KR20060027627A - Thin film deposition apparatus capable of preventing from occuring powder particle - Google Patents

Thin film deposition apparatus capable of preventing from occuring powder particle Download PDF

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KR20060027627A
KR20060027627A KR1020040076503A KR20040076503A KR20060027627A KR 20060027627 A KR20060027627 A KR 20060027627A KR 1020040076503 A KR1020040076503 A KR 1020040076503A KR 20040076503 A KR20040076503 A KR 20040076503A KR 20060027627 A KR20060027627 A KR 20060027627A
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한유진
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 소스를 챔버 내부로 공급하여 챔버 내부에 로딩된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 박막 증착 장치에 있어서, 상기 소스가 담긴 캐니스터를 상기 챔버에 인접하게 배치하여 상기 소스의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인의 길이를 축소시킴으로써 상기 소스의 잔여물이 상기 가스 라인 내부에 증착되지 않도록 한 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, TMA 캐니스터를 종래 가스 박스에서 챔버 리드 상으로 변경하여 배치함으로써 TMA의 흐름에 경로를 제공하는 가스 라인 길이를 대폭 줄일 수 있게 된다. 이에 따라, 챔버 내의 프로세스 중이나 퍼지시 TMA 잔여물이 가스 라인에 증착되는 것을 방지하여 파우더성 파티클 발생을 크게 완화시키거나 없앨 수 있다. 결국, 본 발명에 의하면, 파티클에 의한 수율 하락을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, comprising: supplying a source into a chamber to form a predetermined thin film on a wafer loaded in the chamber, wherein the canister containing the source is disposed adjacent to the chamber; By reducing the length of the gas line providing a path of flow of the source, the residue of the source is prevented from being deposited inside the gas line. According to this, by changing the arrangement of the TMA canister from the conventional gas box onto the chamber lid, it is possible to significantly reduce the gas line length that provides a path to the flow of the TMA. This prevents TMA residues from depositing in the gas line during process or purge in the chamber, which can greatly mitigate or eliminate powdery particle generation. As a result, according to the present invention, there is an effect that can prevent the drop in yield due to particles in advance.

Description

파우더성 파티클 발생을 억제시킬 수 있는 박막 증착 장치{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS CAPABLE OF PREVENTING FROM OCCURING POWDER PARTICLE}THIN FILM DEPOSITION APPARATUS CAPABLE OF PREVENTING FROM OCCURING POWDER PARTICLE}

도 1은 종래 기술에 따른 박막 증착 장치를 도시한 구성도.1 is a block diagram showing a thin film deposition apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 박막 증착 장치를 도시한 구성도.2 is a block diagram showing a thin film deposition apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100; 가스 박스 200; 소스 캐니스터100; Gas box 200; Sauce Canister

220,320; MFC 240,340; 밸브220,320; MFC 240,340; valve

300; 가스 캐니스터 400; 챔버300; Gas canister 400; chamber

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 파우더성 파티클 발생을 억제할 수 있는 박막 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly to a thin film deposition apparatus that can suppress the generation of powdery particles.

기체 상태의 물질을 반도체 웨이퍼 상에 증착하여 소정의 박막을 형성하는 반도체 박막 공정에는 물리기상증착법(PVD), 화학기상증착법(CVD), 원자층증착법(ALD) 등이 있는 것으로 알려져 있다. 이중에서 원자층증착법은 원자층 단위로 박막을 웨이퍼 상에 증착할 수 있어 균일성 및 스텝커버리지 측면에서 장점이 있다. BACKGROUND ART A semiconductor thin film process for depositing a gaseous substance on a semiconductor wafer to form a predetermined thin film is known to include physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), and the like. Among them, the atomic layer deposition method can deposit a thin film on a wafer in atomic layer units, which has advantages in terms of uniformity and step coverage.                         

