KR20060037180A - Exhaust apparatus of manufacturing equipment for semiconductor device - Google Patents

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KR20060037180A KR1020040086363A KR20040086363A KR20060037180A KR 20060037180 A KR20060037180 A KR 20060037180A KR 1020040086363 A KR1020040086363 A KR 1020040086363A KR 20040086363 A KR20040086363 A KR 20040086363A KR 20060037180 A KR20060037180 A KR 20060037180A
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Abstract

본 발명은 반도체 제조설비의 배기장치에 관한 것으로서, 이를 위한 본 발명은, 공정챔버와; 공정챔버에 연결되어 공정챔버에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 진공펌프에 연결되는 펌프라인과; 펌프라인의 선단에 마련되어 펌프라인의 압력을 측정하는 제 1압력센서와; 펌프라인의 후단에 연결되어 제 1압력센서의 압력감지동작에 따라 개폐되는 보조밸브와; 보조밸브의 후단에 마련되어 보조밸브가 개방됨에 따라 펌프라인의 압력을 측정하는 보조압력센서가 마련되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an exhaust device of a semiconductor manufacturing facility, the present invention for this, the process chamber; A pump line connected to the process chamber and connected to the vacuum pump to discharge the gas finished in the process chamber to the outside; A first pressure sensor provided at the tip of the pump line to measure the pressure of the pump line; An auxiliary valve connected to the rear end of the pump line and opened and closed according to the pressure sensing operation of the first pressure sensor; It is provided on the rear end of the auxiliary valve is characterized in that the auxiliary pressure sensor for measuring the pressure of the pump line is provided as the auxiliary valve is opened.

이에 따라, 압력센서의 오작동으로 인하여 웨이퍼가 공정챔버 내에 장기간 채류되어 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 설비의 이상발생을 빨리 알 수 있어 설비의 가동효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
As a result, the wafer may be retained in the process chamber for a long time due to a malfunction of the pressure sensor, thereby preventing damage to the wafer, and it is possible to quickly recognize an abnormality of the facility, thereby increasing the operating efficiency of the facility. .

반도체, 웨이퍼, 확산공정, 확산로, 배기장치, 압력센서Semiconductor, Wafer, Diffusion Process, Diffusion Furnace, Exhaust System, Pressure Sensor

Description

반도체 제조설비의 배기장치{Exhaust apparatus of manufacturing equipment for semiconductor device} Exhaust apparatus of manufacturing equipment for semiconductor device             

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 배기장치를 간략히 나타낸 계통도.1 is a schematic diagram showing an exhaust device of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치를 간략히 나타낸 계통도.Figure 2 is a schematic diagram showing an exhaust system of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 공정챔버 30 : 펌프라인1: process chamber 30: pump line

31 : 메인밸브 33 : 제 1압력센서31 main valve 33 first pressure sensor

34 : 제 2압력센서 35 : 차단밸브34: second pressure sensor 35: shut-off valve

40 : 검압장치 42 : 보조센서40: pressure detection device 42: auxiliary sensor

44 : 보조밸브 50 : 배기라인44: auxiliary valve 50: exhaust line

51 : 배기밸브 52 : 배기센서
51 exhaust valve 52 exhaust sensor

본 발명은 반도체 제조설비의 배기장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 배출가스로 인한 부품 및 웨이퍼의 손상을 방지하는 반도체 제조설비의 배기장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust device of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to an exhaust device of a semiconductor manufacturing facility that prevents damage to parts and wafers due to exhaust gas.

일반적으로 반도체 제조공정은 확산, 식각, 현상, 화학기상증착 등 여러 가지 공정으로 이루어지고, 이에 따른 여러 가지의 주설비 및 보조설비가 사용되고 있다.In general, the semiconductor manufacturing process consists of various processes such as diffusion, etching, development, chemical vapor deposition, and various main and auxiliary equipments are used accordingly.

이러한, 여러 가지 공정 중에서 웨이퍼에 산화막을 성장시키거나, 전기적인 특성을 갖게 하기 위하여 붕소나 인 등의 불순물을 활성화 및 안정화시키기 위한 어닐링처리 등을 하는 공정으로는 확산공정이 있다.Among these processes, a diffusion process is an annealing process for activating and stabilizing impurities such as boron and phosphorus in order to grow an oxide film on a wafer or to have electrical characteristics.

