KR20060059639A - Method for fabricating gas sensor using carbon nanotube and gas sensibility measurement equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.The present invention relates to the production of a gas sensor and a gas sensitivity measurement device using carbon nanotubes.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.In the fabrication of gas sensor, the gas sensing material is made of carbon nanotube paste to apply carbon nanotubes by screen printing method to the substrate where electrodes are formed at both ends and then undergo heat treatment process to form carbon nanotube thick film The prepared thick film was subjected to vertical alignment of carbon nanotubes. The prepared vertically oriented carbon nanotubes were gas adsorbed using a gas sensitivity measurement device, and the adsorbed gas was desorbed by applying a field electron emission phenomenon.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.Therefore, the present invention applies a carbon nanotube electron emission phenomenon, which is a new method, rather than making a gas sensing film in a simpler process than a conventional semiconductor gas sensor and desorbing the adsorbed gas with a heater material.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출 Carbon nanotube, gas sensor, gas sensitivity, electron emission
Description
도 1은 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 감지막 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a gas sensor detection film using carbon nanotubes according to the present invention.
도 2a는 본 발명에 따른 가스센서/감도 측정장치의 구성도이다.Figure 2a is a block diagram of a gas sensor / sensitivity measuring apparatus according to the present invention.
도 2b은 본 발명에 따른 가스가 흡착된 탄소나노튜브에 전자방출 현상을 이용하여 가스 탈착을 위한 도면이다.Figure 2b is a view for the gas desorption using the electron emission phenomenon in the gas adsorbed carbon nanotubes according to the present invention.
도 3a은 본 발명에 따른 가스가 흡/탈착된 탄소나노튜브을 시간에 따른 저항변화 값을 나타낸 그래프이다.Figure 3a is a graph showing a resistance change value with time the carbon nanotubes adsorbed / desorbed in accordance with the present invention.
도 3b는 본 발명에 따라 가스가 흡착된 탄소나노튜브에 일정 전압을 주어 시간에 따른 전자방출 전류 값을 보여준 그래프이다. Figure 3b is a graph showing the electron emission current value with time given a constant voltage to the carbon nanotubes gas is adsorbed in accordance with the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
1 : 기판 2 : 탄소나노튜브 전극1
3 : 탄소나노튜브 후막 4 : 애노드 기판3: carbon nanotube thick film 4: anode substrate
5 : 애노드 전극 6 : 제 1전압5: anode electrode 6: first voltage
7 : 제 2전압 7: second voltage
본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제조방법 및 가스감도 측정장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기존의 반도체형 가스센서 보다 단순한 새로운 공정으로 가스센서 감지막을 제작하고, 그와 더불어 가스감도를 측정하기 위한 기술에 관한 것이다. The present invention relates to a gas sensor manufacturing method and a gas sensitivity measuring apparatus using carbon nanotubes. More specifically, the present invention relates to a technology for manufacturing a gas sensor detection film using a simpler new process than a conventional semiconductor gas sensor, and measuring gas sensitivity.
반도체형 가스센서는 금속산화물 반도체인 SnO2, InO, WO3, TiO2, ZnO, In2O3 등의 소결체로 특정 가스의 농도를 저항변화로서 측정한다. 이와 같은 물질은 제조공정이 고온에서 이루어지고, 200 ~ 600℃에서 가열하여 센서의 동작이 이루어진다. 그러나, 탄소나노튜브는 반도체 성질을 가지고 있어 상온에서 동작이 가능하고, 반응속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 이는 가스가 탄소나노튜브 표면에 흡/탈착 시 탄소나노튜브의 표면에 생기는 저항변화를 이용하여 감지하는 원리를 이용한 것이다. The semiconductor gas sensor is a sintered body such as SnO 2 , InO, WO 3 , TiO 2 , ZnO, In 2 O 3 , which are metal oxide semiconductors, and measures the concentration of a specific gas as a resistance change. Such a material is manufactured at a high temperature, and heated at 200 to 600 ° C. to operate the sensor. However, carbon nanotubes have semiconductor properties, so they can be operated at room temperature and have a fast reaction rate. This is based on the principle that the gas is detected using the change in resistance generated on the surface of the carbon nanotubes when the adsorption / desorption on the surface of the carbon nanotubes.
공개특허 제2002-0003464호의 " 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 및 그의 제조방법 " 에서는 열화학 기상증착법(thermal chemical vapor deposition)으로 탄소나노튜브를 수평으로 성장시켜 가스센서에 적용하였지만, 가스 감응특성은 언급이 없었다.In the "2002-03003464" gas sensor using carbon nanotubes and a method of manufacturing the same, the carbon nanotubes were horizontally grown by thermal chemical vapor deposition and applied to the gas sensor. There was no.