도 1은 종래의 박막 증착 장치 중에서 원자층 증착 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 실제로 원자층 증착 프로세스가 진행되는 챔버(40)와, 캐니스터(20,30)가 있는 가스 박스(10)와, 유량 제어기(22,32;MFC)와 밸브(24,34)가 설치된 가스라인(26,36)을 포함하여 구성된다.1 is a configuration diagram schematically showing an atomic layer deposition apparatus of a conventional thin film deposition apparatus. Referring to FIG. 1, a chamber 40 in which an atomic layer deposition process actually proceeds, a gas box 10 with canisters 20 and 30, flow controllers 22 and 32 MFC and valves 24 and 34. It is configured to include a gas line (26, 36) is installed.

어느 하나의 캐니스터(20)에는 TMA(Tetramethyaluminum) 소스가 들어있는 캐니스터이고 다른 하나의 캐니스터(30)는 소정의 가스라 가정하면, 종래의 원자층 증착 장치에선 TMA 캐니스터(20)가 가스 박스(10) 내에 장착되어 있어 챔버(40)까지는 약 3 미터 정도의 가스 라인(26)을 거쳐 챔버(40)로 공급된다. 그런데, 챔버(40) 내에서 프로세스가 진행되는 도중에, 또는 퍼지(purge)시 TMA 잔여물이 가스 라인(26) 내에 증착되어 이것이 파티클 발생 요인이 되어 반도체 소자의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.Assuming that one canister 20 contains a Tetramethyaluminum (TMA) source and the other canister 30 is a predetermined gas, in the conventional atomic layer deposition apparatus, the TMA canister 20 is a gas box 10. ) Is supplied to the chamber 40 via the gas line 26 of about 3 meters to the chamber 40. However, during the process in the chamber 40 or during purge, TMA residue is deposited in the gas line 26, which causes particle generation, thereby lowering the yield of the semiconductor device.

이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 가스 라인 내에 발생되는 파티클 증착을 줄이거나 또는 방지함으로써 파티클 발생을 완화시키거나 없앨 수 있는 박막 증착 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, an object of the present invention to provide a thin film deposition apparatus that can mitigate or eliminate particle generation by reducing or preventing particle deposition generated in the gas line. Is in.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 소스의 흐름 경로를 제공하는 가스 라인의 길이를 줄여 파티클 발생 가능성을 완화시키거나 없애는 것을 특징으로 한다. The thin film deposition apparatus according to the present invention for achieving the above object is characterized by reducing the length of the gas line providing a flow path of the source to reduce or eliminate the possibility of particle generation.                     

상기 특징을 달성할 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는, 소스를 챔버 내부로 공급하여 챔버 내부에 로딩된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 박막 증착 장치에 있어서, 상기 소스가 담긴 캐니스터를 상기 챔버에 인접하게 배치하여 상기 소스의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인의 길이를 축소시킴으로써 상기 소스의 잔여물이 상기 가스 라인 내부에 증착되지 않도록 한 것을 특징으로 한다.In the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention capable of achieving the above characteristics, the thin film deposition apparatus for supplying a source into the chamber to form a predetermined thin film on the wafer loaded in the chamber, the source is A contained canister is placed adjacent to the chamber to reduce the length of the gas line providing a path of flow of the source so that no residue of the source is deposited within the gas line.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소스는 테트라메틸알루미늄(TMA)을 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the invention, the source is characterized in that it comprises tetramethylaluminum (TMA).

