KR20060085459A - Gas supply box of semiconductor equipment and method for purging gas line - Google Patents
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Abstract
반도체 제조 설비의 기체 공급 박스 및 기체 라인 퍼지 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 기체 공급 박스는 반도체 제조 설비에 반응 기체를 공급하기 위한 것으로서, 반응 기체를 운송하기 위한 제 1 기체 라인과, 제 1 기체 라인의 중간에 연결되어 제 1 기체 라인을 퍼지하기 위한 퍼지 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 라인과, 퍼지 기체를 가열시키기 위해 제 2 기체 라인에 부착된 가열기를 포함한다.A gas supply box and a gas line purge method of a semiconductor manufacturing facility are provided. The gas supply box according to the present invention is for supplying the reaction gas to the semiconductor manufacturing equipment, the first gas line for transporting the reaction gas, and a purge for purging the first gas line connected in the middle of the first gas line A second gas line for supplying gas, and a heater attached to the second gas line for heating the purge gas.
Description
도 1은 종래 기체 공급 박스의 기체 라인들 및 기체 라인 퍼지 방법을 보여주는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a gas line and a gas line purge method of a conventional gas supply box.
도 2는 본 발명에 따른 기체 공급 박스의 기체 라인들 및 기체 라인 퍼지 방법을 보여주는 개략도이다.2 is a schematic view showing a gas line and a gas line purge method of a gas supply box according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 기체 라인 퍼지 방법을 보여주는 순서도이다.3 is a flow chart showing a gas line purge method according to the present invention.
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 특히 반응 기체를 공급하기 위한 기체 공급 박스(gas supply box) 및 그 기체 라인의 퍼지(purge) 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a gas supply box for supplying a reaction gas and a method of purging the gas line.
반도체 소자는 반도체 기판, 예를 들어 실리콘 기판 상에 소정의 회로 패턴을 형성하는 작업을 반복하여 형성된다. 보다 구체적으로 보면, 반도체 소자를 형성하기 위해서는 박막을 형성하는 증착(deposition) 공정, 이온 주입(ion implantation) 공정, 열 처리 공정, 패턴 형성을 위한 포토리소그래피(photo lithography) 공정 및 식각(etching) 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서, 이러한 공정들을 진행하기 위해서 반도체 생산라인에는 다양한 제조 설비들이 구비되어 있다.The semiconductor element is formed by repeatedly forming a predetermined circuit pattern on a semiconductor substrate, for example, a silicon substrate. More specifically, in order to form a semiconductor device, a deposition process for forming a thin film, an ion implantation process, a heat treatment process, a photolithography process for etching a pattern, and an etching process Are repeated repeatedly. Therefore, in order to proceed with these processes, the semiconductor production line is equipped with various manufacturing facilities.
여기에서 반도체 제조 설비들에는 스퍼터링(sputtering) 또는 화학기상증착 장치와 같은 증착 장치, 급속 열처리 장치 또는 퍼니스(furnace)와 같은 열처리 장치, 코팅(coating) 장치, 노광(exposure) 장치 및 식각(etching) 장치 등이 있다. 이러한 반도체 제조 설비들 중, 예를 들어 화학기상증착(chemical vapor deposition) 장치, 식각 장치, 또는 스퍼터링 장치 등은 반응 기체를 이용하여 작업을 수행한다.Here semiconductor manufacturing facilities include deposition apparatuses such as sputtering or chemical vapor deposition apparatuses, heat treatment apparatuses such as rapid heat treatment apparatuses or furnaces, coating apparatuses, exposure apparatuses and etchings. Device and the like. Among such semiconductor manufacturing facilities, for example, a chemical vapor deposition apparatus, an etching apparatus, or a sputtering apparatus and the like perform operations using a reaction gas.