이때, 확산공정을 수행하는 주설비로는 확산로가 있고, 확산로는 일반적으로 웨이퍼를 이송하여 확산로 내에 위치시키는 방식에 따라 수직식 및 수평식이 있으며, 통상 확산로는 석영관과 석영관을 가열시키는 히팅챔버로 구성된다.At this time, the main equipment for performing the diffusion process is a diffusion path, and the diffusion path is generally vertical and horizontal depending on the way to transfer the wafer to be located in the diffusion path, usually the quartz tube and quartz tube It consists of a heating chamber for heating.

또한, 확산로의 보조설비로는 공정에 필요한 정제된 적당량의 가스류를 적정시간 동안 확산로에 주입시키는 가스공급장치와, 보트 내에 적재된 웨이퍼를 확산로에 로딩 및 언로딩시키는 엘리베이터장치와, 보트에 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼이송장치와, 웨이퍼이송장치에 웨이퍼를 카셋트 단위로 이송하는 카셋트이송장치와, 장치들을 상호 유기적으로 제어하는 설비콘트롤부 및 공정챔버의 내부에 잔류하는 가스를 외부로 배출시키는 배기장치들이 있다.In addition, the auxiliary equipment of the diffusion furnace includes a gas supply device for injecting a suitable amount of purified gas required for the process into the diffusion furnace, an elevator device for loading and unloading the wafer loaded in the boat into the diffusion furnace, A wafer transfer device for loading and unloading wafers into a boat, a cassette transfer device for transferring wafers in a cassette unit to the wafer transfer device, an equipment control unit for controlling the devices organically and a gas remaining in the process chamber There are exhaust devices that exhaust to the outside.

여기서, 배기장치는 일반적인 공정챔버에서 적용되는 바와 같이, 공정챔버에 설치되는 펌프라인과 펌프라인에 연결된 배기라인 및 펌프라인과 배기라인에 부수적으로 설치되는 다수개의 밸브, 게이지 및 스위치를 구비하여 이루어진다.Here, the exhaust device comprises a pump line installed in the process chamber, an exhaust line connected to the pump line, and a plurality of valves, gauges, and switches additionally installed in the pump line and the exhaust line, as applied in a general process chamber. .

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 배기장치를 간략히 나타낸 계통도이다.1 is a schematic diagram showing an exhaust device of a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.

도시된 바와 같이 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 배기장치는, 공정챔버(1)에 설치되어 공정챔버(1)에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 펌프라인(10)과, 펌프라인(10)에 연결된 배기라인(20)이 마련된다. As shown in the drawing, the exhaust apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art includes a pump line 10 and a pump line installed in the process chamber 1 to discharge the gas which has been processed in the process chamber 1 to the outside. An exhaust line 20 connected to 10 is provided.

펌프라인(10)은 메인밸브(11)에 의해 개폐되고, 공정챔버(1)에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 진공펌프(12)와 연결되어 진공압이 형성되도록 마련된다. The pump line 10 is opened and closed by the main valve 11, and is connected to the vacuum pump 12 to discharge the gas, which has been processed in the process chamber 1, to the outside.

이러한, 펌프라인(10)의 전단부에는 비교적 낮은 압력(약 0~10Torr)을 측정하는 제 1압력센서(13)가 펌프라인(10)에서 분기되어 마련되고, 제 1압력센서(13)의 후단에는 제 1압력센서(13)에서 감지하기 어려운 압력(약 10-3Torr)을 측정하기 위한 제 2압력센서(14)가 펌프라인(10)에서 분기되어 마련된다.In the front end of the pump line 10, a first pressure sensor 13 measuring a relatively low pressure (about 0 to 10 Torr) is branched from the pump line 10 to provide a first pressure sensor 13. At the rear end, a second pressure sensor 14 for branching off the pump line 10 is provided to measure a pressure (about 10 -3 Torr) that is difficult to detect by the first pressure sensor 13.