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 테트라메틸알루미늄(TMA)이 담긴 캐니스터는 상기 챔버의 리드 상단에 배치되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the invention, the canister containing tetramethylaluminum (TMA) is characterized in that it is disposed on the top of the lid of the chamber.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 테트라메틸알루미늄 캐니스터와 상기 챔버 사이에는 상기 테트라메틸알루미늄의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인이 배치되고, 상기 가스 라인에는 유량 제어기와 밸브가 마련된 것을 특징으로 한다.In an embodiment of the present invention, a gas line is provided between the tetramethylaluminum canister and the chamber to provide a flow path of the tetramethylaluminum, and the gas line is provided with a flow controller and a valve. .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버 내부에서는 원자층 증착법에 의해 상기 소정의 박막이 형성되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the predetermined thin film is formed in the chamber by an atomic layer deposition method.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소정의 박막을 형성하는데 사용되는 가스가 담긴 캐니스터를 포함하는 가스 박스와, 상기 가스 박스로부터 상기 챔버 내부로 상기 가스를 공급하는 경로를 제공하는 가스 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, there is further provided a gas box including a canister containing a gas used to form the predetermined thin film, and a gas line providing a path for supplying the gas from the gas box into the chamber. It is characterized by including.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 소정의 박막을 형성하는데 사용되는 가 스를 상기 챔버로 공급하는 가스 라인에는 상기 가스의 흐름을 제어하는 유량 제어기와 밸브가 마련된 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the gas line for supplying the gas used to form the predetermined thin film to the chamber is characterized in that the flow rate controller and valve for controlling the flow of the gas is provided.

상기 특징을 달성할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장치는, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 프로세스가 실제적으로 진행되는 챔버와; 상기 챔버 내부로 상기 박막의 소스를 공급하는, 그리고 상기 챔버의 리드 상단에 배치되는 제1 캐니스터와; 상기 챔버 내부로 상기 박막을 형성하는데 소요되는 가스를 공급하는 제2 캐니스터와; 상기 제2 캐니스터를 장착하는 가스 박스와; 상기 제1 캐니스터에서 상기 챔버로 상기 소스를 공급하는 경로를 제공하는 제1 가스 라인과; 상기 제2 캐니스터에서 상기 챔버로 상기 가스를 공급하는 경로를 제공하는 제2 가스 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.A thin film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, which can achieve the above characteristics, includes: a chamber in which a process of forming a thin film on a wafer is actually performed; A first canister for supplying a source of the thin film into the chamber and disposed above the lid of the chamber; A second canister supplying a gas required to form the thin film into the chamber; A gas box for mounting the second canister; A first gas line providing a path for supplying the source from the first canister to the chamber; And a second gas line providing a path for supplying the gas from the second canister to the chamber.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 프로세스는 원자층 증착법을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, the process comprises atomic layer deposition.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 소스는 테트라메틸알루미늄(TMA)을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the invention, the source is characterized in that it comprises tetramethylaluminum (TMA).

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 가스 라인과 상기 제1 가스 라인 중에서 적어도 어느 하나는 유량 제어기와 밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, at least one of the first gas line and the first gas line includes a flow controller and a valve.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 가스 라인은 1 미터 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, the first gas line has a length of 1 meter or less.

본 발명에 의하면, TMA 캐니스터를 종래 가스 박스에서 챔버 리드 상으로 변경하여 배치함으로써 TMA의 흐름에 경로를 제공하는 가스 라인 길이를 대폭 줄일 수 있게 된다. 이에 따라, 챔버 내의 프로세스 중이나 퍼지시 TMA 잔여물이 가스 라인에 증착되는 것을 방지하여 파우더성 파티클 발생을 크게 완화시키거나 없앨 수 있게 된다.According to the present invention, by changing the arrangement of the TMA canister from the conventional gas box onto the chamber lid, it is possible to significantly reduce the gas line length that provides a path to the flow of the TMA. This prevents TMA residue from depositing in the gas line during process or purge in the chamber, which can greatly mitigate or eliminate powdery particle generation.

