KR20060070656A - Polymer resin and composition for organic anti-reflective coating, and method of pattern formation using the same - Google Patents

Polymer resin and composition for organic anti-reflective coating, and method of pattern formation using the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서 웨이퍼 상의 하부막층에서의 반사를 방지할 수 있는 유기 반사 방지막용 고분자 수지 및 이를 이용한 유기 반사 방지막 조성물에 관한 것이고, 보다 상세하게는 BARC와 포토레지스트 간의 식각(etch) 선택비를 향상시키기 위하여 Si 함유 반복단위를 포함하고 중량 평균 분자량이 1000∼1,000,000인 것을 특징으로 하는 특정한 유기 반사 방지막용 고분자 수지 및 폴리비닐페놀화합물을 이용한 KrF 및 ArF 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기의 유기 반사 방지막 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.The present invention relates to a polymer resin for an organic antireflective film and an organic antireflective film composition using the same, which can prevent reflection in a lower film layer on a wafer in an ultrafine pattern forming process of a semiconductor device manufacturing process. In order to improve the etch selectivity between photoresists, KrF and ArF photos using a polyvinyl phenol compound and a polymer resin for a specific organic antireflection film, which include a Si-containing repeating unit and a weight average molecular weight of 1000 to 1,000,000. The present invention relates to an organic antireflection film composition for resist. The present invention also provides a pattern forming method using the organic antireflection film composition.

본 발명에 의하면, 종래의 포토레지스트를 이용한 패턴 형성과정에서 별도의 공정 변경 없이 기존의 유기(organic) BARC와 동일한 공정을 이용하고, 유기 반사 방지막의 장점을 유지하면서 BARC 식각 공정에서의 포토레지스트와 BARC 간의 식각 선택비를 증가시켜서 BARC 식각 과정에서 발생하는 포토레지스트 손실을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, in the pattern formation process using a conventional photoresist, using the same process as the conventional organic BARC without any additional process change, while maintaining the advantages of the organic anti-reflection film and the photoresist in the BARC etching process By increasing the etch selectivity between BARCs, photoresist losses in the BARC etch process can be reduced.

Description

유기 반사 방지막용 고분자 수지 및 유기 반사 방지막 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{Polymer resin and composition for organic anti-reflective coating, and method of pattern formation using the same}Polymer resin and composition for organic anti-reflective coating, and method of pattern formation using the same

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서 웨이퍼 상의 하부막층에서의 반사를 방지할 수 있는 유기(organic) 반사 방지막(Bottom Anti-Reflective Coating, BARC)용 고분자 수지 및 이를 이용한 반사 방지막 조성물에 관한 것이고, 보다 상세하게는 BARC와 포토레지스트 간의 식각(etch) 선택비를 향상시키기 위하여 Si 함유 반복단위를 포함하고 중량 평균 분자량이 1000∼1,000,000인 것을 특징으로 하는 특정한 유기 반사 방지막용 고분자 수지 및 이것에 폴리비닐페놀화합물을 더 포함하는 KrF 및 ArF 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물, 및 상기 유기 반사 방지막 조성물을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention is a polymer resin for organic anti-reflective coating (BARC) that can prevent reflection in the lower layer on the wafer in the ultra-fine pattern forming process of the semiconductor device manufacturing process and an anti-reflective film using the same The present invention relates to a composition, and more particularly, to a polymer resin for a specific organic antireflection film, comprising a Si-containing repeating unit and having a weight average molecular weight of 1000 to 1,000,000 in order to improve the etch selectivity between BARC and the photoresist. And an organic antireflection film composition for KrF and ArF photoresist further comprising a polyvinylphenol compound, and a pattern formation method using the organic antireflection film composition.

반도체 제조공정 중 초미세 패턴형성 공정에서는 광원으로부터 빛을 받게 되면, 포토레지스트 막을 투과하여 포토레지스트막의 하부에 들어온 빛이 산란 또는 반사되는데, 노광원으로 사용하는 빛의 파장대에서 광흡수를 잘하는 물질이 도입된 유기 반사 방지막(BARC)을 포토레지스트의 하부에 적층하여 산란 또는 반사되는 빛을 흡수하면서 포토레지스트의 미세가공 공정을 수행한다.In the ultra-fine pattern forming process of the semiconductor manufacturing process, when light is received from the light source, light entering the lower portion of the photoresist film through the photoresist film is scattered or reflected, and a material that absorbs light well in the wavelength range of light used as an exposure source is The introduced organic antireflection film BARC is stacked below the photoresist to perform microprocessing of the photoresist while absorbing scattered or reflected light.