여기서, 제 2압력센서(14)는, 제 1압력센서(13)에서 감지되는 압력이 10Torr이하일 경우 제 2압력센서(14)의 선단에 마련되는 차단밸브(15)가 개방되면서 제 2압력센서(14)에서 압력을 측정한다. Here, when the pressure detected by the first pressure sensor 13 is 10 Torr or less, the second pressure sensor 14 opens the shut-off valve 15 provided at the tip of the second pressure sensor 14 while opening the second pressure sensor. Measure the pressure at (14).

그리고, 펌프라인(10)에는 메인밸브(11)의 직접 개폐시 압력상승으로 인한 충격을 감소시키도록 메인밸브(11)를 우회하며, 바이패스밸브(16)에 의해 개폐되는 바이패스라인(17)이 설치된다.In addition, the pump line 10 bypasses the main valve 11 to reduce the shock due to the pressure increase when the main valve 11 is directly opened and closed, and the bypass line 17 opened and closed by the bypass valve 16. ) Is installed.

배기라인(20)은 배기밸브(21)에 의해 개폐되고, 공정챔버(1)에서 공정이 진행되는 동안 상압된 가스를 외부로 배출시키며, 공정챔버(1)와 메인밸브(11)의 사이의 펌프라인(10)에서 분기되어 형성되며, 배기라인(20)이 분기되는 펌프라인(10)의 선단에서 분기되어 마련되는 별도로 배기센서(22)와, 배기센서차단벨브(23)에 의해 그 개폐가 제어된다. The exhaust line 20 is opened and closed by an exhaust valve 21, discharges atmospheric pressure gas to the outside during the process in the process chamber 1, and between the process chamber 1 and the main valve 11. It is formed by branching from the pump line 10, and is opened and closed by the exhaust sensor 22 and the exhaust sensor blocking valve 23 is provided separately branched from the tip of the pump line 10 to which the exhaust line 20 is branched. Is controlled.

이러한, 배기장치는, 공정챔버(1)에서 공정이 진행되는 경우, 상압된 가스는 펌프라인(10)의 전단부에 연결된 배기라인(20)을 따라 배출되는 것이며, 공정챔버(1)에서 공정이 끝난 경우, 공정챔버(1) 내에 잔류하는 가스는 펌프라인(10)의 후단부를 따라 배출되는 것이다.In the exhaust device, when the process is performed in the process chamber 1, the atmospheric pressure gas is discharged along the exhaust line 20 connected to the front end of the pump line 10, and the process is performed in the process chamber 1. When this is done, the gas remaining in the process chamber 1 is discharged along the rear end of the pump line 10.

또한, 공정챔버(1)에서 질화막 형성 공정을 수행할 때에는 질소 가스를 확산로 내부로 주입하여 웨이퍼 표면상에 실리콘질화막(Si3N4)을 형성시키게 된다. In addition, when performing the nitride film forming process in the process chamber 1, nitrogen gas is injected into the diffusion furnace to form a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) on the wafer surface.

이때, 웨이퍼 표면상에 실리콘질화막(Si3N4)을 형성시키고 남은 질소 가스가 확산로 내부의 다른 성분들과 결합하여 염화암모늄(NH4Cl)가스를 형성하게 되며, 염화암모늄은 고온에서는 가스 상태이나, 온도가 떨어지게 되면 분말 형태로 고상화되는 성질을 갖고 있어 염화암모늄이 확산로에서 배기장치에 의해 배출될 때 열손실로 인해 분말 형태로 고상화된다. At this time, a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) is formed on the wafer surface and the remaining nitrogen gas is combined with other components in the diffusion furnace to form ammonium chloride (NH 4 Cl) gas. However, when the temperature drops, the powder solidifies in powder form, and the ammonium chloride solidifies in powder form due to heat loss when discharged from the diffusion furnace by the exhaust system.

