KR20060059547A - Method of treating the printed circuit boards surface using atmospheric pressure plasma and apparatus for forming atmospheric pressure plasma - Google Patents
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Abstract
대기압 플라즈마를 이용한 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 이를 수행하기 위한 플라즈마 형성장치에 관한 것으로서, 상기 방법은 대기압 하에서 대기가스를 포함하는 방전가스를 플라즈마 상태로 형성하는 단계를 포함한다. 상기 플라즈마 상태로 형성된 방전가스에 인쇄회로기판을 노출시켜 상기 인쇄회로기판의 표면에너지를 증가시키는 단계를 포함한다. 상술한 방법은 종래의 방법에 비해 기판의 플라즈마 처리 공정시 유해가스가 발생되지 않으며, 표면 에너지를 향상시키는 표면처리 공정의 원가 절감 및 생산성 향상을 시킬 수 있다.The present invention relates to a method for treating a surface of a printed circuit board using atmospheric pressure plasma and a plasma forming apparatus for performing the same. The method includes forming a discharge gas including atmospheric gas into a plasma state under atmospheric pressure. Exposing the printed circuit board to the discharge gas formed in the plasma state, thereby increasing the surface energy of the printed circuit board. In the above-described method, no harmful gas is generated in the plasma treatment process of the substrate as compared to the conventional method, and the cost reduction and productivity of the surface treatment process for improving the surface energy can be improved.
Description
도 1은 본 발명의 플라즈마 형성장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a plasma forming apparatus of the present invention.
도 2는 칩이 실장된 인쇄회로기판의 형성방법을 나타내는 공정흐름도이다.2 is a process flowchart showing a method of forming a printed circuit board on which a chip is mounted.
도 3은 도 2의 방법으로 형성된 인쇄회로기판의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a printed circuit board formed by the method of FIG. 2.
도 4는 플라즈마 형성장치 내에서 플라즈마 상태로 형성된 방전 가스의 IR 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing the IR spectrum of the discharge gas formed in the plasma state in the plasma forming apparatus.
도 5는 플라즈마 형성장치에서 인쇄회로기판의 플라즈마 처리후 배출되는 방전가스의 IR 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.5 is a graph showing an IR spectrum of discharge gas discharged after plasma treatment of a printed circuit board in a plasma forming apparatus.
도 6은 실시예 1에서 플라즈마에 표면처리 시간에 따른 인쇄회로기판의 XPS 분석 결과에서의 표면 조성의 시간별 변화 그래프이다.FIG. 6 is a graph showing a time-dependent change in surface composition of an XPS analysis result of a printed circuit board according to surface treatment time in a plasma according to Example 1. FIG.
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawing-
100 : 챔버 110 : 플라즈마 방전전극100
112 : 제1전극 114 : 제2전극112: first electrode 114: second electrode
116 : 유전체 120 : 가스 제공부116: dielectric 120: gas providing unit
130 : 전원 공급부 140 : 인쇄회로기판 스테이지 130: power supply unit 140: printed circuit board stage
150 : 가스 배출부 160 : 가이드링150: gas outlet 160: guide ring
P : 인쇄회로기판P: printed circuit board
본 발명은 플라즈마를 이용한 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 플라즈마 형성장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기압하에서 형성되는 플라즈마를 이용한 인쇄회로기판의 표면처리 방법 및 플라즈마 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment method and a plasma forming apparatus for a printed circuit board using plasma, and more particularly, to a surface treatment method and a plasma forming apparatus for a printed circuit board using plasma formed under atmospheric pressure.
PCB(Printed Circuit Board)는 여러 종류의 칩들을 페놀 수지 또는 에폭시 수지로된 기판 위에 실장하고, 각각의 칩들을 연결하는 회로를 수지평판의 표면에 밀집 단축하여 고정시킨 인쇄회로기판을 말한다. 상기 인쇄회로기판은 배선 회로면의 수에 따라 단면기판·양면기판·다층기판 등으로 분류된다. A printed circuit board (PCB) refers to a printed circuit board in which various types of chips are mounted on a substrate made of phenol resin or epoxy resin, and a circuit connecting the respective chips is densely shortened and fixed on the surface of the resin plate. The printed circuit boards are classified into single-sided boards, double-sided boards, and multilayer boards according to the number of wiring circuit surfaces.
일반적으로 상기 단면 인쇄회로기판은 주로 페놀기판으로 사용하며 라디오·전화기·간단한 계측기 등 회로구성이 비교적 복잡하지 않은 제품에 채용된다. 양면 인쇄회로기판은 주로 에폭시수지기판을 사용하며 컬러TV· VTR· 팩시밀리 등과 같은 비교적 회로가 복잡한 제품에 사용된다. 이 밖에 다층 인쇄회로기판은 32비트 이상의 컴퓨터· 전자교환기·고성능 통신기기 등과 같은 고정밀 기기에 채용된다. 또한, 자동화기기·캠코더 등의 회로기판이 움직여야 하는 경우와 부품의 삽입구성시 회로기판의 굴곡을 요하는 경우에 유연성 있게 대응할 수 있도록 만든 유연성 인쇄회로기판(Flexible PCB)이 사용된다. In general, the single-sided printed circuit board is mainly used as a phenol substrate and is employed in products having a relatively complicated circuit configuration such as radios, telephones, and simple measuring instruments. Double-sided printed circuit boards mainly use epoxy resin substrates and are used in relatively complex products such as color TVs, VTRs, and facsimile machines. In addition, multilayer printed circuit boards are employed in high-precision devices such as 32-bit or more computers, electronic switchboards, and high-performance communication equipment. In addition, a flexible printed circuit board (flexible PCB) is used to flexibly cope with cases in which circuit boards such as automation devices and camcorders need to be moved, and when circuit boards need to be bent to insert components.