그런데, 반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피 공정에서 패턴 크기 및 포토레지스트 두께를 점점 감소시키도록 공정을 개발하여 적용하는 추세에서, 종래의 BARC는 포토레지스트와 식각 선택성이 유사하여 BARC 식각 공정에서 포토레지스트 손실(loss)이 많이 발생하므로 포토레지스트 높이를 감소시키는 데 있어서 한계가 있다는 공정상의 어려움이 있었다. 따라서, BARC 식각을 통하여 패턴을 형성하는 단계에서의 포토레지스트 손실을 감소시켜서 포토레지스트 두께를 감소시킴으로써 공정 마진을 향상시킬 필요가 있다. 특히, 이것은 ArF 포토레지스트의 경우, 식각 저항이 약한 공정상의 단점을 해결하기 위한 간접적인 수단이기도 하다.However, in the trend of developing and applying a process to gradually reduce the pattern size and the photoresist thickness in the photolithography process of the semiconductor device manufacturing process, the conventional BARC has similar etch selectivity to the photoresist, so that the photoresist in the BARC etching process Since there are many losses, there is a process difficulty that there is a limit in reducing the photoresist height. Therefore, there is a need to improve the process margin by reducing the photoresist thickness by reducing the photoresist loss in forming the pattern through BARC etching. In particular, this is an indirect means to solve the process disadvantage of the ArF photoresist is weak etching resistance.

본 발명의 목적은 반도체 제조공정 중, 주로 ArF (193nm) 및 KrF (248nm) 광원을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에서 BARC와 포토레지스트 간의 식각 선택비가 향상된 상태로 웨이퍼 상의 하부막층에서의 반사를 방지할 수 있는 반사방지막용 수지, 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to prevent reflection in the underlying layer on the wafer with improved etching selectivity between BARC and photoresist in an ultra-fine pattern formation process using ArF (193 nm) and KrF (248 nm) light sources during semiconductor manufacturing. It is to provide an antireflection film resin, an organic antireflection film composition and a pattern forming method using the same.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명자들은 광범위한 연구의 결과, Si 화합물을 포함하고 중량 평균 분자량이 1,000∼1,000,000인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지, 및 여기에 폴리비닐페놀 화합물을 더 포함하는 유기 반사 방지막용 조성물이 BARC와 포토레지스트 간의 식각 선택비를 향상시켜서 초미세 패턴 형성 공정의 공정 마진을 향상시키고 또한 ArF (193nm) 및 KrF (248nm) 광원의 특정 파장에 대한 흡광도가 크므로 반사 방지 효과도 우수하다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.In order to achieve the above object, the present inventors have found, as a result of extensive research, an organic antireflection film polymer resin comprising a Si compound and having a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, and an organic further comprising a polyvinylphenol compound The anti-reflective coating composition improves the etching selectivity between the BARC and the photoresist, thereby improving the process margin of the ultra-fine pattern forming process, and also having a large absorbance for specific wavelengths of ArF (193 nm) and KrF (248 nm) light sources. The present invention was found to be excellent.

이하 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 Si 함유 반복단위를 포함하는 유기 반사방지막용 유기 고분자 수지, 바람직하게는 하기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지를 제공한다. 상기 고분자 수지가 Si을 함유함으로써 BARC와 포토레지스트 간의 식각 선택비가 향상된다.The present invention provides an organic antireflection film polymer resin comprising an organic antireflection film comprising a Si-containing repeating unit, preferably a repeating unit of the formula (1). Since the polymer resin contains Si, the etching selectivity between BARC and the photoresist is improved.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112004060180171-PAT00001
Figure 112004060180171-PAT00001

상기 화학식 1의 중합체는 1,000 내지 1,000,000 의 분자량을 가지는 것이 바람직하다. 상기 범위를 벗어나면, 반사방지막의 코팅성이 악화되어 공정 적용에 부적합해진다. The polymer of Formula 1 preferably has a molecular weight of 1,000 to 1,000,000. Outside the above range, the coating property of the antireflection film is deteriorated, making it unsuitable for process application.                     

