KR20060090646A - The manufacturing method of wafer stage - Google Patents
The manufacturing method of wafer stage Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060090646A KR20060090646A KR1020060069182A KR20060069182A KR20060090646A KR 20060090646 A KR20060090646 A KR 20060090646A KR 1020060069182 A KR1020060069182 A KR 1020060069182A KR 20060069182 A KR20060069182 A KR 20060069182A KR 20060090646 A KR20060090646 A KR 20060090646A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer stage
- photoresist film
- mask
- processed
- manufacturing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼 스테이지의 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 형성시킨 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 한 다음, 그에 샌드 블라스트 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 양각의 형태로 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여 웨이퍼 스테이지 상면에 돗트와 진공통로를 신속하고 정확하게 가공할 수 있도록 한 특징이 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a wafer stage, and sequentially forming a photoresist film and a mask on the upper surface of the wafer stage, and then irradiated with ultraviolet rays to develop a pattern of the mask on the photoresist film, and then sandblasted thereto. As a result, the portion where the photoresist film is formed remains in the form of an embossed shape, and the remaining portion is processed to be cut, so that the dot and the vacuum passage can be quickly and accurately processed on the upper surface of the wafer stage.
본 발명은 크게 네 공정으로 구성되는바, 원판형태의 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 포토레지스트 필름(20)을 형성시킨 후 저온으로 가열하여 일체로 결합시키는 준비공정(S1)과, 포토레지스트 필름(20)이 형성된 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 마스크(30)를 형성시키고, 그에 자외선(31)을 조사하여 포토레지스트 필름(20)이 마스크 형상대로 현상되도록 한 후 고온으로 가열하는 자외선 조사공정(S2)과, 상기 마스크(30)를 제거하고 포토레지스트 필름(20)이 형성된 웨이퍼 스테이지(10)의 상면을 샌드 블라스트(40)를 이용하여 가공하는 샌드 블라스트 공정(S3)과, 상면에 형성된 포토레지스트 필름(20)을 제거하고 표면을 평활하게 가공하는 표면 가공 및 정리공정(S4)으로 구성되어, 웨이퍼 스테이지를 신속하게 제작할 수 있는 대략적인 구성을 갖는다.The present invention is largely composed of four steps, after the photoresist film 20 is formed on the upper surface of the disk-shaped wafer stage 10, the preparation step (S1) and the photoresist film to be integrally heated by heating at a low temperature An ultraviolet irradiation step of forming a mask 30 on the upper surface of the wafer stage 10 on which the 20 is formed, irradiating ultraviolet rays 31 thereon to develop the photoresist film 20 in a mask shape, and then heating it to a high temperature. (S2) and the sand blast process (S3) for removing the mask 30 and processing the upper surface of the wafer stage 10 on which the photoresist film 20 is formed using the sand blast 40, and the upper surface formed The photoresist film 20 is removed, and the surface is smoothed, and the surface is composed of a surface finishing and arranging step (S4).
상기와 같은 본 발명은, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 형성시킨 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 다음, 그에 샌드 블라스트 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여, 웨이퍼 스테이지 상면에 양각의 형태로 돌출된 돗트와 음각의 형태로 깎여진 진공통로가 신속하고 정확하게 가공되는 효과가 있다.According to the present invention as described above, after the photoresist film and the mask is formed on the upper surface of the wafer stage sequentially, the photoresist film is formed by sandblasting the photoresist film to develop a pattern of the mask on the photoresist film by irradiating ultraviolet rays. The remaining part is processed so that the remaining part is shaved, so that the dot which protrudes in the form of an emboss on the upper surface of the wafer stage and the vacuum passage carved in the form of the intaglio are processed quickly and accurately.