상술한 인쇄회로기판에 칩이 실장되면 후속 공정에서 상기 칩을 보호하기 위해 상기 칩을 에폭시 수지 화합물(EMC)로 도포하는 패키지 공정을 수행하게 되는데 상기 EMC는 상기 인쇄회로기판과 계면 접착력이 우수하지 못한 특성을 갖고 있다. 따라서, 상기 인쇄회로기판과 EMC의 계면접착력을 상향시키기 위해서는 인쇄회로기판을 플라즈마 처리해야한다.When the chip is mounted on the printed circuit board described above, the chip is coated with an epoxy resin compound (EMC) to protect the chip in a subsequent process, and the EMC does not have excellent interfacial adhesion with the printed circuit board. It does not have the characteristics. Therefore, in order to increase the interfacial adhesion between the printed circuit board and the EMC, the printed circuit board must be plasma treated.
일반적인 인쇄회로기판의 플라즈마 처리공정을 살펴보면, 먼저 인쇄회로 기판을 플라즈마 반응 챔버내로 로딩시킨 후 저압/진공 상태(약 300mTorr이하)에서 CF4나 C2F6와 같은 불소화합물가스와 아르곤가스를 1:5 내지 50 비율 혼합된 방전가스를 상기 챔버 내부로 제공한다. 이어서, RF(Radio Frequency)대역의 주파수를 가진 전력을 이용하여 상기 챔버 내부로 제공되는 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 형성한다. 이어서, 형성된 플라즈마를 이용하여 인쇄회로기판 표면층을 마이크로 식각하여 그 표면을 활성화를 시킨다. 이어서, 상기 플라즈마 반응종료 후 상기 챔버에 존재하는 반응가스를 모두 배출한다. 이후 상기 플라즈마 처리된 인쇄회로기판을 상기 챔버 내에서 언로딩한다.Referring to the plasma processing process of a general printed circuit board, first, the printed circuit board is loaded into a plasma reaction chamber, and then fluorine-compound gas such as CF 4 or C 2 F 6 and argon gas are discharged at a low pressure / vacuum state (about 300 mTorr or less). A 5 to 50 ratio mixed discharge gas is provided into the chamber. Subsequently, a plasma is formed by discharging the discharge gas provided into the chamber by using power having a frequency of a radio frequency (RF) band. Subsequently, the surface layer of the printed circuit board is micro-etched using the formed plasma to activate the surface thereof. Subsequently, after completion of the plasma reaction, all of the reaction gas present in the chamber is discharged. Thereafter, the plasma-treated printed circuit board is unloaded in the chamber.
상술한 저압/진공 플라즈마를 이용한 인쇄회로기판 플라즈마 처리방법의 가장 큰 문제점은 탄화불소 화합물을 방전가스로 사용하는데 있다. 상기 방전가스로 사용되는 대표적인 탄화불소화합물로는 CF4, C2F6, CHF3 등이 있으며, 상기 가스들은 실리콘에 대해 반응성이 우수하여 반도체 공정에서 웨이퍼의 식각에 많이 사용되고 있다. The biggest problem of the above-described method for processing a printed circuit board plasma using a low pressure / vacuum plasma is to use a fluorocarbon compound as a discharge gas. Representative fluorocarbon compounds used as the discharge gas include CF 4, C 2 F 6 , CHF 3 and the like, and the gases are highly used for etching wafers in a semiconductor process due to their excellent reactivity with silicon.
상기 챔버 내로 유입되는 탄화불소화합물은 플라즈마 방전으로 인하여 불소 라디칼들로 형성되고, 이 과정에서 생성된 여러 종류의 자유라디칼들은 인쇄회로기판의 표면과 반응하여 상기 기판의 표면에 미세한 식각을 일으킨다. 이러한 식각으로 인해 다량의 불소화합물이 발생하게 된다. 상기 탄화불소화합물을 포함한 여러 종류의 불소화합물들은 지구 온난화를 일으키는 주 물질로서, 현재 국내에도 배출 규제치가 엄격히 적용되고 있는 실정이다 The fluorocarbon compound introduced into the chamber is formed of fluorine radicals due to plasma discharge, and various kinds of free radicals generated in this process react with the surface of the printed circuit board to cause fine etching on the surface of the substrate. This etching generates a large amount of fluorine compounds. Various kinds of fluorine compounds including fluorocarbon compounds are the main substances causing global warming, and emission regulations are currently strictly applied in Korea.