그러나, 상술한 바와 같이 고상화된 염화암모늄은 배기장치에 의해 배출되면서 각 라인(10, 20) 및 각 라인(10, 20)에 마련된 각 센서 및 밸브에 적체되며 특 히, 펌프라인의 압력을 측정하는 제 1압력센서(13)에 많은 영향으로 미치게 되어 제 1압력센서(13)의 측정값에 오류가 발생하며, 제 1압력센서(13)의 측정 오류에 의해 제 2압력센서(14)의 측정 타이밍에 오류가 발생하여 공정챔버(1) 내에서 공정이 진행되는 웨이퍼(미도시)가 공정챔버(1)내에 정체되는 시간이 변동되어 웨이퍼의 공정 이상을 유발시키는 문제점이 있었다.
However, as described above, the solidified ammonium chloride is discharged by the exhaust device and accumulated in each line 10 and 20 and each sensor and valve provided in each line 10 and 20, and in particular, the pressure of the pump line is increased. The first pressure sensor 13 has a large influence on the measurement, and an error occurs in the measured value of the first pressure sensor 13, and the second pressure sensor 14 is caused by the measurement error of the first pressure sensor 13. There was a problem that an error occurred in the measurement timing of the wafer, which caused the wafer (not shown) in which the process proceeded in the process chamber 1 to be stagnated in the process chamber 1 to be changed, causing an abnormal process of the wafer.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 공정챔버에서 질화막 형성 공정을 수행할 때 부수적으로 발생되는 염화암모늄이 냉각되면서 고상화되어 배기장치의 압력센서에 적체되어 압력센서의 오동작을 유발시키거나, 센서의 기타 오류에 의해 이상 압력값이 검출될 때, 별도의 압력을 측정할 수 있는 센서를 마련하여 웨이퍼 가공공정을 계속적으로 진행시킬 수 있는 반도체 제조설비의 배기장치를 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, the ammonium chloride that is incidentally generated when performing the nitride film forming process in the process chamber is solidified while being cooled and accumulated in the pressure sensor of the exhaust device to prevent malfunction of the pressure sensor. When the abnormal pressure value is detected by causing or other error of the sensor, by providing a sensor that can measure a separate pressure to provide an exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment that can continue the wafer processing process There is a purpose.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치는, 공정챔버와; 상기 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 진공펌프에 연결되는 펌프라인과; 상기 펌프라인의 선단에 마련되어 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 제 1압력센서와; 상기 펌프라인의 후단에 연결되어 상기 제 1압력센서의 압력감지동작에 따라 개폐되는 보조밸브와; 상기 보 조밸브의 후단에 마련되어 상기 보조밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 보조압력센서가 마련되는 것을 특징으로 한다. Exhaust device of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the process chamber; A pump line connected to the process chamber and connected to a vacuum pump to discharge the gas which has been processed in the process chamber to the outside; A first pressure sensor provided at the tip of the pump line to measure the pressure of the pump line; An auxiliary valve connected to a rear end of the pump line and opened / closed according to a pressure sensing operation of the first pressure sensor; It is provided on the rear end of the auxiliary valve is characterized in that the auxiliary pressure sensor for measuring the pressure of the pump line is provided as the auxiliary valve is opened.

여기서, 상기 보조밸브는, 상기 제 1압력센서가 일정시간이상 설정된 압력을 측정하거나, 오작동이 감지될 경우 개방되는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the auxiliary valve is opened when the first pressure sensor measures a set pressure for a predetermined time or when a malfunction is detected.

또한, 상기 제 1압력센서 후단에 상기 제 1압력센서에서 측정되는 압력법위를 벗어날 경우 개방되는 차단밸브가 마련되고, 상기 차단밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 제 2압력센서가 마련되는 것이 바람직하다. In addition, a shutoff valve is provided at the rear end of the first pressure sensor when the pressure law measured by the first pressure sensor is released, and a second pressure sensor for measuring the pressure of the pump line is opened as the shutoff valve is opened. It is preferable to provide.