또한, L. Valentini et al. 이 " Applied physics letters 82권 p.961 " 발표에 의하면, Si3N4/Si 기판위에 Ni에 플라즈마 화학증착법(plasma-enhanced chemical vapor deposition)으로 650℃, CH4를 흘러 탄소나노튜브를 성장시켜 합성하였다, 상기 제작된 기판을 NO2 gas상에 노출시켜 NO2가 흡착되어 저항이 감소하였고, 165℃ 열을 가하여 NO2가 탈착되어 회복되었다. 이 방법은 기판 위에 탄소나노튜브를 합성하는데 고온 공정이 필요하다는 제약이 따른다.In addition, L. Valentini et al. According to the announcement in "Applied physics letters 82, p.961", carbon nanotubes were grown by flowing CH 4 at 650 ° C by plasma-enhanced chemical vapor deposition on Si 3 N 4 / Si substrates. After synthesis, the prepared substrate was exposed to NO 2 gas and NO 2 was adsorbed to decrease the resistance, and NO 2 was desorbed and recovered by applying 165 ° C. heat. This method is limited by the high temperature process required to synthesize carbon nanotubes on a substrate.
Jing Li et al. 이 " NANO LETTERS지 3권 p.929 " 에서는 화학 정제된 단일벽 탄소나노튜브(single walled carbon nanotubes; SWNTs)와 DMF(dimethyl formanide)를 혼합하여 현탁액 제조하여 Au전극에 drop-deposited법을 사용하여 N2 gas 상에 전도도 변화를 측정하여 분석하였다. 이 방법은 전극 위에 탄소나노튜브 양을 제어가 어렵고, 탈착특성에 대한 데이터가 없다.Jing Li et al. In this "NANO LETTERS Vol. 3 p.929", a suspension is prepared by mixing chemically purified single walled carbon nanotubes (SWNTs) and dimethyl formanide (DMF), and using a drop-deposited method on Au electrodes. The change in conductivity on N 2 gas was measured and analyzed. This method is difficult to control the amount of carbon nanotubes on the electrode, and there is no data on the desorption characteristics.
등록특허 제10-03332742호의 " 가스센서 제조방법 " 에서는 450℃ ~ 800℃ 고온에서 반도체기판 웨이퍼에 절연물질을 형성하고, 스퍼터링 방법을 사용하여 히터물질 Pt를 증착하고, 촉매가 첨가된 금속산화물을 도포하여 가스 감지막을 형성하는데 반도체 공정을 이용함으로써 소형화에 유리하다는 장점은 있지만 고가의 공정장비가 필요하다는 단점이 있다.In the "Gas sensor manufacturing method" of Patent No. 10-03332742, an insulating material is formed on a semiconductor substrate wafer at a high temperature of 450 ° C to 800 ° C, a heater material Pt is deposited using a sputtering method, and a metal oxide to which a catalyst is added is deposited. Although the semiconductor process is used to form a gas sensing film by coating, it is advantageous in miniaturization, but there is a disadvantage in that expensive process equipment is required.
등록특허 제10-0279578호의 " 반도체형 가스센서 " 에서는 알루미나 기판 표면에 스크린 인쇄법(Screen Printing Method)으로 히터와 전극을 인쇄하여 1200℃ 로 소성 후에 산화물 감지막 재료(SnO2, InO, WO3, TiO2)를 사용하여 600℃ ~ 900℃ 에 소성시켜 제조한다.In the "Semi-conductor type gas sensor" of Korean Patent No. 10-0279578, an oxide sensing film material (SnO 2 , InO, WO 3 ) is printed on a surface of an alumina substrate using a screen printing method and then heated to 1200 ° C. , TiO 2 ) to be produced by firing at 600 ℃ ~ 900 ℃.
공개특허 제2003-0081863호의 " 후막형 가스센서의 제조 방법 " 에서는 기판에 Pt전극을 스크린 프린팅법으로 형성한 후 1200℃ ~ 1300℃ 에서 열처리 후, 바인 더가 포함되지 않은 센서물질(감지막) 현탁액을 원심력이 적용시켜 기판 위에 센서물질이 적층되어 형성한 후 700℃ 에서 소결시켜 제조하는 것으로 페이스트 제조공정을 생략하고 제조공정이 단순하고, 고온에서 센서의 감도 특성 측정이 이루어졌다. In the "Method of manufacturing a thick-film gas sensor" of Korean Patent Laid-Open Publication No. 2003-0081863, a Pt electrode is formed on a substrate by screen printing and then heat-treated at 1200 ° C to 1300 ° C, and the binder material does not include a sensor material (sensing film). The suspension was applied by centrifugal force to form a stack of sensor materials on the substrate, followed by sintering at 700 ° C. to omit the paste manufacturing process, and the manufacturing process was simple, and the sensitivity characteristics of the sensor were measured at high temperatures.