웨이퍼 스테이지 상면에 형성된 돌출된 돗트가 동시에 가공됨으로 인해 웨이퍼 스테이지의 생산속도가 크게 향상되며, 제작 시 불량품이 발생될 위험이 현저히 줄어들게 되고, 마스크에 형성된 패턴대로 돗트가 형성됨으로써 각각의 돗트 위치가 정확하여 위치결정도가 높은 고품질의 웨이퍼 스테이지를 얻을 수 있는 효과가 있다.The protruding dots formed on the upper surface of the wafer stage are processed simultaneously, which greatly increases the production speed of the wafer stage, greatly reduces the risk of defective products during manufacturing, and forms the dots according to the pattern formed on the mask. Thus, there is an effect that a high quality wafer stage having high positioning degree can be obtained.
웨이퍼 스테이지, 반도체, 포토레지스트 필름, 마스크, 샌드 블라스트 Wafer stage, semiconductor, photoresist film, mask, sand blast
Description
도 1은 본 발명의 공정 순서도1 is a process flow chart of the present invention
도 2는 본 발명의 제작 공정도2 is a manufacturing process chart of the present invention
도 3은 본 발명에 의해 제작된 웨이퍼 스테이지의 사시도3 is a perspective view of a wafer stage fabricated by the present invention
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명][Description of Symbols for Main Parts of Drawing]
10: 웨이퍼 스테이지 11: 돗트10: wafer stage 11: dot
12: 진공통로 20: 포토레지스트 필름12: vacuum passage 20: photoresist film
30: 마스크 31: 자외선30: mask 31: ultraviolet rays
32: 시준렌즈 40: 샌드 블라스트32: collimating lens 40: sand blast
S1: 준비공정 S2: 자외선 조사공정S1: preparation step S2: UV irradiation step
S3: 샌드 블라스트 공정 S4: 표면 가공 및 정리공정S3: Sand blasting process S4: Surface finishing and cleaning process
본 발명은 웨이퍼 스테이지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명 하면, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 형성시킨 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 다음, 그에 샌드 블라스트 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 양각의 형태로 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여 웨이퍼 스테이지 상면에 돗트와 진공통로를 신속하고 정확하게 가공할 수 있도록 한 웨이퍼 스테이지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a wafer stage, and in more detail, after the photoresist film and the mask are sequentially formed on the upper surface of the wafer stage, the pattern of the mask is developed on the photoresist film by irradiation with ultraviolet rays. The present invention relates to a method of manufacturing a wafer stage in which a portion of the photoresist film is formed by embossing sandblasted on the surface of the wafer stage, so that the dot and the vacuum passage can be quickly and accurately processed on the upper surface of the wafer stage. .
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에는 증착 및 식각장비가 사용되는데, 이와 같은 장비에는 공정 진행을 위한 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 스테이지(Wafer Stage)가 구비된다.In general, a deposition and etching equipment is used in the manufacturing process of a semiconductor device, such equipment is provided with a wafer stage (Wafer Stage) is equipped with a wafer for the process progress.
웨이퍼 스테이지는 공정이 진행되는 동안 웨이퍼를 지지하는 역할뿐만 아니라 웨이퍼의 온도를 적정하게 유지시켜 최적의 공정조건이 유지되도록 하는 역할을 한다.The wafer stage not only supports the wafer during the process but also plays a role of maintaining the optimum temperature of the wafer to maintain optimum process conditions.
상기와 같이 반도체 소자의 제조공정에서 반드시 필요한 웨이퍼 스테이지는 그 제조방법이 상당히 난해한 문제점을 내포하고 있는바, 대략적인 종래의 웨이퍼 스테이지의 제조방법을 살펴보면, 원판형태의 웨이퍼 스테이지 상면을 정밀한 평면 절삭공구를 이용하여 돗트 형태가 무수히 배열된 양각의 형태로 절삭하며, 절삭된 부분이 진공통로로 사용되도록 하는 제조방법을 갖는다.As described above, the wafer stage, which is absolutely necessary in the manufacturing process of the semiconductor device, has a problem that the manufacturing method is quite difficult. Looking at the manufacturing method of the conventional wafer stage, the planar cutting tool is precisely formed on the upper surface of the disk-shaped wafer stage. Using the cutting method in the form of embossed in the form of a myriad of dot forms, and has a manufacturing method so that the cut portion is used as a vacuum passage.