이하, 본 발명에 따른 박막 증착 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, a device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention can be best understood by referring to the following detailed description with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

(실시예)(Example)

도 2는 본 발명에 따른 박막 증착 장치, 가령 원자층 증착 장치의 일례를 도시한 구성도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 원자층 증착 장치는 실제적으로 원자층 증착 프로세스가 진행되는 리액션 챔버(Reaction Chamber) 내지는 프로세스 챔버(40:Process Chamber)와, 챔버(40) 내부로 공급되어 원자층 증착 프로세스에 사용되는 가스가 들어있는 캐니스터(300;Canister)를 장착하는 가스 박스(100;Gas Box)와, 가스 박스(100)와 챔버(400) 사이에 가스 흐름의 경로는 제공하는 가스 라인(360)를 포함하여 구성된다.2 is a configuration diagram showing an example of a thin film deposition apparatus, for example, an atomic layer deposition apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 2, the atomic layer deposition apparatus according to the present invention actually includes a reaction chamber or a process chamber 40 in which an atomic layer deposition process is performed, and an atom supplied to an inside of the chamber 40. A gas box (100; gas box) equipped with a canister (300) containing a gas used in the layer deposition process, and a gas line providing a path of gas flow between the gas box 100 and the chamber 400 And 360.

한편, 챔버(400) 내에 장착된 웨이퍼(미도시) 상에 알루미늄 박막을 형성하 기 위한 소스로서 TMA(Trimethylaluminum)을 사용하는 경우 TMA 캐니스터(200)는 챔버(400)의 리드 상단에 배치된다. 여기서도 캐니스터(200)와 챔버(400) 사이에는 TMA 소스의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인(260)이 마련된다. 가스 라인(260)에는 TMA 소스의 흐름을 제어하는 유량 제어기(220;Mass Flow Controller)와 가스 라인(260)의 개폐 및 개도 정도를 결정함으로써 TMA 소스의 챔버(400)로의 공급 여부를 조절하는 밸브(240)가 더 마련될 수 있다.On the other hand, when using a trimethylaluminum (TMA) as a source for forming an aluminum thin film on a wafer (not shown) mounted in the chamber 400, the TMA canister 200 is disposed on the top of the lead of the chamber 400. Here too, a gas line 260 is provided between the canister 200 and the chamber 400 to provide a path for the flow of the TMA source. The gas line 260 has a mass flow controller 220 that controls the flow of the TMA source and a valve that controls whether the TMA source is supplied to the chamber 400 by determining the degree of opening and closing of the gas line 260. 240 may be further provided.

여기서, TMA(Trimethulaluminum, Al(CH3)3)은 AlGaAs, InAlAs 및 AlN 등의 알루미늄을 포함한 반도체 소자와 산화물 형태의 알루미늄 박막, 배선용 알루미늄 박막제조를 위한 원자층 증착(ALD) 또는 화학기상증착(CVD)에 쓰이는 액체 알루미늄 화합물을 말한다.Here, TMA (Trimethulaluminum, Al (CH 3 ) 3 ) is a semiconductor device including aluminum, such as AlGaAs, InAlAs and AlN, and an oxide-type aluminum thin film, atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition for the production of aluminum thin film for wiring ( It refers to a liquid aluminum compound used in CVD).

이와 같이, TMA 캐니스터(200)를 외부의 가스 박스(100)에 배치하지 아니하고 챔버(400) 리드 상에 배치하게 되면 캐니스터(200)와 챔버(400) 사이에 있는 가스 라인(260)의 길이가 종래 3 미터 정도에서, 예를 들어, 1 미터 이하 또는 많게는 0.5 미터 이하로 축소된다. TMA 가스 라인(260)이 축소되면 챔버(400)에서 프로세스가 진행중이거나 설비의 교체 및 퍼지시 TMA 잔여물이 가스 라인(260) 상에 증착되는 가능성을 줄일 수 있다. 이에 따라, TMA 잔여물이 가스 라인(260) 내부에 증착됨으로써 발생하는 파우더성 파티클 발생을 크게 완화시키거 억제시킬 수 있게 된다. 게다가, 캐니스터(200)의 교체시 소요되는 작업시간 및 공수가 단축되는 부가적인 장점도 있게 된다. As such, when the TMA canister 200 is disposed on the lid of the chamber 400 instead of the external gas box 100, the length of the gas line 260 between the canister 200 and the chamber 400 is increased. In conventional 3 meters or so, for example, the scale is reduced to 1 meter or less or more than 0.5 meters or less. Reducing the TMA gas line 260 may reduce the likelihood that TMA residue is deposited on the gas line 260 during the process in the chamber 400 or during the replacement and purge of equipment. Accordingly, it is possible to greatly alleviate or suppress the generation of powdery particles generated by the TMA residue deposited in the gas line 260. In addition, there is an additional advantage that the work time and labor required for replacement of the canister 200 is shortened.                     