상술한 바와 같이, 종래의 특허 및 논문을 분석한 결과 후막형 가스센서 제조는 고온에서 이루어지고, 반도체형 가스센서는 고가의 반도체 공정 장비 및 제조공정상 다루기 힘들다는 문제점이 있으며, 가스 탈착을 위하여 히터물질인 고가의 백금(Pt)증착 공정이 필요하다.As described above, as a result of analyzing the conventional patents and papers, the thick-film gas sensor is manufactured at a high temperature, and the semiconductor-type gas sensor has a problem that it is difficult to deal with expensive semiconductor process equipment and manufacturing process, and a heater for gas desorption. Expensive platinum (Pt) deposition process is required.
이에, 본 발명은 상기한 문제점들을 해결하기 위해 것으로서 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서 보다 단순한 공정으로 가스센서 감지막을 제작함으로써 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시키며, 이를 측정하기 위한 가스감도 측정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, the present invention is to produce a gas sensor sensor film in a simpler process than the conventional semiconductor gas sensor by degassing the adsorbed gas to the heater material temperature is a new method of carbon The purpose of the present invention is to apply a nanotube electron emission phenomenon and to provide a gas sensitivity measurement device for measuring the electron emission phenomenon.
상기의 목적을 달성하기 위한 기술적 사상으로서 본 발명은The present invention as a technical idea for achieving the above object
탄소나노튜브 페이스트를 형성하는 단계와;Forming a carbon nanotube paste;
상기 탄소나노튜브 페이스트를 이용하여 기판 상에 탄소나노튜브 전극을 형성하는 단계;Forming a carbon nanotube electrode on a substrate using the carbon nanotube paste;
상기 전극 상에 감지막용 탄소나노튜브 후막을 형성하는 단계; 및Forming a carbon nanotube thick film for the sensing film on the electrode; And
상기 기판을 열처리하여 가스센서 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법을 제공한다. It provides a gas sensor manufacturing method comprising the step of forming a gas sensor detection film by heat-treating the substrate.
또한, 본 발명은In addition, the present invention
가스센서 감지막이 장착된 진공 챔버 및 진공 펌프가 구비되고,It is equipped with a vacuum chamber and a vacuum pump equipped with a gas sensor detection film,
상기 진공 챔버 및 진공 펌프에 연결된 라인관과 밸브를 통해 주입된 감지가스와 불활성 가스의 유량을 조절하는 가스 유량조절기와;A gas flow controller for controlling a flow rate of the sensing gas and the inert gas injected through the line tube and the valve connected to the vacuum chamber and the vacuum pump;
상기 진공 챔버와 연결되어 가스의 흡/착탈시 전류 및 저항 변화를 측정하기 위해 제 1전압을 공급하는 제 1전압 공급장치와;A first voltage supply device connected to the vacuum chamber to supply a first voltage to measure a change in current and resistance when gas is absorbed / desorbed;
상기 진공 챔프와 연결되어 흡착된 가스를 탈착시켜 전자방출 전류 값을 측정하기 위해 제 2전압을 공급하는 제 2전압 공급장치; 및A second voltage supply device connected to the vacuum chamber to supply a second voltage to desorb the gas adsorbed to measure an electron emission current value; And
제어 프로그램이 구비되며, 상기 제 1 및 제 2전압 공급장치의 전압 제어에 의해 전류/저항/전자방출 전류값을 측정하기 위한 컴퓨터(PC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 감도 측정장치를 제공한다.A control program is provided and includes a computer (PC) for measuring a current / resistance / electron emission current value by voltage control of the first and second voltage supply devices. do.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 의한 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제조방법 및 가스 감도 측정장치에 대해 상세히 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a gas sensor manufacturing method and a gas sensitivity measuring apparatus using carbon nanotubes according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 감지막 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a gas sensor detection film using carbon nanotubes according to the present invention.