상기 종래의 웨이퍼 스테이지의 제조방법은, 웨이퍼 스테이지 하나를 제작의뢰하여 납품받는데 까지 걸리는 시간이 통상 6개월이 소요되어 대단히 오랜 시간이 소요되며, 그에 따른 제작비용 또한 대단히 고가인 문제점을 내포하고 있었으며, 국내에서는 제품의 생산이 불가능하여 전량 외국으로부터 수입하여 사용하고 있는 실정이다.In the conventional method for manufacturing a wafer stage, it takes a very long time because it takes 6 months to manufacture and deliver one wafer stage, and the manufacturing cost is also very expensive. It is impossible to produce products in Korea, so all of them are imported from foreign countries.
뿐만 아니라, 무수히 배열된 돗트를 하나하나 양각의 형태로 절삭가공하여야 함으로 인해 무수히 많은 돗트를 절삭 중 어느 하나의 돗트가 파손 또는 훼손될 경우 곧바로 제품 전체의 불량으로 이어져 제조 시 불량률이 증대되며, 돗트의 가공이 정확한 위치에 이루어지기 어려워 위치결정도가 저해되는 또 다른 문제점이 있었다.In addition, since numerous dots are cut and embossed one by one, any number of dots are broken or damaged during cutting, which leads to the failure of the whole product and increases the defective rate during manufacturing. There is another problem that the processing degree of is difficult to be made in the exact position is inhibited.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 발명한 것으로, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 재치한 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 다음, 샌드 블라스트로 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여, 웨이퍼 스테이지 상면에 양각의 형태로 돌출된 돗트와 음각의 형태로 깎여진 진공통로가 신속하고 정확하게 가공되도록 함을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention was invented in view of the above problems, and after the photoresist film and the mask are sequentially placed on the upper surface of the wafer stage, the pattern of the mask is developed on the photoresist film by irradiation with ultraviolet rays, and then sand blasted. It is aimed to process the part where the photoresist film is formed and the remaining part is shaved by processing the die, so that the dot which protrudes in the form of emboss on the upper surface of the wafer stage and the vacuum path cut in the form of intaglio are processed quickly and accurately. .
또한, 웨이퍼 스테이지 상면에 형성된 돌출된 돗트가 동시에 가공됨으로 인해 웨이퍼 스테이지의 생산속도가 크게 향상되며, 제작 시 불량품이 발생될 위험이 현저히 줄어들게 되고, 마스크에 형성된 패턴대로 돗트가 형성됨으로써 각각의 돗트 위치가 정확하여 위치결정도가 높은 고품질의 웨이퍼 스테이지를 얻을 수 있도록 함을 목적으로 한다.In addition, the protruding dots formed on the upper surface of the wafer stage are processed at the same time, greatly improving the production speed of the wafer stage, significantly reducing the risk of defective products during manufacturing, and forming the dots according to the pattern formed on the mask. It is an object of the present invention to obtain a wafer stage of high quality, which is accurate in terms of positioning accuracy.
본 발명은 웨이퍼 스테이지의 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 형성시킨 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 다음, 그에 샌드 블라스트 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 양각의 형태로 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여 웨이퍼 스테이지 상면에 돗트와 진공통로를 신속하고 정확하게 가공할 수 있도록 한 특징이 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a wafer stage, wherein the photoresist film and the mask are sequentially formed on the upper surface of the wafer stage, and then irradiated with ultraviolet rays so that the pattern of the mask is developed on the photoresist film, and then sandblasted thereto. The part where the photoresist film is formed remains in the form of an embossed shape, and the remaining part is processed to be cut, so that the dot and the vacuum passage can be quickly and accurately processed on the upper surface of the wafer stage.