상기 본 발명의 유기 반사 방지막용 고분자 수지는 단량체를 유기용매에 녹인 다음, 여기에 라디칼 중합개시제를 첨가하여 라디칼 중합시킴으로써 제조되는데, 그 과정은 하기와 같은 단계를 포함한다 :The polymer resin for an organic antireflection film of the present invention is prepared by dissolving a monomer in an organic solvent and then adding a radical polymerization initiator to the radical polymerization, and the process includes the following steps:

(a) Si 함유 화합물 및 아크롤레인(acrolein)을 유기용매에 용해시키는 단계;(a) dissolving a Si containing compound and acrolein in an organic solvent;

(b) 상기 (a)단계의 결과물 용액에 중합 개시제를 첨가하여 교반하는 단계; 및(b) adding and stirring a polymerization initiator to the resultant solution of step (a); And

(c) 상기 (b)단계의 결과물 용액을 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 반응시킴으로써 중합시키는 단계.(c) polymerizing the resultant solution of step (b) by reacting under nitrogen or argon atmosphere.

상기 (a)단계의 Si 함유 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 디알릴옥시실란(diallyloxysilane) 화합물인 것이 바람직하다.The Si-containing compound of step (a) is preferably a diallyloxysilane compound represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112004060180171-PAT00002
Figure 112004060180171-PAT00002

중합개시제를 첨가한 다음, 상기 (c)단계의 중합 반응은 50 내지 80℃ 온도에서 5 내지 20시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.After adding the polymerization initiator, the polymerization reaction of step (c) is preferably performed for 5 to 20 hours at a temperature of 50 to 80 ℃.

상기 제조과정에서 라디칼 중합은 주로 용액중합으로 수행되며, 벌크중합도 가능하다. 용액 중합의 경우 중합용매는 사이클로헥사논, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 용매 또는 혼합용매를 사용하며, 사용량 은 반사방지용 중합체의 200 내지 5000 중량%의 양인 것이 바람직하다.In the preparation process, radical polymerization is mainly carried out by solution polymerization, and bulk polymerization is also possible. In the case of solution polymerization, the polymerization solvent uses a single solvent or a mixed solvent selected from the group consisting of cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, dioxane, methyl ethyl ketone, benzene, toluene and xylene, The amount used is preferably in an amount of 200 to 5000% by weight of the antireflective polymer.

또한 상기 중합 개시제는 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디-t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the polymerization initiator is benzoyl peroxide, 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), acetyl peroxide, lauryl peroxide, t- butyl peracetate, t- butyl hydroperoxide and di-t- Preference is given to using those selected from the group consisting of butyl peroxide.

본 발명에서는 또한 상기 유기 반사 방지막용 고분자 수지와 유기용매를 포함하는 유기 반사 방지막용 조성물을 제공한다.The present invention also provides a composition for an organic antireflection film comprising the polymer resin for an organic antireflection film and an organic solvent.

상기 반사방지막용 조성물은 첨가제로서 하기 화학식 3의 폴리비닐페놀 화합물을 더 포함할 수 있다.The antireflective coating composition may further include a polyvinylphenol compound represented by Chemical Formula 3 as an additive.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112004060180171-PAT00003
Figure 112004060180171-PAT00003

상기 폴리비닐페놀 화합물을 첨가제로 혼합함으로써 ArF 광원 (193nm), KrF 광원 (248nm)의 빛에 대한 광흡수율을 향상시켜서 포토레지스트 하부막층에서의 반사를 효율적으로 방지할 수 있다.By mixing the polyvinylphenol compound as an additive, light absorption of ArF light source (193 nm) and KrF light source (248 nm) can be improved to effectively prevent reflection in the photoresist underlayer.

상기 유기 반사 방지막 조성물에 포함되는 유기용매는 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 메틸 3-메톡시 프로피오네이트 (MMP), 에틸 3-에톡시프 로피오네이트 (EEP) 및 사이클로헥사논을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 본 발명의 고분자 수지 100중량%에 대하여 3 내지 50 중량 %를 사용하는 것이 바람직하다.The organic solvent included in the organic antireflective coating composition may include propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA), methyl 3-methoxy propionate (MMP), ethyl 3-ethoxypropionate (EEP), and cyclohexanone alone or It can mix and use, and it is preferable to use 3-50 weight% with respect to 100 weight% of polymer resins of this invention.