따라서, 반응 기체를 이용하는 이러한 반도체 제조 설비들은 복수의 기체 라인(gas line)들이 연결되어 있으며, 이러한 기체 라인들은 기체 공급 박스를 통해서 효과적으로 관리된다. 하지만, 기체 반응을 이용하는 화학기상증착 장치 및 식각 장치 등의 기체 라인들은 유기물 반응 기체, 반응 부산물 등에 의해 쉽게 오염된다. 오염된 기체 라인들의 아웃-개싱(out-gassing)은 반응 기체 및 반응 챔버의 오염 원인이 되기도 한다. 따라서, 일정 시간이 경과되면 이들 기체 라인들을 청소해 주거나 교체해 주어야 한다.Accordingly, such semiconductor manufacturing facilities using a reactive gas are connected with a plurality of gas lines, which are effectively managed through a gas supply box. However, gas lines such as chemical vapor deposition apparatus and etching apparatus using gas reaction are easily contaminated by organic reaction gas, reaction by-products and the like. Out-gassing of contaminated gas lines also causes contamination of the reaction gas and reaction chamber. Therefore, after a period of time, these gas lines must be cleaned or replaced.
도 1을 참조하면, 종래 기체 공급 박스(미도시) 내의 기체 라인들(110, 120)이 도시되어 있다. 반응 기체 라인(110)에는 유량 조절기(mass flow meter, 130)가 연결되어 있다. 유량 조절기(130)는 반응 기체의 유입 양을 조절하는 역할을 한다. 반응 기체 라인(110)의 전단에는 반응 기체 라인(110)을 퍼지시키기 위한 퍼지 기 체 라인(120)이 연결되어 있다.Referring to FIG. 1,
통상의 경우에는 반응 기체 라인(110)을 통해서 반응 기체가 챔버(미도시)로 공급된다. 하지만, 일정 기간이 경과하여 반응 기체 라인(110)이 오염되면 반응 기체 라인(110)을 퍼지시켜 주거나 또는 교체 작업 진행 후 퍼지 작업을 수행한다. 이때, 퍼지 기체 라인(120)의 퍼지 기체(140)로는 질소가 사용될 수 있다. 즉, 차가운 질소 기체(140)를 퍼지 기체 라인(120)을 통해서 반응 기체 라인(110)에 공급하고, 펌핑함으로써 퍼지 작업이 수행된다.In the usual case, the reaction gas is supplied to the chamber (not shown) through the
하지만, 차가운 질소 기체(140)로 반응 기체 라인(110)을 퍼지하여도, 반응 기체 라인(110)의 반응 부산물과 같은 오염물을 완전히 제거할 수 없다. 따라서, 퍼지 후에도 반응 기체 라인(110)에서 아웃-개싱이 계속 발생할 수 있다. 반응 기체 라인(110)의 아웃 개싱은 반응 챔버의 오염의 원인이 될 수 있다.However, even if the
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반응 기체 라인의 아웃-개싱을 효과적으로 없앨 수 있는 반도체 제조 설비의 기체 공급 박스를 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a gas supply box of a semiconductor manufacturing equipment that can effectively eliminate the out-gassing of the reaction gas line.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 반응 기체 라인의 아웃-개싱을 효과적으로 없앨 수 있는 기체 라인 퍼지 방법을 제공하는 데 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a gas line purge method that can effectively eliminate the out-gassing of the reaction gas line.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 태양에 따르면, 반도체 제조 설비에 반응 기체를 공급하기 위한 것으로서, 상기 반응 기체를 운송하기 위한 제 1 기체 라인; 상기 제 1 기체 라인의 중간에 연결되어, 상기 제 1 기체 라인을 퍼 지하기 위한 퍼지 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 라인; 및 상기 퍼지 기체를 가열시키기 위해, 상기 제 2 기체 라인에 부착된 가열기를 포함하는 반도체 제조 설비의 기체 공급 박스가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, for supplying a reaction gas to a semiconductor manufacturing facility, a first gas line for transporting the reaction gas; A second gas line connected to the middle of the first gas line, for supplying a purge gas for purging the first gas line; And a heater attached to the second gas line to heat the purge gas.
상기 가열기는 가열 코일이고, 나아가 상기 가열 코일은 상기 제 2 기체 라인을 나선형으로 감고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 퍼지 기체는 불활성 기체인 것이 바람직하다. 나아가, 상기 퍼지 기체는 질소 또는 알곤인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the said heater is a heating coil, and furthermore, the said heating coil spirally wound the said 2nd gas line. In addition, the purge gas is preferably an inert gas. Further, the purge gas is more preferably nitrogen or argon.