본 발명은 크게 네 공정으로 구성되는바, 원판형태의 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 포토레지스트 필름(20)을 형성시킨 후 저온으로 가열하여 일체로 결합시키는 준비공정(S1)과, 포토레지스트 필름(20)이 형성된 웨이퍼 스테이지(10)의 상면에 마스크(30)를 형성시키고, 그에 자외선(31)을 조사하여 포토레지스트 필름(20)이 마스크 형상대로 현상되도록 한 후 고온으로 가열하는 자외선 조사공정(S2)과, 상기 마스크(30)를 제거하고 포토레지스트 필름(20)이 형성된 웨이퍼 스테이지(10)의 상면을 샌드 블라스트(40)를 이용하여 가공하는 샌드 블라스트 공정(S3)과, 상면에 형성된 포토레지스트 필름(20)을 제거하고 표면을 평활하게 가공하는 표면 가 공 및 정리공정(S4)으로 구성되어, 웨이퍼 스테이지를 신속하게 제작할 수 있는 대략적인 구성을 갖는다.The present invention is largely composed of four steps, after the
이하 본 발명의 실시 예를 도면을 통해 살펴보면 다음과 같다.Looking at the embodiment of the present invention through the drawings as follows.
도 1은 본 발명의 공정 순서도를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명의 제작 공정도를 나타낸 것이며, 도 3은 본 발명에 의해 제작된 웨이퍼 스테이지의 사시도를 나타낸 것으로, 도시한 바와 같이, 우선, 제 1공정은 포토레지스트 필름(20)을 웨이퍼 스테이지(10) 상에 형성시킨 후 이를 저온으로 가열하여 일체로 형성시키는 준비공정(S1)을 완료한다.FIG. 1 shows a process flow chart of the present invention, FIG. 2 shows a manufacturing process diagram of the present invention, and FIG. 3 shows a perspective view of a wafer stage manufactured according to the present invention. The process completes the preparatory process (S1) of forming the
상기 포토레지스트 필름(20)은 빛을 쐬면 내약품성이 큰 경질막으로 변화하는 감광성 재료의 일종으로, 배선 기판과 집적 회로의 제조 및 인쇄물의 인쇄판 제작 등 광범위하게 사용되는 것이다.The
상기 사용되는 포토레지스트 필름(20)은 현재 매우 다양한 형태로 제작 · 시판되고 있어서, 각각의 제품특성에 맞게 제시된 현상액의 종류와 빛의 조사량 및 가열온도를 지켜서 사용할 경우에는 어떠한 포토레지스트 필름(20)을 사용하여도 무방하도록 구성된다.The
그 후 행해지는 제 2공정은, 상기 포토레지스트 필름(20)이 형성된 웨이퍼 스테이지(10) 상면에 마스크(30)를 올려놓고 그에 자외선(31)을 조사하는 자외선 조사공정(S2)을 완료한다.After that, the second step is completed by placing the
상기 공정에서 사용되는 마스크(30)는 완성될 형태의 웨이퍼 스테이지의 형태와 동일한 패턴으로 제작 · 형성된 것으로, 상기 마스크(30)를 웨이퍼 스테이지(10) 상면에 올려놓고 자외선(31)을 조사하게 되면, 패턴이 형성되지 않은 부분의 포토레지스트 필름(20)에만 자외선(31)이 조사되는바, 상기와 같이 마스크(30)에 의해 가려진 부분은 경화되어 웨이퍼 스테이지(10) 상에 남게 되는 구성을 갖는다.The
상기 자외선(31)의 조사는 통상의 자외선 램프(34)를 사용하여 조사되도록 하되, 조사된 자외선(31)은 시준렌즈(collimating lens)(32)를 통과하면서 자외선(31)이 평행한 형태로 조사되도록 함으로써 일층 정확한 자외선(31) 조사가 이루어질 수 있도록 구성된다.Irradiation of the