그리고, 상기 펌프라인에서 분기되어 형성되는 배기라인과, 상기 배기라인에 마련되어 상기 배기라인을 개폐시키는 배기밸브가 마련되고; 상기 펌프라인에 연결되고, 상기 제 1압력센서의 측정값에 의해 개방되는 배기센서차단밸브와, 상기 배기센서차단밸브의 후단에 연결되어 상기 배기센서차단밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하여 측정값에 따라 상기 배기밸브를 개폐시키는 배기센서가 더 마련되는 것이 바람직하다. And an exhaust line branched from the pump line and an exhaust valve provided in the exhaust line to open and close the exhaust line; An exhaust sensor shut-off valve connected to the pump line and opened by a measured value of the first pressure sensor, and connected to a rear end of the exhaust sensor shut-off valve to open the exhaust sensor shut-off valve so that the pressure of the pump line is increased. Preferably, the exhaust sensor is further provided to open and close the exhaust valve according to the measured value.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치를 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 것으로, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 아니 될 것이다.In the description of the present invention, terms defined are defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or custom of a person skilled in the art, and thus, limit the technical components of the present invention. It should not be understood as.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치를 간략히 나타낸 계통도 이다. 2 is a schematic diagram showing an exhaust device of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치는, 공정챔버(1)에 설치되어 공정챔버(1)에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 펌프라인(30)과, 펌프라인(30)에 연결된 배기라인(50)이 마련된다.As shown, the exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention is installed in the process chamber 1, the pump line 30 and the pump line (to discharge the finished gas in the process chamber 1 to the outside) An exhaust line 50 connected to 30 is provided.

상기 펌프라인(30)은 메인밸브(31)에 의해 개폐되고, 공정챔버(1)에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 진공펌프(32)와 연결되어 진공압이 형성되도록 마련된다. The pump line 30 is opened and closed by the main valve 31, and is connected to the vacuum pump 32 to discharge the gas, which has been processed in the process chamber 1, to the outside.

이러한, 펌프라인(30)의 전단부에는 비교적 낮은 압력(약 0~10Torr)을 측정하는 제 1압력센서(33)가 마련되고, 제 1압력센서(33)의 후단에는 제 1압력센서(33)에서 감지하기 어려운 압력(약 10~10-3Torr)을 측정하기 위한 제 2압력센서(34)가 마련되며, 제 2압력센서(34)의 선단에는 제 1압력센서(33)가 설정된 압력값을 감지할 때 개방되는 차단밸브(35)가 마련된다.The first pressure sensor 33 for measuring a relatively low pressure (about 0 to 10 Torr) is provided at the front end of the pump line 30, and the first pressure sensor 33 is provided at the rear end of the first pressure sensor 33. ) Is provided with a second pressure sensor 34 for measuring a pressure that is difficult to detect (about 10 to 10 -3 Torr), and a pressure at which the first pressure sensor 33 is set at the tip of the second pressure sensor 34. A shutoff valve 35 is provided that opens when sensing a value.

여기서, 제 2압력센서(34)는, 제 1압력센서(33)에서 감지되는 압력이 10Torr이하일 경우 제 2압력센서(34)의 선단에 마련되는 차단밸브(35)가 개방되면서 제 2압력센서(34)에서 압력을 측정한다.Here, when the pressure detected by the first pressure sensor 33 is 10 Torr or less, the second pressure sensor 34 opens the shutoff valve 35 provided at the tip of the second pressure sensor 34 while opening the second pressure sensor. Measure the pressure at 34.

또한, 제 1압력센서(33)의 후단 펌프라인(30)에는 제 1압력센서(33)의 오동작 또는 일정 압력범위의 이상의 압력이 감지될 경우 펌프라인(30)의 압력을 측정하는 검압장치(40)가 마련된다. In addition, the rear end pump line 30 of the first pressure sensor 33 is a pressure measuring device for measuring the pressure of the pump line 30 when a malfunction of the first pressure sensor 33 or a pressure of a predetermined pressure range is detected ( 40) is provided.