또한, 상기 제 1 기체 라인은 기체 유량 조절기를 포함하고 있고, 상기 기체 유량 조절기는 상기 퍼지 기체에 의해 퍼지될 수 있도록 상기 제 2 기체 라인이 연결되는 상기 제 1 기체 라인의 중간 이후에 연결되는 것이 바람직하다.In addition, the first gas line includes a gas flow regulator, and the gas flow regulator is connected after the middle of the first gas line to which the second gas line is connected to be purged by the purge gas. desirable.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 태양에 따르면, 상기 기체 공급 박스의 제 1 기체 라인을 퍼지하기 위한 방법으로서, 상기 제 1 기체 라인의 상기 반응 기체의 공급을 중단하는 단계; 상기 제 2 기체 라인을 가열하는 단계; 및 상기 퍼지 기체를 상기 제 2 기체 라인을 통과시키면서 가열하여, 상기 제 1 기체 라인에 공급하는 단계를 포함하는 기체 라인 퍼지 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above another technical problem, a method for purging the first gas line of the gas supply box, comprising: stopping supply of the reaction gas of the first gas line; Heating the second gas line; And heating the purge gas while passing through the second gas line to supply the purge gas to the first gas line.
상기 퍼지 기체는 질소(nitrogen) 또는 알곤(argon)인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 기체 라인의 가열은 상기 가열기를 통해서 수행하는 것이 바람직하다.The purge gas is preferably nitrogen or argon. In addition, the heating of the second gas line is preferably carried out through the heater.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 과장되어 있을 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. In the drawings, the components may be exaggerated in size for convenience of description.
도 2는 본 발명에 따른 기체 공급 박스의 기체 라인들(210, 220) 및 기체 라인 퍼지 방법을 보여주는 개략도이다.2 is a schematic view showing
도 2를 참조하면, 반응 기체를 운송하기 위한 반응 기체 라인(210)의 전단에 퍼지 기체 라인(220)이 연결되어 있다. 퍼지 기체 라인(220)은 반응 기체 라인(210)을 퍼지하기 위한 퍼지 기체(240)를 공급하기 위한 것이다. 이때, 반응 기체 라인(210)과 퍼지 기체 라인(220)은 예를 들어, 3-방향 밸브(3-way valve)에 의해 연결되어 기체의 흐름을 조절할 수 있다.2, a
예를 들어, 반응 챔버(미도시)로 반응 기체를 공급할 때는 퍼지 기체 라인(220) 방향은 차단되고, 반응 기체 라인(210)이 도통되도록 한다. 그리고, 반응 기체 라인(210)을 퍼지할 때는 반응 기체 라인(210)은 차단하고, 퍼지 기체 라인(220)과 반응 기체 라인(210)이 연결되도록 한다. 이에 따라, 퍼지 기체(240)가 퍼지 기체 라인(220)을 통해서 반응 기체 라인(210)으로 공급될 수 있다.For example, when supplying the reaction gas to the reaction chamber (not shown), the direction of the
한편, 반응 기체 라인(210)에는 유량 조절기(230)가 포함될 수 있다. 이때, 유량 조절기(230)는 퍼지 기체 라인(220)과 반응 기체 라인(210)의 연결부의 후단에 연결되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 퍼지 기체(240)가 반응 기체 라인(210) 뿐만 아니라 유량 조절기(230)도 동시에 퍼지시킬 수 있다.
On the other hand, the
퍼지 기체 라인(220)에는 퍼지 기체(240)를 가열시키기 위한 가열기(250)가 부착되어 있다. 가열기(250)는 가열 코일(heating coil)인 것이 바람직하다. 이러한 가열 코일은 열선 테이프로 형성되어 있을 수 있다. 나아가, 가열 코일(250)은 퍼지 기체 라인(220)을 나선형으로 감싸고 있는 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라, 퍼지 기체 라인(220)이 가열되고, 그 열기에 의해 퍼지 기체 라인(220)을 통과하는 퍼지 기체(240)가 가열된다.The
즉, 반응 기체 라인(210)을 퍼지시킬 필요가 있는 경우, 퍼지 기체 라인(210)을 통해서 가열된 퍼지 기체(240)를 반응 기체 라인(210)에 공급할 수 있다. 이에 따라, 가열된 퍼지 기체(240)는 반응 기체 라인(210) 및 유량 조절기(230) 내부의 오염물 등을 기화시켜 제거한다.That is, when it is necessary to purge the
이때, 퍼지 기체(240)는 반응성이 없는 불활성 기체인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 퍼지 기체(240)는 반응 기체 라인(210) 또는 그 내부의 부산물과 반응을 형성하지 않아야 하기 때문이다. 예를 들어, 퍼지 기체(240)는 질소 또는 알곤인 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the
따라서, 가열기(250)에 의해 가열된 불활성 퍼지 기체(240)가 반응 기체 라인(210) 및 유량 조절기(230)의 아웃-개싱을 효과적으로 없앨 수 있다. 즉, 아웃-개싱이 제거됨에 따라, 반응 기체 및 반응 챔버의 오염을 방지할 수 있게 된다.Thus,
도 3은 본 발명에 따른 기체 라인 퍼지 방법(300)을 보여주는 순서도이다. 본 발명에 따른 기체 라인 퍼지 방법(300)은 전술한 본 발명에 따른 기체 공급 박스를 이용한 것으로서, 도 2를 참조할 수 있다.