상기 자외선(31) 조사가 완료되면 마스크(30)를 제거하고, 포토레지스트 필름(20)에 맞는 현상액을 이용하여 현상한 후, 고온으로 가열함으로써 자외선(31)이 조사되지 않은 부분만이 웨이퍼 스테이지(10) 상에 그대로 남아 있는 구성을 갖는다.When the irradiation of the
그런 다음 제 3공정은, 상기 웨이퍼 스테이지(10)의 상면을 샌드 블라스트(40)를 이용하여 포토레지스트 필름(20)이 형성되지 않은 웨이퍼 스테이지(10)가 깎여지도록 하는 샌드 블라스트 공정(S3)을 완료한다.The third process then uses a sand blast process (S3) to cut the
상기 샌드 블라스트(40)는 다양한 형태로 여러 산업공정에서 사용되는바, 압 축공기를 이용하여 미세입자의 모래(41)를 강하게 뿜어줌으로써 포토레지스트 필름(20)이 형성된 부분을 제외한 웨이퍼 스테이지(10)의 상면이 깎여지도록 구성된다.The
상기와 같이 포토레지스트 필름(20)을 제외한 부분만 깎여지도록 함으로써 포토레지스트 필름(20)이 형성된 부분은 양각으로 돌출된 형태로 남아 있고, 나머지 홈의 형태로 가공되어 진공통로(12)의 역할을 하도록 구성된다.As described above, only the portion except for the
그 후 행해지는 마지막 공정인 제 4공정은, 상기 웨이퍼 스테이지(10) 상면에 형성된 포토레지스트 필름(20)을 제거하고 표면을 평활하게 가공하는 표면 가공 및 정리공정(S4)을 완료한다. The fourth process, which is the last process performed afterwards, completes the surface processing and rearranging process (S4) of removing the
상기 포토레지스트 필름(20)을 제거함으로써 웨이퍼 스테이지(10)의 상면의 단면은 요철형태가 되며, 상면 전체에 상기 마스크(30)의 패턴대로 돗트(11) 형태가 무수히 배열된 형태를 가지며, 웨이퍼 스테이지(10)의 돌출된 부분과 홈이 가공된 부분이 정확히 요철을 이루도록 표면을 정리함으로써 본 발명의 제조를 완료한다.By removing the
상기와 같은 본 발명은, 웨이퍼 스테이지의 상면에 포토레지스트 필름과 마스크를 순차적으로 형성시킨 후, 자외선을 조사하여 포토레지스트 필름에 마스크의 패턴이 현상되도록 다음, 그에 샌드 블라스트 가공함으로써 포토레지스트 필름이 형성된 부분은 남고 나머지부분은 깎여지도록 가공하여, 웨이퍼 스테이지 상면에 양각의 형태로 돌출된 돗트와 음각의 형태로 깎여진 진공통로가 신속하고 정확하게 가공되는 효과가 있다.According to the present invention as described above, after the photoresist film and the mask is formed on the upper surface of the wafer stage sequentially, the photoresist film is formed by sandblasting the photoresist film to develop a pattern of the mask on the photoresist film by irradiating ultraviolet rays. The remaining part is processed so that the remaining part is shaved, so that the dot which protrudes in the form of an emboss on the upper surface of the wafer stage and the vacuum passage carved in the form of the intaglio are processed quickly and accurately.