도 1을 살펴보면, 탄소나노튜브 페이스트를 제조하여 기판(1)에 탄소나노튜브 전극(2)을 형성 한 후, 상기 제공된 기판(1)에 가스센서 감지막 물질인 탄소나노튜브 후막(3)을 형성하였고, 스크린 인쇄법으로 막 공정을 실시하였다.Referring to FIG. 1, after the carbon nanotube paste is manufactured to form the
본 발명에서는 스크린 인쇄법 대신에 잉크젯 인쇄(ink jet printing)법으로 사용할 수 있다. 상기 제공된 기판을 350℃ ~ 450℃ 로 열처리를 실시하여 가스센서 감지막(3)이 형성된다. 상기 감지물질은 SnO2, InO, WO3, TiO2, ZnO, In
2O3와 같은 산화물 반도체 물질을 사용할 수 있다.In the present invention, it can be used by ink jet printing instead of screen printing. The provided substrate is subjected to heat treatment at 350 ° C. to 450 ° C. to form a gas
도 2a는 본 발명에 따른 가스센서 감도 측정장치의 구성도 이다.Figure 2a is a block diagram of a gas sensor sensitivity measuring apparatus according to the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 가스센서 감도 측정장치는 진공챔버(9), 진공펌프(10), 가스의 유량을 조절할 수 있는 가스 유량조절기(11), 감지 가스(14)와 샘플로딩 시 대기압을 조절할 수 있는 불활성 가스(15)를 사용하고, 각 부속품은 라인관(12)과 밸브(13)로 연결되어 있고, 가스 흡·탈착시 컴퓨터(8)로 제어된 프로그램으로 제 1전압(6)을 주어 전류 및 저항 변화를 측정하고, 흡착된 가스를 탈착시키기 위하여 애노드 기판(4)을 설치하여 컴퓨터(7)로 제어된 프로그램으로 제 2전압(7)을 가하여 전자방출 전류 값을 얻을 수 있는 것으로 구성되어 있다. As shown in FIG. 2A, the gas sensor sensitivity measuring device includes a
도 2b는 본 발명에 따른 가스가 흡착된 탄소나노튜브에 전자방출 현상을 이용하여 가스 탈착을 위한 도면이다. Figure 2b is a view for the gas desorption using the electron emission phenomenon in the gas adsorbed carbon nanotubes according to the present invention.
도 2a에 있는 (b)부분을 상세히 설명하면 다음과 같다. 상기 제공된 탄소나노튜브 후막 즉, 가스센서 감지막(3)에 양단에 있는 전극(2)을 연결하여 컴퓨터(6)로 제어된 프로그램으로 일정 전압(6) 1V를 가하여 챔버(9) 내부에 있는 가스(14)가 감지막(3)에 흡/탈착시 전류 및 저항값을 얻고, 기판(4)에 애노드 전극(5)과 감지막(3)에 제 2전압(7)을 가하여 상기 감지막 에미터(emitter)에서 방출되는 전자에 의해 흡착된 가스를 탈착시켜 방출전류 값이 측정되고, 상기 감지막과 애노드전극 간격은 500㎛로 유지하였다.Referring to part (b) of Figure 2a in detail as follows. Connect the
도 3a는 본 발명에 따른 가스가 흡/탈착된 탄소나노튜브를 시간에 따른 저항변화 값을 나타낸 그래프이다.Figure 3a is a graph showing the resistance change value with time the carbon nanotubes adsorption / desorption according to the present invention.
그래프를 보면 ①곡선은 탄소나노튜브에 100ppm NO2 gas 가 흡착되어 초기저항보다 감소하고, ②곡선은 전압을 가하여 전자방출에 의해서 상기 흡착된 가스가 탈착되어 저항이 증가 즉, 원래대로 회복된 값을 보여주고 있다. 상기 측정을 수회 실시하여 그래프를 나타낸 것이다. 감지 가스는 O2, NOx, CO2, H2 등 산화성 가스와 NH3, CO, CH4 등 환원성 가스를 사용할 수 있다. In the graph, ① curve is 100ppm NO 2 gas is adsorbed on the carbon nanotubes and decreases than the initial resistance, ② curve is the value that the adsorbed gas is desorbed by the electron emission by applying a voltage, that is, the resistance is restored to its original value Is showing. The graph is shown by performing the measurement several times. The sensing gas may be an oxidizing gas such as O 2 , NO x , CO 2 , H 2 , or a reducing gas such as NH 3 , CO, or CH 4 .
도 3b는 본 발명에 따라 가스가 흡착된 탄소나노튜브에 일정 전압 1700V를 주어 시간에 따른 전자방출 전류값을 보여준 그래프이다. 도 3a에 있는 상기 가스가흡착된 감지막에 전압을 주어 전자방출전류에 의해 저항이 증가되어 원래대로 회복된 현상을 ②곡선 부분에서 보여주고 있다.Figure 3b is a graph showing the electron emission current value with time given a constant voltage 1700V gas adsorbed carbon nanotubes according to the present invention. 2A shows a phenomenon in which the gas is absorbed by the gas-sorption sensing film, and the resistance is increased by the electron emission current, thereby restoring the original state.
상술한 바와 같이, 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and the present invention belongs to various substitutions, modifications, and changes that can be made without departing from the spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제조방법 및 가스 감도 측정장치를 제공함으로써 기존의 반도체형 가스센서 보다 단순한 공정으로 용이하게 가스센서 감지막을 제작할 수 있다.As described above, by providing a gas sensor manufacturing method and a gas sensitivity measuring apparatus using a carbon nanotube according to the present invention it is possible to easily produce a gas sensor detection film in a simpler process than a conventional semiconductor gas sensor.
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