또한, 상기 저압/진공 플라즈마 처리는 플라즈마의 균일성을 얻을 수 있는 장점이 있으나, 최소한 300 mTorr 정도의 진공압력이 필요하기 때문에 장비가 매우 크고, 고가이다. 또한 표면처리에 사용되는 시간보다 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 형성하는 시간이 많이 요구되는 단점이 있어 양산 적용에 한계가 있다는 문제점을 가지고 있다.In addition, the low pressure / vacuum plasma treatment has the advantage of obtaining the uniformity of the plasma, but the equipment is very large and expensive because at least a vacuum pressure of about 300 mTorr is required. In addition, there is a drawback that the time required for discharging the discharge gas to form a plasma than the time used for the surface treatment has a problem that there is a limit to the mass production application.
따라서, 본 발명의 목적은 유해가스를 발생시키지 않으면서 빠른 시간 내에 인쇄회로기판을 플라즈마 처리하는 인쇄회로기판의 표면처리 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface treatment method of a printed circuit board which plasma-processes the printed circuit board in a short time without generating harmful gas.
또한, 본 발명의 다른 목적은 유해가스를 발생시키지 않으면서 빠른 시간 내에 플라즈마를 형성하여 기판을 표면처리하는 플라즈마 형성장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a plasma forming apparatus for surface treatment of a substrate by forming a plasma within a short time without generating harmful gas.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 인쇄회로기판의 표면 처리 방법에 있어서, 상기 방법은 대기압 하에서 대기가스를 포함하는 방전가스를 플라즈마 상태로 형성하는 단계 및 상기 플라즈마 상태로 형성된 방전가스에 인쇄회로기판을 노출시켜 상기 인쇄회로기판의 표면에너지를 증가시키는 단계를 포함한다.In the method for treating a surface of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the method comprises the steps of forming a discharge gas containing atmospheric gas in the plasma state under atmospheric pressure and the discharge formed in the plasma state Exposing the printed circuit board to gas to increase the surface energy of the printed circuit board.
또한, 상술한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 형성 장치에 있어서, 상기 장치는 대기압 플라즈마를 이용하여 기판의 표면에너지를 증가시키기 위한 공정이 수행되는 공간을 갖는 챔버를 포함한다. 상기 챔버 내에 구비되고, 유전체가 코팅된 적어도 하나의 양극과 음극이 평행하게 이격되어 순차적으로 배치된 플라즈마 방전전극을 포함한다. 상기 기판의 표면처리 에너지를 증가시키기 위한 대기압 플라즈마를 형성하기 위해 상기 플라즈마 방전전극으로 대기가스를 포함하는 방전가스를 제공하는 가스 제공부를 포함한다. 상기 방전가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위해 상기 플라즈마 방전전극의 양극과 음극에 전력을 제공하는 전원 공급부를 포함한다.In addition, in the plasma forming apparatus according to the embodiment of the present invention for achieving the above-mentioned other object, the apparatus includes a chamber having a space in which a process for increasing the surface energy of the substrate using an atmospheric pressure plasma is performed. . It includes a plasma discharge electrode provided in the chamber, the at least one anode and the cathode coated with a dielectric spaced apart in parallel. And a gas providing unit that provides a discharge gas including atmospheric gas to the plasma discharge electrode to form an atmospheric pressure plasma for increasing surface treatment energy of the substrate. It includes a power supply for supplying power to the positive electrode and the negative electrode of the plasma discharge electrode to form the discharge gas in the plasma state.
따라서, 상술한 구성을 갖는 플라즈마 형성장치를 이용한 인쇄회로기판의 표면처리 방법은 대기가스를 포함하는 방전가스를 플라즈마 상태로 형성하여 수행되기 때문에 유해가스를 발생시키지 않는다. 또한, 상기 방법은 인쇄회로기판의 표면에너지를 증가시켜 기판과 상기 에폭시 화합물의 접착력을 향상시킬 뿐만 아니라 플라즈마 처리공정의 원가 절감 및 생산성 향상을 얻을 수 있다.
Therefore, the surface treatment method of the printed circuit board using the plasma forming apparatus having the above-described configuration does not generate harmful gas because the discharge gas containing the atmospheric gas is formed in the plasma state. In addition, the method can increase the surface energy of the printed circuit board to improve the adhesion between the substrate and the epoxy compound, as well as reduce the cost and productivity of the plasma processing process.
이하, 본 발명의 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 플라즈마 형성장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a plasma forming apparatus of the present invention.