웨이퍼 스테이지 상면에 형성된 돌출된 돗트가 동시에 가공됨으로 인해 웨이퍼 스테이지의 생산속도가 크게 향상되며, 제작 시 불량품이 발생될 위험이 현저히 줄어들게 되고, 마스크에 형성된 패턴대로 돗트가 형성됨으로써 각각의 돗트 위치가 정확하여 위치결정도가 높은 고품질의 웨이퍼 스테이지를 얻을 수 있는 효과가 있다.The protruding dots formed on the upper surface of the wafer stage are processed simultaneously, which greatly increases the production speed of the wafer stage, greatly reduces the risk of defective products during manufacturing, and forms the dots according to the pattern formed on the mask. Thus, there is an effect that a high quality wafer stage having high positioning degree can be obtained.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060069182A KR100761821B1 (en) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | The manufacturing method of wafer stage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060069182A KR100761821B1 (en) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | The manufacturing method of wafer stage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060090646A true KR20060090646A (en) | 2006-08-14 |
KR100761821B1 KR100761821B1 (en) | 2007-09-28 |
Family
ID=37571717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060069182A KR100761821B1 (en) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | The manufacturing method of wafer stage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100761821B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100849439B1 (en) * | 2007-08-13 | 2008-07-30 | 다이섹(주) | Stepper chuck the manufacturing method of exposure apparatus |
KR101041476B1 (en) * | 2010-08-31 | 2011-06-16 | 주식회사 선반도체 | Method for fabricating of film having micro unevenness |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101301507B1 (en) * | 2012-11-26 | 2013-09-04 | (주)씨엠코리아 | Semiconductor heater manufacturing method and heater thereusing |
KR101334037B1 (en) * | 2013-03-21 | 2013-11-28 | (주)씨엠코리아 | Semiconductor heater manufacturing method and heater thereusing |
KR102476390B1 (en) | 2021-01-06 | 2022-12-12 | 모던세라믹스(주) | 12-inch semiconductor wafer TTV measurement vacuum stage manufacturing method |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4028060B2 (en) | 1998-01-14 | 2007-12-26 | 大日本印刷株式会社 | Resist stripping equipment |
JP2002127014A (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-08 | Shinji Kanda | Sand blast polishing material, sand blast debris treatment method and barrier rib and/or electrode forming method |
KR20020041580A (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-03 | 윤종용 | Wafer stage of semiconductor manufacturing apparatus and exposure apparatus using the same |
JP2004017201A (en) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Minolta Co Ltd | Method for forming pattern, record sheet and transfer sheet used in this method |
-
2006
- 2006-07-24 KR KR1020060069182A patent/KR100761821B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100849439B1 (en) * | 2007-08-13 | 2008-07-30 | 다이섹(주) | Stepper chuck the manufacturing method of exposure apparatus |
KR101041476B1 (en) * | 2010-08-31 | 2011-06-16 | 주식회사 선반도체 | Method for fabricating of film having micro unevenness |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100761821B1 (en) | 2007-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100761821B1 (en) | The manufacturing method of wafer stage | |
KR101301507B1 (en) | Semiconductor heater manufacturing method and heater thereusing | |
JP7158173B2 (en) | Drop recipe determination method, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
TWI794192B (en) | Substrate processing method | |
US8709955B2 (en) | Pattern transfer apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
JPWO2004100240A1 (en) | Method and apparatus for dividing plate-like member | |
JP6320183B2 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
JP2012033769A (en) | Pattern forming method | |
TWI623411B (en) | Mold, imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
JP7132739B2 (en) | Imprinting apparatus, imprinting method and article manufacturing method | |
JP2017092396A (en) | Imprinting device and article manufacturing method | |
TW202102451A (en) | Glass substrate cutting method and light guide plate manufacturing method | |
JP2016004794A (en) | Imprint method, imprint device and method for manufacturing article | |
JP6689177B2 (en) | Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method, and imprint apparatus | |
JP6234207B2 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
TW201700256A (en) | Imprint apparatus, method of manufacturing article, imprint method, and method of obtaining information of arrangement pattern | |
KR100849439B1 (en) | Stepper chuck the manufacturing method of exposure apparatus | |
TWI701721B (en) | Reticle for non-rectangular die | |
KR101118409B1 (en) | Template with identification mark and manufacturing method thereof | |
JP6450105B2 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP7027200B2 (en) | How to manufacture replica templates and how to manufacture semiconductor devices | |
TWI295752B (en) | Repair of photolithography masks by sub-wavelength artificial grating technology | |
TW202031422A (en) | Systems and methods for forming multi-section displays | |
JP2017183416A (en) | Imprint device and manufacturing method of material | |
JP5993230B2 (en) | Fine structure transfer device and fine structure transfer stamper |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131217 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |