KR20060073149A - Quick drain rinse bath for wafer wet cleaning - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰(Quick Drain Rinse bath)에 관한 것이다. The present invention relates to a QDR bath (Quick Drain Rinse bath) for wafer wet cleaning.
본 발명은, 내부에 로딩된 웨이퍼에 대하여 샤워방식으로 초순수를 분사하여 단시간내에 세정하는 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 있어서, 개방된 상면을 개폐하는 개폐도어를 구비하되, 상기 개폐도어의 하면측에는 초순수를 하부방향으로 분사하는 적어도 하나 이상의 다운플로우노즐이 구비되는 것을 특징으로 한다. The present invention is a QDR bath for wet cleaning wafers by spraying the ultra-pure water in a shower method to the wafer loaded therein, which includes an opening and closing door for opening and closing the open upper surface, the lower surface side of the opening and closing door At least one downflow nozzle for spraying the ultrapure water in the downward direction is characterized in that it is provided.
따라서, 웨이퍼상의 화학용액을 보다 빠른 시간내에 효율적으로 세정 제거할 수 있게 되므로, 공정시간 단축에 따른 생산성 향상을 기할 수 있고, 웨이퍼의 품질과 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, since the chemical solution on the wafer can be efficiently cleaned and removed within a faster time, productivity can be improved by shortening the process time, and the quality and yield of the wafer can be improved.
세정, 초순수, DIW, 퀵드레인린스, 베쓰, 세정조, 웨이퍼, 반도체Cleaning, ultrapure water, DIW, quick drain rinse, bath, cleaning bath, wafer, semiconductor
Description
도 1은 종래의 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 대한 단면도, 1 is a cross-sectional view of a conventional QDR bath for wafer wet cleaning,
도 2는 종래의 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰를 설명하기 위한 평면도, 2 is a plan view illustrating a conventional QDR bath for wet wafer cleaning;
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 대한 단면도, 3 is a cross-sectional view of a QDR bath for wet wafer cleaning in accordance with the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰를 설명하기 위한 평면도, 4 is a plan view for explaining a QDR bath for wet wafer cleaning in accordance with the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰의 일 사용상태에 대한 측면도이다. 5 is a side view of one use state of the QDR bath for wet wafer cleaning in accordance with the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : QDR베쓰 12 : 업플로우노즐10: QDR Beth 12: Upflow Nozzle
14 : 측상부샤워노즐 16 : 개폐도어14: upper side shower nozzle 16: opening and closing door
16a : 힌지수단 18 : 다운플로우노즐16a: hinge means 18: downflow nozzle
DIW : 초순수 W : 웨이퍼DIW: Ultrapure Water W: Wafer
본 발명은 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰(Quick Drain Rinse bath)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼상에 존재하는 화학용액을 보다 빠른 시간내에 효율적으로 세정 제거할 수 있는 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 관한 것이다. The present invention relates to a QDR bath (Quick Drain Rinse bath) for wafer wet cleaning, and more particularly, to a QDR bath for wafer wet cleaning, which can efficiently clean and remove chemical solutions existing on a wafer in a faster time. It is about.
일반적으로, 반도체 소자 제조과정에서는 여러 차례의 세정공정이 필수적으로 수행되게 되며, 주로 습식세정(wet cleaning) 방식이 이용되고 있다. In general, a plurality of cleaning processes are essentially performed in the semiconductor device manufacturing process, and a wet cleaning method is mainly used.
습식세정 방식은 화학용액이 담긴 약액조(chemical bath)내에서 화학작용에 의하여 웨이퍼 표면에 존재하는 오염물질을 제거한 후, 웨이퍼 표면에 잔존하게 되는 화학용액을 제거하기 위하여 샤워(shower)방식으로 초순수(DIW ; De-Ionized Water)를 순간 배출하는 퀵드레인린스(Quick Drain Rinse ; 이하, "QDR"로 칭함)를 실시하여 세정하게 된다. The wet cleaning method removes contaminants on the wafer surface by chemical reaction in a chemical bath containing chemical solution, and then uses ultra-pure water as a shower to remove the chemical solution remaining on the wafer surface. (DIW; De-Ionized Water) is cleaned by performing a Quick Drain Rinse (hereinafter referred to as "QDR") which discharges instantaneously.
도 1은 종래의 QDR베쓰(bath)를 보여주는 개략 단면도이고, 도 2는 그 개략 평면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional QDR bath, and FIG. 2 is a schematic plan view thereof.
QDR베쓰(10)는 내부공간을 형성하는 상면이 개방된 직육면체 형상으로, 그 바닥면상의 중심부에는 길이방향을 따라 복수매의 웨이퍼(W)가 일정간격을 유지한 채 놓일 수 있는 가이더(미도시)가 구비되어 있고, 바닥면상의 양측에는 길이방향을 따라 상방을 향해 초순수를 분사하게 되는 한쌍의 업플로우노즐(up-flow nozzle)(12)이 구비되어 있으며, 또한 양측면 상부에도 길이방향을 따라 약 30~60°범위정도로 중심부를 향해 초순수를 분사하게 되는 한쌍의 측상부샤워노즐(shower nozzle)(14)이 구비되어 있다. The
따라서, 로봇(미도시)에 의해 복수매의 웨이퍼(W)가 이송되어 그 바닥면상의 가이더상에 로딩되게 되면, 업플로우노즐(12)과 측상부샤워노즐(14)로부터 중심부에 로딩된 복수매의 웨이퍼(W)를 향하여 동시에 초순수가 분사되어 단시간내에 웨이퍼(W)상의 화학용액을 제거하게 된다. Therefore, when a plurality of wafers W are transferred by a robot (not shown) and loaded on the guider on the bottom surface thereof, the plurality of wafers W are loaded at the center from the
그러나, 이와 같은 종래의 QDR베쓰(10)에서는 바닥면과 양 측면에서만 초순수가 분사되어 웨이퍼(W)의 전 표면에 대하여 초순수가 고르게 접촉되지 못하여, 세정효율이 떨어지고, 세정시간이 장시간(보통 10여분) 소요되어 공정지연이 발생되는 문제점이 있었다. However, in such a
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 상면을 개폐할 수 있는 도어를 구비시키되 이 도어의 하면상에 복수개의 다운플로우(down flow)노즐을 구비시켜 또한 초순수를 하방으로 분사하도록 하여 보다 빠른 시간내에 효율적으로 웨이퍼를 세정할 수 있도록 하는 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and provided with a door that can open and close the upper surface, provided with a plurality of downflow nozzles on the lower surface of the door and also spraying ultrapure water downward It is an object of the present invention to provide a QDR bath for wafer wet cleaning that enables the wafer to be cleaned efficiently in a shorter time.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내부에 로딩된 웨이퍼에 대하여 샤워방식으로 초순수를 분사하여 단시간내에 세정하는 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 있어서, 개방된 상면을 개폐하는 개폐도어를 구비하되, 상기 개폐도어의 하면측에는 초순수를 하부방향으로 분사하는 적어도 하나 이상의 다운플로우노즐이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰를 제공한다. The present invention for achieving the above object, in the QDR bath for wet cleaning wafers by spraying ultrapure water in a shower method to the wafer loaded therein in a short time, comprising an opening and closing door for opening and closing the open upper surface On the lower side of the open / close door, at least one downflow nozzle for spraying ultrapure water in a downward direction is provided, which provides a QDR bath for wafer wet cleaning.
본 발명의 상기 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
설명에 앞서, 종래와 동일한 부분에 대해서는 그 상세한 설명을 생략함을 밝힌다. Prior to the description, the same parts as in the prior art will be omitted.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 습식세정을 위한 QDR베쓰에 대한 단면도이고, 도 4는 그 개략적 평면도이며, 도 5는 그 일 사용상태에 대한 측면도이다. 3 is a cross-sectional view of a QDR bath for wet cleaning wafers according to the present invention, FIG. 4 is a schematic plan view thereof, and FIG. 5 is a side view of the one use state thereof.
본 발명에 따르면, 기존에 바닥면상의 업플로우노즐(12)과 양 측면상의 측상부샤워노즐(14)이 구비된 QDR베쓰(10)의 개방된 상면을 선택적으로 개폐할 수 있는 개폐도어(16)가 구비되되, 이 개폐도어(16)에는 폐쇄상태에서 초순수를 하부방향으로 분사할 수 있는 복수개의 다운플로우노즐(down flow nozzle)(18)이 그 하면측에 구비되게 된다. According to the present invention, the opening and closing
여기서, 개폐도어(16)는 일 측벽 상단에 대하여 힌지(hinge)수단(16a)을 이용하여 회동가능하도록 구비될 수 있으며, 이 개폐도어(16)를 자동으로 개폐할 수 있는 에어실린더와 같은 회동구동수단(미도시)이 적절히 구비될 수 있다. Here, the opening and closing
바람직하게, 개폐도어(16)의 하면측에 구비되는 복수개의 다운플로우노즐(18)은 바닥면상의 업플로우노즐(12)에 각각 대향되는 위치에 하나씩 구비됨과 더불어, 그 사이 중앙 위치에 또 하나가 구비되도록 구성될 수 있으며, 각 다운플로우노즐(18)은 콘(cone)형태로 넓어지게 초순수를 분사할 수 있다.
Preferably, the plurality of
이로써, 도 3에 도시한 바와 같이, 로딩된 복수매의 웨이퍼(W)의 모든 면에 대하여 초순수가 빈틈없이 다량 단시간내에 분사되게 되므로, 세정소요시간을 대폭적으로 줄여 생산성을 향상시킬 수 있게 되고, 세정효율의 상승에 따른 웨이퍼(W)의 품질과 수율을 향상시킬 수 있게 된다. As a result, as shown in FIG. 3, ultra pure water is injected to all surfaces of the plurality of loaded wafers W in a short amount of time without gaps, thereby greatly reducing the washing time and improving productivity. As the cleaning efficiency increases, the quality and yield of the wafer W can be improved.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.In the foregoing description, it should be understood that those skilled in the art can make modifications and changes to the present invention without changing the gist of the present invention as merely illustrative of a preferred embodiment of the present invention.
본 발명에 따르면, 웨이퍼상에서 화학용액을 보다 빠른 시간내에 효율적으로 세정 제거할 수 있게 되므로, 공정시간 단축에 따른 생산성 향상을 기할 수 있고, 웨이퍼의 품질과 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 달성될 수 있다. According to the present invention, since the chemical solution can be efficiently cleaned and removed on the wafer in a faster time, productivity can be improved by shortening the process time, and the effect of improving the quality and yield of the wafer can be achieved. have.
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KR100895965B1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-05-07 | 주식회사 케이씨텍 | Wet station |
CN112599441A (en) * | 2020-11-30 | 2021-04-02 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | Cleaning system, wafer cleaning equipment and wafer soaking and washing method |
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2004
- 2004-12-24 KR KR1020040112017A patent/KR20060073149A/en not_active Application Discontinuation
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