PCS receiving end of the arsenic switch 300 passes only signals in a desired frequency range and removes signals outside this range.

또한, ESD 회로(308)는 안테나에 연결되어 이동 통신 단말기 외부에서 유입될 수 있는 정전기 및 강한 노이즈로부터 단말기를 보호하기 위한 회로로서, 일반적으로 캐패시터와 인덕터로 구성된다.In addition, the ESD circuit 308 is a circuit connected to the antenna to protect the terminal from static electricity and strong noise that may be introduced from outside the mobile communication terminal, and is generally composed of a capacitor and an inductor.

또한, 제 1 저역통과필터(312)는 GSM 송신단에서 전송되는 신호의 고주파 잡음을 제거하고, 상기 제 2 저역통과필터(314)는 상기 DCS 혹은 PCS 송신단에서 전송되는 신호의 고주파 잡음을 제거한다. 즉, 저역통과필터에 의해 프론트 엔드 모듈의 제 2 차 고조파 성분 제거 특성이 결정된다.In addition, the first low pass filter 312 removes the high frequency noise of the signal transmitted from the GSM transmitter, and the second low pass filter 314 removes the high frequency noise of the signal transmitted from the DCS or PCS transmitter. That is, the low pass filter determines the second harmonic component removal characteristic of the front end module.

상기 제 2 차 고조파 성분 제거 특성 이외에, 비선형 갈륨비소 스위치(300)에서 자체 발생되는 제 2 차 고조파 성분을 최소화하기 위해서 상기 갈륨비소 스위치(300)에 연결된 안테나 출력단 내부의 캐패시터 성분과 외부에 공진이 일어날 수 있는 소정 길이의 와이어 본딩을 해주면, 제 2 차 고조파 주파수에서 서로 공진이 일어나게 된다.In addition to the second harmonic component removal characteristic, in order to minimize the second harmonic component generated by the non-linear gallium arsenide switch 300, resonance is caused in the capacitor component inside the antenna output terminal connected to the gallium arsenide switch 300 and the outside. When wire bonding of a predetermined length may occur, resonance occurs with each other at the second harmonic frequency.

그러면, 최종 갈륨비소 스위치(300)에서 자체 발생되는 제 2 차 고조파 성분을 최소화할 수 있게 된다.Then, the second harmonic component generated by the final gallium arsenide switch 300 can be minimized.

다시말해, 상기 제 2 차 고조파 성분을 최소화 하기 위해서는, 상기 갈륨비소 스위치(300) 내부에 상기 제 2 차 고조파 성분을 조절할 수 있는 캐패시턴스 성분이 내장되어 있어야 하고 또한 그와 직렬로 연결할 수 있는 와이어 본딩 패드가 상기 갈륨비소 스위치(300) 내부에 있어야 한다.In other words, in order to minimize the second harmonic component, a capacitance component capable of adjusting the second harmonic component must be built in the gallium arsenide switch 300 and wire bonding can be connected in series with the gallium arsenide switch 300. A pad should be inside the gallium arsenide switch 300.

또한, 상기 캐패시턴스 성분과 와이어 본딩된 인덕턴스 성분이 800㎒ 혹은 1800㎒의 제 2 차 고조파 주파수에서 공진이 일어나도록 와이어 본딩의 길이를 조정해주면, 프론트 엔드 모듈의 제 2 차 고조파 주파수 제거 특성이외에 문제가 되는 제 2 차 고조파 주파수 발생 특성이 개선된다.In addition, if the length of the wire bonding is adjusted so that the capacitance component and the wire bonded inductance component generate resonance at the second harmonic frequency of 800 MHz or 1800 MHz, a problem other than the second harmonic frequency cancellation characteristic of the front end module may occur. Second harmonic frequency generation characteristic is improved.

결론적으로 본 발명에 따른 프론트 엔드 모듈은 비선형 갈륨비소 스위치(300)를 사용하고, 그 갈륨비소 스위치(300) 내부에 위치된 캐패시터에 인덕터를 연결시켜 접지시킴으로써, 제 2 차 고조파 주파수에서 공진시키면, 필요없는 고조파는 상기 접지에 의해 빠져 나가게 되어, 상기 제 2 차 고조파 주파수 발생 특성을 최소화할 수 있게 되어 저역통과필터에만 의존하지 않아도 된다.In conclusion, the front end module according to the present invention uses a non-linear gallium arsenide switch 300, and by connecting an inductor to a capacitor located inside the gallium arsenide switch 300 to ground, when resonating at the second harmonic frequency, Unnecessary harmonics are pulled out by the ground, thereby minimizing the second harmonic frequency generation characteristic and do not have to rely only on low pass filters.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명은 갈륨비소(GaAs) 스위치의 비선형 특성으로 인해 자체 발생되는 제 2차 고조파(Harmonic) 성분을 최소화하기 위하여 상기 갈륨비소 스위치 내부에 위치된 캐패시터와, 상기 스위치 외부에 인덕터를 와이어 본딩 함으로써, 최종 안테나단에서 상기 제 2차 고조파(Harmonic) 성분을 최소화 시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a capacitor located inside the gallium arsenide switch and a inductor outside the switch are wire-bonded to minimize a second harmonic component generated by the nonlinear characteristic of the gallium arsenide (GaAs) switch. The second harmonic component may be minimized at the final antenna stage.

Claims (4)

송수신 신호를 제어하는 갈륨비소 스위치;A gallium arsenide switch for controlling transmission and reception signals; 상기 스위치와 연결되어 상기 수신신호를 제어하는 1개이상의 필터;At least one filter connected to the switch to control the received signal; 상기 스위치와 연결되고 상기 송신신호의 잡음을 제거하는 1개이상의 대역통과필터;At least one bandpass filter connected to the switch to remove noise of the transmission signal; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.Front end module comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 갈륨비소(GaAs) 스위치에는 캐패시터가 포함된 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The front end module, characterized in that the gallium arsenide (GaAs) switch includes a capacitor. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 캐패시터와 상기 캐패시터와 연결된 인덕터가 상기 스위치 외부에 구비되고, 인덕터 사이의 선로길이를 변화시켜, 고조파 주파수에서 공진이 일어나는 인덕턴스 값으로 조정되는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.And a capacitor and an inductor connected to the capacitor are provided outside the switch, and the line length between the inductors is changed to adjust the inductance value at which resonance occurs at a harmonic frequency. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터는 제 1 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 1 쏘(SAW)필터, 제 2 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 2 쏘필터, 제 3 주파수대역의 수신신호에 따라 동작되는 제 3 쏘필터로 구성되고, 상기 대역통과필터부는 제 1 주파수대역의 잡음을 제거하는 제 1 저역통과필터와 제 2 또는 제 3 주파수대역의 잡음을 제거하는 제 2 저역통과필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.The filter may include a first SAW filter operated according to a received signal of a first frequency band, a second saw filter operated according to a received signal of a second frequency band, and a second saw filter operated according to a received signal of a third frequency band. A third saw filter, wherein the bandpass filter unit includes a first lowpass filter for removing noise in a first frequency band and a second lowpass filter for removing noise in a second or third frequency band Front end module.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7623383B2 (en) 2006-02-02 2009-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-level non-volatile semiconductor memory devices with lower and upper bit lines sharing a voltage control block
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