이렇게 형성된 반사 방지막은 코팅한 후 베이크를 해주면 수지 내에서 고분자들 사이에 가교 결합이 일어나 유기용제에 녹지 않는 반사방지막을 피식각층 위에 형성하게 된다.The antireflection film formed as described above is coated and then baked to form an antireflection film on the etched layer that does not dissolve in an organic solvent due to crosslinking between polymers in the resin.

본 발명에서는 또한, 상기의 유기 반사 방지막 조성물을 이용하여 하기와 같은 단계를 포함하는 패턴 형성방법을 제공한다. The present invention also provides a pattern forming method comprising the following steps using the organic anti-reflective coating composition.

(a) 전술한 본 발명의 유기 반사 방지막용 조성물을 피식각층, 예를 들면 기판의 상부에 도포하는 단계;(a) applying the above-described composition for an organic antireflection film of the present invention on an etched layer, for example, a substrate;

(b) 하드 베이크 공정으로 가교반응을 유도하여 반사방지막을 형성 형성하는 단계;(b) inducing a crosslinking reaction by a hard bake process to form an antireflection film;

(c) 상기 반사방지막 상부에 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계; (c) applying a photoresist composition on the anti-reflection film to form a photoresist film;

(d) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및(d) exposing the photoresist film; And

(e) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계.(e) developing the resultant to form a photoresist pattern.

또한 본 발명의 패턴 형성 방법은 (f) 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 반사방지막을 식각함으로써 반사방지막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the pattern forming method of the present invention may further comprise the step of forming an anti-reflection film pattern by etching the anti-reflection film using the photoresist pattern as an etching mask.

상기 (b) 단계의 하드 베이크 공정은 100 내지 300℃의 온도로 수행된다. The hard bake process of step (b) is carried out at a temperature of 100 to 300 ℃.                     

또한, 본 발명의 패턴 형성 과정 중, 노광 공정의 노광원으로서 ArF, KrF, E-빔 (전자선), EUV, F2 (157nm) 또는 이온빔 등이 사용될 수 있으나, 본 발명의 반사방지막은 특히, 노광원으로서 193nm ArF광 및 248nm KrF광을 이용한 초미세 패턴 형성 공정에 적용할 때 하부막 층으로부터의 반사를 방지할 뿐만 아니라 CD 균질성을 보장함으로써 초미세 패턴을 자유롭게 형성할 수 있다. Further, in the pattern formation process of the present invention, ArF, KrF, E-beam (electron beam), EUV, F 2 (157 nm) or ion beam may be used as the exposure source of the exposure process, but the anti-reflection film of the present invention is particularly When applied to an ultrafine pattern formation process using 193 nm ArF light and 248 nm KrF light as an exposure source, it is possible to freely form the ultrafine pattern by not only preventing reflection from the underlying film layer but also ensuring CD homogeneity.

또한, 본 발명에서는 상기 반사방지용 조성물을 반도체 기판 상에 도포한 다음 포토레지스트 막을 이용하여 미세 패턴을 형성함으로써 제조된 반도체 소자를 제공한다. In addition, the present invention provides a semiconductor device manufactured by applying the anti-reflective composition on a semiconductor substrate and then forming a fine pattern using a photoresist film.

이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by examples. However, the examples are only to illustrate the invention and the present invention is not limited by the following examples.

실시예 1Example 1

유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조Preparation of Polymer Resin for Organic Antireflection Film

상기 화학식 2로 표시되는 디알릴옥시실란 0.5몰, 아크롤레인 0.5몰을 테트라하이드로퓨란(THF) 140g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 16g 가하여 교반하고, 질소 분위기 하의 55℃ 온도에서 2∼3시간 반응시켰다. 반응 완료 후 증발관(evaporator)을 이용하여 상기 용액을 농축하고 나서 비극성 유기용매에 첨가하여 상기 화학식 1의 고분자 수지를 얻었다(수율 45%, 중량 평균 분자량 8,000).0.5 mol of diallyloxysilane represented by Formula 2 and 0.5 mol of acrolein were dissolved in 140 g of tetrahydrofuran (THF), and 16 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN) was added thereto, followed by stirring. It was made to react at 55 degreeC for 2-3 hours. After completion of the reaction, the solution was concentrated using an evaporator and then added to a non-polar organic solvent to obtain a polymer resin of Chemical Formula 1 (yield 45%, weight average molecular weight 8,000).