상기와 같이 구성된 박막 증착 장치(원자층 증착 장치)는 다음과 같이 동작한다.The thin film deposition apparatus (atomic layer deposition apparatus) configured as described above operates as follows.

가스 박스(100)에 소정의 가스가 담긴 캐니스터(300)와 소스인 TMA 가 담긴 캐니스터(200)로부터 챔버(400) 내부로 프로세스에 필요한 소스 내지는 가스가 동시에 또는 순차적으로 공급된다. 챔버(400) 내부에는 웨이퍼(미도시)가 로딩되어 있어 공급된 가스나 소스와 화학반응하여 웨이퍼 상에 원하는 박막이 형성된다.From the canister 300 containing a predetermined gas in the gas box 100 and the canister 200 containing the source TMA, the source or gas required for the process is supplied simultaneously or sequentially. A wafer (not shown) is loaded in the chamber 400 to chemically react with the supplied gas or source to form a desired thin film on the wafer.

특히, 박막 소스로서 TMA를 사용하는 경우 TMA 캐니스터(200)가 가스 박스(100)가 아닌 챔버(400)의 리드 상에 배치되어 있음으로 해서 TMA 가스 라인(260)기 종래에 비해 대폭적으로 축소된다. 이에 따라, 프로세스가 진행중이거나 설비 교체 및 퍼지시 가스 라인(260) 내부에 TMA 잔여물이 증착되는 가능성을 크게 줄임으로써 파우더성 파티클이 발생되는 것을 억제시킬 수 있다. 한편, TMA 소스나 필요한 가스 등의 흐름은 각 가스 라인(260,360)에 구비된 유량 제어기(220,320)와 밸브(240,340)에 의해 제어된다.In particular, when the TMA is used as a thin film source, the TMA canister 200 is disposed on the lid of the chamber 400 instead of the gas box 100, thereby greatly reducing the TMA gas line 260. . Accordingly, it is possible to suppress the generation of powdery particles by greatly reducing the likelihood that TMA residue is deposited inside the gas line 260 during the process or during equipment replacement and purge. On the other hand, the flow of the TMA source or the required gas is controlled by the flow controllers 220 and 320 and the valves 240 and 340 provided in the respective gas lines 260 and 360.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용 도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The foregoing embodiments are intended to illustrate the best state in carrying out the invention, and to utilize other inventions, such as the invention, to other conditions known in the art, and to the specific fields and applications of the invention. Various changes are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, TMA 캐니스터를 종래 가스 박스에서 챔버 리드 상으로 변경하여 배치함으로써 TMA의 흐름에 경로를 제공하는 가스 라인 길이를 대폭 줄일 수 있게 된다. 이에 따라, 챔버 내의 프로세스 중이나 퍼지시 TMA 잔여물이 가스 라인에 증착되는 것을 방지하여 파우더성 파티클 발생을 크게 완화시키거나 없앨 수 있다. 결국, 본 발명에 의하면, 파티클에 의한 수율 하락을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, by changing the arrangement of the TMA canister from the conventional gas box to the chamber lid, it is possible to significantly reduce the gas line length that provides a path to the flow of the TMA. This prevents TMA residues from depositing in the gas line during process or purge in the chamber, which can greatly mitigate or eliminate powdery particle generation. As a result, according to the present invention, there is an effect that can prevent the drop in yield due to particles in advance.