여기서, 검압장치(40)는 펌프라인(30)에서 분기되어 마련되어 제 1압력센서 (33)의 오동작이 감지되거나, 제 1압력센서(33)가 설정된 측정범위(예를 들어 10Torr)를 초과하여 일정시간 유지되었을 경우 개방되는 보조밸브(44)가 마련되며, 보조밸브(44)의 후단에는 보조밸브(44)가 개방됨에 따라 유입되는 펌프라인(30)의 압력을 측정하는 보조압력센서(42)가 마련되며, 보조압력센서(42)는 제 1압력센서(33)에서 사용되는 스팩과 동일한 스팩의 압력센서로 마련된다. Here, the pressure detecting device 40 is branched from the pump line 30 to detect a malfunction of the first pressure sensor 33 or the first pressure sensor 33 exceeds the set measurement range (for example, 10 Torr). When the auxiliary valve 44 is maintained for a predetermined time, the auxiliary valve 44 is provided. At the rear end of the auxiliary valve 44, the auxiliary pressure sensor 42 measuring the pressure of the pump line 30 introduced as the auxiliary valve 44 is opened. ) Is provided, the auxiliary pressure sensor 42 is provided with a pressure sensor having the same specifications as the specifications used in the first pressure sensor 33.

그리고, 펌프라인(30)에는 메인밸브(31)의 직접 개폐시 압력상승으로 인한 충격을 감소시키도록 메인밸브(31)를 우회하며, 바이패스밸브(36)에 의해 개폐되는 바이패스라인(37)이 설치된다.In addition, the pump line 30 bypasses the main valve 31 to reduce the shock due to the pressure increase when the main valve 31 is directly opened and closed, and the bypass line 37 opened and closed by the bypass valve 36. ) Is installed.

상기 배기라인(50)은 배기밸브(51)에 의해 개폐되고, 공정챔버(1)에서 공정이 진행되는 동안 상압된 가스를 외부로 배출시키며, 공정챔버(1)와 메인밸브(31)의 사이의 펌프라인(30)에서 분기되어 형성되며, 배기라인(50)이 분기되는 펌프라인(30)의 선단에서 분기되어 마련되는 별도로 배기센서(52)와, 배기센서차단밸브(53)로 구성된 배기밸브제어장치(55)에 의해 그 개폐가 제어된다.The exhaust line 50 is opened and closed by an exhaust valve 51, discharges atmospheric pressure gas to the outside during the process in the process chamber 1, and between the process chamber 1 and the main valve 31. It is formed branched from the pump line 30 of the exhaust, the exhaust line 50 is composed of an exhaust sensor 52 and the exhaust sensor shut-off valve 53 is provided separately branched from the tip of the pump line 30 is branched The opening and closing of the valve control device 55 is controlled.

이에 따라, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치의 작동을 실시예를 통하여 상세히 설명한다. Accordingly, the operation of the exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention will be described in detail through the embodiment.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 배기장치는, 공정챔버(1)에서 공정이 진행되는 경우, 상압된 가스는 펌프라인(30)의 전단부에 연결된 배기라인(50)을 따라 배출되는 것이며, 공정챔버(1)에서 공정이 끝난 경우, 공정챔버(1) 내에 잔류하는 가스는 펌프라인(30)의 후단부를 따라 배출된다.In the exhaust apparatus according to the present invention as described above, when the process proceeds in the process chamber 1, the atmospheric pressure gas is discharged along the exhaust line 50 connected to the front end of the pump line 30, the process When the process is completed in the chamber 1, the gas remaining in the process chamber 1 is discharged along the rear end of the pump line 30.

즉, 공정챔버(1)로 공정에 필요한 가스가 주입되어 공정이 진행되는 동안에 는 펌프라인(30)의 메인밸브(31)가 폐쇄되고 배기라인(50)의 배기밸브(51)가 개방되어 공정챔버(1)로 주입되어 공정을 끝낸 가스가 배출된다.That is, while the gas required for the process is injected into the process chamber 1 and the process is in progress, the main valve 31 of the pump line 30 is closed and the exhaust valve 51 of the exhaust line 50 is opened to process the process. The gas injected into the chamber 1 and finished the process is discharged.

이때, 배기라인(50)으로 배기되는 가스는 펌프라인(30)의 전단부에 마련되는 배기센서(52)에 의해 그 압력이 측정되며, 측정되는 압력에 따라 배기밸브(51)의 개폐가 설정된다. At this time, the pressure of the gas exhausted to the exhaust line 50 is measured by the exhaust sensor 52 provided at the front end of the pump line 30, the opening and closing of the exhaust valve 51 is set according to the measured pressure do.