도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 형성장치는 챔버(100), 상기 챔버 내에 구비되는 플라즈마 방전전극(110), 플라즈마 방전전극으로 대기가스를 포함하는 방전가스를 제공하는 가스 제공부(120), 상기 플라즈마 방전전극에 전력을 제공하는 전원 공급부(130) 및 상기 기판을 지지하는 기판 스테이지(140) 및 가스 배기부(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the plasma forming apparatus includes a
챔버(100)는 대기가스를 포함하는 방전가스를 대기압 플라즈마로 형성하는 공간과 상기 플라즈마로 형성된 방전가스를 이용하여 인쇄회로기판(Plate; P)의 표면에너지를 증가시키기 위한 공간을 제공한다. 상기 챔버는 원통형 형상을 갖고 그 상면이 평평한 구조를 갖는 것이 바람직하다.The
플라즈마 방전 전극(110)은 상기 챔버 내 상부에 구비되고, 양극인 제1전극(112)과 음극인 제2전극(114)을 포함한다. 이를 구체적으로 설명하면 플라즈마 방전전극(110)은 상기 유전체(116)가 코팅된 적어도 하나 이상의 제1전극(112)과 제2전극(114)이 제1방향으로 평행하게 순차적으로 배치된 구조를 갖는다. 이때, 상기 제1전극(112)과 제2전극(114)은 서로 약 1 내지 10 mm 간격으로 이격되어 방전 공간을 형성한다.The
바람직하게는 상기 플라즈마 방전전극(110)은 유전체(116)가 코팅된 제1전극(112)/제2전극(114)/제1전극(112)/제2전극(114)이 서로 이격되어 제1방향으로 평행하게 배치된 구조를 갖고, 또는 유전체(116)가 코팅된 제2전극(114)/제1전극(112)/제2전극(114)/제1전극(112)이 서로 이격되어 제1방향으로 평행하게 배치된 구조를 갖는다.Preferably, the
여기서, 상기 제1전극(112) 및 제2전극(114)은 막대형상을 갖는 메쉬형 금속전극 또는 코일형 금속전극이고, 바람직하게는 막대형 알루미늄 금속전극이다. 상기 유전체는 알칼리금속 산화물로서, 예컨대 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화실리콘바륨(BaSiO3)등을 들 수 있다.Here, the
가스 제공부(120)는 챔버(100)내로 삽입된 가스 제공라인으로서 상기 플라즈마 방전전극으로 대기가스를 제공한다. 이를 구체적으로 설명하면, 상기 가스 제공부(120)는 상기 챔버 외부에서 내부로 연장되는 가스 제공라인이고, 상기 플라즈마 방전전극의 방전 공간 내로 방전가스를 균일하게 제공하기 위한 상기 가스라인에는 다수의 가스 분출공이 형성되어 있다.The
상기 방전가스에 포함된 대기가스는 일반 대기가스로서 이를 단독 또는 특정 가스들과 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 산소 및 질소가스에 소량의 아르곤 가스가 혼합된 방전가스를 사용한다. 이는 상기 플라즈마 형성시 순수한 대기가스만을 사용하면, 초기에 플라즈마 방전이 불안정한 경우가 발생하기 때문에 이를 방지하기 위하여 소량의 아르곤을 같이 주입하면서 플라즈마 방전을 수행해야하기 때문이다.Atmospheric gas contained in the discharge gas may be used as a general atmospheric gas alone or mixed with specific gases. Preferably, a discharge gas in which a small amount of argon gas is mixed with oxygen and nitrogen gas is used. This is because when only the pure atmospheric gas is used to form the plasma, the plasma discharge may be unstable at an initial stage, and thus, plasma discharge should be performed while injecting a small amount of argon.
전원 공급부(130)는 상기 챔버 외부에 구비되어 상기 방전가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위해 상기 플라즈마 방전전극에 전원을 인가하는 장치이다. 보다 상세하게는 상기 플라즈마 방전전극의 제1전극과 제2전극에 전류를 인가하여 상 기 제1전극과 제2전극의 사이에서 유전체 장벽 방전을 발생시킨다. 이렇게 발생된 유전체 장벽 방전은 상기 제1전극과 제2전극 사이로 제공되는 방전가스를 플라즈마 상태로 형성한다.The
상기 유전체 장벽 방전은 대기가스를 포함하는 방전가스를 상온 상압에서 플라즈마 상태로 형성할 수 있어 상기 챔버 내부에서 지지되는 기판의 변형 및 손상을 최소한으로 방지할 수 있는 특성이 갖는다.The dielectric barrier discharge may form a discharge gas including an atmospheric gas in a plasma state at room temperature and normal pressure, thereby minimizing deformation and damage of a substrate supported in the chamber.
기판 스테이지(140)는 상기 플라즈마 방전전극(110)과 마주보도록 구비되고, 플라즈마 처리하기 위한 기판을 지지한다. 여기서, 상기 기판은 예컨대 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 인쇄회로 기판 및 플라스틱 기판 등을 예로 들 수 있다. 가스 배출부(150)는 상기 챔버(100)의 하부 일측면에 형성되고, 기판의 플라즈마 처리시 형성된 파티클 및 기판과 반응한 플라즈마 가스를 챔버 밖으로 배출시킨다.The
그리고, 상기 플라즈마 방전 전극(110)과 기판 스테이지(140) 사이에는 상기 플라즈마가 상기 기판의 상면으로 집중될 수 있도록 하는 가이드 링(160)이 구비되어 있다.In addition, a
상술한 구성을 갖는 플라즈마 형성장치는 상온, 상압에서 불소 화합물을 함유한 유해 가스를 생성을 초래하지 않는 방전가스를 플라즈마 상태로 형성할 수 있기 때문에 환경오염 없이 저렴한 유지비용으로 인쇄회로기판의 표면에너지를 증가시키는 플라즈마 표면처리공정을 수행할 수 있다.The plasma forming apparatus having the above-described configuration can form a discharge gas which does not cause harmful gas containing fluorine compound at a normal temperature and atmospheric pressure in a plasma state, so that surface energy of the printed circuit board can be reduced at low cost without environmental pollution. It is possible to perform a plasma surface treatment process to increase the.
도 2는 칩이 실장된 인쇄회로기판의 형성방법을 나타내는 공정흐름도이고, 도 3은 도 2의 방법으로 형성된 인쇄회로기판의 단면도이다. 2 is a process flowchart illustrating a method of forming a printed circuit board on which a chip is mounted, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the printed circuit board formed by the method of FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 수지 기판에 비아홀(10), 내부 회로배선(12), 외부 회로배선(14) 등이 형성된 인쇄회로기판(P)을 형성한 후 그 표면에 포토레지스트막(도시하지 않음)을 형성한다(단계 S10, S20). 상기 포토레지스트막은 인쇄회로기판의 회로배선을 보호하기 위한 유기막이다.Referring to FIGS. 2 and 3, after the printed circuit board P having the via holes 10, the
이어서, 상기 포토레지스트막을 선택적으로 노광한 후 노광된 포토레지스트막을 현상/베이킹 처리함으로서 포토레지스트 패턴(22)이 형성된 인쇄회로기판을 형성한다(단계 S30).Subsequently, after selectively exposing the photoresist film, the exposed photoresist film is developed / baked to form a printed circuit board on which the photoresist pattern 22 is formed (step S30).
이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 인쇄회로기판의 금속배선과 전기적으로 연결되도록 칩(24)을 실장한다(단계 S40). 상기 칩은 IC 칩으로 와이어 배선(26)의 본딩 공정에 의해 상기 금속배선과 전기적으로 연결된다.Subsequently, the
이어서, IC 칩이 실장된 인쇄회로기판(P)과 상기 IC 칩(24)을 보호하기 위해 형성되는 에폭시 화합물(EMC)의 계면 접착력을 향상시키기 위하여 대기압 플라즈마를 형성한 후 상기 대기압 플라즈마를 이용하여 상기 인쇄회로기판(P) 처리한다(단계 S50, S60).Subsequently, in order to improve the interfacial adhesion between the printed circuit board (P) on which the IC chip is mounted and the epoxy compound (EMC) formed to protect the
상기 플라즈마 처리는 상기 인쇄회로 기판의 표면 에너지를 증가시켜 에폭시 화합물과 접착력을 증가시키기 위해 수행된다. 여기서, 플라즈마는 대기가스를 포함하는 방전가스를 이용하여 대기압하에서 형성되기 때문에 상기 인쇄회로기판의 표면에 형성된 물질과 반응하여 유해한 물질을 형성하지 않는 특성을 갖는다.The plasma treatment is performed to increase the surface energy of the printed circuit board to increase adhesion with the epoxy compound. In this case, since the plasma is formed under atmospheric pressure using a discharge gas including atmospheric gas, the plasma does not react with a material formed on the surface of the printed circuit board to form a harmful substance.
이어서, 상기 인쇄회로기판(P)에 실장된 IC 칩을 보호하기 위해 에폭시 화합물을 코팅하여 상기 IC 칩을 밀봉한다(단계 S70). Subsequently, in order to protect the IC chip mounted on the printed circuit board P, an epoxy compound is coated to seal the IC chip (step S70).
이하, 상기 도 1에 도시된 플라즈마 형성장치를 이용하여 대기압 플라즈마 형성방법 및 이를 이용한 기판처리 방법을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an atmospheric pressure plasma forming method and a substrate processing method using the same using the plasma forming apparatus shown in FIG. 1 will be described in detail.
먼저 챔버(100)의 기판 스테이지(140) 상에 표면 처리할 기판(P)을 안착시킨다. 이어서, 상기 전원 공급부(130)에서 플라즈마 방전전극(110)으로 약 6 내지 60kHz 범위의 주파수를 갖는 전류를 공급하여 상기 가스 제공부(120)를 통해 상기 플라즈마 방전전극(110)으로 대기가스를 포함하는 방전가스를 제공한다. 상기 방전가스는 질소가스와 산소가스로 이루어진 일반 대기가스 및 소량의 아르곤가스가 혼합된 혼합가스로서 약 10 내지 30(ℓ/min)의 유량으로 상기 챔버(100) 내부로 제공된다. 상기 플라즈마 형성시 순수한 대기가스만을 사용하면, 초기에 플라즈마 방전이 불안정한 경우가 발생하기 때문에 이를 방지하기 위하여 소량의 아르곤을 같이 주입하면서 플라즈마 방전을 진행한다.First, the substrate P to be surface treated is mounted on the
이렇게 상기 플라즈마 방전전극(110)으로 제공된 방전가스는 상기 제1전극(112)과 제2전극(114) 사이에서 플라즈마 방전하여 플라즈마 상태로 형성된다.The discharge gas provided to the
이어서, 상기 플라즈마 상태로 형성된 방전가스를 상기 기판(P)의 표면과 반응시켜 인쇄회로기판(P)을 표면처리 한다. 이를 구체적으로 설명하면, 상기 플라즈마 방전전극(110)에서 형성된 플라즈마는 상기 플라즈마 방전전극(110) 하단 아래에 위치한 기판(P)과 반응시켜 상기 기판(P)을 표면처리 한다. 이후 상기 기판(P)과 반응한 플라즈마는 상기 챔버(100) 아래쪽에 형성된 가스 배출부(150)를 통해 챔버 바깥으로 배출되게 된다. 여기서, 기판은 예컨대 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 인쇄회로 기판 및 플라스틱 기판 등을 예로 들 수 있다. 인쇄회로 기판인 것이 바 람직하다.Subsequently, the discharge gas formed in the plasma state is reacted with the surface of the substrate P to surface-treat the printed circuit board P. Specifically, the plasma formed on the
상기 인쇄회로 기판은 그 표면의 표면에너지가 낮은 상태를 갖기 때문에 후속에서 상기 인쇄회로기판에 IC(integrated circuit)칩을 실장한 후 상기 IC칩을 에폭시 화합물(epoxy molding compound; EMC)을 이용하여 상기 IC칩을 패키징하는 공정을 수행할 경우 상기 에폭시 화합물과 계면 접착력이 낮은 문제를 갖는다. Since the surface energy of the printed circuit board has a low surface energy, an IC chip is subsequently mounted on the printed circuit board and then the IC chip is formed using an epoxy molding compound (EMC). When the process of packaging the IC chip has a problem of low interfacial adhesion with the epoxy compound.
따라서, 상술한 문제를 해결하기 위해 인쇄회로 기판의 표면을 대기압 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 것이다. 상기 플라즈마 표면처리는 상기 인쇄회로 기판의 표면 에너지를 증가시켜 에폭시 화합물과 접착력을 증가시키기 위해 수행된다. 여기서, 플라즈마는 대기가스를 포함하는 방전가스를 이용하여 대기압 하에서 형성되기 때문에 상기 인쇄회로기판의 표면에 형성된 물질과 반응하여 유해한 물질을 형성하지 않는 특성을 갖는다.Therefore, in order to solve the above problem, the surface of the printed circuit board is surface treated using atmospheric pressure plasma. The plasma surface treatment is performed to increase the surface energy of the printed circuit board to increase adhesion with the epoxy compound. Here, since the plasma is formed under atmospheric pressure using the discharge gas including the atmospheric gas, the plasma does not react with the material formed on the surface of the printed circuit board to form harmful substances.
이하, 본 발명의 실시예들을 적용하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 상기 실시예들은 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by applying embodiments of the present invention. The above embodiments do not limit the invention.
실시예 1Example 1
상기 도 1에 도시된 플라즈마 형성장치의 기판 스테이지 상에 인쇄회로 기판을 안착시킨다. 이어서, 상기 전원 공급부에서 플라즈마 방전전극으로 약 50kHz 범위의 주파수를 갖는 전류를 공급하여 상기 플라즈마 방전전극으로 약 25(ℓ/min)의 유량으로 제공되는 질소, 산소 및 아르곤을 포함하는 방전가스를 플라즈마 방전시켰다. 이어서, 상기 방전으로 형성된 플라즈마를 상기 제1인쇄회로 기판의 표면과 약 4분 동안 반응시켜 상기 인쇄회로 기판의 표면을 표면 처리하였다. 이후, 상기 표면 처리 시 생성된 반응물과 플라즈마를 상기 챔버 아래쪽에 형성된 가스 배출부를 통해 챔버 바깥으로 배출하였다. 그 결과 상기 인쇄회로기판은 표면에너지 증가되고, 에폭시 수지화합물과의 접착능력이 향상되었다.
A printed circuit board is mounted on the substrate stage of the plasma forming apparatus shown in FIG. Subsequently, the power supply unit supplies a current having a frequency in the range of about 50 kHz to the plasma discharge electrode, thereby discharging the discharge gas including nitrogen, oxygen, and argon supplied to the plasma discharge electrode at a flow rate of about 25 (L / min). Discharged. Subsequently, the plasma formed by the discharge was reacted with the surface of the first printed circuit board for about 4 minutes to surface-treat the surface of the printed circuit board. Thereafter, the reactant and the plasma generated during the surface treatment were discharged out of the chamber through a gas outlet formed under the chamber. As a result, the printed circuit board has increased surface energy and improved adhesion with the epoxy resin compound.
실시예 2Example 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 표면처리 공정을 수행하되, 인쇄회로기판 대신에 유기물에 의해 표면이 오염된 인쇄회로기판을 적용하였다. 그 결과, 상기 인쇄회로기판의 표면에 존재하는 유기물은 제거되었다.
A surface treatment process was performed in the same manner as in Example 1, but instead of the printed circuit board, a printed circuit board was contaminated by organic materials. As a result, organic matter present on the surface of the printed circuit board was removed.
실시예 3Example 3
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 표면처리 공정을 수행하되, 인쇄회로기판 대신에 오염된 유리 기판 또는 반도체 웨이퍼를 적용하였다. 그 결과 유리 기판 또는 반도체 웨이퍼의 표면에 존재하는 오염물질은 제거되었다.The surface treatment process was performed in the same manner as in Example 1, except that a contaminated glass substrate or a semiconductor wafer was applied instead of the printed circuit board. As a result, contaminants present on the surface of the glass substrate or semiconductor wafer have been removed.