Claims (12)

소스를 챔버 내부로 공급하여 챔버 내부에 로딩된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하는 박막 증착 장치에 있어서,A thin film deposition apparatus for supplying a source into a chamber to form a predetermined thin film on a wafer loaded in the chamber, 상기 소스가 담긴 캐니스터를 상기 챔버에 인접하게 배치하여 상기 소스의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인의 길이를 축소시킴으로써 상기 소스의 잔여물이 상기 가스 라인 내부에 증착되지 않도록 한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And depositing the canister containing the source adjacent to the chamber to reduce the length of the gas line providing the path of flow of the source so that no residue of the source is deposited within the gas line. Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스는 테트라메틸알루미늄(TMA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And the source comprises tetramethylaluminum (TMA). 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 테트라메틸알루미늄(TMA)이 담긴 캐니스터는 상기 챔버의 리드 상단에 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The canister containing the tetramethylaluminum (TMA) is disposed on the top of the lid of the chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 테트라메틸알루미늄 캐니스터와 상기 챔버 사이에는 상기 테트라메틸알루미늄의 흐름의 경로를 제공하는 가스 라인이 배치되고, 상기 가스 라인에는 유량 제어기와 밸브가 마련된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And a gas line providing a flow path of the tetramethylaluminum between the tetramethylaluminum canister and the chamber, wherein the gas line is provided with a flow controller and a valve. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 챔버 내부에서는 원자층 증착법에 의해 상기 소정의 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And the predetermined thin film is formed in the chamber by an atomic layer deposition method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소정의 박막을 형성하는데 사용되는 가스가 담긴 캐니스터를 포함하는 가스 박스와, 상기 가스 박스로부터 상기 챔버 내부로 상기 가스를 공급하는 경로를 제공하는 가스 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And a gas box including a canister containing gas used to form the predetermined thin film, and a gas line providing a path for supplying the gas from the gas box into the chamber. . 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 가스 라인에는 상기 가스의 흐름을 제어하는 유량 제어기와 밸브가 마련된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.Thin film deposition apparatus, characterized in that the gas line is provided with a flow controller and a valve for controlling the flow of the gas. 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 프로세스가 실제적으로 진행되는 챔버와;A chamber in which the process of forming a thin film on the wafer is actually carried out; 상기 챔버 내부로 상기 박막의 소스를 공급하는, 그리고 상기 챔버의 리드 상단에 배치되는 제1 캐니스터와;A first canister for supplying a source of the thin film into the chamber and disposed above the lid of the chamber; 상기 챔버 내부로 상기 박막을 형성하는데 소요되는 가스를 공급하는 제2 캐니스터와;A second canister supplying a gas required to form the thin film into the chamber; 상기 제2 캐니스터를 장착하는 가스 박스와;A gas box for mounting the second canister; 상기 제1 캐니스터에서 상기 챔버로 상기 소스를 공급하는 경로를 제공하는 제1 가스 라인과;A first gas line providing a path for supplying the source from the first canister to the chamber; 상기 제2 캐니스터에서 상기 챔버로 상기 가스를 공급하는 경로를 제공하는 제2 가스 라인;A second gas line providing a path for supplying the gas from the second canister to the chamber; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.Thin film deposition apparatus comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 프로세스는 원자층 증착법을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And the process comprises atomic layer deposition. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 소스는 테트라메틸알루미늄(TMA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And the source comprises tetramethylaluminum (TMA). 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1 가스 라인과 상기 제1 가스 라인 중에서 적어도 어느 하나는 유량 제어기와 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And at least one of the first gas line and the first gas line includes a flow controller and a valve. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1 가스 라인은 1 미터 이하의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.And the first gas line has a length of 1 meter or less.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100942146B1 (en) * 2007-10-05 2010-02-17 주식회사 실트론 Pulse gas flow deposition method, device for the same andmanufacturing method for epitaxial wafer using the same
WO2021158803A1 (en) * 2020-02-07 2021-08-12 Lam Research Corporation In situ surface coating of process chamber

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