이후, 공정챔버(1)의 공정이 완료되면 배기라인(50)의 배기밸브(51)가 폐쇄되고, 펌프라인(30)의 메인밸브(31)가 개방되며, 펌프라인(30)에 후단부에 연결된 진공펌프(32)가 작동하여 공정챔버(1)내에 체류되어 있는 잔류가스를 배출한다. Thereafter, when the process of the process chamber 1 is completed, the exhaust valve 51 of the exhaust line 50 is closed, the main valve 31 of the pump line 30 is opened, and the rear end portion of the pump line 30 is opened. The vacuum pump 32 connected to the valve is operated to discharge residual gas remaining in the process chamber 1.

여기서, 배출되는 잔류가스는 제 1압력센서(33)에서 1차적으로 그 압력이 측정되며, 펌프라인(30)으로 배출되는 가스의 압력이 제 1압력센서(33)에서 설정된 압력(예를 들어 약 10Torr)이하로 측전되면, 펌프라인(30)과 제 2압력센서(34)를 차단하고 있는 차단밸브(35)가 개방되면서 제 2압력센서(34)에서 펌프라인(30)의 압력을 측정한다.Here, the residual gas discharged is measured primarily by the first pressure sensor 33, and the pressure of the gas discharged to the pump line 30 is set by the first pressure sensor 33 (for example, When it is measured below 10 Torr), the shutoff valve 35 blocking the pump line 30 and the second pressure sensor 34 is opened, and the pressure of the pump line 30 is measured by the second pressure sensor 34. do.

이때, 배출되는 잔류가스에 포함되어 있는 염화암모늄(NH4Cl)가스가 고상화 되어 제 1압력센서(33)의 측정값에 영향을 미치거나, 제 1압력센서(33)의 오작동으로 인하여 제 1압력센서(33)의 측정값이 설정된 압력(예를 들어 약 10Torr)이상으로 일정시간 감지될 경우에는 펌프라인(30)에서 분기되어 마련되는 검압장치(40)에서 펌프라인(30)의 압력을 측정한다. At this time, the ammonium chloride (NH 4 Cl) gas contained in the discharged residual gas is solidified to affect the measured value of the first pressure sensor 33, or due to a malfunction of the first pressure sensor 33. 1 When the measured value of the pressure sensor 33 is sensed for a predetermined time or more, for example, a predetermined pressure (for example, about 10 Torr), the pressure of the pump line 30 in the check device 40 branched from the pump line 30 is provided. Measure

즉, 제 1압력센서(33)의 측정값이 설정된 압력(예를 들어 약 10Torr)이상으 로 일정시간 감지될 경우 펌프라인(30)에서 분기되어 마련되는 보조밸브(44)가 개방되고, 보조밸브(44)에 연결된 보조압력센서(42)에서 펌프라인(30)의 압력을 측정한다. That is, when the measured value of the first pressure sensor 33 is detected over a predetermined pressure (for example, about 10 Torr) for a predetermined time, the auxiliary valve 44 branched from the pump line 30 is opened, and the auxiliary valve is opened. The pressure of the pump line 30 is measured by the auxiliary pressure sensor 42 connected to the valve 44.