실시예 2Example 2

반사방지막 조성물의 제조 및 패턴 형성Preparation and pattern formation of antireflective coating composition

본 발명의 반사방지용 수지를 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA)에 녹이고 폴리비닐페놀 화합물을 첨가하여 반사방지막 조성물을 제조하고, 이 조성물을 피식각층에 도포하고 100∼300℃에서 10∼1000초 동안 하드 베이크하여 반사방지막을 형성하였다.The antireflective resin of the present invention was dissolved in propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) and a polyvinylphenol compound was added to prepare an antireflective coating composition. The composition was applied to the etched layer and hardened at 100 to 300 ° C. for 10 to 1000 seconds. Bake to form an antireflection film.

형성된 반사방지막의 막 두께는 720Å 이고, 하부막은 알루미늄 4000Å이며, 사용한 ArF 포토레지스트 막의 두께는 0.1㎛이었다. 또한, 본 발명에서의 반사방지막은 종래의 반사방지막에 비하여 193nm 또는 248nm에서의 흡광도가 우수하였다.The film thickness of the formed antireflection film was 720 kPa, the lower film was aluminum 4000 kPa, and the thickness of the used ArF photoresist film was 0.1 mu m. In addition, the antireflection film in the present invention was superior in absorbance at 193 nm or 248 nm as compared with the conventional antireflection film.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 유기 반사 방지막용 고분자 수지 및 반사 방지막 조성물을 사용하면, 종래의 포토레지스트를 이용한 패턴 형성과정에서 별도의 공정 변경 없이 기존의 유기(organic) BARC와 동일한 공정을 이용하여 유기 반사 방지막의 장점을 유지하면서 BARC 식각 공정에서의 포토레지스트와 BARC 간의 식각 선택비를 증가시켜서 BARC 식각 과정에서 발생하는 포토레지스트 손실을 감소시킬 수 있다. 따라서 포토리소그래피 공정에서의 포토레지스트 두께를 감소시킬 수 있어서 미세패턴 형성 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, using the organic anti-reflective polymer resin and the anti-reflection film composition of the present invention, in the pattern formation process using a conventional photoresist, using the same process as the conventional organic BARC without a separate process change Accordingly, the photoresist loss generated in the BARC etching process may be reduced by increasing the etch selectivity between the photoresist and BARC in the BARC etching process while maintaining the advantages of the organic anti-reflection film. Therefore, the thickness of the photoresist in the photolithography process can be reduced, thereby improving the efficiency of the micropattern forming process.

또한, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은 193nm 및 248nm에서 흡광도가 큰 폴리비닐페놀 화합물을 포함함으로써 ArF 및 KrF용 반사방지막으로 유용하게 사용할 수 있다.In addition, the organic antireflection film composition of the present invention can be usefully used as an antireflection film for ArF and KrF by including a polyvinylphenol compound having a high absorbance at 193 nm and 248 nm.

Claims (17)