실시예 4Example 4
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 표면처리 공정을 수행하되, 방전가스로 질소가스만을 사용하였다. 그 결과 상기 실시예 1의 인쇄회로기판의 표면 장력이 작아짐을 알 수 있었다. 즉, 질소만으로는 인쇄회로기판의 표면처리 능력이 미약한 것을 알 수 있다.A surface treatment process was performed in the same manner as in Example 1, but only nitrogen gas was used as the discharge gas. As a result, it was found that the surface tension of the printed circuit board of Example 1 was reduced. In other words, it can be seen that only nitrogen has a poor surface treatment capability.
실시예 5Example 5
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 표면처리 공정을 수행하되, 방전가스로 산소가스만을 사용하였다. 그 결과 상기 실시예 1의 인쇄회로기판의 표면 장력이 작아짐을 알 수 있었다. 즉, 산소가스만으로는 인쇄회로기판의 표면처리 능력이 미약한 것을 알 수 있다.
The surface treatment process was performed in the same manner as in Example 1, but only oxygen gas was used as the discharge gas. As a result, it was found that the surface tension of the printed circuit board of Example 1 was reduced. In other words, it can be seen that the surface treatment capability of the printed circuit board is poor using only oxygen gas.
평가 실험 1
플라즈마 미처리 인쇄회로기판과 실시예 1,4,5에서 표면 처리된 인쇄회로기판을 증류수, 메틸렌 아이오다이드(CH2I2), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol) 3가지 액체를 이용하여 접촉각 측정함으로서 상기 기판의 표면자유에너지를 측정하였다. 또한 표면 처리된 인쇄회로기판이 실제 에폭시 수지와 접착능력의 증진에 영향을 얼마나줄 수 있는지를 알아보기 위하여, 에폭시 수지를 이용하여 접촉각 변화를 측정함으로서 상기 기판의 표면 자유에너지를 측정하였다. 그 결과가 하기 표 1에 도시되어있다.The untreated plasma printed circuit board and the printed circuit board surface-treated in Examples 1, 4 and 5 were measured by contact angles using three liquids such as distilled water, methylene iodide (CH 2 I 2 ) and ethylene glycol. Surface free energy of the substrate was measured. In addition, the surface free energy of the substrate was measured by measuring a change in contact angle using an epoxy resin in order to determine how the surface-treated printed circuit board can affect the improvement of adhesion ability with the actual epoxy resin. The results are shown in Table 1 below.
하기 표 1에 도시된 바와 같이 실시 예 1의 방전가스를 플라즈마 형성시킬 경우에 인쇄회로기판에 대한 표면처리 능력이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한, 아르곤 가스가 빠진 상태에서 플라즈마를 형성하면, 실시예 4 및 5에서 알 수 있듯이 인쇄회로기판의 표면처리 능력이 미약한 것을 알 수 있다.As shown in Table 1, it can be seen that the surface treatment ability for the printed circuit board is the best when the plasma of the discharge gas of Example 1 is formed. In addition, when the plasma is formed in the state in which argon gas is removed, it can be seen that the surface treatment capability of the printed circuit board is weak as can be seen in Examples 4 and 5.
γS : 표면장력 계수γS: surface tension coefficient
γSL : 비극성 요소γSL: nonpolar element
γSSP : 극성 요소γSSP: Polar Element
γS+ : 산성 인자γS +: acidic factor
γS- : 염기성 인자
γS-: basic factor
평가 실험 2Evaluation experiment 2
대기가스를 포함하는 방전가스의 플라즈마 형성시 유해물질의 발생여부를 판단하기 위해 인쇄회로기판이 없는 상태에서 상기 실시예 1과 같은 방법으로 플라즈마를 형성한 후 상기 방전가스의 IR 스펙트럼을 측정하였다. 그 결과가 도 4에 도시되어있다. 상기 도 4에서 (b)는 오존가스이고, (c) 및 (g)는 아산화질소이고, (e)는 카르보닐기(C=O)를 함유한 가스이다. In order to determine whether harmful substances were generated during the plasma formation of the discharge gas including the atmospheric gas, the IR spectrum of the discharge gas was measured after the plasma was formed in the same manner as in Example 1 without a printed circuit board. The result is shown in FIG. In FIG. 4, (b) is ozone gas, (c) and (g) are nitrous oxide, and (e) is a gas containing a carbonyl group (C = O).
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 실시예 1의 방전가스를 플라즈마 방전시킬 경우에는 오존(O3)가스, 아산화질소(N2O)가스가 주로 발생하기 때문에 유해물질이 발생하기 않음을 알 수 있다.
As shown in FIG. 4, when the discharge gas of Example 1 is plasma discharged, it is understood that no harmful substances are generated because ozone (O 3 ) gas and nitrous oxide (N 2 O) gas are mainly generated. have.