여기서, 보조압력센서(42)에서 측정되는 펌프라인(30)의 압력 측정값이 제 1압력센서(33)의 측정값과 동일하거나 제 1압력센서(33)의 설정값 이하일 경우에는 후속 공정을 진행하고, 보조압력센서(42)에서 측정되는 펌프라인(30)의 측정값이 제 1압력센서(33)의 설정값이 상일 경우에는 설비의 이상상태를 알려 작업자가 설비를 정검하도록 한다.Here, if the pressure measurement value of the pump line 30 measured by the auxiliary pressure sensor 42 is equal to the measurement value of the first pressure sensor 33 or less than the set value of the first pressure sensor 33, the subsequent process is performed. When the measured value of the pump line 30 measured by the auxiliary pressure sensor 42 is higher than the set value of the first pressure sensor 33, the operator informs an abnormal state of the equipment and allows the worker to inspect the equipment.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
Although described in detail with respect to preferred embodiments of the present invention as described above, those of ordinary skill in the art, without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims Various modifications may be made to the invention. Therefore, changes in the future embodiments of the present invention will not be able to escape the technology of the present invention.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기장치는, 공정챔버에서 펌프라인으로 배출되는 가스의 압력을 측정하는 제 1압력센서가 질화막 형성 공정시 부수적으로 발생하는 염화암모늄에 의해 오작동을 유발하거나, 기타 오작동에 의해 오작동될 때, 펌프라인의 압력을 측정할 수 있는 별도의 검압장치를 마련함으로써, 압력센서의 오작동으로 인하여 웨이퍼가 공정챔버 내에 장기간 채류되어 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 설비의 이상발생을 빨리 알 수 있어 설비의 가동효율을 높일 수 있는 효과가 있다. As described above, the exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the first pressure sensor for measuring the pressure of the gas discharged from the process chamber to the pump line malfunctions due to ammonium chloride incidentally generated during the nitride film forming process By providing a separate pressure measuring device that can measure the pressure in the pump line when it is malfunctioning or causing other malfunctions, it is possible to prevent the wafer from being damaged in the process chamber for a long time due to the malfunction of the pressure sensor. There is an effect that can be found quickly, the occurrence of abnormalities of the facility has the effect of increasing the operation efficiency of the facility.

Claims (4)

공정챔버와;A process chamber; 상기 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버에서 공정을 마친 가스를 외부로 배출시키도록 진공펌프에 연결되는 펌프라인과;A pump line connected to the process chamber and connected to a vacuum pump to discharge the gas which has been processed in the process chamber to the outside; 상기 펌프라인의 선단에 마련되어 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 제 1압력센서와;A first pressure sensor provided at the tip of the pump line to measure the pressure of the pump line; 상기 펌프라인의 후단에 연결되어 상기 제 1압력센서의 압력감지동작에 따라 개폐되는 보조밸브와;An auxiliary valve connected to a rear end of the pump line and opened / closed according to a pressure sensing operation of the first pressure sensor; 상기 보조밸브의 후단에 마련되어 상기 보조밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 보조압력센서가 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기장치.And an auxiliary pressure sensor provided at a rear end of the auxiliary valve to measure the pressure of the pump line as the auxiliary valve is opened. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보조밸브는, 상기 제 1압력센서가 일정시간이상 설정된 압력을 측정하거나, 오작동이 감지될 경우 개방되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기장치.The auxiliary valve exhaust device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the first pressure sensor measures the set pressure for a predetermined time or when a malfunction is detected. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1압력센서 후단에 상기 제 1압력센서에서 측정되는 압력법위를 벗어날 경우 개방되는 차단밸브가 마련되고, 상기 차단밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하는 제 2압력센서가 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기장치.A shutoff valve is provided at the rear end of the first pressure sensor when the pressure law measured by the first pressure sensor is released, and a second pressure sensor is provided to measure the pressure of the pump line as the shutoff valve is opened. An exhaust device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 펌프라인에서 분기되어 형성되는 배기라인과, 상기 배기라인에 마련되어 상기 배기라인을 개폐시키는 배기밸브가 마련되고;An exhaust line branched from the pump line and an exhaust valve provided in the exhaust line to open and close the exhaust line; 상기 펌프라인에 연결되고, 상기 제 1압력센서의 측정값에 의해 개방되는 배기센서차단밸브와, 상기 배기센서차단밸브의 후단에 연결되어 상기 배기센서차단밸브가 개방됨에 따라 상기 펌프라인의 압력을 측정하여 측정값에 따라 상기 배기밸브를 개폐시키는 배기센서가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기장치.An exhaust sensor shut-off valve connected to the pump line and opened by a measured value of the first pressure sensor, and connected to a rear end of the exhaust sensor shut-off valve to open the exhaust sensor shut-off valve so that the pressure of the pump line is increased. And an exhaust sensor for measuring the opening and closing of the exhaust valve in accordance with the measured value.
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