3 is a flow chart showing a gas
도 3을 참조하면, 먼저 반응 기체 라인(도 2의 210)의 반응 기체 공급을 중단한다(단계 310). 보다 구체적으로 보면, 반응 기체의 공급부(미도시)를 차단하거나 또는 반응 기체 라인(도 2의 210)과 퍼지 기체 라인(도 2의 220)이 연결되는 3방향 밸브를 조절하여 반응 기체의 공급을 차단할 수 있다.Referring to FIG. 3, first, the reaction gas supply of the
이어서, 퍼지 기체 라인(도 2의 220)을 가열한다(단계 320). 보다 구체적으로 보면, 가열기(도 2의 250), 예를 들어 열선 코일을 통해서 퍼지 기체 라인(도 2의 220)을 가열한다.Subsequently, the
이어서, 퍼지 기체(도 2의 240)를 퍼지 기체 라인(도 2의 220)을 통과시키면서 가열하여, 반응 기체 라인(도 2의 210)에 공급한다(단계 330). 즉, 퍼지 기체(도 2의 240)는 가열된 퍼지 기체 라인(도 2의 220)을 통과하면서 뜨겁게 가열된다. 가열된 퍼지 기체(도 2의 240)는 반응 기체 라인(도 2의 210)의 아웃-개싱을 효과적으로 제거한다. 이에 따라, 반응 기체 라인(도 2의 210)의 아웃-개싱으로 인한 반응 챔버 및 반응 기체의 오염을 막을 수 있다.Subsequently, the purge gas (240 in FIG. 2) is heated while passing through the purge gas line (220 in FIG. 2), and is supplied to the reaction gas line (210 in FIG. 2) (step 330). That is, the purge gas (240 in FIG. 2) is heated while passing through the heated purge gas line (220 in FIG. 2). The heated purge gas (240 in FIG. 2) effectively removes out-gassing of the reaction gas line (210 in FIG. 2). Accordingly, contamination of the reaction chamber and the reaction gas due to out-gassing of the
본 발명의 특정 실시예들에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.The foregoing description of specific embodiments of the present invention has been presented for purposes of illustration and description. The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications and changes can be made in the technical spirit of the present invention by one of ordinary skill in the art in combination. .
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 기체 박스는 퍼지 기체를 가열시키기 위한 가열기를 구비한다. 따라서, 가열기에 의해 가열된 불활성 퍼지 기체가 반응 기 체 라인 및 유량 조절기의 아웃-개싱을 효과적으로 없앨 수 있다. 즉, 아웃-개싱이 제거됨에 따라, 반응 기체 및 반응 챔버의 오염을 방지할 수 있게 된다.The gas box of the semiconductor manufacturing equipment according to the invention is provided with a heater for heating the purge gas. Thus, the inert purge gas heated by the heater can effectively eliminate out-gasing of the reactor gas line and the flow regulator. That is, as the out-gassing is removed, it becomes possible to prevent contamination of the reaction gas and the reaction chamber.
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KR20230072194A (en) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 신학수 | A Multi Gas Supplying Type of a Purge System |
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- 2005-01-24 KR KR1020050006337A patent/KR20060085459A/en not_active Application Discontinuation
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KR20230072194A (en) | 2021-11-17 | 2023-05-24 | 신학수 | A Multi Gas Supplying Type of a Purge System |
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