Si 함유 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막(organic BARC)용 고분자 수지.A polymer resin for an organic antireflection film (organic BARC), comprising a Si-containing repeating unit. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 Si 함유 반복단위는 하기 화학식 1의 반복단위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 초미세 패턴 형성시의 유기 반사 방지막용 고분자 수지.The Si-containing repeating unit is a repeating unit of the formula (1) characterized in that the polymer resin for an organic antireflection film during the formation of an ultrafine pattern of a semiconductor device. [화학식 1][Formula 1]
Figure 112004060180171-PAT00004
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 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 고분자 수지는 1,000 내지 1,000,000의 분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지.The polymer resin is an organic antireflection film polymer resin, characterized in that it has a molecular weight of 1,000 to 1,000,000. (a) Si 함유 화합물 및 아크롤레인(acrolein)을 유기용매에 용해시키는 단계;(a) dissolving a Si containing compound and acrolein in an organic solvent; (b) 상기 (a) 단계의 결과물 용액에 중합 개시제를 첨가하여 교반하는 단계; 및(b) adding and stirring a polymerization initiator to the resultant solution of step (a); And (c) 상기 (b) 단계의 결과물 용액을 질소 또는 아르곤 분위기 하에서 반응시킴으로써 중합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법:(C) a method of producing a polymer resin for an organic antireflection film of the formula (1) comprising the step of polymerization by reacting the resultant solution of step (b) in a nitrogen or argon atmosphere: [화학식 1][Formula 1]
Figure 112004060180171-PAT00005
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 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 (a) 단계의 Si 함유 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 디알릴옥시실란 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법.The Si-containing compound of step (a) is a method for producing an organic antireflection film polymer resin, characterized in that the diallyloxysilane compound represented by the formula (2). [화학식 2][Formula 2]
Figure 112004060180171-PAT00006
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 제 4항 또는 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 (c) 단계의 반응은 50 내지 80℃ 온도에서 5 내지 20시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법.The reaction of the step (c) is a method for producing a polymer resin for an organic antireflection film, characterized in that carried out for 5 to 20 hours at a temperature of 50 to 80 ℃. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 유기용매는 사이클로헥사논, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 단독용매 또는 혼합용매인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법.The organic solvent is an organic reflection, characterized in that a single solvent or a mixed solvent selected from the group consisting of cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, dioxane, methyl ethyl ketone, benzene, toluene and xylene Method for producing a polymer resin for prevention film. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 유기용매는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 200 내지 5000 중량%의 양으로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법.Wherein the organic solvent is used in an amount of 200 to 5000% by weight of the organic antireflective polymer resin. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 중합 개시제는 벤조일퍼옥사이드, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디-t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막용 고분자 수지의 제조방법.The polymerization initiators are benzoyl peroxide, 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), acetyl peroxide, lauryl peroxide, t-butyl peracetate, t-butyl hydroperoxide and di-t-butyl Method for producing a polymer resin for organic antireflection film, characterized in that selected from the group consisting of peroxides. 제 1항의 유기 반사 방지막용 고분자 수지와 유기용매를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물.An organic antireflection film composition comprising the polymer resin for organic antireflection films of claim 1 and an organic solvent. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 첨가제로서 하기 화학식 3의 폴리비닐페놀 화합물을 더 포함하는 유기 반사 방지막 조성물.An organic antireflection film composition further comprising a polyvinylphenol compound represented by formula (3) as an additive. [화학식 3][Formula 3]
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 제 10항 또는 제 11항에 있어서,The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 유기용매는 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 (PGMEA), 메틸 3-메톡시프로피오네이트 (MMP), 에틸 3-에톡시프로피오네이트 (EEP) 및 사이클로헥사논 으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.The organic solvent is selected from the group consisting of propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA), methyl 3-methoxypropionate (MMP), ethyl 3-ethoxypropionate (EEP) and cyclohexanone. Anti-reflective coating composition. (a) 제 10항 또는 제 11항의 유기 반사 방지막 조성물을 피식각층 상부에 도포하는 단계; (a) applying the organic antireflective film composition of claim 10 or 11 over the etched layer; (b) 하드 베이크 공정으로 가교반응을 유도하여 반사 방지막을 형성하는 단계;(b) inducing a crosslinking reaction by a hard bake process to form an antireflection film; (c) 상기 반사 방지막 상부에 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;(c) applying a photoresist composition on the anti-reflection film to form a photoresist film; (d) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및(d) exposing the photoresist film; And (e) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. (e) developing the resultant to form a photoresist pattern. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, (f) 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 반사방지막을 식각함으로써 반사방지막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.and forming an anti-reflection film pattern by etching the anti-reflection film by using the photoresist pattern as an etching mask. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 (c) 단계의 노광 공정은 노광원으로서 ArF, KrF, E-빔 (전자선), EUV, F2 및 이온빔으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The exposure process of step (c) is a pattern forming method characterized in that used as the exposure source selected from the group consisting of ArF, KrF, E-beam (electron beam), EUV, F 2 and ion beam. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 노광원은 ArF 또는 KrF인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.And the exposure source is ArF or KrF. 제 13항의 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.A semiconductor device manufactured by the method of claim 13.
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