평가 실험 3Evaluation experiment 3
대기가스를 포함하는 방전가스의 플라즈마 형성후 상기 인쇄회로기판의 표면처리시 그 시간에 따른 유해물질의 발생여부를 판단하기 위해 상기 실시예 1과 같은 방법으로 인쇄회로 기판을 각각 2분, 4분, 6분 동안 플라즈마 처리한 후 배기되는 방전가스의 IR 스펙트럼을 측정하였다. 그 결과가 도 5에 도시되어있다. 도 5에서 (b) 및 (f)는 오존가스이고, (c) 및 (g)는 아산화질소이고, (d)는 산화질소(N2O2)이고, (e)는 카르보닐기를 함유한 가스이다. After the plasma formation of the discharge gas containing the atmospheric gas to the surface treatment of the printed circuit board to determine whether the generation of harmful substances according to the time of the printed circuit board in the same manner as in Example 1 2 minutes, 4 minutes respectively After 6 minutes plasma treatment, the IR spectrum of the discharged gas was measured. The result is shown in FIG. In Figure 5 (b) and (f) is ozone gas, (c) and (g) is nitrous oxide, (d) is nitrogen oxide (N 2 O 2 ), (e) is a gas containing a carbonyl group to be.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 실시예 1의 방전가스를 플라즈마 방전시켜 인쇄회로기판을 표면 처리할 경우에는 오존(O3),산화질소(N2O2),아산화질소(N 2O), 일산탄소(CO), 이산화탄소(CO2)가 주로 발생하기 때문에 불소화합물을 함유한 유해물질이 발생하기 않음을 알 수 있다. 즉, 상기 플라즈마 형성시 생성된 오존(O3)과 아산화질소(N2O)가 인쇄회로기판의 표면에 존재하는 유기막물과 반응하게 되어 도 5에 도시된 바와 같은 생성물들을 형성한다. 이러한 생성물들은 인쇄회로기판의 표면 개질 반응한 결과라고 볼 수 있다.As shown in FIG. 5, in the case of surface treatment of the printed circuit board by plasma discharge of the discharge gas of Example 1, ozone (O 3 ), nitrogen oxide (N 2 O 2 ), and nitrous oxide (N 2 O) Since carbon monoxide (CO) and carbon dioxide (CO 2 ) are mainly generated, it can be seen that no harmful substances containing fluorine compounds are generated. That is, ozone (O 3 ) and nitrous oxide (N 2 O) generated during plasma formation react with the organic film present on the surface of the printed circuit board to form products as shown in FIG. 5. These products can be seen as a result of the surface modification reaction of the printed circuit board.
평가 실험 5Evaluation experiment 5
상기 실시예 1의 인쇄회로기판의 표면개질 정도를 보다 상세히 알아보기 위해 실시예 1에서 플라즈마 처리된 인쇄회로기판 표면을 XPS 분석하였다. 도 6은 실시예 1에서 플라즈마의 표면처리 시간에 따른 인쇄회로기판의 XPS 분석 결과에서의 표면 조성의 시간별 변화 그래프이다. XPS analysis of the plasma-treated printed circuit board surface in Example 1 in order to find out the degree of surface modification of the printed circuit board of Example 1 in more detail. FIG. 6 is a graph showing a time-dependent change in surface composition of an XPS analysis result of a printed circuit board according to surface treatment time of a plasma in Example 1. FIG.
도 6의 그래프를 참조하면, 플라즈마의 처리시간이 증가할수록 오존가스의 함량이 줄고, 일산화탄소 가스와 이산화탄소가스의 함량이 증가됨을 알 수 있다. 즉, 기판 처리공정시 발생되는 생성물에서는 유해물질이 생성되지 않음을 나타내는 결과이다.Referring to the graph of FIG. 6, it can be seen that as the treatment time of the plasma increases, the content of ozone gas decreases, and the contents of carbon monoxide gas and carbon dioxide gas increase. That is, it is a result indicating that no harmful substances are generated in the product generated during the substrate treatment process.
본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 표면처리 방법은 인쇄회로기판의 표면에너지를 증가시켜 상기 인쇄회로 기판에 대한 에폭시 화합물의 접착력을 향상시킬 수 있다.The surface treatment method of the substrate using the atmospheric plasma according to the present invention can increase the surface energy of the printed circuit board to improve the adhesion of the epoxy compound to the printed circuit board.
또한, 상기 방법은 대기압 하에서 일반 대기가스를 포함하는 방전가스로로 형성된 플라즈마를 이용하기 때문에 부식성 가스를 사용하는 저압/진공 플라즈마 처리 공정의 문제점을 해결할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리방법은 저압/진공 플라즈마에서는 할 수 없는 패키지 공정에서 인라인 시스템을 구현할 수 있다.In addition, since the method uses a plasma formed of a discharge gas including a general atmospheric gas under atmospheric pressure, it is possible to solve the problem of a low pressure / vacuum plasma treatment process using a corrosive gas. In addition, the plasma processing method may implement an inline system in a package process that cannot be performed in a low pressure / vacuum plasma.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.
Claims (6)
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KR1020040098670A KR20060059547A (en) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | Method of treating the printed circuit boards surface using atmospheric pressure plasma and apparatus for forming atmospheric pressure plasma |
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-
2004
- 2004-11-29 KR KR1020040098670A patent/KR20060059547A/en not_active Application Discontinuation
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